Закономерности изменения структуры поверхностей и свойств ионных кристаллов с металлом, имплантированным термоэлектрическим воздействием
Диссертация
Наличие ионов проводимости неизбежно сопровождается взаимодействием их с дефектами кристаллической решетки диэлектрика, такими как дислокации, границы субзерен, микрои макротрещины. Последние оказывают существенное влияние на прочностные характеристики кристалла, его оптические свойства. Взаимодействие ионов проводимости с такими нарушениями решетки может приводить к восстановлению сплошности… Читать ещё >
Список литературы
- Малкович, Р.Ш. Математика диффузии в полупроводниках / Р. Ш. Малкович. СПб.: Наука, 1999.-390 с.
- Дмитриев, С.Г. Распределение подвижных ионов в тонких пленках диэлектрика вблизи границы диэлектрик-полупроводник / С. Г. Дмитриев, Ю. В. Маркин // ФТП. 2000. — Т.34. — Вып. 8. — С. 970−975.
- Дмитриев, С.Г. Сегрегация подвижных ионов на границах раздела диэлектрик—полупроводник в МДП структурах / С. Г. Дмитриев, Ю. В. Маркин // ФТП. 2002. — Т.36.- Вып. 2. — С. 205−210.
- Julies, В.A. A study of the NiSi to NiSi2 transition in the Ni-Si binary system / B.A. Julies, D. Knoesen, R. Pretorius, D. Adams //Thin Solid Films. -1999.-347.-P. 201−207.
- Киселев, В.Ф. Основы физики поверхности твердого тела / В. Ф. Киселев, С. Н. Козлов, A.B. Зотеев. -М.: Изд-во МГУ, 1999. -287 с.
- Громов, Д.Г. Появление гетерогенного механизма при плавлении малоразмерных систем / Д. Г. Громов, С. А. Гаврилов //ФТТ. 2009. — Т. 51. — Вып. 10.-С. 205−211.
- Продан, Е.А. Топохимия кристаллов / Е. А. Продан Минск: Наука и техника, 1990.-245 с.
- Бурмакин, Е.И. Твердые электролиты с проводимостью по катионам щелочных металлов /Е.И. Бурмакин. -М.: Наука, 1992—264 с.
- Куликов, В.Д. Ток проводимости в структуре металл-диэлектрик-металл / В. Д. Куликов // ЖТФ. 2004. — Т.74. — Вып. 10. — С. 122−127.
- Чеботин, В.Н. Электрохимия твердых электролитов / В. Н. Чеботин, М. В. Перфильев. М.:Наука, 1978. — 271 с.
- Укше, E.JI. Твердые электролиты / Е. Л. Укше, И. Г. Букун. -М.: Наука, 1977.-175 с.
- Физика электролитов / Под ред. Дж. Хладика. М.: Мир, 1978. -556 с.
- Solid electrolytes / Ed. S. Geller. В. etc.: Springer, 1977. — 229 p.
- Чеботин, В.Н. Физическая химия твердого тела / В. Н. Чеботин. — М.: Химия, 1982. 320 с.
- Вест, А. Химия твердого тела. Теория и приложения / А. Вест. -М.: Мир, 1988. 556 с.
- Мурыгин, И.В. Электродные процессы в твердых электролитах / И. В. Мурыгин. -М.: Наука, 1991.-351 с.
- Гуревич, Ю.Я. Суперионная проводимость твердых тел / Ю. Я. Гуревич, Ю. И. Харкац. М.: ВИНИТИ, 1987. — 157 с.
- Кобец, JI.B. Механизм протонной проводимости / JI.B. Кобец, В. А. Филимонов // Неорганические материалы. 1988. — Т. 24. — № 8. — С. 1327−1331.
- Гилман, Дж. Механические свойства ионных кристаллов / Дж. Гилман //УФН. 1963. — Т. LXXX. — Вып. 3. — С. 455−489.
- Замкова, Н.Г. Динамика решетки ионных кристаллов в модели «дышащих» и поляризуемых ионов / Н. Г. Замкова, В. И. Зиненко // ФТТ. — 1998. Т. 40. — № 2. — С. 350−354.
- Ivanov, O.V. Microscopical Calculations of Phonons in Polarizable Ion Approach /O.V. Ivanov, E.G. Maksimov //Physical Review Letters. 1992. -Vol. 46.-№ 11.-P. 12 165−12 174.
- Иванов, O.B. Микроскопические вычисления электронной поляризуемости и динамики решетки ионных кристаллов / О. В. Иванов, Е. Г. Максимов // ЖЭТФ. 1995. — Vol. 5. — № 11. — Р. 1841−1859.
- Rickert, H. Electrochemistry of solids: an introduction / H. Rickert. — New York: Springer, 1982. 240 p.
- Таныгина, E. Д. Введение в теоретическую кристаллохимию / Е.Д. Таныгина- под ред. Л. Е. Цыганковой. Тамбов: Изд-во 11 У им. Г. Р. Державина, 2008. — 109 с.
- Вавилов, B.C. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках / B.C. Вавилов, А. Е. Кив, O.P. Ниязова. М.: Наука, 1981. -368 с.
- Плотников, В.П. Физика проводников и диэлектриков / В. П. Плотников. Тамбов: Изд-во Тамб. гос. тех. ун-та, 2004. — 80 с.
- Болтакс, Б.Н. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках / Б. Н. Болтакс. Л.: Наука, 1972. — 384 с.
- Косевич, A.M. Физическая механика реальных кристаллов /A.M. Косевич. Киев: Наукова думка, 1981. — 205 с.
- Шаскольская, М.П. Кристаллография / М. П. Шаскольская. -М.: Высш. шк., 1984. 199 с.
- Бокий, Г. Б. Кристаллохимия / Г. Б. Бокий. М.: Наука, 1971. — 399 с.
- Тяпунина, Н. А. Заряженные дислокации и свойства щелочногалоидных кристаллов / Н. А. Тяпунина, Э. П. Белозерова //УФН. -1988. Т. 156. — Вып. 4. — С. 683−717.
- Житару, Р.П. Влияние термообработки на относительную подвижность краевых и винтовых дислокаций в кристаллах NaCl / Р. П. Житару, H.A. Палистрант // ФТТ. 1999. — Т. 41. — Вып. 6. — С. 10 411 043
- Кожогулов, О.Ч. Акад. наук. КиргСССР, Ин-т физики / О. Ч. Кожогулов, В. П. Макаров, А. Ш. Шалпыков. Фрунзе: Илим, 1984. -161 с.
- Urusovskaya, A.A. Influence of Impurities on the Mechanical Properties of Csl Crystals / A.A. Urusovskaya, N.L. Sizova, A. Rachkov, Y.A. Zakharin, V.M. Dobryak // Phys. Stat. Sol. 1977. — Vol. 443. -№ 41. — P. 124−127.
- Боярская, Ю.С. Закономерности деформирования легированных кристаллов NaCl при одноосном сжатии в интервале температур 4.2−293 К / Ю. С. Боярская, Р. П. Житару // ФТТ. 1997. — Т. 39. — №° 2. — С. 1242−1248.
- Новиков, И.И. Кристаллография и дефекты кристаллической решетки. Учебник для вузов / И. И. Новиков, K.M. Розин. М.:Металлургия, 1990.-336 с.
- Булярский, C.B. Термодинамика и кинетика взаимодействующих дефектов в полупроводниках / C.B. Булярский, В. И. Фистуль. М.: Наука, 1997.-352 с.
- Вараксин, А.Н. Определение миграционного объема вакансии в ионных кристаллах из данных по электропроводности смешанных кристаллов / А. Н. Вараксин, Ю. Н. Колмогоров // ФТТ. 1992. — Т. 34. — № 1. -С. 168−171.
- Маркидонов, A.B. Бездиффузионный механизм массопереноса в кристаллах, содержащих агрегаты вакансий и межузельных атомов:автореферат дис. канд. физ.-мат. наук / A.B. Маркидонов. Барнаул, 2009. -22 с.
- Hirota, S. Infrared transient absorption and electronic state of localized self-trapped exitonsin KC1: I / S. Hirota, K. Edmatsu, Y. Kondo, T. Itoh //Phys.Rev.B—1995. — Vol. 52.- № 11.-P. 7779−7782.
- Вильчинская, C.C. Взаимодействие первичных дефектов со структурными нарушениями в ионных кристаллах: дис.. канд. физ.-мат. наук / С. С. Вильчинская. — Томск, 2005. 127 с.
- Андо, Т. Электронные свойства двумерных систем / Т. Андо,
- A. Фаулер, Ф. Стерн. М.: Мир. — 1985. — 157с.
- Троицкий, B.C. Компьютерное моделирование образования пор в диэлектрических кристаллах: дис.. канд. физ.-мат. наук / B.C. Троицкий. — Барнаул, 2007. 135 с.
- Слезов, В.В. Эволюция микроструктуры в облучаемых материалах /
- B.В. Слезов, A.B. Субботин, O.A. Осмаев // ФТТ. 2005. — Том 47. — Вып. 3. -С. 463−468.
- Фридель, Ж. Дислокации / Ж. Фридель. М.:Мир, 1967. — 643 с.
- Хирт, Д. Теория дислокаций / Д. Хирт, И. Лоте. М.: Наука, 1972. -599 с.
- Колесникова, A.JI. О релаксации напряжений в пентагональных нитевидных кристаллах / A.JI. Колесникова, А. Е. Романов. // Письма в ЖТФ. 2007. — Т. 33. — Вып. 20. — С. 73−79.
- Колесникова, A.JI. Процессы релаксации упругой энергии в гетероструктурах с напряженными нановключениями / A.JI. Колесникова, А. Е. Романов, В. В. Чалдышев. // ФТТ. 2007. — Т. 49. — Вып. 4. — С. 633−640.
- Колесникова, A.JI. Петлевые дислокации и дисклинации в методе виртуальных дефектов / A.JI. Колесникова, А. Е. Романов // ФТТ. 2003. -Т. 45.-Вып. 9.-С. 1626−1636.
- Косевич, A.M. Дислокации в теории упругости. /A.M. Косевич. — Киев: Наук, думка, 1978. 220 с.
- Whitworth, R. W. Charged dislocation in ionic crystals //Adv. Phys-1975. Vol. 24. -№ 2. — P. 203−304.
- Petrenko, V.F. Properties of II-VI semiconductors associated with moving dislocations / V.F. Petrenko, A.V.Zaretskii, R.W.Whitworth // Advances in Physics. 1986. — Vol. 35. — No. 2. — P. 115−188.
- Урусовская, A.A. Электрические эффекты, связанные с пластической деформацией ионных кристаллов / А. А. Урусовская // УФН. — 1968. Т. 96. — Вып. 1. — С. 39−60.
- Галусташвили, В.М. Формирование заряда на дислокации в кристаллах фтористого лития: автореферат дис.. канд. физ.-мат. наук / В. М. Галусташвили. Тбилиси, 1975. — 18 с.
- Альшиц, В.И. О кинетике формирования заряда на дислокациях в процессе пластической деформациию / В. И. Альшиц, М. В. Галусташвили, И. М. Паперно // Кристаллография. 1975. — Т.20. — № 6. — С. 1113−1132.
- Электронные свойства дислокаций в полупроводниках /под ред. академика Ю. А. Осипьяна. М.: Эдиториал УРСС, 2000. — 320 с.
- Урусовская, А.А. Деформация кристаллов NaCl в условиях совместного действия магнитного и электрического полей / А. А. Урусовская, В. И. Альшиц, Н. Н. Беккауер, А. Е. Смирнов // ФТТ. 2000. — Т. 42. — Вып. 2. — С. 267−269.
- Блекмор, Дж. Статистика электронов в полупроводниках / Дж. Блекмор- под ред. JI.JI. Коренблита. М.: Мир, 1964. — 393 с.
- Тялин, Ю.И. Микромеханизмы разрушения и залечивания трещин в материалах с различной кристаллической структурой : автореферат дис. докт. физ.-мат. наук / Ю. И. Тялин. Белгород, 2004. — 35 с.
- Чаркина, О.В. Электромагнитное излучение подвижных дислокационных сегментов в ионном кристалле / О. В. Чаркина, К. А. Чишко // ФТТ. — 2001. Т. 43. — Вып. 10.-С. 1821−1827.
- Бугай, А.Н. О влиянии поперечных возмущений на движение краевой дислокации / А. Н. Бугай, С. В. Сазонов // ФТТ. 2005. — Т. 47. -Вып. 4. — С. 622−627.
- Алыпиц, В.И. Динамическое торможение дислокаций / В. И. Алыпиц, В. Л. Инденбом // УФН. 1975. — Т. 115. — Вып. 3. — С. 39−52.
- Каганов, М.И. Электронное торможение дислокаций в металлах / М. И. Каганов, В. Я. Кравченко, В. Д. Нацик И УФН. 1973. — Т. 111. — Вып. 5. -С. 655−682.
- Malashenko, V.V. Self-Consistent Description of the Effect of Point Defects on Spectrum and Dynamic Deceleration of Dislocations / V.V. Malashenko, V.L. Sobolev, B.I. Khudik // Phys. Status Solid B. 1987. -Vol. 143. -№ 2.-P. 425−431.
- Malashenko, V. V. Dynamic Drag of Screw Dislocation by Point Defects / V.V. Malashenko // Fiz. Tverd. Tela. 1990. — Vol. 32. — № 2.- P. 645−647.
- Малашенко, B.B. Особенности динамического поведения винтовой дислокации при возбуждении поперечных дислокационных колебаний / В. В. Малашенко // ФТТ. 2007. — Т. 49. — Вып. 4. — С. 641−643.
- Малашенко, В.В. Ориентационный эффект динамического взаимодействия круговых дислокационных петель с движущейся краевой дислокацией / В. В. Малашенко // ФТТ. 2008. — Т. 50. — Вып. 10. — С. 17 881 792.
- Сарафанов, Г. Ф. Корреляционные эффекты в ансамбле краевых дислокаций / Г. Ф. Сарафанов // ФТТ. 2008. — Т. 50. — Вып. 10. — С. 17 931 799.
- Malashenko, V. V. The Interaction between an Ensemble of Point
- Defects and a Moving Screw Dislocation / V. V. Malashenko // Fiz. Tverd. Tela. -1997. Vol. 39. -№ 3.-P. 493−494.
- Малашенко, В.В. Динамическое торможение краевых дислокаций точечными дефектами в гидростатически сжатом кристалле /
- B.В. Малашенко // ЖТФ. 2006. — Т. 76. — Вып. 6. — С. 127−129.
- Малашенко, В.В. Влияние фононной вязкости и дислокационного взаимодействия на скольжение пары краевых дислокаций в кристалле с точечными дефектами / В. В. Малашенко // ФТТ. 2006. — Т. 48. — Вып. 3.1. C. 433−435.
- Малашенко, В.В. Возможный механизм динамического торможения дислокаций в металлах на стадии легкого скольжения / В. В. Малашенко // Кристаллография. 2009. — Т. 54. — № 2. — С. 312−315.
- Самородина, Т. В. Аналитические модели низкотемпературных процессов торможения винтовых дислокаций точечными дефектами: дис.. канд. физ.-мат. наук / Т. В. Самородина. Саратов, 2001. — 119 с.
- Рыбин, В.Н. Учет реальной структуры скопления дислокаций в задаче о термоактивированном зарождении трещины / В. Н. Рыбин, Ш. К. Ханнанов//ФТТ. — 1969. — Т. 11.-Вып. 4.-С. 1048−1051.
- Владимиров, В.И. Образование трещин в заторможенной полосе скольжения / В. И. Владимиров, Ш. Х. Ханнанов // ФММ. 1971. — Т. 31. -Вып. 4.-С. 838−842.
- Федоров, В.А. Влияние распределения дислокаций в границах двойника на зарождение микротрещин в его вершине / В. А. Федоров, В. А. Куранова, Ю. И. Тялин, С. Н. Плужников // ФТТ. 2002. — Т. 44. -Вып. 6.-С. 1057−1059.
- Чишко, К.А. Излучение электромагнитных волн краевыми дислокациями, движущимися в ионных кристаллах / К. А. Чишко, О. В. Чаркина // ФТТ. 1996. — Т. 38. — Вып. 9. — С. 2775−2786.
- Косевич, A.M. Изучение электромагнитных и звуковых волн дислокаций, равномерно движущихся в ионном кристалле / A.M. Косевич, И. Г. Маргвелашвили // Известия АН СССР. Сер. физ. 1967. — Т. 31. -Вып. 5. — С. 848−850.
- Альшиц, В.И. Влияние электрического поля на подвижность дислокаций в магнитном поле / В. И. Альшиц, Е. В. Даринская, Е. Ю. Михина, Е. А. Петржик // ФТТ. 1996. — Т. 38. — Вып. 8. — С. 2426−2430.
- Alshits, V.l. Magnetoplastic effect in non-magnetic crystals and internal friction / V.l. Alshits, E.V. Darinskaya, O.L. Kazakova, E.Yu. Mikhina, E.A. Petrzhik // Journal of Alloys and Compounds. 1994. — Vol. 548. — № 4P. 211−212.
- Головин, Ю.И. Влияние магнитных и электрических полей на состояние точечных дефектов в монокристаллах NaCl / Ю. И. Головин, Р. Б. Моргунов, A.B. Тютюнник, С. Е. Жуликов, Н. М. Афонина // ФТТ. 1998. -Т. 40. — Вып. 12.-С. 2184−2188.
- Альшиц, В.И. Влияние концентрации примеси Ca на магнитный порог магнитопластического эффекта в кристаллах NaCl / В. И. Альшиц, Е. В. Даринская, О. Л. Казакова // ФТТ. 1998. — Т. 40. — Вып. 1. — С. 81−84.
- Головин, Ю.И. Магнитопластичность твердых тел / Головин Ю. И. // ФТТ. 2004. — Т. 46. — Вып. 5. — С. 769−803.
- Моргунов, Р.Б. Спиновая микромеханика в физике пластичности / Р. Б. Моргунов // УФН. 2004. — Т. 174. — Вып. 2. — С. 131−153.
- Головин, Ю.И. Влияние постоянного магнитного поля на скорость пластического течения монокристаллов NaCl:Ca /Ю.И. Головин, Р. Б. Моргунов // ФТТ. 1995. — Т. 37. — Вып. 7. — С. 2118−2121.
- Альшиц, В.И. Исследование магнитопластического эффекта в монокристаллах цинка / В. И. Альшиц, Е. В. Даринская, И. В. Гектина, Ф. Ф. Лаврентьев / // Кристаллография 1990 — Т. 35 — Вып. 4 — С. 1014−1016.
- Молоцкий, М.И. Возможный механизм магнитопластического эффекта/М.И. Молоцкий/ФТТ. 1991. -Т. 33.-Вып. 10.-С. 3112−3114.
- Еханин, С.Г. Дефектообразование, ударная ионизация и электрическая прочность микронных слоев щелочно-галоидных кристаллов: автореферат дис. докт. ф.-м. наук / С. Г. Еханин. Томск, 2002. — 34 с.
- Еханин, С.Г. Температурные зависимости квантового выхода электролюминесценции и деградационные процессы в NaCl / С. Г. Еханин, Н. С. Несмелов, Е. В. Нефедцев // ФТТ. 1990. — Т. 32. — Вып. 2. — С. 409−412.
- Головин, Ю.И. Быстропротекающие электрические процессы и динамика дислокаций в пластически деформируемых щелочно-галоидных кристаллах / Ю. И. Головин, А. А. Шибков // ФТТ. 1986. — Т. 28. — Вып. 11. -С. 3492−3499.
- Головин, Ю. И. Динамика и электрическое поле дефектов при лазерном повреждении поверхности ионных кристаллов / Ю. И. Головин, А. В. Горбунов, А. А. Шибков // ФТТ. 1988. — Т. 30. — Вып. 7. — С. 1931−1937.
- Альшиц, В.И. О движении дислокаций в кристаллах NaCl под действием постоянного магнитного поля /В.И. Альшиц, Е. В. Даринская, Т. М. Перекалина, А. А. Урусовская // ФТТ. 1987. — Т. 29. — Вып. 2. — С. 467 471.
- Загоруйко, Н.В. Действие постоянного электрического и импульсного магнитного полей / Н. В. Загоруйко // Кристаллография. — 1965. -Т. 10.-Вып. 1.-С. 81−86.
- Alshits, V.I. Magnetoplastic effect: relaxation of dislocation structure in nonmagnetic crystals under magnetic field / V.I.Alshits, E.V.Darinskaya, O.L.Kazakova, E.Yu.Mikhina, E.A.Petrzhik // Izv. RAN (ser. fiz.). 1993. -Vol.57. — № 11.-P. 2−11.
- Головин, Ю.И. Влияние слабого магнитного поля на состояние структурных дефектов и пластичность ионных кристаллов / Ю. И Головин, Р. Б. Моргунов // ЖЭТФ.- 1999. Т. 115. — № 2. — С.605−624.
- Даринская, Е.В. Магнитопластический эффект в InSb / E.B. Даринская, Е. А. Петржик, С. А. Ерофеева, В.П. Кисель// Письма в ЖЭТФ.- 1999. Т. 70. — № 4. — С.298−302.
- Орлов, A.M. Поведение дислокаций в кремнии при наличии механических и магнитных возмущений / A.M. Орлов, A.A. Скворцов, A.A. Соловьев // ЖЭТФ. -2003. Т. 121. — № 3. — С.590−598.
- Алыниц, В.И. Влияние рентгеновского облучения на магнитопластический эффект в кристаллах NaCl / В. И. Алыпиц, Е. В. Даринская, O.JI. Казакова //Письма в ЖЭТФ 1995 — Т.62.- № 4.- С.352−354.
- Головин, Ю.И. Магнитная память дислокаций в монокристаллах NaCl / Ю. И. Головин, Р. Б. Моргунов // Письма в ЖЭТФ. 1993. — Т. 58. -№ 3. — С. 189−192.
- Головин, Ю.И. Влияние постоянного магнитного поля на скорость макропластического течения ионных кристаллов / Ю. И. Головин, Р. Б. Моргунов // Письма в ЖЭТФ 1995 — Т. 61.-Вып. 7. — С. 583−586.
- Алыпиц, В.И. «In situ» изучение магнитопластического эффекта в кристаллах NaCl методом непрерывного травления / В. И. Алыпиц, Е. В. Даринская, Е. А. Петржик // ФТТ. 1991. — Т.ЗЗ. — Вып.10. — С. 30 013 010.
- Альшиц, В.И. Деформация кристаллов LiF в постоянном магнитном поле / A.A. Урусовская, А. Е. Смирнов, H.H. Беккауер // ФТТ- 2000. Т. 42. — № 2. — С.270−275.
- Golovin, Yu.I. Influence ofa strong magnetic field pulse on NaCl crystal microhardness / Yu.I. Golovin, R.B. Morgunov, D.V. Lopatin, A.A. Baskakov // Phys. Stat. Sol. (a), — 1997. Vol. 160. -№ 2.-P. 189−192.
- Тяпунина, H.A. Влияние магнитного поля на неупругие свойства кристаллов LiF / H.A. Тяпунина, B.JI. Красников, Е. П. Белозерова // ФТТ. -1999. -№ 6. С. 1035−1040.
- Песчанская, H.H. О влиянии постоянного магнитного поля на кинетику деформации полимеров / H.H. Песчанская, В. Ю. Суровова, П. Н. Якушев // ФТТ. 1992. — Т.34. — Вып.7. — С. 2111−2117.
- Головин, Ю. И. Влияние магнитного поля на пластичность, фото- и электролюминесценцию монокристаллов ZnS / Ю. И. Головин, Р. Б. Моргунов, А. А. Баскаков, М. В. Бадылевич, С. 3. Шмурак // Письма в ЖЭТФ.- 1999.- № 2.- С. 114−118.
- Головин, Ю.И. Влияние импульса сильного магнитного поля па механические свойства полиметилметакрилата / Ю. И. Головин, Р. Б. Моргунов, С. Ю. Ликсутин // Высокомолекулярные соединения — 1998. -Т. 40.-№ 2.- С. 373 -375.
- Песчанская, H.H. Ползучесть полимеров в постоянном магнитном поле / H.H. Песчанская, П. Н. Якушев // ФТТ. 1997. — Т.39. — Вып.9. -С. 1690−1693.
- Головин, Ю.И. Спиновая микромеханика в физике пластичности /Ю.И. Головин, Р. Б. Моргунов // ЖЭТФ. 1999. — Т. 115. — Вып.2. — С. 605 624.
- Смирнов, Б.И. Магнитопластический эффект в сегнетоэлектрических кристаллах NaN02 / Б. И. Смирнов, H.H. Песчанская, В. И. Николаев // ФТТ. 2001. — Т.43. — Вып. 12. — С. 2154−2156.
- Даринская, Е.В. Магнитопластический эффект в InSb / E.B. Даринская, Е. А. Петржик, С. А. Ерофеева, В. П. Кисель // Письма в ЖЭТФ. 1999. — Т.70. — Вып.4. — С. 298−302.
- Осипьян, Ю.А. Инверсия знака магнитопластического эффекта в монокристаллах С60 при фазовом переходе sc-fcc / Ю. А. Осипьян, Ю. И. Головин, Р. Б. Моргунов, Р. К. Николаев, И. А. Пушнин, С. З. Шмурак // ФТТ. 2001. — Т.43. — Вып.7. — С. 1333−1335.
- Осипьян, Ю.А. Влияние импульсного магнитного поля на микротвердость монокристаллов С60 / Ю. А. Осипьян, Ю. И. Головин, Д. В. Лопатин, Р. Б. Моргунов, Р. К. Николаев, С. З. Шмурак // Письма в ЖЭТФ. 1999. — Т.69. — Вып.7. — С. 110−115.
- Альшиц, В.И. Магнитопластический эффект в кристаллах NaCl, LiF и AI в переменном магнитном поле / В. И. Альшиц, Р. Воска, Е. В. Даринская, Е. А. Петржик // ФТТ. 1993. — Т. 35. — № 1. — С. 70−72.
- Дацко, О.И. Внутреннее трение в магнитообработанном материале / О. И. Дацко, В. И. Алексеенко // ФТТ. 1997. — Т. 39. — № 7. — С. 1234−1236.
- Альшиц, В.И. Магнитопластический эффект и спин-решеточная релаксация в системе дислокация парамагнитный примесный центр / В. И. Альшиц, Е. В. Даринская, О. Л. Казакова, Е. Ю. Михина, Е. А. Петржик // Письма в ЖЭТФ. — 1996. — Т. 63. — № 8. — С. 628−633.
- Альшиц, В.И. Магнитопластический эффект в кристаллах LiF и продольная релаксация спинов / В. И. Альшиц, Е. В. Даринская // Письма в ЖЭТФ. 1999. — Т. 70. — № 11. — С. 749−753.
- Моргунов, Р. Б. Магниточувствительные промежуточные состояния комплексов точечных дефектов, возникающие после закаливаниямонокристаллов NaCl:Eu /Р. Б. Моргунов, А. А. Баскаков // ФТТ. 2001. -Т. 43.-№ 9.-С. 1632−1634.
- Головин, Ю.И. Электронный парамагнитный резонанс в подсистеме структурных дефектов как фактор пластификации кристаллов NaCl / Ю. И. Головин, Р. Б. Моргунов, В. Е. Иванов, С. Е. Жуликов, A.A. Дмитриевский // Письма в ЖЭТФ 1998. — Т. 68. — № 5. — С. 400−405.
- Даринская, Е.В. О влиянии концентрации точечных дефектов в кристаллах NaCl и LiF на поле насыщения магнитопластического эффекта / Е. В. Даринская, Е. Хартманн // ФТТ 2003. — Т. 45. — № 11. — С. 2013−2016.
- Головин, Ю.И. Оптическое гашение магнитопластического эффекта в кристаллах NaCl / Ю. И. Головин, Р. Б. Моргунов, М. В. Бадылевич, С. З. Шмурак // ФТТ.- 1997. Т. 39. — № 8. — С. 1389−1391.
- Агеев, В.Н. Адсорбционно-десорбционные процессы на поверхности твердого тела / В. Н. Агеев, Э. Я. Зандберг // Вестник АН СССР. -1985. -№ 12. -С.17−29.
- Ханефт, А. В. Термодинамика и кинетика образования дефектов Френкеля и Шоттки в ионных кристаллах: учебное пособие / А. В. Ханефт. — Кемерово, 2008. 124 с.
- Темроков, А.И. О теплофизических характеристиках поверхностей кристаллических тел / Темроков А. И. // ТВТ 2000 — Т. 38. -№ 4. С. 573.
- Гиббс, Д.В. Термодинамические работы / Д. В. Гиббс. М.: Мир, 1953.-360 с.
- Карпенко, C.B. О роли поверхностной энергии в наноразмерных кристаллических объектах / C.B. Карпенко, А. И. Темроков // ЖТФ- 2004. -Т. 74. -№ 11.-С. 115−117.
- Борисова, М.Э. Физика диэлектриков / М. Э. Борисова, С. Н. Койков. Л.: Изд-во ЛГУ, 1979.- 240 с.
- Сиротин, Ю.И. Основы кристаллофизики /Ю.И. Сиротин, М. П. Шаскольская. М.: Наука, 1975 — 680 с.
- Рез, И. С. Диэлектрики Основные свойства и применения в электронике/ И. С. Рез, Ю. М. Поплавко. М.: Радио и связь, 1989. -288 с.
- Lide, D.R. Handbook of Chemistry and Physics / Lide D.R. // 72nd ed. CRC Press.- 1991.-Vol. 92. -№ 19.-P. 5−96.
- Сканави, Г. И. Физика диэлектриков (область слабых полей) / Г. И. Сканави.- М.: Техтеориздат, 1949 500 с.
- Иванов-Шиц, А. К. Материалы ионики твердого тела / А.К. Иванов-Шиц, Л. Н. Демьянец // Природа. 2003. — № 12. — С.35−43.
- Кадргулов, Р.Ф. Особенности ионного переноса в твердом электролите с двумя сортами подвижных катионов /Р.Ф. Кадргулов, P.A. Якшибаев // Вестник Башкирского университета. 2001. — № 3. — С. 1314.
- Ковтуненко, П.В. Физическая химия твердого тела. Кристаллы с дефектами / П. В. Ковтуненко. М.: Высшая школа, 1993. — 352 с.
- Альмухаметов, Р.Ф. Структурные и кристаллохимические аспекты быстрого ионного переноса в твердых электролитах : дис. докт. ф-м наук/ Р. Ф. Альмухаметов.-Уфа, 2006.- 214 с.
- Третьяков, Ю.Д. Твердофазные реакции / Ю.Д. Третьяков-М. Химия, 1978.-360 с.
- Almand, D.P. The activation entropy for transport in ionic conductors / D.P. Almand, A. R. Vest // Ibid. -1987.- Vol 23.- № 1.- P.27−35.
- Hong, H. Y-P. Crystal structures and crystal chemistry in the system Na 1 +xZr2SixP3-xO 12 / H. Y-P. Hong //Materials Research Bulletin.- 1976. -Vol. 11.-P. 173−182.
- Hong, H. Y-P. Crystal structures and ionic conductivity of Lii4Zn (Ge04)4 and other new Li±superionic conductors / H. Y-P. Hong // Materials Research Bulletin.- 1978. -Vol. 13. P. 117−124.
- Костюков, H.C. Радиационная электропроводность / H.C. Костюков, М. И. Мумин, С. М. Атраш, М. А. Мухаляд, Н. В. Васильев. М.: Наука, 2001. -171с.
- Воробьев, Г. А. Электрический пробой твердых диэлектриков: монография/ Г. А. Воробьев, С. Г. Еханин, Н.С. Несмелов- под ред. Г. А. Воробьева.- Томск: гос. ун-т систем упр. и радиоэлектроники, 2 007 142 с.
- Цидильковский, В.И. Ионная термоэдс в твердых электролитах / В. И. Цидильковский, В. А. Мезрин // ФТТ. 1986. — Т.28. — С. 2155−2160.
- Гороховатский, Ю.А. Термоактивационная токовая спектроскопия высокоомных полупроводников и диэлектриков / Ю. А. Гороховатский, Г. А. Бордовский. М.: Наука: Главная редакция физ.-мат. литер., 1991. — 248 с.
- Луфт, Б.Д. Физико-химические методы обработки поверхности полупроводников / Б. Д. Луфт. М.: Радио и связь, 1982. — 136 с.
- Баранов, A.B. Исследование токов автоэлектронной эмиссии и ударной ионизации в щелочно-галоидных кристаллах / A.B. Баранов, Г. А. Воробьев // Радиотехника и электроника. — 1965. № 11. — С. 2072−2074.
- Иванов-Шиц, А. К. Ионика твердого тела: в 2 т. Т.1. / А.К. Иванов-Шиц, И. В. Мурик. Спб.: изд-во Спб-го ун-та, 2000. — 616 с.
- Иванов-Шиц, А. К. Исследование ионной и электронной проводимости монокристаллов твердого электролита RbAgJs: дис.. канд. хим. наук / А.К. Иванов-Шиц. Свердловск, 1978. -128 с.
- Reid, W.B. The growth and characterisation of aperiodic copper thin films on the five-fold and two-fold surfaces of the icosahedral AlPdMn quasicrystal / W.B. Reid, E.E. Lachowsky, A.R. West // Phys. Chem. Glasses. -1990. Vol. 31.-№ 3.-P. 103.
- Owen, J.R. Thin film lithium-alummiimi negative plate material / J.R. Owen, W.S. Maskell, B.C.H. Steele // J. Solid State Ionics. 1984. — Vol. 13. -P. 329−334.
- Перфильев, M.B. Высокотемпературный электролиз газов / M.B. Перфильев, А. К. Демин, Б. Л. Кузин, A.C. Липилин. -М.: Наука, 1988. -265 с.
- Поливанов, K.M. Теория электромагнитного поля / K.M. Поливанов. М.: Энергия, 1969. — 348 с.
- Фадеев, Ю.А. Электрические и оптические свойства кристалла / Ю. А. Фадеев, В. В. Демьянов. Кемерово: ГУ КузГТУ, 2003. — 108 с.
- Богородицкий, Н.П. Электротехнические материалы: Учебник для вузов / Н. П. Богородицкий, В. В. Пасынков, Б. М. Тареев. -Л.: Энергоатомиздат. Ленингр. отд-ние, 1985. — 304 с.
- Губкин, А.Н. Электреты / А. Н. Губкин. М.: Наука, 1978. — 192 с.
- Несмелов, Н.С. Электронные и ионные процессы в щелочно-галоидных кристаллах в сверхсильных электрических полях: дис.. д-ра физ.-мат. наук / Н. С. Несмелов. Рига, Саласпилс: ИФТТ АН Латв. ССР, 1980.-250 с.
- Еханин, С.Г. Влияние сильного электрического поля на край фундаментального оптического поглощения монокристаллов NaCl / С. Г. Еханин и др. // Изв. вузов. Физика. 1990. — № 3. — С. 105.
- Якубович, Б.И. Электрические флуктуации в средах с проводящими каналами / Б. И. Якубович. Гатчина: ПИЯФ, 2006. — 13 с.
- Якубович, Б.И. Электрические флуктуации и дефекты структуры в неметаллах / Б. И. Якубович. Гатчина: ПИЯФ, 2008. — 12 с.
- Якубович, Б.И. Нелинейные электрические флуктуации в неметаллах / Б. И. Якубович. Гатчина: ПИЯФ, 2004. — 14 с.
- Бреховских, Л.М. Введение в механику сплошных сред / Л. М. Бреховских, В. В. Гончаров М.: Наука, 1982. — 335 с.
- Резниченко, Л.А. Огромная пьезоэлектрическая анизотропия ниобата натрия с композитоподобной структурой / Л. А. Резниченко, Л. А. Шилкина, A.B. Турик, С. И. Дудкина // ЖТФ. 2002. — Т. 72. — Вып. 2. -С. 65−67.
- Струков, Б.А. Сегнетоэлектричество / Б. А. Струков. М.: Наука, 1979.-96 с.
- Сорокин, B.C. Материалы и элементы электронной техники / B.C. Сорокин, Б. Л. Антипов, Н. П. Лазарева М.: Академия, 2007. — 174 с.
- Смирнова, Е.П. Пироэлектрический эффект в твердых растворах на основе магниобата свинца / Е. П. Смирнова, С. Е. Александров, К. А. Сотников, A.A. Капралов, A.B. Сотников // ФТТ. 2003. — Т. 45. -Вып. 7.-С. 1245−1249.
- Дрождин, С.Н. Физические основы пироэлектричества / Дрождин С. Н. // Соросовский Образовательный Журнал. — 1998. № 12. -С. 94−100.
- Гриднев, С.А. Диэлектрики с метастабильной электрической поляризацией / С. А. Гриднев // Соросовский образовательный журнал. -1997.-№ 5.-С. 105−111.
- Губкин, А.Н. Исследование релаксационных процессов в монокристаллическом фтористом литии / А. Н. Губкин, О. Н. Попов // Физика полупроводников и микроэлектроники. Рязань: Межвузовский сборник научных трудов. — 1979. — Вып. 6. — С. 3−6.
- Попов, О.Н. Электретный эффект в диэлектрических материалах электронной техники: автореферат дис.. докт. тех. наук / О. Н. Попов. -М., 1996.-38 с.
- Гах, С. Г. Объемный заряд и токи термодеполяризации в тонких пленках цирконата-титаната свинца / С. Г. Гах, Е. Д. Рогач, Е. В. Свиридов // ЖТФ. 2001. — Т. 71. — Вып. 1. — С. 49−52.
- Попов, О.Н. Релаксационные процессы, возникающие в диэлектрических материалах при их обработке постоянным электрическим полем / О. Н. Попов // Физика и химия обработки поверхностей. 1996. — № 5. -С. 94−100.
- Спицын, В.И. Электропластическая деформация металлов / В. И. Спицын, O.A. Троицкий. М.: Наука, 1985. — 160 с.
- Швидковский, Е.Г. Влияние электрического поля на поведение заряженных дислокаций / Е. Г. Швидковский, H.A. Тяпунина, Э. П. Белозерова // Кристаллография. 1962. — Т. 7. — С. 471−472.
- Орлов, А.Н. Введение в теорию дефектов в кристаллах / Орлов А. Н. М.: Высш. шк., 1983.-144 с.
- Зуев, Л.Б. Физика электропластичности щелочно-галоидных кристаллов / Л. Б. Зуев. Новосибирск: Наука, 1990. — 120 с.
- Куличенко, А.Н. Движение дислокаций в кристаллах LiF под действием электрического поля / А. Н. Куличенко, Б. И. Смирнов // ФТТ. -1983. Т. 28. — Вып. 9. — С. 2796−2801.
- Гегузин, Я.Е. Очерки о диффузии в кристаллах / Я. Е. Гегузин. — М.: Наука, 1970.-180 с.
- Frank, W. Diffusion in Silicon and Germanium / W. Frank, U. Gosele, I. Mehrer, A. Seeger- ed. by G.E. Murch, A.S. Nowick// Diffusion in crystalline solids. 1984.-P.63- 142.
- Болтакс, Б.И. Диффузия в полупроводниках / Б. И. Болтакс. -М.: Физмат-гиз, 1961.-462 с.
- Козловский, В.В. Модифицирование полупроводников пучками протонов/ В. В. Козловский. СПб.: Наука, 2003. — 268 с.
- Атомная диффузия в полупроводниках / под ред. Д. Шоу: Пер. с англ. под ред. Г. Ф. Воронина, В. П. Зломанова. М.: Мир, 1975. — 688 с.
- Angelucci, R. Transient enhanced diusion of dopants in silicon induced by implantation damage / R. Angelucci, P. Negrini, S. Solmi // Appl. Phys. Lett. -1986.- Vol.49- № 21- P. 1468−1470.
- Fahey, P. Supersaturation of Self-Interstitials and Undersaturation of Vacancies During Phosphorus Diffusion in Silicon / P. Fahey, R.W. Dutton, S.M. Hu // Appl. Phys. Lett. 1984. — Vol.44.- № 2.- P. 777−787.
- Криворучко, А.А. Моделирование диффузии примесей в полупроводниках при неравновесных условиях: дис.. канд. физ.-мат. наук /
- A.А. Криворучко. СПб., 2006. — 115 с.
- Newman, D.J. Theory of lanthanide crystal fields /D.J. Newman //Adv. Phys. 1971. — Vol. 20. -№ 84. — P. 197−256.
- Malkin, B.Z. Spectroscopy of Solids Containing Rareearth Ions /
- B.Z. Malkin. Amsterdam: Science, 1987. — 158 pp.
- Барбашов, В.И. Механо-электрический эффект в твердых электролитах / В. И. Барбашов, Ю. А. Комыса // ФТТ. 2005. — Т. 47. — Вып. 2. — С. 229−232.
- Косевич, A.M. Дислокации и пластическая деформация /
- A.M. Косевич // УФН. 1974. — Т. 114. — Вып. 3. — С. 507−512.
- Fahey, P.M. Point defects and dopant diffusion in silicon / P.M. Fahey, P.B.Griffin, J.D. Plummer// Rev. Modern Phys. -1989. V. 61. — № 2. — P. 289 -384.
- Кумахов, M.A. Пространственное перераспределение потока заряженных частиц в кристаллической решетке / Кумахов М. А. // УФН. — 1975.-Т. 115, —Вып. З.-С. 427−464.
- Брюквина, Л.И. Металлические пленки на поверхности ЩГК, образованные в процессе термодиффузии внутрикристаллической примеси / Л. И. Брюквина, Е. А. Ермолаева, С. Н. Пидгурский, Л. Ф. Суворова,
- B.М. Хулугуров // ФТТ. 2006. — Т. 48. — Вып. 1. — С. 245−247.
- Белушкин, А.В. Новые подходы к анализу структуры кристаллов. Нестандартный метод в изучении механизмов диффузии атомов и молекул / А. В. Белушкин // УФН. 2003. — Т. 173. — Вып. 1. — С. 1258−1262.
- Roccaforte, F. Improvement of high temperature stability of nickel contacts on n-type 6H-SiC / F. Roccaforte, F. La Via, V. Rained, L. Calcagno, P. Musumeci // Applied Surface Science. 2001. — Vol. 184. — № 1. — P. 295−298.
- Kurimoto, E. Raman study on the Ni/SiC interface reaction / E. Kurimoto, H. Harima, T. Toda, M. Sawada, M. Iwami, S. Nakashima / J. of Applied Physics.-2002. -Vol. 91.-№ 12.-P. 10 215−10 217.
- Kakanakova-Georgieva, A. Characterization of ohmic and Schottky contacts on SiC / A. Kakanakova-Georgieva, O. Noblanc, C. Arnodo, S. Cassette, C. Brylinski, T. Marinova // Thin Solid Films. 1999. — Vol. 343−344. — P. 637 641.
- Tajima, Y. Diffusion of ion implanted aluminum silicon carbide / Y. Tajima, K. Kijima, W.D.Kingery // J.Chem.Phys. 1982. — Vol. 77. — № 5. -P. 2592−2598.
- Addamiano, A. Ion implantation effects of nitrogen, boron and aluminum in hexagonal silicon carbide / A. Addamiano, G. W. Anderson, J. Comas, H.L. Hughes, W. J. Lucke // J. Electrochem. Soc. 1972. — Vol. 119-P. 1355−1362.
- Troffer, T. Doping of SiC by Implantation of Boron and Aluminum / T. Troffer, M. Schadt, T. Frank, H. Itoh, G. Pensl, J. Heindl, H. P. Strunk, M. Maier // Phys. stat. sol. (a). 1997. — Vol. 162.- № 1.- P. 277−298.
- Степанов, A.JI. Зависимость распределения имплантированных ионов серебра по глубине от температуры облучаемого стекла /
- A.Л. Степанов // Письма в ЖЭТФ. 2001. — Т. 27. — Вып. 20. — С.39−45.
- Бондаренко, В.Б. Естественные неоднородности потенциала на поверхности полупроводника при равновесном распределении примеси /
- B.Б. Бондаренко, С. Н. Давыдов, А. В. Филимонов // ФТП, 2010. — Т. 44. -Вып. 1 — С. 44−47.
- Волькенштейн, Ф.Ф. Электронные процессы на поверхности полупроводников при хемосорбции / Ф. Ф. Волькенштейн. М.: Наука, 1987. -267 с.
- Дмитриев, С.Г. Макроскопические ионные ловушки на границе раздела кремний-окисел / С. Г. Дмитриев, В. Ю. Маркин // ФТП. -1998. -Т. 32. Вып. 12. — С. 1439−1444.
- Александров, О.В. Перераспределение А1 в имплантированных слоях SiC в процессе термического отжига / О. В. Александров, Е. В. Калинина //ФТП. -2009. Т. 43. — Вып. 5. — С. 584−589.
- Иванов-Шиц, А. К. Ионика твердого тела: в 2 т. Т.2 / А.К. Иванов-Шиц, И.В. Мурин-СПб.: Изд-во СПб. университета, 2010. 1000 с.
- Иверонова, В.И. Теория рассеяния рентгеновских лучей / В. И. Иверонова, Г. П. Ревкевич. М.: изд-во МГУ, 1978. — 278 с.
- Поликарпов, В.М. Переход «порядок-беспорядок» в кремний-, германий- и борсодержащих полимерах и их органических аналогах : дис. докт. хим. наук / В. М. Поликарпов. -М., 2003. 302 с.
- Kuzmin, N.N. X-Ray diffusive scattering and the mesomorphic states in polymers / N.N. Kuzmin, E.V. Matuchina, N.N. Makarova, V.M. Polikarpov, E.M. Antipov // Macromol. Chem. Symp. 1991. — V. 44. — P. 155−164.
- Таблицы физических величин. Справочник / под редакцией И. К. Кикоина. -М.: Атомиздат, 1976. 1008 с.
- Карыев, Л.Г. Аккумуляция электрического заряда у поверхности ионных кристаллов при нагреве в электрическом поле / Л. Г. Карыев, В. А. Федоров, О. А. Мексичев // Физика и химия обработки материалов. -2002.-№ 5.-С. 87−89.
- Feodorov, V.A. Behavior of cleavage surface of alkali-halide exposured in complex of electric field and heating / V.A. Feodorov, L.G. Kariev,
- О. A. Meksichev // Twelfth International Conference On The Strength Of Materials (ICSMA-12). Asilomar, California USA, 2000.- P. 103−104.
- Мурин, A.H. Диффузия меченных атомов и проводимость ионных кристаллов / А. Н. Мурин, Б. Г. Лурье. — Л.: Издательство Ленинградского университета, 1967. 100 с.
- Федоров, В.А. Кристаллизация аморфной фазы, образующейся на поверхностях ЩГК при термоэлектрическом воздействии / В. А. Федоров,
- A.А. Стерелюхин, Л. Г. Карыев // Сб. тезисов 4-ой Международной научной конференции «Современные достижения физики и фундаментальное физическое образование», Казахстан, Алматы, 2005 г. С. 91.
- Праттон, М. Введение в физику поверхности / М. Праттон. -Ижевск: НИЦ «Регулярная и хаотическая динамика», 2000. 256 с.
- Пшеничнов, Ю. П. Выявление твердой структуры кристаллов / Ю. П. Пшеничнов. -М.: Металлургия, 1974.- 385 с.
- Мексичев, O.A. Поведение поверхностей скола щелочногалоидных кристаллов при воздействии электрического поля в области предплавильных температур : дис.. канд. физ.-мат. наук / О. А. Мексичев. Тамбов, 2004. -143 с.
- Бондаренко, В.Б. Естественные неоднородности потенциала на поверхности полупроводника при равновесном распределении примеси /
- B.Б. Бондаренко, С. Н. Давыдов, А. В. Филимонов // ФТП.- 2010. Т. 44. -Вып. 1-С. 44−41.
- Козловский, В.В. Стимулирование металлических реакций на интерфейсе Ni-SiC протонным облучением / В. В. Козловский, П. А. Иванов, Д. С. Румянцев, В. Н. Ломасов, Т. П. Самсонова // ФТП. 2004. — Т. 38. — Вып. 7.-С. 778−783.
- Угай, Я. А. Общая и неорганическая химия : учебник для вузов/ Я. А. Угай. М.: Высшая школа, 2007. — 526 с.
- Угай, Я. А. Общая и неорганическая химия : учебник для вузов / Я. А. Угай. — М.: Высшая школа, 2000. — 592 с.
- Стерелюхин, A.A. Структурно-фазовые превращения на поверхностях ионных кристаллов, обусловленные совместным действиемэлектрического и нестационарного теплового полей : дис. .канд. физ.-мат. наук / A.A. Стерелюхин. Тамбов, 2006. — 151с.
- Павлов, П.В. Физика твердого тела / П. В. Павлов, А. Ф. Хохлов. -М.: Высшая школа, 2000. 494 с.
- Карыев, Л.Г. Структура и морфология поверхности ЩГК при нагреве в электрическом поле / Л. Г. Карыев // Вестник Тамбовского государственного университета. 1998. — Т. З, № 3. — С.285−287.
- Карыев, Л.Г. Аккумуляция электрического заряда у поверхностей ионных кристаллов при нагреве в электрическом поле / Л. Г. Карыев,
- B.А. Федоров, O.A. Мексичев // Научные труды V Международного семинара «Современные проблемы прочности».- Новгород, 2001. — Т.2. —1. C.278−279
- Федоров, В.А. Влияние поверхностных токов на состояние щелочногалоидных кристаллов / В. А. Федоров, Л. Г. Карыев, O.A. Мексичев // Тезисы докладов XXXVII Международного семинара «Актуальные проблемы прочности». Киев, 2001. — С.417−418.
- Карыев, Л.Г. Моделирование состояния поверхностей ионных кристаллов, формируемого термоэлектрическим воздействием / Л. Г. Карыев, Ю. А. Кочергина, O.A. Мексичев, В. А. Федоров, Д. В. Манухина // Наукоемкие технологии. 2012. — Т.13. — Вып. 4. -С. 17−23.
- Блейкмор, Дж. Физика твердого тела / Дж. Блейкмор. М.: Мир, 1988.-608 с.
- Левич, В.Г. Курс теоретической физики / В. Г. Левич. -М.: Наука, 1969.-912 с.
- Федоров, В.А. Поведение поверхностей сколов щелочногалоидных кристаллов в электрическом поле при одновременном нагреве /
- B.А. Федоров, Л. Г. Карыев, В. П. Иванов, A.M. Николюкин // ФТТ. 1996. -Т.38,№ 2.-С. 664−666.
- Гегузин, Я. Е. О залечивании изолированной поры в монокристалле под влиянием давления всестороннего сжатия / Я. Е. Гегузин, В. Г. Кононенко, Тоан Чан Ван // Порошковая металлургия. 1976. — № 2. — С. 26.
- Гегузин, Я.Е. Залечивание изолированной поры в кристаллическом теле под влиянием всестороннего давления / Я. Е. Гегузин, A.C. Дзюба, A.M. Косевич // ФТТ. 1963. — Т. 5. — № 8. — С. 2219.
- Финкель, В.М. Залечивание трещин в изогнутых кристаллах / В. М. Финкель, В. П. Иванов, О. П. Зайцева, Ю. И. Тялин // ФТТ. 1985. -Т. 27. — № 10.-С.3119.
- Подстригач, Я.С. Диффузионное залечивание под напряжением дефектов типа упругих сферических макровключений / Я. С. Подстригач, П. Р. Шевчук, Т. М. Онуфрик // Физ.-хим. механика материалов. 1975. — Т. И.-№ 1.-С. 19.
- Гермель, В. Исследование диффузионного залечивания микропор в условиях джоулева нагрева / В. Гермель, Ю. В. Корнюшин, С. П. Ошкадеров // Металлофизика. 1980. — Т. 2. — № 5. — С. 74.
- Иванов, В.П. Залечивание трещин в щелочногалоидных кристаллах ионным током / В. П. Иванов, Л. Г. Карыев, В. А. Федоров // Кристаллография. -1995.-Т. 40.-№ 1.-С. 117.
- Уэрт, Ч. Физика твердого тела / Ч. Уэрт, Р. Томсон М.: Мир, 1969.-280 с.
- Федоров, В.А. Механизм и кинетика зарождения упругих каналов Розе первого рода в кальците / В. А. Федоров, В. М. Финкель, В. А. Куранова,
- B.П. Плотников, Ю. И. Тялин // Кристаллография. 1991. — Т. 36. — № 5.1. C. 1322.