Проектирование бескорпусных микросхем на гибких полиимидных носителях

Размещено на /

Проектирование бескорпусных микросхем на гибких полиимидных носителях

• Введение
• Конструктивные исполнения бескорпусных БИС
• Сборка и монтаж кристаллов БИС на полиимидном носителе
• Микроконтактирование при сборке и монтаже БИС
• Монтаж на гибких и жестких выводах
• ИМС с организованными выводами на гибком носителе
• Полиимидный носитель с алюминиевыми выводами
• Трехслойный полиамидный носитель с медными выводами (полиимид — адгезионный подслой (Сг) — медь)
• Технология сборки и монтажа бескорпусных ИМС на полиимидных носителях с алюминиевыми выводами (А1-ПН)
• Бескорпусная защита ИМС, смонтированных на полиимидных носителях
• Заключение
• Литература

Целью данного реферата является выяснение конструктивно-технологических особенностей сборки и монтажа, выявление технологий сборки, защиты бескорпусных БИС на гибком полиимидном носителе. Также будет рассказано о повышении надёжности микроэлектронной аппаратуры за счёт бескорпусных БИС, присоединении полиимидных носителей к алюминиевым контактным площадкам, классификация гибких носителей.

Конструктивные исполнения бескорпусных БИС

Наименьшая площадь, которую может занимать БИС на коммутационной плате — это посадочная площадь самого кристалла. Бескорпусная технология позволяет реализовать это.

Использование бескорпусных БИС в микроэлектронной аппаратуре (МЭА) позволяет обеспечить:

1) значительное уменьшение ее массогабаритных характеристик;

2) снижение значений переходных сопротивлений, паразитных индуктивностей и емкостей;

3) повышение надежности.

Также бескорпусные БИС обладают универсальностью применения при пониженной материалоемкости.

Бескорпусные БИС изготавливают с гибкими проволочными выводами, на полиимидном носителе и с объемными выводами.

Полиимид — класс термостойких полимеров, ароматическая природа молекул которых определяет их высокую прочность вплоть до температуры разложения, химическую стойкость, тугоплавкость. Полиимидная пленка работоспособна при 473 К (200 °С) в течение нескольких лет, при 573 К—1000 ч, при 673 К—до 6 ч. Кратковременно она не разрушается даже в струе плазменной горелки. При некоторых специфических условиях полиимид превосходит по температурной стойкости даже алюминий.

На коммутационной плате БИС на полиимидном носителе занимают площадь, в 4 — 10 и более раз меньшую по сравнению с микросхемами в корпусах. Для монтажа на плату выводы БИС в этом случае имеют вид квадратных контактных площадок, расположенных в периферийных областях кристалла.

Применение бескорпусных БИС на полиимидных носителях позволяет повысить надежность МЭА за счет:

1) уменьшения количества сварных и паянных соединений в расчете на одну контактную площадку БИС;

2) улучшения условий отвода теплоты при установке кристалла непосредственно на теплоотводящий пьедестал;

3) снижения механических напряжений в кристалле БИС и небольшой массы.

Полиимидные носители с алюминиевыми балочными выводами присоединяют к алюминиевым контактным площадкам кристаллов БИС ультразвуковой микросваркой (рисунок 1). В этом случае при взаимодействии материалов вывода и контактной площадки образуется надежное однокомпонентное микросварочное соединение.

Рисунок 1 Ультразвуковая сварка: 1 — инструмент; 2 — вывод; 3- контактная площадка; 4 — концентратор (волновод); 5 — преобразователь (вибратор); 6 _ устройство крепления; 7, 8 — обмотки возбуждения и подмагничивания

При подключении обмотки возбуждения к УЗ генератору электрические колебания посредством магнитострикционного преобразователя трансформируются в продольные механические колебания, которые с помощью волновода-концентратора 4 усиливаются по амплитуде до 0,5 — 2,0 мкм и через инструмент передаются деталям. В материале соединяемых деталей возникает сложное напряженное состояние, приводящее к деформации в зоне действий инструмента, где одновременно за счет трения выделяется тепло. Имеющаяся на поверхности алюминия пленка окисла при воздействии ультразвука разрушается, обнажая чистые поверхности, которые и соединяются между собой. Основные параметры УЗ сварки: частота 60 — 80 кГц, давление 20 — 450 Н/мм², амплитуда колебаний 0,5 — 2 мкм. Свариваемые детали должны быть чистыми, не иметь грубых дефектов. Интенсификации процесса УЗ сварки способствует косвенный импульсный нагрев инструмента (комбинированная сварка). При этом повышается прочность соединения при меньшей деформации выводов, можно соединять между собой трудносвариваемые детали. Недостатком УЗ сварки является необходимость высокой пластичности материала проводника, так как его относительная деформация в месте сварки обычно составляет 40 — 60%.

Присоединять медные, покрытые олово-висмутом балочные выводы полиимидного носителя к контактным площадкам кристаллов сложнее, так как медь и алюминии технически несовместимы при микросварке и пайке. Поэтому перед их соединением на контактных площадках кристалла или ленточных выводах носителя формируют объемные выводы, на кристалле — золотые или припойные, на носителе — золотые.

Перед присоединением полиимидного носителя или перед установкой на коммутационную плату пластина с кристаллами БИС закрепляется на эластичной адгезионной пленке и разделяется на отдельные кристаллы на всю толщину, что исключает необходимость в дальнейшем разламывания пластины, и объемные выводы не повреждаются.

Сборка и монтаж кристаллов БИС на полиимидном носителе

Кристаллы БИС на полиимидном носителе устанавливают на коммутационные платы (без ограничений их по материалам) лицевой стороной вверх или вниз (рисунок 2, а, б, в).

Последовательность операций по установке и присоединению выводов БИС на полиимидном носителе следующая:

обрубка технологической (измерительной) части носителя;

формовка балочных (ленточных) выводов;

установка БИС на коммутационную плату;

присоединение выводов носителя к контактным площадкам коммутационной платы.

При установке кристаллов БИС лицевой стороной вверх на поверхность коммутационной платы 4 балочные выводы 2 вблизи кристалла 3 слегка отгибаются вверх, затем вниз к основанию кристалла и далее параллельно плоскости коммутационной платы 4 вдоль контактной площадки 1 (рисунок 3). Выводы такой формы не касаются края кристалла и обладают достаточной упругостью. Таким образом, исключается электрическое замыкание элементов БИС и полупроводниковой подложки кристалла, а также происходит демпфирование напряжений при значительной разности ТКЛР (температурного коэффициента линейного расширения) материалов кристалла и коммутационной платы. Балочные (ленточные) выводы, изготовленные из меди и алюминия, легко формуются.

Рисунок 2 Монтаж кристалла БИС на полиимидном носителе лицевой стороной (а, б) и вниз (в): 1 — контактные площадки; 2 — балочные выводы; 3 — кристалл; 4 — коммутационная плата; 5 — клей

Рисунок 3 Формовка балочных выводов: 1 — контактные площадки; 2 — балочные выводы; 3 — кристалл; 4 — коммутационная плата; 5 — клей

При установке кристаллов БИС лицевой стороной вверх в углубление коммутационной платы (см. рисунок 1, б), а также лицевой стороной вниз (см. рисунок 1, в) занимаемая площадь уменьшается примерно в два раза. Для БИС, размеры кристаллов которых превышают 5×5 мм (длина стороны L = 5 мм), минимальная длина балочного вывода составляет 280 мкм.

Микроконтактирование при сборке и монтаже БИС

Термин «микроконтактирование», т. е. «соединение» подразумевает механическое и (или) электрическое присоединение кристаллов полупроводниковых ИМС к подложкам с выводными рамками и к подложкам других типов, а также присоединение к ИМС проволочных выводов для внешних (по отношению к ИМС) связей.

Основными способами сборки (механического присоединения) кристаллов на основания корпусов, плат, ленточных носителей являются соединения с помощью припоев, эвтектических сплавов, клеев. Между металлизированными поверхностями обратной стороны кристалла и основания корпуса или подложки размещают кусочек фольги припойного сплава или эвтектики толщиной около 50 мкм. Используют нагрев горячим газом, пайку импульсным нагревом. Оптимальный режим эвтектической пайки: температура 390−420 °С, время 3 — 5 с, давление 3−5 Н/мм². Способы сборки, основанные на применении легкоплавких припоев и эвтектик, дают наилучшие показатели по прочности и вибропрочности соединений, обеспечивают хороший теплоотвод, но дороги, плохо поддаются автоматизации.

Сборку БИС на коммутационную плату обычно осуществляют приклеиванием кристаллов с помощью эпоксидных и полиимидных клеев. Наиболее эффективным является трафаретный способ нанесения клея на посадочные места коммутационных плат.

Распространенными способами монтажа (электрического присоединения) выводов кристаллов на контактных площадках коммутационных плат являются различные виды микросварки или микропайка.

Монтаж на гибких и жестких выводах

Различают монтаж на гибких и жестких выводах или проволочный и беспроволочный монтаж. Под монтажом на гибких выводах понимают получение электрических соединений контактных площадок, расположенных в периферийных областях кристалла, с выводами корпуса, платы или балочными (ленточными) выводами носителя с помощью гибких проволочных выводов.

Монтаж на жестких выводах — это электрическое соединение контактных площадок кристалла с выводами корпуса, платы или ленточного носителя с помощью шариковых или столбиковых выводов.

Проволочный монтаж является трудоемкой операцией: чем больше проволочных соединений в микросхеме, тем ниже ее надежность в процессе эксплуатации. Материал проволоки должен образовывать механически прочный, с низким значением переходного сопротивления контакт с материалами площадок кристалла и носителя (или корпуса) при минимальных воздействиях режимов (механических, тепловых и т. п.) их присоединения на характеристики БИС. Способы присоединения проволочных выводов совершенствуются от ручных операций к полностью автоматизированным. Используется проволока из золота, алюминия, алюмокремниевых и алюминий-магниевых сплавов.

Присоединение выводов осуществляется при монтаже полупроводниковых БИС микросваркой. Из известных способов микросварки наименьшие механическое и тепловое воздействия обеспечивает УЗ микросварка. При проволочном монтаже реализуют два вида соединений: встык и внахлест. Прочность соединения зависит от площади контакта, которая при соединении встык определяется площадью рабочего торца инструмента, диаметром проволоки и степенью ее деформации. При соединении внахлест с переменной по длине сварки деформацией проволоки используется инструмент с наклоном на несколько градусов в сторону, противоположную формируемой перемычке.

ИМС с организованными выводами на гибком носителе

Автоматизированная сборка с использованием ленты-носителя (АСЛН) позволяет решить такую проблему, как выделение большого места под проволочные соединения.

Такую технологию часто называют ТАВ-технологией (Таре Automated Bonding) [3, 4]. Автоматизированный монтаж кристаллов осуществляется с использованием гибкого носителя с ленточными выводами, изготавливаемого отдельно (технологически не связанного с кристаллом), с применением фотолитографии по слою алюминия (или меди), расположенному на тонком полимерном основании (рисунок 4). После полной аттестации СБИС на носителе производится вырубка (отделение от измерительных участков носителя) и затем монтаж СБИС КГА (кристалл с гарантированной аттестацией) в МКМ.

Рисунок 4 Двухслойный полиимидный гибкий носитель для ТАВ-технологии

В основу классификации типов гибких (как правило, полиимидных) носителей положены три параметра: число слоёв носителя, материал проводников носителя, конструктивное выполнение выводов. Исходя из этих параметром, типы гибких носителей можно разделить на три группы: однослойные, многослойные (2-х, 3-х слойные) и пространственные.

Однослойные носители состоят только из одного слоя металла (как правило, медная фольга) с вытравленными и облуженными выводными рамками. Напайку кристаллов к таким носителям производят эвтектикой Au-Sn. Недостаток заключается в невозможности проведения испытаний смонтированных на них кристаллов до установки их на плату, к тому же не исключается и возможность замыкания выводов носителя на край кристалла. Поэтому такой тип ленточных носителей используется, главным образом, только для кристаллов с малым числом выводом и имеющих высокий выход годных в массовом производстве. Смонтированные таким образом кристаллы, как правило, запрессовываются пластмассой.

Пространственный тип носителей находится в стадии лабораторной отработки и нацелен на решение пространственной сборки матричных безвыводных кристаллов СБИС, характеризующихся расположением монтажных контактных площадок не только по периферии кристалла, но и по его центральной части. В этом случае автоматизированное соединение выводов предполагает как монтаж методом перевернутого кристалла, так и одноточечной микросварки.

Многослойные носители имеют структуру металл — полимер и металл — адгезив — полимер. Выбор материалов полиимидных носителей и технология их изготовления должна обеспечивать:

1) точное соответствие размеров ленты конфигурации схемы;

2) надежность соединения металла с пленкой в процессе проведения такой технологической операции, как химическое травление, термоциклирование, ультразвуковая, термокомпрессионная и другие виды сварки, термическая устойчивость при операциях;

3) отсутствие усадки пленки при нагреве и максимальное соответствие полимерного материала и металла выводов по величине коэффициента термического расширения для сведения к минимуму механических напряжений.

Кроме того, к материалу выводов полиимидных носителей предъявляются следующие требования:

1) прочность;

2) пластичность;

3) стойкость к многократным перегибам;

4) коррозионная стойкость;

5) адгезия к полиимиду;

6) совместимость с адгизивом;

7) возможность фотопечати с обеспечением разрешения согласно шагу контактных площадок кристалла;

8) возможность проведения процесса монтажа на плату как пайкой, так и сваркой.

К материалам для выводов полимидных носителей, которые могут отвечать указанным требованиям, можно отнести металлы: Al, Au, Ni, Cu. Из них наиболее полно перечисленным требованиям отвечает золото. Однако золото является драгметаллом и поэтому находит применение главным образом в виде финишного покрытия к основному металлу.

Из остальных металлов наибольшее распространение в качестве материалов для выводов полиимидных носителей получили Al и Cu в виде фольги. Толщина алюминиевой фольги лежит в пределах 0,025 — 0,07 мм, а толщина медной фольги как, правило, составляет 0,03 — 0,035 мм, в отдельных случаях достигает 0,076 мм.

В качестве материала полимерной пленки в гибком носителе кристалла могут использоваться полиимид, полиэфир, полисульфоноэфир и другие. Наибольшее распространение получил полиимид вследствие исключительного сочетания свойств: высокой теплостойкости, способности сохранять стабильность физических и химических свойств при высоких температурах, возможности селективной химической обработки и использования в качестве подложки при вакуумном напылении металлических пленок. Полимерная пленка, являясь основой гибкого носителя, обычно имеет ширину от 16 до 120 мм.

Двухслойный носитель выполняется нанесением на металлическую фольгу полиимидного лака с его последующей полимеризацией и требует при формировании рисунка избирательного травления как металлической фольги, так и полиимида. Для изготовления трехслойного носителя на пленку из полиимида наносится слой адгезива (на основе эпоксидов, акрила или полиэфиров) и после разрезания пленки на ленты в ней с помощью соответствующих пуансонов автоматически пробиваются краевая перфорация, отверстия под кристаллы и балочные выводы. Затем на ленту наклеивается металлическая фольга. Далее лента поступает на операции избирательного травления металлической фольги для формирования балочных выводов с последующим осаждением защитного покрытия из олова, никеля или золота. Для производства полиимидных носителей используется и полуаддитивная технология. Она является унифицированной для производства гибких носителей и плат, предусматривает травление полиимида для формирования переходных отверстий, вакуумное осаждение пленок Cr — Cu на полиимидную пленку, фотопечать, избирательное гальваническое наращивание проводящих слоев Cr — (Sn — Bi), формирование окончательного конструктива путем травления полиимида.

Преимущественным методом присоединения алюминиевых выводов носителя к алюминиевым контактным площадкам кристалла является ультразвуковая сварка. Поочередное присоединение каждого вывода носителя к соответствующей контактной площадке кристалла, конечно, снижает производительность процесса, однако применение методов технического зрения в значительной степени позволяет автоматизировать процесс микромонтажа в целом. Объемные выводы присоединяются к внутренним медным выводам рамки носителя различным способами: импульсной эвтектической пайкой Sn — Au; термокомпрессионной сваркой Au — Au; лазерной импульсной пайкой или сваркой.

Полиимидный носитель с алюминиевыми выводами

Практически все типы ленточных носителей конструктивно имеют три функциональные зоны:

внутренняя зона, А предназначена для монтажа кристалла. Созданные в ней узкие балочные выводы расположены в соответствии с контактными площадками кристалла БИС;

монтажная зона Б служит для присоединения выводов носителя к контактным площадкам коммутационной платы. В ней находятся более широкие балочные выводы, чем в зоне А;

периферийная (измерительная) зона В используется для измерений электрических параметров БИС и технологических испытаний в процессе производства.

В отдельных конструкциях ЛН можно выделить четвертую зону, называемую зоной маркировки и перфорации.

На рисунке 5 представлена конструкция полиимидного носителя с алюминиевыми выводами. Четвертая зона в данной конструкции расположена в третьей периферийной, в других конструкциях маркировку располагают в свободных местах измерительной зоны.

Перед сборкой и монтажом на коммутационной плате полиимидный носитель обрезают по краю зоны Б. В угловых участках измерительной зоны расположены три крепежных отверстия Д, предназначенных для закрепления носителя с кристаллом в технологической и измерительной таре.

Угловой участок, свободный от крепежных отверстий, является местом маркировки носителя, угол и сторона расположения места маркировки совпадают с нумерацией первого вывода носителя.

Рисунок 5 Конструкция полиимидного носителя с алюминиевыми выводами для микросхем на 24 вывода: А — внутренняя сторона; Б — монтажная зона; В — измерительная зона; Г — место маркировки; Д — крепежные отверстия

Трехслойный полиамидный носитель с медными выводами (полиимид — адгезионный подслой (Сг) — медь) Полиимидный носитель с медными выводами (рисунок 6) используется для установки на него кристаллов с объемными выводами. При сборке объемные выводы кристалла присоединяют к балочным выводам, сформированным на носителе.

Технология производства таких носителей предусматривает выполнение следующих операций:

1) осаждение в вакууме пленок Сг — Сu — Сг (толщиной 1,6 — 1,8 мкм);

2) избирательное гальваническое наращивание меди на элементах коммутации (толщиной 20 мкм);

3) локальное травление полиимида;

4) гальваническое наращивание меди и покрытия олово — висмут (толщиной 4−9 мкм).

Наличие покрытия Sn — Bi у балочных выводов носителя обусловлено необходимостью создания благоприятных условий для монтажа. В конструкции носителя имеются металлизированные отверстия для крепления балочных выводов в зоне монтажа и обеспечения двухстороннего электрического контактирования в измерительной зоне.

В трех углах носителя имеются отверстия размером 1,5×1,5 мм для его установки в тару и крепления на кассету сварочной установки.

Ширина балочного вывода носителя во внутренней зоне, А (см. рисунок 6) составляет ~ 200 мкм.

Рисунок 6. Конструкция полиимидного носителя с медными выводами: А — зона монтажа кристалла с объемными выводами; Б — зона монтажа носителя на плату; В — испытательная и измирительнаяя зона; С — переходные отверстия

Для измерения параметров ИМС после присоединения объемных выводов к контактным площадкам кристаллов и разделения полупроводниковой пластины на отдельные кристаллы разработана специальная оснастка: измерительный носитель, являющийся составным элементом измерительной тары (рисунок 7).

Рисунок 7 Конструкция измерительного полиимидного носителя: 1- место маркировки; 2 — крепежное отверстие; 3 — проводник; 4 — переходные отверстия; 5 — полиимид; 6 — базовое отверстие

Двустороннее расположение проводников на носителе связано с необходимостью контактирования носителя с объемными выводами кристалла с одной стороны и зондами контролирующего устройства с другой стороны. Электрический контакт между проводниками на обеих сторонах обеспечивается при помощи металлизированных переходных отверстий диаметром ~ 0,13 мм. В измерительных носителях осуществляют измерение параметров и электротермотренировку ИМС с объемными выводами.

Технология сборки и монтажа бескорпусных ИМС на полиимидных носителях с алюминиевыми выводами (А1-ПН) Технологический процесс (ТП) сборки предусматривает следующие основные операции:

1) разделение пластин на кристаллы;

2) установку кристалла на гибком носителе.

3) ТП монтажа включает следующие основные операции:

4) присоединение выводов;

5) защиту поверхности кристалла;

6) измерение параметров ИМС и электротермотренировку.

7) присоединение выводов к контактным площадкам кристаллов (наиболее трудоемкая и ответственная операция ТП монтажа). Она может быть выполнена с помощью различного оборудования.

Конструкция бескорпусной БИС, полученной с использованием гибких проволочных выводов и полиимидного носителя с алюминиевыми выводами, показана на рисунке 8.

Рисунок 8 Конструкция бескорпусной БИС, полученной с использованием гибких провочных выводов и полиимидного носителя с алюминиевыми выводами: 1 — полиимидных носитель; 2 — ситалловая плата; 2 — кристалл; 4 — проволочные выводы, соединяющие КП кристалла с ситалловой платой; 5 — проволочные выводы, соединяющие КП ситалловой платы и полиимидного носителя; 6 — соединение проволочных выводов с КП с помощью УЗ сварки; 7 — соединение проволочных выводов с КП пайкой

Бескорпусная защита ИМС, смонтированных на полиимидных носителях

Современная технология изготовления ИМС предусматривает обычно защиту поверхности полупроводникового кристалла тонкими неорганическими пленками Si0₂, Si3N₄, A1₂0₃, легкоплавких стекол, основное назначение которых заключается в стабилизации состояния поверхности. В ряде случаев они не являются достаточно надежной защитой от воздействия окружающей среды (паров воды, агрессивных газов), внешних загрязнений, механических воздействий, не способны обеспечить укрепление конструкции и электрических выводов ИМС [5, 6].

Для бескорпусных ИМС период от сборки и монтажа ИМС до установки их в блок МЭА и герметизации в составе блока довольно продолжителен. При эксплуатации в герметичном объеме блока МЭА ИМС испытывают воздействие знакопеременных температур, механических ускорений и вибрации, подвергаются влиянию паров воды, других компонентов парогазовой среды и т. д. Поэтому, помимо защиты тонкими пленками неорганических материалов, для бескорпусных ИМС применяют защиту органическими полимерными материалами, к которым предъявляется целый комплекс требований по физико-механическим и электрофизическим свойствам.

Защитные полимерные материалы должны обладать следующими свойствами:

1) иметь высокую адгезию к материалам конструкции, достаточно высокую прочность, малые внутренние напряжения для надежного укрепления конструкции и электрических выводов бескорпусных ИМС;

2) иметь минимальную усадку при отверждении, сохранять в диапазоне рабочих температур достаточную эластичность, иметь близкие с материалом конструкции значения ТКР;

3) иметь высокое удельное объемное электрическое сопротивление, минимальную поляризуемость, чтобы не влиять на перераспределение зарядов в подзатворном диэлектрике;

4) быть коррозионно пассивными по отношению к металлам и сплавам электрических межсоединений и выводов ИМС, иметь минимальное количество ионогенных примесей, которые могут интенсифицировать процессы коррозии, привести к термополевой нестабильности параметров ИМС и другим отрицательным последствиям;

5) быть гидрофобными, обеспечивать стабильность поверхностного состояния полупроводника и электрических параметров ИМС в условиях повышенной влажности и необходимое время влагозащиты;

6) быть термои радиационно устойчивыми, иметь незначительное газовыделение при повышенных температурах;

7) легко наноситься на поверхности изделия и отверждаться за сравнительно короткий срок.

Потеря работоспособности ИМС в бескорпусном исполнении, защищенных органическими полимерными материалами или герметизированных в монолитные корпуса, вызывается поглощением герметизирующим полимерным материалом влаги и увлажнением поверхности ИМС. Отказ ИМС наступает при достижении критической концентрации, соответствующей критическому давлению паров воды. Время, в течение которого на поверхности ИМС достигается критическая концентрация влаги, определяют из выражения:

где Р_кр — критическое давление паров воды, приводящее к отказу; Р₀ -парциальное давление паров воды окружающей среды; d — толщина герметизирующей оболочки; D — коэффициент диффузии молекул воды в герметизирующей оболочке, м /с.

Для защиты полупроводниковых приборов и ИМС используется достаточно широкая номенклатура органических полимерных материалов. Наибольшее распространение получили кремнийорганические защитные компаунды, эпоксидные и полиимидные композиции.

Для защиты поверхности кристаллов БИС, собранных на гибкой полиимидной плате с алюминиевой металлизацией, нашел применение полиимидный лак АД-9103. После нанесения лака на поверхность кристаллов проводят его имидизацию — термическую циклизацию. При этом происходит удаление растворителя и влаги из покрытия.

Технологические процессы сборки и монтажа бескорпусных ИМС включают следующие основные операции для создания защитных покрытий на кристаллах:

1) сушку изделий (смонтированных на ПН кристаллов) перед нанесением покрытия;

2) нанесение защитного покрытия из полимерного материала;

3) сушку (термообработку) защитного покрытия;

4) контроль внешнего вида ИМС после сушки.

Технология обеспечивает качество и надежность изготавливаемых бескорпусных интегральных микросхем на гибких полиимидных носителях.

Заключение

В данном реферате были рассмотрены конструктивно-технологические особенности сборки и монтажа бескорпусных БИС на гибком полиимидном носителе, указаны их достоинства. Бескопрусная технология позволяет реализовать минимизацию площади. Бескопрусные БИС обладают универсальностью применения при пониженной материалоёмкости. Рассмотрена ТАВ-технология и бескорпусная защита ИМС, смонтированных на полиимидных носителях.

бескорпусная технология полиимидный носитель

1. http://vop.ru/articles/11.html

2. Романова М. П. Сборка и монтаж интегральных микросхем. Учебное пособие. Ульяновск, 2008. С. 10−15.

3. Грушевский А. М. Сборка и монтаж многокристальных микромодулей. М-: МИЭТ, 2003.-137 с.

4. Заводян А. В., Грушевский А. М. Поверхностный монтаж для производства высокоплотных электронных средств. Учебное пособие. — М.: МИЭТ, 2006. — 133 с.

5. Грушевский А. М., Жуков П. А. Учебно-методические разработки для лабораторного практикума по курсу «Конструктивно-технологические основы сборки электронных средств». — М. 2007. — 151 с.

6. Конспект электронных лекций — 699 с.