Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Выращивание и лазерные свойства монокристаллов лантан-скандиевого бората с редкоземельными активаторами

Диссертация: Выращивание и лазерные свойства монокристаллов лантан-скандиевого бората с редкоземельными активаторами
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Третья глава посвящена проблемам выращивания монокристаллов Ш: Ь8 В, N (1, СпЬБВ и исследованиям их лазерных свойств. Особое внимание уделено задаче выращивания монокристаллов высокого оптического качества. С этой целью исследованы фазовые соотношения в системе Ыс^Оз-БсгОз-ВгОз в окрестности соединения Ш8с3(В0з)4 и зависимость оптической однородности кристаллов ИсЬЬЗВ от концентрации неодима… Читать ещё >

Выращивание и лазерные свойства монокристаллов лантан-скандиевого бората с редкоземельными активаторами (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Глава 1. Редкоземельные бораты со структурой хантита
    • 1. 1. Хантитовая структура
    • 1. 2. Лантаноидные бораты с хантитовой структурой
    • 1. 3. Скандиевые бораты
    • 1. 4. Лантан-скандиевый борат в качестве матрицы для редкоземельных активаторов
  • Глава 2. Особенности выращивания монокристаллов лантан-скандиевого бората по методу Чохральского
    • 2. 1. Физико-химические особенности выращивания лантан-скандиевого бората
    • 2. 2. Технологические особенности выращивания лантан-скандиевого бората
    • 2. 3. Оптические характеристики ЬБВ
    • 2. 4. Структурные особенности лантан-скандиевого бората
  • Глава 3. Выращивание и лазерные свойства монокристаллов ШгЬЭВ и Ш, Сг: Г8В
    • 3. 1. Лантан-скандиевый борат с неодимом
    • 3. 2. Выращивание монокристаллов Ыё: Ь8 В и Ш, Сг: Ь8В
    • 3. 3. Лазерные свойства Ш: Ь8В
    • 3. 4. Генерационные свойстваКс1, Сг:Ь8В
  • Глава 4. Монокристаллы для 1.56 мкм лазеров
    • 4. 1. Лазеры на стекле с Ег и УЪ
    • 4. 2. Лантан-скандиевый борат с ионами иттербия, эрбия и хрома
    • 4. 3. Спектры поглощения и люминесценции
    • 4. 4. Лазерные свойства
  • Глава 5. Выращивание и лазерные свойства монокристаллов Pr: LSB и PSB
    • 5. 1. Лазеры на 0.65 мкм
    • 5. 2. Особенности выращивания монокристаллов Pr: LSB и PSB
    • 5. 3. Спектры поглощения и люминесценции Pr: LSB и PSB

К существенным особенностям современной техники самого разного назначения относится высокая надежность и миниатюрность исполнения технических устройств. Миниатюризация приборов и устройств традиционно связывается с использованием микроэлектроники. Однако сейчас размеры и вес электронных блоков стали уже столь малыми по сравнению с другими компонентами, например механическими и оптическими, что на первый план выходит именно проблема уменьшения последних.

Одним из путей миниатюризации приборов и устройств лазерной техники является использование в качестве активных элементов полифункциональных ацентрических кристаллов, среди которых выделяются кристаллы редкоземельных ортоборатов со структурой хантита ЬпХ3(ВОз)4 (X = А1, ва), обладающие комплексом ценных свойств. Высокая химическая и механическая стойкость, самое большое содержание рабочих ионов Ш3+ без заметного концентрационного тушения люминесценции и самый большой коэффициент усиления среди известных лазерных кристаллов, эффективная передача энергии Сг3+ —" Ш3+ и возможность получения перестраиваемой генерации на электронно-колебательном переходе ионов Сг3+ в сочетании с возможностью одновременного удвоения частоты генерации и управления характеристиками излучения благодаря нелинейным, пьезоэлектрическим и электрооптическим свойствам, присущим данной структуре, делают хантитовые кристаллы одними из наиболее перспективными для создания малогабаритных полифункциональных лазеров.

Однако редкоземельные бораты алюминия и галлия имеют существенные недостатки: инконгруэнтный характер плавления, низкую скорость роста и малые размеры монокристаллов при выращивании по раствор-расплавному методу, невысокое оптическое качества из-за включений субстанций растворителя, которые сдерживают их промышленное применение.

Другой способ решения проблемы миниатюризации приборов и устройств состоит в использовании миниатюрных источников излучения на основе твердотельных лазеров с диодной накачкой.

Современные лазерные диоды, используемые для накачки, имеют спектральную ширину ~1 нм, мощность ~ 1−10 Вт и ресурс работы ~104 часов. Применение полупроводниковых лазеров в качестве источников накачки обеспечивает существенное увеличение КПД твердотельных лазеров. Однако из-за высокой дифракционной расходимости излучения основные преимущества диодной накачки могут быть эффективно реализованы в лазерах с малой (~1мм) длиной активного элемента. В этом случае для поглощения более 95% излучения накачки в активном элементе концентрация неодима должна быть не менее 4−1020 см" 3.

Повышение эффективности твердотельных лазеров с диодной накачкой может быть достигнуто за счет оптимизации резонатора, осветительных систем и источника накачки. Решение же проблемы в целом невозможно без создания новых активных сред, обладающих эффективным поглощением в спектральном диапазоне источника диодной накачки. Высокие коэффициенты поглощения могут быть достигнуты как кардинальным увеличением концентраций актива-торных ионов (при условии слабого концентрационного тушения люминесценции), так и применением эффекта сенсибилизации люминесценции. В этой связи разработка высококонцентрированных активных сред для лазеров с полупроводниковой накачкой является актуальной задачей.

Объектами исследований являлись монокристаллы лантан-скандиевого бората Ьа8с3(ВОз)4 (ЬБВ), допированные ионами N<1, Сг, Ег, УЪ и Рг. Критерий выбора был основан на их научной и практической значимости, обусловленной активными свойствами, и возможностью расширения элементной базы для компактных лазеров, излучающих в диапазонах 1.06,1.56 мкм.

В тексте для высококонцентрированных лазерных кристаллов типа ШхЬаь х8с3(ВОз)4, Ьа (УЪх8с1х)з (В03)4 и т. д., в которых активаторный или сенсибили-заторный ионы являются элементами кристаллической решетки применяется общепринятое обозначение Ш: Ь8 В, УЬ: Ь8 В и т. д. В тех случаях, когда для исследуемых соединений приводятся численные значения концентраций активатора (сенсибилизатора), следует иметь в виду, что концентрации указаны по содержанию этих компонентов в расплаве, из которого выращивался кристалл.

Экспериментальные исследования выращенных кристаллов включали в себя измерения оптических, спектрально-люминесцентных и рентгенографических характеристик, а также генерационные испытания в лазерах с ламповой и диодной накачками. Монокристаллы выращивались из расплава по методу Чохральского.

Часть диссертационной работы выполнена в рамках научно-исследовательского проекта Международного Научно-Технического Центра (МНТЦ) № 251−96 «Разработка новой среды на основе редкоземельных скан-доборатов для создания лазерных источников, излучающих в диапазонах 0.53, 1.06, 1.5 мкм».

Цель работы состояла в предложении и обосновании оптимальной кристаллической матрицы для лазеров с диодной накачкой, выращивании лазерных кристаллов на ее основе и доказательстве целесообразности их использования в качестве элементной базы.

Отправная идея заключалась в выборе в качестве кристаллической матрицы лантан-скандиевого бората. Крупные ионы лантана и скандия наиболее предпочтительны для октаэдрических позиций редкоземельных элементов в боратах с хантитовой структурой. Кроме того, они способствуют высокотемпературной стабилизации кристаллической структуры при формировании соответствующего ей состава расплава, а частичное замещение ионов лантана ионами неодима или празеодима мало искажает ее кристаллическую структуру Ь8 В.

Для достижения поставленной цели требовалось решить следующие задачи:

— изучить физико-химические особенности выращивания кристаллов Ь8 В из расплава по методу Чохральского;

— вырастить лазерные кристаллы высокого оптического качества;

— исследовать их структурные, спектрально-люминесцентные и тепловые свойства;

— провести генерационные испытания выращенных кристаллов.

Научная новизна работы заключается в следующем:

1) создана новая кристаллическая матрица для компактных лазеров — лантан-скандиевый борат;

2) впервые исследованы фазовые соотношения в системах La203-Sc203-В203 в окрестности соединения LaSc3(B03)4 и Nd203-Sc203-B203 в окрестности соединения NdSc3(B03)4- подтвержден инконгруэнтный характер плавления лантан-скандиевого бората при температуре 1495 °C и неодим-скандиевого бората при температуре 1480 °C;

3) построена диаграмма состояния системы РгВ03 — ScB03 в области температур 1300−1600 °С и установлен инконгруэнтный характер плавления соединения PrSc3(B03)4 при температуре 1480 °C;

4) определены допустимые концентрации компонентов расплава для выращивания совершенных кристаллов LSB, Nd: LSB, Nd, Cr: LSB, Yb: LSB, Er, Yb: LSB, Er, Yb, Cr: LSB, Pr: LSB, PSB;

5) на основании проведенных измерений спектрально-люминесцентных и генерационных характеристик кристаллов Nd: LSB, Nd, Cr: LSB, Er, Yb, Cr: LSB, а также измерений спектрально-люминесцентных характеристик кристаллов Pr: LSB, PSB, Er, Yb: LSB установлена их перспективность в качестве активных сред для компактных лазеров;

6) впервые выполнено рентгеноструктурное исследование монокристаллических образцов PrxLai. xSc3(B03)4- установлено существование непрерывного ряда твердых растворов в интервале концентраций 0 < X < 0.5- показано, что в окрестности концентраций 0.5 < X < 0.9 происходит изменение пространственной группы симметрии соединения (С2/с при X < 0.5 и С2 при X > 0.9).

Научно-практическое значение работы.

1. Разработана технология выращивания совершенных лазерных кристаллов Ш: Ь8 В с концентрацией активатора от 10 до 30% зХ. по позиции лантана по методу Чохральского на установке «Кристалл-3». Данная технология применяется в НПО «Фирн» для выращивания кристаллов ШгЬБВ, которые используются рядом российских и зарубежных фирм при производстве компактных лазеров с диодной накачкой.

2. Разработанная автором новая активная кристаллическая среда для 1.56 мкм лазеров с диодной накачкой Ег, УЪ: Ь8 В может быть использована при создании безопасных для зрения компактных лазерных дальномеров, что подтверждается результатами испытаний, проведенных в Институте лазерной физики при Гамбургском университете.

3. Выращенные кристаллы Рго. озЬа0.978сз (ВОз)4 могут быть использованы при проведении исследовательских работ по созданию лазеров с диодной накачкой, излучающих в окрестности 0.65 мкм и пассивных затворов для 1.56 мкм лазеров.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Способ высокотемпературной стабилизации кристаллической структуры лантан-скандиевого бората путем формирования адекватного ей состава расплава.

2. Экспериментально найденные области составов расплавов для выращивания оптически однородных лазерных монокристаллов Ш: Ь8 В, Ш, Сг: Ь8 В, Ег, УЬ: Ь8 В, Ег, УЬ, Сг: Ь8 В и Рг: Ь8 В.

3. Технология и условия выращивания совершенных лазерных монокристаллов Ш: Ь8 В, Ш, Сг: Ь8 В (N (1 — 10−30% гЛ в позиции лантана, Сг — 0.31.5% а1 в позиции скандия), Ег, УЬ: Ь8 В, Ег, УЪ, Сг: Ь8 В (Ег — 0.3−1.0% аХ, УЪ -10% аХ и Сг — 0.3−1.5% Ы в позиции скандия) и Рг: Ь8 В (Рг — 3−20% гА и 90 100% аХ в позиции лантана).

4. Выбор оптимальных концентраций активаторов в лазерных кристаллах Ы&ЬБВ, Ш, Сг: Ь8 В, Ег, УЪ: Ь8 В, Ег, УЬ, Сг: Ь8 В и Рг: Ь8 В на основе анализа их рентгеноструктурных, спектрально-люминесцентных и генерационных характеристик.

5. Новые кристаллы Ш: Ь8 В (N<1 — 10, 17, 25, 30% а^, Ш, Сг: Ь8 В (Ш -17% агСг — 0.3, 0.7% а^, Ег, УЬ: Ь8 В (Ег — 0.1, 0.3, 0.5, 0.7, 1.0% УЬ -10% а0 и Ег, УЪ, Сг: Ь8 В (Ег — 0.3, 0.5, 0.7, 1.0% а!- УЬ — 10% агСг — 0.3, 0.7% результаты генерационных испытаний этих кристаллов и выводы, сделанные на основе результатов испытаний: разработанные активные среды перспективны для лазеров с диодной накачкой, излучающих в окрестности 1.06, 1.56 мкм.

По теме диссертации опубликовано 13 работ и получено одно авторское свидетельство.

Диссертация состоит из пяти глав, заключения и списка цитированной литературы. Общий объем диссертации 112 страниц, в том числе 12 таблиц, 21 рисунок и библиографический список из 83 наименований.

Первая глава носит краткий обзорный характер. В ней дана общая характеристика редкоземельных хантитовых боратов, обсуждаются особенности их структуры, физические характеристики и особенности выращивания редкоземельных боратов алюминия и галлияобоснован выбор лантан-скандиевого бората в качестве матрицы для лазерных кристаллов, ориентированных на применение в лазерах с диодной накачкой.

Во второй главе описаны физико-химические и технологические особенности выращивания монокристаллов лантан-скандиевого бората по методу Чох-ральского, приведены результаты исследования фазовых соотношений в системе Ьа20з-8с20з-В20з в окрестности соединения Ьа8с3(В03)4, определены допустимые концентрации компонентов расплава для выращивания совершенных кристаллов Ь8 В, изложена технология выращивания лантан-скандиевого бората высокого оптического качества и показано, что лантан-скандиевый борат может быть использован не только в качестве лазерной матрицы, но и в качестве оптического материала для поляризационных призм и волновых пластинок.

Третья глава посвящена проблемам выращивания монокристаллов Ш: Ь8 В, N (1, СпЬБВ и исследованиям их лазерных свойств. Особое внимание уделено задаче выращивания монокристаллов высокого оптического качества. С этой целью исследованы фазовые соотношения в системе Ыс^Оз-БсгОз-ВгОз в окрестности соединения Ш8с3(В0з)4 и зависимость оптической однородности кристаллов ИсЬЬЗВ от концентрации неодима. Представлены результаты измерения спектрально-люминесцентных характеристик кристаллов Ш: Ь8 В, N (1, СпЬБВ и результаты их генерационных испытаний в лазерах с ламповой (N (1, Сг: Ь8В) и диодной (Ш:Ь8В) накачками. Приведены результаты сравнения генерационных характеристик исследуемых монокристаллов и монокристаллов Ш.-УАв, N (1 :УУ04.

В четвертой главе изложены технологические особенности выращивания новых кристаллов Ег, УЬ: Ь8 В, Ег, УЬ, Сг: Ь8 В для лазеров, излучающих в окрестности 1.56 мкм, и приведены результаты измерения спектрально-люминесцентных характеристик этих кристаллов. Определена максимально допустимая концентрация иттербия для выращивания кристаллов высокого оптического качества. Представлены результаты генерационных испытаний кристаллов Ег, УЬ: Ь8 В (Ег — 0.1, 0.3, 0.5, 0.7, 1.0% агУЬ — 10%-аг) в лазерах с торцевой диодной накачкой и результаты генерационных испытаний кристаллов • Ег, УЬСг: Ь8 В (Ег — 0.3, 0.5, 0.7, 1.0% зАУЬ — 10% а1- Сг — 0.3, 0.7% аг) в лазерах с ламповой накачкой.

В пятой главе приведены технологические особенности выращивания монокристаллов Рг: Ь8 В, Р8 В и представлены результаты исследования их спектрально-люминесцентных свойств от концентрации празеодима. Доказано, что монокристалл Р8 В является ацентричным и обладает нелинейными оптическими свойствами. Обсуждается возможность использования монокристаллов Рго.озЬао.97 $с3(В03)4 для создания лазеров с диодной накачкой, излучающих в окрестности 0.65 мкм и пассивных затворов для 1.56 мкм лазеров.

Инициатором и активным участников многих основополагающих работ, на которых базируется диссертация, был мой друг и коллега В. В. Лаптев. Светлая память об этом замечательном человеке и первоклассном специалисте останется навсегда в моей памяти. Эта диссертация служит доказательством того, что его идеи продолжают жить и развиваться, а сам он продолжает быть с нами.

Автор выражает глубокую благодарность профессору В. И. Чижикову за общее руководство при работе над диссертацией, обсуждения различных вопросов и моральную поддержку. Эта работа вряд ли была завершена, если бы мне не помогали мои товарищи и коллеги: О. В. Кузьмин, В. Л. Панютин, А. Ю. Агеев, В. В. Ефименко, В. М. Иванов, О. Г. Плашкарев, A.A. Мартынов, С. Ю. Мацнев, А. Ю. Олейник, Н. Н. Симонова, С. Ю. Смалиус, Н. К. Троценко, А. Г. Тюлюпа, В. Л. Хаит. Всем им я приношу искреннюю признательность. Наконец, я благодарен моей жене Н. П. Ивониной за понимание необходимости завершения работы и проявленное терпение в процессе ее выполнения.

1. РЕДКОЗЕМЕЛЬНЫЕ БОРАТЫ СО СТУКТУРОЙ ХАНТИТА.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Сформулируем основные результаты и выводы.

1. Предложена новая кристаллическая матрица — лантан-скандиевый борат для создания высококонцентрированных лазерных сред. Установлен инконгру-энтный характер плавления соединения Ьа8с3(В03)4 при температуре 1495 °C и найдено, что различие в составах расплава и кристалла составляет 6 мольных процентов. Выявленные особенности допускают в принципе выращивание кристаллов Ьа8с3(В03)4 по методу Чохральского при введении в расплав избытка ЬаВ03. Проведенные исследования условий высокотемпературной стабилизации кристаллической структуры позволили разработать технологию выращивания совершенных монокристаллов Ьа8с3(В03)4 по методу Чохральского. Близость в октаэдрическом окружении эффективных ионных радиусов Ьа, N (1, Рг и Бс, Сг, Ег, УЬ способствует введению лазерных ионов в предложенную матрицу без заметного искажения ее кристаллической структуры и ухудшения оптического качества.

2. Изучены фазовые соотношения в системах Ьа203−8С203-В203 и Ш203−8с2Оз-В2Оз путем построения линий моновариантного равновесия в области концентраций: 0 < Ьа203 < 0.3, 0.2 < 8с203 < 0.65, 0.1 < В203 < 0.8 и 0 < Ш203 < 0.3, 0.2 < 8с203 < 0.65, 0.1 < В203 < 0.8, установлен инконгруэнтный характер плавления неодим-скандиевого бората при температуре 1480 °C и определены области концентраций расплава устойчивого роста монокристаллов Мё: Ь8 В (N (1 — 10, 17, 25, 30% 2А), Ш, Сг: Ь8 В (N (1−17% ъИ Сг — 0.3, 0.7% аг) высокого оптического качества. При концентрациях неодима до 15% соотношение (Ьа, Ш):8с следует поддерживать 1:3- при более высоких концентрациях N<1 это соотношение необходимо увеличивать до 1.2:2.8 (N (1 — 50% а1:). Добавка ионов хрома в расплав до 2% аХ не требует изменения указанного оптимального соотношения компонент в расплаве.

Анализ собственных результатов измерения спектрально-люминесцентных и генерационных характеристик Ш: Ь8 В, Ш, Сг. Ь8 В, а также результатов, полученных в других лабораториях, позволяет утверждать, что:

— в маломощных лазерах с ламповой накачкой активная среда Ш, Сг: Ь8 В по КПД преобразования, пороговому значению энергии накачки, качеству лазерного пучка превосходит такие известные среды, как Ш: УАО, N (1, Сг: УБвв;

— в маломощных лазерах с торцевой диодной накачкой (до 1 Вт) активная среда Ш: Ь8 В по тем же параметрам не уступает таким средам, как Ш: УАО, N<1 :УУ04, а достигнутый дифференциальный КПД преобразования (64%) близок к предельному (76%).

3. На основе кристаллической матрицы Ь8 В предложена новая активная среда для 1.56 мкм лазеров. Определена максимально возможная для данной матрицы концентрация сенсибилизирующих ионов иттербия и хрома (соответственно 10% а! и 1% гЛ по позиции скандия). Выращены монокристаллы УЬ: Ь8 В, Ег, УЬ: Ь8 В, Ег, УЬ, Сг: Ь8 В высокого оптического качества и проведены измерения их спектрально-люминесцентных характеристик. Эти данные, наряду с результатами генерационных испытаний, позволили определить оптимальную концентрацию активаторного иона эрбия (0.5 ± 0.1% аХ по позиции скандия) в кристалле Ег, УЪ: Ь8 В, ориентированном на применение в лазерах с торцевой диодной накачкой. Результаты генерационных испытаний подтвердили высокую эффективность нового лазерного материала и возможность достижения в указанных лазерах мощности излучения 200−300 мВт, а в перспективе и 1 Вт. Полученное значение мощности стимулированного излучения на длине волны 1.56 мкм составляло 160 мВт, дифференциальный КПД зависел от концентрации эрбия и изменялся в интервале 6−10%.

4. Впервые выращены монокристаллы РгхЬа1. х8сз (ВОз)4 (X = 0.03, 0.06, 0.20, 0.90, 1.0), проведены измерения их рентгеноструктурных характеристик и исследования спектрально-люминесцентных свойств. На основании полученных данных установлено существование непрерывного ряда твердых растворов во всей области концентраций и показано, что в окрестности концентрации X = 0.9 происходит изменение пространственной группы симметрии соединения.

С2/с при X < 0.9 и С2 при X > 0.9). Из спектрально-люминесцентных свойств следует возможность применения Рго.озЬао.97 $Сз (ВОз)4 в качестве активной среды для лазерных конверторов, излучающих в окрестности 0.65 мкм. В связи с возможностью варьировать в широких пределах концентрацию активатора в РпЬБВ следует ожидать возрастания практической значимости этого нового кристалла в качестве активной среды для твердотельных лазеров с накачкой излучением от «голубых» диодов (0.47 мкм), интенсивно разрабатываемых в настоящее время.

Показать весь текст

Список литературы

  1. H. Behm. // Acta Cryct. 1983. V. C39. PP. 20−22.
  2. M. Marezio, J.P. Remeika, P.D. Dernier. // Acta Cryct. 1969. V. B25. PP. 965−970.
  3. H. Strunz. Mineralogishe Tabellen. S. Auflage, Leipzig: Akad. Verlagsgesellschaft, 1977.
  4. E.M. Levin, R.S. Roth, J.B. Martin. // Amer. Mineral. 1961. V. 46. PP. 1030−1055.
  5. J.Y. Henry. // Mat. Res. Bull. 1976. V. 11. 577−584.
  6. H.J. Meyer. // Z. Krist. 1969. V. 128. PP. 183−212.
  7. С. Ф. Ахметов, Г. Л. Ахметова, В. С. Коваленко, H.H. Леонюк, A.B. Пашкова. Термическое разложение редкоземельных алюмоборатов // Кристаллография. 1978. Т. 23. С. 198−199.
  8. H. D. Hattendorf, G. Huber, F. Lutz. CW Laser Action in Nd (Al, Cr)3(B03)4 // Appl. Phys. Lett. 1979. V. 34. PP. 284−290.
  9. A.A. Ballman. A New Series of Synthetic Borates Isostructural with Carbonate Mineral Huntite // Amer. Mineral. 1962. V. 47. PP. 1380−1383.
  10. A.A. Ballman. Yttrium and Rare Earth Borates. US patent 3 057 677.9.10.1962.
  11. G. Blasse, A. Bril. Cristal Structure and Flourescence of Some Lanthanide Gallium Borates // J. Inorgan. Nucl. Chem. 1967. V. 29. PP. 266−267.
  12. L.I. Al’shinskaya, N.I. Leonyuk, T.I. Timchenko. High-Temperature Cristallization, Composition, Structure and Certain Properties of REGallium Borate Cristals // Kristal und Technik. 1979. V. 8. PP. 897−903.
  13. Л.И. Леонюк, Т. Н. Тимченко, Л. И. Алынинская, A.B. Пашкова, Н. В. Белов. Высокотемпературная кристаллизация, композиция и морфология монокристаллов ангидридных боратов
  14. XI Совещание ИМА, Новосибирск, 1978. С. 310−316.
  15. И. Р. Магунов, С. В. Воеводская, А. П. Жирнова, Е. А. Жихарева, Н. П. Ефрушина. Синтез и свойства редкоземельных скандиевых двойных боратов // Изв. АН СССР. Неорганические материалы.1985. Т. 21. С. 1532−1534.
  16. N.I. Leonyuk, L.I. Leonyuk. Growth and Characterization of RM3(B03)4 Cristals // Prog. Cristal Growth and Charact. 1995. V. 31. PP. 179−278.
  17. N.I. Leonyuk. Recent Developments in Growth of RM3(B03)4 Cristals for Science and Modern Application // Prog. Cristal Growth and Charact. 1995. V. 31. PP. 279−312.
  18. И. С. Рез. Полифункциональные ацентричные лазерные кристаллы // Квантовая электроника. 1986. Т. 13. № 10. С. 2071−2079.
  19. G. Huber. Miniature neodimium lasers // Current topies in material science. V. 4. Amsterdam: North-Holland. 1980. PP. 1−45.
  20. X.X. Бартч. Структурные исследования смешанных редкоземельных боратов вида RX3(B03)4 и RAl2(B4Oio)00.5
  21. Диссертация Гамбургского университета, 1984.
  22. Z. Luo, A. Jiang, Y. Huang, М. Qiu. Laser performance of large neodimium aluminium borate (NdAl3(B03)4) critals // Chines Phys. Lett.1986. V.3.№ 12. PP. 541−544.
  23. E.B. Жариков, B.B. Лаптев, А. А. Майер, B.B. Осико. Конкуренция катионов в октаэдрических положениях галлиевых гранатов
  24. Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1984. Т. 20. № 6. С. 984−990.
  25. I.N. Chakraborty, H.L. Rutz, D.F. Day. Glass Formation, propeties and structure of У203-А1203-В203 glasses // J. Non-Crist. Solids. 1986. V. 84. № 1−3. PP. 86−92.
  26. В.В. Лаптев. Повышение термической устойчивости редкоземельных ортоборатов со структурой хантита // Тез. докл. VII Всесоюз. конф. по росту кристаллов. М. 1988. Т. 3. С. 261−262.
  27. В. М., Кутовой С. А., Лаптев В. В., Мацнев С. Ю. Лазерный нелинейный материал // Авторское свидетельство № 1 651 718. Приоритет от 21 июля 1988 года. Бюллетень «Открытия, изобретения». № 19. 1991.
  28. С. А., Лаптев В. В., Мацнев С. Ю. Скандоборат лантана новая активная среда для высокоэффективных неодимовых лазеров // Сборник материалов Всесоюзной конференции «Физика и применение твердотельных лазеров». М.: 1990. С. 11−12.
  29. С. А., Лаптев В. В., Лебедев В. А., Мацнев С. Ю.,
  30. В. Ф., Чуев Ю. М. Спектрально-люминесцентные и генерационные свойства новых лазерных материалов -скандоборатов лантана с неодимом и хромом // Журнал прикладной спектроскопии. 1990. Т. 53. С. 370−374.
  31. С. А., Лаптев В. В., Мацнев С. Ю. Скандоборат лантана новая высокоэффективная активная среда твердотельных лазеров // Квантовая электроника. 1991. Т. 18. № 2. С. 149−150.
  32. Н. П., Кутовой С. А., Лаптев В. В., Симонова Н. Н. Синтез и исследования монокристаллов редкоземельных скандоборатов // Известия Академии Наук СССР, серия неорганические материалы. 1991. Т. 27. № 1. С. 64−67.
  33. J. Р. Меуп, Т. Jensen, G. Huber. Spectroscopic Properties and Efficient Diode-Pumped Laser Operation of Neodymium-Doped Lanthanum Scandium Borate // IEEE J. Quntum Electron. 1994.1. V. 30. № 4. PP. 913−917.
  34. Ю. M. Чуев. Исследование спектрально-люминесцентных свойств и симметрии редкоземельных скандоборатов, допированных неодимом и хромом: Дис. канд. физ.-мат. наук. Краснодар, КубГУ, 1995.
  35. V. A. Lebedev, V. F. Pisarenko, Y. М. Chuev, V. V. Zhorin,
  36. A. A. Perfilin, A. V. Shestakov. Synthesis and study of non-linear laser crystals CeSc3(B03)4 //OSA Optics and Photonic Series. 1996. V. 1. PP. 460−465.
  37. A. I. Zagumennyi, V. A. Mikhailov, and I. A. Scherbakov. Crystals for End -Diode-Pumped Lasers // Laser Physics. 1996. V.6. PP. 582−588.
  38. G. Huber. Solid-State Laser Materials. In «Laser Sources and Applications». 1996. PP. 141−162.
  39. Ageev A. Yu., Balabaev S. I., Kuzmin О. V., Kutovoi S. A. Lamppumping 1,5 mm generation on new active medium-LaSc3(B03)4: Cr, Yb, Er // CLEO/EUROPE'96, Hamburg, 1996, Paper CTuL3.
  40. А. В., Кузьмичева Г. M., Мухин Б. В., Жариков Е. В., Агеев А. Ю., Кутовой С. А., Кузьмин О. В. Рентгенографическое исследование кристаллов LaSc3(B03)4, активированных ионами хрома и неодима //
  41. Журнал неорганической химии. 1996. Т. 41. № 10. С 1605—1611.
  42. В. Б., Кузьмичева Г. М., Жариков Е. В., Агеев А. Ю., Кутовой С. А., Кузьмин О. В. Кристаллическая структура NdSc3(B03)4 // Журнал неорганической химии. 1997.1. Т. 42. № ю. С. 1594−1601.
  43. Kuzmicheva G., Rybakov V., Kuzmin О., Kutovoi S., Panyutin V.
  44. The compounds and solid-solutions of huntite family: growth, thstructure, properties // The 12 Int. Conf. on Crystal Growth. July 1998, Israel.
  45. O.V. Kuzmin, S.A. Kutovoi, Е.К. Nesynov, V.L. Panyutin, A.A. Perfilin, V.L. Khait. Pr: LaSc3(B03)4 a new active medium for lasers radiating in the vicinity of 0.647 |im. CLEO/Europe'98, Glasgow, 1998, Paper CW44.
  46. Г. M., Рыбаков В. Б., Кутовой С. А., Кузьмин О. В. Морфотропный ряд скандоборатов редкоземельных элементов семейства хантита // Журнал неорганическойхимии. 1999. Т. 44. (в печати).
  47. Diening A., Heumann Е., Huber G. and Kuzmin О. «High power diode-pumped Yb, Er: LSB laser at 1.56 цт». CLEO/USA'98, 4−9 May 1998, Sun Francisco, USA.
  48. А.Г. Диаграмма состояния систем LaB03-ScB03, NdB03-ScB03 // Сборник материалов Всесоюзной конференции «Физика и применение твердотельных лазеров». М.: 1990. С. 13.
  49. S.T. Lai, В.Н.Т. Chai, М. Long, M.D. Shinn, J.A. Caird, J.E. Marion, P.R. Staver. ScB03: Cr Laser // OSA Tunable Solid State Lasers. 1986. June 4−6. PP. 145−150.
  50. B. Chai, K. Petermann, G. Huber. The growth of Nd doped LaSc3(B03)4 single crystals for diode pumped microchip lasers // CLEO/USA'97, Baltimore, 1997, Paper CTuG3.
  51. E.B. Редкоземельные скандиевые гранаты:
  52. Вопросы материаловедения // Оптически плотные активные среды. М.: Наука, 1990-(Тр. ИОФАН- Т.26, С.50−78).
  53. А.А.Каминский, Б. М. Антипенко. Многоуровневые функциональные схемы кристаллических лазеров. М.: Наука, 1989. 270 с.
  54. Акустические кристаллы. Справочник. М.: Наука, 1982. 632 С.
  55. CASIX. Precision Optical Components, Optical Materials & Coatings, Crystal & Laser Optics. 1995. Fuzhou, Fujian 350 014, P. O. Box 1103, China.
  56. Yasuko Terada. A Study of the Growth, Structure and Optical Properties of a Series of Rare Earth Orthovanadate Single Crystals.// Докторская диссертация Tohoku University, 1998. P.P. 1−162.
  57. Поляризационные призмы. Обзор. Минск-Тура. 1989. 135 С.
  58. JI.M., Куратев И. И., Житнюк В. А., Шестаков А. В., Шигорин В. Д., Шипуло Т. П. Нелинейные оптические свойства кристаллов неодим-иттрий-алюминиевого бората //
  59. Квантовая электроника. 983. Т. 10. С. 1497−1499. 55.1. Schutz, I. Freitag and R. Wallenstein. Miniature Self-Frequency-Doubling CW Nd: YAB Laser // Optics Communication. 1990. V. 77. № 2,3. PP.221−225.
  60. Hamid Hemmati. Diode-Pumped Self-Frequency-Doubled Neodymium Yttrium Aluminum Borate (NYAB) Laser // IEEE J. of QE. 1992. V. 28. № 4. PP. 1169−1171.
  61. X. B. Hu, S. S. Jiang, X. R. Huang, W.J. Liu, C.Z. Ge, J.Y. Wang, H.F. Pan, J.H. Jiang, Z.G. Wang. The growth defected in self-frequency-doubling laser crystal NdxYi. x A13(B03)4 // Journal of Crystal Growth. 1997. V. 173. PP. 460−466.
  62. Б.В. Миль, A.M. Ткачук, Г. И. Ершова, Д. И. Миронов, A.A. Никитичев. Выращивание и спектроскопические свойства кристаллов Ln2Ca3B40i2-Nd (Ln = Y, La, Gd) // Оптика и спектроскопия. 1996.1. Т. 81. № 2. С. 226−229.
  63. Б.В. Миль, A.M. Ткачук, E.JI. Белоконева, Г. И. Ершова, Д. И. Миронов, И. К. Разумова. Выращивание, структура и интенсивности спектров кристаллов Ln2Ca3B40i2-Nd (Ln = Y, La, Gd) // Оптика и спектроскопия. 1998. Т. 84. № 1. С. 74−81.
  64. В. Beier, J-P. Meyn, R. Knappe, К.-J.Boiler, G. Huber, R. Wallenstein. «A 180 mW Nd: LaSc3(B03)4 Single-Frequency TEM00 Microchip Laser Pumped by an Injection-Locked Diode-Laser Array». Appl. Phys. 1994. v В 58. pp. 381−388.
  65. Meyn J.-P. and Huber G. «Intracavity frequency doubling of continuous-wave, -diode-laser-pumped neodymium lanthanum scandium borate laser». Optics Letters. 1994. v 19, N 18, pp. 1436−1438.
  66. V.G. Ostroumov, F. Heine, S. Klick, G. Huber, V.A. Mikhailov, I.A. Shcherbakov. «Intracavity frequency-doubling diode-pumped Nd: LaSc3(B03)4 laser». Appl. Phys. 1997. v В 64. pp. 301−305.
  67. D. A. Zubenko, M. A. Noginov, V. A. Smirnov, I. A. Shcherbakov. Upconversion kinetics in hopping and other energy transfer regimes. Advanced Solid-State Lasers 27−29 January 1997, Orlando, Florida, Paper TuC13-l, PP. 204- 206.
  68. A. M. Прохоров. О работах института общей физики РАН //Вестник РАН. 1997. Т. 67. № 11. С. 970−997.
  69. Лазерные фосфатные стекла / Под ред. Жаботинского М. Е. М.: Наука, 1980. 352 С.
  70. Н. Е., Аникиев Ю. Г., Гапонцев В. П. и др. // Итоги науки и техники. Сер. Радиотехника. М.: ВИНИТИ, 1978. Т. 18.
  71. И. М. Батяев, Е. Б. Клещинов. «Безызлучательный перенос энергии возбуждения в титан-иттербий-эрбиевом стекле».// Оптика и спектроскопия. 1997. Т. 83. № 5. С. 767−770.
  72. Denker В. I., Nikolskii М. Yu., Sverchkov S.E. Concentrated Yb-Er Glass for Microchip Lasers". Advanced Solid-State Lasers 27−29 January 1997, Orlando, Florida, Paper WC4−1, PP. 257−258.
  73. P. Laporta, S. Taccheo, S. Longhi, O. Svelto and G.Sacchi. «Diode-pumped microchip Er-Yb:glass laser». Optics Letters. 1993. V. 18. PP. 1232−1234.
  74. R. D. Stultz, D. S. Sumida and H. Bruesselbach. «Diode-pumped, Passively Q-Switched, 10 Hz Eyesafe Er: Yb:Glass Laser». Advanced Solid-State Lasers January 31 February 2, 1996, San Francisco, California, Paper PD16, PP. 7−9.
  75. S. J. Hamlin, J. D. Myers, M. J. Myers. «High repetition rate Q-Switched Erbium glass Lasers». SPIE. 1991. V. 1419. PP. 100−106.
  76. Phillipe Thony, Engin Molva. «1.55 цт-wavelength CW microchip lasers». Advanced Solid-State Lasers January 31 February 2, 1996, San Francisco, California, Paper ThE4-l, PP. 256−258.
  77. B. Simondi-Teisseire, B. Viana and D. Vivien. «Near Infrared Er3+ Laser in Melilite Type Crystals». Advanced Solid-State Lasers 27−29 January 1997, Orlando, Florida, Paper WG4−1, PP. 375−377.
  78. R. D. Shannon. Revised effective ionic radii and systematic studies of interatomic distances in halides and chalcogenides // Acta crystallogr. A. 1976. V. 32. PP. 751−757.
  79. G. Wang, H. G. Gallagher, T. P. J. Han and B. Henderson., The Cristal Growth and Optical Characterisation of Cr-doped Borates of the Type RX3(B03)4 (R = Y, Gd- X = Al, Sc) // ICCG XI. 1995. Hague, Netherlands.
  80. А.А.Каминский, С. Н. Багаев, Л. Ли, Ф. А. Кузнецов, А. А. Павлюк. Новые кристаллические лазеры одномикронного диапазона длин волн // Квантовая электроника. 1996. Т.23. № 1. С.3−4.
  81. Б .И. Галаган, Б. И. Денкер, Л. Н. Дмитрук, В. В. Моцартов, В. В. Осико, С. Е. Сверчков. Стекла для празеодимовых лазерных усилителей сенсибилизированных неодимом и иттербием. // Квантовая электроника. 1996. Т.23. № 2. С.103−108.
  82. Б. И. Галаган, Б. И. Денкер, В. В. Моцартов, В. В. Осико, С. Е. Сверчков. Сенсибилизированные эрбием стекла для празеодимовых лазерных волоконных усилителей на X = 1.3 мкм // Квантовая электроника. 1996. Т.23. № 2. С.109−111.
  83. Т. Sandrock, Н. Scheife, Е. Heumann, and G. Huber. High-power continuous-wave upconversion fiber laser at room temperature // Optics letters. 1997. V.22.№ ll. PP 808−810.
  84. А. А. Каминский, А. И. Ляшенко, H. П. Исаев, В. H. Карлов, В. Л. Павлович, С. Н. Багаев, А. В. Буташин, Л. Е. Ли. Квазинепрерывный РпЫУТ^-лазер с X = 0.6395 мкм и средней выходной мощностью 2.3 Вт. // Квантовая электроника. 1998. Т.25. № 3. С.195−196.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!