ΠŸΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒ Π² написании студСнчСских Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚
АнтистрСссовый сСрвис

Π Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ° Π±Π»ΠΎΠΊΠ° управлСния ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ

Π”ΠΈΠΏΠ»ΠΎΠΌΠ½Π°ΡΠŸΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒ Π² Π½Π°ΠΏΠΈΡΠ°Π½ΠΈΠΈΠ£Π·Π½Π°Ρ‚ΡŒ ΡΡ‚ΠΎΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΠΌΠΎΠ΅ΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹

Рис. 5.2 — Π’Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹Π΅ Π΄ΠΈΠ°Π³Ρ€Π°ΠΌΠΌΡ‹ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ИБ Если Π²ΠΎ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ Π΅ΡΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΊΠΎΠ΅ Π·Π°ΠΌΡ‹ΠΊΠ°Π½ΠΈΠ΅ ΠΈΠ»ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ° (ΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ† участка 2 ΠΈ ΡƒΡ‡Π°ΡΡ‚ΠΎΠΊ 3), напряТСниС Π² ΠžΠ‘ Π½Π΅ Π΄ΠΎΡΡ‚ΠΈΠ³Π½Π΅Ρ‚ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΠΉ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρ‹, ΠΈ ΠΊΠΎΠ½Π΄Π΅Π½ΡΠ°Ρ‚ΠΎΡ€ Π‘1, Ρ€Π°Π·Ρ€ΡΠ΄ΠΈΠ²ΡˆΠΈΡΡŒ Π΄ΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡ 4.8 Π’ (Π΄ΠΈΠ°Π³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ° UC Π½Π° Ρ€ΠΈΡ. 5.2.) ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ А2. ΠšΠΎΠΌΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€, Π² ΡΠ²ΠΎΡŽ ΠΎΡ‡Π΅Ρ€Π΅Π΄ΡŒ, Π·Π°ΠΌΠΊΠ½Π΅Ρ‚ ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ SW1 ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚ счСтчик DD1 Π² Π½ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ состояниС, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π·Π°ΠΏΡ€Π΅Ρ‚ΠΈΡ‚… Π§ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Π΅Ρ‰Ρ‘ >

Π Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ° Π±Π»ΠΎΠΊΠ° управлСния ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ (Ρ€Π΅Ρ„Π΅Ρ€Π°Ρ‚, курсовая, Π΄ΠΈΠΏΠ»ΠΎΠΌ, ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΡŒΠ½Π°Ρ)

ЦСлью Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ являСтся Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ° Π±Π»ΠΎΠΊΠ° управлСния ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π½Π°Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ для Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ Π² ΡΠ΅Ρ‚ях ΠΊΠ°ΠΊ постоянного, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°.

Для Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ Π²Π°ΠΊΡƒΡƒΠΌΠ½Ρ‹Ρ… ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ² Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ элСктричСскоС устройство, ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΡŽΡ‰Π΅Π΅ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚ΡŒ (Π·Π°ΠΌΡ‹ΠΊΠ°Ρ‚ΡŒ) ΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚Π½ΡƒΡŽ систСму ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‡Π΅ напряТСния питания. Для Ρ€Π°ΡΡˆΠΈΡ€Π΅Π½ΠΈΡ Π½ΠΎΠΌΠ΅Π½ΠΊΠ»Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ выпускаСмых ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ² Π±Ρ‹Π»ΠΎ принято Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΎ Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ΅ ΡƒΠ½ΠΈΠ²Π΅Ρ€ΡΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Π±Π»ΠΎΠΊΠ° управлСния ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΎΡ‚ ΡΠ΅Ρ‚ΠΈ постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ ΠΎΡ‚ ΡΠ΅Ρ‚ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°.

Π”Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ Π±Π»ΠΎΠΊ управлСния ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΡ‹ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ элСктромагнитного ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄Π° Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΡ‹Π΅ для Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ Π²Π°ΠΊΡƒΡƒΠΌΠ½Ρ‹Ρ… ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ², Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠ΅ ΠΊΠ°ΠΊ, Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ форсировки ΠΎΡ‚ ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π° Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ Π΄ΠΎ ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π° ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΠ³ΠΎ замыкания ΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚Π½ΠΎΠΉ систСмы ΠΈ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ сброса мощности.

Π Π΅ΠΆΠΈΠΌ сброса мощности позволяСт ΡΠ½ΠΈΠ·ΠΈΡ‚ΡŒ энСргопотрСблСниС ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ удСрТания ΠΏΠΎ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΡŽ ΠΊ ΠΏΡƒΡΠΊΠΎΠ²ΠΎΠΌΡƒ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΡƒ ΠΈ Ρ‚Π΅ΠΌ самым ΠΎΠ±Π»Π΅Π³Ρ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²ΠΎΠΉ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠ΅ΠΊ.

Π’ ΠΊΠ°Ρ‡Π΅ΡΡ‚Π²Π΅ основы схСмотСхничСского Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ Π±Ρ‹Π»Π° принята схСма ΡˆΠΈΡ€ΠΎΡ‚Π½ΠΎ-ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½ΠΎΠ³ΠΎ рСгулирования с ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΏΡ€ΠΎΡ†Π΅ΡΡΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΌ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ. Вакая схСма ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ прСимущСства:

обСспСчСниС ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ³ΠΎ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π° бСсступСнчатого рСгулирования Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ сброса мощности;

Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΡ€ΠΈ постоянном, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠΌ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ напряТСнии;

Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ½ΠΎΠΉ Π°Π΄Π°ΠΏΡ‚Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΏΠΎΠ΄ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π² Π½ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ°Ρ… ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ²;

ΠΏΠΎΠ΄Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°Π½ΠΈΠ΅ Π·Π°Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π² ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠ°Ρ… с Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ.

1. ОписаниС способов управлСния ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ

Для Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ Π²Π°ΠΊΡƒΡƒΠΌΠ½Ρ‹Ρ… ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ² Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Π΄Π²Π° Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ° Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ элСктромагнитного ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄Π°: Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ форсировки ΠΎΡ‚ ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π° Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ Π΄ΠΎ ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π° ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΠ³ΠΎ замыкания ΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚Π½ΠΎΠΉ систСмы ΠΈ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ сброса мощности. Π Π°Π½Π΅Π΅ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΡŽ сброса мощности Π² ΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚Π½Ρ‹Ρ… систСмах ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·ΠΎΠ²Ρ‹Π²Π°Π»ΠΈ с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ балластного рСзистора, ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Π½Π° ΠΏΠΎΠ½ΠΈΠΆΠ΅Π½Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС питания, ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠ΅ΠΊ ΠΈΠ· ΠΏΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ Π² ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ ΠΈ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ выпрямлСниСм Ρ‚ΠΎΠΊΠ° удСрТания, Π΄Π°Π»Π΅Π΅ использовали Ρ„Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ Ρ€Π΅Π³ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅.

На Ρ€ΠΈΡ. 1.1. ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π° схСма сброса мощности Π½Π° ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠ°Ρ… ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΠΈ балластного рСзистора. Вакая схСма ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΉ ΠšΠŸΠ”, большая Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒ мощности рассСиваСтся Π² Π²ΠΈΠ΄Π΅ Ρ‚Π΅ΠΏΠ»Π° Π½Π° Π±Π°Π»Π»Π°ΡΡ‚Π½ΠΎΠΌ рСзисторС. ΠžΡ‚ΡΡƒΡ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΠ΅Ρ‚ Ρ€Π΅Π³ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ сброса мощности Π² Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΠΈ ΠΎΡ‚ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния.

Рис. 1.1 — Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° с ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ балластного рСзистора: Π‘Π£ — систСма управлСния; L1 ΠΈ L2 — ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠΈ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°; R — балластный рСзистор ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ варистор Π΄ΠΈΠΎΠ΄ кондСнсатор

1.1 ΠŸΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠ΅ΠΊ ΠΈΠ· ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Π² ΠΏΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅

ΠŸΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠ΅ΠΊ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΈΠ· ΠΏΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ соСдинСния Π² ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ Π΄Π°Π΅Ρ‚ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Ρ‡Π΅Ρ‚Ρ‹Ρ€Π΅Ρ…ΠΊΡ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΉ сброс мощности Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ удСрТания, Ρ‡Ρ‚ΠΎ нСдостаточно для обСспСчСния Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ° ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠ΅ΠΊ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°. Π’Ρ€Π΅Π±ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Π΄Π²Π° силовых ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π° Π½Π° Ρ€ΠΈΡ. 1.2.

Рис. 1.2 — Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° с ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠ΅ΠΊ ΠΏΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ-ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠŸΡ€ΠΈ Π΄ΠΎΠ±Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ Π² ΡΡ‚Ρƒ схСму балластного рСзистора, для обСспСчСния Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΠ³ΠΎ коэффициСнта сброса мощности, ΠšΠŸΠ” Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ схСмы Π½Π΅ ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°Π΅Ρ‚ 50%.

1.2 Π£ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΡƒ ΡˆΠΈΡ€ΠΎΡ‚Π½ΠΎ-ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½ΠΎΠΉ модуляции (ШИМ)

Π‘ΡƒΡ‚ΡŒ ШИМ управлСния состоит Π² ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΈ Π΄Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠΎΠ² ΠΏΡ€ΠΈ Π½Π΅ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠΉ частотС ΠΈΠ»ΠΈ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΈ частоты ΠΏΡ€ΠΈ Π½Π΅ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠΉ Π΄Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ°. ΠšΠ»ΡŽΡ‡ΠΎΠΌ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡ‚ΡŒ Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ прСобразоватСля, Ρ‚. Π΅. Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ элСктромагнитной систСмы ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°, ΠΏΠΎΠ΄Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅ΠΌΡƒΡŽ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρƒ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°. НСдостатки ШИМ Π·Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Π² Ρ‚ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ создаСт высокочастотныС ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ…ΠΈ Π² ΠΏΠΈΡ‚Π°ΡŽΡ‰Π΅ΠΉ сСти.

ΠŸΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ построСнный Π½Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΌ ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠ΅ управлСния ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΠΎΠ΄Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΡ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ Π² ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠ°Ρ… ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° Π² ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎΠΌ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π΅ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… напряТСний, практичСски Π½Π΅ Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΡ‚ ΠΎΡ‚ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡ‹ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π΄Π°Π΅Ρ‚ Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΡƒΡŽ ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ…ΠΎΠ·Π°Ρ‰ΠΈΡ‰Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ, обСспСчиваСт Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΉ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ акустичСского ΡˆΡƒΠΌΠ° ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°, Ρ‚.ΠΊ. частота ШИМ Π½Π°Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ Π·Π° ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π°ΠΌΠΈ ΡΠ»Ρ‹ΡˆΠΈΠΌΠΎΠ³ΠΎ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π° (Рис. 1.3).

Рис. 1.3 — Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° управлСния с Π¨Π˜Πœ Π’ Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΉ Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ΅ Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ схСму управлСния с Π¨Π˜Πœ.

2. Π Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ° Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ схСмы устройства

2.1 ВСхничСскоС Π·Π°Π΄Π°Π½ΠΈΠ΅

ЦСль Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹: являСтся Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ создания устройства управлСния ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠ°ΠΌΠΈ ΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚Π½ΠΎΠΉ систСмы Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±Π°Ρ‚Ρ‹Π²Π°Π΅ΠΌΡ‹Ρ… ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ² Π½Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ΅ ΠΈ ΠΏΠΎΡΡ‚оянноС напряТСниС управлСния 24 Π’ ΠΈ 48 Π’.

Π’ ΡΠΎΡΡ‚Π°Π² Π‘Π£Πš Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹ Π²Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ Π±Π»ΠΎΠΊΠΈ:

— Π²Ρ‹ΠΏΡ€ΡΠΌΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ. ΠŸΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΡƒΠ΅Ρ‚ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ Π² ΠΏΠΎΡΡ‚оянный Ρ‚ΠΎΠΊ Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅.

— Ρ€Π΅Π³ΡƒΠ»ΡΡ‚ΠΎΡ€. ΠŸΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΡƒΠ΅Ρ‚ ΠΏΠΎΡΡ‚ΡƒΠΏΠ°ΡŽΡ‰Π΅Π΅ напряТСниС с Π²Ρ‹ΠΏΡ€ΡΠΌΠΈΡ‚Сля Π² Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ с Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΡ‹ΠΌΠΈ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°ΠΌΠΈ для управлСния ΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚Π½ΠΎΠΉ систСмой ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°.

— ΡΡ…Π΅ΠΌΠ° управлСния. ВыполняСт Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΈ управлСния Π‘Π£Πš Π²ΠΎ Π²ΡΠ΅Ρ… Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ°Ρ… Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹.

Π‘Π£Πš Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΡ‚ΡŒ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΡ‹ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚Π½ΠΎΠΉ систСмы ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°:

— Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ форсаТа, Π½Π° ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠΈ элСктромагнитов подаСтся выпрямлСнноС, Π½Π΅ Ρ€Π΅Π³ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠ΅ сСтСвоС напряТСниС. ВрСмя форсаТа 200мс±25мс. Π’ΠΎΠΊΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ Π² ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠ°Ρ… ΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚Π½ΠΎΠΉ систСмы прСдставлСны Π² Ρ‚Π°Π±Π».1. Π’ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° (ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ форсаТа) ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΡΡ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒ Π½Π΅ Ρ‡Π°Ρ‰Π΅ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ€Π°Π·Π° Π² 3сСк.

— Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ удСрТания, Π½Π° ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠΈ подаСтся напряТСниС удСрТания (Ρ‚ΠΎΠΊ удСрТания) Π² ΡΠΎΠΎΡ‚вСтствии с Ρ‚Π°Π±Π».1.

— Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ ограничСния минимального напряТСния, ΠΏΡ€ΠΈ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ напряТСнии мСньшС минимально Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΠ³ΠΎ (напряТСниС ограничСния Ρ‚Π°Π±Π».1) с ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠ΅ΠΊ ΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚Π½ΠΎΠΉ систСмы снимаСтся напряТСниС удСрТания (ΠΎΡ‚ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°). ΠŸΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π΅ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° (Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ форсаТа) Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Π² ΡΠ»ΡƒΡ‡Π°Π΅ сниТСния Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния мСньшС 2 Π’ Π² Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΠ³ΠΎ для сброса Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½ΠΈΡ… схСм Π‘Π£Πš, Π½ΠΎ Π½Π΅ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ 1сСк.

ЭлСктричСскиС ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹:

Частота ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния — 50Π“Ρ†.

ΠžΡΡ‚Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ Π² Ρ‚Π°Π±Π»ΠΈΡ†Π΅ 2.1.

Π’Π°Π±Π»ΠΈΡ†Π° 2.1

Π’ΠΈΠΏ ΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚Π½ΠΎΠΉ систСмы

Напря-ΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ питания, Π’.

Π’ΠΎΠΊ Π² Ρ„орсаТС, А

Π’ΠΎΠΊ Π² Ρ„орсаТС max ΠΏΡ€ΠΈ -50Ρ”Π‘, А

НапряТС-Π½ΠΈΠ΅ ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅-ния, Π’

Напря-ΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ ΡƒΠ΄Π΅Ρ€-Тания, Π’

Π’ΠΎΠΊ ΡƒΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°-ния, А

Π˜Π½Π΄ΡƒΠΊΡ‚ΠΈΠ²-Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚Π½ΠΎΠΉ систСмы, Π“Π½

Π›ΠšΠ’1.160.000

48±30%

8.4±5%

12.8

14.4−15%+5%

8.7

1.8±5%

0.8±10%

24±30%

15.8±5%

24.3

7.2−15%+5%

4.35

3.6±5%

0.8±10%

Π›ΠšΠ’1.250.000

48±30%

9.2±5%

14.1

14.4−15%+5%

8.7

2.0±5%

0.8±10%

24±30%

17.4±5%

26.6

7.2−15%+5%

4.35

4.0±5%

0.8±10%

Π›ΠšΠ’1.400.000

48±30%

10.9±5%

16.6

14.4−15%+5%

8.7

2.3±5%

0.8±10%

24±30%

20.4±5%

31.3

7.2−15%+5%

4.35

4.7±5%

0.8±10%

Π›ΠšΠ’1.400.000

48±30%

11.1±5%

16.9

14.4−15%+5%

8.7

2.4±5%

0.8±10%

Π›ΠšΠ’1.630.000

48±30%

19.4±5%

29.6

14.4−15%+5%

8.7

4.2±5%

0.8±10%

Π Π΅ΠΆΠΈΠΌΡ‹ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ Π‘Π£Πš ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Ρ‹ ΠΈΠ· Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ° Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ прСдставлСны Π½Π° Ρ€ΠΈΡ. 2.1.

Рис. 2.1 — Π Π΅ΠΆΠΈΠΌΡ‹ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ Π‘Π£Πš ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Ρ‹ ΠΈΠ· Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ° Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ

UΠ½ΠΎΠΌ. — ΠΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ напряТСниС питания;

UΡƒΠ΄. — ΠΠ°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ удСрТания ΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚Π½ΠΎΠΉ систСмы;

UΠΌΠΈΠ½ — НапряТСниС ограничСния.

Условия эксплуатации:

Π’Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π° ΠΎΠΊΡ€ΡƒΠΆΠ°ΡŽΡ‰Π΅ΠΉ срСды -50Ρ”Π‘ +55Ρ”Π‘ ВрСбования ΠΊ ΠΊΠΎΠ½ΡΡ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ†ΠΈΠΈ:

ΠœΠ°ΡΡΠΎΠ³Π°Π±Π°Ρ€ΠΈΡ‚Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚Π΅Π»ΠΈ — ΠΌΠΈΠ½ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅.

Π€ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Π°Ρ схСма Π±Π»ΠΎΠΊΠ° управлСния ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ На ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠΈ Π’Π— Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½ΡƒΡŽ схСму устройства, которая Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Π° Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚ΡŒ Π²Ρ‹ΠΏΡ€ΡΠΌΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ, рСгулятор Π½Π° ΡΠΈΠ»ΠΎΠ²ΠΎΠΌ транзисторС. Для управлСния рСгулятором принято ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ рассчитываСт Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΡƒΡŽ Π΄Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ШИМ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠΎΠ², Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ выполняСт ряд Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΉ, ΠΏΠΎ ΠΎΡ‚ΡΠ»Π΅ΠΆΠΈΠ²Π°Π½ΠΈΡŽ напряТСния ограничСния, ΠΈ ΠΎΡ‚счСта Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ форсаТа. Для питания ΠΈ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Π° ΠΈ Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€Π° силового транзистора Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½Ρ‹ΠΉ источник питания, Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Π² ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎΠΌ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π΅ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… напряТСний. Для отслСТивания Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρ‹ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌ Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊ напряТСния, ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΡŽ Π½Π° ΠΠ¦ΠŸ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Π°. На ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠΈ этих Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠΉ Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π½Π° Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Π°Ρ схСма прСдставлСнная Π½Π° Ρ€ΠΈΡ. 2.2.

Рис. 2.2 — Π€ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Π°Ρ схСма Π‘Π£Πš

2.2 ЭлСктричСская схСма Π±Π»ΠΎΠΊΠ° управлСния ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ

На ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠΈ Π±Π»ΠΎΠΊ схСмы Π±Ρ‹Π»Π° Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π½Π° ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Π°Ρ элСктричСская схСма Π±Π»ΠΎΠΊΠ° управлСния ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ рис. 2.3.

Рис. 2.3 — Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Π°Ρ Π±Π»ΠΎΠΊΠ° управлСния ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ

Биловая схСма.

Биловая схСма состоит ΠΈΠ· Π²Ρ‹ΠΏΡ€ΡΠΌΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ моста VD1, ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора с ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ VT1 ΠΈ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π° VD2, слуТащСго для протСкания Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠ΅ΠΊ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° Π² ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚ закрытия транзистора VT1. Π’Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π΄ΠΈΠΎΠ΄ обСспСчиваСт отсутствиС Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π½Ρ‹Ρ… выбросов ΠΏΡ€ΠΈ Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠΈ ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°, Ρ‚.ΠΊ. Ρ‚ΠΎΠΊ Π² ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠ°Ρ… Π½Π΅ ΠΏΡ€Π΅Ρ€Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ся. Для сниТСния высокочастотных ΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ°Ρ†ΠΈΠΉ потрСбляСмого Ρ‚ΠΎΠΊΠ° послС выпрямитСля стоят кондСнсаторы Π‘1-Π‘7. На Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ силовой схСмы стоит варистор RV1, Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‰Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ ΡΠΈΠ»ΠΎΠ²ΡƒΡŽ схСму ΠΈ ΡΡ…Π΅ΠΌΡƒ управлСния ΠΎΡ‚ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΉ Π² ΡΠ΅Ρ‚ΠΈ.

Π”Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€.

Π”Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€ слуТит для управлСния Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ транзистора VT1. Он Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·ΠΎΠ²Π°Π½ Π½Π° ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΡΡ…Π΅ΠΌΠ΅ DD1.

Π˜ΡΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊ питания.

Π˜ΡΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊ питания строится Π½Π° ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½ΠΎΠΌ DC-DC ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ Ρ‚ΠΈΠΏΠ° SEPIC (single ended primary inductance converter), Ρ‚. ΠΊ ΡΡ‚ΠΎΡ‚ ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ позволяСт Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ с Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌΠΈ напряТСниями ΠΈ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ ΠΈ Π½ΠΈΠΆΠ΅ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ. Π Π΅Π°Π»ΠΈΠ·ΠΎΠ²Π°Π½ Π½Π° Π˜Π‘ прСобразоватСля напряТСния DA2. Для питания ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Π° DD2 ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½Ρ‹ΠΉ стабилизатор DA1.

Π”Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊ напряТСния сСти.

Π”Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊ прСдставляСт собой рСзистивный Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ (рСзисторы R1-R3, кондСнсатор Π‘9), напряТСниС с ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ поступаСт Π½Π° ΠΠ¦ΠŸ ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Π° DD2. ΠšΠΎΠ½Π΄Π΅Π½ΡΠ°Ρ‚ΠΎΡ€ C9 осущСствляСт Ρ„ΠΈΠ»ΡŒΡ‚Ρ€Π°Ρ†ΠΈΡŽ сигнала DC ΠΎΡ‚ Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΠΎΡ‡Π°ΡΡ‚ΠΎΡ‚Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ….

ΠœΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€.

ΠœΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€ управляСт транзисторным ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΎΠΌ силовой схСмы. ΠžΡΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²Π»ΡΠ΅Ρ‚ расчёт скваТности ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠΎΠ² управлСния транзистором Π½Π° ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ вычислСнного срСднСго значСния напряТСния с Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠ° напряТСния сСти. Π”Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ форсаТа, напряТСниС ΠΎΡ‚ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€ΠΎΠΌ.

3. РасчСт силовой части устройства

3.1 Π’Ρ‹Π±ΠΎΡ€ варистора

БущСствуСт Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Ρ‹ Π‘Π£Πš ΠΎΡ‚ ΠΊΡ€Π°Ρ‚ΠΊΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹Ρ… всплСсков напряТСния ΠΏΠΈΡ‚Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ…, Ρ†Π΅ΠΏΠ΅ΠΉ. Для этих Ρ†Π΅Π»Π΅ΠΉ Π² Π±Π»ΠΎΠΊΠ΅ установлСн варистор, ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΉ ΠΈΠ· ΡΠ΅Π±Ρ Π½Π΅Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½Ρ‹ΠΉ рСзистор, сопротивлСниС ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ Ρ€Π΅Π·ΠΊΠΎ измСняСтся ΠΏΠΎΠ΄ дСйствиСм ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния. ΠŸΡ€ΠΈ достиТСнии Π½Π° Π²Π°Ρ€ΠΈΡΡ‚ΠΎΡ€Π΅ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ° ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния, ΠΎΠ½ ΡΠ½ΠΈΠΆΠ°Π΅Ρ‚ своС сопротивлСниС, ΠΏΡ€ΠΈ этом гасит возникшСС пСрСнапряТСниС.

Варистор Π²Ρ‹Π±ΠΈΡ€Π°Π΅ΠΌ, ΠΏΠΎ ΠΊΠ»Π°ΡΡΠΈΡ„ΠΈΠΊΠ°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠΌΡƒ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½ΠΎ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ большС Π°ΠΌΠΏΠ»ΠΈΡ‚ΡƒΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния питания:

ΠœΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ варистора ΠΈ Π°Π±ΡΠΎΡ€Π±ΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΠ°Ρ энСргия, выбираСтся наибольшСй для Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ конструктивна варистора.

Π‘Ρ‹Π» Π²Ρ‹Π±Ρ€Π°Π½ варистор S20K75 Π€ΠΈΡ€ΠΌΡ‹ EPCOS со ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌΠΈ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°ΠΌΠΈ:

ΠšΠ»Π°ΡΡΠΈΡ„ΠΈΠΊΠ°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС: 120 Π’.

НапряТСниС Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Ρ‹: 200 Π’ АбсорбируСмая энСргия 40Π”ΠΆ.(2мс) ΠœΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ 6500А (Π·Π° Π²Ρ€Π΅ΠΌΡ 8/20мкс).

Максимальная срСдняя рассСиваСмая ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ:1Π’Ρ‚.

Π’Ρ‹Π±ΠΎΡ€ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ моста Π”ΠΈΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΉ мост выбираСтся ΠΊΠ°ΠΊ дискрСтный ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚, ΠΏΠΎ ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹ΠΌ Π΅Π³ΠΎ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°ΠΌ — ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌΡƒ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΌΡƒ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ ΠΈ ΡΡ€Π΅Π΄Π½Π΅ΠΌΡƒ выпрямлСнному Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ.

Π‘Ρ€Π΅Π΄Π½ΠΈΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ моста опрСдСляСтся ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ форсаТа.

МаксимальноС ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ моста опрСдСляСтся напряТСниСм Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Ρ‹ варистора, Ρ€Π°Π²Π½Ρ‹ΠΌ 200 Π’.

Π’ ΠΊΠ°Ρ‡Π΅ΡΡ‚Π²Π΅ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ моста Π±Ρ‹Π» Π²Ρ‹Π±Ρ€Π°Π½ мост GBPC3506 со ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌΠΈ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°ΠΌΠΈ:

Π‘Ρ€Π΅Π΄Π½ΠΈΠΉ выпрямлСнный Ρ‚ΠΎΠΊ: 35А МаксимальноС ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС: 600 Π’.

3.2 Π’Ρ‹Π±ΠΎΡ€ Ρ„ΠΈΠ»ΡŒΡ‚Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… кондСнсаторов

Π€ΠΈΠ»ΡŒΡ‚Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ кондСнсаторы Π‘1-Π‘7 ΠΏΡ€Π΅Π΄Π½Π°Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½Ρ‹ для обСспСчСния ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°ΠΌΠΈ силовой части Π±Π»ΠΎΠΊΠ°. ВслСдствиС Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΠΈΡ‚Π°ΡŽΡ‰Π°Ρ ΡΠ΅Ρ‚ΡŒ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π½ΡƒΡŽ ΠΈΠ½Π΄ΡƒΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ, ΠΈ ΠΎΠΌΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΎΠ΅ сопротивлСниС Π² ΠΏΠΈΡ‚Π°ΡŽΡ‰Π΅ΠΉ сСти ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΡ…ΠΎΠΆΠ΄Π΅Π½ΠΈΠΈ Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΡ… ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½Ρ‹Ρ… Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ², Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ½ΡƒΡ‚ ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ…ΠΈ. Для обСспСчСния ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°ΠΌΠΈ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ Π²Ρ‹Π±Ρ€Π°Ρ‚ΡŒ кСрамичСскиС ΠΈΠ»ΠΈ ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΎΡ‡Π½Ρ‹Π΅ кондСнсаторы, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΉ импСданс Π½Π° Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΉ частотС.

Π’ Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΌ Π±Π»ΠΎΠΊΠ΅ вслСдствиС ограничСнности Π³Π°Π±Π°Ρ€ΠΈΡ‚ΠΎΠ² ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ кондСнсаторы для ΠΏΠ»Π°Π½Π°Ρ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΌΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΆΠ°, с Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ напряТСниСм, ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠΌ Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС варистора.

Π’Ρ‹Π±Π΅Ρ€Π΅ΠΌ кСрамичСскиС кондСнсаторы Ρ„ΠΈΡ€ΠΌΡ‹ MURATA GRM55DR72E105KW01L Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΡ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Π° 2220, со ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌΠΈ характСристиками:

Π’ ΠΊΠΎΠ»ΠΈΡ‡Π΅ΡΡ‚Π²Π΅ 7 ΡˆΡ‚ΡƒΠΊ.

3.3 РасчСт ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² силового транзистора

Π’ ΠΊΠ°Ρ‡Π΅ΡΡ‚Π²Π΅ силового ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π° Π²Ρ‹Π±ΠΈΡ€Π°Π΅ΠΌ ΠœΠ”ΠŸ-транзистор, Ρ‚.ΠΊ. ΠΎΠ½ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ ΠΎΠΏΡ‚ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΡƒΡŽ ΡΡ‚ΠΎΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈ Π±Ρ‹ΡΡ‚родСйствиС.

Вранзистор выбираСтся ΠΏΠΎ ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌΡƒ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ варистор. Из ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² варистора:

Π’ΠΎΠΊ проходящий Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· силовой ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ форсаТа Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ²Ρ‹Π΅ характСристики транзистора.

ΠœΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ€ΡŒ транзистора зависит ΠΎΡ‚ ΡΠΎΠΏΡ€ΠΎΡ‚ивлСния ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° ΠΈ ΠΎΡ‚ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ

Нарастания Ρ„Ρ€ΠΎΠ½Ρ‚Π° напряТСния Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π°, частоты ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ, поэтому ΠΈΠ· Π²ΡΠ΅Ρ… Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½Ρ‹Ρ… транзисторов ΠΈΡ‰Π΅ΠΌ транзистор с ΠΌΠΈΠ½ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ сопротивлСниСм ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π°, ΠΈ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π΅ΠΌ нарастания Ρ„Ρ€ΠΎΠ½Ρ‚Π°.

Π’Ρ‹Π±ΠΈΡ€Π°Π΅ΠΌ транзистор STP50NF25 со ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌΠΈ характСристиками:

Udss=250 Π’

Rds (on)=0.069 Ом

Ids=45 A

Ugs=±20Π’

tr=20ns (Uds=125 Π’, I=22A, R=4.7Ом, Ugs=10Π’)

Qg=68нКл; Rthjс=0.78

RthjΠ° =62.5

Π“Π΄Π΅Udss-максимальноС напряТСниС сток-исток

Rds (on)-сопротивлСниС ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° транзистора

Ids-ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ стока транзистора

Ugs-максимальноС напряТСниС сток Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€

tr-врСмя нарастания Ρ„Ρ€ΠΎΠ½Ρ‚Π° Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅ (ΠΏΡ€ΠΈ ΠΊΠΎΠ½ΠΊΡ€Π΅Ρ‚Π½Ρ‹Ρ… условиях)

Rthjс-Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ сопротивлСниС ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° кристал-корпус

RthjΠ°-Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ сопротивлСниС ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° кристал-ΠΎΠΊΡ€ΡƒΠΆΠ°ΡŽΡ‰Π°Ρ срСда ΠžΡΡ‚Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΡΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ Π² ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΈ *Π₯.

3.4 Π’Ρ‹Π±ΠΎΡ€ ΠΈ Ρ€Π°ΡΡ‡Π΅Ρ‚ элСмСнтов Π±Π»ΠΎΠΊΠ° Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€Π°

Π”Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€ — это устройство, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ стоит ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€ΠΎΠΌ управлСния ΠΈ ΡΠΈΠ»ΠΎΠ²Ρ‹ΠΌ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ΠΎΠΌ. Π­Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠΌΠ΅ΠΆΡƒΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠ΅ устройство поэтому ΠΎΠ½ΠΎ рассматриваСтся ΠΊΠ°ΠΊ ΡΠ°ΠΌΠΎΡΡ‚ΠΎΡΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ Π·Π²Π΅Π½ΠΎ.

ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΈ Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€Π° Π² Π½Π°ΡˆΠ΅ΠΉ схСмС:

Π°) ΡΡ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΠΎ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΠΈ сигнал управлСния силовым ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ΠΎΠΌ;

Π±) ΡΡ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π·Π°Π΄Π°Π½Π½ΡƒΡŽ ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒ нарастания Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π² ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π΅ΠΌ элСктродС силового ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π°, ΠΎΠ½Π° Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Π° Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ большой ΠΈΠ»ΠΈ Π·Π°Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΉ;

Π’Ρ‹Π±Π΅Ρ€Π΅ΠΌ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΡ‹ΠΉ Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€ для управлСния силовым ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΎΠΌ:

Π”Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΡ‹ΠΉ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° для быстрого заряда Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Смкости ΠΈ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡ достаточного для Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π° транзистора Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ насыщСния.

Находим Π°ΠΌΠΏΠ»ΠΈΡ‚ΡƒΠ΄Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° исходя ΠΈΠ· ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ заряда Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° ΠΈ Π·Π°Ρ€ΡΠ΄Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° для Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ΠΈ Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ транзистора.

Π’ΠΎΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΡΡ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒΠ»ΠΎΠΉ ΠΈΠ·Π»ΠΎΠΆΠ΅Π½Π½ΠΎΠΉ Π² [2]:

(3.2)

НайдСм Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΡƒΡŽ ΡΡ€Π΅Π΄Π½ΡŽΡŽ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ, Ρ€Π°ΡΡΠ΅ΠΈΠ²Π°Π΅ΠΌΡƒΡŽ Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€ΠΎΠΌ[2]:

(3.3)

Π’.ΠΊ Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€ ΠΏΡ€ΠΈΠ½ΠΈΠΌΠ°Π΅Ρ‚ сигналы ΠΎΡ‚ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Π°, Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ Π²Ρ‹Π±Ρ€Π°Ρ‚ΡŒ Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ совмСстим с Π»ΠΎΠ³ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΈΠΌΠΈ уровнями (сигналами) ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Π°.

Π’Ρ‹Π±ΠΈΡ€Π°Π΅ΠΌ Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€ Ρ„ΠΈΡ€ΠΌΡ‹ International Rectifier IR4428.

Π‘ΠΎ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌΠΈ характСристиками:

Амплитудный Ρ‚ΠΎΠΊ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π°: 1.5 A

НапряТСниС питания: 6−20 Π’ МаксимальноС врСмя нарастания Ρ„Ρ€ΠΎΠ½Ρ‚Π° ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ°: 35Π½Π‘ РассСиваСмая ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ: 625ΠΌΠ’Ρ‚ РассчитаСм ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ рСзистора R4:

РассчитываСм Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΡ‹ΠΉ импСданс Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€Π°, ΠΏΡ€ΠΈ напряТСнии питания Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€Π° 12Π’:

Ом (3.4)

Π’Ρ‹Π±Π΅Ρ€Π΅ΠΌ Ρ‡ΠΈΠΏ рСзистор с Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»ΠΎΠΌ 8.2 Ом, ΠΈΠ· Ρ€ΡΠ΄Π° Π•12.

РассчитаСм ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ рСзистора R4:

НайдСм ΡΠΊΠ²Π°ΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ прохоТдСния Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· рСзистор:

(3.5)

ΠœΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ, Ρ€Π°ΡΡΠ΅ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰Π°ΡΡΡ Π½Π° Ρ€Π΅Π·ΠΈΡΡ‚ΠΎΡ€Π΅ R4:

Π’Ρ‚ (3.6)

Π’Ρ‹Π±Π΅Ρ€Π΅ΠΌ Ρ‡ΠΈΠΏ рСзистор c Ρ€Π°ΡΡΠ΅ΠΈΠ²Π°Π΅ΠΌΠΎΠΉ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ: 0.125Π’Ρ‚ Π’ΠΈΠΏΠΎΡ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Π° 0805.

Π’Ρ‹Π±ΠΎΡ€ кондСнсатора Π‘8.

ВслСдствиС Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρƒ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ² Π½Π° ΠΏΠ»Π°Ρ‚Π΅ присутствуСт паразитная ΠΈΠ½Π΄ΡƒΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ, Ρ„Ρ€ΠΎΠ½Ρ‚ сигнала ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π·Π°Π²Π°Π»ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ ΠΈ Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π½Π΅ Π²Ρ‹Π΄Π°Ρ‚ΡŒ достаточный ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°. Для этих Ρ†Π΅Π»Π΅ΠΉ установлСн кондСнсатор Π‘8, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ обСспСчиваСт ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°ΠΌΠΈ Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€ DD1.

Π’Ρ‹Π±Π΅Ρ€Π΅ΠΌ кСрамичСский кондСнсатор MURATA GRM31CR71C475K с Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΡ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΎΠΌ 1206, Π΅Π³ΠΎ характСристики:

3.5 РасчСт Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²ΠΎΠΉ Π·Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ силового транзистора

Для расчСта Ρ€Π°Π΄ΠΈΠ°Ρ‚ΠΎΡ€Π° Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ Π·Π°Π΄Π°Ρ‚ΡŒΡΡ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€ΠΎΠΉ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° силового транзистора, Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€ΠΎΠΉ ΠΎΠΊΡ€ΡƒΠΆΠ°ΡŽΡ‰Π΅ΠΉ срСды, Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ сопротивлСния ΡƒΠΊΠ°Π·Π°Π½Ρ‹ Π² ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°Ρ… транзистора.

Π’ΠΎΠ³Π΄Π° сопротивлСниС ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΡΡ‡ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ для Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΉ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹:

(3.7)

Π“Π΄Π΅ коэффициСнт k ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΠ΅Ρ‚ся ΠΏΠΎ Π³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΊΡƒ Rds norm (Tj) (рис. 3.1)

Рис. 3.1

Π—Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ Rds (Tj).

Ом (3.8)

НайдСм Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΡƒΡŽ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ рассСивания транзистора, с ΡƒΡ‡Π΅Ρ‚ΠΎΠΌ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ Π½Π΅ΠΏΡ€Π΅Ρ€Ρ‹Π²Π½ΠΎ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ ΠΈ Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ся с ΠΌΠΈΠ½ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π΅ΠΌ, ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ Π² Π’Π—.

Π“Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΊ рассСяния мощности Π²ΠΎ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ Π½Π° ΡΠΈΠ»ΠΎΠ²ΠΎΠΌ ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅ ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½ Π½Π° Ρ€ΠΈΡ. 3.2.

Рис. 3.2 — Π’Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹Π΅ характСристики мощности, выдСляСмыС Π² Ρ‚ранзисторС

НайдСм ΡΡ€Π΅Π΄Π½ΡŽΡŽ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ форсаТа. Для этого Π½Π°ΠΉΠ΄Π΅ΠΌ ΡΠΊΠ²Π°ΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π΅Π³ΠΎ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ Π½Π° ΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΎΠ΄Π΅ минимального ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ.

(3.9)

ΠœΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ форсаТа опрСдСляСтся:

(3.10)

БрСдняя ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π½Π° ΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΎΠ΄Π΅ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ:

(3.11)

НайдСм ΡΡ€Π΅Π΄Π½ΡŽΡŽ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ, Π²Ρ‹Π΄Π΅Π»ΡΠ΅ΠΌΡƒΡŽ Π² Ρ‚ранзисторС Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ удСрТания. Для этого Π½Π°ΠΉΠ΄Π΅ΠΌ ΡΠΊΠ²Π°ΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π΅Π³ΠΎ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ Π½Π° ΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΎΠ΄Π΅ минимального ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ.

(3.12)

НайдСм динамичСскиС ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ€ΠΈ ΠΏΠΎ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒΠ»Π΅

(3.13)

Для расчСта статичСских ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ€ΡŒ Π²ΠΎΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΡΡ ΡΠΊΠ²Π°ΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ШИМа. Π’.ΠΊ. срСднСС напряТСниС Π½Π° ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠ°Ρ… ΠΏΡ€ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ΅ Π² 4.8А, Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ 4.3 Π’, рассчитаСм ΡΠΊΠ²Π°ΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ:

(3.14)

(3.15)

НайдСм срСдниС ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ€ΠΈ Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ удСрТания, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΡΠΊΠ»Π°Π΄Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΈΠ· ΡΡ‚атичСских ΠΈ Π΄ΠΈΠ½Π°ΠΌΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΈΡ… ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ€ΡŒ:

(3.16)

НайдСм сумму ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ€ΡŒ Π½Π° ΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΎΠ΄Π΅ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ, слоТим ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ€ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈ форсаТС ΠΈ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ удСрТания.

(3.17)

РассчитаСм Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρƒ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° транзистора ΠΏΡ€ΠΈ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ Π²Ρ‹Π΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‰Π΅ΠΉΡΡ мощности

Ρ”Π‘ (3.18)

Π’Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π° ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°Π΅Ρ‚ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ допустимоС Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ для крСмния, поэтому Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Ρ€Π°Π΄ΠΈΠ°Ρ‚ΠΎΡ€.

РассчитаСм Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΡƒΡŽ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρƒ Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ сопротивлСния Ρ€Π°Π΄ΠΈΠ°Ρ‚ΠΎΡ€Π°.

Π’Ρ‹Ρ€Π°Π·ΠΈΠΌ ΠΈΠ· ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π½ΠΎΠΉ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒΠ»Ρ‹ для расчСта Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ кристалла, Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ сопротивлСниС ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ€Π°Π΄ΠΈΠ°Ρ‚ΠΎΡ€Π° — ΠΎΠΊΡ€ΡƒΠΆΠ°ΡŽΡ‰Π°Ρ срСда.

Π’Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ сопротивлСниС ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° корпус-ΠΎΡ…Π»Π°Π΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ ΠΏΡ€ΠΈ Π½Π°Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠΈ тСплопроводящСй смазки. 1]

(3.19)

Π’Ρ‹Π±Π΅Ρ€Π΅ΠΌ Ρ€Π°Π΄ΠΈΠ°Ρ‚ΠΎΡ€ SK42−25S c Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²Ρ‹ΠΌ сопротивлСниСм, ΠΏΡ€Π΅Π΄Π½Π°Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ для Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΈΠΊΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΌΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΆΠ° Π½Π° ΠΏΠ»Π°Ρ‚Ρƒ, совмСстим корпусом транзистора T0−220.

3.6 РасчСт ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² силового Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π° ΠΈ Ρ€Π°ΡΡ‡Π΅Ρ‚ Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²ΠΎΠΉ Π·Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ

Π”ΠΈΠΎΠ΄ VD2 слуТит для замыкания Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· сСбя Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠΈ Π²ΠΎ Π²Ρ€Π΅ΠΌΡ Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ силового ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°.

НапряТСниС пробоя этого Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π° Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½ΠΎ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ большС напряТСния Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Ρ‹ варистора.

Π’ (3.20)

Π’ΠΎΠΊ, ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π΄ΠΈΠΎΠ΄ Π²ΠΎ Π²Ρ€Π΅ΠΌΡ Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ силового ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π° Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΌ для нахоТдСния срСднСго Ρ‚ΠΎΠΊΠ° этого Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π°.

А (3.21)

Π’ Π½Π°ΡˆΠ΅ΠΌ случаС Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌ Π±Ρ‹ΡΡ‚Ρ€ΠΎΠ΄Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Π΄ΠΈΠΎΠ΄ с ΠΌΠ°Π»Ρ‹ΠΌ ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ напряТСния Π² ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΎΠΌ состоянии ΠΈ ΠΌΠΈΠ½ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π΅ΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ восстановлСния. Под эти условия ΠΏΠΎΠ΄Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ Π΄ΠΈΠΎΠ΄ ΡˆΠΎΡ‚ΠΊΠΈ.

Π’Ρ‹Π±Π΅Ρ€Π΅ΠΌ Π΄ΠΈΠΎΠ΄ MBR4025, со ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌΠΈ характСристиками:

Π“Π΄Π΅ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ прямой Ρ‚ΠΎΠΊ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π°

— Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ пробоя Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π°

— ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния Π½Π° Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π΅

— Π²Ρ€Π΅ΠΌΡ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ восстановлСния

,-ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ сопротивлСния РассчитаСм ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ€Π°ΡΡΠ΅ΠΈΠ²Π°Π΅ΠΌΡƒΡŽ Π½Π° Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π΅ VD2, для этого Π²ΠΎΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΡΡ Π³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΊΠΎΠΌ, ΠΈΠ·Π»ΠΎΠΆΠ΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ Π² Π΄ΠΎΠΊΡƒΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ†ΠΈΠΈ Π½Π° ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ (рис. 3.3).

Рис. 3.3 — Π—Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ Pf (If ave)

Π‘Ρ€Π΅Π΄Π½ΠΈΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π° Π±ΡƒΠ΄Π΅ΠΌ Ρ€Π°ΡΡΡ‡ΠΈΡ‚Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°ΠΊ срСдний Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠ΅ΠΊ Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ удСрТания:

ΠŸΡ€ΠΈ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠ΅ (см. Ρ€ΠΈΡ. 3.3) срСдняя ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ рассСяния Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΡΠΎΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡ‚ΡŒ:

Π’Ρ‚ ΠΠ°ΠΉΠ΄Π΅ΠΌ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρƒ кристалла Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π°:

Ρ”Π‘ (3.22)

ΠŸΠΎΡΡ‡ΠΈΡ‚Π°Π½Π½Π°Ρ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π° кристалла, нСдопустима для ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π°, Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΡƒΡΡ‚Π°Π½ΠΎΠ²ΠΈΡ‚ΡŒ Π΅Π³ΠΎ Π½Π° Ρ€Π°Π΄ΠΈΠ°Ρ‚ΠΎΡ€ ΠΈ Ρ€Π°ΡΡΡ‡ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ сопротивлСниС Ρ€Π°Π΄ΠΈΠ°Ρ‚ΠΎΡ€Π°.

(3.23)

Π’Ρ‹Π±Π΅Ρ€Π΅ΠΌ Ρ€Π°Π΄ΠΈΠ°Ρ‚ΠΎΡ€ SK104−25 c Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²Ρ‹ΠΌ сопротивлСниСм, ΠΏΡ€Π΅Π΄Π½Π°Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ для Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΈΠΊΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΌΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΆΠ° Π½Π° ΠΏΠ»Π°Ρ‚Ρƒ, совмСстим корпусом транзистора T0−220.

4. Π Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ° систСмы управлСния

4.1 Π’Ρ‹Π±ΠΎΡ€ ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Π°

Π’ ΡΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹Ρ… условиях систСма управлСния строится Π½Π° ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Π΅. К ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Ρƒ Π½Π΅ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡŠΡΠ²Π»ΡΠ΅Ρ‚ся ТСстких Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠΉ ΠΊ ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΠΈ выполнСния ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΉ, Π° ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡŠΡΠ²Π»ΡΠ΅Ρ‚ся трСбования ΠΏΠΎ Π½Π°Π»ΠΈΡ‡ΠΈΡŽ встроСнной ΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΡ„Π΅Ρ€ΠΈΠΈ. ΠžΠ±ΡΠ·Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ являСтся Π½Π°Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ встроСнного АЦП ΠΈ Π¨Π˜Πœ модуля, Π½Π°Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ SPI (serial programming interface) ΠΎΠ±Π»Π΅Π³Ρ‡ΠΈΡ‚ ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΡ‹ Π²ΠΎ Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½Π΅Π΅ ΠŸΠ—Π£. Π–Π΅Π»Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ являСтся ΠΏΠ»Π°Π½Π°Ρ€Π½ΠΎΠ΅ исполнСниС корпуса ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Π°. Основной Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Π° срСди многочислСнных Ρ„ΠΈΡ€ΠΌ ΠΈ ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»Π΅ΠΉ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Π° являСтся Ρ†Π΅Π½Π° ΠΈ Π΄ΠΎΡΡ‚ΡƒΠΏΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ.

Π­Ρ‚ΠΈΠΌ цСлям ΡƒΠ΄ΠΎΠ²Π»Π΅Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΡΡŽΡ‚ ΠœΠš Ρ„ΠΈΡ€ΠΌΡ‹ «Atmel» сСмСйства AVR[7].

Π’Ρ‹Π±Π΅Ρ€Π΅ΠΌ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€ ATmega48 сСмСйства AVR.

Π₯арактСристики прСдставлСны Π² ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΈ Π₯*.

4.2 РасчСт элСмСнтов систСмы управлСния

Π’ ΡΠΈΡΡ‚Π΅ΠΌΡƒ управлСния Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ рСзистивный Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ R1, R3 ΠΈ ΠΊΠΎΠ½Π΄Π΅Π½ΡΠ°Ρ‚ΠΎΡ€ Π‘9 Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½ΡΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΡŽ Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠ° напряТСния.

РасчСт рСзистивного дСлитСля ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌ ΠΈΠ· ΡΠΎΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΉ максимального напряТСния ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎΡΡ ΠΏΡ€ΠΈ Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ напряТСния Π² Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π½ΠΎΠΉ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ. МаксимальноС напряТСниС для АЦП опрСдСляСтся ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΌ напряТСниСм, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ Π² Π½Π°ΡˆΠ΅ΠΉ схСмС Ρ€Π°Π²Π½ΠΎ ΠΏΠΈΡ‚Π°ΡŽΡ‰Π΅ΠΌΡƒ ΠΈ Ρ€Π°Π²Π½ΠΎ 3,3 Π’.

Зададимся Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ: 1mA.

Зададимся ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ напряТСниСм Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ°: 120 Π’.

МаксимальноС напряТСниС, ΠΏΠΎΠ΄Π°Π²Π°Π΅ΠΌΠΎΠ΅ Π½Π° ΠΠ¦ΠŸ: 3.3 Π’.

МинимальноС измСряСмоС напряТСниС для 10 Π±ΠΈΡ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ°:

Π’ (4.1)

НайдСм сопротивлСниС всСго дСлитСля:

Ом (4.2)

На ΡΠΎΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ R3 выдСляСтся сигнал Π½Π΅ ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ 3.0Π’

(4.3)

(4.4)

Π’Ρ‹Π±Π΅Ρ€Π΅ΠΌ рСзисторы с Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»Π°ΠΌΠΈ:

Ом (4.5)

НапряТСниС Π½Π° Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ ΠΏΡ€ΠΈ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ Π΅Π³ΠΎ напряТСнии 5Π’:

Π’ (4.6)

РассСиваСмая ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π½Π° ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠΌ рСзисторС ΠΏΡ€ΠΈ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ напряТСнии дСлитСля 150Π’:

(4.7)

(4.8)

Π’Ρ‹Π±Π΅Ρ€Π΅ΠΌ Ρ‡ΠΈΠΏ рСзисторы c Ρ€Π°ΡΡΠ΅ΠΈΠ²Π°Π΅ΠΌΠΎΠΉ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ: 0.125Π’Ρ‚ Π’ΠΈΠΏΠΎΡ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Π° 1206, с Π΄ΠΎΠΏΡƒΡΡ‚ΠΈΠΌΡ‹ΠΌ напряТСниСм 200 Π’.

Π’Ρ‹Π±Π΅Ρ€Π΅ΠΌ Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ Π‘9, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΡƒΡŽ рассчитываСм ΠΈΠ· Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…одимости ΡΠ½ΠΈΠ·ΠΈΡ‚ΡŒ высокочастотныС ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ…ΠΈ Π² ΡΠΈΠ³Π½Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ.

НайдСм Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π» Смкости с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ модСлирования Π² ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ΅ PSPICE.

Рассмотрим R1, R3,C9 ΠΊΠ°ΠΊ Ρ„ΠΈΠ»ΡŒΡ‚Ρ€ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠΉ частоты, ΠΈ ΠΏΠΎΠ΄Π±Π΅Ρ€Π΅ΠΌ кондСнсатор Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Π°ΠΌΠΏΠ»ΠΈΡ‚ΡƒΠ΄Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния Π½Π° Ρ‡Π°ΡΡ‚ΠΎΡ‚Π΅ 100Π“Ρ† ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡Π°Π»Π°ΡΡŒ ΠΎΡ‚ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Π½Π΅ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Ρ‡Π΅ΠΌ Π½Π° 0,5%, для Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ процСссор ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π°Π» Π°Π΄Π΅ΠΊΠ²Π°Ρ‚Π½Ρ‹Π΅ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ ΠΎΡ‚ ΡΠΈΠ³Π½Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ.

Π’ ΠΏΡ€ΠΎΡ†Π΅ΡΡΠ΅ модСлирования Π±Ρ‹Π»Π° Π½Π°ΠΉΠ΄Π΅Π½Π° нСобходимая Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ кондСнсатора 33Π½Π€. Π‘ Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠΌ Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»ΠΎΠΌ Смкости Π°ΠΌΠΏΠ»ΠΈΡ‚ΡƒΠ΄Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ сигнала ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠΈΠ»Π°ΡΡŒ Π½Π° 0,15% Π½Π° Ρ‡Π°ΡΡ‚ΠΎΡ‚Π΅ 100Π“Ρ†.

Π˜ΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌ кСрамичСский кондСнсатор Ρ„ΠΈΡ€ΠΌΡ‹ MURATA: GRM15 Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΡ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Π° 0805, со ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌΠΈ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°ΠΌΠΈ:

Π’Ρ‹Π±Π΅Ρ€Π΅ΠΌ Смкости Π‘11-Π‘14.

Π”Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ Смкости ΠΏΡ€Π΅Π΄Π½Π°Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½Ρ‹ для Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Ρ‹ ΠΎΡ‚ Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΠΎΡ‡Π°ΡΡ‚ΠΎΡ‚Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ… ΠΈ Ρ€Π΅ΠΊΠΎΠΌΠ΅Π½Π΄ΡƒΡŽΡ‚ся ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΌ.

Π’Ρ‹Π±Π΅Ρ€Π΅ΠΌ кондСнсаторы Ρ„ΠΈΡ€ΠΌΡ‹ MURATA: B37931K9104K0 с ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°ΠΌΠΈ:

Π’Ρ‹Π±Π΅Ρ€Π΅ΠΌ Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π» рСзистора R2. Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ рСзистор Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌ для ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‡ΠΈ напряТСния логичСской Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ†Ρ‹ Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄ RESET процСссора ΠΎΡ‚ ΠΈΡΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊΠ° питания. Π’Π½ΡƒΡ‚Ρ€ΠΈ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Π° ΡƒΠΆΠ΅ Π΅ΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Π΅ΠΌΡƒ рСзистор, Π½ΠΎ ΠΎΠ½ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ большоС сопротивлСниС, Π² ΡΠ²ΡΠ·ΠΈ с Ρ‡Π΅ΠΌ Π΅ΡΡ‚ΡŒ большая Π²Π΅Ρ€ΠΎΡΡ‚Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΎΠΏΡƒΡΡ‚ΠΈΡ‚ΡŒ Π½Π°Π²Π΅Π΄Π΅Π½Π½ΡƒΡŽ ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ…Ρƒ Π»ΠΈΠ½ΠΈΠΈ RESET Π½Π° ΠΏΡ€ΠΎΡ†Π΅ΡΡΠΎΡ€.

Для ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ Π½ΠΎΠΌΠ΅Π½ΠΊΠ»Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»ΠΎΠ² рСзисторов Π²Ρ‹Π±Π΅Ρ€Π΅ΠΌ рСзистор с ΡΠΎΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ 3.3кОм. Из-Π·Π° Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΡ… Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ² ΡƒΡ‚Π΅Ρ‡ΠΊΠΈ, рассСиваСмая ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Π½Π΅Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Π°.

Π’Ρ‹Π±Π΅Ρ€Π΅ΠΌ Ρ‡ΠΈΠΏ рСзистор R2 c Ρ€Π°ΡΡΠ΅ΠΈΠ²Π°Π΅ΠΌΠΎΠΉ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ: 0.125Π’Ρ‚ Π‘ Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΡ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΎΠΌ 0805.

5. Π˜ΡΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊ питания систСмы управлСния

5.1 Π’Ρ‹Π±ΠΎΡ€ прСобразоватСля напряТСния

По Π’Π—, Π‘Π£Πš ΠΎΠ½ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Π² ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎΠΌ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π΅ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… напряТСний, вслСдствиС ΠΈ ΠΈΡΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊ питания Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Π² ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎΠΌ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π΅ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… напряТСний, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΡΠΎΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡ‚ΡŒ 5Ρ‡100 Π’. Для питания систСмы управлСния Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌ источник стабилизированного напряТСния ΠΏΠΈΡ‚Π°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎΡΡ ΠΎΡ‚ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡ ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ³ΠΎ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π°. Для этих Ρ†Π΅Π»Π΅ΠΉ цСлСсообразно ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½Ρ‹Π΅ DC-DC ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΠΈ Ρ‚ΠΈΠΏΠ° fly back ΠΈΠ»ΠΈ SEPIC (single ended primary inductance converter), Ρ‚.ΠΊ. этот ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ позволяСт Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ с Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌΠΈ напряТСниями ΠΈ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ ΠΈ Π½ΠΈΠΆΠ΅ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ.

Π˜ΡΡ…ΠΎΠ΄Ρ ΠΈΠ· Π΄ΠΎΠΏΡƒΡΡ‚ΠΈΠΌΠΎΠ³ΠΎ напряТСния Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎΠ³ΠΎ стабилизатора ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Π° ΠΈ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΠ³ΠΎ напряТСния открывания силового ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ допустимого напряТСния Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€Π°, зададимся ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌΠΈ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°ΠΌΠΈ:

Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС прСобразоватСля: 12±15%Π’.

Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ: 50mA

Частота ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ†ΠΈΠΉ: 400ΠΊΠ“Ρ† Π”ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… напряТСний: 5−100 Π’.

ΠŸΡƒΠ»ΡŒΡΠ°Ρ†ΠΈΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния: 500ΠΌΠ’

5.2 ИБ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½ΠΎΠ³ΠΎ прСобразоватСля напряТСния

Для нашСго случая Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠ° микросхСма с Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π½Ρ‹ΠΌ силовым ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΎΠΌ ΠΈ ΡΡ…Π΅ΠΌΠΎΠΉ запуска, для питания собствСнных схСм управлСния.

Π’ ΠΊΠ°Ρ‡Π΅ΡΡ‚Π²Π΅ Π˜Π‘ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½ΠΎΠ³ΠΎ прСобразоватСля ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ микросхСма DA2 DPA422G. Π•Π΅ ΡΡ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ‚ΡƒΡ€Π° ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½Π° Π½Π° Ρ€ΠΈΡ. 5.1.

Рис. 5.1 — Π‘Ρ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ‚ΡƒΡ€Π° DPA422G

ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ микросхСмы:

МаксимальноС напряТСния стока силового ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°:220 Π’ ΠœΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ стока силового ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°:1.31A

Частота ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ†ΠΈΠΉ 300/400 ΠΊΠ“Ρ† Π’ΠΎΠΊ потрСблСния: 10ma

Π‘ΠΎΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° Ом ΠœΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ рассСяния:1.5Π’Ρ‚ ΠžΡΠΎΠ±Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΠΈ этой микросхСмы:

«ΠœΡΠ³ΠΊΠΈΠΉ» запуск ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π·Π°ΠΏΡƒΡΠΊ, ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ.

Π’Π½Π΅ΡˆΠ½ΡΡ установка Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ограничСния.

Π’Π½Π΅ΡˆΠ½ΡΡ установка допустимого уровня Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния.

Π’ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ Π½Π° ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ΠΈΠ· Ρ‡Π°ΡΡ‚ΠΎΡ‚ 300/400 ΠΊΠ“Ρ†.

ОписаниС Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠ² микросхСмы:

D-Drain: Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π½Ρ‹ΠΉ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ — сток силового транзистора.

L-Line-sense: Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ для Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠ° пСрСнапряТСния, ΠΏΠΎΠ½ΠΈΠΆΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния, с ΠΎΡ‚ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ случаС обнаруТСния Π½Π° ΡΡ‚ΠΎΠΌ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ критичСских напряТСний.

XEXTERNAL CURRENT LIMIT: Π²Ρ…ΠΎΠ΄ для внСшнСго ограничСния Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, Π»ΠΈΠ±ΠΎ ΡƒΠ΄Π°Π»Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ, Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Π°.

FFREQUENCY: Π²Ρ…ΠΎΠ΄ задания частоты ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ†ΠΈΠΉ. Если соСдинСн с Π·Π΅ΠΌΠ»Π΅ΠΉ-400ΠΊΠ“Ρ†, Ссли соСдинСн с Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ Π‘ -300ΠΊΠ“Ρ†.

SSource: сток силового транзистора соСдиняСтся с ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΉ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΎΠΉ прСобразоватСля.

Π‘-Control: Π²Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ связи. Π’Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ для питания ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Π° ΠΈ Π΄Π»Ρ заряда кондСнсатора ΠΏΠΈΡ‚Π°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€.

ΠŸΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ микросхСмы:

ΠœΠΈΠΊΡ€ΠΎΡΡ…Π΅ΠΌΠ° Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ Π² ΡΠ΅Π±Ρ (рис. 5.1.) ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹ΠΉ Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π½Ρ‹ΠΉ транзистор VT2 ΠΈ Π²ΡΠ΅ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΡ‹Π΅ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ Π΅Π³ΠΎ управлСния. Π­Ρ‚ΠΎ, ΠΏΡ€Π΅ΠΆΠ΄Π΅ всСго, Π·Π°Π΄Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ G1, с Ρ‚Ρ€Π΅Ρ… Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠ² ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ ΡΠ½ΠΈΠΌΠ°ΡŽΡ‚ΡΡ сигналы Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠΉ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡ‹. Π‘ΠΈΠ³Π½Π°Π» с Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π° DMAX ΠΏΠΎΡΡ‚ΡƒΠΏΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄ элСмСнта И-НЕ DD6, опрСдСляСт максимально Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½Ρ‹ΠΉ коэффициСнт заполнСния. ΠšΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΊΠΈΠ΅ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΡ‹ с Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π° CLOCK ΡƒΡΡ‚Π°Π½Π°Π²Π»ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ Ρ‚Ρ€ΠΈΠ³Π³Π΅Ρ€ DD5 Π² Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠ΅ состояниС, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ (ΠΏΡ€ΠΈ отсутствии Π½Π° Π΄Π²ΡƒΡ… Π²Π΅Ρ€Ρ…Π½ΠΈΡ… Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π°Ρ… DD6 Π·Π°ΠΏΡ€Π΅Ρ‰Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ сигналов) транзистор VT2.

Π’ Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ сброс Ρ‚Ρ€ΠΈΠ³Π³Π΅Ρ€Π° происходит ΠΏΠΎ ΡΠΈΠ³Π½Π°Π»Ρƒ рассогласования с Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π° ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° A3. На ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ ΠΈΠ· Π΅Π³ΠΎ Π²Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠ² поступаСт напряТСниС Ρ‚Ρ€Π΅ΡƒΠ³ΠΎΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡ‹ с Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π° SAW Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° G1, Π½Π° Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΉ — напряТСниС, ΠΏΡ€ΠΎΠΏΠΎΡ€Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡŽ напряТСния Π½Π° ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π΅ΠΌ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ Π‘ ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΡΡ…Π΅ΠΌΡ‹ уровня 5.8 Π’, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ ΡˆΠΈΡ€ΠΎΡ‚Π½ΠΎ-ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½ΡƒΡŽ ΠΌΠΎΠ΄ΡƒΠ»ΡΡ†ΠΈΡŽ (ШИМ). ΠžΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹ΠΉ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ А1. ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠΉ транзистор VT1 ΠΈ Ρ€Π΅Π·ΠΈΡΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ R1 ΠΈ R2 ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Π½ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ коэффициСнт ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ сигнала ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½ΠΈ 5.8 Π’ Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π°, Π° Ρ†Π΅ΠΏΠΎΡ‡ΠΊΠ° R3C1 совмСстно с Π²Π½Π΅ΡˆΠ½ΠΈΠΌΠΈ элСмСнтами Ρ†Π΅ΠΏΠΈ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ связи — ΡƒΡΡ‚ΠΎΠΉΡ‡ΠΈΠ²ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠ΅Ρ‚Π»ΠΈ авторСгулирования.

ΠžΡΡ‚Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ элСмСнты микросхСмы Ρ€Π΅ΡˆΠ°ΡŽΡ‚ Π²ΡΠΏΠΎΠΌΠΎΠ³Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅, Π½ΠΎ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ Π²Π°ΠΆΠ½Ρ‹Π΅ для Π½Π°Π΄Π΅ΠΆΠ½ΠΎΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ устройства Π·Π°Π΄Π°Ρ‡ΠΈ.

ΠŸΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠΈ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ кристалла микросхСмы свСрх допустимой, сигнал с Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π° ΡƒΠ·Π»Π° Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²ΠΎΠΉ Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Ρ‹ А5 Π±Π»ΠΎΠΊΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΎΡ…ΠΎΠΆΠ΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠΎΠ² Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° G1 Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· элСмСнт DD6, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π·Π°ΠΏΡ€Π΅Ρ‰Π°Π΅Ρ‚ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ транзистора VT2.

ΠšΠΎΠΌΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ А6 сравниваСт ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния Π½Π° ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π΅ сток-исток Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ транзистора VT2 с ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎ допустимой Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½ΠΎΠΉ, опрСдСляСмой ΡƒΠ·Π»ΠΎΠΌ установки Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ограничСния А8. Π’ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅, Ссли Ρ‚ΠΎΠΊ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· транзистор VT2 прСвысит Π·Π°Π΄Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ, Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ сигнал ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° А6 сбросит Ρ‚Ρ€ΠΈΠ³Π³Π΅Ρ€ DD5 ΠΈ Π·Π°ΠΊΡ€ΠΎΠ΅Ρ‚ транзистор. ΠŸΡ€ΠΈ Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ прСобразоватСля Π² ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ транзистора VT2 Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ°Π΅Ρ‚ ΠΊΡ€Π°Ρ‚ΠΊΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° стока, Π²Ρ‹Π·Π²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ восстановлСниСм ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ сопротивлСнии ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΈΠ· Π΄ΠΈΠΎΠ΄ΠΎΠ² Π²ΠΎ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ прСобразоватСля напряТСния. ΠŸΡ€ΠΈ этом, хотя ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ А6 срабатываСт, это Π½Π΅ ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ ΡΠ±Ρ€ΠΎΡΡƒ Ρ‚Ρ€ΠΈΠ³Π³Π΅Ρ€Π° DD5 Π·Π° ΡΡ‡Π΅Ρ‚ ΠΊΡ€Π°Ρ‚ΠΊΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ сигнала Π·Π°ΠΏΡ€Π΅Ρ‚Π°, ΠΏΠΎΡΡ‚ΡƒΠΏΠ°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄ элСмСнта DD8 с Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π° ΡƒΠ·Π»Π° маскирования ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π½Π΅Π³ΠΎ Ρ„Ρ€ΠΎΠ½Ρ‚Π° ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ° А7.

Π“Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° А9 обСспСчиваСт ΠΏΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΠ΅ микросхСмы Π² ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚ пуска.

ΠŸΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‡Π΅ питания, напряТСниС Π½Π° ΠΊΠΎΠ½Π΄Π΅Π½ΡΠ°Ρ‚ΠΎΡ€Π΅ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρƒ Π‘ Ρ€Π°Π²Π½ΠΎ Π½ΡƒΠ»ΡŽ, ΠΈ ΠΎΠ½ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΌΠ΅Π΄Π»Π΅Π½Π½ΠΎ заряТаСтся Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° А9 ΠΈ Π·Π°ΠΌΠΊΠ½ΡƒΡ‚Ρ‹ΠΉ ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ SW1 (рис. 5.1.), ΠΊΠ°ΠΊ это ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ Π½Π° Π΄ΠΈΠ°Π³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ΅ Uc (рис 5.2., Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠΉ участок 1). Когда напряТСниС Π½Π° ΠΊΠΎΠ½Π΄Π΅Π½ΡΠ°Ρ‚ΠΎΡ€Π΅ достигаСт Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρ‹ 5.8 Π’, ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ А2 Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ SW1, ΠΈ ΠΊΠΎΠ½Π΄Π΅Π½ΡΠ°Ρ‚ΠΎΡ€ Π½Π°Ρ‡ΠΈΠ½Π°Π΅Ρ‚ Ρ€Π°Π·Ρ€ΡΠΆΠ°Ρ‚ΡŒΡΡ Π½Π° ΡΠ»Π΅ΠΌΠ΅Π½Ρ‚Ρ‹ микросхСмы. Π˜ΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΡ‹ с Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° G1 ΠΏΠΎΡΡ‚ΡƒΠΏΠ°ΡŽΡ‚ Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ транзистора VT2 ΠΈ ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ Π½Π°Ρ‡ΠΈΠ½Π°Π΅Ρ‚ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ ΠΏΠ»Π°Π²Π½ΠΎΠ³ΠΎ запуска. ΠŸΡ€ΠΈ этом коэффициСнт заполнСния ΠΏΠ»Π°Π²Π½ΠΎ увСличиваСтся ΠΎΡ‚ Π½ΡƒΠ»Ρ Π΄ΠΎ ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΡƒΠΌΠ°. Π”ΠΈΠ°Π³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ° UDS Π½Π° (рис. 5.2.) дСмонстрируСт ΡƒΠΏΡ€ΠΎΡ‰Π΅Π½Π½ΡƒΡŽ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒ напряТСния сток-исток UDS ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора микросхСмы. Если напряТСниС Π½Π° ΠΊΠΎΠ½Π΄Π΅Π½ΡΠ°Ρ‚ΠΎΡ€Π΅ соотвСтствуСт Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌΡƒ, Π°ΠΌΠΏΠ»ΠΈΡ‚ΡƒΠ΄Π° ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠΎΠ² Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ связи достаточна для питания микросхСмы ΠΏΠΎ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Ρƒ Π‘, ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ Π½Π° Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡ΠΈΠΉ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ. Π Π°Π±ΠΎΡ‚Π° микросхСм происходит Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈΡ‡Π½ΠΎ Ρ€Π°Π½Π΅Π΅ описанному — ΠΏΡ€ΠΈ отсутствии ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ замыкаСтся Ρ†Π΅ΠΏΡŒ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ связи. Π­Π»Π΅ΠΌΠ΅Π½Ρ‚Ρ‹ микросхСмы, ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ ΡˆΠΈΡ€ΠΎΡ‚Π½ΠΎ-ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½Ρ‹ΠΉ модулятор, ΠΏΠΎΠ΄Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ коэффициСнт заполнСния D Π½Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΌ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ напряТСниС Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ Π‘ Π±Ρ‹Π»ΠΎ Π±Π»ΠΈΠ·ΠΊΠΎ ΠΊ 5,8 Π’ (большая Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒ участка 2).

Рис. 5.2 — Π’Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹Π΅ Π΄ΠΈΠ°Π³Ρ€Π°ΠΌΠΌΡ‹ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ИБ Если Π²ΠΎ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ Π΅ΡΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΊΠΎΠ΅ Π·Π°ΠΌΡ‹ΠΊΠ°Π½ΠΈΠ΅ ΠΈΠ»ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ° (ΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ† участка 2 ΠΈ ΡƒΡ‡Π°ΡΡ‚ΠΎΠΊ 3), напряТСниС Π² ΠžΠ‘ Π½Π΅ Π΄ΠΎΡΡ‚ΠΈΠ³Π½Π΅Ρ‚ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΠΉ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρ‹, ΠΈ ΠΊΠΎΠ½Π΄Π΅Π½ΡΠ°Ρ‚ΠΎΡ€ Π‘1, Ρ€Π°Π·Ρ€ΡΠ΄ΠΈΠ²ΡˆΠΈΡΡŒ Π΄ΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡ 4.8 Π’ (Π΄ΠΈΠ°Π³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ° UC Π½Π° Ρ€ΠΈΡ. 5.2.) ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ А2. ΠšΠΎΠΌΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€, Π² ΡΠ²ΠΎΡŽ ΠΎΡ‡Π΅Ρ€Π΅Π΄ΡŒ, Π·Π°ΠΌΠΊΠ½Π΅Ρ‚ ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ SW1 ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚ счСтчик DD1 Π² Π½ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ состояниС, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π·Π°ΠΏΡ€Π΅Ρ‚ΠΈΡ‚ ΠΏΡ€ΠΎΡ…ΠΎΠΆΠ΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠΎΠ² Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° G1 Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· элСмСнты DD6 ΠΈ DD7 Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ VT2. НапряТСниС Π½Π° ΠΊΠΎΠ½Π΄Π΅Π½ΡΠ°Ρ‚ΠΎΡ€Π΅ Π½Π°Ρ‡Π½Π΅Ρ‚ снова ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ°Ρ‚ΡŒΡΡ. ПослС сСми Ρ†ΠΈΠΊΠ»ΠΎΠ² Π·Π° Ρ€ΡΠ΄Π°-разряда кондСнсатора счСтчик DD1 вновь Ρ€Π°Π·Ρ€Π΅ΡˆΠΈΡ‚ ΠΏΡ€ΠΎΡ…ΠΎΠΆΠ΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠΎΠ² Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· DD6, ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·ΠΎΠΉΠ΄Π΅Ρ‚ новая ΠΏΠΎΠΏΡ‹Ρ‚ΠΊΠ° запуска прСобразоватСля. Π’ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ врСмя Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ прСобразоватСля Π² 20 Ρ€Π°Π· мСньшС ΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΎΠ΄Π° ΠΏΠΎΠΏΡ‹Ρ‚ΠΎΠΊ запуска, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΎΡ‚Π²Ρ€Π°Ρ‰Π°Π΅Ρ‚ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π³Ρ€Π΅Π² Π΅Π³ΠΎ элСмСнтов ΠΈ Π΄Π΅Π»Π°Π΅Ρ‚ бСзопасными ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΊΠΈΠ΅ замыкания Π²ΠΎ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ. Когда ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ° Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ снята, ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ Π²Ρ‹ΠΉΠ΄Π΅Ρ‚ Π½Π° Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡ΠΈΠΉ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ.

На Π³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΊΠ°Ρ… (рис. 5.2.) ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ»Π»ΡŽΡΡ‚Ρ€ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Ρ‹ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ процСссы ΠΏΡ€ΠΈ сниТСнии Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния Π΄ΠΎ Π½Π΅Π΄ΠΎΠΏΡƒΡΡ‚ΠΈΠΌΠΎΠ³ΠΎ уровня (участок 4).

Для микросхСмы DPA422 Π΅ΡΡ‚ΡŒ Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ особСнности ΠΏΡ€ΠΈ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ ΠΈΠΌΠΈ ΠΏΠΎ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π°ΠΌ F, X ΠΈ L, Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ΅ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ ограничСния ILIMIT (Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ Π₯) ΠΈ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΡŒ Π·Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ напряТСния питания Π·Π° Π΄ΠΎΠΏΡƒΡΡ‚ΠΈΠΌΡ‹Π΅ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Ρ‹ (Π’Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ L).

Если Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρ‹ F, X ΠΈ L ΡΠΎΠ΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ‚ΡŒ с Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ истока S, рСализуСтся ΠΏΡ€ΠΎΡΡ‚Π΅ΠΉΡˆΠΈΠΉ Ρ‚Ρ€Π΅Ρ…Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ с Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΎΠΉ Π½Π° Ρ‡Π°ΡΡ‚ΠΎΡ‚Π΅ 400 ΠΊΠ“Ρ†, Ссли ΠΆΠ΅ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ F ΡΠΎΠ΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ‚ΡŒ с ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΌ Π²Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ микросхСмы Π‘, частота Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ составит 300 ΠΊΠ“Ρ†, ΠžΡΠΎΠ±Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΠΈ микросхСм Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎ Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ ΠΏΡ€ΠΈ ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΌ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠ² X ΠΈ L, ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΡ… Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠΎΠΌ ΠΈx Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹.

5.3 ΠŸΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ SEPIC прСобразоватСля

SEPIC ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ строится Π½Π° Π±Π°Π·Π΅ ΠΎΠ±Ρ‹ΠΊΠ½ΠΎΠ²Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ BOOST прСобразоватСля напряТСния с Π΄ΠΎΠ±Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ кондСнсатора Cp, устанавливаСмого ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ L1 ΠΈ D1 (рис. 5.3.). ΠžΡ‡Π΅Π²ΠΈΠ΄Π½ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ½ Π±Π»ΠΎΠΊΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚ ΠΏΠΎΡΡ‚ΠΎΡΠ½Π½ΡƒΡŽ ΡΠΎΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΡƒΡŽ напряТСния ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π²Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ. Однако Π°Π½ΠΎΠ΄ D1 Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Ρ‘Π½ ΠΊ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Ρ‘Π½Π½ΠΎΠΌΡƒ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»Ρƒ. Для этого слуТит вторая ΠΈΠ½Π΄ΡƒΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ L2, Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΡƒΡŽ D1 соСдиняСтся с Π·Π΅ΠΌΠ»Ρ‘ΠΉ.

Рассмотрим ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ с Ρ„иксированной частотой, Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ Π½Π΅ΠΏΡ€Π΅Ρ€Ρ‹Π²Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° для ΠΎΠ±ΠΎΠΈΡ… ΠΈΠ½Π΄ΡƒΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹Ρ… элСмСнтов. Π”ΠΈΠ°Π³Ρ€Π°ΠΌΠΌΡ‹ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ прСобразоватСля прСдоставлСны Π½Π° Ρ€ΠΈΡ. 5.4.

Π§Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΏΠΎΠ½ΡΡ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ прСобразоватСля, рассмотрим сначала ΡƒΡΡ‚Π°Π½ΠΎΠ²ΠΈΠ²ΡˆΠΈΠΉΡΡ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ, ΠΏΡ€ΠΈ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌΠΊΠ½ΡƒΡ‚. Π§Π΅Ρ€Π΅Π· кондСнсатор Π‘Π  постоянный Ρ‚ΠΎΠΊ Π½Π΅ Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Ρ‚. НапряТСниС Π½Π° ΠΊΠΎΠ½Π΄Π΅Π½ΡΠ°Ρ‚ΠΎΡ€Π΅ Π‘Π  Ρ€Π°Π²Π½ΠΎ VIN, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ Π΅Π³ΠΎ лСвая ΠΎΠ±ΠΊΠ»Π°Π΄ΠΊΠ° ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π° ΠΊ ΠΈΡΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊΡƒ питания Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· L1, Π° ΠΏΡ€Π°Π²Π°Ρ — ΠΊ Π·Π΅ΠΌΠ»Π΅ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· L2.

Π’ Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ Ρ„Π°Π·Ρ‹ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ΠΏΡ€Π°Π²Ρ‹ΠΉ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ L1 ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ ΠΊ Π·Π΅ΠΌΠ»Π΅, ΠΈ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Π½Π° L1 Ρ€Π°Π²Π½ΠΎ VIN. ЛСвая ΠΎΠ±ΠΊΠ»Π°Π΄ΠΊΠ° кондСнсатора Π‘Π  ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ Π½Π° Π·Π΅ΠΌΠ»ΡŽ, Π° ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ ΠΎΠ½ ΡƒΠΆΠ΅ заряТСн Π΄ΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡ VIN, Ρ‚ΠΎ Π½Π° Π΅Π³ΠΎ ΠΏΡ€Π°Π²ΠΎΠΌ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π΅ напряТСниС Ρ€Π°Π²Π½ΠΎ — VIN. Π’Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ Π½ΠΈΠΆΠ½ΠΈΠΉ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ элСмСнта L2 Π·Π°Π·Π΅ΠΌΠ»Π΅Π½, Ρ‚ΠΎ L2 оказываСтся ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ ΠΏΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π‘Π , ΠΈ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Π½Π° Π΅Π³ΠΎ Π²Π΅Ρ€Ρ…Π½Π΅ΠΌ полюсС Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Ρ€Π°Π²Π½ΠΎ — VIN. Π”ΠΈΠΎΠ΄ D1 находится Π² ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΌ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ ΠΈ Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚.

Π’ ΡΡ‚ΠΎΠΉ Ρ„Π°Π·Π΅ L1 заряТаСтся ΠΎΡ‚ ΠΈΡΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊΠ° питания, a L2 — ΠΎΡ‚ ΠΊΠΎΠ½Π΄Π΅Π½ΡΠ°Ρ‚ΠΎΡ€Π° Π‘Π . ΠŸΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ Π΄ΠΈΠΎΠ΄ D1 Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚, энСргия, запасСнная Π² ΠΈΠ½Π΄ΡƒΠΊΡ‚ивности, Π½Π΅ ΠΈΠ΄Π΅Ρ‚ Π½ΠΈ Π½Π° Π·Π°Ρ€ΡΠ΄ΠΊΡƒ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ кондСнсатора Π‘ΠΎuΡ‚, Π½ΠΈ Π² Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΡƒ. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, Ρ‚ΠΎΠΊΠΈ Π² ΠΎΠ±ΠΎΠΈΡ… элСмСнтах индуктивности Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎ Π²ΠΎΠ·Ρ€Π°ΡΡ‚Π°ΡŽΡ‚.

Π’ Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ Ρ„Π°Π·Ρ‹ ΠΎΡ‚ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ, ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ Ρ‚ΠΎΠΊ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΈΠ½Π΄ΡƒΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ L1 Π½Π΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎ, Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΏΡ€Π°Π²Ρ‹ΠΉ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ L1 Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Ρ‚ ΠΏΡ€Π΅ΠΆΠ½ΠΈΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ. ΠŸΡ€ΠΈ этом напряТСниС Π½Π° ΡΡ‚ΠΎΠΌ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π΅ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ°Π΅Ρ‚ΡΡ, ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°Ρ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС VIN. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π» Π»Π΅Π²ΠΎΠΉ ΠΎΠ±ΠΊΠ»Π°Π΄ΠΊΠΈ кондСнсатора Π‘Π  Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ становится Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ VIN, Π° Π΄ΠΈΠΎΠ΄ D1 ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ Π² ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΎΠ΅ состояниС. Π­Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ напряТСниС Π½Π° ΠΏΡ€Π°Π²ΠΎΠΌ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π΅ кондСнсатора Π‘Π , ΡΠΎΠ²ΠΏΠ°Π΄Π°ΡŽΡ‰Π΅Π΅ с Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Π½Π° Π²Π΅Ρ€Ρ…Π½Π΅ΠΌ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π΅ L2, являСтся ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ напряТСниСм V0UT Π·Π° Π²Ρ‹Ρ‡Π΅Ρ‚ΠΎΠΌ Π½Π΅Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ падСния напряТСния Π½Π° Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π΅. ΠšΡ€ΠΎΠΌΠ΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, ΠΎΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ напряТСниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΎΠ±ΠΊΠ»Π°Π΄ΠΊΠ°ΠΌΠΈ кондСнсатора Π‘Π  Ρ€Π°Π²Π½ΠΎ VIN, ΠΈ Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ напряТСниС Π² Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ΅ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π‘Π  ΠΈ L1 составляСт VIN + VOUT.

Π’ΠΎΠΊΠΈ Π² ΡΠ»Π΅ΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ… индуктивности L1 ΠΈ L2 Ρ‚Π΅ΠΏΠ΅Ρ€ΡŒ Π·Π°Ρ€ΡΠΆΠ°ΡŽΡ‚ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ кондСнсатор Π‘ΠΎuΡ‚ ΠΈ ΠΏΠΎΠ΄Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ Ρ‚ΠΎΠΊ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ, Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎ убывая.

Рис. 5.3 — Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° прСобразоватСля SEPIC

Рис. 5.4 — Π”ΠΈΠ°Π³Ρ€Π°ΠΌΠΌΡ‹ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ прСобразоватСля

5.4 РасчСт элСмСнтов прСобразоватСля

ΠŸΡ€Π΅Π΄ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ значСния ΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ°Ρ†ΠΈΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ² ΠΈ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΉ Π½Π°ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ мСньшС значСния постоянной ΡΠΎΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π΅ΠΉ. Для Π½Π°Ρ‡Π°Π»Π° Π·Π°ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π² ΡƒΡΡ‚Π°Π½ΠΎΠ²ΠΈΠ²ΡˆΠ΅ΠΌΡΡ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ падСния напряТСний Π½Π° ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠ°Ρ… L1 ΠΈ L2 Π½Π΅ ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ постоянной ΡΠΎΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π΅ΠΉ (Ссли ΠΏΡ€Π΅Π½Π΅Π±Ρ€Π΅Ρ‡ΡŒ падСниями напряТСния Π½Π° ΠΈΡ… ΠΏΠ°Ρ€Π°Π·ΠΈΡ‚Π½Ρ‹Ρ… сопротивлСниях). ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ ΠΎΠ΄Π½Π° ΠΈΠ· ΠΎΠ±ΠΊΠ»Π°Π΄ΠΎΠΊ Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ кондСнсатора C15 (рис. 5.3.) находится ΠΏΠΎΠ΄ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΠΎΠΌ Vin (Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΡƒ L1), Π° Π΄Ρ€ΡƒΠ³Π°Ρ — ΠΏΠΎΠ΄ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΠΎΠΌ Π·Π΅ΠΌΠ»ΠΈ (Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· L2). Π’ΠΎΠ³Π΄Π° Π²Ρ‹Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ для срСднСго напряТСния Π½Π° ΠΊΠΎΠ½Π΄Π΅Π½ΡΠ°Ρ‚ΠΎΡ€Π΅ C15 Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚ΡŒ Π²ΠΈΠ΄:

(5.1)

ΠŸΡƒΡΡ‚ΡŒ T — ΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΎΠ΄ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ†ΠΈΠΊΠ»Π° Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ прСобразоватСля. ΠžΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡ΠΈΠΌ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΎΠ΄Π° T, Π²ΠΎ Π²Ρ€Π΅ΠΌΡ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ Sw Π·Π°ΠΌΠΊΠ½ΡƒΡ‚, Π° Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· 1- - ΠΎΡΡ‚Π°Π²ΡˆΡƒΡŽΡΡ Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΎΠ΄Π°. Π’Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ срСднСС Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния Π½Π° ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠ΅ L1 Π² ΡƒΡΡ‚Π°Π½ΠΎΠ²ΠΈΠ²ΡˆΠ΅ΠΌΡΡ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ Ρ€Π°Π²Π½ΠΎ Π½ΡƒΠ»ΡŽ, напряТСниС Π½Π° L1 Π·Π° Π²Ρ€Π΅ΠΌΡ T (Ton), Π² Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ Π·Π°ΠΌΠΊΠ½ΡƒΡ‚, ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ компСнсируСтся напряТСниСм Π·Π° Π²Ρ€Π΅ΠΌΡ (1-)T (Toff), Π² Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌΠΊΠ½ΡƒΡ‚:

(5.2)

Π³Π΄Π΅ Vd — прямоС ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния Π½Π° Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π΅ VD4 для суммы Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ² Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· индуктивности L1 ΠΈ L2, Π° Vc15 Ρ€Π°Π²Π½ΠΎ Vin:

(Vout + Vd) / Vin = / (1-) = Ai (5.3)

(5.4)

Ai — коэффициСнт усилСния (amplification factor), ΠΈΠ΄Π΅Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ случай, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° ΠΏΠ°Ρ€Π°Π·ΠΈΡ‚Π½Ρ‹Π΅ сопротивлСния Ρ€Π°Π²Π½Ρ‹ Π½ΡƒΠ»ΡŽ. Если ΠΏΡ€Π΅Π½Π΅Π±Ρ€Π΅Ρ‡ΡŒ Π² ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠΌ ΠΏΡ€ΠΈΠ±Π»ΠΈΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΈ ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ напряТСния Π½Π° Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π΅ Vd, ΠΌΡ‹ ΡƒΠ²ΠΈΠ΄ΠΈΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Vout ΠΊ Vin ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°ΠΊ большС, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ ΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅ 1, Π² Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΠΈ ΠΎΡ‚ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρ‹ (ΠΈ ΠΎΠ½ΠΈ Ρ€Π°Π²Π½Ρ‹, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° = 0,5). Π­Ρ‚ΠΎ ΡΠΎΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ дСмонстрируСт ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΏΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ SEPIC ΠΎΡ‚ ΠΊΠ»Π°ΡΡΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΎΠΉ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ°ΡŽΡ‰Π΅ΠΉ ΠΈΠ»ΠΈ ΠΏΠΎΠ½ΠΈΠΆΠ°ΡŽΡ‰Π΅ΠΉ (step-down) Ρ‚ΠΎΠΏΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ.

ЭкстраполируСм ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ значСния ΠΈΠ· (2):

(5.5)

ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΡΠ½Π½Π°Ρ ΡΠΎΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π°Ρ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ кондСнсатор C15 Ρ€Π°Π²Π½Π° Π½ΡƒΠ»ΡŽ. Π­Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ Ρ‚Π΅Ρ‡Ρ‘Ρ‚ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· L2:

IOUT = IL2=0.05A (5.6)

К Ρ€Π°ΡΡΠ΅ΠΈΠ²Π°Π΅ΠΌΠΎΠΉ мощности L2 Π½Π΅ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡŠΡΠ²Π»ΡΠ΅Ρ‚ся Тёстких Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠΉ, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ срСдний Ρ‚ΠΎΠΊ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· L2 всСгда Ρ€Π°Π²Π΅Π½ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌΡƒ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ ΠΈ Π½Π΅ Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΡ‚ ΠΎΡ‚ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΉ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния Vin. Π§Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Π²Ρ‹Ρ‡ΠΈΡΠ»ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· L1 (IL1), вспомним, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· C15 Π½Π΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Ρ‚ΡŒ постоянный Ρ‚ΠΎΠΊ. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, заряд, ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Π² Ρ‚ΠΎ Π²Ρ€Π΅ΠΌΡ (ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Ρ€Π²Π°Π» T), ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ Π·Π°ΠΌΠΊΠ½ΡƒΡ‚, ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΡƒΡ€Π°Π²Π½ΠΎΠ²Π΅ΡˆΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚ΡΡ зарядом, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ Ρ‚Π΅Ρ‡Ρ‘Ρ‚ Π² Ρ‚ΠΎ Π²Ρ€Π΅ΠΌΡ, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌΠΊΠ½ΡƒΡ‚ (ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Ρ€Π²Π°Π» (1-)T). Π’ΠΎΠΊ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· C15 Π΅ΡΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· L2. Когда ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌΠΊΠ½ΡƒΡ‚ Π²ΠΎ Π²Ρ€Π΅ΠΌΡ (1-T), Ρ‚ΠΎΠΊ L2 Ρ‚Π΅Ρ‡Ρ‘Ρ‚ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· VD4, ΠΏΠΎΠΊΠ° Ρ‚ΠΎΠΊ L1 Ρ‚Π΅Ρ‡Ρ‘Ρ‚ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· C15:. Зная, Ρ‡Ρ‚ΠΎ IL2 = Iout, запишСм:

(5.7)

Π’Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ входная ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ€Π°Π²Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ мощности, ΠΏΠΎΠ΄Π΅Π»Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ Π½Π° ΠΊ.ΠΏ.Π΄., IL1 зависит Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΠΎΡ‚ Vin. Для Π·Π°Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΉ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ мощности IL1 увСличиваСтся, Ссли ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Π΅Ρ‚ΡΡ Vin. Зная, Ρ‡Ρ‚ΠΎ IL2 (ΠΈ, ΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, Iout) Ρ‚Π΅Ρ‡Ρ‘Ρ‚ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· C15 Π²ΠΎ Π²Ρ€Π΅ΠΌΡ T, ΠΌΡ‹ Π²Ρ‹Π±Π΅Ρ€Π΅ΠΌ Cp Ρ‚Π°ΠΊ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ°Ρ†ΠΈΠΈ напряТСния Π½Π° Π½Ρ‘ΠΌ Vcp Π±Ρ‹Π»ΠΈ Π½Π°ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ мСньшС Vcp *(= 5%). ΠΠ°ΠΈΡ…ΡƒΠ΄ΡˆΠΈΠΉ случай Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ для минимального Vin.

(5.8)

НайдСм допустимый срСднСквадратичный Ρ‚ΠΎΠΊ:

(5.9)

Π’Ρ‹Π±Π΅Ρ€Π΅ΠΌ Π² ΠΊΠ°Ρ‡Π΅ΡΡ‚Π²Π΅ Π‘15 кСрамичСский кондСнсатор Ρ„ΠΈΡ€ΠΌΡ‹ MURATA GRM55DR72E105KW01L Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΡ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Π° 2220, со ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌΠΈ характСристиками:

Rsw, состоящСС ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ ΠΈΠ· ΡΠΎΠΏΡ€ΠΎΡ‚ивлСния сток-исток ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π° MOSFET, Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Ρ‘Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ с ΡˆΡƒΠ½Ρ‚ΠΎΠΌ для ограничСния максимального Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, вносит ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ€ΠΈ:

Π’Ρ‚ (5.10)

L1 ΠΈ L2 выбираСтся Ρ‚Π°ΠΊ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ доля () ΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ°Ρ†ΠΈΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° (IL) составляла ΠΎΡ‚ 20% Π΄ΠΎ 50% срСднСго Ρ‚ΠΎΠΊΠ° IL. ΠŸΡƒΡΡ‚ΡŒ = 0,4:

(5.11)

Π“Π½ (5.12)

Π’Ρ‹Π±Π΅Ρ€Π΅ΠΌ ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΡƒ со ΡΡ‚Π°Π½Π΄Π°Ρ€Ρ‚Π½Ρ‹ΠΌ Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»ΠΎΠΌ индуктивности, блиТайшим ΠΊ Ρ€Π°ΡΡΡ‡ΠΈΡ‚Π°Π½Π½ΠΎΠΌΡƒ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΡŽ, ΠΈ ΡƒΠ±Π΅Π΄ΠΈΠΌΡΡ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π΅Ρ‘ Ρ‚ΠΎΠΊ насыщСния удовлСтворяСт ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΌΡƒ ΡƒΡΠ»ΠΎΠ²ΠΈΡŽ:

А (5.13)

Расчёты для L2 Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈΡ‡Π½Ρ‹ расчётам для L1:

А (5.14)

Π’Ρ‹Π±Π΅Ρ€Π΅ΠΌ ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠΈ индуктивности Ρ„ΠΈΡ€ΠΌΡ‹ EPCOS: Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΡ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Π° 2220 со ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌΠΈ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°ΠΌΠΈ:

ΠŸΠΎΡ‚Π΅Ρ€ΠΈ Prl1 ΠΈ Prl2 Π½Π° Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½ΠΈΡ… сопротивлСниях L1 ΠΈ L2 Ρ€Π°ΡΡΡ‡ΠΈΡ‚Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Ρ‚Π°ΠΊ:

Π’Ρ‚ (5.15)

Π’Ρ‚ (5.16)

Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ кондСнсатор C20 Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ ΡΠ³Π»Π°ΠΆΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΡ‹ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° большой Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρ‹, ΠΏΠΎΡΡ‚ΡƒΠΏΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π΄ΠΈΠΎΠ΄ D1 Π²ΠΎ Π²Ρ€Π΅ΠΌΡ Toff. ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ C20 Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ высококачСствСнным ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠΌ. Минимальная Ρ‘ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ C20 опрСдСляСтся ΠΈΠ· Π΄ΠΎΠΏΡƒΡΡ‚ΠΈΠΌΠΎΠ³ΠΎ значСния ΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ°Ρ†ΠΈΠΉ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния Vout=500ΠΌΠ’:

(5.17)

НСобходимо ΠΏΠΎΠ΄ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΡŒ кондСнсатор с Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΌ ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ эквивалСнтным сопротивлСниСм (ESR).НайдСм Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΠ΅ ESR:

Ом (5.18)

Для Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ кондСнсатора Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ Ρ€Π°ΡΡΡ‡ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Π΅Π³ΠΎ срСднСквадратичный Ρ‚ΠΎΠΊ:

А (5.19)

Π’ Π΄Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ кондСнсатор сущСствСнно большСй ёмкости, особСнно, Ссли Ρ‚ΠΎΠΊ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ сильно ΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚. Π’Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ кондСнсатор ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ нСбольшим благодаря Ρ„ΠΈΠ»ΡŒΡ‚Ρ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌ свойствам Ρ‚ΠΎΠΏΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ SEPIC.

Π’Ρ‹Π±Π΅Ρ€Π΅ΠΌ Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π» Смкости для кондСнсатора (Π‘20). ΠšΠΎΠ½Π΄Π΅Π½ΡΠ°Ρ‚ΠΎΡ€ MURATA GRM31CR71C475K:1206 -X7R 16−4.7ΠΌΠΊΠ€ со ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌΠΈ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°ΠΌΠΈ:

РассчитаСм максимальноС напряТСниС Π½Π° Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π΅ VD4:

Π’ (5.20)

ΠŸΡ€ΠΈ расчётС ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ€ΡŒ Π½Π° Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π΅ D4 вычислим Pd Π΄Π»Ρ суммы Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ² IL1 + IL2:

Π’Ρ‚ (5.21)

Π‘Ρ€Π΅Π΄Π½ΠΈΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π° Ρ€Π°Π²Π΅Π½ срСднСму Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌΡƒ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ прСобразоватСля:

А Π Π°ΡΡΡ‡ΠΈΡ‚Π°Π΅ΠΌ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π° VD6.

НапряТСниС Π½Π° Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π΅:

Π’ Π’ΠΎΠΊ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π° опрСдСляСтся Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ потрСблСния Π˜Π‘ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½ΠΎΠ³ΠΎ прСобразоватСля.

РассчитаСм ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π° VD3, находящийся Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ питания прСобразоватСля напряТСния, с ΡƒΡ‡Π΅Ρ‚ΠΎΠΌ ΠΊΠΏΠ΄ прСобразоватСля 0,85.

(5.22)

Π“Π΄Π΅Ρ‚ΠΎΠΊ потрСблСния ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΌ напряТСния.

Для Π΄ΠΈΠΎΠ΄ΠΎΠ² VD3, VD4, VD6 Π²Ρ‹Π±Π΅Ρ€Π΅ΠΌ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ Π΄ΠΈΠΎΠ΄ BAS21 со ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌΠΈ характСристиками:

Π“Π΄Π΅ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ прямой Ρ‚ΠΎΠΊ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π°

— Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ пробоя Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π°

— ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния Π½Π° Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π΅ Π’Ρ‹Π±Π΅Ρ€Π΅ΠΌ рСзистор ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ связи R5.

Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС прСобразоватСля устанавливаСтся с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ рСзистивного дСлитСля Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния, ΠΏΠΎΠ΄Π°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΠ΅ напряТСниС Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄ Π‘ ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΡΡ…Π΅ΠΌΡ‹.

Π’Π½ΡƒΡ‚Ρ€ΠΈ микросхСмы ΡƒΠΆΠ΅ Π΅ΡΡ‚ΡŒ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ ΠΈΠ· Ρ€Π΅Π·ΠΈΡΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ² дСлитСля ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ связи R2 (см Ρ€ΠΈΡ. 5.4.) Номинал рСзистора R5 Π½Π°ΠΉΠ΄Π΅ΠΌ ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ ΠΏΠΎΠ΄Π±ΠΎΡ€Π°.

Π˜ΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌ рСзистор с Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»ΠΎΠΌ 1 кОм, Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΡ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΎΠΌ 0805.

Π’Ρ‹Π±ΠΎΡ€ Смкости Π‘19. Π•ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ слуТит для питания микросхСмы Π² ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚ запуска микросхСмы, Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π° этой Смкости выбираСтся ΠΈΠ· ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… сообраТСний: Π‘ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠ°Ρ Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ этого кондСнсатора Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Π²Π½ΠΎΡΠΈΡ‚ΡŒ большиС Π·Π°Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΊΠΈ Π½Π° Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ микросхСмы, Ρ‚.ΠΊ. Π² ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ прСобразоватСля, это кондСнсатор заряТаСтся Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½ΠΈΠΉ Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π½Ρ‹ΠΉ источник Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π΄ΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡ 5.8 Π’, ΠΈ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ послС этого Π½Π°Ρ‡ΠΈΠ½Π°Π΅Ρ‚ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρƒ.

Π’Ρ‹Π±Π΅Ρ€Π΅ΠΌ эту Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ ΠΏΠΎΠ΄Π±ΠΎΡ€Π°:

ΠšΠΎΠ½Π΄Π΅Π½ΡΠ°Ρ‚ΠΎΡ€ кСрамичСский MURATA GRM31CR71C475K:1206 -X7R 16−4.7mkF со ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌΠΈ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°ΠΌΠΈ:

ΠšΠΎΠ½Π΄Π΅Π½ΡΠ°Ρ‚ΠΎΡ€ Π‘10 рассчитываСтся, ΠΊΠ°ΠΊ источник запасной энСргии, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΏΠΎΠ΄Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ напряТСниС Π½Π° ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ Π² Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ пяти ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΎΠ΄ΠΎΠ², ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΠΈ ΠΎΡ‚ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния ΠΈΠ»ΠΈ 50мс ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΠΈ ΠΎΡ‚ ΠΏΠΎΡΡ‚оянного напряТСния, Π² ΡΠ»ΡƒΡ‡Π°Π΅ пропадания напряТСния. НСобходимая Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ рассчитываСтся ΠΈΠ· ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ процСсса. ΠšΠΎΠ½Π΄Π΅Π½ΡΠ°Ρ‚ΠΎΡ€ разряТаСтся Π² ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚ пропадания напряТСния с Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡ ΡƒΡΡ‚Π°Π½ΠΎΠ²ΠΈΠ²ΡˆΠ΅Π³ΠΎΡΡ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ° — напряТСния 24−30%Π’, Π΄ΠΎ ΠΌΠΈΠ½ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ прСобразоватСля 5 Π’.

ΠŸΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ процСсс описываСтся ΠΏΠΎ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒΠ»Π°ΠΌ:

(5.23)

Π“Π΄Π΅-минимальноС напряТСниС Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ прСобразоватСля.

— ΠΌΠΈΠ½ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ напряТСниС питания.

— Π²Ρ€Π΅ΠΌΡ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ процСсса.

(5.24)

(5.25)

(5.26)

Π“Π΄Π΅Ρ‚ΠΎΠΊ потрСблСния ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΌ.

— Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС прСобразоватСля.

— ΠΏΠΎΡΡ‚оянная Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ

(5.27)

(5.28)

Π’Ρ‹Π±Π΅Ρ€Π΅ΠΌ элСктролитичСский кондСнсатор Ρ„ΠΈΡ€ΠΌΡ‹ «TREC» сСрии SR со ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌΠΈ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°ΠΌΠΈ:

Для нахоТдСния максимального срСднСквадратичного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° кондСнсатора, Π²ΠΎΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΡΡ ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΈΠΊΠΎΠΉ ΠΈΠ·Π»ΠΎΠΆΠ΅Π½Π½ΠΎΠΉ Π² [9]:

Π˜ΡΡ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ для расчСта:

Π°ΠΌΠΏΠ»ΠΈΡ‚ΡƒΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС кондСнсатора.

Π“Ρ† Ρ‡Π°ΡΡ‚ΠΎΡ‚Π° ΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ°Ρ†ΠΈΠΉ минимальноС ΠΏΠΈΠ»ΠΎΠΎΠ±Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС Π½Π° ΠΊΠΎΠ½Π΄Π΅Π½ΡΠ°Ρ‚ΠΎΡ€Π΅, этот ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ Π½Π°Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌ с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ модСлирования Π² ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ΅ PSPICE.

Ρ‚ΠΎΠΊ Π² Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ΅.

Вычислим врСмя заряда кондСнсатора (Π² Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊ потрСбляСтся ΠΎΡ‚ ΡΠ΅Ρ‚ΠΈ). Π”ΠΈΠ°Π³Ρ€Π°ΠΌΠΌΡ‹ напряТСний Π½Π° ΠΊΠΎΠ½Π΄Π΅Π½ΡΠ°Ρ‚ΠΎΡ€Π΅ ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½Ρ‹ Π½Π° Ρ€ΠΈΡ. 5.5.

Рис. 5.5

Π’Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ напряТСниС измСняСтся ΠΏΠΎ ΡΠΈΠ½ΡƒΡΠΎΠΈΠ΄Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌΡƒ Π·Π°ΠΊΠΎΠ½Ρƒ, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌ для расчСта Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒΠ»Ρƒ:

Π‘ (5.29)

ВычисляСтся врСмя разряда кондСнсатора:

Π‘ (5.30)

Находим ΠΏΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ зарядный Ρ‚ΠΎΠΊ:

(5.31)

Π“Π΄Π΅, Π° — это врСмя заряда кондСнсатора, Ρ‚. Π΅

А (5.32)

Находим срСднСквадратичноС Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· кондСнсатор ΠΏΠΎ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒΠ»Π΅:

(5.33)

гдСсрСднСквадратичный Ρ‚ΠΎΠΊ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· кондСнсатор Π½Π° Ρ†ΠΈΠΊΠ»Π΅ заряда, Π° — срСднСквадратичный Ρ‚ΠΎΠΊ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· кондСнсатор Π½Π° Ρ†ΠΈΠΊΠ»Π΅ разряда.

Π‘Ρ‡ΠΈΡ‚Π°Π΅ΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊ заряда кондСнсатора ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Ρ‚Ρ€Π΅ΡƒΠ³ΠΎΠ»ΡŒΠ½ΡƒΡŽ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒ, Ρ‚ΠΎΠ³Π΄Π°, А (5.34)

На ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Ρ€Π²Π°Π»Π΅ разряда Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· кондСнсатор Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Ρ‚ Ρ‚ΠΎΠΊ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ, поэтому, А (5.35)

Π˜Ρ‚Π°ΠΊ, срСднСквадратичный Ρ‚ΠΎΠΊ Ρ€Π°Π²Π΅Π½:

А (5.36)

Рассчитанный Ρ‚ΠΎΠΊ удовлСтворяСт максимально допустимому срСднСквадратичному Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ Π²Ρ‹Π±Ρ€Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ кондСнсатора.

5.5 Π’Ρ‹Π±ΠΎΡ€ Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎΠ³ΠΎ стабилизатора

Для питания ΠœΠš ΠΎΡ‚ ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Сля напряТСния Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ компСнсационный стабилизатор Π² ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ исполнСнии. Π’.ΠΊ. Ρ‚ΠΎΠΊ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ Π½Π΅ Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΎΠΉ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ рассСяния нСбольшая.

НСобходимыС ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ стабилизатора:

Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС: 3.3 Π’.

Π’ΠΎΠΊ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ: 10 mA.

Π’Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС стабилизатора: 12 Π’.

Под Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ ΠΏΠΎΠ΄Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ стабилизатор LP2980−3.3 Π² ΠΊΠΎΡ€ΠΏΡƒΡΠ΅ для ΠΏΠ»Π°Π½Π°Ρ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΌΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΆΠ° Π½Π΅ Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Π²Π½Π΅ΡˆΠ½ΠΈΡ… ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ², ΠΊΡ€ΠΎΠΌΠ΅ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ…, Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… кондСнсаторов. Π˜ΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ характСристики:

МаксимальноС Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС: 16 Π’ Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС: 3.3 Π’.

ΠœΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ: 150mA

ΠΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ: 50mA

МаксимальноС ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСниС: 125mB

Π’ΠΎΠΊ потрСблСния, ΠΏΡ€ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ΅ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ΅ 50mA:

ΠžΡΡ‚Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ ΡƒΠΊΠ°Π·Π°Π½Π½Ρ‹ Π² ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΈ: X.*

Π’Ρ‹Π±Π΅Ρ€Π΅ΠΌ кондСнсаторы Π‘16-Π‘17. Π ΡƒΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΡΡ‚Π²ΡƒΡΡΡŒ рСкомСндациями ΠΈΠ· Π΄ΠΎΠΊΡƒΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ†ΠΈΠΈ Π½Π° ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΠΈΠ·Π°Ρ‚ΠΎΡ€ DA1 Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΡƒΡΡ‚Π°Π½ΠΎΠ²ΠΈΡ‚ΡŒ кСрамичСскиС кондСнсаторы Π½Π΅ ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅ 1. ΠœΡ‹ ΡƒΡΡ‚Π°Π½ΠΎΠ²ΠΈΠΌ Ρ€Π°Π½Π΅Π΅ использовавшиСся кондСнсаторы Ρ„ΠΈΡ€ΠΌΡ‹ MURATA GRM31CR71C475K:1206 -X7R 16−4.7ΠΌΠΊΠ€ Π’Ρ‹Π±Π΅Ρ€Π΅ΠΌ Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Π½Ρ‹ΠΉ стабилитрон VD5 слуТащий для Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Ρ‹ Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎΠ³ΠΎ стабилизатора ΠΈ Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€Π° силового транзистора ΠΎΡ‚ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½Π½Ρ‹Ρ… напряТСний. НСобходимо Π²Ρ‹Π±Ρ€Π°Ρ‚ΡŒ стабилитрон с Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ стабилизации () мСньшС Ρ‡Π΅ΠΌ максимальноС напряТСниС Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎΠ³ΠΎ стабилизатора (), Π½ΠΎ Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠ΅ Ρ‡Π΅ΠΌ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС прСобразоватСля напряТСния ():

(5.37)

Π’Ρ‹Π±Π΅Ρ€Π΅ΠΌ стабилитрон TZMC15 Ρ„ΠΈΡ€ΠΌΡ‹ TEMIC с Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ стабилизации 15 Π’, максимальной рассСиваСмой ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ 500ΠΌΠ’Ρ‚, ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ 2. ΠŸΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΈΠΌ стабилитрон Π½Π° ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΡƒΡŽ Ρ€Π°ΡΡΠ΅ΠΈΠ²Π°Π΅ΠΌΡƒΡŽ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ: (5.38)

6. Π­ΠΊΡΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½Π°Ρ Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒ

6.1 ΠœΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ прСобразоватСля напряТСния

Для модСлирования Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ прСобразоватСля зададимся Ρ‚Π΅ΠΌΠΈ ΠΆΠ΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°ΠΌΠΈ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΈ Π² Π’Π— Π½Π° ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ. Π˜ΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠΈ прСобразоватСля Π˜Π‘ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½ΠΎΠ³ΠΎ источника — NCP1031 Ρ„ΠΈΡ€ΠΌΡ‹ «ON semiconductor», Ρ‚.ΠΊ. ΠΎΠ½ Π½Π°ΠΈΠ±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Π±Π»ΠΈΠ·ΠΎΠΊ ΠΏΠΎ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°ΠΌ ΠΊ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌΡΡ Π² ΡΡ…Π΅ΠΌΠ΅ прСобразоватСля напряТСния ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Ρƒ.

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° прСобразоватСля Π² ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ΅ PSPICE ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½Π° Π½Π° Ρ€ΠΈΡ. 6.1.

Рис. 6.1 — Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° модСлирования Π² ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ΅ PSPICE

Π—Π°Π΄Π°Ρ‡Π° модСлирования Π²Ρ‹ΡΠ²ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΎΡΠΏΠΎΡΠΎΠ±Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ прСобразоватСля Ρ‚. Π΅. Π²Ρ‹Π΄Π°Π²Π°Ρ‚ΡŒ Π·Π°Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠ΅ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС ΠΏΡ€ΠΈ максимальном ΠΈ ΠΌΠΈΠ½ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ напряТСнии. Для этого Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ провСсти Π΄Π²Π° этапа модСлирования с ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ ΠΈ ΠΏΠΎΠ½ΠΈΠΆΠ΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ напряТСниСм. На Ρ€ΠΈΡ. 6.2 ΡΠΏΡŽΡ€Ρ‹ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ прСобразоватСля с Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ напряТСниСм 5 Π’, Π½Π° Ρ€ΠΈΡ. 6.3. ΠΏΡ€ΠΈ напряТСнии питания 100 Π’.

Рис. 6.2 — Π­ΠΏΡŽΡ€Ρ‹ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ прСобразоватСля напряТСния (5Π’) Рис. 6.3 — Π­ΠΏΡŽΡ€Ρ‹ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ прСобразоватСля напряТСния (100Π’) Как Π²ΠΈΠ΄Π½ΠΎ ΠΈΠ· ΡΠΏΡŽΡ€ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ прСобразоватСля, Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС достигаСт Π·Π°Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ уровня.

Для провСдСния испытаний Π±Ρ‹Π»Π° ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²Π»Π΅Π½Π° макСтная ΠΏΠ»Π°Ρ‚Π° Π±Π»ΠΎΠΊΠ° ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° (ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ *), Π½Π° ΡΡ‚ΠΎΠΌ ΠΌΠ°ΠΊΠ΅Ρ‚Π΅ Π±Ρ‹Π»ΠΈ отсняты осциллограммы напряТСний прСобразоватСля напряТСния ΠΈ ΡΠΈΠ»ΠΎΠ²ΠΎΠΉ части Π‘Π£Πš Π² Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… условиях.

6.2 ИсслСдованиС прСобразоватСля напряТСния

Π’ ΡΡ‚ΠΎΠΌ экспСримСнтС ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΈΠΌ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΎΡΠΏΠΎΡΠΎΠ±Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ прСобразоватСля напряТСния Π½Π° Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠΌ напряТСнии, Ρ‚ΠΎΠΊ потрСбляСмый Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΎΠΉ 50мА.

ΠŸΡ€ΠΎΠΈΠ»Π»ΡŽΡΡ‚Ρ€ΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌ осциллограммы Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния, напряТСниС Π½Π° ΡΠΈΠ»ΠΎΠ²ΠΎΠΌ ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅ ΠΈ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Π½Π° Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π΅ Π‘ Π˜Π‘ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½ΠΎΠ³ΠΎ прСобразоватСля напряТСния.

Рис. 6.4 — ΠžΡΡ†ΠΈΠ»Π»ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΡ‹ прСобразоватСля напряТСния На ΠΎΡΡ†ΠΈΠ»Π»ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ°Ρ… Π²ΠΈΠ΄Π½Π° Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния, с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ вострСнных Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΉ осциллографа Π½Π°ΠΉΠ΄Π΅Π½ΠΎ срСднСС напряТСниС, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ Ρ€Π°Π²Π½ΠΎ 11,4 Π’. НапряТСниС Π½Π° Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π΅ Π‘ 5,76 Π’, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π³ΠΎΠ²ΠΎΡ€ΠΈΡ‚ ΠΎ Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ прСобразоватСля. Π‘ΠΈΠ»ΠΎΠ²ΠΎΠΉ транзистор ΠΏΠΎ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΈΡΠΌ осциллографа коммутируСтся с Ρ‡Π°ΡΡ‚ΠΎΡ‚ΠΎΠΉ 400ΠšΠ³Ρ†.

Рис. 6.5 — ΠžΡΡ†ΠΈΠ»Π»ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΡ‹ прСобразоватСля напряТСния На ΠΎΡΡ†ΠΈΠ»Π»ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ΅ ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½Π½ΠΎΠΉ, Π½Π° Ρ€ΠΈΡ. 6.5. Показано Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС Ρ€Π°Π²Π½ΠΎΠ΅ 10 Π’, ΠΏΡ€ΠΈ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ напряТСнии 5 Π’. НапряТСниС ΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ°Ρ†ΠΈΠΉ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния 750ΠΌΠ’. Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС удовлСтворяСт Π’Π—.

Из ΡΡ‚ΠΈΡ… осциллограмм Π²ΠΈΠ΄Π½ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ напряТСния.

Π”Π°Π»Π΅Π΅ ΠΏΠΎΠΊΠ°ΠΆΠ΅ΠΌ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС ΠΏΡ€ΠΈ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ напряТСнии 100 Π’.

Рис. 6.6 — ΠžΡΡ†ΠΈΠ»Π»ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΡ‹ прСобразоватСля напряТСния

Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС удовлСтворяСт Π’Π— ΠΈ Ρ€Π°Π²Π½ΠΎ 12 Π’, с Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ ΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ°Ρ†ΠΈΠΉ Π² 780ΠΌΠ’. Π’ Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΌ ΠΎΠΏΡ‹Ρ‚Π΅ Π²ΠΈΠ΄Π½ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ пониТСния напряТСния.

6.3 ИсслСдованиС силовой части Π±Π»ΠΎΠΊΠ°

Π—Π° ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Ρƒ возьмСм ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ Π½Π° Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ постоянноС напряТСниС 24 Π’, со ΡΡ€Π΅Π΄Π½ΠΈΠΌ напряТСниСм Π² ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠ°Ρ… Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ удСрТания 4,35 Π’.

Частота ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ†ΠΈΠΈ силового транзистора Π‘Π£Πš 20ΠšΠ³Ρ†.

НиТС прСдставлСны осциллограммы напряТСния Π² ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠ°Ρ… Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ удСрТания (Рис. 6.7).

Рис. 6.7 — ΠžΡΡ†ΠΈΠ»Π»ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΡ‹ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ силовой части На Π²Π΅Ρ€Ρ…Π½Π΅ΠΉ осциллограммС ΠΎΡ‚ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½ΠΎ напряТСниС Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ Π‘Π£Πš.

На Π½ΠΈΠΆΠ½Π΅ΠΉ осциллограммС ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½Π° Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ° напряТСния Π² ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠ΅, вычислСнноС срСднСС напряТСниС Π½Π° ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠ°Ρ… срСдствами осциллографа, Ρ€Π°Π²Π½ΠΎ 4,37 Π’, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π³ΠΎΠ²ΠΎΡ€ΠΈΡ‚ ΠΎ ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ систСмы управлСния ΠΈ ΡΠΈΠ»ΠΎΠ²ΠΎΠΉ части устройства.

ΠŸΡ€ΠΎΠ²Π΅Π΄Π΅ΠΌ экспСримСнт ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Π½Π°Π±Π»ΡŽΠ΄Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΈΠ· Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ° Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ Π‘Π£Πš, для этого зафиксируСм осциллографом ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ устройства.

На ΠΎΡΡ†ΠΈΠ»Π»ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ΅ (рис. 6.8.) ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°, Π² ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ Π²ΠΈΠ΄Π΅Π½ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ удСрТания ΠΈ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ форсаТа, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ длится 225mS.

Рис. 6.8 — ΠžΡΡ†ΠΈΠ»Π»ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΡ‹ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ силовой части Π’ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… испытаний, Π±Ρ‹Π»ΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½Ρ‹ ΠΎΠΆΠΈΠ΄Π°Π΅ΠΌΡ‹Π΅ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Ρ‹, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π΄ΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ принятых ΠΈΠ½ΠΆΠ΅Π½Π΅Ρ€Π½Ρ‹Ρ… Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠΉ. На ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠΈ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ΠΈΠ·Π»ΠΎΠΆΠ΅Π½Π½Ρ‹Ρ… осциллограмм ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡΠ΄Π΅Π»Π°Ρ‚ΡŒ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄, Ρ‡Ρ‚ΠΎ устройство удовлСтворяСт трСбованиям Π’Π—.

Π Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ обСспСчСния ΠŸΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ° ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Π° обСспСчиваСт Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΉ:

Π’ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° (Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ форсаТа).

ΠžΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ° сброса мощности (Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ удСрТания).

7. ΠžΡ‚ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°, Π² ΡΠ»ΡƒΡ‡Π°Π΅ нСсоотвСтствия Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½Π½ΠΎΠΌΡƒ

7.1 РасчСт ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ обСспСчСния

Вактовая частота ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Π° 8 ΠœΠ“Ρ†, Π° Ρ‚Π°ΠΉΠΌΠ΅Ρ€-счСтчик Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ Π±Π΅Π· прСддСлитСля, ΠΏΡ€ΠΈ частотС ШИМ 20ΠšΠ“Ρ†, Π½Π°ΠΉΠ΄Π΅ΠΌ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΡ‹ΠΉ ΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΎΠ΄ Ρ‚Π°ΠΉΠΌΠ΅Ρ€Π° счСтчика (ICR1)

(7.1)

Π“Π΄Π΅, ΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΎΠ΄ ΠΈ Ρ‡Π°ΡΡ‚ΠΎΡ‚Π° ШИМа.

ΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΎΠ΄ ΠΈ Ρ‡Π°ΡΡ‚ΠΎΡ‚Π° ΡˆΠΈΠ½Ρ‹ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Π°.

РасчСт Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ форсаТа вСдСтся отсчСтом числа ΠΏΡ€Π΅Ρ€Ρ‹Π²Π°Π½ΠΈΠΉ тс1 ΠΏΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ:

(7.2)

Π“Π΄Π΅ врСмя форсаТа.

НапряТСниС удСрТания Π² ΠΊΠΎΠ΄Π°Ρ… АЦП:

(7.3)

Π“Π΄Π΅ напряТСния Π½Π° ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠ΅ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°.

усрСднСнноС напряТСниС Π² ΠΊΠΎΠ΄Π°Ρ… АЦП.

ΠžΡ‚ΡΡŽΠ΄Π° врСмя ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ° ШИМ высчитываСтся Ρ‚Π°ΠΊ:

(7.4)

НайдСм уставку REF (для напряТСния удСрТания 4,35Π’) Π² ΠΊΠΎΠ΄Π°Ρ… АЦП:

(7.5)

НапряТСниС ΠΎΡ‚ΠΏΠ°Π΄Π° Π² ΠΊΠΎΠ΄Π°Ρ… АЦП, рассчитываСтся ΠΏΡ€ΠΈ 0,3*UΠ½ +Uvd Π’ Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠ° напряТСния:

(7.6)

Π“Π΄Π΅ Uvd-ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния Π½Π° Π²Ρ‹ΠΏΡ€ΡΠΌΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ мосту.

НапряТСниС Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ АЦП:

Π’ (7.7)

ΠŸΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Π°Ρ вычисляСтся ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ:

(7.8)

7.2 ОписаниС Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ПО

ΠŸΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ° ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Π° Π±Π»ΠΎΠΊΠ° управлСния ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ написана Π½Π° ΡΠ·Ρ‹ΠΊΠ΅ программирования высокого уровня Π‘ΠΈ. Π­Ρ‚ΠΎ позволяСт, Π² ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ ΠΎΡ‚ Π°ΡΡΠ΅ΠΌΠ±Π»Π΅Ρ€Π°, с ΠΌΠΈΠ½ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹ΠΌΠΈ Π·Π°Ρ‚Ρ€Π°Ρ‚Π°ΠΌΠΈ Π²Π½ΠΎΡΠΈΡ‚ΡŒ измСнСния Π² ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΡƒ ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π½ΠΎΡΠΈΡ‚ΡŒ Π΅Π΅ Π½Π° Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠ΅ ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Ρ‹. ВСкст ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΡ‹ ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½ Π² ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΈ *.

ΠŸΡ€ΠΎΠ΅ΠΊΡ‚ Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·ΠΎΠ²Π°Π½ Π² ΡΡ€Π΅Π΄Π΅ (систСмС) WinAVR. Π˜ΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ компилятор GNUΠ‘Π‘. ΠŸΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ° ΠΎΡ‚Π»Π°ΠΆΠ΅Π½Π° Π² ΡΡ€Π΅Π΄Π΅ AVRstudio. ΠšΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€ программируСтся ΠΏΠΎ ΠΈΠ½Ρ‚СрфСйсу ISP.

БоотвСтствиС ΠΈΠΌΠ΅Π½ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΉ Π² Ρ‚СкстС ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌ ΠΈ Ρ€ΠΈΡΡƒΠ½ΠΊΠΎΠ² Π±Π»ΠΎΠΊ-схСм Π°Π»Π³ΠΎΡ€ΠΈΡ‚ΠΌΠΎΠ² прСдставлСны Π² Ρ‚Π°Π±Π». 7.1:

Π’Π°Π±Π»ΠΈΡ†Π° 7.1 — ИмСна Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΉ Π² ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ΅

Ѐункция

НазваниС Π² Ρ‚СкстС ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΡ‹

Π‘Π»ΠΎΠΊ-схСма Π°Π»Π³ΠΎΡ€ΠΈΡ‚ΠΌΠ°

Головная функция

Main

Рис. 7.2

Ѐункция расчСта скваТности ШИМ

CALC_PWM

Рис. 7.3

Ѐункция ΠΎΡ‚ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ

OTPAD

Рис. 7.4

Ѐункция ΠΎΠ±Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ прСрывания АЦП

SIGNAL (ADC_vect)

Рис. 7.5

Ѐункция ΠΎΠ±Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ прСрывания ΠΏΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ тс1 Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ ШИМ

SIGNAL (TIMER1_OVF_vect)

Рис. 7.6

Алгоритм Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Π° прСдставлСн Π½Π° Π±Π»ΠΎΠΊ-схСмС (рис. 7.1).

ΠŸΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‡Π΅ питания Π½Π° ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€, ΠΎΠ½ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ настройку ΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΡ„Π΅Ρ€ΠΈΠΈ ΠΈ ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ силовой ΠΊΠ»ΡŽΡ‡, Ρ‚. Π΅. Π·Π°Π΄Π°Π΅Ρ‚ ΡΠΊΠ²Π°ΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ШИМ — 100%. Π—Π°Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΊΠ° ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‡Π΅ΠΉ напряТСния ΠΈ ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠ΅ΠΌ ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π° составляСт ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 5мс.

ΠŸΠΎΡ‚ΠΎΠΌ ΠΈΠ΄Π΅Ρ‚ сбор 127 ΠΎΡ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²ΠΎΠΊ АЦП (Π·Π° Π²Ρ€Π΅ΠΌΡ ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 28мс, Ρ‚. Π΅. ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎ ΠΏΠΎ Ρ‚Ρ€Π΅ΠΌ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΎΠ΄Π°ΠΌ сСти), ΠΈΡ… ΡƒΡΡ€Π΅Π΄Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΈ Π΅ΡΠ»ΠΈ напряТСниС большС 0,3*UΠ½ΠΎΠΌ, продолТатся Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ форсаТа.

Π”Π°Π»ΡŒΡˆΠ΅ сбор ΠΎΡ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²ΠΎΠΊ ΠΈ Ρ€Π°ΡΡ‡Π΅Ρ‚ уставок ШИМ продолТаСтся ΠΏΠΎΠΊΠ° счСтчик ΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΎΠ΄ΠΎΠ² ШИМ Π½Π΅ Π΄ΠΎΡΡ‡ΠΈΡ‚Π°Π΅Ρ‚ Π΄ΠΎ 15 600, Ρ‡Ρ‚ΠΎ соотвСтствуСт ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎ 220мс. ПослС Ρ‡Π΅Π³ΠΎ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ форсаТа считаСтся Π·Π°ΠΊΠΎΠ½Ρ‡Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ, ΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‚ΡΡ ΠΊΠΎΠ»-Π²ΠΎ ΠΎΡ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²ΠΎΠΊ АЦП для расчСта срСднСго напряТСния сСти. ΠšΠ°ΠΆΠ΄Ρ‹ΠΉ Ρ€Π°Π· ΠΏΡ€ΠΈ расчСтС уставки ШИМ происходит ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠ°, Π½Π° ΡΠΏΠ°Π΄ напряТСния Π½ΠΈΠΆΠ΅ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ.

Π’ ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ΅ ΠΈΠ½ΠΈΡ†ΠΈΠ°Π»ΠΈΠ·ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ «watchdog» — нСзависимый Ρ‚Π°ΠΉΠΌΠ΅Ρ€, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π·Π°Π³Ρ€ΡƒΠΆΠ°Π΅Ρ‚ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€ Π² Ρ‚ΠΎΠΌ случаС, Ссли основная ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ° зависнСт ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠ½ΡƒΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π½Π΅ ΡΠ±Ρ€ΠΎΡΠΈΡ‚ этот Ρ‚Π°ΠΉΠΌΠ΅Ρ€ Π² Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ 125мс.

Рис. 7.1 — Алгоритм Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Π°

Головная функция Головная функция прСдставляСт собой бСсконСчный Ρ†ΠΈΠΊΠ», Π² ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ происходит ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠ° Ρ„Π»Π°Π³Π° расчСта уставки ШИМ ΠΈ Π·Π°ΠΏΡƒΡΠΊ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΈ расчСта скваТности ШИМ с ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠΌ уставки напряТСния удСрТания.

Рис. 7.2 — Головная функция ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΡ‹ Ѐункция расчСта скваТности ШИМ.

Ѐункция сначала провСряСт соотвСтствиС Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½Π½ΠΎΠΌΡƒ, Π² ΡΠ»ΡƒΡ‡Π°Π΅ Π΅Π³ΠΎ нСсоотвСтствия (UΠ²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ < 0.3*UноминальноС), происходит Π²Ρ‹Π·ΠΎΠ² Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΈ ΠΎΡ‚ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ.

Рис. 7.3 — Ѐункция расчСта уставки ШИМ Ѐункция ΠΎΡ‚ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ Ѐункция ΠΎΡ‚ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ ШИМ ΠΈ Π·Π°ΠΏΡƒΡΠΊΠ°Π΅Ρ‚ бСсконСчный Ρ†ΠΈΠΊΠ» с ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΎΠΉ «watchdog».

Рис. 7.4 — Ѐункция ΠΎΡ‚ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ

Ѐункция ΠΎΠ±Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ прСрывания ШИМ Ѐункция Π΄Π΅ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Ρ‚ΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚ счСтчик ΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΎΠ΄ΠΎΠ² ШИМ. ΠŸΡ€ΠΈ ΠΎΠ±Π½ΡƒΠ»Π΅Π½ΠΈΠΈ счСтчика Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ ΠΏΡ€Π΅Ρ€Ρ‹Π²Π°Π½ΠΈΠ΅ ШИМ ΠΈ ΡƒΡΡ‚анавливаСтся Ρ„Π»Π°Π³ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ° удСрТания.

Рис. 7.5 — Ѐункция ΠΎΠ±Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ прСрывания ШИМ

ΠŸΠΎΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚ΡŒ вСсь тСкст
Π—Π°ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒ Ρ‚Π΅ΠΊΡƒΡ‰Π΅ΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΎΠΉ