Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Системы считывания для многоэлементных ИК ФПУ третьего поколения

Диссертация: Системы считывания для многоэлементных ИК ФПУ третьего поколения
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Разработаны схемотехнические принципы построения устройств считывания для многоэлементных гибридных ИК ФПУ на основе ПЗИ элементов. Показано, что в коротковолновом ИК диапазоне до 3−3.5 мкм гибридные ИК ФПУ на основе ПЗИ элементов не только не уступают, но имеют ряд преимуществ перед гибридными ИК ФПУ на основе фотодиодов. Совместная разработка и оптимизация топологии фотоприемных элементов… Читать ещё >

Системы считывания для многоэлементных ИК ФПУ третьего поколения (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Общая характеристика работы
  • Глава 1. Современное состояние и перспективы развития многоэлементных ИК фотоприемных устройств (литературный обзор)
    • 1. 1. Гибридные многоэлементные ИК ФПУ
      • 1. 1. 1. Кремниевые устройства считывания для гибридных ИК ФПУ
      • 1. 1. 2. Устройства считывания с режимом временной задержки и накопления
      • 1. 1. 3. Устройства считывания с интегрированными системами препроцессорной обработки сигналов
    • 1. 2. Многоэлементные ИК ФПУ на основе МДП фотоприемных элементов
      • 1. 2. 1. Монолитные ИК ФПУ на основе ПЗС, ПЗИ
      • 1. 2. 2. Принцип работы ПЗИ элементов
      • 1. 2. 3. Технология изготовления фоточувствительных 1пАб
  • ПЗИ элементов
    • 1. 2. 4. Фотоэлектрические параметры ПЗИ элементов на арсениде индия
    • 1. 2. 5. Устройства считывания с МДП фотоприемников для гибридных ИК ФПУ
    • 1. 3. Выводы к главе 1
  • Глава 2. Анализ системы фотодиод-прямоинжекционое устройство ввода в гибридных многоэлементных ИК ФПУ
    • 2. 1. Математическая модель системы: ИК фотодиод-прямоинжекционное устройство считывания
    • 2. 2. Примеры модельных расчетов системы
    • 2. 3. Моделирование системы фотодиод-прямоинжекционное устройство считывания с использованием экспериментальных ВАХ фотодиодов
    • 2. 4. Оптимизация спектрального диапазона тепловизионных систем на основе Hgi. xCdxTe фотодиодов в длинноволновом диапазоне

В настоящее время ведутся разработки ИК ФПУ следующего, третьего поколения. К числу приоритетных задач относится совершенствование муль-тиспектральных ИК ФПУ. Регистрация объектов одновременно в нескольких спектральных диапазонах позволит существенно повысить вероятность обнаружения и идентификации объектов, независимо от фоновой обстановки, помех и погодных условий. Значительные усилия направлены на освоение технологий выращивания на кремниевой пластине с изготовленными устройствами считывания эпитаксиальных слоев узкозонных полупроводниковых материалов, многослойных структур с квантовыми ямами ваАз/АЮаАз, 1п.

Аз/Оа1п8Ь, что позволит избежать дорогостоящей операции гибридной сборки.

Многие исследователи подчеркивают, что функциональные возможности, массогабаритные характеристики, энергопотребление и стоимость тепловизи-онных систем третьего поколения главным образом будут определяться кремниевыми системами считывания. Сложность задач, налагаемых на кремниевые устройства, во многом обусловлены низкой контрастностью изображения в ИК диапазоне. Так в спектральном диапазоне 8−14 мкм контрастность изображения при комнатной температуре фона составляет всего -0.1% при разности температур сцены ~ 1 К. Неоднородность параметров многоэлементных ИК фотоприемников, передаточных характеристик многоканальных устройств считывания приводит к значительно большему, по сравнению с информационными компонентами разбросу сигналов. Повышаются, по сравнению с ФПУ видимого диапазона, требования к временной стабильности всех компонент ИК ФПУ. Поэтому необходима предварительная, предпроцессорная обработка фотосигналов (формирование ИК видеосигналов) и периодическая калибровка фотосигналов по эталонному источнику ИК излучения. Системы формирования ИК видеосигналов, калибровки, охлаждения фоточувствительного модуля ИК ФПУ до криогенных температур во многом определяют массогабаритные характеристики, потребляемую мощность и стоимость тепловизионных систем.

Выделим ряд нерешенных проблем многоэлементных ИК ФПУ.

1. Современные кремниевые устройства считывания обеспечивают не только считывание сигналов с многоэлементных ИК фотоприемников и их передачу на ограниченное количество внешних выходов, но и решают все более широкий круг задач. Уже сейчас становится стандартной структура устройства считывания с «командным» регистром, обеспечивающая возможность оперативно изменять режимы работы ИК ФПУ, такие как выбор произвольного окна — «оконный режим», изменение времени накопления, кадровой частоты. Для многоэлементных ИК ФПУ, также как и для любых развивающихся функциональных устройств, после достижения определенного уровня (второе поколение ИК ФПУ), основной задачей становится создание интегрированных функционально полных систем. Для ИК ФПУ понятие функционально полной системы включает формирование ИК видеосигналов и решение части задач по обработке сигналов, таких как распознавание образов и т. д. В тепловизион-ных системах третьего поколения эти задачи должны решаться кремниевыми устройствами (системами), интегрированными с устройствами считывания в фокальной плоскости ИК ФПУ. Разработка системных и схемотехнических решений обработки в режиме реального времени огромных массивов информации с многоэлементных ИК фотоприемников является самостоятельным, научно — техническим направлением.

Попытки создать устройства начальной предпроцессорной обработки сигналов, интегрированных с устройствами считывания, начались практически одновременно с разработкой многоэлементных ИК ФПУ, однако решить эти проблемы не удалось и, до сих пор, формирование ИК видеосигналов и* начальная обработка видеоизображений осуществляется во внешних устройствах вне фокальной плоскости ИК ФПУ.

2. В важнейшем для ИК ФПУ спектральном диапазоне 8−14 мкм преимущественно применяются устройства ввода с прямой инжекцией заряда (ПИ). Однако анализ этой системы до наших работ ограничивался качественными оценками, не позволяющие выявить основные факторы, лимитирующие параметры ИК ФПУ на их основе. Одной из немногих, нерешенных проблем матричных ИК ФПУ второго поколения является ограничения зарядовой емкости устройств считывания [4]. Зарядовая емкость существующих устройств считывания позволяет использовать всего несколько процентов от информационного сигнала и, поэтому, температурное разрешение тепловизионных систем (NETD) более чем на порядок величины хуже теоретического предела.

3. В 70−80 годах XX века интенсивно велись исследования МДП структур на узкозонных полупроводниковых материалах. Интерес к МДП структурам объяснялся стремлением разработать многоэлементные ИК ФПУ на приборах с зарядовой связью (ПЗС), приборах с инжекцией заряда (ПЗИ), аналогичные кремниевым многоэлементным ФПУ видимого диапазона [3]. Позднее, с освоением гибридной сборки на индиевых микростолбах, основные усилия были направлены на реализацию на основе ИК фотодиодов гибридных ИК ФПУ. В ИФП им. A.B. Ржанова СО РАН продолжались комплексные работы по исследованию InAs МДП структур и, на их основе удалось реализовать гибридные многоэлементные ИК ФПУ.

Еще в 80 годы проблемы связанные с разработкой кремниевых систем считывания оценены следующим образом: «Съем и параллельная обработка одновременно генерируемых фотодетекторами сигналов является главной трудностью реализации больших мозаик фото датчиков» [5]. Эта оценка роли устройств считывания остается справедливой и в настоящее время [6] и подчеркивает актуальность решаемых в диссертационной работе задач.

Целью диссертационной работы является разработка структурных и схемотехнических решений построения устройств (систем) считывания, решающих ключевые проблемы развития многоэлементных ИК ФПУ третьего поколения.

Поставленная цель предусматривает решение следующих основных задач:

— разработка структурных и схемотехнических принципов построения многоканальных устройств (систем) интегрированных с устройствами считывания и позволяющих формировать ИК видеосигналы, обрабатывать видеоизображения в фокальной плоскости ФПУ;

— улучшение температурного разрешения тепловизионных систем в спектральном диапазоне 8−14 мкм. Для этого необходимо разработать математические модели и методики анализа основной для многоэлементных ИК ФПУ длинноволнового диапазона системы считывания: фотодиод — устройство считывания с прямой инжекцией заряда. Найти схемотехнические решения позволяющие увеличить зарядовую емкость устройств считывания не менее чем в 610 раз по сравнению с зарядовой емкостью существующих устройств считывания. Такие устройства считывания позволят полнее использовать падающую на фотоприемники в длинноволновом диапазоне оптическую информацию и в корень квадратный из отношения зарядовых емкостей улучшить №ЛХ) тепловизионных систем в спектральном диапазоне 8−14 мкм;

— разработка устройств считывания для многоэлементных гибридных ИК ФПУ на основе ПЗИ элементов, позволяющих создавать многоэлементные ИК ФПУ на основе 1пА8, 1п8Ь ПЗИ элементов. Реализация различных тепловизионных систем на основе ПЗИ элементов с предельной чувствительностью, близкой к режиму ограничения флуктуациями фонового излучения (на уровне лучших мировых аналогов).

Объекты и методы исследования. Основным объектом исследований являются кремниевые устройства считывания, многоэлементные ИК ФПУ. Математическое моделирование устройств считывания, многоэлементных ИК ФПУ, экспериментальные исследования фотоэлектрических параметров ИК ФПУ.

Научная новизна работы:

1. Разработана математическая модель системы ИК фотодиод — ПИ, в которой расчет величины, шумового заряда 0(0, интегрируемого устройством считывания с помощью функции Макдональда проводится в терминах спектральной плотности 8-(со) [7]. При этом решается самосогласованная задача для тока фотодиода и тока, интегрируемого в устройстве считывания. Модель позволяет проводить полномасштабное численное моделирование системы, формулировать оптимальные требования к конструктивным и электрофизическим параметрам устройств считывания, ИК фотодиодам, необходимые для достижения проектных характеристик.

2. Предложены структурные и схемотехнические решения построения устройств (систем), обеспечивающих формирование ИК видеосигналов и частично процессорную обработку сигналов в фокальной плоскости ИК ФПУ в аналоговой и цифровой форме:

— многоканальных устройств, обеспечивающих вычитание аддитивных неинформационных компонент сигналов, обусловленных неоднородностью фотоэлектрических параметров приемников, передаточных характеристик устройств считывания и повышение контрастности ИК изображения;

— адаптивных устройств предпроцессорной обработки сигналов, обеспечивающих не только вычитание аддитивных, неинформационных компонент сигналов, но и возможность устранения временного дрейфа этих параметров.

3. Предложены схемотехнические решения построения устройств считывания линейчатых и матричных типов для гибридных ИК ФПУ на основе-ПЗИ элементов.

4. Развит метод для определения времени жизни неосновных носителей заряда из анализа временных зависимостей процесса состоящего из инжекции и обратного собирания носителей заряда в инверсионный слой МДП емкости.

Практическая значимость и реализация результатов. Работа выполнялась в соответствии с программой основных научных направлений ИФП СО РАН, пункт 9.1.2. «Исследования фотоэлектрических свойств гетероструктур на основе МЛЭ КРТ, квантово-размерных слоев на основе А3В5, легированных пленок PbSnTe и термоэлектрических свойств оксидов с целью разработки и создания многоэлементных ИК-фотоприемных устройств нового поколения». Основные результаты диссертационной работы получены за период с 1980 по.

2008 годы при выполнении НИР, ОКР и изложены в более чем 20 научно-технических отчетах.

Системные и схемотехнические решения для устройств считывания, устройств предпроцессорной обработки фотосигналов, оптимизация топологии фотоприемных элементов и облика ИК ФПУ в целом позволили разработать, спроектировать и изготовить устройства считывания для многоэлементных ИК ФПУ различных форматов и реализовать ряд тепловизионных систем на их основе.

1. Устройство считывания с ПИ для двухмерных ИК ФПУ, отличительной особенностью которого является структура устройств считывания в виде фрагментов 2×2 элемента. Такая организация входных устройств обеспечивает о зарядовую емкость ~ 2−5-10 электронов, что в 6−10 раз больше зарядовой емкости существующих устройств считывания. На его основе создан экспериментальный образец ИК ФПУ формата 128×128.

2. Впервые реализовано многоэлементное ИК ФПУ с интегрированными с устройствами считывания устройствами предпроцессорной обработки сигналов обеспечивающие вычитание аддитивных неинформационных компонент фотосигналов. ИК ФПУ с 1п8Ь МДП фотоприемниками имеет обнару-жительную способность близкую к режиму ОФ и создан динамический ИК спектрометр со временем регистрации спектров -100 мкс.

3. Разработано устройство считывания для пеленгации импульсных сигналов. Реализовано ИК ФПУ формата 8×8 элементов и макет лазерного пеленгатора для регистрации времени поступления и координаты отраженных от объекта ИК сигналов.

4. Разработаны схемотехнические решения и созданы опытные образцы адаптивных многовходовых устройств предпроцессорной обработки сигналов в аналоговой и цифровой форме в интегральном исполнении с устройствами считывания. Данные устройства кроме вычитания неинформационных компонент сигналов являются фильтром высоких частот позволяющим регулировать в широких пределах полосу пропускания индивидуально для каждого фотоприемного канала, что позволяет решить проблему временного дрейфа параметров всех компонент ИК ФПУ.

5. Созданы устройства считывания с накоплением фотосигналов в ПЗИ элементе линейчатого формата 2×192, матричных форматов 128×128, 256×256 позволившие:

— реализовать гибридные ИК ФПУ на основе 1пАб ПЗИ элементов форматов 128×128, 256×256 и линейчатых формата 2×192;

— наладить опытное производство тепловизионных и спектрометрических систем различного назначения — тепловизора ТКВр-ИФП «СВИТ», ИК микроскопа, быстродействующего ИК спектрометра Б1М8−384. Основные параметры этих приборов соответствуют или превышают мировой уровень.

В приложении приведены акты об использовании результатов работы, подтверждающие ее практическую значимость. Тепловизор ТКВр-ИФП «СВИТ» применяется в медицинских центрах, поликлиниках, как в России, так и за рубежом. Такими системами на основе 1пАз ПЗИ элементов (тепловизоры, динамические ИК спектрометры, ИК микроскопы) оснащены многие научные учреждения, в том числе ИТ СО РАН, ИЯФ СО РАН, ИТПМ СО РАН, Московский Государственный университет, ИК СО РАН и более 25 других организаций.

На защиту выносятся:

1. Схемотехнические решения, проекты и образцы устройств предпро-цессорной обработки сигналов интегрированные с устройствами считывания, приборы на их основе:

— устройство предпроцессорной обработки фотосигналов формата 1×64 обеспечивающее подавление аддитивный неинформационных компонент сигналов. Это устройство позволило впервые реализовать быстродействующий ИК спектрометр на основе 1п8Ь ПЗИ элементами с временем дискредитации 100 мкс;

— адаптивные устройства предпроцессорной обработки, обеспечивающие формирование ИК видеосигналов в условиях временного изменения (дрейфа) фотоэлектрических параметров фотоприемников, устройств считывания;

— устройство считывания для гибридного модуля формата 8×8. Встроенный в устройство считывания ЯС фильтр с использованием емкости 1пАб ПЗИ фоточувствительного приемника обеспечил регистрацию координаты импульс.

17 ных оптических сигналов с пороговой энергией ~ 8−10″ Дж/элемент и времени прихода с точностью не хуже 100 не .

2. Математическая модель, методики анализа системы фотодиод-устройство ввода с прямой инжекцией заряда дают возможность проводить численное моделирование многоэлементных ИК ФПУ, определить требования к конструктивным и фотоэлектрическим параметрам системы, необходимые для достижения проектных заданий. Проект и опытный образец устройств считывания с фрагментной организацией формата 2×2 элемента входных устройств с увеличенной зарядовой емкостью.

3. Схемотехнические решения, проекты и промышленные образцы устройств считывания с ПЗИ элементов для многоэлементных ИК ФПУ, в частности:

— устройства считывания для линейчатого гибридного модуля формата 2×192.

— устройства считывания для матричных гибридных модулей форматов 128×128, 256×256, ИК ФПУ различного назначения на их основе;

Все разработанные устройства, способы считывания основаны на оригинальных схемотехнических решениях и защищены 27 Авторскими свидетельствами СССР или патентами РФ.

Апробация работы. Результаты диссертационной работы докладывались: на конференции «Физические проблемы МДП-интегральной электроники» (Севастополь, 1982 г), на межведомственном совещании по проблеме цифровой обработки информации (Москва, НИИ прикладной физики, январь 1985 г.), на «XVII международной конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения», 27−31 мая 2002 г., Москва, на «XIX международной конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения», 23−26 мая 2006 г., Москва, на 9 международной конференции «Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V», 3−5 октября 2006 г, Томск, на «VIII российской конференции по физике полупроводников», Екатеринбург, 30 сентября -5 октября 2007 г, приглашенные доклады на «XX международной конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения», 27−30 мая 2008 г., Москва.

Публикации. По теме диссертации опубликовано 49 работ, включая 18 авторских свидетельств СССР (17 в соавторстве), 9 патентов РФ (3 в соавторстве), 21 статье (16 в соавторстве), опубликованных в ведущих рецензируемых отечественных и международных журналах, в том числе 18 статей в рекомендованных ВАК РФ, в коллективной монографии.

Объем и структура диссертации. Диссертация состоит из введения, пяти глав и заключения. Объем диссертации составляет 295 страниц, включая 143 рисунка, 8 таблиц, список литературы из 339 наименований, приложения.

Основные результаты и выводы, полученные в диссертационной работе.

Проведенные в диссертационной работе исследования позволили решить ряд ключевых проблем стоящих перед разработчиками многоэлементных ИК ФПУ.

1. Предложены системные и схемотехнические решения построения устройств предпроцессорной обработки сигналов интегрированных с устройствами считывания и обеспечивающие решение задач формирования ИК видеосигналов и обработки видеоизображений в фокальной плоскости многоэлементных ИК ФПУ:

— вычитание постоянных во времени, неинформационных компонент сигналов индивидуально для каждого фотоприемного канала. Спроектировано и изготовлено 64-х входовое устройстве считывания, 64-х элементное ИК ФПУ с 1п8Ь ПЗИ фотоприемниками с обнаружительной способностью в режиме ОФ. Предпроцессорная обработка сигналов позволила впервые реализовать динамический ИК спектрометр со временем регистрации спектров меньше 100 мкс;

— построение адаптивных устройств предпроцессорной обработки сигналов в аналоговой и цифровой форме для линейчатых и матричных ИК ФПУ. Показано, что предложенные устройства обеспечат формирование ИК видеосигналов в условиях временных изменений (дрейфа) фотоэлектрических параметров всех компонент ИК ФПУ. Результаты экспериментального обследования устройств предпроцессорной обработки сигналов подтверждают возможность реализации ИК ФПУ на их основе с чувствительностью близкой к чувствительности в режиме ОФ;

— регистрацию импульсных оптических сигналов. Разработано устройство считывания с встроенным ЯС фильтром в каждой ячейке входных устройств и ИК ФПУ форматом 8×8 элементов. Создан макет пеленгатора обеспечивающего определение координаты импульсного оптического сигнала с пороговой энергией -8−10″ Дж/элемент и времени прихода с точностью не хуже 100 не. Эти параметры достигаются в условиях, когда энергия фонового излучения падающая на ПЗИ фотоприемник за время цикла считывания, на два-три порядка превышает энергию импульсного оптического сигнала.

Эти результаты вносят существенный вклад в развитие нового научно-технического направления — специализированных процессоров для считывания и обработки фотосигналов с многоэлементных ИК фотоприемников в фокальной плоскости многоэлементных ИК ФПУ.

2. Разработана математическая модель, программа и методика анализа системы ИК фотодиод — устройство считывания с прямой инжекцией заряда. Основные параметры многоэлементных ИК ФПУ и тепловизионных систем получены в зависимости от напряжения смещения на входном затворе устройства считывания. Это дает возможность сравнивать расчетные зависимости с экспериментальными результатами исследования ИК ФПУ, формулировать технические требования к фотоэлектрическим и конструктивным параметрам фотодиодов и устройствам считывания необходимые для реализации проектных параметров многоэлементных ИК ФПУ.

3. Предложено и показано, что организация матрицы устройств ввода из фрагментов 2×2, обеспечивает увеличение зарядовой емкости устройств считывания в 6−10 раз. Это позволяет увеличить время накопления фотосигналов и, соответственно, пропорционально корню квадратному из времени накопления повысить температурное разрешение тепловизионных систем в спектральном диапазоне 8−14 мкм. Данная структура устройств считывания дополнительно обеспечивает преимущества при реализации интегрированных с устройствами считывания устройств предпроцессорной и процессорной обработки фотосигналов, так как их можно размещать с двойным шагом относительно шага фоточувствительных ячеек, а их количество в два раза меньше.

Математическая модель и предложенная фрагментарная организация матрицы устройств считывания способствует решению одной из важнейшей проблемы многоэлементных ИК ФПУ — улучшение температурного разрешения тепловизионных систем в спектральном диапазоне 8−14 мкм.

4. Разработан проект устройства считывания для ИК ФПУ с режимом ВЗН. Предложенное схемотехническое решение обеспечивает возможность реализации ИК ФПУ с произвольным количеством ВЗН каскадов. Важным преимуществом предлагаемой схемы устройства является то, что, принципиальная схема и топологическая реализация основных узлов не зависит от числа ВЗН каскадов, меняется только их количество. Интегрирующая емкость устройства имеет соединение только с одним входным МДП транзистором, что минимизирует уровень шума устройств ввода, коммутационные шумы и, следовательно, позволяет повысить чувствительность ИК ФПУ на его основе.

5. Развит метод определения времени жизни неосновных носителей заряда из анализа временных зависимостей процесса, состоящего из инжекции и обратного собирания неосновных носителей заряда в инверсионный слой МДП емкости в режиме неравновесного обеднения. Показано, что временные характеристики данного процесса слабо зависят от типа проводимости, степени легирования, и толщины подзатворного диэлектрика.

6. Разработаны схемотехнические принципы построения устройств считывания для многоэлементных гибридных ИК ФПУ на основе ПЗИ элементов. Показано, что в коротковолновом ИК диапазоне до 3−3.5 мкм гибридные ИК ФПУ на основе ПЗИ элементов не только не уступают, но имеют ряд преимуществ перед гибридными ИК ФПУ на основе фотодиодов. Совместная разработка и оптимизация топологии фотоприемных элементов, схемотехнических решений построения устройств считывания и облика ИК ФПУ в целом позволили реализовать ИК ФПУ на основе 1пАз, 1п8Ь ПЗИ элементов различных форматов 8×8, 128×128, 256×256. 2×192 элементов с параметрами близкими к теоретическому пределу. На основе этих ИК ФПУ в ИФП СО РАН выпускается ряд тепловизионных систем: — тепловизор ТКВр-ИФП «СВИТ», ИК тепловизионный микроскоп, динамический ИК спектрометр DIMS-384, с параметрами на уровне или выше известных нам аналогов.

Новизна предложенных решений подтверждается 27 A.c. СССР или патентами РФ.

Заключение

.

Показать весь текст

Список литературы

  1. А. Инфракрасные детекторы. Новосибирск: Наука — 2003−635с.
  2. Матричные фотоприемные устройства инфракрасного диапазона. // Под редакцией В. Н. Овсюк, Г. Л. Курышев, Ю. Г. Сидоров и другие Новосибирск -Наука-2001 -375с.
  3. Приборы с зарядовой связью. // Под ред. Д. Ф. Барба М.:Мир — 1982 — 240 с.
  4. И.И. Предельные чувствительность и информативность тепловизоров и других оптико-электронных преобразователей изображения./ И. И. Таубкин, М. А. Тришенков // Оптический журнал 1996 — № 6 — С. 18−41.
  5. Мозаичные ИК датчики. // Радиоэлектроника за рубежом— 1985 В.5 — С.1−11.
  6. Chen L. Overview of advances in high performance ROIC designs for use with IR FPAs / L. Chen, M. Hewitt, D. Gulbransen, et al. // Proc. SPIE «Infrared detectors and Focal plane arrays VI» 1998 — № 4028 — P. 47−57.
  7. M. Шумы в электронных приборах и системах //М.:Мир-1986−339с.
  8. Р. Инфракрасные системы. // М.: Мир 1972 -535 с.
  9. Rogalski A. Infrared detectors: an overview. // Infrared Physics & technology, 2002 43, P.187−210.
  10. В.П. Инфракрасная техника и электронная оптика / В.П. По-номаренко, A.M. Филачев // М.: Физматкнига 2006.
  11. Ю.И. Методы исследования полупроводников в применении к халь-когенидам свинца PbTe, PbSe и PbS / Ю. И. Равич, Б. А. Ефимова, И. А. Смирнов // М.: Наука 1969.
  12. Ф.Ф. Твердые растворы халькогенидов свинца и олова и фотоприемники на их основе. // Зарубежная электронная техника 1977 — Т.24 — 170с.
  13. Johnson Т.Н. Lead salt detectors and arrays PbS and PbSe. // Proc. SPIE 1984 -N443 — P.60−94.
  14. В. Фотоприемники и фотоприемные устройства на основе поликристаллических и эпитаксиальных слоев халькогенидов свинца / В. Буткевич, В. Бочков, Е. Глобус // Прикладная физика 2001, № 6 — С. 66−112.
  15. О. // Физика полупроводниковых соединений элементов III и V групп. М.: Мир — 1967 — 477 с.
  16. И.М. // Оптические свойства узкощелевых полупроводников.-Новосибирск Наука — 1992, 157 с.
  17. Lawson W. Preparation and properties of HgTe-CdTe / W. Lawson, S. Nielsen, E. Putley, and A. Young // J.Phys.Chem.Solids 1959 — V.9 — P.325−329.
  18. JI.А., Стафеев В. И. Узкозонные твердые растворы (CdHg)Te. Физика соеднении АПВ1У.// Под редакцией Ф. Н. Георгобиани, М. К. Шейнкмана. М.: Наука — 1986, С.246−320.
  19. Rogalski A. New ternary alloy systems for infrared detectors. // SPIE optical engineering press Bellingham — 1994.
  20. Kennedy C., Linden K., Soderman D. High performance 8−14 pm Pbi. xSnxTe photodiodes. Высококачественные приемники излучения на основе Pbi xSnxTe для области спектра 8−14 мкм. // ТИИЭР 1975 — Т.63 — № 1 — С. 31−37.
  21. Shepherd F. Silicon Schottky retinas for infrared imaging /F. Shepherd, A. Yang // Tech. Digest of IEDM- 1973 P. 310−313.
  22. Shepherd F. Schottky diode based infrared sensors // Proc. SPIE 1984 — № 443, P.42−49.
  23. H. Многоэлементные приемники ИК излучения на диодах с барьером Шоттки / Н. Аигина, П. Богомолов, В. Сидоров, В. Шумский // Зарубежная электронная техника 1986 — № 5, С. 3−38.
  24. Sclar N. Development status of silicon extrinsic IR detectors // Proc. SPIE 1983 — № 409 — P.53−61.
  25. Haller E. Advanced far-infrared detectors // Infrared Physics & technology -1994 V.35 — P.127−146.
  26. Boyle W. Charge coupled semiconductor devices / W. Boyle, G. Smith G. // Bell System Tech. J. 1970 — V.49 — P.587−593.
  27. Bar Imaging devices using the charge-coupled concept. // Proc. of IEEE, 1975. v. 63, p.38. Перевод. Применение приборов с зарядовой связью для регистрации ИК-сигналов и формирования изображения. // ТИИЭР — 1975 Т. 63 -№ 1 — С. 45.
  28. A .J., Nelson R.D., French В.Т., Gudmundsen R.A., Schechter D. // Proc. of IEEE, 1975, v. 63, p.67. Перевод. Применение приборов с зарядовой связью для регистрации ИК-сигналов и формирования изображения. // ТИИЭР 1975 -Т. 63 — № 1 — С. 79.
  29. Corsi С. Infrared detector arrays by new technologies. Перевод. Новая технология изготовления приемников ИК излучения. // ТИИЭР 1975 — Т. 63 — № 1 -С. 17−30.
  30. Eden R. Heterojunction III-V alloy photodetectors for high -sensitivity 1. 06 pm optical receivers. Перевод. Фотодиоды с гетеропереходом на сплаве соединений типа АШВУ для высокочувствительных 1.06 мкм приемников. // ТИИЭР-1975 -Т. 63-№ 1-С. 38−44.
  31. JI.H. Основные направления разработок фотоприемников и фотоприемных устройств. //Прикладная физика — 1999 № 3 — С. 5−18.
  32. Ponomarenko V. Photoelectronics for a new generation of electron-optical equipment / V. Ponomarenko and A. Filachev // Proc. SPIE «Photoelectronics and Night Vision Devices» 2005 — № 5126 — P. 1−12.
  33. А. Инфракрасные матрицы и тенденции их развития / А. Филачев,
  34. B. Пономаренко, И. Таубкин, М. Ушакова // Прикладная физика 2003 № 11. C.105.
  35. Flannery R. Status of uncooled infrared imagers / R. Flannery, J. Miller // Proc. SPIE 1992 — № 1689 — P. 379−395.
  36. Wood R. Uncooled thermal imaging with monolithic silicon focal planes // Proc. SPIE 1993 — № 2020 — P. 322−329.
  37. Dem’yanenko М. Uncooled 160×120 microbolometer IR FPA based on sol-gel VOx / M. Dem’yanenko, B. Fomin, V. Ovsyuk, I. Marchishin, I. Parm, L. Va-sil'ieva, V. Shashkin // Proc. SPIE «Infrared Photoelectronics 2005 — N.5957, P.340.
  38. Mottin E. Uncooled amorphous silicon technology enhancement for 25pm pixel pitch achievement / E. Mottin, A. Bain, J. Martin, et al. // Proc. SPIE 2002 — № 4820 — P.200−207.
  39. D. 640×512−17 pm microbolometer FPA and sensor development / Murphy D., Ray M., Wyles J., et al. // Proc. SPIE «Infrared Technology and Applications XXXIII 2007 — № 6542, 65421Z.
  40. Amantea R. An uncooled IR imager with 5 mK NEDT / R. Amantea, C. Knoed-ler, F. Pantuso, et al. // Proc. SPIE «Infrared Technology and Applications XXIII» 1997-№ 3061 -P.210−221.
  41. B.M. Устройство регистрации теплового излучения / В.М. Базов-кин, Г. Л. Курышев // Патент № 2 148 802 приоритет от 27.01.1999.
  42. Norton P. Micro-optomechanical infrared receiver with optical readout -MIRROR / P. Norton, M. Mao, Y. Zhao et al. // Proc. SPIE 2000 № 4028 — P.72−78.
  43. Zhao Y. Characterization and performance of optomechanical uncooled infrared imaging system. Y. Zhao, J. Choi, R. Horowitz, et al. // Proc. SPIE «Infrared Technology and Applications XXVIII» 2003 — № 4820 — P. 164−174.
  44. B.H. Микрооптоэлектро-механические системы для приемников инфракрасного диапазона волн. // Нано и микросистемная техника — 2005 -№ 1 — С.11−13.
  45. Liu Н. Novel and simply producible large-area focal plane infrared imagine device based on quantum wells / H. Liu, L. Allard, M. Buchanan // Proc. SPIE -1997-V.3061 -P.256.
  46. Gunapala S. Applications of long-wavelength 256×256 quantum well infrared photodetector (QWIP) handheld camera / S. Gunapala, T. Krabach, S. Bandara et al. // Proc. SPIE «Infrared Technology and Applications XXIII» 1997 — N. 3061 — P. 292−299.
  47. Das N. Fabrication and evaluation of 11.2- and 16.2-pm cutoff C-QWIP arrays / N. Das, K. Choi, A. Goldberg, et al // Proc. SPIE «Infrared Technology and Applications XXV» 1999 -N. 3698 — P.698−705.
  48. Gunapala S. QWIP technology for both military and civilian applications / S. Gunapala, C. Kukkonen, M. Sirangelo, et al. // Proc. SPIE «Infrared Technology and Applications XXVII» 2001 — N. 4369 — P.498−505.
  49. Gunapala S. Mid-wavelength infrared 1024×1024 pixel QWIP focal plane array/ S. Gunapala S. Bandara,. Liu, et al. // Proc. SPIE «Infrared Technology and Applications XXX 2004 — N. 5406 — P.600−604.
  50. Jhabvala M. Development of a 1 megapixel long IR QWIP focal plane array / M. Jhabvala, K. Choi, C. Monroy, et al // Proc. SPIE «Infrared Technology and Applications XXXIII 2007 — N. 6542 0T.
  51. Rehm R. InAs/GaSb superlattice focal plane arrays for high-resolution thermal imaging / R. Rehm, M. Walther, J. Schmitz, et al // Proc. SPIE «Infrared Photoe-lectronics» 2005 -N. 5957 — 595 707.
  52. Razeghi M. High performance Typell InAs/GaSb superlattices for mid, long, and very long wavelength infrared focal plane arrays / M. Razeghi, Y. Wei, A. Gin, etal // Proc. SPIE «Infrared Technology and Applications XXXI 2005 — N. 5783 -P.86−97.
  53. Rogalski A. InAs/GalnSb superlatties as a promising material system for third generation infrared detectors / A. Rogalski, P. Martyniuk // Infrared physics -2006 V.48 — N1 — P.39−52.
  54. Towe E. The promise of quantum-dot infrared photodetectors / E. Towe, D. Pal // Proc. SPIE «Infrared Technology and Applications XXXII» 2006 — N. 6206 OK.
  55. Gunapala S. D. Quantum wells to quantum dots: 640×512 pixels Long-Wavelength Infrared (LWIR) / S. D. Gunapala, S. V. Bandara, C. J. Hill, et al // Proc. SPIE «Infrared and Photoelectronucs Image and Detector Devices VIII"-2006-№ 6295 01.
  56. Ryzhii V. Quantum well and quantum dot infrared photodetectors: Physics of operation and modeling / V. Ryzhii, M. Ryzhii, I. Khmurova et al // Proc. SPIE «Photoelectronics and Night Vosion Devices» 2005 — № 5126 — P. 129−140.
  57. Krishna S. Quantum dots in a well infrared photodetectors. // Infrared physics -2006 V.47, N1−2, P.153−163.
  58. А. ИК-матрицы с большим временем накопления фотосигнала на основе трапецеидальных d-легированных сверхрешеток с собственным по-глощениием излучения. // Прикладная физика 2002 — № 4 — С. 118−133.
  59. Kosonosky W. Review of Schottky-barrier imager technology. 11 Proc. SPIE -1990-№ 1308 -P. 2−26.
  60. Yanagisawa K. Evalution of the 1040×1040 PtSi CSD for astronomical use / K. Yanagisawa and N. Itoh // Proc. SPIE «Infrared Technology and Applications XXII 1996 — N. 2744 — P.92−103.
  61. Shoda M. Construction and performance of an 811×508 element multiwave-length PtSi IR CCD imager / M. Shoda, H. Yamada, H. Yamanaka, et al // Proc. SPIE «Infrared Technology and Applications XXIV 1998 — N. 3436, P. 184 193.
  62. Blocked Impurity band detectors, U.S. patent № 4,586,960 Oct.23, 1980.
  63. S. / D. Reynolds, M. Stapelbroek., R. Stermer // Proc. SPIE 1986 — 686 -P.48.
  64. Д.Г. Глава 5, Фотоприемники с блокированной прыжковой проводимостью. // Матричные фотоприемные устройства инфракрасного диапазона / Д. Г. Есаев, С. П. Синица, А. А. Французов // Новосибирск: Наука 2001, С. 265−307.
  65. Love P. lKxlK Si: As IBC detector arrays for JWST MIRI and other applications / P. Love, A. Hoffman, N. Lum, et al // Proc. SPIE «Optical and infrared Detectors for Astronomy» 2004 -N. 5499, P.86−96.
  66. А.Н. Матричные фотоприемные устройства субмилиметровыого диапазона на основе пленок PbSnTe:In / А. Н. Акимов, А. Э. Климов, В. Н. Шумский, A.JI. Асеев // Автометрия 2007 — № 4 — С.63−73.
  67. Miller L. F. Controlled Collapse Chip Joining. // IBM Journal of Research and Development 1963 — V.13.
  68. Tracy J. Method of fabricating arrays of flexible metallic interconnects components. // USA patent N 4.067.104 1978.
  69. Martin Т. A 640×512 InGaAs camera for range-gated and staring applications / T. Martin, R. Brubaker, V. Burzi, et al // Proc. SPIE «Infrared Technology and Applications XXXII 2006 — N. 6206 — 6206−09.
  70. Hoffman A. Megapixel InGaAs arrays for low background applications / A. Hoffman, T. Sessler, J. Rosbeck, et al // Proc. SPIE «Infrared Technology and Applications XXXI» 2005 -N. 5783 — P.32−38.
  71. В. Матричное фотоприемное устройство на основе InSb форматом 128×128 элементов / В. Акимов, В. Васильков, И. Касаткин и др. // Прикладная физика 1999№ 3 — С. 46−47.
  72. V. 128×128 and 288×384 array photodetective assemblies for 3−5 pm spectral range / V. Akimov, V. Cishko, A. Dirochka, et al // Proc. SPIE, «Photoe-lectronics and night vision devices» 2002 — V.5126 — P.91−97.
  73. Rawe R. Advanced large-format InSb IR FPA maturation at CMC Electronics / R. Rawe, A. Timlin., M. Davis, et al // Proc. SPIE «Infrared Technology and Applications XXX» -2004 -N. 5406 P.152−162.
  74. A. 2Kx2K InSb for astronomy / A. Hoffman, E. Corrales, P. Love, et al // Proc. SPIE «Optical and infrared Detectors for Astronomy» 2004 — N. 5499 -P.59−67.
  75. R. 256×256 hybrid HgCdTe infrared focal plane arrays / R. Bailey, L. Koz-lowski, J. Chen, et al // IEEE Trans. Electron Devices 1991 — V.38, № 5, P. 11 041 109.
  76. P. 640×480 MCT 3−5 pm snapshot focal plane array / P. Audebert, D. Giotta, E. Mottin, et al // Proc. SPIE 1998 -N.3379 — P.577−585.
  77. Destefanis G. Recent developments of high-complexity HgCdTe focal plane arrays at Leti infrared laboratory / G. Destefanis, A. Astier, J. Baylet et al // Journal of electronic materials 2003 — V.32 — N.7- P.592−601.
  78. Ziegler J. Long linear HgCdTe arrays with superior temperature-cycling-reliability / J. Ziegler, M. Finck, R. Kruger et al // Proc. SPIE «Infrared detectors and Focal plane arrays VI» 2000 — N.4028 — P.380−389.
  79. Destefanis G. Advanced MCT technologies in France / G. Destefanis, P. Tribolet // Proc. SPIE 2007 — N. 6542 — 6542-OD.
  80. K. 384×288 MCT LWIR FPA / K. Boltar, I. Burlakov, S. Golovin, et al // Proc. SPIE, «Infrared photoelectronics» 2005 — № 5957 — 5957-OH.
  81. В. Матричный фотоприемник на основе варизонного изотопного р-р -перехода в слоях КРТ, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии / В. Васильев, С. Дворецкий, В. Варавин и другие // Автометрия — 2007- № 4 -С. 17−24.
  82. Sarusi G. TADIR: a second-generation 480×4 TDI FLIR. // Proc. SPIE «Infrared Technology and Applications XXIII» 1997 -N. 3061 — C.673−680.
  83. Yu. 4x288 linear FPA on the heteroepitaxial HgCdTe base / Derkach Yu., Dvoretski C., Golenkov A., et al. // Proc. SPIE «17th International Conference on Photoelectronics and Night Vision Devices» 2002 — № 5126 — P. 98−104.
  84. K. 2048×2048 HgCdTe focal plane arrays for astronomy applications / K. Vural, L. Kozlowski, D. Cooper, et al // Proc. SPIE 1999 — V.3698, P. 71−82.
  85. Г. Р. Тепловидение в медицине. // Вестник Российской Академии наук 2006 — Т. 76, № 1, С.48−62.
  86. A.M. Твердотельная фотоэлектроника / A.M. Филачев, И.И. Тауб-кин, М. А. Тришенков // М.: Физматкнига 2005.
  87. Rogalski A. Competitive technologies for third generation infrared photon detectors. // Proc. SPIE «Infrared Technology and Applications XXXII» -2006 — N. 6206 — 6206−0S.
  88. Zannata J. Single and two-color infrared focal plane arrays made by MBE in HgCdTe / J. Zannata, G. Destefanis, P. Ferret, et al // Proc. SPIE «Infrared Technology and Applications XXVI» 2000 -N. 4130 — P. 174−183.
  89. Cabanski W. Broadband and dual-color high-speed MCT MWIR modules / W. Cabanski, R. Breiter, K. Mauk, et al // Proc. SPIE «Infrared detectors and Focal plane arrays VII» 2002 -N.4721 — P. 174−183.
  90. Giess J. Dual-waveband infrared focal plane array using MCT grown by MOVPE on silicon substrates / J. Giess, M. Glover, N. Gordon, et al // Proc. SPIE «Infrared Technology and Applications XXXI 2005 — N. 5783 — P.316−324.
  91. Destefanis G. Bi-color and dual-band HgCdTe infrared focal plane arrays at DEFIR / G. Destefanis, P. Ballet, et al // Proc. SPIE «Infrared Technology and Applications XXXII 2006 — N. 6206 — 6206−0R.
  92. Miinzberg M. Multispectral IR detection modules and applications / M. Miinzberg, R. Breiter, W. Cabanski, et al // Proc. SPIE «Infrared Technology and Applications XXXII 2006 — N. 6206 — 620 627.
  93. Gunapala S. Toward dual band megapixel QWIP focal plane arrays / S. Gunapala, S. Bandara, J. Liu, et al // Proc. SPIE «Infrared Technology and Applications XXXIII 2007 — N. 6542 — 65420W.
  94. Tang S. Dual-band infrared imaging analyses for 256×256 InAs/GaAs quantum dot infrared photodetector focal plane array / S. Tang, C. Lee, C. Shih, et al // Proc. SPIE «Infrared Technology and Applications XXXIII N. 6542 — 6542-OP.
  95. Norton P. Third- generation infrared imagers / P. Norton, I. Campbell, S. Horn, et al // Proc. SPIE «Infrared Technology and Applications XXVI» 2000 — N. 4130, P.226−236.
  96. Kozlowski L. Progress forward high-performance infrared imaging systems on chip / L. Kozlowski, K. Vural, W. Tennant, et al // Proc. SPIE «Infrared Technology and Applications XXVI" — 2000 -N. 4130 P.245−253.
  97. Caulfield J., Fletcher C., Graham R., et al. Advanced IR FPAs for next-generation sensors / J. Caulfield, C. Fletcher, R. Graham, et al // Proc. SPIE «Infrared Technology and Applications XXX» 2004 — N. 5406 — P. 178−183.
  98. В.Г. Тепловизионные приборы нового поколения / В. Г. Волков,
  99. A.В Ковалев, В. Г Федчишин // Специальная техника. http://st.ess.ru/publications/ 6 2001/volkov/ volkov/htm.
  100. King D. Third-generation 1280×720 FPA development status at Raytheon Vision Systems / D. King, W. Radford, et al. // Proc. SPIE «Infrared Technology and Applications XXXII 2006 — N. 6206 — 62060W.
  101. Cairns J. Integrated infrared detectors and circuits / J. Cairns, L. Buckle, et al // Proc. SPIE «Infrared Technology and Applications XXXII 2006 — N. 6206 -620 614.
  102. Крискунов ji.3. Инфракрасные системы / JI.3. Крискунов, И. Ф. Усольцев // М.: Советское радио 1968.
  103. . Приемники инфракрасного излучения / ж. Шоль, М. Марфан, М. Мюнш, П. Торель, П. Комбет // М.: Мир 1969.
  104. В. Основы инфракрасной техники / В. Козелкин, И. Усольцев // М.: Машиностроение 1974 — 336 С.
  105. Ю.П. Инфракрасная техника и космос / Ю. П. Сафронов, Ю. Г. Андрианов // М.: Советское радио 1978.
  106. М.М. Теоретические основы оптико-электронных приборов // JL: Издательство «Машиностроение» 1983.
  107. Фотоприемники видимого и ИК диапазонов. Под редакции Киеса Р. Дж. // М.: Издательство «Радио и связь» — 1985 — 323 с.
  108. П.А. Приемные устройства ИК-систем / П. А. Богомолов,
  109. B.И.Сидоров, И. Ф. Усольцев // Издательство «Радио и связь" — 1987 207 С.
  110. М.А. Фотоприемные устройства и ПЗС. // М: Радио и связь -1992.
  111. Van Hoof С. Hybrid and monolithic infrared detector arrays / C. Van Hoof, C.L. Zimmerman, J. John, et al // Proc. SPIE 2001 — V.4355 — P. 23−30.
  112. Foote M. Temperature stabilization requirements for uncooled thermal detectors. // Proc. SPIE «Infrared Technology and Applications XXV» 1999 — N. 3698 -P.344−350.
  113. Г. Состояние работ и перспективы развития термоэлектрического охлаждения для фотоэлектрических полупроводниковых приемников излучения. // Прикладная физика 2002 — № 6 — С. 78−85.
  114. Hishinuma Y. Vacuum thermonic refrigeration with a semiconductor heterojuc-tion / Y. Hishinuma, B. Moyzhes, T. Geballe // Applied physics letters 2002 -V.81 — N/22 — P.4242−4244.
  115. Chen L. Advanced FPAs for multiple applications. // Proc. SPIE «Infrared detectors and Focal plane arrays VII» 2002 — N.4721 — P. 1−15.
  116. Fossum E. CMOS image sensor: Electronic camera -on-a-chip // IEEE Transaction on Electron Devices 1997 — V. ED-44 — N.10- P. 1689−1698.
  117. G. 58×62 indium antimonide focal plane array for infrared astronomy / G. Orias, A. Hoffman and M. Gasselman // Proc. SPIE 1986 — V.627 — P.6552−6561.
  118. Wong Y. Technology and device scaling considerations for CMOS imagers // IEEE Transaction on Electron Devices 1996 — V. ED-43 — N.12, — P.2131−2142.
  119. Kozlowski L. Attainment of high D* at room temperature via gate- modulated detector interface / L. Kozlowski, K. Vural et al // Proc. SPIE, «Infrared readout electronics III» 1996 — V.2745 — P.40−49.
  120. Hewitt M. Infrared readout electronics: a historical perspective / M. Hewitt, J. Vampola, S. Black, et a. // SPIE 1994 — V.2226 — P.108−119.
  121. Goodnough M. A fexible 640×512 InSb FPA architecture / M. Goodnough, L. Hahn, R. Jones, at al // SPIE 1997 — V.3061 — P.140−150,.
  122. Ф.Ф. Фотоэлектроника для систем видения в «невидимых» участках спектра// Киев: Академпериодика 2008.
  123. Mottin E. An improved architecture of IR FPA readout circuits / E. Mottin, P. Pantigny, R. Boch // Proc. SPIE «Infrared Technology and Applications XXIII -1997 -N. 3061-P. 117−126.
  124. Fossum E.R. Infrared readout electronics for space-science sensor: state of the art and future direction / E.R. Fossum, B. Pain // SPIE 1993 — V.2020 — P.262−285.
  125. Pain B. Design and operation of self-gain amplifier arrays for photon-counting sensors / B. Pain, E.R. Fossum. // SPIE 1996 — V.2745 — P.69−77.
  126. А. И. Компенсационный метод считывания с KPT фотодиодов дальнего ИК-диапазона на основе динамического токового зеркала / А. И. Крымский, И. В. Марчишин, К. В. Феклистов, Е. И. Черепов // Автометрия -1996-№ 4-С. 89−99.
  127. А. И. Особенности проектирования и некоторые реализации кремниевых мультиплексоров для линеек ИК-фотодиодов / А. И. Крымский, Б. И. Фомин, Е. И. Черепов // Автометрия 1994 — № 2 — С. 79−92.
  128. FingerG. Performance of large format HgCdTe and InSb arrays for low background applications / G. Finger, H. Mehrgan, M. Meyer et al // European Southern Observatory Karl Schwarzschild Str. 2, 85 748 Garching b. Munchen, Germany.
  129. L. 128×128 PACE-I HgCdTe hybrid FPAs for thermoelectrically cooled applications / L. Kozlowski, S. Johnston, W. Mc Levige et al. // Proc. SPIE 1992 — N. 1685 — P.193−204.
  130. Kosonosky W. Low-bias CTIA multiplexer for 1024-element InGaAs line sensor / W. Kosonosky, W. Kleinhans, С. Lau // Proc. SPIE «Infrared readout electronics II» 1994 — Y.2226 — P. l52−171.
  131. Kozlowski L. Low-noise capacitive transimpedance amplifier performance versus alternative IR detector interface schemes in submicron CMOS. // Proc. SPIE «Infrared Readout electronics III» 1996 — № 2745
  132. Manissadjian A. Short wave infrared detector trade-offs and applications /
  133. A.Manissadjian, P. Tribolet, P. Chorier, et al // Proc. SPIE «Infrared Technology and Applications XXVIH» 2003 -N. 4820 — P.446−452.
  134. Steckl A. Theoretical analysis of directly coupled 8−12 pm hybrid IR CCD serial scanning / A. Steckl and T. Koehler // Proc. Int. Conf. Application of CCD’s -1973 -P.247−258.
  135. Steckl A. Infrared charge coupled devices // Infrared Physics 1976 — V. 16 — P. 65.
  136. Iwasa S. Direct coupling of five-micrometer (HgCd)Te photovoltaic detector and CCD multiplexer // Optical engineering 1977 — V. 16 — N.3 — P. 233−236.
  137. Longo J.T. Infrared focal plane in intrinsic semiconductors / J.T. Longo, D.T. Cheung, A.M. Andrews, et al // IEEE J. Solid State Circuits 1978 — VI. SC-13 -N.l — P.139−157.
  138. Felix P. CCD readout of infrared hybrid focal plane arrays / P. Felix, M. Moulin,
  139. B. Munier, et al // IEEE Transaction on Electron Devices 1980 — V. ED-27 -No.l — P.175−188.
  140. Takigawa H. Hybrid IR CCD Imaging Arrays / H. Takigawa, M. Dohi, and R. Ueda// IEEE Trans. Elect. Dev. 1980 — V. ED-27, No. l -P.146−150.
  141. Jian Y.X. The injection efficiency of direct injection infrared charge-coupled devices. // Infrared Physics 1981. V.21 — P53−54.
  142. Зи С. Физика полупроводниковых приборов /7М.: Мир 1984.
  143. Buss D. kTC noise on direct injection from IR diodes. / D. Buss, R. Kansy, J. Barton // IEEE Trans. Electron Devices 1980 — ED-27 — N.5 — P. 998−1000.
  144. S. 1/f noise in (Hg, Cd) Te photodiodes / Tobin S., Iwasa S., Tredwell Т. // IEEE Trans. Electron Devices 1980 — ED-27 — P. 43−48.
  145. Gopal V. Spatial noise limited NETD performance of a HgCdTe hybrid focal plane array. // Infrared physics and technology 1996 — V.37 — P.313−320.
  146. А. Кремниевые мультиплексоры 1×576 для ИК фотодиодов на основе соединений кадмий-ртуть-теллур / А. Козлов, И. Марчишин, В. Ов-сюк. // Микроэлектроника 2008 — Т. 37 — № 4 — С.278−286.
  147. Bluzer N. Buffered direct injection of photocurrents into charge-coupled devices / N. Bluzer and R. Stehlik // IEEE Trans. Electron Devices 1978 — V. ED-25, N.2 P. 160.
  148. Bluzer N. Current readout of infrared detectors / N. Bluzer, A. Jensen // Optical engineering 1987 — V. 28 — N.3- P.241.
  149. Blessinger M. Buffered direct injection multiplexer for improved uniformity and yield in infrared cameras. // Proc. SPIE 1994 — V. 2226 — P.130−134.
  150. Kubo K. Feedback direct current readout for infrared charge-coupled devices / K. Kubo, H. Wakayama, N. Kajihara, et al // Proc. SPIE 1989 — V. 1157 -P.329−327.
  151. Yoon N. A new unit cell of current mirroring direct injection circuit focal plane arrays /N. Yoon, B. Kim, H. Lee et al // SPIE 1997 — V.3061 — P.93−101.
  152. А. Кремниевые мультиплексоры для многоэлементных фотоприемников ИК-диапазона / А. Козлов, И. Марчишин, В. Овсюк, В. Шашкин // Автометрия 2005 — № 3 — С.88−99.
  153. Приборы с зарядовой связью. // Под. ред. М. Хоувза, Д. Моргана. Пер. с англ. М.:Энергоиздат, 1981.
  154. Wang S. Characteristics and readout of an CID two-dimensional scanning TDI arrays / S. Wang, C. Wei, H. Woodburry, M. Gibbons // IEEE Trans. Electron Devices 1985 — ED-32 -P. 1599−1607.
  155. Tribolet P. From research to production: 10 years of success / P. Tribolet- J. Chatard // Proc. SPIE 2000 — N. 4130 — P. 53.
  156. Manissadjian A. Sofradir infrared detector products: the past and the future / A. Manissadjian, P. Tribolett, P. Chorier, et al // Proc. SPIE «Infrared Technology and Applications XXVI" — 2000 N 4130 — P. 480−495.
  157. Filachev A. Results of development and research of the LWIR 4×288 FPA basedon MCT photodiodes / A. Filachev, V. Ponomarenko, L. Saginov, et al. // Proc. th
  158. SPIE «18 International Conference on Photoelectronics and Night Vision Devices» 2004 — № 5834 — P.34−37.
  159. McKee R. Near room temperature of a SWIR InGaAs/Si hybrid 96 element x 25 TDI high performance FPA / R. McKee, D. Lample, T. Henricks, et al // Proc. SPIE 1996-N. 2746-P. 152−161.
  160. Ю. Смешанная» концепция построения схем считывания для фокальных процессоров с ВЗН и деселекцией элементов / Ю. Деркач, И. П. Рева, Ф. Ф. Сизов //Прикладная физика 2003 — № 3 — С.90−96.
  161. Ovsyuk V. MCT heteroepitaxial 4×288 FPA / V. Ovsyuk, F. Sizov, V. Vasilyev, et al // Infrared Physics and Technology 2004 — V.45 — P. 13.
  162. Chishko V. F. InSb 288×32 FPA with digital TDI for low background application / V. F. Chishko, I. L. Kasatkin, A. A. Lopukhin. // Proc. SPIE «19th International Conference on Photoelectronics and Night Vision Devices» 2006 -№ 6636 —, p:
  163. Arthurs C. CMOS/CdHgTe hybrid technology for long linear arrays with time delay and integration and element deselection / C. Arthurs, I. Baker, G. Crimes, et al. // Proc. SPIE «Infrared Technology and Applications XXII» 1996 — N. 2744P. 473−485.
  164. Arthurs C. Long linear arrays with time delay integration and element deselection. // Proc. SPIE «Infrared Technology and Applications XXIII» 1997 — N. 3061 — P. 476−483.
  165. Zucker M. Long, mid-wave infrared detector with time delay integration / M. Zucker, E. Malkinson, J. Haski, et al. // Proc. SPIE «Infrared Technology and Applications XXVIII» 2003 — N. 4820 — P. 580−592.
  166. N. 480×8 hybrid HgCdTe infrared focal plane arrays for highdefinition television / N. Kobayashi, H. Wada, T. Okamura, et al. // Optical engineering 2003 — V.41 — P. 1876.
  167. Graham R. Signal processing on the focal plane array: An overviev / R. Graham, W. Trautfield, S. Taylor, et al. // Proc. SPIE «Infrared Technology and Applications XXVI» 2000 — N. 4130 — P. 237−243.
  168. M.K. Приемники ИК изображения на приборах с зарядовой связью / М. К. Кутузов, А. А. Раскин, Е. Б. Соколов // Зарубежная электронная техника- 1981 № 2 — С.41−83.
  169. Fossum Е. Charge coupled computing for focal plane arrays // Optical engineering — 1987 — V.26 — N9 — P.916−922.
  170. Hetfrich R. Low-power compensation technique for fixed pattern noise in infrared staring arrays. // SPIE 1980 — V.217 — P. 162−177.
  171. Chen C. A CCD serial parallel shift register / C. Chen, S. Chamberlan // IEEE Solid State Circuits 1973 — V. SC-8, N5 — P.388−391.
  172. Emmons S. A CCD multiplexer with forty AC coupled inputs / S. Emmons, T. Chek, J. Hall et al // Proceeding international conference on CCD, San Diego, -1975 P. 42−52.
  173. Chow K. Hybrid infrared focal-plane arrays / K. Chow, J. Rode, D. Seib, J. Blackwell // IEEE Trans. Electron Devices 1982 — ED-29 — P. 3−13.
  174. Zhou Z. On-focal-plane ADC: Recent progress at JPL / Z. Zhou, B. Pain, R. Pa-nacacci, et al // Proc. SPIE, «Infrared readout electronics III» 1996 — V.2745 -P.l 11−122.
  175. Martijn H. On-chip analog to digital conversion for cooled infrared detector arrays / H. Martijn, J. Andersson // Proc. SPIE «Infrared detectors and Focal plane arrays VI» -2000 -N.4028 P. 183−191.
  176. Fowler B. Technical for pixel level analog to digital conversion / B. Fowler, A. Gamal, D. Yang // Proc. SPIE 2000 — V.3360 — P. 124−138.
  177. Baxter C. On-chip signal processing configurations for focal plane arrays / C. Baxter, M. Massie // Proc. SPIE «Infrared Technology and Applications XXV» 1999 -N. 3698 — P. 726−735.
  178. Tchagaspanian M. Design of ADC in 25pm pixels pitch dedicated for IR FPA image processing at LETI / M. Tchagaspanian, P. Villard, B. Dupont, et al // Proc. SPIE «Infrared Technology and Applications XXXII» 2007 — N. 6542 -65421W.
  179. Fillon P. Digital output for high performance MCT staring arrays / P. Fillon, S. Dugalleix, F. Pistone, P. Tribolet // Proc. SPIE «Infrared Technology and Applications XXXII» 2006 -N. 6206 — 620 6130U1.
  180. Caulfield J. Efficiency of image processing architectures near the focal plane arrays / J. Caulfield, P. McCarley, J. Curzan, M. Massie // Proc. SPIE «Infrared Technology and Applications XXXII» 2006 — N. 6206 — 620 613.
  181. Hairston A. Advanced readout integrated circuit signal processing / A. Hairston, J. Stobie, R, Tinkler // Proc. SPIE «Infrared Technology and Applications XXXII» 2006 — N. 6206 — 62062Z.
  182. К. Приборы с переносом заряда / К. Секен, М. Томпсет. // М.:Мир -1978.
  183. Полупроводниковые формирователи сигналов изображения. Под редакцией П. Йесперса, Ф. Ван де Виле и М. Уайта // Издательство М: Мир 1979.
  184. Vu P. Wafer-scale scientific CCDs at Fairchild imaging / P. Vu, S. Onishi, R. Potter // Proc. SPIE, «Optical and infrared detectors for astronomy» 2004 -N5499.
  185. Kozlowski L. Noise minimization via deep submicron system-on-chip integration in megapixel CMOS imaging sensors. // Proc. SPIE 2005 — V.5957 -595 701.
  186. Kim J.C. InSb Charge-Injection Device Imaging Array. // IEEE Trans. Electron Devices 1978 — ED-25 — P. 232−241.
  187. Kinch M. HgCdTe charge coupled device technology / M. Kinch, R. Charman, A. Simmons, et al // Infrared Physics 1980 — V.20 — P. 1−20.
  188. Thorn R. A fully monolithic InSb infrared CCD arrays / R. Thom, T. Koch, J. Lanan, W. Parrish // IEEE Trans. Electron Devices 1980 — ED-27 -P. 160−170.
  189. Burke H. Charge-injection device imaging: operating techniques and performance characteristics / H. Burke and G. Michon // IEEE Trans. Electron Devices 1976 — ED-23 — P. 189−195.
  190. В. Тепловые шумы в фотоприемных устройствах на приборах с инжекцией заряда / В. Березин, Б. Котов, О. Сорокин, С. Татаурщиков // Микроэлектроника 1976-Т. 5 -В.5 — С. 413−418.
  191. Weinberg D. Output properties of charge-injection devices: Part I-read on Injection / D. Weinberg, F. Milton // IEEE Trans. Electron Devices 1982 — ED-29 -P. 1483−1490.
  192. В. Интегральный матричный фотоприемник нового типа на основе InSb / В. Морозов, В. Осипов, А. Селяков, И. Таубкин // Микроэлектроника 1996 — Т. 25 — № 3 — С. 163−175.
  193. В. Предельные характеристики новых смотрящих гибридных ИК-матриц на основе HgCdTe / В. Осипов, В. Пономаренко, А. Селяков // Прикладная физика 1999 — № 2 — С. 9−29.
  194. Charman R. Monolitic HgCdTe charge transfer device infrared imaging arrays R. Charman, S. Bollerro, A. Simmons, et al // IEEE Trans. Electron Devices -1980 ED-27 — P. 134−145.
  195. Bahraman F. Current state of the art InSb infrared staring imaging devices / F. Bahraman, C. Chen, J. Genesko, et al. // Proc. SPIE 1987 — V.750 -P.27−31.
  196. Esposito E. Charge imaging matrix arrays for advanced IR focal planes I E. Es-posito, W. Keenan, R. Gamer, S. Bollerro // Proc. CLEO april 1988.
  197. Свойства структур Металл-Диэлектрик-Полупроводник. // Под редакцией А.В. Ржанова-М: «Наука» 1976.
  198. В.Г. Основы физики микроэлектронных систем Металл-Диэлектрик-Полупроводник / В. Г. Литовченко, Ф. П. Горбань // Киев, издательство «Наукова Думка» 1978 — 122 с.
  199. Nicolian Е.Н. MOS (Metal Oxide Semiconductor) Physics and Technology / E.H. Nicolian, J.R. Brews // John Wiley and sons 1984 — 965 P.
  200. В.Н. Электронные процессы в полупроводниках с областями пространственного заряда // Новосибирск 1984 — С. 253.
  201. В.А. Релаксация неравновесного потенциала МДП структур в режиме постоянного потенциала / В. А. Гуртов, О. Н. Иващенко, Г. Л. Куры-шев, В. Г. Половинкин // Физика и техника полупроводников — 1986 Т. 20, В.6, — С. 1042−1048.
  202. В.А. Неравновесные процессы в структурах Металл-Диэлектрик-Полупроводник // Петрозаводск 1986.
  203. Terman L. An investigation of surface states at a silicon-silicon oxide interface employing metal-oxide-silicon diode. // Sol. St. Electr. 1962 — V.5 — N.3 -P.285−297.
  204. Gray P. Density of Si02-Si interface states / P. Gray, D. Brown // Appl. Physics Letters 1966 — V.2 -N.2 — P.31−33.
  205. Nicollian E. MOS conductance technique for measuring of surface state parameters / E. Nicollian, A. Goetzberger // Appl. Phys. Lett. 1965 — V.7 — N.8 -P.216−218.
  206. Zerbst M. Relationsefflekte an halbleiter-isolator-grenzflashen // Z. Angew. Phys. 1966 — V.22 — P.30−33.
  207. Heiman F.P. On the determination of minority carrier lifetime from the transient response of an MOS capacitor // IEEE Trans. El. Dev. — 1967 V. ED-14 — № 11 -P. 781.
  208. Schroder D.K. On the separation of bulk and surface components of lifetime using the pulsed MOS capacitor / D.K. Schroder, H.C. Nathanson // Sol. State Electronics 1970 — V. 13 — № 5 — P.577.
  209. Zakharov A.K. Thermal Generation and Recombination of Carries at Non-Equilibrium Variation of Inversion Layer / A.K. Zakharov, I.G. Neizvestny // Phys. Stat. Sol. (a) 1975 — V. 30 — № 1 — P. 419.
  210. А.К. Вклад различных областей полупровод-ника структуры МДП в формирование заряда инверсионного слоя / А. К. Захаров, И. Г. Неизвестный // Микроэлектроника 1975 — Т. 4 — В. 2 — С. 178.
  211. Tomanek P. Measuring the life time of minority carries in MIS structures. // Solid State Electronics 1969 — V.12 — P.301−303.
  212. Galzolary P.U. Minority carrier recombination in MOS capacitors switched from inversion to accumulation / P.U. Galzolary, S. Graffi and C. Morandi. // Solid State Electronics 1977 — V.20 — P.205−212.
  213. Bielle-Daspet D. Bulk carrier lifetime measurement from transient diffusion photocurrent in semiconductor diodes / D. Bielle-Daspet and G. Gasset // Solid State Electronics 1978 — V.21 — P.1219−1226.
  214. Kuper P. Determination of generation lifetime from non-equilibrium linear sweep current and capacitance measurements on an MOS capacitor / P. Kuper and C. Grimbergen // Solid State Electronics 1978 — V.21 — P.549−555.
  215. Н.А. Влияние свойств границы раздела и глубоких уровней в запрещенной зоне на вольт-фарадные характеристики МДП-структур на арсениде индия / Н. А. Корнюшкин, Н. А. Валишева, А. П. Ковчавцев., Г. Л. Курышев // ФТП 1996 — Т. 30 — В. 5 — С. 914.
  216. Работы выполненные с участием соискателя отмечены знаком *.
  217. Г. JI. Электронные свойства структур металл диэлектрик — полупроводник на основе InAs / Г. Л. Курышев, А. П. Ковчавцев, Н. А. Валишева //ФТП-2001 — Т. 35 — В. 9-С.1111.
  218. Dixon J.R. Optical Properties of n-Type Indium Arsenide in the Fundamental Adsorption Edge Region / J.R. Dixon, J.M. Ellis // Phys. Rev. 1961 — V. 123 -№ 5 — P. 1560.
  219. Burstein E. Anomalous Optical Absorption Limit in InSb // Phys. Rev. 1954 -V.93 — P.632.
  220. Anderson W.W. Absorption constant of PbixSnxTe and HgixCdxTe Alloys. // Infrared Phys. 1980 — V. 20 — P. 363.
  221. Urbach F. The Long-Wavelength Edge of Photographic Sensitivity and of the Electronic Absorption of Solids. // Phys. Rev. 1953 — V. 92 — P. 1324.
  222. Н.И. Флуктуации темнового и фонового заряда в ПЗИ-приемниках излучения. // Микроэлектроника -1987 -Т. 16 В. 5 — С. 463.
  223. Kogan Е. IR spectrometer with 512 InAs cell MOS detector / E. Kogan, A. Kov-chavtsev, G. Kurishev at al // OPTO-92, ESI publications, Paris 1992 — P.620−622.
  224. Vainer B. Excess lateral photo-response caused by technological and constructive defects in the IR-sensitive hybrid microcircuits. // J. Cryst. Growth 2000 -V. 210-N.l-3-P. 356−360.
  225. Overstraeten R. Theory of the MOS transistor in weak inversion new method to determine the number of surface states / R. Overstraeten, G. Declerck, P. Muls // IEEE Trans. Electron Devices — 1975 — ED-22 — P. 282−288.
  226. Reimbold G. Modified 1/f trapping noise theory and experiments in MOS transistors biased from weak to strong inversion influence of interface states // IEEE Trans. Electron Devices — 1984 — ED-31 — P. 1190−1198.
  227. Reimbold G. Noise associated with charge injection into a CCD by current integration through a MOS transistor // IEEE Trans. Electron Devices 1985 — ED-32-P. 871−873.
  228. H. 1/f noise in n-channel silicon -gate MOS transistors. // IEEE Trans. Electron Devices 1982 — ED-29 — P. 965−970.
  229. D’Souza F., Stapelbroek M., Masterjohn S., et al. 1/f noise in HgCdTe detectors / F. D’Souza, M. Stapelbroek, S. Masterjohn, et al // Proc. SPIE «Infrared detectors and Focal plane arrays VII» 2002 -N.4721 — P. 227−233.
  230. B.B. Матричные фотоприемники 320×256 со встроенным коротковолновым отрезающим фильтром / В. В. Васильев, B.C. Варавин, С. А. Дворецкий и другие. // Оптический журнал 2009 — Т.76 — № 12 — С. 36−41.
  231. Anderson W.W. Tunnel current limitations of narrow bandgap infrared charge coupled devices. // Infrared physics 1977 — V.17 — P. 147−164.
  232. Anderson W.W. Tunnel contribution to HgixCdxTe and Pbl-xSnxTe p-n junction diod characteristics. // Infrared physics 1981 — V.20 — P.353−361.
  233. Anderson W.W. Field ionization of deep levels in semiconductors with applications to Hgl-xCdxTe p-n junctions / W.W. Anderson, H.J. Hoffman. // J. Appl. Physics 1992 — V.53 — N.12 — P.9130−9144.
  234. H. Пакет программ для оценок оптических и электрофизических параметров CdxHgl-xTe (0.19×0.4) / Н. Герасименко, И. Гриценко, Л.
  235. Сафронов // Новосибирск 1990- Препринт АН СССР, Сибирское отделение, ИФП — № 5.
  236. Гуменнж-Сычевская Ж. Процессы токопереноса в п±р-на основе HgCdTe / Ж. Гуменюк-Сычевская, Ф. Сизов, В. Овсюк, и др. // Физика и техника полупроводников 2001 — Т. 35, В.5 — С.835−840.
  237. Sizov F. Gamma radiation exposure of MCT diode arrays / F. Sizov, I. Lysiuk, J. Gumenjuk-Sichevska, et al // Semicond.Sci.technol. 2006 — V.21 — P.356−363.
  238. Phillips J.D. Control of Very-Long-Wavelength Infrared HgCdTe Detector-Cutoff Wavelength / J.D. Phillips, D.D. Edwall, and D.L. Lee // Journal of Electronic Materials 2002 — V. 31 — N. 7 — P.664−668.
  239. И.И. Минимальная пороговая разность температур, обнаруживаемая тепловизионным методом / И. И. Таубкин, М. А. Тришенков // Оптический журнал 1993 — № 5 — С. 20−23.
  240. Tribolet P. High performance MCT LWIR and MWIR staring array for high frame rate applications / P. Tribolet, R. Boch // Proc. SPIE «Infrared Technology and Applications XXII» 1996 — N 2744 — P. 374−392.
  241. Woolaway J. New sensor technology for 3-to 5 pm imaging band // Photonica spectra 1991 -P.113.
  242. Desterfanis G. High performance LWIR 256×256 HgCdTe focal plane array operating at 88 К / G. Desterfanis, P. Audebert, E. Motrin, et al // Proc. SPIE «Infrared Technology and Applications XXIII» 1997 — N. 3061 — P. 111−116.
  243. Kozlowski L. Performance of HgCdTe, InGaAs and Quantum well GaAs/AlGaAs staring infrared focal plane arrays / L. Kozlowski, K. Vural, J. Arias, et al // Proc. SPIE 1997 — V.3182 — P. 2−13.
  244. Milton A.F., Barone F.R., Kruer M.R. Influence of nonuniformity on infraredfocal plane array / A.F. Milton, F.R. Barone, M.R. Kruer // Optical engineering- 1985 V.24-N. 5 — P. 855−862.
  245. Mooney J. Responsivity nonuniformity limited performance of infrared staring cameras / J. Mooney, F. Shepherd, S. Ewing, et al // Optical engineering 1989- V.28-N. 11 -P. 1151−1161.
  246. Tribolet P. Key performance drivers for cooled large IR staring arrays / P. Tri-bolet, P. Chorier, F. Pistone // Proc. SPIE «Infrared Technology and Applications XXIX» 2003 -N. 5074 — P. 173−184.
  247. McCarley P. NeuroSeek dual-color image processing infrared focal plane array / P. McCarley, M. Massit, C. Baxter, B. Huynh // Proc. SPIE 1998 — V.3360 -P.13−27.
  248. Ratliff B. Algebraic scene-based nonuniformity correction in focal-plane arrays / B. Ratliff, M. Hayat, R. Hardie. // Proc. SPIE 2001 — V.4372 — P. 114−124.
  249. Torres S. Kalman filtering for adaptive nonuniformity correction in infrared focal-plane arrays / S. Torres, M. Hayat // J. Opt. Soc. Am. 2003 — V.20, 3 March — P.470−480.
  250. Олыданецкая, Е.И.Черепов//A.c. № 1 739 808 -пр. от 04.07. 1990п> Б.И. с. 264/ А995С.274*. Кляус Х. И. Устройство ввода сигнала на приборах с зарядовой связью /
  251. Х.И.Кляус, И. И. Ли, Е. И. Черепов //A.c. № 862 750 пр. от 04.01.1980 г. б.И. С. А&, 2VCPPг.275*. Ли И. И. Устройство ввода сигналов на приборах с зарядовой связью /
  252. Е.И.Черепов. //A.c. № 1 436 535 пр. от 10.07. 1987п> Б.И./ИЧб, с. 230, i969r:282*. Ли И. И. Устройство ввода сигналов на приборах с зарядовой связью /
  253. И.И. Ли, Е. И. Черепов // A.c. № 1 415 992 пр. от 19.02.1986г, Ш. с, Зоб, 4995 тг
  254. Tompset М. Surface potential equilibration method of setting charge in chargecoupled devices // IEEE Trans. Electron Devices 1975 — V. ED-22 — N.6 -P.305−309.
  255. Angle R. Linearity of potential equilibration method of injecting charge into CCD’s / R. Angle and S. Huang // IEEE Trans. Electron Devices 1977 -V.ED-24 — N.3 — P.277−279.
  256. Ю.Р. Потенциальное входное устройство прибора с зарядовой связью в режиме слабых сигналов / Ю. Р. Винецкий, М. А. Тришенков // Радиотехника и электроника 1981 — № 4 — С.852−865.
  257. Ю.Р. Физические основы работы полупроводникового диода в импульсном режиме // М.: изд-во «Наука» 1968.
  258. R. // Solid State Electronics 1975 — V. 18 — P.617−626.
  259. В.А., Прудников А. П. Операционное исчисление по двум переменным и его приложения, М.: изд-во «Физматгиз» 1958.
  260. Wei С. Measurement of monority lifetime using an MIS capacitor / C. Wei, H. Woodbary. // IEEE Transaction on Electron Devices 1985 — V. ED-32 — N. 5 -P.857−964.
  261. Manissadjian A. HgCdTe performance for high operating temperatures / A. Ma-nissadjian, P. Costa, P. Tribolet // Proc. SPIE «Infrared Technology and Applications XXIV 1998 -N. 3436 — P. 150−161.
  262. А. Фотоэлектрические характеристики МДП -структур наоснове варизонного n-типа HgCdTe (х=0.21−0.23) / А. Войцеховский, С.
  263. , С. Дзядух, и др. // Изв. ВУЗов, Физика. 2005. — № 2. -С.35−39.309*. Гузев A.A. Фоточувствительные свойства структур ZnTe/CdTe/HgCdTe /
  264. A.A. Гузев, B.C. Варавин, С. А. Дворецкий, А. П Ковчавцев, Г. Л. Курышев,
  265. И.И. Ли, З. В. Панова, Ю. Г. Сидоров, М. В. Якушев // Прикладная физика2009 № 2 — С. 92−96.
  266. Cheung D. Direct capacitive of infrared detectors to CCD multiplexers. // Proc.1. SPIE 1980-V.217-P.9−15,.311*. Кляус Х. И. Способ записи информации в устройства ввода на ПЗС /
  267. Guzev, V.M. Efimov, A.P. Kovchavtsev, G.L. Kuryshev, I.I. Lee, A.S. Stroganov //Proc.ofSPIE-2002- № 5126-P. 118−128.
  268. Vainer B.G. Application of the nahow spectral range InAs-FPA-based IR camera for the investigation of the interface voids in silicon wafer bonding / B.G. Vainer, G.N. Kamaev, G.L. Kuryshev. // J. Cryst. Growth 2000 — V. 210 -N.l-3 — P.351−355.
  269. С.С. Исследование структуры факела водорода в сверхзвуковой высокоэнтальпийной струе воздуха / С. С. Воронцов, В. А. Забайкин, В.В.1.
  270. , П.К. Третьяков, Н.В. Чугунова // ФГВ 1999 — Т. 35 — № 5 — С. 3.
  271. Cherkassky V.S. Imaging techniques for a high-power THz free electron laser / V.S. Cherkassky, et al // Nuclear Instr. And Methods in Physics Research A -2005 V.43 — P. 102−109.
  272. И.Б. Применение инфракрасной техники в народном хозяйстве. Ленинград: Энергоиздат- 1981.
  273. . Инфракрасная термография. Основы, техника, применение. М.: Мир 1988.
  274. В.П. Клиническое тепловидение / В. П. Мельникова, М. М. Мирошников и др. // СПб.: ГОИ им. С. И. Вавилова 1999 — С. 124.
  275. .Г. Матричное тепловидение в физиологии // Новосибирск: Издательство Сибирского отделения РАН 2004.
  276. Физические величины: Справочник. Под ред. Григорьева И. С., Мейлихова Е. З., М., Энергоатомиздат -1991.
  277. Микроскопы. Под ред. Полякова Н. И. Л.: Машиностроение 1969.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!