Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Разработка фоточувствительных полупроводниковых приборов с отрицательной дифференциальной проводимостью

Диссертация: Разработка фоточувствительных полупроводниковых приборов с отрицательной дифференциальной проводимостью
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Одним из перспективных базовых электронных компонентов, способных найти широкое применение, являются полупроводниковые фотоприемники с отрицательной дифференциальной проводимостью обладающие ключевыми свойствами и позиционной чувствительностью. Фотоприемники такого типа имеют участок ОДП на выходных ВАХ И-образного вида. Применение такого типа приборов в узлах аппаратуры специального и бытового… Читать ещё >

Разработка фоточувствительных полупроводниковых приборов с отрицательной дифференциальной проводимостью (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Перечень используемых сокращений
  • 1. Основные свойства фоточувствительных полупроводниковых приборов и структур с отрицательным сопротивлением и отрицательной проводимостью
    • 1. 1. Классификация приборов с отрицательным сопротивлением и отрицательной проводимостью
    • 1. 2. Основные типы и свойства фоточувствительных приборов с отрицательным дифференциальным сопротивлением
    • 1. 3. Основные типы и свойства фоточувствительных приборов с отрицательной дифференциальной проводимостью
    • 1. 4. Методы моделирования полупроводниковых структур и приборов с отрицательным сопротивлением и отрицательной проводимостью
    • 1. 5. Области применения приборов с отрицательным сопротивлением и отрицательной проводимостью

Создание новых типов полупроводниковых приборов с положительной обратной связью (ПОС), имеющих Би 1чГ-образную вольт-амперную характеристику (ВАХ) с участком отрицательной дифференциальной проводимости (ОДП) и отрицательного дифференциального сопротивления (ОДС), управляемых оптическим излучениям является важной научно-технической задачей. Широкие функциональные возможности этих приборов дают возможность применения их в узлах мощной и маломощной автоматики, в СВЧэлектронике, бортовой электронике, в системах телекоммуникации, устройствах отображения и преобразования информации, нейроинформатике, системах мехатроники и микросистемной техники.

Вопросам разработки, моделирования и исследования приборов с ПОС посвящено большое количество работ отечественных и зарубежных авторов. В настоящее время практически решены основные вопросы теории известных приборов с положительной обратной связью, касающиеся физических процессов, приводящих к появлению участка ОДС и ОДП на ВАХ, принципа действия, свойств, основных типов приборов, моделирования ВАХ статических и динамических характеристик, а также их применения в различных узлах электронной техники. Однако появление новых полупроводниковых приборов с положительной обратной связью, имеющих Ы-образную вольт-амперную характеристику, содержащую участок отрицательной дифференциальной проводимости, имеющих новые структуры и реализующих методы оптического управления потоками носителей зарядов в структуре, является перспективным направлением в развитии полупроводниковых приборов с ПОС. Влияние на свойства полупроводниковых приборов с ПОС оптического излучения открывает перспективы применения их в качестве оптически управляемых автоматических переключателей для коммутации переменных и постоянных токов, в различного рода фотодатчиках, а также в позиционно-чувствительных фотодатчиках различного назначения.

Одним из перспективных базовых электронных компонентов, способных найти широкое применение, являются полупроводниковые фотоприемники с отрицательной дифференциальной проводимостью обладающие ключевыми свойствами и позиционной чувствительностью. Фотоприемники такого типа имеют участок ОДП на выходных ВАХ И-образного вида. Применение такого типа приборов в узлах аппаратуры специального и бытового назначения позволит значительно упростить многие схемные решения, обеспечит снижение массогабаритных показателей, повысить качество, надежность и эффективность электронной аппаратуры.

В соответствии с этим разработка новых фоточувствительных полупроводниковых приборов с отрицательной дифференциальной проводимостью является актуальной задачей.

Диссертационная работа состоит из введения, четырех глав, заключения, списка использованной литературы и приложения.

•Л' Результаты работы получены в ходе выполнения грантов: «Теоретические1 и экспериментальные исследования оптоэлектронных и полупроводниковых структур и приборов для информационно-телекоммуникационных систем», Отчет о НИР, Ульяновск, 2005 г., № гос.рег. 0120.0.600 139- Федеральная целевая программ «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России» на 2009;2013 гг., в рамках реализации мероприятия № 1.2.2 «Проведение научных исследований научными группами под руководством кандидатов наук» (Государственный контракт № П1158) — Федеральная целевая программ «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России» на 2009;2013 гг., в рамках реализации мероприятия 1.3.2 «Проведение научных исследований целевыми аспирантами» (Государственный контракт № П2142) — АВЦП «Развитие научного потенциалы высшей школы» (Per. номер № 2.1.2/10 783) — «Проведение научных исследований коллективами научнообразовательных центров в области оптики, лазерной физики и лазерных технологий» (Государственный контракт № 2 740.11.0224).

Результаты диссертационной работы использованы при проектировании преобразователя угла поворота для датчиков аэродинамических углов «Ульяновским конструкторским бюро приборостроения» (ОАО «УКБП») (Приложение 1).

Результаты диссертации используются в образовательном процессе кафедры радиофизики и электроники Ульяновского государственного университета при изучении дисциплин «Микроэлектроника» и «Оптоэлектронные устройства» (Приложение 2).

Дальнейшие исследования по теме диссертации могут быть направлены на проведение более детального анализа физических процессов и механизмов формирования участка ОДП позиционно-чувствительных фотоприемников с 14-образной вольт-амперной характеристикой, разработок вариантов структур подобных приборов в интегральном исполнении для применения их в качестве позиционно-чувствительных фотодатчиках различного назначения.

Заключение

.

В ходе проведения исследований и разработок по теме диссертации получены следующие основные теоретические и практические результаты:

• Разработан интегральный позиционно-чувствительный полупроводниковый фотоприемник на основе пятислойной полупроводниковой структуры с М-образной вольт-амперной характеристикой. В результате физико-топологического и математического моделирования и экспериментального исследования такого фотоприемника показано, что в зависимости от пространственного положения светового зонда на фотоприемнике происходит увеличение тока пика Ы-образной вольт-амперной характеристики, либо его уменьшение вплоть до полного исчезновения Ы-участка на вольт-амперной характеристике, то есть такой фотоприемник является позиционно-чувствительным.

• Разработан фоточувствительный полупроводниковый прибор с передаточной М-образной ВАХ на основе комбинации двух элементов с Ы-образной вольт-амперной характеристикой, один из которых включен в.

• управляющую цепь второго. Проведенное математическое, > |физико-: ^ А топологическое моделирование и экспериментальное исследование, показывает, что такой прибор имеет М-образные статические передаточную и выходную характеристики, что обеспечивает ограничение максимальных рабочих токов во входной и выходной цепях, то есть защиту от перегрузок.

• Разработан комбинированный полупроводниковый позиционно-чувствительный прибор с И-образной вольт-амперной характеристикой на базе полупроводникового позиционно-чувствительного фотоприемника и полупроводникового прибора с М-образной вольт-амперной характеристикой, проведено его моделирование и экспериментальное исследование, в результате чего показано, что ток пика И-образной вольт-амперной характеристики комбинированного позиционно-чувствительного фотоприемника линейно зависит от координаты светового зонда на поверхности фоточувствительной области линейного или дугового фотоприемника, что позволяет использовать такой фотоприемник в качестве координатного или углового управляемого фотопереключателя.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Н.А. Негатроника. Исторический обзор // МОО «Наука и Техника». -2000. 17 июня Электронный ресурс. URL: http://www.n-t.ru/tp/in/nt.htm (дата обращения: 10.01.2010).
  2. С.А., Абезгауз И. Д. Полупроводниковые приборы с отрицательным сопротивлением. -М.: Энергия, 1970. -320 с.
  3. Негатроника / Серьезное А. Н., Степанова JI.H., Гаряинов С. А. и др. -Новосибирск: Наука. Сибирская издательская фирма РАН, 1995. -315 с.
  4. Туннельные диоды / Под ред. В. И. Фистулля. -М.: Иностр. Лит., 1961.
  5. Esaki L. New phenomenon in narrow germanium p-n junctions. // Phys. Rev. -1958.-vol. 109.-P. 603.
  6. E.B. Туннельные диоды в приемно-усилительных устройствах. -М.: Энергия, 1967. -56 с.
  7. А. С., Вальд-Перлов В. М., Лавннно-пролётные диоды и их применение в технике СВЧ. -М.: Сов. радио, 1968.
  8. Coleman D.I., Sze S.M. A low-noise metal-semiconductor-metal (MSM) microwave oscillator// Bell System Tech.J. -1971. -vol.50. -P. 1695−1699., ' -. <
  9. Gunn J. B. Microwave Oscillation of Current in III—V Semiconductors // Solid State Communications. -1963. -vol. 1. -№ 4. -P. 88−91.
  10. Read W.T. A proposed high frequency negative resistance diode // Bell system tech. J. -1958, -№ 37. -P. 401.
  11. Martin Domeij et al Avalanche injection in high voltage Si PiN diodes // Phys. Scr. -1997, -vol. 69. -P. 134−137.
  12. .Т., Лебедев Э. В., Таксими И. А. Основные параметры переключателей на основе халькогенидных стеклообразных полупроводников // ФТП. 1965. -№ 5. -С. 731−735.
  13. И.Я., Литвак И. И., Ощепков Н. А. Приборы на аморфных полупроводниках и их применение. М.: Сов. радио, 1976. — 129 с.
  14. Капо, G. The lambda diode: versatile negative-resistance device // Electronics. -1975.-vol.48.-N13.-P. 105−109.
  15. В.И., Викулин И.М. S-диоды полупроводниковые приборы и их применение / Под ред. Я. А. Федотова. -М.: Сов. Радио. -1974. -Вып. 28. -С. 28−56.
  16. Г. Датчики / пер. с нем. -М.: Мир, 1989. -196 с.
  17. В.П. Лавинные транзисторы и их применение в импульсных устройствах. -М.: Советское радио, 1973. -208 с.
  18. Holonyak, N. Double Injection Diodes and Related DI Phenomena in Semiconductors // Proceedings of the IRE. -1962, -vol. 50. -№ 12. -P. 2421−2428.
  19. А. Физика тиристоров / пер. с англ. -Л.: Энергоиздат, 1981. -264 с.
  20. П. Расчет и проектирование тиристоров / пер. с англ. -М.: Энергоатомиздат, 1990. -208 с.
  21. В. Тиристоры / пер. с нем. -М.: Энергоатомиздат, 1985. -328 с.
  22. N. DeWolf The binistor a new semiconductor device // Electronic Industries. -1960.-vol. 19.-P. 84−87.
  23. В.П., Семенова O.B. Переключающие устройства на лямбда^'-, транзисторах // Приборы и техника эксперимента. -1977, -№ 5. -С.96.
  24. М.В., Стафеев В. И. Инжекционно-полевой транзистор // Радиотехн. и электрон. -1971. -Т. 16. -№ 10. -С. 1894−1911
  25. В.И., Ван-Шоу-цзюе, Филина Л.В. Триоды с N-образной характеристикой // Радиотехн. и электрон. -1962. -Т. 7. -№ 8. -С. 1404−1408.
  26. Г. И. Модуляционные транзисторы перспективные элементы функциональных схем // Электрон, промышленность. -1978. -№ 3. -С.6−23.
  27. Pohl R.G. The nesistor—A semiconductor negative resistance device // IRE Transactions on Electron Devices. -1959. -vol. 6. -№ 3. -P. 278−287.
  28. Syrzycki, M. Negative-resistance MOS transistor // IEEE Transactions on Electron Devices. -1991. -vol. 38. -№ 8. -P. 1808−1814.
  29. K.F. Yarn, Y.H. Wang, C.Y. Chang, M.S. Jam A new GaAs bipolar-unipolar transition negative differential resistance device (BUNDR) // International Electron Devices Meeting. -1987. -P. 74- 77.
  30. Chen J., Yang C.-H., Wilson, R.A. Experimental realization of a new transistor // IEEE Transactions on Electron Devices. -1993. -vol. 40. -№ 2. -P. 267−272.
  31. Bigelow J.M., Leburton J.P. Self-consistent modeling of resonant interband tunneling in bipolartunneling field-effect transistors // IEEE Transactions on Electron Devices. -1994. -vol. 41. -№ 2. -P. 125−131.
  32. Mimura T. Voltage-controlled DNR in unijunction transistor structure // IEEE Transactions on Electron Devices. -1974. -vol. 21. -№ 9. -P. 604- 605.
  33. И.Г., Сергиенко Е. Ф. Однопереходные транзисторы. -M.: Энергия, 1974.-104 с.
  34. Rindner W. The bonded NR diode, a current-controlled negative-resistance diode // IRE Transactions on Electron Devices. -1961. -vol. 8. № 5. -P. 425−426.
  35. Thomas R.E.- Haythornthwaite R.F.- Chin W.A. The NEGIT A surface-controlled negative impedance transistor // IEEE Transactions on Electron Devices. -1977. -vol. ED-24. -P. 1070−1076.
  36. C.A., Тиходеев Ю. С. Физические модели полупроводниковых приборов с отрицательным сопротивлением. -М.: Радио и связь, 1997. -276 с.
  37. McDonald R.J., Fossum J.G., Shibib М.А. A physical model for the conductance of gated p-i-n switches // IEEE Transactions on Electron Devices. -1985. -vol. 32. -№ 7. -P. 1314- 1320.
  38. Jamaguchi J. On the inductive reactance and negative resistance the transistor. Journal Physical Society of Japan, 1956, V. l 1, p. 717.718.
  39. Chua L.O., Yu J., Yu Y. Bipolar-JFET-MOSFET Negative Resistance Devices // IEEE. Transactions on Circuits and Systems. 1985. -№ 1. — P. 46−61.
  40. B.E., Матсон Э. А., Мельничук B.B. Полупроводниковые биполярно-полевые структуры // Зарубежн. электрон, техника. 1981. — № 10 (244).-50 с.
  41. А. А., Басканов Е. Н., Степанова Л. Н. Радиотехнические устройства на транзисторных эквивалентах р-п-р-п-структуры. — М.: Радио и связь, 1982.- 104 с.
  42. С.Г., Гурин Н. Т. Схемотехнические аналоги симметричных негатронов // МСТ. 2004. — № 12. — С. 27−30.
  43. В. Я., Кондратьев Б. В. Тиристоры. -М.: Сов. радио, 1980. -64 с.
  44. Lamp containing phase-control power controller with analog rms load voltage regulation: пат. US 7,199,532B2 США. Опубл. 3.04.07. 1 le.,
  45. Motor starter device having reduced power consumption: пат. US 7,061,204 B2 США. Опубл. 13.06.06. 14c.
  46. Thyristor-type memory device: Patent №: US 7,365,373 B2. Appl. №: 11/206,627, 18.08.2005- Date of Patent: 29.04.2008.
  47. Memory cell using negative differential resistance field effect transistors: пат. US 6,724,655 B2 США. Опубл. 20.04.04. 11c.
  48. Thyristor-based content addressable memory (CAM) cells: Patent №: US 6,845,026 Bl. Appl. №: 10/452,216, 30.05.2003- Date of Patent: Jan. 18,2005.
  49. Dynamic data restore in thyristor-based memory device: Patent №: US ' '6,885,581 B2. Appl. №: 10/472,737, 05.04.2002- Date of Patent: 26.04.2005/
  50. Thyristor-based SRAM and method for the fabrication thereof: пат. 6 849 481 США. Опубл. 2005.
  51. Thyristor-based SRAM: пат. 7 148 522 США. Опубл. 2006.
  52. Multiple-valued logic circuit: пат. 5 773 996 США. Опубл. 1998.
  53. Telecommunications switch array with thyristor addressing: Pub. №: US 2008/128 742 Al. Appl. №: 11/735,953, 16.04.2007- Pub. Date: 05.06.2008.
  54. Ю.А. Полупроводниковые приборы для мощных высоковольтных преобразовательных устройств.-М.: Энергия, 1978.
  55. Планарный переключающий полупроводниковый прибор: пат. 2 062 532 Рос. Федерация. Опубл. в Б.И. № 17,1996.
  56. AC voltage triac regulator: Patent №: US 6,621,254 Bl. Appl. №: 10/119,363, 09.04.2002- Date of Patent: 16.09.2003.
  57. MOSFET controlled thyristor: пат. 5 444 273 США. Опубл. 1995.
  58. MOS control thyristor: пат. 5 122 854 США. Опубл. 1992.
  59. Qin Zuxin, Narayanan E.M.S., De Souza M.M. A lateral MOS-controlled thyristor-enhanced insulated gate bipolar transistor // Solid-State Electronics. -1999. -Vol. 43. -№ 10. -P. 1845−1853.
  60. Field-effect transistor and thyristor: Pub. №: US 2006/267 022 Al. Appl. №: 11/369,766, 08.03.2006- Pub. Date: 30.11.2006.
  61. Integrated field-effect transistor-thyristor device: Pub. №: US 2007/114 565 Al. Appl. №: 11/285,801, 23.11.2005- Pub. Date: 24.05.2007.
  62. MOS-controlled thyristor using a ource cathode elecrode as the gate electrode of a MOSFET element: пат. 5,856,683 США. Опубл. 5.01.99. 8c.
  63. Г. С., Удалов Н. Г. Фототиристоры. -М.: Энергия. -1971. -104 с.
  64. А.А., Стафеев В. И. Четырехслойные структуры управляемые светом // Радиотехн. и электрон. -1967. Т.12, № 1. — С.165−167.
  65. Light controllable thyristor: пат. US patent 4,001,865 США. Опубл. 1975.
  66. Light activated semiconductor device: пат. US patent 4,404,580 США. Опубл. 24.07.1980. '. «' V/ Л >
  67. Light triggered triac device and method of driving the same: пат. 5 345 094 США. Опубл. 1994.
  68. Р.И., Тетерьвова Н. А., Белая С. Н., Насекан О. С. Новые типы силовых оптронных тиристоров // Электротехника. -1988. -№ 5. С.5−6.
  69. Ю.А., Крылов С. С. Симисторы и их применение в бытовой электроаппаратуре. -М.: Энергоатомиздат, 1990. -120 с.
  70. Симметричный тиристор: А.с. 349 356 СССР. Опубл. в Б.И., 1988. № 20.
  71. И.И. Симметричные тиристоры. М.: Знание, 1970. — 47 с.
  72. A.M. Применение симметричного тиристора в радиоэлектронике // Электрон, промышленность. -1974. № 9. — С. 46−49.
  73. Двунаправленный фототиристор: пат. 2 645 513 ФРГ. Опубл. в Б.И., 1979.
  74. Двунаправленный фототиристор: пат. 2 525 329 ФРГ. Опубл. в Б.И., 1980.
  75. А.с. 435 745 СССР. Опубл. в Б.И., 1988. № 20.
  76. Photothyristor device, bidirectional photothyristor device and electronic: пат. US 2005/45 908 Al, США. Опубл. 2004.
  77. Фотосимистор: А.с. 435 745 СССР. Опубл. в Б.И., 1985. -№ 5.
  78. Двунаправленный фототиристор: пат. 2 525 329 ФРГ. Опубл. в Б.И., 1980,
  79. Фотосимистор на основе полупроводниковой структуры: пат. 2 022 412 Рос. Федерация. Опубл. в Б. И., 1994. № 20.
  80. Оптотиристор: пат. 2 185 690 Рос. Федерация. Опубл. 2002.
  81. Симисторные оптопары / Бакланов С. Б., Гайтан В. В., Турин Н. Т. и др. // Электрон, промышленность. -1992. -№ 1. —С.51.
  82. Ю.А., Тетерьвова Н. А., Белая С. Н. Оптронный симистор средней мощности // Электротехн. промышленность. Преобразоват. техн. 1975. -№ 9(127).-С. 8−10.
  83. JI. И. Широко диапазонные генераторы на негатронах. М.: Радио и связь, 1982. — 89 с.
  84. Self oscillating mixer: пат. 6 594 478 США. Опубл. 2003.
  85. Mazumder, P. Kulkarni, S. Bhattacharya, М. Лап Ping Sun Haddad, G.I. Digital circuit applications of resonant tunneling devices // Proceedings of the IEEE. ←' 1998. — vol. 86. — № 4. -P. 664−686.
  86. Baliga B.J. GAMBIT, Gate Modulated Bipolar Transistors. // Solid State Electronics. 1975. — vol.18. — № 11. — P. 937−941.
  87. Insulated-gate field-effect transistor integrated with negative differentia. resistance (NDR) FET: пат 7,186,619 США. Опубл. 2007.
  88. Negative differential resistance field effect transistor (NDR-FET) and circuits using the same: пат. US 6,559,470 B2 США. опубл. 06.05.03. 18c.
  89. Insulated-gate field-effect transistor integrated with negative differential resistance (NDR) FET: пат. US 6,754,104 B2 США. Опубл. 22.01.04. 35c.
  90. Gate modulated bipolar transistor: пат. 4 032 961 США. Опубл. 1977.
  91. Negative-differential-resistance heterojunction bipolar transistor with topee-shaped current-voltage characteristics: пат. US 6,459,103 B1 США. Опубл. 01.10.02. 11c.
  92. Differential negative resistance HBT and process for fabricating the same: пат. US 6,528,828 B2 США. Опубл. 04.03.03. 14c.
  93. CMOS compatible process for making a tunable negative differential resistance (NDR) device: пат. US 6,596,617 B1 США. Опубл. 22.07.03. 16c.
  94. Porter J.A. JFET transistor fields device with negative resistance // IEEE Trans. Electron. Devices. 1976. — vol.23. — P. 1098−1099.
  95. Пат. 279 937/84 Япония. Опубл. 1986.
  96. ESD protection design with turn-on restraining method and structures пат. US 6 815 775 США. Опубл. 2004.
  97. Устройство для защиты оборудования от перенапряжений: пат. 2 190 916 Рос.Федерация. опубл. 10.10.2002.
  98. Способ ограничения выходного тока: пат. 2 101 850 Рос.Федерация. опубл. 1998.
  99. Protective device against excessive currents, in particular for resettable protection of a controlled switch: пат. US 6,342,994 США. Опубл. 29.01.02. 5c-
  100. Thyristor circuit providing overcurrent protection to a low impedance load: пат. US 6,862,162 B2 США. Опубл. 1.03.05. 11c.
  101. Triac with a holding voltage that is greater than the dc bias voltages that are on the to-be-protected nodes: пат. US 6,541,801 B1 США. Опубл. 1.04.03. 11c.
  102. Интегральный транзистор с защитой от перенапряжений: пат. 2 175 461 Рос. Федерация. Опубл. 1998.
  103. Полупроводниковый прибор с самозащитой от пробоя в период восстановления запирающих свойств: пат. 229 775 Рос. Федерация. Опубл. 2007
  104. Полупроводниковый прибор с самозащитой от перенапряжений: пат. 2 279 735 Рос. Федерация. Опубл. 2006.
  105. Ching-Yuan Wu, Chung-Yu Wu, Hong-Dah Sheng A new photo-sensitive voltage-controlled differential negative resistance device—The lambda bipolar phototransistor // IEEE Electron Device Letters. -1980. -vol. 1. -№. 5. -P. 81- 82.
  106. И.А., Турин H.T. Фоточувствительный кремниевый биполярный N-прибор с управляемой вольт-амперной характеристикой // Письма в ЖТФ. -2005. -Т.31, -№ 13. -С.46−49.
  107. И.А., Турин Н. Т. Фоточувствительные кремниевые биполярные N-приборы с управляемой вольт-амперной характеристикой // Нано и микросистемная техника. -2005. -№ 6. -С.39−42.
  108. И.А., Турин Н. Т. Динамические характеристики фоточувствительных биполярных N-приборов с управляемой вольт-амперной характеристикой // Нано- и микросистемная техника. -2005. -№ 10. -С 35−39.
  109. И.А., Турин Н. Т. Температурные характеристики биполярных N-приборов с управляемой вольт-амперной характеристикой // Нано- и микросистемная техника. -2006. -№ 6. -С. 41−43.
  110. И. А. Каштанкин, Н. Т. Турин N-транзисторные оптроны // Нано- и микросистемная техника. 2006. — № 8. — С. 37−39.Iь, 1 * '
  111. Kwang-Jow Gan, Dong-Shong Liang, cher-Shiung Tsai, Yaw-Hwang Chen. i i
  112. Shin-in. Kuo OR and NOR logic Circuit Design Using Negative Differential Resistance Device Fabricated by CMOC Process// APCCAS 2005, pp. 813−816.
  113. Dong-Shong Liang, Cheng-Chi Tai, Kwang-Jow Gan, cher-Shiung Tsai, Yaw-Hwang Chen Design of AND and NAND Logic Gate Using NDR-Based Circuit Suitable for CMOS Process// APCCAS 2006 pp. 1325−1328.
  114. Kevin J. Chen, Tomoyuki Akeyoshi, Koichi Maezawa Monostable-Bistable Transition Logic Elements (MOBILEs) Based on Monolithic Integration of Resonant Tunneling Diodes and FETs // Jpn. J. Appl. Phys. 1995. — № 34. -P. 1199−1203.
  115. Gan, K.-J. Chen, Y.-H. Tsai, C.-S. Su, L.-X. Four-valued memory circuit using three-peak MOS-NDR devices and circuits // Electronics Letters. 2006. -vol. 42. -№ 9, -P. 514−515.
  116. Memory cell having negative differential resistance devices: пат. US 5 953 249 США. Опубл. 1999.
  117. SRAM cell employing tunnel switched diode: пат. US 6 396 731 США. Опубл. 2002.
  118. Akinwande, D. Wong, H.-S.P. A Composite Circuit Model for NDR Devices in Random Access Memory Cells // IEEE Transactions on Electron Devices. -2005. -vol. 54. № 4.-P. 776−783.
  119. J.P.A. van der Wagt Tunneling-based SRAM // Proceedings of the IEEE. -1999. -vol. 87. -№ 4. -P. 571−595.
  120. Memory cell having negative differential resistance devices: пат. 5 883 829 США. Опубл. 1999.
  121. Negative differential resistance (NDR) elements and memory device using the same: пат. 7 098 472 США. Опубл. 2006.
  122. MATLAB The Math Works http://www.mathworks.com/products/matlab/ /(дата обращения 10.01.2010).
  123. Maplesoft // URL: http://www.maplesoft.com/products/maple/ / (дата обращения 10.01.2010).
  124. Mathematica http://www.wolfram.com/mathematica/ (дата обращения 10.01.2010).
  125. Scilab // URL: http://www.scilab.org/ (дата обращения 10.01.2010).
  126. Maxima // URL: http://maxima.sourceforge.net/ru/ (дата обращения 10.01.2010).
  127. Axiom // URL: http://axiom-developer.org/ (дата обращения 10.01.2010).
  128. SUPREM // URL: http://www-tcad.stanford.edu/ (дата обращения 10.01.2010).
  129. Atlas // URL: http://www.silvaco.com/products/device simulation/atlas.html (дата обращения 10.01.2010).
  130. В.Я. Физико-топологическое моделирование структур элементов БИС. Книга 5. Серия Автоматизация проектирования БИС -М.: Высшая школа 1990, — 144с
  131. PISCES // URL: http://www-tcad.stanford.edu/tcad/programs/pisces.html (дата обращения 10.01.2010).
  132. GSS // URL: http://gss-tcad.sourceforge.net/ (дата обращения 10.01.2010).
  133. Ngspice // URL: http://ngspice.sourceforge.net/ (дата обращения 10.01.2010).
  134. Роберт Хайнеманн Визуальное моделирование электронных схем в PSPICE -М.: ДМК ПРЕСС, 2008. -336 с. 135. gEDA // URL: http://www.gpleda.org/index.html (дата обращения 10.01.2010).
  135. KICAD // URL: http://www.lis.inpg.fr/realise au lis/kicad/ (дата обращения 10.01.2010).
  136. OrCAD // URL: http://www.cadence.com/products/orcad/Pages/default.aspx (дата обращения 10.01.2010).
  137. Cogenda Genius Tcad // URL: http://cogenda.com/OiaTa обращения 10.01.2010)
  138. Silvaco // URL: http://www.silvaco.com/ (дата обращения 10.01.2010).'
  139. Synopsis // URL: http://www.svnopsvs.com/home.aspx (дата обращения 10.01.2010).
  140. Бонч-Бруевич B.JI., Калашников С. Г. Физика полупроводников. Учеб. пособие для вузов 2-е изд., перераб. и доп. — М.: Наука. Гл. ред. физ.-мат. лит. 1990. — 688 с.
  141. В.Ф. Золотарев Безвакуумные аналоги телевизионных трубок. -М.: Энергия. 1972. —216 с
  142. Н.С. Основы теории транзисторов. — Киев: Техника, 1975. -360 с.
  143. Н.Т., Соломин Б. А. Перспективные средства отображения информации. // -Саратов: Изд-во Саратовского Университета, 1986. -116 с.
  144. С.Г. Новиков, Н. Т. Турин, И. В. Корнеев Моделирование фотоприемника с отрицательной проводимостью на основе полупроводниковой структуры // Известия вузов. Электроника, 2006 — № 4 — С. 88 — 89.
  145. С.Г. Новиков, Н. Т. Турин, И. В. Корнеев, М. А. Терентьев Устройство позиционирования на базе полупроводникового позиционно-чувствительного фотодатчика с отрицательной проводимостью // Нано- и микросистемная техника 2007 — № 12 — С. 58−60.
  146. С.Г. Новиков, Н. Т. Турин, И. В. Корнеев Моделирование и исследование биполярного транзистора с передаточной N-образной вольт-амперной характеристикой // Известия вузов. Электроника 2010 — № 4(84) — С. 14−19.
  147. С.Г. Новиков, Н. Т. Турин, И. В. Корнеев Моделирование и исследование негатрона с передаточной N-образной вольт-амперной характеристикой // «Нано-и микросистемная техника"-2010-№ 4 С. 17−24. ' 1
  148. С.Г. Новиков, Н. Т. Турин, И. В. Корнеев, В. А. Родионов Двухполюсный позиционно-чувствительный фотодатчик с отрицательной дифференциальной проводимостью. // «Нано- и микросистемная техника» 2010 — № 12 — С. 35−37.
  149. Н.Т. Турин, С. Г. Новиков, И. В. Корнеев, А. А. Штанько, В. А. Родионов Позиционно-чувствительный фотоприемник для фотоэлектрических преобразователей углов поворота // Письма в Журнал Технической Физики -2011 том 37, вып. 6 — С.57−62.
  150. Патент № 2 428 765 Российская Федерация. Полупроводниковый прибор со встроенной защитой в цепях управления и нагрузки / С. Г. Новиков, Н. Т. Турин, И.В. Корнеев- заявитель и патентообладатель Ульяновский государственный университет. опубл. 10.09.2011.
  151. С.Г. Новиков, Н. Т. Гурин, И. В. Корнеев Моделирование N -фотоприемника. // Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники: труды десятой международной научно-техническойконференции. 2006 — Таганрог: Изд-во 11 РУ — С. 261−263."1 * 'Ч С
  152. С.Г. Новиков, Н. Т. Гурин, И.В. ¦ Корнеев (Полупроводниковыйtпозиционно-чувствительный фотодатчик с отрицательной проводимостью. // Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы: Труды IX международной конференции 2007 — Ульяновск, УлГУ — С. 62.
  153. С.Г. Новиков, Н. Т. Гурин, И. В. Корнеев Моделирование и исследование биполярного транзистора с передаточной М-образной вольт-амперной характеристикой. // Радиоэлектронная техника: межвузовский сборник научных трудов 2009 — Ульяновск: УлГТУ — С. 14−20.
  154. И.В. Корнеев Многослойные фотоприемники с отрицательной проводимостью. // Актуальные проблемы физической и функциональнойэлектроники, материалы 12-й региональной научной школы-семинара 2009 -Ульяновск: УлГТУ — С. 46−48.
  155. С.Г. Новиков, Н. Т. Гурин, И. В. Корнеев Позиционно-чувствительные фотоприемники для фотоэлектрических преобразователей координат и углов // Радиоэлектронная техника: межвузовский сборник научных 2010 -Ульяновск: УлГТУ — С. 20−26.
  156. С.Г. Новиков, Н. Т. Гурин, И. В. Корнеев, В. А. Родионов Позиционный фотодатчик. // Труды международной конференции «Современные проблемы наноэлектроники, нанотехнологий, микро- и наносистем».- 2010 Ульяновск: УлГУ- С.199−201.
  157. Н.Т. Гурин, И. В. Корнеев, А. Н. Максин, С. Г. Новиков Позиционно-чувствительный комбинированный прибор с N-образной вольт-амперной характеристикой. // Материалы IV российского семинара по волоконным лазерам 2010 — Ульяновск: УлГУ — С. 125.
  158. С.Г. Новиков, Н. Т. Гурин, И. В. Корнеев Позиционно-чувствительный фотоприемник. // Опто- наноэлектроника, нанотехнологии, микросистемы, труды XII международной конференции 2010 — Ульяновск: УлГУ — С. 18.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!