ΠŸΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒ Π² написании студСнчСских Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚
АнтистрСссовый сСрвис

РасчСт Π·Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ транзисторов ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ ΠΈ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ ΠΈ ΠΈΡ… Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€

Π Π΅Ρ„Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠŸΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒ Π² Π½Π°ΠΏΠΈΡΠ°Π½ΠΈΠΈΠ£Π·Π½Π°Ρ‚ΡŒ ΡΡ‚ΠΎΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΠΌΠΎΠ΅ΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹

На ΡΡ‚ΠΎΠΉ схСмС ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Ρ†Π΅ΠΏΡŒ завСдСния ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ связи ΠΏΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ Π² ΡΡ…Π΅ΠΌΡƒ управлСния. На ΡΡ…Π΅ΠΌΠ΅ Π½Π΅ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Ρ‹ источники питания Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€ΠΎΠ². Π’Ρ‹Π±ΠΎΡ€ источников питания для Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€ΠΎΠ² слСдуСт провСсти с ΡƒΡ‡Π΅Ρ‚ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΊΠΎΠΌΠ΅Π½Π΄Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΏΠΎ ΠΈΡΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊΠ°ΠΌ питания Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€ΠΎΠ², ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ содСрТатся Π² Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»Π΅ 10.1. Биловая схСма вмСстС со ΡΡ…Π΅ΠΌΠΎΠΉ управлСния (D3), Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ Π½Π° Π±Π°Π·Π΅ ΡƒΠ½ΠΈΠ²Π΅Ρ€ΡΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ микросхСмы 1114Π•Π£3… Π§ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Π΅Ρ‰Ρ‘ >

РасчСт Π·Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ транзисторов ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ ΠΈ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ ΠΈ ΠΈΡ… Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€ (Ρ€Π΅Ρ„Π΅Ρ€Π°Ρ‚, курсовая, Π΄ΠΈΠΏΠ»ΠΎΠΌ, ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΡŒΠ½Π°Ρ)

МаксимальноС Π°ΠΌΠΏΠ»ΠΈΡ‚ΡƒΠ΄Π½ΠΎΠ΅ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠΈ трансформатора I2mmax = IΠ½Π³. N+ Π”IL/2 = 5+3,38/2 = 6,69А.

МаксимальноС Π°ΠΌΠΏΠ»ΠΈΡ‚ΡƒΠ΄Π½ΠΎΠ΅ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠΈ трансформатора I1mmax = I2mmax/kΡ‚Ρ€ = 6,69/0,4 = 16,725 А.

ΠœΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ транзистора IΠΊ m max = I1m max =16,725А.

Π‘Ρ€Π΅Π΄Π½Π΅Π΅ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° транзистора IvΡ‚ ср= IΠΊ m max* Π³ max=16.725*0,9=15,0525А.

МаксимальноС напряТСниС Π½Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π΅ транзистора, Uкэ, Ρ€Π°Π²Π½ΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ UΠ²Ρ…. max = 29,7 Π’.

Вранзисторы Π²Ρ‹Π±ΠΈΡ€Π°Π΅ΠΌ с ΡƒΡ‡Π΅Ρ‚ΠΎΠΌ коэффициСнтов запаса ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ ΠΈ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ:

kΠ·.Ρ‚. = 2; ΠΈ kΠ·.Π½. = 2.

Π’Ρ‹Π±ΠΈΡ€Π°Π΅ΠΌ 4 ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзистора КП954 Π’ (смотри Ρ‚Π°Π±Π»ΠΈΡ†Ρƒ 24). ΠŸΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ этих транзисторов:

  • -ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ стока, Ic. max = 20А;
  • -напряТСниС сток-исток, Uс-u = 60 Π’;
  • -напряТСниС насыщСния, Ucu нас. = 0,25 Π’;
  • -врСмя Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ, tΠ²ΠΊΠ» = 50 нс;
  • -врСмя Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ, tΠ²Ρ‹ΠΊΠ»= 50 нс;
  • -максимальная рассСиваСмая ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ, Ррасс. max = 40 Π’Ρ‚;
  • -Ρ‚ΠΈΠΏ корпуса, ВО — 220.

ΠžΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния Π½Π° ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΎΠΌ транзисторС нСсколько мСньшС принятого Ρ€Π°Π½Π΅Π΅ значСния Ucu нас. = 1,0 Π’. ΠŸΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒ ΡƒΡ‚ΠΎΡ‡Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ расчСта Π½Π΅ Ρ‚рСбуСтся.

Для управлСния этими транзисторами Π²Ρ‹Π±ΠΈΡ€Π°Π΅ΠΌ 2 Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€Π° IR21091 (смотри Ρ‚Π°Π±Π»ΠΈΡ†Ρƒ 18), основныС ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ…:

  • -Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡Π΅Π΅ напряТСниС, UN=600Π’;
  • -ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ, IΠ²Ρ‹Ρ…. max=120 мА;
  • -ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Π²Ρ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ, IΠ²Ρ‚. max= 250 мА;
  • -напряТСниС питания, UΠΏ= 10−25 Π’;
  • -минимальноС Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС, UΠ²Ρ‹Ρ…. min = 20Π’;
  • -максимальноС Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС, UΠ²Ρ‹Ρ…. max = 20Π’;
  • -Π·Π°Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΊΠ° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ сигнала, tΠ·= 60нс;
  • — Ρ‚ΠΈΠΏ корпуса, SOIC — 14.

Биловая схСма вмСстС со ΡΡ…Π΅ΠΌΠΎΠΉ управлСния (D3), Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ Π½Π° Π±Π°Π·Π΅ ΡƒΠ½ΠΈΠ²Π΅Ρ€ΡΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ микросхСмы 1114Π•Π£3, ΠΈ Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€Π°ΠΌΠΈ (D1 ΠΈD2) для связи Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠ² схСмы управлСния с Ρ†Π΅ΠΏΡΠΌΠΈ управлСния транзисторов силовой схСмы, ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Ρ‹ Π½Π° Ρ€ΠΈΡΡƒΠ½ΠΊΠ΅ 31.

ΠšΠ°ΠΆΠ΄Ρ‹ΠΉ ΠΈΠ· ΡΡ‚ΠΈΡ… Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€ΠΎΠ² (D1 ΠΈ D2) ΠΏΡ€Π΅Π΄Π½Π°Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ для управлСния двумя транзисторами ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠ»Π΅Ρ‡Π° — Π²Π΅Ρ€Ρ…Π½Π΅Π³ΠΎ ΠΈ Π½ΠΈΠΆΠ½Π΅Π³ΠΎ транзистора. Π˜ΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΡ‹ управлСния Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€ΠΎΠ² (HIN ΠΈ LIN) ΠΏΠΎΡΡ‚ΡƒΠΏΠ°ΡŽΡ‚ ΠΎΡ‚ ΡΠΈΡΡ‚Π΅ΠΌΡ‹ управлСния (D3). ΠŸΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ Π² ΠΎΠ΄Π½ΠΎΡ„Π°Π·Π½ΠΎΠΉ мостовой схСмС ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎ проводят Ρ‚ΠΎΠΊ Π΄Π²Π° транзистора, располоТСнныС ΠΏΠΎ Π΄ΠΈΠ°Π³ΠΎΠ½Π°Π»ΠΈ моста (VT1 c VT2 ΠΈΠ»ΠΈ VT3 c VT4), Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ HIN ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠ³ΠΎ Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€Π° (D1) ΠΈ LIN Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€Π° (D2) ΠΎΠ±ΡŠΠ΅Π΄ΠΈΠ½Π΅Π½Ρ‹, Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΎΠ±ΡŠΠ΅Π΄ΠΈΠ½Π΅Π½Ρ‹ HIN Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€Π° ΠΈ LIN ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠ³ΠΎ Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€Π°.

На ΡΡ‚ΠΎΠΉ схСмС ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Ρ†Π΅ΠΏΡŒ завСдСния ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ связи ΠΏΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ Π² ΡΡ…Π΅ΠΌΡƒ управлСния. На ΡΡ…Π΅ΠΌΠ΅ Π½Π΅ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Ρ‹ источники питания Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€ΠΎΠ². Π’Ρ‹Π±ΠΎΡ€ источников питания для Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€ΠΎΠ² слСдуСт провСсти с ΡƒΡ‡Π΅Ρ‚ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΊΠΎΠΌΠ΅Π½Π΄Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΏΠΎ ΠΈΡΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊΠ°ΠΌ питания Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€ΠΎΠ², ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ содСрТатся Π² Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»Π΅ 10.1.

ΠŸΠΎΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚ΡŒ вСсь тСкст
Π—Π°ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒ Ρ‚Π΅ΠΊΡƒΡ‰Π΅ΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΎΠΉ