Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Аппаратно-программные средства контроля характеристик воздействия при имитационных испытаниях интегральных схем на радиационную стойкость

Диссертация: Аппаратно-программные средства контроля характеристик воздействия при имитационных испытаниях интегральных схем на радиационную стойкость
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Задачи оценки показателей стойкости и прогнозирования радиационного поведения интегральных схем (ИС), являющихся основой для построения современной вычислительной техники и систем управления, в условиях воздействия ионизирующих излучений являются актуальными и важными в связи с развитием и совершенствованием систем вооружения, средств космической связи, необходимостью повышения надежности… Читать ещё >

Аппаратно-программные средства контроля характеристик воздействия при имитационных испытаниях интегральных схем на радиационную стойкость (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • ГЛАВА 1. ОСНОВНЫЕ СРЕДСТВА ПРОВЕДЕНИЯ РАДИАЦИОННЫХ ИСПЫТАНИЙ ИС И СИСТЕМЫ КОНТРОЛЯ ПАРАМЕТРОВ ВОЗДЕЙСТВИЯ
    • 1. 1. Средства проведения радиационных испытаний
    • 1. 2. Моделирующие установки и средства контроля их характеристик
    • 1. 3. Радиационные испытания с использованием рентгеновских имитаторов
      • 1. 3. 1. Основные требования к рентгеновским имитаторам
      • 1. 3. 2. Рентгеновский имитатор «РЕИС-ИМ»
      • 1. 3. 3. Перспективы развития рентгеновских имитаторов
    • 1. 4. Радиационные испытания с использованием лазерных имитаторов
      • 1. 4. 1. Основные требования к лазерным имитаторам
      • 1. 4. 2. Лазерный имитатор."Радон-5М"
      • 1. 4. 3. Направления развития лазерных имитаторов
    • 1. 5. Применение изотопных имитаторов для радиационных испытаний
      • 1. 5. 1. Основные требования к изотопным имитаторам
      • 1. 5. 2. Макет изотопного имитатора
  • ГЛАВА 2. СОСТАВ И ТРЕБОВАНИЯ К СРЕДСТВАМ ПРОВЕДЕНИЯ ИМИТАЦИОННЫХ ИСПЫТАНИЙ ИС НА РАДИАЦИОННУЮ СТОЙКОСТ
    • 2. 1. Требования к аппаратно-программным средствам контроля. характеристик воздействия при имитационных испытаниях
    • 2. 2. Состав аппаратно-программных средств контроля характеристик воздействия
    • 2. 3. Требования к средствам оперативного контроля характеристик полей
      • 2. 3. 1. Методы и средства регистрации рентгеновского излучения
      • 2. 3. 2. Методы и средства регистрации лазерного излучения
    • 2. 4. Расчетно-экспериментальное моделирование параметров детектора на основе p-i-n диода
      • 2. 4. 1. Определение критических параметров p-i-n диода при регистрации рентгеновского излучения
      • 2. 4. 2. Определение критических параметров p-i-n диода при регистрации лазерного излучения
    • 2. 5. Исследование возможности использования алмазного детектора для контроля излучения рентгеновского имитатора
  • ГЛАВА 3. МЕТОДЫ И СРЕДСТВА КОНТРОЛЯ ХАРАКТЕРИСТИК РЕНТГЕНОВСКИХ ИМИТАТОРОВ
    • 3. 1. Требования к техническим средствам контроля воздействия рентгеновских имитаторов
    • 3. 2. Исследование спектральных характеристик полей излучения рентгеновского имитатора
    • 3. 3. Оценка влияния мягкой компоненты спектрального состава рентгеновского излучения
    • 3. 4. Аппаратно-программные средства контроля характеристик рентгеновских имитаторов
      • 3. 4. 1. Особенности схемы измерения реакции p-i-n диода
      • 3. 4. 2. Особенности схемы измерения реакции алмазного детектора
      • 3. 4. 3. Аппаратно-программный комплекс для автоматизированного измерения пространственной неравномерности поля рентгеновского имитатора «РЕИС-ИМ»
    • 3. 5. Результаты измерений основных характеристик воздействия рентгеновского имитатора «РЕИС-ИМ»
      • 3. 5. 1. Измерение пространственной неравномерности поля излучения
      • 3. 5. 2. Измерение нестабильности мощности излучения в процессе непрерывной работы
    • 3. 6. Методика дозиметрического сопровождения рентгеновских испытаний
    • 3. 7. Принципы построения системы управления рентгеновскими имитаторами
  • ГЛАВА 4. МЕТОДЫ И СРЕДСТВА КОНТРОЛЯ ХАРАКТЕРИСТИК ЛАЗЕРНЫХ ИМИТАТОРОВ
    • 4. 1. Требования к техническим средствам контроля воздействия лазерных имитаторов
    • 4. 2. Аппаратно-программные средства контроля
      • 4. 2. 1. Особенности схемы регистрации импульсной реакции p-i-n диода
      • 4. 2. 2. Устройство запоминания импульсов
      • 4. 2. 3. Устройство регистрации видеосигнала
    • 4. 3. Аппаратно-программные средства для автоматизированного измерения пространственной неравномерности поля лазерного имитатора «Радон-5М»
    • 4. 4. Результаты исследований основных характеристик воздействия лазерных имитаторов
    • 4. 5. Методика дозиметрического сопровождения лазерных испытаний
  • ГЛАВА 5. СИСТЕМА КОНТРОЛЯ ПОЛЕЙ ИЗОТОПНОГО ИМИТАТОРА
    • 5. 1. Основные требования к системе
    • 5. 2. Методы и средства определения типа частиц
    • 5. 3. Средства регистрации световой вспышки
    • 5. 4. Моделирование реакции сцинтилляционно-полупроводникового детектора
    • 5. 5. Аппаратно-программная система контроля полей изотопного имитатора
      • 5. 5. 1. Критические параметры регистрируемого сигнала
      • 5. 5. 2. Аппаратные средства обработки сигнала
      • 5. 5. 3. Особенности организации программного обеспечения системы
    • 5. 6. Сравнительные результаты измерений энергетических спектров изотопных источников

Задачи оценки показателей стойкости и прогнозирования радиационного поведения интегральных схем (ИС), являющихся основой для построения современной вычислительной техники и систем управления, в условиях воздействия ионизирующих излучений являются актуальными и важными в связи с развитием и совершенствованием систем вооружения, средств космической связи, необходимостью повышения надежности и безопасности работы ядерно-энергетических установок и т. п.

Расширение номенклатуры ИС, применение функционально сложных ИС большой и сверхбольшой степени интеграции, освоение субмикронной технологии, необходимость внедрения методов и средств контроля радиационной стойкости на всех этапах жизненного цикла изделий являются объективными причинами увеличения числа и объема радиационных испытаний. Применение традиционных методов для определения показателей радиационной стойкости ИС с использованием моделирующих установок не обеспечивает полноты определения радиационно-чувствительных параметров и характеристик. В связи с этим в настоящее время для проведения радиационных испытаний широко применяются имитационные методы с использованием имитаторов ионизирующего излучения. Одним из существенных преимуществ имитационных методов испытаний является то, что они проводятся в обычных лабораторных условиях и могут быть адаптированы для различных систем контроля качества изделий. Внедрение подобных автоматизированных систем требует разработки оперативных, достоверных, высокоэффективных и по возможности универсальных средств контроля характеристик полей для имитационных установок.

Целью диссертационной работы является разработка расчетно-экспериментальных методов и аппаратно-программных средств контроля характеристик полей излучения, позволяющих повысить оперативность и достоверность результатов имитационных испытаний ИС на радиационную стойкость при существенном снижении затрат на их проведение.

Научная новизна работы.

1. Обоснованы и разработаны структура, состав и требования к отдельным узлам аппаратно-программных средств для контроля характеристик стационарных и импульсных воздействий при проведении имитационных испытаниях ИС на радиационную стойкость.

2. Определен и развит комплекс расчетно-экспериментальных методов и средств контроля характеристик полей от имитационных установок. Разработаны требования к универсальному детектору и обосновано использование чувствительных элементов на основе p-i-n диода и природного алмаза для оперативного контроля характеристик полей ионизирующего излучения.

3. Разработаны и апробированы методики аттестации рентгеновских имитаторов и дозиметрического сопровождения при проведении имитационных испытаний ИС на радиационную стойкость.

4. Разработаны структура устройства и алгоритм его работы для регистрации типа и энергии ядерных частиц в смешанных полях излучения, основанные на различиях в форме импульса светоотклика при попадании ядерной частицы в неорганический сцинтиллятор.

Результаты, выносимые на защиту.

Структура, состав, требования к отдельным узлам и специализированные узлы аппаратно-программного комплекса для контроля характеристик стационарных и импульсных воздействий при проведении имитационных испытаниях ИС на радиационную стойкость.

Расчетно-экспериментальные методики и средства контроля характеристик полей от имитационных установок, в том числе при проведении оперативного контроля с использованием в качестве чувствительных элементов p-i-n диода и природного алмаза.

Устройство с алгоритмом его работы, предназначенное для регистрации типа и энергии ядерных частиц в смешанных полях излучения и основанное на регистрации характерных параметров импульса отклика с выхода сцинтиляционного детектора.

Результаты экспериментальных исследований характеристик рентгеновских и лазерных имитаторов, подтвердившие обоснованность применения предложенных аппаратно-программных средств при проведении радиационных испытаний ИС и устройств на их основе.

Принципы организации систем управления имитаторами ионизирующего излучения, позволяющих повысить оперативность и достоверность результатов имитационных испытаний ИС при снижении затрат на их получение.

Публикации.

Основные результаты диссертационной работы отражены в 25 печатных работах, в том числе в четырех работах без соавторов, и одиннадцати отчетах по НИР.

Апробация работы.

Основные результаты диссертационной работы докладывались автором на 2-й Межотраслевой научно-технической конференции «Влияние низкоинтенсивных излучений космического пространства и атомных электростанций на элементы и устройства радиоэлектроники и электротехники» (г. Лыткарино, 1995 г.) — на 6-й Межотраслевой научно-технической конференции «Воздействие ионизирующих излучений на радиоэлектронную аппаратуру, элементы и материалы. Методы испытаний и исследований» (г. Лыткарино, 1996 г.) — на Российских конференциях по радиационной стойкости «Стойкость-98» и «Стойкость-99» (г. Лыткарино, 1998 и 1999 гг.) — на 34-й Международной конференции IEEE NSREC (США, 1997 г.) — на Международной конференции RADECS-97 (Франция, 1997 г.) — на Московской международной конференции «Молодежь и наука-97» (г. Москва, 1997 г.) — на XVII Международном симпозиуме по ядерной электронике (г. Варна, 1997 г.) — на VI Международном семинаре «Радиационные процессы в электронике» (г. Москва, 1998 г.) и на Научных сессиях МИФИ (г. Москва, 1998 — 2000 гг.).

Практическая значимость работы.

1. Разработан и внедрен комплекс аппаратно-программных средств для контроля характеристик полей от имитаторов при проведении испытаний ИС на радиационную стойкость.

2. Разработаны разделы нормативных документов МО РФ по методам моделирования, испытаний и оценки уровней радиационной стойкости ИС в части дозиметрического сопровождения имитационных испытаний.

3. Разработаны и внедрены на ряде предприятий методики контроля характеристик полей от лазерных и рентгеновских имитаторов.

4. Измерены характеристики полей излучения для различных модификаций рентгеновских и лазерных имитаторов. Впервые проведена аттестация рентгеновских («РЕИС-ИМ») и лазерных («Радон-5») имитаторов.

Результаты работы отражены в двух РД «Микросхемы интегральные. Методы испытаний и оценки стойкости больших и сверхбольших интегральных схем к одиночным сбоям от воздействия отдельных высокоэнергетичных тяжелых заряженных частиц и протонов космического пространства» (РД В 319.03.24−97) и «Микросхемы интегральные и полупроводниковые приборы. Методы контроля радиационной стойкости на этапах разработки, производства и поставки. Общие методики имитационных испытаний» (РД В 319.03.22−97).

Результаты диссертационной работы вошли в отчетные материалы по НИР «Перенос-4», «Кашира», «Авторитет-МРП», «Андромеда-СПЭЛС», «Абордаж-СПЭЛС», «Абориген-СПНЦ-П-СПЭЛС», «Абрис-СВВ», «Венера-1», «Плутон-5», «Магистр-СВВ», выполняемых в рамках государственного оборонного заказа и «ДУС-ДНГ», выполняемой по заказу РКА.

Результаты диссертационной работы использованы в ЭНПО СПЭЛС и ЦФТИ МО РФ (подтверждено актами).

Диссертация содержит 207 страниц, 85 рисунков, список литературы из 128 наименований и состоит из введения, пяти глав и заключения.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Основным научным результатом работы является теоретическая разработка, обобщение и практическое решение научной задачи по созданию расчетно-экспериментальных методов и аппаратно-программных средств контроля характеристик полей излучения, позволяющих повысить оперативность и достоверность результатов имитационных испытаний ИС на радиационную стойкость при существенном снижении затрат на их проведение.

Основным теоретическим результатом работы является разработка требований, структуры и состава аппаратно-программного комплекса и специализированных узлов этого комплекса для контроля характеристик стационарных и импульсных воздействий при проведении имитационных испытаниях ИС на радиационную стойкость.

Частные теоретические результаты, полученные автором по теме диссертации, состоят в следующем.

1. Определен и развит комплекс расчетно-экспериментальных методов и средств контроля характеристик полей от имитационных установок. Разработаны требования к универсальному детектору и обосновано использование чувствительных элементов на основе p-i-n диода и природного алмаза для оперативного контроля характеристик полей ионизирующего излучения.

2. Разработаны и апробированы методики аттестации рентгеновских имитаторов и дозиметрического сопровождения их при проведении имитационных испытаний ИС на радиационную стойкость.

3. Разработаны структура устройства и алгоритм его работы для регистрации типа и энергии ядерных частиц в смешанных полях излучения, основанные на различиях в форме импульса светоотклика при попадании ядерной частицы в неорганический сцинтиллятор.

Основным практическим результатом диссертации является разработка и внедрение комплекса аппаратно-программных средств для контроля характеристик полей от имитаторов при проведении испытаний ИС на радиационную стойкость.

Частные практические результаты состоят в следующем.

1. Разработаны разделы нормативных документов МО РФ по методам моделирования, испытаний и оценки уровней радиационной стойкости ИС в части дозиметрического сопровождения имитационных испытаний.

2. Разработаны и внедрены на ряде предприятий методики и средства контроля характеристик полей лазерных и рентгеновских имитаторов.

3. Измерены характеристики полей излучения для различных модификаций рентгеновских и лазерных имитаторов. Впервые проведена аттестация рентгеновских («РЕИС-ИМ») и лазерных («Радон-5М») имитаторов.

Показать весь текст

Список литературы

  1. А.Ю., Критенко М. И., Телец В. А. и др. Система радиационных испытаний БИС в процессе разработки, производства и поставки // Российская науч. конф. «Радиационная стойкость электронных систем. Стойкость-98». Тез. докл. М., 1998. С. 5 — 7.
  2. А.С., Демидов А. А., Калашников О. А., Никифоров А. Ю. и др. Методы радиационных исследований АЦП/ЦАП // XVII междунар. симпоз. по ядерной электронике, Варна, 15−21 сент. 1997 г.: Дубна: ОИЯИ, 1998. — С. 75 — 80.
  3. Имитационное экспериментальное моделирование для оценки и прогнозирования радиационной стойкости ИЭТ. / Е. Р. Аствацатурьян, А. Ю. Никифоров, А. И. Чумаков и др. // Вестник РАДТЕХ. -1991. N 2. -С. 44 — 47.
  4. Система имитационной оценки и прогнозирования показателей радиационной стойкости интегральных схем / М. И. Критенко, А.Ю.
  5. , В.А. Телец и др. Радиационные процессы в электронике. М., 1994. — С. 145- 146.
  6. Микросхемы интегральные и полупроводниковые приборы. Методы контроля радиационной стойкости на этапах разработки, производства и поставки. Общие методики имитационных испытаний // РД В 319.03.22−97.
  7. Т.М., Аствацатурьян Е. Р., Скоробогатов П. К. Радиационные эффекты в интегральных микросхемах. М.: Энергоатомиздат, 1989, -256 с.
  8. Ionizing radiation affects in MOS devices and circuits. / Ed. by T.P. Ma, P.V.Dressendorfer. N.Y., 1989, — 588 p.
  9. А.Ю., Телец В. А., Чумаков А. И. Радиационные эффекты в КМОП интегральных схемах. М.: Радио и связь, 1994. — 180 с.
  10. Ф.П., Богатырев Ю. В., Вавилов В. А. Воздействие радиации на интегральные микросхемы. -Минск: Наука и техника, 1986. 180 с.
  11. B.C., Ухин Н. А. Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах. М.: Атомиздат, 1969. — 324 с.
  12. Larin F. Radiation effects in semiconductor devices. N. Y., 1969. 480 p.
  13. Messenger G.S., Ash M.S. The effects of radiation on electronic systems. -N.Y., 1986. -508 p.
  14. B.H. Современное состояние и перспективы развития испытательной базы НИИП // Доклад на Российской науч. конф. «Радиационная стойкость электронных систем. Стойкость-98».
  15. А.И., Яненко А. В., Артамонов А. С., Демидов А. А. Базовая методика проведения экспериментальных исследований БИС на чувствительность к одиночным сбоям при протонном излучении. -М., 1996. -20 с. -(Препр. / МИФИ- 022−96).
  16. Методика измерений экспозиционной дозы фотонного излучения нестандартизованными средствами измерения АИСТ-5 с термолюминесцентными детекторами на основе алюмофосфатного стекла ПСТ (ИС-7). М.: НИИП, 1994.
  17. Ю.П., Гусев А. С., Ноздрачев С. Ю. Широкодиапазонный многоцелевой термолюминесцентный дозиметр АИСТ-5 // Вопросы атомной науки и техники. Сер. Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. -1994 г. Вып. 3−4. С. 73−74.
  18. Методика измерений пиковой мощности экспозиционной дозы по результатам измерения экспозиционной дозы термолюминесцентными детекторами и эффективной длительности импульса фотонного излучения сцинтилляционными детекторами. -М.: НИИП, 1994.
  19. Palkuti L.J., LePage J.J. X-ray Wafer Probe for Total Dose Testing. // IEEE Trans. -1982. -Vol. NS-29. -N 6. -P. 1832.
  20. Oldham T.R., McGarrity J.M. Comparison of Co-60 Response and 10 keV X-ray Response in MOS Capacitors // IEEE Trans. -1983. -Vol. NS-30. -N 6. -P. 4377.
  21. Dosier C.M., Brown D.B. The Use of Low Energy X-rays for Device Testing. A Comparison with Co-60 Radiation // IEEE Trans. -1983. -Vol. NS-30. -N 6. -P. 4382.
  22. Fleetwood D.M., Winokour P. S. Accounting for Dose-Enhancement Effects with CMOS Transistors // IEEE Trans. -1985. -Vol. NS-32. -N 6. -P. 4369.
  23. B.C., Попов В. Д., Шальнов А. В. Поверхностные радиационные эффекты в элементах интегральных микросхем. М.: Энергоатомиздат, 1988. -256 с.
  24. Разработка методик и проведение экспериментальных исследований эффектов радиационных воздействий на узлы электронной аппаратуры / А. С. Артамонов, Р. А. Ворошилов, Д. В. Громов и др. (Отчет за 6-й этап по НИР «Гольф) / ЭНПО СПЭЛС- М&bdquo- 1999. -53 с.
  25. Методика рентгеновских имитационных испытаний полупроводниковых приборов и интегральных схем (Антей-1). М.: МИФИ, 1989. -64 с.
  26. Общие методики лазерных, рентгеновских и изотопных имитационных испытаний интегральных схем и полупроводниковых приборов на радиационную стойкость / 22 ЦНИИИ МО и ЭНПО СПЭЛС. -М., 1996. -25 с.
  27. Standard Guide for Use of an X-Ray Tester (-10 keV Photons) in Ionizing Radiation Effect Testing of Semiconductor Devices and Microcircuits: Annual Book of ASTM Standards. 1994.
  28. Model 4100 Automatic Semiconductor Irradiation System / фирма Advanced Research and Application Corporation (США).
  29. А.Г. Эффекты мощности дозы в МОП БИС // Российская науч. конф. «Радиационная стойкость электронных систем. Стойкость-98». Тез. докл. -М., 1998. -С. 163−165.
  30. Brown D.B. Jenkins W.C., Johnston А.Н. Application of a model for treatment of time dependent effects on irradiation of microelectronics devices // IEEE Trans, on Nucl. Sci. 1989. — Vol. NS-36. -N 6. -P. 1957−1962.
  31. O.A. Дис. на соискание ученой степени канд. техн. наук. -М.: МИФИ, 1993.
  32. Е.Р., Беляев В. А., Трушкин Н. С. Функционально-логическое моделирование радиационного поведения цифровых устройств. М., 1993. -28 с. -(Препр. / МИФИ- 016−93).
  33. В.М., Скоробогатов П. К. Функционально-логическое моделирование ионизационной реакции в цифровых устройствах // Российская науч. конф. «Радиационная стойкость электронных систем. Стойкость-98». Тез. докл. -М&bdquo- 1998. -С.57−59.
  34. Arkadiev V.A., Fayazov R.F., Kumakhov М.А. Design of wide-band system for focusing a hard x-rays. -M., 1988. -(Preprint IV. Kurchatov Institute of Atomic Energy IAE-4711/3)
  35. Hardman M.N., Edwards A.R. Exploitation of a Pulsed Laser to Explore Transient Effects on Semiconductor Devices // IEEE Trans. Nucl. Sci. -1984. -Vol. NS-31. -N 6. -P. 1406−1410.
  36. Ellis T.D., Kim Y.D. Use of a Pulsed Laser as an Aid to Transient Upset Testing of I2L LSI Microcircuits // IEEE Trans. Nuc. Sci. -1978. -Vol. NS-25. -N 6. -P. 1489−1493.
  37. Stultz T.J., Crowley J.L., Junda F.A. An Investigation of the Transient Ionizing Radiation Response of Diffused Resistors Using a Pulsed Laser // IEEE Trans. Nucl. Sci. -1980. -Vol. NS-27. -N 5. -P. 1362−1367.
  38. Исследование создания перспективных моделирующих средств для выработки критериев радиационной стойкости / А. С. Артамонов, Д. В. Громов А. А Демидов и др (Итоговый отчет по НИР «Абордаж-СПЭЛС). / ЭНПО СПЭЛС, М&bdquo- 1998. -52 с.
  39. А.Ю., Скоробогатов П. К., Шанаева С. Ю. Применение лазера для моделирования переходных ионизационных эффектов в структурах КНИ // Радиационные процессы в электронике. -М., 1994. -С. 191−193.
  40. Е.Р., Громов Д. В., Ломако В. М., Радиационные эффекты в приборах и интегральных схемах на арсениде галлия. Мн.: Университетское, 1992.-219 с.
  41. С.А. Имитационное моделирование ионизационных эффектов в полевых транзисторах с селективным легированием // Российская науч.конф. «Радиационная стойкость электронных систем. Стойкость-98». Тез. докл. -М., 1998.-С. 101−103.
  42. Техника экспериментальных исследований одиночных сбоев в цифровых интегральных микросхемах / Е. Р. Аствацатурьян, А. А. Белянов, О. А. Калашников и др. // Приборы и техника эксперимента, 1993. -N 1. -С. 123−127.
  43. Guenzer C.S., Campbell А.В., Shapiro P. Single Event Upsets in NMOS Microprocessors // IEEE Trans. -1981. -Vol. NS-28. -N 6. -P. 3955−3958.
  44. Blandford J.T., Pickel J.C. Use of Cf-252 to determine parameters for SEU rate calculation // IEEE Trans. -1985. -Vol. NS-32. -N 6. -P. 4282.
  45. Leavy J.F., Hoffmann L.F., Shovan R.V., Johnson M.T. Upset Due to a Single Particle Caused Propagated Transient in a Bulk CMOS Microprocessor // IEEE Trans. -1991. -Vol. NS-38. -N 6. -P. 1493−1499.
  46. Sivo L.L., Peden J.C. Cosmic Ray-Induced Soft Errors in Static MOS Memory Cells // IEEE Trans. -1979. -Vol. NS-26. -N 6 -P. 5042−5047.
  47. O.A., Курнаев C.A., Чумаков А. И. Методика имитационного моделирования нейтронного облучения альфа-излучением изотопногоисточника // Вопросы атомной науки и техники. Сер. Физика радиационных воздействий на РЭА, -1994. -Вып. 2. -С. 93−97.
  48. Meieran E.S., Engel P.R., May Т.С. Measurement of Alpha Particle Radioactivity in 1С Device Packages // 17th Ann.Proc.IEEE Relibility Physics Symposium. 1979. -P. 13.
  49. Bouldin D.P. The Measurement of Alpha Particle Emmissions from Semiconductor Memory Materials // Jour. Electronic Materials. -1981. -Vol.10. -N 4. -P. 747.
  50. Исследование влияния фонового альфа-излучения материалов корпуса микросхем динамических БИС ОЗУ на их работоспособность / Н. Г Големинов, О. А. Калашников, С. А. Курнаев, А. И. Чумаков (Отчет по НИР 91−3-003−544) / МИФИ- М., 1991. -29 с.
  51. Метод оценки интенсивности сбоев БИС ДОЗУ под воздействием фонового альфа-излучения / В. М. Барбашов, О. А. Калашников, С. А. Курнаев и др. (Отчет по НИР N017B-92) / ЭНПО СПЭЛС- М., 1992.
  52. А.И., Вологдин Н. И., Грибов И. В., Еремин Н. В. и др. Методы исследования перемежающихся и устойчивых отказов БИС и СБИС: Препр. / НИИЯФ МГУ, -Москва, 1988. -С. 7−9.
  53. Система комплексного имитационного моделирования радиационного поведения ППП и ИС / Е. Р. Аствацатурьян, А. В. Герасименко, О. А. Калашников и др. // Вопросы атомной науки и техники. Сер. Физика радиационных воздействий на РЭА. -1994. -С. 81−86.
  54. Автоматизированный комплекс для проведения имитационых испытаний ИС на радиационную стойкость / А. Ю. Никифоров, О. А. Калашников, А. И. Чумаков и др. // Радиационные процессы в электронике. М., 1994. -С. 156−157.
  55. Рентгенотехника. Справочник: В 2 кн. / Под ред. В. В. Клюева. М.: Машиностроение, 1980.-Кн. 1. -431 с.
  56. В.И. Курс дозиметрии. М.: Энергоатомиздат, 1988. -380 с.
  57. Измерительно-вычислительный комплекс широкого назначения ЦГ7002 // Приборы и системы управления. -1992. -N 9. -С. 33−34.
  58. JI.И., Нечаев Ю. И. Четырехканальный десятиразрядный аналого-цифровой преобразователь с буферной памятью // Приборы и техника эксперимента. -1992. -N 2. -С. 272−273.
  59. Test and Measurement. Process Monitoring and Control: Instrumentation Reference and Catalogue / National Instrument Corporation. 1995.
  60. Test and Measurement. Catalog and Reference Guide / Keithley Instruments, Inc. 1997.
  61. Measurement Products Catalog / Tektronix, Inc. 1996.
  62. Test and Measurement Catalog / Hewlett Packard. 1994.
  63. Платы сбора данных: Проспект / ЗАО «Руднев-Шиляев». -М., 1999.
  64. Полупроводниковые детекторы в дозиметрии ионизирующих излучений / Под ред. В. К. Ляпидевского. -М.: Атомиздат, 1973. -177 с.
  65. К. Детекторы корпускулярных излучений / Пер. с нем. М.: Мир, 1990.-224 с.
  66. М.Н. Сцинтилляционные детекторы. -М.: Атомиздат, 1977. -136 с.
  67. А. Г., Гаванин В. А., Зайдель И. Н., Вакуумные фотоэлектронные приборы. -2-е изд. -М.: Энергия, 1988. -344 с
  68. Зи. С. Физика полупроводниковых приборов: В 2 кн. Кн. 2. / Пер. с англ. -2-е изд. перераб. и доп. М.: Мир, 1984. — 456 с.
  69. Дж. Оптические системы связи / Пер. с англ. М.: Радио и связь, 1989. -504 с.
  70. К.В. Физика полупроводников. -3-е изд. -М., 1985.
  71. В.Н., Чепиженко А. З. Радиационные эффекты в биполярных интегральных микросхемах. М.: Радио и связь, 1989. -144 с.
  72. Исследование и разработка способов моделирования функциональных отказов в электронной аппаратуре / А. С. Артамонов, Д. В. Громов, А. А. Демидов и др. (Отчет за 4-й этап по НИР «Гольф») /ЭНПО СПЭЛС, -М. 1998. -68 с.
  73. Природные алмазы России / Ред. В. Б. Квасков. -М., 1997.
  74. Алмаз в электронной технике (Сб. ст.) / Ред. В. Б. Квасков -М., 1990.
  75. А., Шо М. Физика и применение аморфных полупроводников, -М., 1991.
  76. Shenk A. A model for the field and temperature dependence of Shockley-Read-Hall lifetimes in Silicon // Silicon-State Electronics. 1992. -Vol. 35. -N 11. -P. 1585−1596.
  77. Glinski J., Gu X.-J., Code R.F., van Driel H.M. Space-charge-induced optoelectronic switching in Ila diamond // Appl. Phys. Lett. 1984. -45(3). -P. 260−263.
  78. О. Физика твердого тела. Локализованные состояния. -М.: Наука, 1985.
  79. А.С., Беспалов А. В., Калашников О. А. и др. Особенности технологии КНС третьего поколения и оценка радиационной стойкости БИС // Российская науч. конф. «Радиационная стойкость электронных систем. Стойкость-98»: Тез. докл. -М., 1998. -С. 21−22.
  80. А.С., Еремин Н. В. Измерение энергетического спектра излучения рентгеновского имитатора «РЕИС-ИМ» // В сб.: Радиационная стойкость электронных систем «Стойкость-98». М.: СПЭЛС-НИИП, 1998. -Вып. 1. -С. 107−108.
  81. Р. Прикладная спектрометрия рентгеновского излучения / Пер. с англ. -М.: Атомиздат, 1977. 224 с.
  82. Э., Исраэль X. Сечения взаимодействия гамма-излучения: Справочник / Пер. с англ. М.: Атомиздат, 1973.
  83. А. Дж. Волш В. Аналоговая электроника на операционных усилителях М.: БИНОМ, 1994. — 352 с.
  84. Г. Е. Широкодиапазонный логарифмический преобразователь ток-напряжение // Приборы и техника эксперимента. -1996. -№ 3. -С. 76−79.
  85. Winter 97/98 Short Form Designers Guide / Analog Devices, Inc. -1998.
  86. М.Н., Кебеджиев А. Т. Логарифмический пикоамперметр // Приборы и техника эксперимента. -1980. -№ 6. -С. 76−78.
  87. Г. Е. Логарифмические устройства для исследования ВАХ ППП // Приборы и техника эксперимента. -1996. -№ 3. -С. 138−144.
  88. Low Current Measurements. Keithley’s Applications Note Series № 100 / Keithley Instrument, Inc. -1994.
  89. A.C. Устройство для измерения малых токов: Сб. научных трудов по материалам докладов научно-технической конференции «Электроника, микро- и наноэлектроника», Суздаль, -М.: МИФИ, 1999. -С. 80−83.
  90. Резисторы, конденсаторы, трансформаторы, дроссели, коммутационные устройства РЭА: Справ. / Н. Н. Акимов, Е. П. Ващуков, В. А. Прохоренко, Ю.П. Ходоренок// Мн.: Беларусь, 1994. 591 с.
  91. В. К. Рентгеновские аппараты. -М.: Энергия, 1973. -472 с.
  92. Исследование и разработка способов моделирования функциональных отказов в электронной аппаратуре / А. С. Артамонов, Д. В. Громов, А. А. Демидов и др. (Отчет за 4-й этап по НИР «Гольф») ЭНПО СПЭЛС- -М., -1998. -68 с.
  93. Ю.А., Калашников О. А., Гуляев С. Э. Разработка устройств сопряжения для персонального компьютера типа IBM PC: Практ. пособие / Под общей ред. Ю. В. Новикова, — М.: ЭКОМ, 1997. 224 с.
  94. С.М., Новиков Ю. В. Модуль логического анализатора для контрольно-измерительных систем на базе микро-ЭВМ // Микропроцессорные средства и системы. -1987. -N 1. -С. 64−65.
  95. К. Практическая обработка изображений на языке С: Пер. с англ. -М.: Мир, 1996. -512 с.
  96. Ciarcia, Steven A. Building the Image Wise Video Digitizer. Part 1 and part 2 // BYTE magazine. May and June 1987.
  97. Detection of charged particles with a phoswich counter / C. Pastor, F. Benrachi, B. Chambon et al. // Nuclear Instruments and Methods. -1983. -A212. -P. 209−215.
  98. Identification of Light Charged Particles and Heavy Ions in Silicon Detectors by Means of Pulse Shape Discrimination / C. Pausch, H.-G. Ortlepp, W. Bohne et al. // IEEE Trans. Nucl. Sci. -1996 -Vol. NS-43. -N 3. -P. 1097−1101.
  99. Charged particles identification with CsJ (Tl) scintillator / J. Alarja, A. Dauchy, A. Giorni et al. // Nuclear Instruments and Methods -1986. -A242. -P. 352−354.
  100. Light-particle detection with a CsJ (Tl) scintillator coupled to a double photodiode readout system / R.J. Meijer, A. Van Den Brink, E.A. Bakkum et al. // Nuclear Instruments and Methods. -1987. -A256. -P. 521−524.
  101. И.И., Глуховской Б. М. Фотоэлектронные умножители. -М. 1974.
  102. Проспект / Фирма Hamamatsu.
  103. Performances of hybrid low-noise charge-preamplifiers for heavy-ion detectors. / R. Bassini, C. Boiano, S. Brambilla et al. // Nuclear Instruments and Methods. -1996. -A280. -P. 209−215.
  104. Интегральный зарядово-чувствительный усилитель / И. А. Дьячков, Ю. А. Волков, Р. Н. Виноградов и др. // Приборы и техника эксперимента. -1999. -№ 5. -С. 67−70.
  105. Устройство для контроля низкоинтенсивного ионизирующего излучения / А. С Артамонов, Н. В. Еремин, А. И. Чумаков, А. Е. Литвененко // Приборы и техника эксперимента. -1999. -№ 5. -С. 123−125.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!