Исследование полупроводниковых выпрямительных диодов

Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ АЭРОКОСМИЧЕСКОГО ПРИБОРОСТРОЕНИЯ Отчет по лабораторной работе № 1:

«Исследование полупроводниковых выпрямительных диодов»

Преподаватель: Абрамов А.П.

Работу выполнил Гусейнов П.

Санкт-Петербург 2012

Цель работы: изучение свойств германиевого и кремниевого выпрямительных полупроводниковых диодов при изменении температуры окружающей среды, измерение их вольт — амперных характеристик и определение основных параметров.

Схемы измерений

а) б)

Схемы исследования вольт — амперной характеристики выпрямительного диода: а — прямой ветви ВАХ, б — обратной ветви ВАХ.

Таблицы измеренных и расчетных данных:

Таблица 1.1

Таблица 1.2

Рабочие формулы :

уравнение вольт — амперной характеристики идеализированного p-n-перехода где: I0 — обратный ток насыщения;

цТ — температурный потенциал, равный (0,026 В) при комнатной температуре (Т = 300 К);

U — напряжение, прикладываемое к диоду.

прямое и обратное дифференциальные сопротивления диода

r i .пр = ДUпр / ДIпр;r i. обр = ДUобр / ДIобр.

Расчет прямого тока для ВАХ германиевого диода по формуле

германиевый кремниевый полупроводниковый диод

I (U=0.1)=12.5 I (U=0.12)=19.4 I (U=0.14)=41.8 I (U=0.16)=126 I (U=0.18)=271 I (U=0.2)=582

Расчет дифференциального сопротивления диода :

(20) r i .пр = 1.25 Ом

(50) r i .пр = 0.2 Ом

Вывод

В результате работы были исследованы германиевый и кремниевый выпрямительные диоды. В результате работы были получены характеристики прямой и обратной ветви.