Разработка методов стабилизации параметров усилителей СВЧ в условиях воздействия дестабилизирующих технологических факторов
Диссертация
Данная методология ориентирована на то, чтобы максимально использовать возможности технологического процесса, вести проектирование топологии применительно к вероятностным характеристикам технологического процесса, обеспечивая в результате максимум вероятности выхода годных изделий. Таким образом будет спроектирован элемент с новым, ранее отсутствовавшим качеством — максимальной вероятностью того… Читать ещё >
Список литературы
- Данилин В.Н., Кушниренко А. И., Петров Г. В. Аналоговые полупроводниковые интегральные схемы СВЧ. М.: Радио и связь, 1985. — 192 с.
- Высокочастотные полупроводниковые усилители с обратной связью: инженерные методы расчета/Под ред. А. И. Борисова, А. В. Кривошейкина. -М.: Радио и связь, 1982.
- Зайцев A.A., Савельев Ю. Н. Генераторные СВЧ транзисторы. М.: Радио и связь, 1985. -48с.
- Шварц Н.З. Линейные транзисторные усилители СВЧ. -М.: Советское радио, 1980. -368 с.
- Носов Ю.Р., Петросянц К. О., Шилин В. А. Математические модели элементов интегральной электроники. М: Советское радио, 1976.-304 с.
- Чахмасазян Е.А., Мозговой Г. П., Силин В. Д. Математическое моделирование и макромоделирование биполярных элементов электронных схем. М.: Радио и связь, 1985. — 142 с.
- Чуа Л.О., Пен-Мин Лин. Машинный анализ электронных схем. М: Энергия, 1980. — 638 с.
- Малорацкий Л.Г. Микроминиатюризация элементов и устройств СВЧ. М.: Советское радио, 1976. -216 с.
- Микроэлектронные устройства СВЧ: Учеб. пособие для радиотехнических специальностей вузов / Ю. Н. Алехин, Г. И. Веселов, Е. Н. Егоров и др.- Под ред. Г. И. Веселова.- М.: Высшая школа, 1988.-280 с.
- Мощные полупроводниковые приборы. Транзисторы: Справочник /Б.А.Бородин, В. М. Ломакин, В. В. Мокряков и др.- Под ред. Голомедова.-М.: Радио и связь, 1985.-560 с.
- Вамберский М.В., Казанцев В. И., Шелухин С. А. Передающие устройства СВЧ . М.: Высшая школа, 1984. — 448 с.
- Полупроводниковые входные устройства СВЧ /Под ред. В. С. Эткина. М: Советское радио, 1975. -344 с.
- Каганов В.И. Полупроводниковые передатчики СВЧ. М: Советское радио, 1981.-400 с.
- Полупроводниковые приборы в схемах СВЧ: Пер. с англ. В. С. Эткина / Под. ред. М. Хауэса, Д.Моргана. -М.: Мир, 1979 -448 с.
- Полупроводниковые приборы и их применение /Под ред. Я. А. Федорова. -М.: Советское радио, 1972. вып. 26.- 173 с.
- Полупроводниковые приборы СВЧ/ Под.- ред. Ф.Бренда. -М.: Мир, 1972.-146 с.
- Хотунцев Ю.Л. Полупроводниковые СВЧ устройства. М.: Связь, 1978.-256 с.
- Малорацкий Л.Г., Явич Л. Р. Проектирование и расчет СВЧ элементов на полосковых линиях. -М.: Советское радио, 1972.-232 с.
- Радиопередающие устройства на полупроводниковых приборах /Под ред. Р. А. Валитова, И. А. Попова. М.: Советское радио, 1973. — 172 с.
- Радиопередающие устройства: учебное пособие для вузов /Л.А.Белов, М. В. Благовещенский, С. М. Богачев и др.- Под ред. М. В. Благовещенского и Г. М. Уткина. М.-Радио и связь, 1982.-408 с.
- Гоноровский И.С. Радиотехнические цепи и сигналы. М.:Радио и связь, 1986.-512 с.
- Справочник по элементам полосковой техники /Под ред. А.Л. Фельдштей-на. -М.: Связь, 1979. -336 с.
- Боде Г. Теория цепей и проектирование усилителей с обратной связью: Пер. с англ. /Ред. A.A. Колосова и Л. А. Мееровича. -М.: ИЛ, 1948. 680 с.
- Челноков O.A. Транзисторные генераторы синусоидальных колебаний. М: Советское радио, 1975. — 272 с.
- Каганов В.И. Транзисторные передатчики. М: Энергия, 1976. — 448 с.
- Богачев В.М., Никифоров В. В. Транзисторные усилители мощности. М.: Энергия, 1978. — 344 с.
- Усачов В.П. Исследование и разработка балансного транзисторного усилителя мощности СВЧ с невзаимными делителями и сумматорами: Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук. М.: МГТУ, 1981.-164 с.
- Чернышев C.JI. Синтез каскадов усиления мощности на ГИС для АФАР СВЧ: Диссертация на соискание ученой степени доктора технических наук. М.: МГТУ, 1990.-350 с.
- Кожевников С.А., Сыромятников В. П. Анализ режима работы транзистора в усилителях средней мощности СМ диапазона // Электронная техника. Сер. 10. Микроэлектронные устройства. — - 1982. — Вып. 4(34). -С.6−11.
- Влияние обратной связи с истоком на моделирующую схему GaAs полевого транзистора с барьером Шоттки/ТПП УССР.-№ А-323/8.- Киев., 16.05.86. -17с. // International Journal of Electronics.-1984.-Vol.57, № 4.-P. 447−459.
- Возрождение схем усилителей с распределенным усилением: Пер. с англ. /ВЦП.- 1986. № М-33 354.-М., — 17 с.
- Запасы устойчивости в СВЧ усилителях: Пер. с англ. /ТПП УССР- 1987.- № А-1710/7. -Киев., -18 с.
- Сафронов В.Е. Исследование статистических характеристик биполярных СВЧ транзисторов по их эквивалентной схеме.//Вопросы радиоэлектроники.-1992.-№ 3.-С. 10−12.
- Монолитный интегральный малошумящий усилитель Х-диапазона с последовательной обратной связью: Пер. с англ. /ТПП УССР 1987. -№ Б-955/1 З.Харьков., -9с.
- Практический подход к вопросу согласования усилителя: Пер. с англ. /ТПП УССР. -№ Б-259/8.-Киев., -12с.
- И.П.Бушминский, В. Е. Сафронов Разработка основ проектирования функциональных узлов гибридных интегральных схем (ГИС) СВЧ, адаптивных к технологическим погрешностям // Электродинамика и техника СВЧ и КВЧ. -(М.). 1995. — Выпуск 3 (II). — С. 136.
- Богачев В.М. Расчет граничных частот дрейфового транзистора методом заряда//Радиотехника и электроника. 1965.- № 1.-С. 157−166.
- Аронов B. J1. Расчет нелинейого режима работы генераторного СВЧ транзистора с учетом нелинейности по току и напряжению// Электронная техника. -Сер. 2.- 1973. Вып. 9. — С. 34−37.
- Сафронов В.Е. Свойства элемента обратной связи линейных транзисторных усилителей СВЧ //Радиотехника. -1991.- № 8.- С. 10−14.
- Потехин С.К., Яковенко В. А. Статистический анализ чувстительности характеристик мощного СВЧ транзистора к разбросу его параметров //Радиотехника. 1985.- № 3.- С.35−37.
- Уточкин Г. В. Статистические характеристики элементов эквивалентной схемы высокочастотных биполярных транзисторов//Радиотехника.-1986. -№ 5.-С.45−47.
- Кернер B.C., Осипов В. В. Теория теплового пробоя транзистора // Радиотехника и электроника. 1975. — Т. XX, № 10. -С. 1694−1703.
- Каганов В.И. Транзисторные передатчики. состояние, перспективы и проблемы // Полупроводниковая электроника в технике связи: Сб. статей (М.). -1985. — Вып.25. С.- 5−11.
- Петин Г. П. Транзисторные усилители и генераторы с линейными и нелинейными обратными связями.-М.:"Энергия", 1973
- Нечаев А.П., Синкевич В. Ф. Условия шнурования тока в полупроводниковых структурах с неоднородностью // Электронная техника. Сер. 2, Полупроводниковые приборы. — 1983. — Вып. 2.-С. 45−54.
- Усовершенствованное автоматизированное проектирование усилителей с помощью принципов обратной связи: Пер. с англ. /ТИП УССР.- 1988.- № Б-1952/4. Киев., -39с.
- Beafoy R., Sparkers I. The junction transistor as charge controlled device //ATEI.- 1957.-V. 13, № 10. P. 310−324.
- Koehler D. The charge-control concept in the form of equivalent circuits representing a link between classic large signal diode and transistors models// Bell Syst. Teen. I.- 1967.- V.46, № 3.- P. 523−576.
- Бушминский И.П. и др. Конструкторско-технологические основы проектирования полосковых микросхем/ И. П. Бушминский, А. Г. Гудков, В. Ф. Дергачев и др.- Под ред. И. П. Бушминского.- М.: Радио и связь, 1987.-272 с.
- Бушминский И.П., Сафронов В. Е. Принцип действия и достоинства применения обратной связи, регулируемой погрешностью (ОСРП) //Актуальные проблемы фундаментальных наук: Вторая Международная научно-техническая конференция-М., 1994.- С. 94−95.
- Влияние разброса геометрических размеров на характеристики МОП-транзисторов: Пер. с англ. /ТПП БССР. (Минск.), 1987. — № 1320/9. — 16 с.118