Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Методики повышения точности измерений параметров активных диэлектриков

Диссертация: Методики повышения точности измерений параметров активных диэлектриков
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Активные диэлектрики, к числу которых относятся сегнетоэлектрики, пьезоэлектрики, пироэлектрики, электреты, жидкие кристаллы, благодаря уникальным физическим эффектам под воздействием разнородных физических величин (напряженности электрического поля, механического напряжения, температуры, давления и т. д.) находят широкое применение в элементах функциональной электроники. С этой точки зрения… Читать ещё >

Методики повышения точности измерений параметров активных диэлектриков (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Глава 1. Анализ способов повышения точности измерений параметров активных диэлектриков
    • 1. 1. Способы повышения точности измерений параметров активных диэлектриков
    • 1. 2. Семантическая модель взаимосвязи параметров активного диэлектрика
    • 1. 3. Анализ дополнительных погрешностей измерения параметров активных диэлектриков
    • 1. 4. Эквивалентная электрическая схема замещения ячейки плоского измерительного конденсатора для исследования диэлектрических параметров активных диэлектриков
    • 1. 5. Динамическая модель активного диэлектрика

Активные диэлектрики, к числу которых относятся сегнетоэлектрики, пьезоэлектрики, пироэлектрики, электреты, жидкие кристаллы, благодаря уникальным физическим эффектам под воздействием разнородных физических величин (напряженности электрического поля, механического напряжения, температуры, давления и т. д.) находят широкое применение в элементах функциональной электроники. С этой точки зрения одним из перспективных эффектов представляется диэлектрический гистерезис, который проявляется в определенном температурном диапазоне, обуславливающем сегнетоэлектрическую фазу материала. Задачей исследования материалов для нанои микросистемной техники занимаются научные школы, специализирующиеся в области материаловедения в сотрудничестве с учеными — метрологами и приборостроителями. Так синтез указанных материалов с управляемыми свойствами и их исследование осуществляют отечественные научные коллективы А. С. Сигова (МГТУ МИРЭА), Ю. А. Чаплыгина (МИЭТ), В. Я. Шура (УрФУ), Т. Р. Волк (ИК РАН), В. П. Афанасьева, О. Г. Вендика (ФГБОУ ВПО СПбГЭТУ), А. С. Сидоркина (ФГБОУ ВПО ВГУ), В. В. Леманова (ФТИ им. А.Ф. Иоффе), Б. А. Струкова (МГУ), В. П. Сахненко (ЮФУ), Р. М. Печерской (ФГБОУ ВПО «ПТУ»), а также зарубежными учеными М. Адачи, Т. Цуруми (Япония), Дж. Ф. Скотт (Великобритания), В. Клиеман (Германия), А. Борисевич (США) и Др

Созданием измерительной техники, в том числе, для исследования параметров диэлектриков, активно занимаются последователи школы В. М. Шляндина, ученые Пензенского государственного университета Е. А. Ломтев, П. П. Чураков, А. В. Светлов, Т. И. Мурашкина, Д. И. Нефедьев.

Большой вклад в создание элементной базы на основе диэлектрических материалов вносят коллективы НИИЭМГ1 (г. Пенза), достижения Е. А.

Мокрова (ФГУП ФНПЦ «ПО „Старт“ им. М.В. Проценко»), Системные 5 исследования закономерностей и эффектов, присущих микроэлектронным устройствам проводит В. А. Васильев.

В последнее десятилетие возрос интерес к материалам, обладающим сегнетоэлектрическими свойствами в связи с возможностью построения на их основе устройств энергонезависимой, динамической памяти. Неприменимость распространенных методов и средств измерений емкости, сопротивления, тангенса угла диэлектрических потерь линейных диэлектриков, осуществляющих усреднение значений за период воздействующего сигнала, указывают на актуальность задач, решаемых в данной диссертационной работе, связанных с метрологической проработкой вопросов измерения поляризованности в зависимости от напряженности электрического поля, диэлектрических параметров активных диэлектриков в зависимости от температуры, исследование влияния диэлектрической усталости на параметры материала.

Работа выполнена в соответствии с п.п. 1, 2 специальности 05.11.01 Паспорта специальностей ВАК Российской Федерации.

Цель работы — разработка и совершенствование методик повышения точности измерений параметров активных диэлектриков.

Для достижения поставленной цели в диссертационной работе сформулированы и решены следующие основные задачи:

1 Анализ возможных способов снижения составляющих погрешностей измерения диэлектрических параметров активных диэлектриков с учетом классификации погрешностей по причинам и условиям возникновения, по закономерностям проявления.

2 Разработка семантической модели взаимосвязи параметров активного диэлектрика в виде ориентированного графа для выражения свойств материала в форме отношения разнородных параметров — воздействий и параметров — реакций с целью выявления факторов — источников дополнительных погрешностей и формализации указанных погрешностей. 6.

3 Совершенствование и метрологический анализ эквивалентной электрической схемы замещения ячейки плоского измерительного конденсатора с целью определения методических составляющих погрешностей.

4 Разработка методик измерения температурных зависимостей диэлектрических параметров активных диэлектриков с фазовым переходом первого и второго рода, выявление факторов влияющих на температуру фазового перехода.

5 Совершенствование метода Сойера — Тауэра и разработка методик измерения емкости, активного сопротивления, относительной диэлектрической проницаемости, тангенса угла диэлектрических потерь активных диэлектриков.

6 Разработка методики повышения точности измерения тангенса угла диэлектрических потерь активных диэлектриков, основанной на принципе информационной избыточности.

7 Разработка методик контроля временной нестабильности диэлектрических параметров активных диэлектриков в зависимости от режимов переключения поляризации.

Методы исследования. Для решения поставленных задач использованы методы теоретической метрологии, теории электрических цепей, теории вероятности и математической статистики, управления качеством, элементы численных методов и математического анализа, физики диэлектриков. Основные теоретические выводы подтверждены результатами экспериментов.

Научная новнзна:

1 Разработаны методики измерения диэлектрических параметров активных диэлектриков в зависимости температуры, учитывающие специфику фазовых переходов первого и второго рода. В основе методик линейные закономерности изменения обратной диэлектрической 7 восприимчивости от температуры в сегнетоэлектрической и параэлектрической фазах (в отличие от нелинейно изменяющихся других диэлектрических параметров от температуры), что позволяет оптимизировать процесс исследований посредством минимизации количества измерительных процедур.

2 Усовершенствован метод Сойера — Тауэра для измерения диэлектрических параметров активных диэлектриков в зависимости от напряженности электрического поля, таким образом, что он позволяет определять не только петли гистерезиса, но и параметры переключения (ток и время переключения), при этом достигается снижение погрешностей измерения параметров в 1,7 раза за счет использования принципа информационной избыточности.

3 Предложена модель временной нестабильности остаточной поляризации, которая в отличие от известных эквивалентных электрических моделей отображает изменение поляризации во временной области и используется для предупреждения метрологических отказов изделий на основе исследуемых материалов, обусловленных временной нестабильностью параметров.

4 На основе предложенной модели временной нестабильности остаточной поляризации разработаны методики контроля временной нестабильности диэлектрических параметров активных диэлектриков, которые в отличие от известных методик учитывают типичные режимы переключения поляризации (режим непрерывного переключения, режим переключения поляризации с чередующимся длительным ожиданием, режим с переменной частотой переключения поляризации), позволяют оценить критическое число циклов переключения и предотвратить метрологический отказ изделий на основе исследуемых материалов.

Практическая ценность:

1 Разработаны и доведены до практического использования автоматизированные методики измерения диэлектрических параметров активных диэлектриков в зависимости от температуры, что позволило устранить субъективные составляющие, снизить методические составляющие погрешности измерения и повысить эффективность измерений за счет корректного использования физических эффектов, основанных на феноменологической теории Ландау — Гинзбурга — Девоншира, в частности, законе Кюри-Вейса. При этом повышение эффективности измерений не менее, чем в 3 раза достигается посредством повышения точности и снижения затрат на измерения за счет уменьшения количества измерительных процедур.

2 Предложены и внедрены методики измерения диэлектрических параметров в зависимости от напряженности электрического поля и температуры, основанные на усовершенствованном методе Сойера — Тауэра, что позволило снизить инструментальные погрешности измерения в 1,4 раза.

3 Разработаны и практически используются методики контроля временной нестабильности поляризации активного диэлектрика, каждая из которых распространяется на конкретный режим переключения поляризации. Это позволяет прогнозировать критическое число циклов переключения поляризации с целью исключения метрологического отказа элементов функциональной электроники.

Реализация результатов работы.

Разработанные методики измерения диэлектрических параметров активных диэлектриков в зависимости от температуры и напряженности электрического поля, методики контроля временной нестабильности поляризации внедрены в НИР по теме «Разработка интеллектуальной системы принятия решений в процессах исследования электрофизических параметров материалов нанои микроэлектроники» в рамках гранта Президента Российской Федерации (МД-2654.2011.8).

Усовершенствованная эквивалентная электрическая схема замещения ячейки плоского измерительного конденсатора и ее метрологический анализ, разработанные методики повышения точности измерения диэлектрических параметров активных диэлектриков используются в учебном процессе при подготовке бакалавров по направлению 210 100.62 «Электроника и наноэлектроника», инженеров по специальности 210 104 «Микроэлектроника и твердотельная электроника» на кафедре «Нанои микроэлектроника» Пензенского государственного университета.

Апробация работы: Основные положения и результаты исследований по диссертационной работе доложены на Международной научно-технической конференции «Современные информационные технологии» (Пенза, 2009 г.), Международной научно-технической конференции «Аналитические и численные методы моделирования естественнонаучных и социальных проблем» (Пенза, 2010 г.), Международной научно-технической конференции «Проблемы автоматизации и управления в технических системах» (Пенза, 2011 г.), Международной научно-технической конференции «Инновации на основе инновационных и коммуникационных технологий» (Сочи, 2011 г.), Международной научно-технической конференции «Деформация и разрушение материалов и наноматериалов» (Москва, 2011 г.), Международной научно-технической конференции «Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы» (Ульяновск, 2011 г.), Международной научно-технической конференции «Технологии микрои наноэлектроники в микрои наносистемной технике» (Зеленоград, 2011 г.), Международной научно-технической конференции «Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения» (Москва, 2011 г.), Международном симпозиуме «Надежность и качество» (Пенза, 2011 г.), Всероссийской школе — семинаре студентов, аспирантов и молодых ученых.

Диагностика наноматериалов и наноструктур" (Рязань, 12−16 сентября 2011 г.), Международной научно-практической конференции «Актуальные проблемы биологии, нанотехнологий и медицины» (Ростов-на-Дону, 22−25 сентября 2011 г.), Международной научно-практической конференции «Инновационные технологии в машиностроении» (Пенза, 2012 г.), Всероссийской научной конференции студентов-физиков и молодых учёных ВНКСФ-18 (Красноярск, 2012 г.).

Публикации. По теме диссертационной работы опубликовано 20 работ, из которых 3 статьи опубликовано в изданиях, рекомендованных ВАК.

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения, библиографического списка и приложения. Общий объем работы 156 страниц, 30 рисунок, 7 таблиц, 99 литературных ссылок.

Основные результаты и выводы по главе 4.

1 Проведен аналитический обзор влияния диэлектрического старения и усталости на параметры материала, что позволило следующее: а) сделать вывод о необходимости измерения характерных параметров (остаточной поляризации, коэрцитивного поля) в зависимости от количества циклов переключенияб) выявить три режима переключения материала (режим непрерывного переключения поляризации, режим переключения поляризации с чередующимся длительным ожиданием, режим с переменной частотой переключения поляризации), существенно влияющих на диэлектрическую усталость параметров, что указывает на необходимость разработки соответствующих методик контроля временной нестабильности диэлектрических параметров активных диэлектриков в зависимости от режимов переключения.

2 Разработана методика измерения петель гистерезиса зависимостей поляризованности от напряженности электрического поля, в основу которой положен алгоритм, который позволяет автоматизировать процесс измерений и обработки результатов измерений, в том числе, осуществить расчет погрешностей результатов измерений.

3 Разработана обобщенная методика исследования диэлектрической усталости активных диэлектриков (распространяется на все три режима переполяризации, указанные в п. 16), экспериментальная часть которой заключается в измерении совокупности петель гистерезиса зависимостей {Р (Е)} на гармоническом измерительном сигнале в соответствии с методикой, указанной в п. 2 через определенное количество циклов переключения. Теоретические исследования совокупности {Р (Е)} заключаются в определении характерных параметров для каждой из зависимостей Р (Е), построении графиков РГ (Ы), ЕС (И) и их анализе.

4 На основе анализа экспериментально полученных зависимостей Рг (%N) показана возможность их кусочно-линейной аппроксимации, что позволяет оптимизировать процесс контроля временной нестабильности диэлектрических параметров активных диэлектриков. Совместно с результатами измерения коэрцитивного поля указанная аппроксимация позволяет моделировать петли гистерезиса.

5 Разработана модель временной нестабильности остаточной поляризации, аналитически представляющая собой логарифмическую функцию. На ее основе разработана методика контроля временной нестабильности полевых зависимостей диэлектрических параметров активных диэлектриков, обусловленной их старением.

6 Проанализирована значимость факторов, влияющих на остаточную поляризацию, а значит и на результаты анализа изменения остаточной поляризации в результате диэлектрического старения. К наиболее существенным факторам относятся температура и напряженность внешнего электрического поля, которые необходимо фиксировать при исследовании временной нестабильности диэлектрических параметров.

7 Разработаны методики контроля временной нестабильности диэлектрических параметров активных диэлектриков в следующих режимах: а) в режиме непрерывного переключения поляризации с использованием кусочно-линейной аппроксимации функции Рг{1х).

Методика позволяет рассчитать предельно допускаемое количество циклов переключения при заданной частоте переключенияб) в режиме переключения поляризации с чередующимся длительным ожиданием. Методика учитывает возможность частичного или полного восстановления диэлектрических параметров после длительного ожидания, что приводит к уменьшению числовых значений остаточной поляризации и эквивалентно рассмотрению аддитивной погрешности по отношению к значению остаточной поляризации нового материалав) в режиме с переменной частотой переключения поляризации с использованием инструментов контроля качества (контрольных карт) для выявления тренда в функции Рг^х), установления предельно допускаемого значения количества циклов переключения и принятия решения о необходимости корректирующих действий по восстановлению параметров материала.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

1 Разработанные модели (взаимосвязи параметров активных диэлектриков, временной нестабильности остаточной поляризации) и методики измерений диэлектрических параметров содержат новые научные и технические решения, связанные с повышением точности измерений указанных параметров и обеспечивающие повышение качества элементов функциональной электроники (датчиков, малогабаритных конденсаторов, устройств динамической памяти) на основе активных диэлектриков.

2 Разработана семантическая модель взаимосвязи параметров активного диэлектрика в виде ориентированного графа и ее математическая интерпретация, которые позволили выявить факторы, влияющие на свойства материала и являющиеся источниками возникновения дополнительных погрешностей. Их формализация позволила оценить область неопределенности результатов измерений, обусловленную влияющими факторами.

3 Проведен метрологический анализ эквивалентной электрической схемы замещения ячейки плоского измерительного конденсатора, учитывающей емкости воздушных зазоров, диэлектрические потери и импедансы контактов, что позволило дать рекомендации по снижению относительных методических погрешностей (обусловленных несоответствием модели объекта) измерения емкости, активной составляющей сопротивления, тангенса угла диэлектрических потерь.

4 Разработаны методики измерения температурных зависимостей диэлектрических параметров активных диэлектриков с фазовым переходом первого и второго рода, основанные на термодинамической теории Ландау-Гинзбурга — Девоншира, законе Кюри-Вейса, что позволяет оптимизировать процесс исследований посредством сокращения количества измерительных процедур, проведения измерений в ограниченном температурном диапазоне и моделирования зависимостей в диапазоне, которому присущи наибольшие инструментальные составляющие погрешностей измерений.

5 Предложены методики измерения емкости, активного сопротивления, относительной диэлектрической проницаемости, тангенса угла диэлектрических потерь, времени переключения и диэлектрических параметров по току переключения, основанные на усовершенствованном методе Сойера — Тауэра, и позволяющие снизить инструментальную погрешность измерений не менее, чем в 1,4 раза.

6 Разработана методика повышения точности измерения тангенса угла диэлектрических потерь, основанная на принципе информационной избыточности. При использовании двух методов измерения, обладающих погрешностями одного порядка, достигнуто повышения точности измерений в 1,7 раза (относительная погрешность измерения снижена до 1 0,4%)•.

7 Предложены методики контроля временной нестабильности диэлектрических параметров активных диэлектриков в зависимости от режимов переключения поляризации (режима непрерывного переключения, режима переключения поляризации с чередующимся длительным ожиданием, режима с переменной частотой переключения поляризации), которые позволяют рассчитать критическое число циклов переключения поляризации с целью прогнозирования метрологического отказа элементов функциональной электроники на основе исследуемых материалов.

8 Предложенные методики (измерения диэлектрических параметров и контроля их временной нестабильности) лежат в основе метрологического обеспечение средств измерений емкости, сопротивления, тангенса угла диэлектрических потерь активных диэлектриков, что способствует повышению эффективности производства изделий приборостроения, качество которых зависит от точности и временной стабильности параметров активных диэлектриков.

Показать весь текст

Список литературы

  1. , Д. А. Основы метрологии и организации метрологического контроля Учебное пособие /Д.А.Иванников, Е. Н. Фомичев. Нижний Новгород: НГТУ, 2001.- 118 с.
  2. , Б.Я. Основы метрологии и электрические измерения: учебник для вузов / Б. Я. Авдеев, Е. М. Антонюк, Е. М. Душин и др. 6-е изд., перераб. И доп. — JL: Энергоатомиздат, 1987. — 480 с.
  3. , Б. В. Основы метрологии и радиоизмерения: Учеб. пособие для вузов.— М.: Радио и связь, 1993.—320 с.
  4. МИ 1967 89. ГСИ. Выбор методов и средств измерений при разработке методик выполнения измерения. Общие положения.
  5. МИ 2175−91 Государственная система обеспечения единства измерений. Градуировочные характеристики средств измерений. Методы построения, оценивание погрешностей.
  6. РМГ 64 2003. Обеспечение эффективности измерений при управлении технологическими процессами. Методы и способы повышения точности измерений.
  7. , Е. А. Методы и средства исследования активных диэлектриков для наноиндустрии: системный подход: монография / Е. А. Печерская. Пенза: Инф.-изд. центр Пенз. гос. ун — та, 2008. — 130 с.
  8. , Е.А. Семантическая модель активного диэлектрика / Е. А. Печерская, А. В. Бобошко, В. А. Соловьев // Деформация и разрушение материалов и наноматериалов: сб. трудов IY Международной конференции (25 -28 октября 2011 г.).-Москва, 2011.-С. 951 -952.
  9. , Е. А. Модель взаимосвязи свойств сегнетоэлектриков // Порядок, беспорядок и свойства оксидов: тр. X Междунар., междисциплинарного симпозиума. Ростов-на-Дону: ИПО ПИ ЮФУ, 2007. — 4. IIL — С. 25 — 27.
  10. , Е. А. Применение метода Сойера Тауэра и его модификаций для измерения электрических параметров сегнетоэлектриков / Е. А. Печерская // Измерительная техника. — 2007. — № 10. — С. 54 — 58.
  11. , Дж. Введение в физику сегнетоэлектрических явлений / Дж. Барфут — пер. с анг. М.: Мир, 1970. — 352 с.
  12. Сегнетомагнитные вещества. Сборник научных трудов / Под ред. Ю. Н. Веневцева, В. Н. Любимова. М.: Наука, 1990.- 184 с.
  13. Brown W.E., Hornreich R.M., Shtrikman S./ Phys. Rev. 1968. Vol. 168, N2, P.574 577.
  14. , A.B. Структура интеллектуальной системы поддержки исследований параметров сегнетоэлектрических материалов / Е. А. Печерская, A.B.Бобошко, А. М. Метальников // Нано и микросистемная техника. — 2011.- № 6. С. 21 — 24.
  15. , Е. А. Погрешности модели сегнетоэлектрика, основанной на термодинамической теории // сб. тезисов докладов XVIII143
  16. Всероссийской конф. по физике сегнетоэлектриков. Санкт — Петербург, 2008. — С. 79−80.
  17. Г. А., Крайник H.H. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики. М.: Наука, 1968.144
  18. JI.C. Моделирование вольт- фарадных характеристик сегнетоэлектрика// ФТП, том 39, вып.12 (2005). С. 1436−1439.
  19. .А. Сегнетоэлектричество в кристаллах и жидких кристаллах: природа явления, фазовые переходы, нетрадиционные состояния вещества // Соросовский образовательный журнал. 1996. № 4. С. 81 89.
  20. .А. Фазовые переходы в сегнетоэлектрических кристаллах с дефектами // Соросовский образовательный журнал. 1996. № 12. С. 95 -101.
  21. Ф. Сегнетоэлектрические кристаллы / Ф. Иона, Д. Ширане. -М.: Мир, 1965. 556 с.
  22. Levshin N.L. Phase transition in ultrathin ferroelectric poly (vinylidene fluoride) films / Levshin N.L., Yudin S.G. // Polymer science. Series В. -2004, vol. 46. pp. 348−351.
  23. , A.B. Методы исследования температурных зависимостей диэлектрических параметров сегнетоэлектриков / Печерская Е. А., Соловьев, В.А., Метальников A.M., Бобошко A.B.// Известия вузов. Электроника. Москва, МИЭТ, — 2012 № 2(94) — С. 77 — 81.
  24. , О.Г. СВЧ Свойства сегнетоэлектрических плёнок с размытым фазовым переходом / О. Г. Вендик, С. П. Зубко, М. С. Гашинова, Н. Ю. Некрасова // Известия вузов России. Радиоэлектроника, 2005, вып.1. -С.15 — 19.
  25. , П.Н. Применение метода Монте Карло для моделирования диэлектрического отклика сегнетоэлектрика / П. Н. Юдин, М. А. Никольский,
  26. С.П.Зубко // Журнал технической физики. 2003. — т. 73. — в.8. — С.56 — 61.145
  27. , Е. А. Методы и средства обработки измерительной информации для установления фазового состояния сегнетоэлектриков / Е. А. Печерская, И. А. Аверин // Измерения 2008: Сб. статей науч. — техн. конф. -Пенза, 2008. — С. 17−20.
  28. , Е. А. Установление фазового состояния сегнетоэлектриков: системный подход // Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы: сб. тезисов докладов X Междунар. конф,-Ульяновск, 2008. С. 193.
  29. , Е. А. Классификационные модели фазового состояния сегнетоэлектриков // Нано- и микросистемная техника. 2009. — № 6. — С. 16 -19.
  30. , М.Д. Описание сегнетоэлектрических фазовых переходов в твердых растворах релаксоров в рамках теории случайных полей /
  31. М.Д.Глинчук, Е. А. Елисеев, В. А. Стефанович, Б. Хильчер // Физика твердого тела, 2001, том. 43, вып.7. С. 1247 — 1254.
  32. , О.П. Всеобщее управление качеством: Учебник для вузов / О. П. Глудкин, Н. М. Горбунов, А. И. Гуров, Ю. В. Зорин М.: Горячая линия -Телеком, 2001.-600 с.
  33. , В.В. Управление качеством: Учеб. пособие. -Ульяновск: УлГТУ, 2005. 141 с.
  34. , В.Ф. Квалиметрия и управление качеством продукции: Учебное пособие / В. Ф. Рашников, В. М. Салганник, Н. Г. Шемшурова. -Магнитогорск, 2000. 184 с.
  35. , Е.В. / Е.В.Казанцева, Е. Д. Мишина, В. М. Мухортов, A.C.Сигов // Нано- и микросистемная техника. 2010. — № 7. — С. 13 — 15.
  36. , Е. А. Метрологический анализ метода Сойера-Тауэрадля измерения электрических свойств сегнетоэлектриков / Е. А. Печерская //
  37. Взаимодействие излучений с твердым телом: реферируемый сборник147материалов 7-й Международной конференции (г. Минск, 26−28 сентября 2007 г.). Минск, 2007. — С. 386−388.
  38. Dolocan, V. A new method for dielectric and ferroelectric characteristics measurements //Measur. Sci. Technol. 1993. -V. 4. — P. 120−123.
  39. , E.A. Метрологические аспекты исследования активных диэлектриков для микро- и наноиндустрии / Е. А. Печерская // Нано- и микросистемная техника. 2007. — № 7. — С. 41 — 44.
  40. , К.А. Сегнетоэлектрические запоминающие устройства: перспективные технологии и материалы / К. А. Воротилов, А. С. Сигов // Нано-и микросистемная техника. 2008. — № 10. — С. 30 — 42.
  41. , А.В. Метод измерения тока переключения и диэлектрических параметров сегнетоэлектриков / Е. А. Печерская, Ю. В. Вареник, А. В. Бобошко, А. М. Метальников // Нано и микросистемная техника. — 2012. — № 1. — С. 24 — 26.
  42. С.П., Печерская P.M., Абрамов В. Б., Перескоков А. Н. Исследование свойств сегнетоэлектриков. Методические указания по выполнению лабораторной работы. Пенза: Изд-во ПГУ, 2001. — 15 с.
  43. , И. А. Автоматизированная система на базе ДВК/148
  44. И.А.Аверин, Р. М. Печерская, С. П. Медведев // Технический прогресс в атомной промышленности. Сер. Организация производства и прогрессивная технология в приборостроении: производственно технический сборник. -1991. — Вып. 8. — С.30.
  45. , E.A. Моделирование диэлектрических параметров активных диэлектриков / E.A.Печерская, Ю. А. Вареник, А. В. Бобошко // Надежность и качество 2011: сб. Трудов Междунар. симпозиума.
  46. , A.B. Метод измерения диэлектрических параметров сегнетоэлектриков / ЕА. Печерская, A.B.Бобошко, Ю. А. Вареник,
  47. A.М.Метальников // Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения: сборник статей X Международной научно-технической конференции. М.: МИРЭА, 2011, С. 101 — 105.
  48. Pecherskaya, Ye. A. Simulation of field dependences of ferroelectric’s parameters: classification of methods // abstr. of the 6th International Seminar on ferroelastics physics. Voronezh, 2009.
  49. , A.B. Способы повышения точности измерений при исследовании активных диэлектриков / Е. А. Печерская, A.B.Бобошко,
  50. B.А.Соловьев // Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы: сб. тезисов докладов YIII-ой Междунар. конференции .- Ульяновск, 2011. 2 с.
  51. , Е. А. Исследование электрофизических свойств сегнетоэлектриков: системные связи и закономерности: монография / Аверин И. А., Печерская Е. А., Соловьев В. А. Пенза: Изд-во Пенз. гос. ун-та, 2009. -136 с.
  52. Румшинский, JI 3. Математическая обработка результатов эксперимента / Л. 3. Румшинский. М.: Наука, 1971. — 192 с.
  53. , П. В. Оценка погрешностей результатов измерений / П. В. Новицкий, И. А. Зограф. 2-е изд. — Л.: Энергоатомиздат, 1991. — 304 с.
  54. А.С.Сидоркин, А. С. Сигов, А. М. Ховиев, С. О. Яценко, О. Б. Яценко, ФТТ, 2000, том 42, вып. 4, С. 727 732.
  55. К.А.Воротилов, А. С. Сигов. Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения: сборник статей VI Международной научно-технической конференции. М.: МИРЭА, 2007. — Ч. 1. — С. 7−23
  56. В.А.Сидоркин. Электрические свойства, процессы старения и усталости сегнетоэлектриков с дефектами: Дис.. канд. физ.-мат. наук: 01.04.07 Воронеж, 2006. 107 с.
  57. , О.Б. Исследование характеристик сегнето-пьезоматериалов по петлям диэлектрического гистерезиса на частоте 50 Гц: Учебно-методическое пособие. Ростов-на-Дону, 2008. — 26 с.
  58. Поляризация пьезокерамики, Издательство Ростовского университета, 1968.
  59. В.З., Турик A.B., Крамаров О. П., Кривцова С. П., Янчич В. В. Внутреннее поле в сегнетокерамике и проблема устойчивости наполяризованного состояния. Электронная техника (ЭТ), сер. 14, вып. 1, 1969, с. 145−155.
  60. Ю.В. Кочергин, А. И. Бурханов, К. Борманис, А. Калване, 151
  61. Исследование диэлектрического старения в слоистых сегнетоэлектриках. Физика твердого тела, 2009, том 51, вып. 7, — С. 1361 1363.
  62. В.П. Афанасьев, A.A. Петров. Наноструктурированные гетерофазные тонкие пленки цирконата-титаната свинца. Физика твердого тела, 2009, том51, вып. 7, — С.1263 1267.
  63. Н.А.Тихомирова, А. И. Баранов, А. В. Гинзберг, В. Г. Моня, Е. В. Ченский, Л. А. Шувалов. Роль поверхностных состояний в процессах переполяризации сегнетоэлектрика германата свинца. Письма в ЖЭТФ, т.38, вып. 8, 1983, с. 365−637.
  64. В.В.Леманов. Поле деполяризации и усталость сегнетоэлектрических тонких пленок, ФТТ, 38, 1998, с. 1282 2492.
  65. , A.C. Усталость тонких пленок титаната свинца и цирконата титаната свинца / A.C. Сидоркин, Л. П. Нестеренко, А. Л. Смирнов, Г. Л. Смирнов, С. В. Рябцев, А. А. Сидоркин // ФТТ, том 50, вып. 11,2008. с. 2066 — 2072.
  66. Н.С.Новосильцев, А. Л. Ходаков, М. С. Шульман. ДАН СССР, 1952, т. 83, с. 824.
  67. В.З.Бородин, А. В. Турик, О. П. Крамаров, С. П. Кривцова, В. В. Янчич, Электронная техника (ЭТ), сер.14, вып. 1, 1969, с. 145−155.
  68. А.С.Сидоркин, Л. П. Нестеренко, А. Ю. Пахомов. Влияние процессов усталости на токи переключения в пленках титаната свинца и цирконата-титаната свинца // Физика твердого тела. т.54, вып.5, 2012.
  69. , А. С. Сегнетоэлектрические тонкие пленки в микроэлектронике / А. С. Сигов // Соросовский образовательный журнал. 1996. -№ ю. С. 83−91. 35.
  70. L.M.Sheppard. Ceram. Bull. 71, 85 (1992).
  71. T.Mihara, H. Watanabe, C.A.Paz de Araujo. Jpn. J. Appl. Phys. 33, 3996 (1994).
  72. P.K.Larsen, G.J.M.Dormans, D.J.Taylor, P.J.V. Veldhoven. J.Appl. Phys.76, 2405 (1994).
  73. O.Auciello, K.D.Gifford, D.J.Lichtenwalner, R. Dat, H.N.Al-Shareef, K.R.Bellur, A.L.Kincon. Integrated Ferroelectronics. 6, 173 (1995).
  74. S.L.Miller, K.D.Nasby, J.R.Shwank, M.S.Rodgers, P.V.Gressendorfer. J.Appl. Phys., 68, 6483 (1990).
  75. ГОСТ 21 575–76. Материалы диэлектрические. Термины и определения.
  76. , М. В. Временная нестабильность средств измерений электрических величин: Дис. на соискание ученой степени к-та техн. наук: 05.11.05/ Бержинская Марина Викторовна- Место защиты: Пенз. гос. ун-т. -Пенза, 2009. 149 с.
  77. ГОСТ Р 50 779.42 99 Статистические методы. Контрольные карты Шухарта.
  78. ГОСТ Р 50 779.45 2002 Статистические методы. Контрольные карты кумулятивных сумм. Основные положения.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!