Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Пространственное распределение, накопление и отжиг дефектов в ионно-легированном кремнии

Диссертация: Пространственное распределение, накопление и отжиг дефектов в ионно-легированном кремнии
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

При интерпретации лазерного отжига можно исходить из термического механизма отжига, но обязательно требуется учет пространственного положения наблюдаемых дефектов. В случае аморфных слоев объяснение отжига возможно с учетом глубины проникновения фронта плавления. Для отжига центров излучательной рекомбинации требуется больше энергии, чем только для рекристаллизации аморфного слоя (по данным… Читать ещё >

Пространственное распределение, накопление и отжиг дефектов в ионно-легированном кремнии (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • I. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ. СОСТОЯНИЕ ФИЗИКИ ДЕФЕКТОВ В
  • ИОШО-ЛЕГИРОВАННОМ КРЕМНИИ
    • 1. 1. Дефекты структуры в кремнии после ионного легирования
      • 1. 1. 1. Возникновение радиационных дефектов при ионном внедрении
      • 1. 1. 2. Накопление дефектов и аморфизация
      • 1. 1. 3. Пространственные распределения ионов и нарушений в кристалле
    • 1. 2. Селективное изучение дефектов структуры в ионно-имплантированном кремнии методом фотолюминесценции
    • 1. 3. Рентгенографические исследования деформации кристаллической решетки в результате имплантации и последующего отжига
      • 1. 3. 1. Топография
      • 1. 3. 2. Двух- и трехкристальная дифрактометрия
      • 1. 3. 3. Получение количественных характеристик имплантированного слоя
    • 1. 4. Термический и лазерный отжиг ионно-имплантированных слоев
      • 1. 4. 1. Основные характеристики термического и лазерного отжигов
      • 1. 4. 2. Механизм лазерного отжига
      • 1. 4. 3. Сравнение характерных результатов термического и лазерного отжигов

Облучение материала ^ -квантами, электронами или ионами в последние годы широко используется для модификации свойств твердого тела. Физическое изучение процессов взаимодействия заряженных высокоэнергетических частиц с твердым телом и всестороннее исследование свойств облученных материалов имеют большое значение и для решения фундаментальных физических проблем (процессы дефек-тообразования, структура реального кристалла), и в отношении к широкому практическому использованию методов облучения в технологической обработки материалов.

Ионная имплантация /I/ как метод легирования полупроводников позволяет осуществить точное и контролируемое введение примесей. С другой стороны она приводит одновременно к образованию множества дефектов структуры в результате передачи энергии проникающих частиц кристаллической решетки. Многообразие радиационных детектов и зависимость их введения от целого ряда определяющих факторов (тип и поток ионов, температура ионной имплантации и т. д.) затрудняют теоретическое описание процессов взаимодействия иона с веществом.

Конечное состояние образцов является результатом воздействия и взаимодействия множества параметров ионной имплантации и последующего отжига, влияние которых часто не полностью установлены. Поэтому только целенаправленные эксперименты и всесторонее изучение состояния слоя дадут возможность выработать ясное представление о процессах, которые происходят во время ионной имплантации и отжига.

Спектроскопические методы измерения, такие как ЭПР, спектроскопия глубоких уровней, фотолюминесценция и т. д. позволяют осуществить обширные исследования микроскопического состояния слоя структура отдельного дефекта, положение энергетических уровней или входящих в состав дефекта примесных атомов). Но с другой > стороны отсутствует подробное изучение и объяснение макроскопического состояния образца, как оно образуется в результате воздействия всех существующих дефектов и находящихся в узлах примесных атомов на структуру и упругие напряжения ионно-имплантированного слоя. Хорошо известно воздействие таких факторов на образование и преобразование дефектов структуры, на диффузию примесей и дефектов и на общее состояние образца (изгиб пластины, механическая стабильность и т. д.).

В этом отношении может быть полезным применение методов дифракции рентгеновских лучей. Они чувствуют общее нарушение кристаллической структуры (как, например, обратное рассеяние по Резер-форду) в виде макроскопической деформации и нарушения периодичности кристаллической решетки. Но, в отличие от большинства методов дифракция рентгеновских лучей со сравнительно высокой чувствительностью позволяет получить кроме интегральной информации по всей глубине взаимодействия с кристаллом восстановление пространственных профилей деформации и нарушения периодичности без дополнительного постепенного травления слоя. Основные защищаемые положения:

1. Метод восстановления профилей¦деформаций и нарушений периодичности по экспериментальным кривым качания рентгеновских лучей.

2. Общие характеристики полученных рентгеновских данных ионно-имплактированных слоев в сравнении с результатами других независимых теоретических и экспериментальных методов.

3. Процессы накопления и отжига дефектов в ионно-имплантирол ванных слоях кремния с точки зрения деформации кристаллической решетки.

I. ОБЗОР ЛИГЕРАТУШ. СОСТОЯНИЕ ШИЗИКИ ДЕФЕКТОВ В ИОННО-ЛЕГИРОВАННОМ КРЕМНИИ.

ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ.

1. Создана методологическая основа для восстановления профилей деформаций и нарушений периодичности по данным экспериментальных кривых качания ионно-имплантированных слоев, включая:

— создание устройства для оптимальной регистрации экспериментальных кривых качания ионно-имплантированных монокристаллов;

— представление профилей в функциональном виде, что позволяет осуществлять изменение формы в широких пределах;

— проверку применимости кинематической трактовки дифракции в ионно-имплантированном слое с помощью сравнительных расчетов на основе динамической теории дифракции рентгеновских лучей в деформированном кристалле;

— подробное исследование влияния параметров профилей на вид кривой отражения;

— разработку и проверку метода нелинейной оптимизации на ЭВМ.

2. Разработаны на основе предложенного метода обработки экспериментальных кривых качания машинные программы, которые позволяют сделать:

— подготовку экспериментальных кривых качания для оптимизации на ЭВМ;

— расчет кривой отражения монокристаллов с тонким приповерхностным слоем при любой форме профилей деформации и нарушения периодичности;

— восстановление профилей деформации и нарушения периодичности по данным экспериментальной кривой качания рентгеновских лучвй.

3.Сравниваются восстановленные профили с данными других независимых методик. Установлено, что чувствительность рентгеновского метода к нарушенное&tradeкристаллов в 10−15 раз выше, чем метода обратного рассеяния ионов и метода, основанного на скорости анодного окисления материала.

4. Изучен процесс формирования наблюдаемых профилей деформации. Установлено существенное влияние вторичных процессов во время ионной имплантации на распределение дефектов. Это наиболее четко отражается в существовании «хвостов» деформации в глубине кристалла.

5. Изучены распределения деформаций и нарушений периодичности кристаллической структуры при накоплении и термоотжиге радиационных дефектов в монокристаллах кремния, имплантированных кремнием. Накопление дефектов при малых потоках имплантации (в сравнении с потоком аморфизации) происходит, главным образом, путем уширения деформированного слоя к поверхности до образования практически однородно деформированного слоя. Дальнейшее увеличение потока приводит к резкому увеличению деформации слоя, что обусловлено изменениями структуры слоя (образование изолированных сильно нарушенных микрозон). При термоотжиге до 260−340° С наблюдается доминирующая тенденция уменьшения максимальной деформации профиля. Причиной является отжиг простых дефектов во всем объеме слоя. При температурах выше 400° С имеет место максимальная деформация на поверхности, наблюдается рост ее значения до температур ~ 500° С. На этом этапе происходит, главным образом, перераспределение существующих термоустойчивых до температур выше 500° С дефектов к поверхности.

6. Рассмотрен лазерный отжиг ионно-имплантированных слоев методом дифракции рентгеновских лучей. Исследовано влияние плотности энергии лазера на интегральные параметры слоя и на профили деформации при различных потоках имплантации. Результаты лазерного отжига слабо нарушенных слоев принципиально сравнимы с данными термического отжига при температурах выше 400 °C. Характерными различиями являются рост толщины деформированного слоя при малых плотностях энергии лазера, если в исходном состоянии имел место заглубленный профиль и слабое уменьшение деформации на «хвостах» распределения. Объяснение требует учета специфических условий поглощения света неодимового лазера и результирующего распределения по глубине температуры во время лазерного отжига.

7. Изучено воздействие лазерного облучения неодимовым лазером на центры излучательной рекомбинации на дефектах в случаях ионно-имплантированных аморфных и слабо нарушенных слоев. Дано объяснение полученных данных на основе термической модели лазерного отжига, если учитывается положение наблюдаемых центров в слабо нарушенной области под имплантированным слоем. Эффективность отжига этих центров при слабо нарушенных слоях существенно меньше. Причиной является слабое поглощение света неодимового лазера в случае слабо нарушенных областей.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Экспериментальные результаты исследования пространственного положения центров излучательной рекомбинации после имплантации доказывают их существование в слабо деформированном слое под имплантированным слоем. Этот факт объясняется радиационно-стиму-лированной диффузией простых дефектов в глубину.

Существование токового хвоста распределения дефектов подтверждается профилями деформации.

При интерпретации лазерного отжига можно исходить из термического механизма отжига, но обязательно требуется учет пространственного положения наблюдаемых дефектов. В случае аморфных слоев объяснение отжига возможно с учетом глубины проникновения фронта плавления. Для отжига центров излучательной рекомбинации требуется больше энергии, чем только для рекристаллизации аморфного слоя (по данным обратного рассеяния) гогому что они находятся значительно глубже в кристалле. Картина отжига в случае слабо нарушенных слоев является более сложной, точная интерпретация требует подробного исследования процесса поглощения в случае неодимого лазера (1,06 мкм). Такие данные практически отсутствуют в литературе и моделирование затруднительно потому, что не известно в явном виде воздействие нарушение структуры на коэффициент поглощения.

Но результаты однозначно доказывают более эффективный отжиг с помощью неодимого лазера в случае нарушенных слоев. В случае слабо нарушенных слоев происходит лишь частичный отжиг дефектов. Это подтверждает слабое взаимодействие лазерного света с нарушенным слоем.

Сравнение состава дефектов после термического отжига и лазерного облучения на основе спектров фотолюминесценции (рис. 6.6).

Рис. 6,6. Спектры низкотемпературной (4,2 К) фотолюминесценции образца кремния, имплантированного кремнием 200 кэВ, 14 -2.

3.10 см, комнатная температура) после: а) лазерного отжига при 4,2 Дж/см2 и б) термического отжига при 550° С с учетом аналогичных результатов дифракции рентгеновских лучей (рис. 5.24) показывает следующее:

1. В обоих спектрах наблюдаются полосы связанного экситона ВЕрд (1,093 эВ), ее интенсивность выше после термического отжига.

2. Характерным для спектра после термического отжига является широкая полоса с Е0,8 эВ, которая отсутствует после лазерного отжига: вместо нее наблюдается С-полоса.

Эти факты указывают на различную структуру остаточных дефектов в этих случаях. При лазерном отжиге в кристалле остаются главным образом точечные дефекты, при этом отжиг дефектов затруднен на большой глубине слоя вследствие снижения температуры. В случае термической обработки отжиг точечных дефектов в глубине происходит более эффективно, но одновременно образуется структура остаточных дефектов. Эти остаточные дефекты проявляются и в спектрах фотолюминесценции (широкая полоса излучения) и определяют остаточные деформации растяжения слоя, проявляющиеся в рентгеновской дифракции. Остаточные деформации слоя после лазерного отжига отсутствуют, однако, возникает ассиметрия кривых качания со стороны углов © > Это может быть обусловлено диффузным рассеянием на остаточных дефектах (возможно, крупные скопления вакансий).

Показать весь текст

Список литературы

  1. Ryssel H., Ruge 1. Ionenimplantation. Akadem. Verlagsgesellschaft, Leipzig 1978, 366 S.
  2. B.C., Кив A.E., Ниязова O.P. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках. М., Наука, 1981, 368 стр.
  3. Brinkman J.A. On the nature of radiation damage in metals. J.Appl.Phys., 1954, v.25,n.8, p.961−973.
  4. Gibbons J.P. Ion implantation in semicondactors.il. Damage production and annealing. Proc. IEEE, 1972, v.60,n.9,p.1062−1077.
  5. Mazey D.J., Kelson R.S., Barnes R.S. Observation of ion bombardment damage in silicon. Phil.Mag. 1968, v.17, n.6,p.1145−1151.
  6. Corbett J.W., Karins J.P., Tan T.Y. Ion induced defects in semiconductors. Nucl.Instr.Meth. 1981, v.182/183, p.457−476.
  7. Glaser E. Untersuchungen zum Einflus verschiedener Implantationsparameter auf Erzeugung und Ausheilverhalten von Strahlenschaden in Silizium. Promotion A, Jena, 1978, 141 S.
  8. Tamura M., Uagi K., Hatsuaki N., Miyao M., Tokuyama T. Disorder produced during high-current and high dose phosphorus ion im-lantation in silicon. Appl.Phys. 1979, v.20,n.3,p.225−229.
  9. Tkachev V.D., Mudryi A.V. Radiative recombination centers in silicon irradiated by fast neutrons and ions. In: Radiation Effects in Semiconductors, Conf.1976, London-Bristol, 1977, p.231−243.- 171
  10. Chadderton L.T. Uucleation of damage centres during ion implantation of silicon. Rad.Eff. 1971, v.8, n.1, p.77−85.
  11. Crowder B.L., Title R.S."Brodsky."Pettit G.D. EsR and opticaliabsorption stuies of ion-implanted silicon. Appl.Phys.Lett, v.16, n, 5, p* 205−211•
  12. Gibbons J*F., Johnson W.S., Mylroe S.W. Projected range statistics, Stroudsburg, Halstead Press 1975, p.482,
  13. П.В., Тетельбаум Д. И., Зорин Е. И., Алексеев В. И. О распределении введенных атомов и радиационных дефектов при ионной бомбардировке кремния (Расчет методом Монте-Карло). ФТТ, 1966, т.8, н.9', 2679−2687.
  14. М.А., Муралев В. А. Пространственное распределение радиационных дефектов в кремнии, облученном ионами бора и фосфора. ФТП, 1972, т.6, н.8, 1564−1570.
  15. Brice D"K. Ion implantation depth distributions. Energy deposition into atomic processes and ion location. Appl.Phys.Lett. 1970, v#16″ n.2, p.103−105.
  16. Brice D, K, Ion implantation Range and Energy deposition Distributions. v.1: High incident Ion Energies, Plenum Press 1975,178,17"Festkorperanalyse mit Elektronen, Ionen und Rontgenstrahlen. Berlin, DVW 1980, 430 S.
  17. И.А., Титов А. И., Хлебалкин A.B. Образование приповерхностного пика структурных нарушений при ионном облучении. ФТП, 1977, т. II, н. 5, с.1204−1206.
  18. А.ш., Комаров Ф. Ф., Кумахов М. А., Темкин М. М. Таблицы параметров пространственного распределения имплантированных примесей. Минск, Изд. БГУ, 1980, 350 с.
  19. Расчеты и измерения выплнены сотрудником Иенского университета К.Гаертнер.21. Ryssel Н", Kranz H., Muller К., Henkelmann R.A., Biersack J.10
  20. Comparison of range and range straggling of implanted В and 11B in silicon. Appl.Phys.Lett., 1977, v. 30, n. 4, p. 399−402.
  21. Jahnel F*, Ryssel H., Prinke G., Hoffmann K., Muller K., Biersack J., Henkelmann R. Description of arsenic and boron profiles implanted in SiO^, anc^ Si using Pearson distributions with four moments. ITucl. Inst .&Meth., 1981, v. 182/183, p. 223−228.
  22. А.Ф., Аккерман C.A. К расчету пространственного распределения дефектов и профиля внедренных ионов в кремнии, облученном ионами бора с энергией до 100 кэВ. Физ. техн. полупр., 1974, т. 8, н. 5, стр. 975−978.
  23. Schwarz G., Trapp М., Schinko R., Butzke G., Rogge K., Concentration profiles of implanted boron ions in silicon from measurements with the ion microprobe. phys.stat. sol.(a), 1973, v. 17, n. 2, p. 653−658.
  24. Akasaka Y., Horie K., Yoneda K., Sakurai Т., Nishi H., Tohi A. Depth distribution of defects and impurities in 100 keV В ion implanted silicon. J.Appl.Phys., 1973, v. 44, n. 1, p. 220−224.
  25. Wittmaak K., Schulz P., Maul J. Non gaussian range profils in amorphous solids. Phys.Lett., 1973, v. A42, n. 6, p. 477−478.
  26. Hofker W.K., Oesthoek D.P., Koeman N.J., de Grefte H.A.M. Concentration profiles of boron implantations in amorphous and polycristallin silicon. Rad.Eff., 1975, v. 24, n. 1−3, p. 223−228.- 173
  27. Reddi V"G.K, Yu A.Y.C. Ion implantation for silicon device fabrication. Solid State Technol., 1972, v.15, n.1, p. 35−40.
  28. Blood P., Dearnley G., Wilkins M.A. The depth distribution of phosphorus ions implanted into silicon crystals. Rad.Eff., 1974, v. 21, n.1−3, p. 245−247.
  29. White C.W., Pronko P.P., Wilson S.R., Appleton B.R., Narayan J., Young R.T. Effects of pulsed ruby-laser annealing on
  30. As and Sb implanted silicon. J.Appl.Phys., 1979, v.50, n.5, p* 3267−3273.
  31. Matsumoto S., Gibbons J. F «9 Deline V», Evans C.A. High temperature scanning cw-laser-induced diffusion of arsenic and phosphorus in silicon. Appl.Phys.lett*, 1980, v. 37, n. 7, p. 821−824.
  32. Eisen F.H., Welch В., Westmoreland J.P., Mayer J.W. Lattice disorder produced in silicon by b"ron i"n implantation. -Ins Atomic Collision Phenomena in Solids, Amsterdam, North Holland 1970, p* 111−115.
  33. B.H., Герасименко И. Н., Двуреченский А. В. Профили дефектов при имплантации ионов в кремнии. Шиз. и техн. полупр., 1975, т. 9, н., стр. 835−839.
  34. Hasegawa S", Ishida К., Shimizu Т. Electron spin resonance studies of ion implanted silicon • I. Amorphization. Jap. J.Appl., 1973, v. 12. n. 8, p. 1181−1189.
  35. Kiesielewicz M., Wagner C. Determination of the radiation damage in arsenic-implanted silicon by profiling the oxide growth rate." Thin solid films, 1981, v. 85, n. 1, p. 1−6.
  36. Tajima M. Photoluminescent analysis of boron and phosphorus in silicon. Char. Tech. Semicond. Mater, and Devices, Conf, 1978, Princeton 1978, p. 159−167.
  37. К. Излучательная рекомбинация в ионно-легированном кремнии. Кандидатская диссертация, БГУ, Минск, 1980, 147 с.
  38. Н.С. Установление структуры дефектов в кремнии методом низкотемпературной фотолюминесценции. Кандидатская диссертация, БГУ, Минск, 1983, 182 с.
  39. Ironke К., Kiemisch H., Weber J., Sauer R. New model of the irradiation induced 0,97 eV © line in silicon. А С -Si complex. Phys.Rev., 1981, v. B24, n. 10, p. 5874−5881.
  40. Minaev U.S., Mudryi A.V., Ikachev V.D. Summetry and nature of the 1,0186 eV luminescence centre in neutron-irradiated silicon. -Phys.Stat.Sol.(a), 1981, v. 108, n. 1, p. K89-K94.
  41. Ziegler W. Untersuchung zur Characterisierung von ionen implantierten und laserausgeheilten Siliziumkristallen mitder Methode der Photolumineszenz.-Dissertation A, Jena 1984,163.
  42. Skolnick M.S., Cullis A.G., Webber Н.С. Defect induced photoluminescence from pulsed laser annealed Si. In: Laser and Electron Beam Solid Interactions and Materials Processing, Amsterdam, ITorth Holland 1981, p. 185−191.
  43. Skolnick M.S., Cullis A.G., Webber H.C. Defect photoluminescence from pulsed-laser-annealed ion implanted silicon.- Appl. Phys.Lett., 1981, v. 38, n. 6, p. 464−466.
  44. Hlavka J. Depth distribution of defects in implanted silicon.- ZI fur Kernforschung Rossendorf 1978, Nr. 360, part 1, p.256,
  45. Mesli A., Goltzene A., Muller J.C., Meyer В., Schwab C., Siffert P. Residual defects in?? virgin and implanted Si after laser proces sing. Preprint M.R.S. Boston 1981.
  46. Street R.A., Johnson N.M., Gibbons J. l?. Defect luminescence in cw laser-annealed silicon. J.Appl.Phys., 1979, v. 50, n. 12, p. 8201−8203.
  47. H.A., Патрин A.A., Ткачев В. Д. Рекомбинационное излучение на дислокациях в кремнии. Письма в ЮТФ, 1976, т. 23, н. II, с. 651−653.
  48. Baumgart Н., Philipp P., Rozgonyi G.A., Gosele Н. Slip disloca tion formation during cw laser annealing of silicon. Appl.Phys.Lett., 1981, v. 38, n. 2, p. 95−97.
  49. A.B. Низкотемпературная фотолюминесценция кремния с радиационными дефектами. Кандидатская диссертация, ЕГУ, Минск, 1975, 163 с.
  50. Zielinska-Rohozinska Е., Lefeld-Sosnowska М., Gronkowski J., Krylow J. Investigations of X-ray diffraction assymet-ries of the implanted region non implanted region boundary. — Phys.Stat.Sol.(a), 1973, v. 20, n. 1, p. 93−99.
  51. Whan R.E., Arnold G.W. lattice expansion and strain in ion bombarded GaAs and silicon. Appl.Phys.Lett. 1970, v.17, n.9, p.378−380.
  52. Alstrup 0. Pendellosung effects as a tool for examing minute strains with a triple X-ray spectrometer. Acta Cryst. 1978, v. A34, n.3, p.362−367.
  53. Alstrup 0. Investigation of radiation damage in ion implanted silicon single crystals by Pendellosung topography, phys.stat.sol.(a), 1979, n.2, p.407−408.
  54. Tu K. N, Chaudhari P., Lai K., Crov/der B.L., 2an S.I. X-ray to-pographyc determination of the absence of lateral strain in ion implanted silicon. J.Appl.Phys. 1972, v.43,n.10,p.4262−4263.
  55. Larson B.C., White C.W., Appleton B.R. Unidirectional contraction in boron implanted laser annealed silicon, Appl.Phys. Lett. 1978, v.32, n.12, p.801−803.
  56. Hubrig W.H., Auleytner J., Maciascek M. Changes of X-ray topographic contrast due to annealing of boron implanted silicon. phys.stat.sol.(a), 1976, v.36, n.1,p.209−215.
  57. Gerward L. Implantation induced strains in silicon studied by X-ray interferometry and topography. Phyl.Mag. 1978, v. A37, n.1, p.95−108.
  58. Ч. Ввведение в физику твердого тела. М., Наука, 1978, 791 с.
  59. Maciascek М., Maydell-Ondrusz Е, X-ray investigation of
  60. Gervvard L. X-ray studies of lateral strain in ion implanted silicon. Z.Phys. 1973, v.259, n.3, p.313−322.
  61. Lecrosnier D.P., Pelous G.P., Burgeat J. Investigation of ion implanted damage and X-ray double reflection. Appl.Phys. Lett., 1977, v.30, n.2, p.141−143.
  62. В.Ф., Ткачев В. Д., Челядинский А. Р. Рентгенодиф-ракционное исследование кремния^имплантированного ионами бора. Шиз. твердого тела, 1978, т. 20, н. 7, стр. 21 962 200.
  63. Zielinska-Rohozinska Б. X-ray diffraction investigation of annealing characteris tics in P+ implanted silicon crystals, phys.stat.sol.(a), 1977, v.44, n.1, p.59−64.
  64. Eichhorn E. Neutron and X-ray diffraction investigation of silicon, phys.stat.sol.(a), 1975, v.30, n.1, p.155−162.
  65. Uda K."Kamoshida M. Annealing characteristics of highly P+ implanted silicon crystals-two step anneal. J.Appl.Phys. 1977, v.48, n.1, p.18−21.
  66. Itoh U., Nakau T., Morikawa Y.,"Nagami K. Annealing behavior of stress in Sb implanted silicon. Jap.J.Appl.Phys., 1978, v.17, n., p.1003−1008.
  67. Rek Z. X-ray studies of boron implanted Ge single crystals, phys.stat.sol.(a), 1980, v.61, n.2, p.693−700.
  68. Holy V., Kubena J. X-ray rocking curves on inhomogenous surface layers on Si single crystals: II. Implanted layers. Czech.J.Phys., 1982, v. B32,n.6, p.750−766.
  69. Исследования сделаны и программа «x)EFPR0P «ра-зра60"18-сотрудником Йенского университета П.Цаумсеиль.
  70. Afanasev A.M., Kovalchuk M.V., Kovev E.K., Kohn V.G. X-ray diffraction in a perfect crystal with a disturbed surface layer, phys.stat.sol.(a), 1977, v.42, n.2, p.415−422.
  71. Kohn V.G., Kovalchuk M.V., Imamov R.Ivl., Lobanovich E.F. The method of integral characteristics in X-ray diffraction studies of the structure of the surface layers of single crystals.phys.stat .sol.(a-}, 1981, v.64, n.2, p.435−442.
  72. Ю.А. Рентгеновская дифракция в нешний фотоэффект для кристаллов полупроводников в нарушенным поверхностным слоем. Шиз. твердого тела, 1981, т. 23, н. I, с. 51−57.
  73. Holy V., Kubena J. X-ray rocking curves on inhomogenous surface layers on silicon single crystals- I. Diffusion layers. Czech.J.Phys., 1979, v. B29, n.9, p.1161−1172.
  74. Burgeat J., Taupin D. Application de la theorie dynamigue de la difraction a 1'etude de la diffusion du bore et du phosphore dans les cristaux de silicium. Acta Gryst. 1968, V. A24, n.1,p.99−102.
  75. О.В., Кготт Р. Н., Алекснис Т. Г. Деформация решетки в слоях кремния, высоколегированных фосфором. Шиз. твердого тела, 1980, т. 22, н. 7, с. 2892−2896.
  76. Burgeat J., Collela R. Effect of alpha-irradiation on the X-ray difraction profiles of silicon single crystals. J.Appl.Phys., 1969, v.40, n.9, p.3505−3509.
  77. Kyutt R.N., Pet rash en P.V., Sorokin L.H. Strain profiles in ion doped silicon obtained from X-ray rocking curyes. phys. stat.sol.(a), 1980, v.60, n.1, p.381−390.
  78. Speriosu V.S., Glass H.L., Kobayashi T. X-ray determination of strain and damage distribution in ion implanted layers. Appl. Phys.Lett. 1979, v.34,n.9, p.539−542.
  79. Speriosu V.S. Kinematical x-ray diffraction in nonuniform crystalline films: Strain and damage distributions in ion implanted garnets. J.Appl.Phys.1981, v.52, n.12, p.6094−6103.
  80. McNeal B.E."Speriosu V.S. Modelling strain distributions in ion-implanted magnetic bubble materials. J.Appl.Phys., 1981, v.52, n.6, p.3935−3940.
  81. Paine B.M., Speriosu V.S., Wielunski L.S., Glass H.L., liicolet M.A. Comparison of kinematical X-ray diffraction and backsca-ttering spectrometry strain and damage profiles in garnets, liucl. Inst .Meth., 1981, v.191,n. 1−3, p.80−86.
  82. Larson В, C., Barhorst J.F. X-ray study of lattice strain in boron implanted laser annealed silicon. J.Appl.Phys. 1980, v.50, n.6, p.3181−3185.
  83. Г. А., Придахин H.B., Смирнов JI.С. Отжиг радиационных дефектов импульсным лазерным облучением. Шиз. и техн. полупр., 1975, т. 9, н. 7, с. 1428−1429.
  84. А.В., Качурин Г. А., Нидаев Е. В., Смирнов JI.C. Импульсный отжиг полупроводниковых материалов. М., Наука, 1982, 208 стр.
  85. Dash. V/.С., Newman R. Intrinsic optical absorption in single crystal germanium and silicon at 77 and 300 K. Phys.Rev., 1955, v.99, n 6, p.1151−1157.
  86. Siregar M.R.T., Luthy W., Affolter V/. Dynamics of C02-laser heating in the processing of silicon. Appl.Phys.Lett. 1980, v.36, n.10, p.787−788.
  87. Baeri P., Campisano S.U., Foti G., Rimini E. A melting model for pulsing laser annealing of implanted semiconductors. J.Appl.Phys. 1979, v.50,n.2, p.788−797.
  88. Dumke W.P. On laser annealing and lattice melting. Phys. Lett., 1980, v. A78, n.5−6, p.477−480.
  89. Williams J.S., Brown W.L., Leamy H.J., Poate J.M., Rodgers J. W, Rosseau D., Rozgonyi G.A., Shellnutt J.A., Sheng T.^. Solidphase epitaxy of implanted silicon by cw Ar ion laser irradiation. Appl.Phys.Lett., 1978, v.33, n.6, p.542−544.
  90. Wautelet M., van Vechten J.A. Nonthermal pulsed laser annealing in silicon, plasma annealing. Phys. Lett1979, V. A74, n.6, p.422−426.
  91. IToga M. The theory of laser annealing of disordered semiconductors. Phys.Lett. 1980, V. A70, n. 1, p.91−95.
  92. Lo H.W., Compaan A. Raman measurement of lattice temperature during pulsed heating of silicon. Phys.Rev.Lett. 1980, v.44, n.24, p.1604−1607.
  93. Lowndes H.W. Time-resolved optical transmission and reflectivity of pulsed ruby-laser irradiated crystalline silicon. Phys.Rev.Lett. 1982, v.48, n. 1, p.267−271.
  94. Wood R. P, Lowndes H.W., Jellison G.E., Modine P.A. Melting model and Raman scattering during pulsed laser annealing of ion implanted silicon. Appl. Phys, Lett. 1982, v.41,n. 5, p.287−290.
  95. Nathan M.I., Hodgson R.T., Yoffa E*J. Time dependence of the reflectivity of Si at 633 and 488 nm during pulsed laser annealing. Appl.Phys.Lett. 1980, v.36, 11.7, p.512−513.
  96. I.Bentini G.G., Cohen C., Desalvo A., Drigo A, V. Laser annealing of damaged silicon covered with a metal film* Test for epitaxial growth from the melt. Phys.Rev.Lett. 1981. v.46, n.2, p.156−159.
  97. Sai-Halasz G.A., Hodgson R.T. Experimental test on the nonthermal theory of laser annealing using silicon on sapphire. Phys.Lett. 1980, v. A77, n.5, p.375−377.
  98. B.H., Зеленова O.B., Ковальчук Ю. В., Портной E.JI., Смирницкий В. В., Соколов И. А. Прямое наблюдение плавления полупроводника при импульсном лазерном отжиге. Письмав ЖГШ, 1982, т. 8, н. 22, с. 1365−1368.
  99. Dvurechensky A.V., Mustafin Т.IT., Smirnov L.S., Geiler H.D., Gotz G., Jahn U. Influence of thickness of damaged layers on the migration of dopants during laser annealing in implanted silicon, phys.stat.sol.(a), v.63, n.2, p. K203−206.
  100. Kurz H., Liu J.M. Pulsed laser annealing of semiconductors: experimental facts and open guestions. Physica, 1983, v. 117/118, p.1010−1013.
  101. Lietoila A., Gibbons J.P. Computer modeling on the temperature rise and carrier concentration induced in silicon by nanosecond laser pulses. J.Appl.Phys., 1982, v.53, n.6,p.3207−3213.
  102. Hayafuji Y., Aoki Y., Usui S. Direct measurement of the melt depth of silicon during laser irradiation. Appl.Phys.Lett. 1983, v.42, n.8, p.720−722.
  103. Auston D.H., Golovchenko J.A., Simons A.L., Surko C.M., Venka-tesan T.li.C. Dynamics of Q-switched laser annealing. Appl. Phys.Lett. 1979, v.34, n.11, p.777−779.
  104. Mayer J.R., Krues M.R., Bartoli J. Optical heating in semiconductors: Laser damage in Ge, Si, InSb, GaAs. J.Appl.Phys.- 1980., v.51, n.12, p.5513−5522.
  105. Bell A.E. Review and analysis of laser annealing. RCA Rev. 1979, v.40, n.3, p.295−338.
  106. Wilcox J.Z. Effect of carrier diffusion on laser heating of lightly damaged semiconductors. J.Appl.Phys., 1980, v.51, n.5, p.2866−2878.
  107. Auston D.H., Surko C.M., Venkatesan T.N.C., Slusher R.E., Go-lovchenko J.A. Time resolved reflectivity of ion implanted Si during laser annealing. Appl.Phys.Lett. 1978, v.33,n.5, p.437−440.
  108. Liu Y.S., Wang K.L. Transient optical reflectivity study of laser annealing of ion implanted silicon: Thresholds and kinetics. Appl.Phys.Lett. 1979, v.34, n.3, p.363−367.
  109. Rimini E., Baeri P., Campisano S.U.jFoti G. Rubi laser pulse effects in ion implanted semiconductors. AIP Conf.Ser., 1978, v.50, p.59−71.
  110. Csepregi L., Kennedy 3.P., Gallagher T.J., Mayer J.W., Sigmon T, W. Reordering of amorphous layers of silicon implanted with 31P, 75As and 11B ions. J.Appl.Phys. 1977, v.48, n.5, p.4234−4240.
  111. Matteson S., Revesz P., Parkas G., Gyulai J. Sheng.TTT. Epitaxial regrowth of Ar implanted amorphous silicon by-laser annealing. J.Appl.Phys. 198oO, v.51,n.5,p.2625−29.
  112. Muller H., Chu W, K., Gyulai J., Mayer J.V., Sigmon T.W., Cass T.R. Crystal orientation dependence of residual disorder in As-implanted silicon. Appl.Phys.Lett., 1975, v.26, n.4, p.292−294.
  113. Kimerling.C., Benton j.L. Defects in laser processed semiconductors. In: Laser and Electron Beam Processing of Materials. Academic Press 1980, p.385−396.
  114. Fan Z.K., Ho V.Q., Sugano T. Quenched defects in laser-annealing silicon. Appl.Phys.Lett., 1982, v.40, n.5, p.418−42o.
  115. Johnson li.M., Gold R.В., Gibbons J.P. Electronics defect levels in self ion implanted cw laser annealed silicon. Appl.Phys.Lett., 1979, v.34,n.12, p.704−706.
  116. Wang K.L., Liu Y.S., Burman C. Relationships of electrical properties and melting threshold in laser annealmd ion implanted silicon. Appl.Phys.Lett. 1979, v.35, n.4,p.263.
  117. Dederichs P.H. Diffuse scattering from defect clusters near Bragg reflections. Phys.Rev. 1971, v. B4,n., p.1041.
  118. Dietrich B., Forster E., Bottger R. Rocking curve measurements of polished CaFp-crys'tals. Kristall und Technik. 1977, v.12, n.6, p.609−615.
  119. З.Г. Рентгеновская кристаллооптика. M., Наука, 1982, 392 стр.
  120. Р. Оптические принципы дифракции рентгеновских лучей.- М., ИЛ 1950, 570 стр.- 185
  121. .И., Ревкевич Г. П. Теория дифракции рентгеновских лучей. М., Изд. МГУ 1972, 243 стр.
  122. James R. The dynamical theory «f X—ray diffraction.— Selid State Phys*, 1963, v, 15, n. 1s p. 53−220.
  123. Taupin D. Theorie dynamique de la difraction des rayons
  124. X par les cristaux deformes.- Thesis, Univ. de Paris, 1964»
  125. П.В. Брэгговская дифракция рентгеновских лучей на кристаллах с примесями. Шиз. твердого тела, 1974, т. 16, н. 9, с. 2168−2175,
  126. П.В. 0 возможности определения деформации тонкого легированного слоя дифракционными методами. Физ. твердого тела, 1975, т. 17, н. 10, стр. 2814−2816.
  127. Fukuhara A., Takano Y. Asymmetric X~ray Bragg-reflection and shallow strain distribution in silicon single crystals. J.Appl.Cryst•, 1977, v. 10, n. 4, p. 287−290.
  128. Д. Прикладное нелинейное программирование. -М., Мир, 1975, 534 стр.
  129. Berezhnov N. I, Stelmakh V.P., Chelyadinskii A.R. Interstitial type defects in ion implanted silicon, phys.stat. sol.(a), 1983, v.78, n.1, p. K121−125.
  130. Narayan J., White C.W. Pulsed laser melting of amorphous silicon layers. Appl.Phys.Lett. 1984, v.44, n.1, p.35−37
  131. Leamy H.J. Laser annealing and epitaxy. J.Vac.Sci.Technol. 1981, v.18, n.1, p.208−214.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!