Нелинейные процессы в усилительных каскадах СВЧ под воздействием интенсивных импульсных помех
Диссертация
В работах обобщаются известные результаты по изучению явления деградации GaAs ПТШ. При этом рассматриваются, в основном, перегрузки в виде СВЧ-импульсов. Отмечается, что под действием перегрузок в различных областях полупроводниковой структуры происходит образование объемного заряда путем концентрации его на глубоких уровнях. Природа глубоких уровней полуизолирующей подложки хорошо изучена: это… Читать ещё >
Список литературы
- Пожела Ю. Физика сверхбыстродействующих транзисторов / Ю. Пожела, В. Юцене. Вильнюс «Мокслас», 1985. — 112 с.
- Хотунцев Ю.Л. Интермодуляционные искажения в приемных и передающих СВЧ полупроводниковых устройствах / Ю. Л. Хотунцев // Известия ВУЗов. Радиоэлектроника. 1983. — 26, N10. — С.28−38.
- Князев А.Д. Элементы теории и практики обеспечения электромагнитной совместимости радиоэлектронных средств / А. Д. Князев. М.: Радио и связь, 1984.-336с.
- Владимиров В.И. Электромагнитная совместимость радиоэлектронных средств и систем / Владимиров В. И. и др.- Под ред. Н. М. Царькова. М.: Радио и связь, 1985. — 272 с.
- Уайт Д. Электромагнитная совместимость радиоэлектронных средств и непреднамеренные помехи / Д. Уайт- Пер. с англ. Под ред. А. И. Сапгира. Комментарии А. Д. Князева. М.: Сов. радио, 1977. — 348 с.
- Малевич И.Ю. Оценка интермодуляционных параметров высоколинейных приемно-усилительных трактов / И. Ю. Малевич // Радиотехника. 1995. — № 6. — С. 19−21.
- Kundert K.S. The designer guide to SPICE and SPECTRE / K.S. Kundert- Kluwer Academic Publishers, 1995.
- Разевиг В.Д. Применение программ P-CAD и Pspise для схемотехнического моделирования на ПЭВМ. Вып. 3. Моделирование аналоговых устройств / В. Д. Разевиг. М.:Радио и связь, 1992. — 65с.
- Rizzoli V. A General-Purpose Program for Nonlinear Microwave Circuit Design / V. Rizzoli, A. Lipparini, E. Marazzi // IEEE Trans. Microwave Theory Tech., September 1983. V. 31, no. 9. — P. 762−770.
- Rizzoli V. State-of-the-Art and Present Trends in Nonlinear Microwave CAD Techniques / V. Rizzoli, A. Neri // IEEE Trans. Microwave Theory Tech., February 1988. V. 36, no. 2. — P. 343−365.
- Rizzoli V. General-Purpose Harmonic-Balance Analysis of Nonlinear Microwave Circuits Under Multitone Excitation / V. Rizzoli, C. Cecchetti, A. Lipparini, F. Mastri // IEEE Trans. Microwave Theory Tech., December 1988. -V.36, no. 12.-P. 1650−1660.
- Rizzoli V. Computation of Large-Signal S-Parameters by Harmonic-Balance Techniques / V. Rizzoli, A. Lipparini, F. Mastri // Electron. Lett., Mar. 1988. V. 24. — P. 329−330.
- Rizzoli V. Harmonic-Balance Simulation of Strongly Nonlinear Very Large-Size Microwave Circuits by Inexact Newton Methods / V. Rizzoli, F. Mastri, and F. Sgallari, G. Spaletta//IEEE MTT-S, 1996. P. 1357−1360.
- Maas S. Nonlinear Microwave Circuits / S. Maas. IEEE Press, New York, 1996. — 67 p.
- Graham J. Nonlinear System Modeling and Analysis with Applications to Com-munications Receivers / J. Graham L. Ehrman. Rome Air Development Center Technical Report No. RADC-TR-73−178, 1973.
- Busgang J.J. Analysis of Nonlinear Systems with Multiple Inputs / J.J. Busgang, L. Ehrman, J.W. Graham // Proc. IEEE, 1974. V. 62. — P. 1088.
- Weiner D.D. Sinusoidal Analysis and Modeling of Weakly Nonlinear Circuits / D.D. Weiner, J.F. Spina. Van Nostrand, New York, 1980. — 73 p.
- M. Schetzen The Volterra & Wiener Theories of Nonlinear Systems / M. Schetzen. John Wiley & Sons, New York, 1980. — 124 p.
- Maas S., «Modeling MESFETs for Intermodulation Analysis of Mixers and Amplifiers / S. Maas, D. Neilson // IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest, 1990.-P. 1291−1294.
- Press W. H. Numerical Recipes / W. H. Press e. a. Cambridge University Press, Cambridge, 1986. -140 p.
- Cheng Y. MOSFET modeling & BSIM3 user’s guide / Y. Cheng, C. Hu -Kluwer Academic Publishers, 1999. 228 p.
- Шварц Н.З. Линейные транзисторные усилители СВЧ / Шварц Н. З. М.: Сов. радио, 1980.- 368с.
- Materka A. Computer calculation of large-signal GaAs FET amplifier characteristics / A. Materka, T. Kacprzak // IEEE Trans. Microwave Theory and Techn, 1985.-N2. P.129−135.
- Krozer V. Intermodulation distortion analysis of cascaded MESFET amplifiers using Volterra series representation / V. Krozer, H. Hartnagel // Int. J. Electron.-1985.- 58, N4.- P.693−708.
- Kondoh H. An accurate FET Modelling from measured S-parameters / H. Kondoh // IEEE MTT-S Int. Microwave Symp. Digest, New York, 1986.- P.377−380.
- Jastrzebski A.K. Non-linear MESFET Modelling / A.K. Jastrzebski // 17th Eur. Microwave Conf., Rome: Conf.Proc.- Tunbeidge Wells, 1987.- P.599−604.
- Miller J.E. Investigation of GaAs MESFET Small-signal Equivalent circuits for use in a Cell Library / J.E. Miller // 19th Eur. Microwave Conf., London, 4−7 Sept.: Conf.Proc.- Tunbeidge Wells, 1989.- P. 991−996.
- Platzker A. Large-signal GaAs FET Amplifier CAD Program / A. Platzker, Y. Tajima // IEEE MTT-S Int. Microwave Symp. Digest, 1982.- P.450−452.
- Willing A.H. Technique for Predicting Large-Signal Perfonnance of a GaAs MESFET / A.H. Willing, C. Rausher, P.A. Santis // Trans. IEEE, 1978.- v. MTT-26, N 12.- P.1017−1023
- Liu W. BSIM3V3.2.2 MOSFET Model User’s Manual / W. Liu e. a. Dept. of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California, Berkeley, CA 94 720, USA, 1999. -21 p.
- Cheng Y. MOSFET Modeling & BSIM3 User’s Guide, Norwell, MA / Y. Cheng, C. Hu. Kluwer, 1999. — 63p.
- Foty D.P. MOSFET Modeling with SPICE: Principles and Practice / D.P. Foty. Prentice Hall, Upper Saddle River, NJ, USA, 1997. -19 p.
- Curtice W. R. A Nonlinear GaAs FET Model for Use in the Design of Output Circuits for Power Amplifiers / W. R. Curtice // IEEE Trans. Microwave Theory Tech., 1985 V. MTT-33, — P. 1383.
- Fujii K. A Nonlinear GaAs FET Model Suitable for Active and Passive MM
- Wave Applications / К. Fujii, Y. Hara, F. M. Ghannouchi, T. Yakabe, H. Yabe // IEICE Trans., Feb., 2000 V. E83-A, no. 2. -P. 228.
- Fujii K. The Consideration of Voltage-Controlled Charge Sources Controlled by Two Voltage Sources for a GaAs MESFET Large-Signal Model / K. Fujii, K. Ogawa, Y. Takano // IEIEC Trans., Sept. 1997. V. J80-C-I, no. 9. -P. 414
- Fujii K. Accurate Modeling for Drain Breakdown Current of GaAs MESFETs / K. Fujii, Y. Нага, T. Yakabe, H. Yabe // IEEE Trans. Microwave Theory Tech., April, 1999.-V. 47, no. 4. -P. 516.
- Antognetti P. Semiconductor Device Modeling with SPICE / P. Antognetti, G. Massobrio. -New York: McGraw-Hill, 1988. 78 p.
- Curtice W. A New Dynamic Electro-Thermal Nonlinear Model for Silicon RF LDMOS FETs / W. Curtice e.a. // International Microwave Symposium Digest of Papers, 1999.-P. 835−840.
- Curtice W. A New Dynamic Electro-Thermal Nonlinear Model for Silicon RF LDMOS FETs / W. Curtice e.a. // IEEE International Microwave Symposium Digest of Papers, 1999. P. 420−421.
- Parker A. A Realistic Large-signal MESFET Model for SPICE/ A. Parker, D. Skellern//IEEE Trans. Microwave Theory Tech., Sept 1997.-P. 1563−1571.
- Statz H. GaAs FET Device and Circuit Simulation in SPICE / H. Statz e.a. // IEEE Trans. Electron Devices, 1987. V. ED-34. -P. 160.
- Divekar D. Comments on 'GaAs FET Device and Circuit Simulation in SPICE1 / D. Divekar // IEEE Trans. Electron Devices, 1987. V. ED-34. — P. 2564.
- McCant A. J. An Improved GaAs FET Model for SPICE / A. J. McCant, G. D. McCormack, D. H. Smith // IEEE Trans. Microwave Theory Tech., June, 1990. -V. MTT-38. P. 822.
- Hallgren R. В. TOM3 Capacitance Model: Linking Large- and Small-signal MESFET Models in SPICE / R. B. Hallgren, P. H. Litzenberg // IEEE Trans. Microwave Theory Tech., May, 1999. V. 47, no. 5. — P. 556.
- Yhland K. Resistive FET Mixers / K. Yhland. -Ph. D. Diss., Chalmers
- University of Technology, Goteborg, Sweden, 1999. — 124 p.
- Yhland K. A Symmetrical HFET/MESFET Model Suitable for Intermodulation analysis of Amplifiers and Resistive FET Mixers / K. Yhland, N. Rorsman, M. Garcia, H. Merkel // IEEE Trans. Microwave Theory Tech., Jan., 2000. vol. 48. — P. 15.
- Фролов A.B. Обобщённая модель СВЧ транзистора с барьером Шотки / Фролов А. В. // В кн.: Нелинейные проблемы полупроводниковой электроники СВЧ. Межвуз. сб. научных трудов.- М.: МГПИ, 1986.- С.55−73.
- Ди Лоренцо Д. В. Полевые транзисторы на арсениде галлия. Принципы работы и технология изготовления: Пер. с англ. Под ред. Д. В. Ди Лоренцо и Д. Д. Канделуола.- М.: Радио и связь, 1988.- 496с
- Willing Н.А. Modelling of Gunn-domain Effects in GaAs MESFETs / H.A.Willing, P. Santis // Electron Let, 1977.- v. 13, N18.- P.537−539.
- Rhyne G.W. Generalized power series analysis of intermodulation distortion in a MESFET amplifier: simulation and experiment / G.W. Rhyne, M.B. Steer// IEEE Trans. Microwave Theory and Techn, 1987.-35, N12.- P. 1248−1255.
- Разевиг В.Д. Проектирование СВЧ-устройств с помощью Microwave Office: Под ред. В. Д. Разевига. / В. Д. Разевиг, Ю. В. Потапов, А. А. Кукушкин М.: СОЛОН-Пресс, 2003. — 496с.
- Алгазинов Э.К. Определение параметров моделей на примере полевого транзистора / Э. К. Алгазинов, A.M. Бобрешов, О. А. Иркутский // Изв. Вузов. Электроника, 1999. № 6. — С. 35−40.
- Хребтов И.В. Моделирование характеристик ЭМС МШУ на субмикронных НЕМТ транзисторах/ И. В. Хребтов, A.M. Бобрешов// Физика волновых процессов и радиотехнические системы. 2004. — Т.7. -№ 4. — с. 103 109.
- Бобрешов A.M. Нелинейное моделирование усилителей на полевых транзисторах в СВЧ диапазоне / A.M.Бобрешов, Г. КУсков, и др. // Радиолокация, навигация, связь: X междунар. науч.-техн. конф., 13−15 апр. 2004 г. — Б.м. — 2004 .— Т. 1 .— С. 449−455.
- Шварц Н.З. Усилители СВЧ на полевых транзисторах / Н. З. Шварц.- М.: Радио и связь, 1987.- 200с.
- Реклейтис Р. Оптимизация в технике / Р. Реклейтис, А. Рейвиндран, К. Рэгсдел. М.: Мир, 1986.- 280с.
- Групта К. Машинное проектирование СВЧ устройств / К. Групта, Р. Гардж, Р. Чадха- Пер. с англ. -М.:Радио и связь, 1987.-532с.
- Малевич И.Ю. Оценка интермодуляционных параметров высоколинейных приемно-усилительных трактов / И. Ю. Малевич // Радиотехника. 1995. — № 6. — С. 19−21.
- Шарапов Ю.И. Преобразование частоты Fn,=Fr-Fc при Fr>Fc и постоянной частоте гетеродина без заданных комбинационных составляющих / Ю. И. Шарапов // Радиотехника. 1997. — № 12. — С.79−83.
- Веселов Г. И. Микроэлектронные устройства СВЧ / Под редакцией Г. И. Веселова. М.:Высшая школа, 1988.- 280с.
- Фано Р. Теоретические ограничения полосы согласования произвольных импедансов: Пер. с англ./ Под ред. Г. И. Слободенюка.- М.: Сов. радио, 1965.-120с.
- Маттей Г. Л. Фильтры СВЧ, согласующие цепи и цепи связи: Пер. с англ./ Янг J1., Джонс Е.М.- Под ред. Л. В. Алексеева и Ф. В. Кушнира.- М.: Связь, 1971, — 200с.
- Forcier M.L. Microwave-Rectification RFI Response in Field-Effect Transistors / M.L. Forcier, R.E. Richardson // IEEE Transactions on Electromagnetic Compatibility, 1979. V. EMC-21, No 4. -P.312−315.
- Бригидин A.M. Восприимчивость транзисторов к воздействию электромагнитных помех / A.M. Бригидин, Н. И. Листопад, Н. А. Титович, Г. И. Ясюля // Радиотехника. -1990. -№ 9, -С.36−37.
- Усанов Д.А. Изменение характеристик полупроводниковых приборов при воздействии на них СВЧ излучения / Д. А. Усанов // Известия вузов. Сер. Электроника, 1997. -№ 1. -С.49−52.
- Усанов Д.А. Детекторный эффект в СВЧ усилителях на транзисторах / Д. А. Усанов, А. А. Безменов, А. Ю. Вагарин, В. М. Логинов // Электронная техника. Сер. Электроника СВЧ, 1981. -вып. 9(333). -С.60−61.
- Усанов Д.А. Детекторный эффект в СВЧ- усилителях на полевых транзисторах / Д. А. Усанов, А. А. Безменов, А. Ю. Вагарин, В. М. Логинов // Электронная техника. Сер. Электроника СВЧ, 1984. -вып. 1 (361). -С. 32−33.
- Бобрешов A.M. Влияние эффекта детектирования на работу PSpice модели СВЧ усилителя / А. М. Бобрешов, Г. К. Усков и др. // Радиолокация, навигация и связь: XII междунар. науч.-тех. конф., 18−20 апр.2006 г. -Б.м. -2006.-Т.2.- с. 1223−1228.
- Антипин В.В. Влияние мощных импульсных микроволновых помех на полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы / В. В. Антипин, В. А. Годовицын, Д. В. Громов и др. // Зарубежная радиоэлектроника, 1995. -№ 1.-С. 37−53.
- Баранов И.А. Стойкость твердотельных модулей СВЧ к кратковременным электроперегрузкам / И. А. Баранов, О. И. Обрезан, А. И. Ропий // Обзоры по электронной технике. Сер. 1, СВЧ-техника. М.: ЦНИИ «Электроника», 1997. — 111с.
- James D.S. A study of high power pulsed characteristics of lower-noise GaAs MESFET’s / D.S. James, L. Dormer // IEEE Trans., 1981, v. MTT-29. — N 12. -P. 1298−1310.
- Whalen J.J. X-band burnout characteristics of GaAs MESFET’s / J.J. Whalen, R.T. Kemerley, E. Rastefano // IEEE Trans., 1982, v. MTT-32. — N 12. — P. 22 062 211.
- Эрвин Дж. К. Надежность GaAs ПТШ // В кн.: Полевые транзисторы на арсениде галлия. Принципы работы и технология изготовления: Пер. с англ. / Дж. К. Эрвин- Под ред. Д. В. Ди Лоренцо, Д. Д. Канделуола. М.: Радио и связь, 1988.-С. 181−214.
- Kocot С. Backgating in GaAs MESFET’s / С. Kocot, C.A. Stolte // IEEE Trans., 1982. v. ED-29. — N 7. — P. 1059−1064.
- Шур M. Современные приборы на основе арсенида галлия: Пер. с англ. / М. Шур М.: Мир, 1991.-632с.
- Бобрешов A.M. Управление по подложке как механизм обратимыхотказов GaAs ПТШ вследствие электроперегрузок / A.M. Бобрешов и др. // 11-я Международная научно-техническая конференция «Радиолокация, навигация, связь». Воронеж, 2005. — т.1.- с. 548−555.
- Бобрешов A.M. Метод и устройство испытаний стойкости полевых транзисторов к импульсным перегрузкам / A.M.Бобрешов, Г. К. Усков и др. // Радиолокация, навигация и связь: XII междунар. науч.-тех. конф., 18−20 апр.2006 г. -Б.м. 2006.-Т.2.- с. 1237−1243.
- Бобрешов A.M. Исследование обратимых отказов GaAs ПТШ при импульсных перегрузках / A.M. Бобрешов, Г. К. Усков и др.// Известия ВУЗов. Электроника.-2006. -N5, -С.69−77.
- Simons М. Transient radiation study of GaAs metal semiconductor field effect transistors implanted in Cr-doped and undoped substrates / M. Simons, E.E. King, W.T. Anderson, H.M. Day//J. Appl. Phys. Nov 1981. — P. 6630−6636.
- Sze S.M. Physics of semiconductor devices. Second Edition / S.M. Sze // A Wiley-Interscience Publication, 1981.-P. 19−23.
- Wunch D. Determination of threshold failure levels semiconductor diods and transistors due to pulse voltage / D. Wunch, R. Bell // IEEE Trans., 1968. -v. NS-15.-N.6. -P. 244−259.
- Taska D.M. Pulse power failure modes in semiconductors / D.M. Taska // IEEE Trans., 1970. -v. NS-17. -P. 364−372.
- Yee J.H. Failure and switching mechanisms in semiconductor / J.H. Yee, W.J. Orvis // IEEE Trans., 1983, v. MTT-15. — N. 12. — pp. 289−313.
- Archipov V.I. Stationary and nonstationary spatial temperature distributions in semiconductors caused by pulse voltages / Archipov V.I., Astvatsaturyen E.R. e. a. // Int. J. Electronics, 1983. -v.55. -N.3. -P.395−403.
- Зи С. Физика полупроводниковых приборов: В 2-х кн.- Пер. с англ. / С. Зи. -М.: Мир, 1984.-т.1.-456с.
- Бобрешов A.M. Экспериментальное исследование обратимых отказов полевых транзисторов под воздействием импульсных электроперегрузок /
- A.M. Бобрешов, A.B. Дыбой, 10.И. Китаев, Ю. Н. Нестеренко // 6-й Международный симпозиум по электромагнитной совместимости и электромагнитной экологии. С.-Петербург, 2005. — С. 206−210.
- Берман JI.C. Емкостная спектроскопия глубоких уровней / Л. С. Берман, А. А. Лебедев. Л.: Наука, 1981. — 176с.
- Anderson W.T. Reduction of long-term transient radiation response in ion implanted GaAs FETs / Anderson W.T., Simons M. e.a. // IEEE Trans., 1982. -v. NS-29. -N 6. -P.1533−1538.
- Whalen J.J. Microwave nanosecond pulse burn-out properties of GaAs MESFET’s / J.J. Whalen, M.C. Calacatera, M.L. Thorn // IEEE Trans., 1979. -v. MTT-27. -N 12.-P. 1026−1031.
- Anderson W.T. GaAs FET high power pulse reliability / W.T. Anderson, Jr. A. Cristou, B.R. Wilkins //21 th Annual Proc. Reliability Physics, 1983. -P. 218−225.
- Anderson W.T. High power pulse reliability of GaAs power FET’s / W.T. Anderson, F.A. Buot, Jr. A. Cristou // 24 th Annual Proc. Reliability Physics, 1986. P.144−149.
- Garver R.V. Single-pulse RF damage of GaAs FET amplifiers / R.V. Garver // 1988 MTT Symp. Digest. -P. 289−294.
- Titinet G.C. Reliability of compound semiconductor microwave field-effectdevices: failure mechanisms and test methods / G.C. Titinet, E. Pollino, D.E. Riva // CSELT Technical reports, December 1989. V. 17. — N.6. — P.427−431.
- Бобрешов A.M. Измерительный комплекс для исследования деградационных процессов под воздействием сверхкоротких видеоимпульсов / A.M. Бобрешов, Г. К. Усков, И. С. Коровченко // Энергия-21 век, -2006. -№ 3(61), -С.76−83.
- Abramowitz М. andbook of Mathematical Functions / M. Abramowitz, I. A. Stegun. Ninth printing, Dover Publications. -P.773−792. -1972.
- Schetzen M. A Theory of Non-linear System Identification / M. Schetzen // Int. Journal of Control, 1974. V.20. -No.4, P.577−592.
- Billings S.A. Identification of Nonlinear Systems-A Survey / S.A. Billings // IEE Proc, Nov. 1980. -V.127, Pt. D. -No.6, P.272−285.
- Cho Y.S. Estimation of Nonlinear Distortion Using Digital Higher-order Spectra and Volterra Series / Y.S. Cho, E.J. Powers // Proc. IEEE Int. Symp. Circuits and Systems, (ISCAS'92), 1992, San Diego, U.S.A. P.2781−2784.
- Billings S.A. Spectral Analysis for Non-Linear Systems, Part I: Parametric Non-Linear Spectral Analysis / S.A. Billings, K.M. Tsang // Mechanical Systems and Signal Processing. N.3(4). — P. 319−339, 1989.
- Korenberg M.J. Orthogonal Approaches to Time-series Analysis and System Identification / M.J. Korenberg, L.D. Paarmann // IEEE Signal Processing Magazine, July 1991. V.8. — N.3. — P. 29−43.
- Itoh T. Stability of Performance and Interfacial Problems in GaAs MESFETs / T. Itoh, H. Yanai // IEEE Transactions on Electron Devices, 1980. -V.ED-27. № 6. — P. 1037 — 1045.
- Бобрешов A.M. Моделирование деградационных процессов в полевом транзисторе под воздейстием импульсных помех большой амплитуды/ A.M. Бобрешов, Г. К. Усков и др. // Вестн. Воронеж, гос. ун-та. Сер. Физика, Математика, -2006, -№ 1, -С. 10−16.
- Глебович Г. В. Переходные процессы и основы синтеза линейных радиосистем / Г. В. Глебович. Горьковский политехнический институт им. Жданова, 1968.-210 с.
- Шило В.Л. Линейные интегральные схемы / В. Л. Шило. М.: Советское радио, 1979 г. — 368 с.
- Пожела Ю.К. Физика быстродействующих транзисторов: Монография / Ю. К. Пожела. Вильнюс: Моноклас, 1989.- 264 с.
- Whalen J.J. X-band burnout characteristics of GaAs MESFET’s / J.J. Whalen, R.T. Kemerley, E. Rastefano // IEEE Trans., 1982, v. MTT-32. — N 12. -P. 2206−2211.
- Алгазинов Э.К. Входные усилители СВЧ в свете требований электромагнитной совместимости / Э. К. Алгазинов, В. И. Мноян // Радиотехника.- 1985.- N 8.- С.3−13.
- Отраслевой стандарт РМ 11.332.517−83. М.: Базовый отдел стандартизации, 1983.-39с.
- Рикетс Л.У. Электромагнитный импульс и методы защиты: Пер. с англ. / Л. У. Рикетс, Дж. Э. Бриджес, Дж. Майлетта. М.: Атомиздат, 1979. — 328 с. 1. Акт
- Об использовании результатов диссертационной работы Ускова Григория Константиновича «Нелинейные процессы в усилительных каскадах СВЧ под воздействием интенсивных импульсных помех».
- Содержащиеся в работе научные и практические результаты были использованы в ОАО «Концерн «Созвездие» при разработке изделий по темам «Туф», «Панцирь» и «Янтарь».
- Председатель комиссии начальник НТК-611. Члены комиссии: начальник отдела 3261. Гриднев А.А.1. Корольков М.А.начальника сектора 3262начальника сектора 32 631. Фридланд О.Б.1. Малев А.С.