Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Выращивание многокомпонентных твердых растворов соединений А3 В5 в области термодинамической неустойчивости методом зонной перекристаллизации градиентом температуры

Диссертация: Выращивание многокомпонентных твердых растворов соединений А3 В5 в области термодинамической неустойчивости методом зонной перекристаллизации градиентом температуры
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Рост скорости кристаллизации эпитаксиальных слоев AlGabiAsP на подложках InP во всем диапазоне толщин жидкой зоны с увеличением концентрации висмутд в растворе-расплаве обусловлен уменьшением теплопроводности расплава и повышением растворимости исходных компонентов в нем. В ПТР InxAlyGaixyAszSbiz/GaSb наблюдается снижение скорости кристаллизации при увеличении содержания более тугоплавких… Читать ещё >

Выращивание многокомпонентных твердых растворов соединений А3 В5 в области термодинамической неустойчивости методом зонной перекристаллизации градиентом температуры (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • 1. ОБЗОРЛИТЕРАТУРЫИПОСТАНОВКАЗАДАЧИИСЛЕДОВАНИЯ
    • 1. 1. Многокомпонентные полупроводниковые соединения AniBv и их физико-химические свойства
    • 1. 2. Критические явления в многокомпонентных полупроводниковых гетерострукгурах на основе соединений АШВУ
    • 1. 3. Анализ существующих методов расчета областей термодинамической неустойчивости
    • 1. 4. Технологические особенности выращивания твердых растворов соединений АЗВ5 жидкофазными методами
    • 1. 5. Причины и условия формирования дислокационной структуры в эпитаксиальных слоях гетероструктур на основе соединений AniBv
    • 1. 6. Обоснование и постановка задачи исследования
  • 2. МОДЕЛИРОВАНИЕ И ИССЛЕДОВАНИЕ ГЕТЕРОГЕННЫХ ВЗАИМОДЕЙСТВИЙ ПРИ ЭПИТАКСИАЛЪНОМ ВЫРАЩИВАНИИ ПЯТИКОМПОНЕНТНЫХ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ, ПОДВЕРЖЕННЫХ СПИНОДАЛЬНОМУ РАСПАДУ
    • 2. 1. Когерентное разделение фаз в ПТР соединений АШВУ
    • 2. 2. Равновесная структура двухфазной системы в области термодинамической неустойчивости
    • 2. 3. Выбор необходимых расчетных параметров
    • 2. 4. Диаграммы когерентного разделения фаз
    • 2. 5. Особенности фазовых диаграмм пятикомпонентных гетеросистем AlGalnAsP/InP, InAlGaAsSb/GaSb в области термодинамической неустойчивости
    • 2. 6. Выводы
  • 3. МЕТОДИКА ПРОЦЕССА ВЫРАЩИВАНИЯ ПЯТИКОМПО-НЕНТНЫХ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ МЕТОДОМ ЗПГТ
    • 3. 1. Аппаратурное оформление процесса ЗПГТ
    • 3. 2. Стабилизация пятикомпонентных твердых растворов при ЗПГТ
    • 3. 3. Исследование условий когерентного роста многокомпонентных полупроводниковых гетероструктур
    • 3. 4. Исследование кинетики роста эпитаксиальных слоев
    • 3. 5. Температурно-временные режимы процесса ЗПГТ
    • 3. 6. Выводы
  • 4. СВОЙСТВА ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ И ОБЩИЕ ВОПРОСЫ ТЕХНОЛОГИИ СИНТЕЗА ПТР AlGalnAsP/InP, InAlGaAsSb/GaSb В ОБЛАСТИ ТЕРМОДИНАМИЧЕСКОЙ НЕУСТОЙЧИВОСТИ
    • 4. 1. Структурные изменения при росте эпитаксиальных пленок ПТР соединений АШВv в поле градиента температур
    • 4. 2. Рентгеноструктурные исследования эпитаксиальных слоев твердых растворов AlGalnAsP/InP, InAlGaAsSb/GaSb
    • 4. 3. Морфология поверхности эпитаксиальных слоев
    • 4. 4. Люминисцентные свойства гетероструктур AlGalnAsP/InP и InAlGaAsSb/GaSb
    • 4. 5. Электрофизические свойства и параметры

Важным фактором современного научно-технического прогресса является разработка эффективных технологий получения совершенных полупроводниковых материалов и приборов на их основе, а также способов изменения их оптических и электрофизических свойств.

В оптоэлектронике заметную роль играют многокомпонентные твердые растворы на основе соединений А3В5. Наибольший интерес вызывают пятикомпонентные твердые растворы (ПТР), в которых за счет одновременного согласования параметров решетки и коэффициента термического расширения, сопрягающихся материалов существует возможность получения более совершенных гетероструктур с минимальным количеством дефектов на гетерогранице.

Качественные эпитаксиальные слои ПТР на основе соединений А3В5 получают методом зонной перекристаллизации градиентом температур (ЗПГТ). Достоинствами данного метода являются: высокая изотермичность, контролируемость роста, относительно малые величины концентрационного переохлаждения и возможность подпитки растущих кристаллов.

Выращиваемые составы ПТР принадлежат областям абсолютно устойчивых твердых растворов. Однако, большинство ПТР имеет обширные области термодинамической неустойчивости, которые сужают диапазон составов, представляющих практический интерес для управления свойствами гетероструктур. Имеются данные о получении четырехкомпонентных твердых растворов на основе соединений А3В5 в области термодинамической неустойчивости методом жидкофазной эпитаксии. Наиболее экспериментально изученными являются ЧТР InGaAsSb/GaSb, InGaAsP/InP. Полученные образцы мели высокие электрофизические и спектральные характеристики. Так как указанные системы можно рассматривать как предельные составы твердых растворов AlGalnAsSb/GaSb, AlGalnAsP/lnP, то задача получения пятикомпонентных твердых растворов на бинарных подложках в области несмешиваемости методом ЗПГТ представляет значительный научный и практический интерес.

Сообщения о получении указанных пятикомпонентных твердых растворов в области термодинамической неустойчивости практически отсутствуют. Поэтому диссертационная работа, в которой предлагается моделирование и исследование процессов выращивания совершенных гетероструктур на.

3 5 основе пятикомпонентных твердых растворов, А В вблизи границ и внутри области термодинамической неустойчивости с целью оптимизации технологии их выращивания является актуальной и своевременной.

Целью настоящей работы является исследование возможности выращивания пятикомпонентных твердых растворов AlGalnAsP/InP, InAlGaAsSb/GaSb в области спинодального распада и вблизи ее границ методом зонной перекристаллизации градиентом температуры, для модификации характеристик существующих и разработки новых оптоэлектронных приборов.

Для реализации поставленной цели решались следующие задачи: — проведение термодинамического анализа процессов когерентного.

3 5.

разделения фаз в пятикомпонентных твердых растворах соединений, А В с учетом упругих напряжений на фронте кристаллизации, определение пара.

— j е метров модулированных структур на основе соединений, А В ;

— выбор и разработка технологии выращивания гетероструктур на подложках фосфида индия и антимонида галлия;

— экспериментальное исследование кинетики роста эпитаксиальных слоев AlGabiAsP/InP, InAlGaAsSb/GaSb в области термодинамической неустойчивости;

— исследование возможностей получения однородных по составу и модулированных слоев в области термодинамической неустойчивости из жидкой фазы в поле температурного градиента;

— исследование структурного совершенства полученных эпитаксиальных слоев;

— экспериментальное исследование фотоэлектрических и спектральных характеристик многокомпонентных твердых растворов, изопериодных GaSb и InP .

— разработка практических рекомендаций по применению методики и аппаратурного оформления ЗПГТ для получения эпитаксиальных слоев ПТР соединений А3В5 в области термодинамической неустойчивости;

— разработка практических рекомендаций по применению МТР, выращенных в области термодинамической неустойчивости.

Научная новизна работы.

1. Разработана термодинамическая модель расчета равновесной структуры двухфазной пятикомпонентной системы в области термодинамической неустойчивости с использованием модели регулярных твердых растворов. Определены критические составы и температуры спинодального распада для ряда ПТР.

2. Проведен термодинамический расчет фазовых равновесий двухфазной системы в области термодинамической неустойчивости для гетеросистем AlGalnAsP и AlGalnAsSb, представляющих интерес в качестве материалов для оптоэлектронной техники ИК-диапазона Построены диаграммы когерентного разделения фаз для гетеросистем AlGalnAsP и AlGalnAsSb. Определены параметры равновесной двухфазной системы, образующейся в области термодинамической неустойчивости.

3. Впервые теоретически и экспериментально исследован метод ЗПГТ применительно к многокомпонентным системам Al-Ga-In-As-P, In-Al-Ga-As-Sb, выращиваемым в области термодинамической неустойчивости.

4. Теоретически и экспериментально исследованы закономерности роста эпитаксиальных слоев ПТР AlGalnAsP и AlGalnAsSb. Определено влияние состава, ориентации подложки, величины градиента температуры, толщины жидкой зоны на процесс кристаллизации исследуемых систем с заданной структурой в области спинодального распада.

5. Исследовано влияние висмута на структурное совершенство эпитакси-альных слоев ПТР AlGalnAsP с модулированным составом.

6. Исследованы особенности фотолюминесцентных свойств пятикомпо-нентных гетероструктур AlGalnAsP/InP, InAlGaAsSb/GaSb.

Основные положения, выносимые на защиту.

1. Предложенное термодинамическое описание фазовых превращений, основанное на приближении регулярных растворов и учитывающее возникновение напряжений на гетерогранице, дает возможность определять исходные данные для получения многокомпонентных твердых растворов с заданными свойствами в области термодинамической неустойчивости.

2. Используемый способ эпитаксии из жидкой фазы в поле температурного градиента позволяет получать ПТР AlGalnAsP/InP, InAlGaAsSb/'GaSb с заданным распределением компонентов, электрофизическими свойствами и высоким кристаллическим совершенством.

3. При определенных технологических условиях процесса ЗПГТ в гете-росистеме Al-Ga-In-As-P, выращиваемой в области термодинамической неустойчивости возможно формирование модулированных структур с периодом модуляции состава 100−300нм.

4. Использование метода ступенчатого охлаждения расплава дает возможность улучшить воспроизводимость выращивания многокомпонентных твердых растворов.

5. Рост скорости кристаллизации эпитаксиальных слоев AlGabiAsP на подложках InP во всем диапазоне толщин жидкой зоны с увеличением концентрации висмутд в растворе-расплаве обусловлен уменьшением теплопроводности расплава и повышением растворимости исходных компонентов в нем. В ПТР InxAlyGaixyAszSbiz/GaSb наблюдается снижение скорости кристаллизации при увеличении содержания более тугоплавких сплавооб-разующих соединений (алюминий, мышьяк) в твердых растворах.

Практическая ценность работы.

— В области термодинамической неустойчивости получены однородные слои ПТР InxAlyGaixyAszSbiz/GaSb толщиной до 25мкм, пригодные для формирования элементной базы ИК волоконных линий связи на основе флюоридных стекол с низкими потерями (А,=2,4−2,5 мкм), а также слои AlxGayIiii-x-yPzAsi.z/1пР смодулированным составом, толщиной до 10 мкм, которые могут быть использованы в качестве инжекционных излучателей ИК-диапазона (А,=1,37−1,41 мкм);

— разработана управляемая ПЭВМ технология выращивания пятикомпонентных систем на основе GaSb и InP из жидкой фазы в поле температурного градиента;

— даны рекомендации по технологии синтеза пятикомпонентных систем в области термодинамической неустойчивости;

— предложены практические рекомендации по применению многокомпонентных твердых растворов, выращиваемых в области термодинамической неустойчивости, в качестве материальной базы для приборов оп-тоэлектронной техники.

Апробация работы.

Основные результаты диссертации докладывались и обсуждались на Шестой и Седьмой международных научно-технических конференциях «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники» (Таганрог, 1999 г., 2000 г.), международной конференции «Оптика полупроводников» (Ульяновск, 2000 г.), международной научно-практической конференции «Современные проблемы машиностроения» (Севастополь, 2001 г.), Второй международной научно-практической конференции «Информационные технологии в моделировании и управлении» (Санкт-Петербург, 2000 г.), семинарах в лаборатории физики полупроводников ВИ (ф) ЮРГТУ (НПИ).

Публикации и вклад автора.

По результатам исследований опубликовано 11 печатных работ, в которых изложены основные положения диссертации. Основные результаты работы получены автором самостоятельно.

Структура и объем работы.

Диссертация состоит из введения, четырех глав, выводов, содержит 178 страниц машинописного текста, 53 иллюстраций, 19 таблиц. Библиография включает 102 наименования.

ОБЩИЕ ВЫВОДЫ РАБОТЫ.

1. Разработанная в приближении регулярных растворов с учетом влияния упругих напряжений на гетергогранице термодинамическая модель фазовых превращений в пятикомпонентных твердых растворах, позволила определить границы области термодинамической неустойчивости и величины критических температур спинодального распада для гетеросистем AlGalnAsP (1447К) и AlGalnAsSb (794К). Таким образом, для данных ПТР спинодальный распад имеет место при температурах эпитаксии. Существование твердых растворов в области спинодального распада подтверждено экспериментально.

2. Теоретически исследовано когерентное разделение фаз в ПТР соединении АШВУ на примере систем AlGalnAsP и AlGalnAsSb. Определены составы равновесной двухфазной системы, образующейся в области термодинамической неустойчивости и периоды модулированных структур на основе рассматриваемых соединений. Периоды имеют величину 150−270 нм. Проведенный сравнительный анализ для системы AlGalnAsP/InP с результатами эксперимента показывает удовлетворительное соответствие получаемых значений.

3. Исследование влияния упругой деформации эпитаксиального слоя, осаждаемого по механизму псевдоморфизма на смещение фазовых равновесий при жидкофазной эпитаксии ПТР показало, что эффект стабилизации в ПТР выражен сильнее, чем в четверных системах. Стабилизация периода кристаллической решетки не приводит к стабилизации состава. Отмечена необходимость учета стабилизирующего влияния подложки на процесс кристаллизации в области термодинамической неустойчивости.

4. Реализованный метод ЗПГТ с подпиткой из твердого источника позволяет получать однородные слои ПТР InAlGaAsSb/GaSb толщииойдо 25 мкм и слои с модулированным составом ПТР AlGalnAsP/InP с толщиной до 10 мкм в области термодинамической неустойчивости. Показано, что это оказывается возможным из-за стабилизирующего влияния гетерогенных деформаций и когерентности межфазной границы.

5. Установлено, что использование сравнительно высоких температур эпитаксии ПТР AlGalnAsP/InP (953К) и InAlGaAsSb/GaSb (853К) позволяет уменьшить дефектность материала, изменять состав жидкой фазы в сторону ее стехиометрии, улучшить смачиваемость подложки расплавом, а также уменьшить коэффициенты распределения высокотемпературных компонентов.

6. Исследования кристаллического совершенства получаемых эпитаксиальных слоев показали, что применение в качестве растворителя зоны висмута способствует улучшению кристаллической структуры ЭС ПТР AlGalnAsP/InP. В ЭС ПТР AlGalnAsP/InP наблюдается монотонное снижение плотности дислокаций по толщине слоев, что обусловлено влиянием модуляции состава.

7. Исследование люминесцентных свойств ПТР AlGalnAsP/InP и AlGalnAsSb/GaSb показало, что интенсивность люминесценции эпитаксиальных слоев выше, чем у подложек. Полуширина спектров фотолюминесценции для образца AlGalnAsSb/GaSb не более 25 мэВ (77К) и 65 мэВ (77К) — для образца AlGalnAsP/InP. Показано, что применение висмутсодержащих зон улучшает люминесцентные свойства гетероструктур AlGalnAsP/InP.

8. Проведен анализ возможностей приборного применения МТР, выращиваемых в области термодинамической неустойчивости. Показано, что практическое освоение областей термодинамической неустойчивости для ряда МТР должно существенно расширить границы их применения в качестве материалов для приборов электронной техники.

Показать весь текст

Список литературы

  1. .И. Полупроводниковые гетероструктуры. (Обзор)// ФТП.-1977.-Т. 11 .-С.2072−2083.
  2. ДолгиновЛ.М., Елисеев П. Г., Исмаилов И. Инжекционные излуча-тельные приборы на основе многокомпонентных полупроводниковых твердых растворов // Итоги науки и техники. Радиотехника.-М.: ВИНИТИ, 1980.-т. 21.-C.3−115.
  3. БатураВ.П., ВигдоровичВ.Н., Селин А. А. Четырехкомпонентные твердые растворы соединений А3В5- перспективны. е материалы оп-тоэлектроники. Зарубежная электроника и техника. -М.: Наука, 1980.-С. 3−52.
  4. .И. история и будущее полупроводниковых структур// ФТП.-1998.-т.32.-С.З-17.
  5. М.Г. Полупроводниковые материалы в современной электронике М.: Наука, 1986.-144 е., ил.
  6. В.И., Привалов В. И., Тихоненко О. Я. Оптоэлектронные структуры на многокомпонентных полупроводниках.-Минск: Наука и техника, 1981. -208с.
  7. М.Г., Освенский В. Б. Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников.-М.: Металлургия, 1984.-256с.
  8. ДжафаровТ.Г. Дефекты и диффузия в эпитаксиальных структурах,-Л.: Наука, 1978.-208с.
  9. В.Н., Лунин Л. С. Пятикомпонентные твердые растворы соединений А3В5 (новые материалы оптоэлектроники).- Ростов-на-Дону, издательство Ростовского университета, 1992,193 с.
  10. Ю.Чарыков Н. А., Литвак A.M. Михайлова М. П. и др. Твердый раствор1. xGai-xAsySbzPi.y.z: новый материал инфракрасной оптоэлектроники. 1.
  11. Термодинамический анализ условий получения твердых растворов, изопериодных подложкам InAs и GaSb методом жидкофазной эпитаксии.// ФТП.-1997.-т.31, № 4, С.410−415.
  12. П.Лунин Л. С., Аскарян Т. Г., Овчинников В. А. Исследование полупроводниковых гетероструктур InAlGaAs Sb/GaSb.//Изв .Сев. Кавк.науч. центра высш. шк. Естественные науки, — 1991, — № 3.-С.39−43.
  13. В.Н., Селин А. А., Ханин В. А. Анализ зависимости свойств от состава для пятикомпонентных твердых растворов.// Изв. АНСССР. Неорганические материалы- 1982.-t.18, № 10.-С. 1697−1699.
  14. В.И., Благин А. В. Фотоприемники дальней ИК-области на основе гетероструктур InGaAsSbBi/InSb, полученных из жидкой фазы в поле температурного градиента. // Труды докладов III Всероссийской конф., г. Таганрог, 1996.-С.26.
  15. Chui Т.Н., Tsang W.T., CHU S.N.G., Shun J. Molecular beam epitaxy of GaSbo. s As0,5 and AlxGaix SbyAsi. y lattice matched to InP.// Appl.Phys.Letter -1985., Y.46,№ 4 P. 408−410.
  16. P.X., Сахарова T.B., Тарасов А. В. Уфимцев В.Б., Эпитакси-альный рост InAsi-xySbxBiy на подложках из InSb из висмутовых расплавов.// Неорганические материалы, т.28., № 3,1992, с.502−506.
  17. А. И Дин П. Светодиоды.:Пер. с англ. -М.: Мир, 1973.-130с./Berg A.A. and Dean P.J. Light-Emitting diodes/
  18. Lendway E., Gevorkyan V.A., Petras L., Pozcqai I. Liquid phase epitaxy of AlGaInSb//J.ofCryst. Growth.- 1985.-Vol.73.-P.63−72.
  19. B.B. Кузнецов, П. П. Москвин, В. С. Сорокин. Неравновесные явления при жидкостной гетероэпитаксии полупроводниковых твердых растворов. М.: Металлургия, -1991, -175с.
  20. B.C., Рубцов Э. Р. Расчет спинодальных изотерм в пятикомпонентных твердых растворах, А ШВУ. // ФТП, т.27. № 11/12, 1993, с.1931−1943
  21. Mahajan S., Dutt B.V., Temkin Н. Spinodal decomposition in InGaAsP epitaxial layers. //J.ofCryst. Growth.- 1984.-Vol.68,№ 2.-P.589−595.
  22. В.И., Дерягин А. Г., Кучинский В. И. и др. Свойства твердых растворов GalnAsSb в области спинодального распада, полученных из сурьмянистых растворов-расплавов методом жидкофазной эпитаксии. // Письма в ЖТФ, — 1998.-t.24, № 6, — С.58−62.
  23. В.Г., Щукин В. А. Развитие неоднородностей состава при послойном росте эпитаксиальной пленки твердых растворах полупроводников А3В5./ ФТП т.27.№ 11/12,1993 г., -1943 с.
  24. И.П., Малышкин В.Г.и др. Образование периодических структур с модулированным составом при когерентном разделении фаз в четырехкомпонентных твердых растворах полупроводников А3В5. /ФТП т.27.№ 11/12,1993 г., -1943 с
  25. Henoc P., Israel A., Launois М. Composition modulation in liquid phase epitaxial InGaAsP layers lattice matched to InP substrates./Appl.Phys.Let.-1988, — Vol.40, № 11, — P.963−965.
  26. А.Г.Хачатурян Теория фазовых превращений и структура твердых растворов. Монография. М.:Наука, 1974 г.-384с., ил.
  27. В.П., Скрипов А. В. Спинодальный распад (Фазовый переход с участием неустойчивых состояний)/ Успехи физических наук. Т.128, № 2, 1979, с.193−231. (обзор).
  28. Lendvey Е., G6rOg T., TothA.L. LPE growth of GaAsbxSbx// J. Cryst. Growth.- 1981.-Vol. 53, № 3, — P.591−597.
  29. Gratton M.F., Goodchild R.G. Miscibility gan in GaAsySbiy system. //J.Electron. Mater. -1979, — Vol.8, №l.-P.25−29.
  30. Cherng M.J., Stringfellow G.B., Kisker D.W. Srivastava A.K. Zysking J.L. GalnAsSb metastable alloys grown by organ-metallic vapor phase epitaxy.// Appl. Phys. Lett.- 1986,-Vol. 48, № 6.-P.419−421.
  31. Nahory R.E., Pollack M.A., Beebe E.D. e.a. The liquid phase epitaxy of AlyGai. yAsxSbix and the importance of strain effects near the miscibility gap.//J. Electrochem.Soc.- 1978, — Vol. 125, № 7.-P.1053−1058.
  32. Quillec M., Benchimol J.L., SlempkesS., Launois H. High mobility in liquid liquid phase epitaxial InGaAsP free of composition modulation. //Appl. Phys. Lett.- 1983.-Vol. 42, № 10.-P.886−887.
  33. Kudela R., Morvic M., Imnisability in InixGaxAsiyPy lattice matched to GaAs. //Phys. Status Solidi. 1986.-Vol.A95, №l.-P.kl-k3.
  34. Lapierre R.R., Okada Т., Robinson B.J., Thompson D.A. Spinodal-like decomposition of InGaAsP (lOO)InP grown by gas sourse molecular beam epitaxy. //J. Cryst.Growth.-1995., V.155, № 1−2, — P. 1−15 .
  35. Quillec M., Pearsell Т., Daguet C. The compositional uniformity of GaxInixAsyPiy grown by near-equilibrium cooling LPE. // Gallium Arsenide and Relat. Compounds. Pap. 8-th Int. Symp., 1980.-Bristol-London 1981.-P.105−113.
  36. Jim Sung Won, Seong Tae-Yeon, Lee J.N. Naturally formed InxAlixAs /InyAliyAs vertical superlattices. //. Appl.Phys. Lett.- 1996, — Vol.68, № 24 -P.3443−3445.
  37. Stringfellow G. B Immiscibility and spinodal decomposition in III / V alloys //J. Cryst.Growth.-1983., V.65, № 1−3, — P. 454−462 .
  38. Stringfellow G.B., Miscibility gaps in quaternary III/V alloys. // J. Cryst. Growth.- 1982-V 58, № 1, p.194−202.
  39. Onabe K. Calculation of miscibility gaps in quaternary InGaAsP with strictly regular solution approximation.//Jap.J. Appl.Phys.- 1982- Vol.21, № 5 P.797−798.
  40. Onabe К. Unstable regions in type Ai. xy BxCiyD III-V quaternary solid solutions calculated with strictly regular solution approximation //Jap.J. Appl.Phys.- 1983 V.22, № 2 — P. 287−291.
  41. Пригожин И, Дефей Р. Химическая термодинамика // пер. с англ. -Новосибирск: Наука, 1966, -510с.
  42. А.И., Мокрицкий В. А. и др. Расчет фазовых равновесий в многокомпонентных системах,— М.: Металлургия, 1987, 136с.
  43. A.M., Чарыков Н. А. Новый термодинамический метод расчета фазовых диаграмм двойных и тройных ситем, содержащих In, Ga, As, Sb. //Неорганические материалы.-199l.-т.27, № 2, — С.225−230.
  44. Ilegems М. Panish М.В. Phase equilibria in III-V quaternary systems-application to Al-Ga-P-As. // J.Phys.Chem.Sol.- 1974.-Vol.35.-P.409−420.
  45. Т.А. Исследование гетеросистем на основе пятикомпонент-ных твердых растворов A1TIBV. // Канд. Диссертация, — Новочеркасск.-1980.-с.110−189.
  46. В.Б., Акчурин Р. Х. Физико-химические основы жидкофаз-ной эпитаксии,— М.: Металлургия, 1983, 224с.
  47. В.В. Твердые растворы AlGalnAsP на основе GaAs и InP, полученные в поле температурного градиента и их свойства. // Канд.диссертация. Новочеркасск. 1996. с. 100−150.
  48. В.Н., Лунин Л. С., Попов В. П. Зонная перекристаллизация градиентом температур полупроводниковых материалов.-М. Металлургия, 1987, 232с.
  49. И.А. Метод зонной перкристаллизации градиентом температур в технологии оптоэлектронных приборов на основе многокомпо5 5нентных полупроводниковых соединений, А В . // Канд. Диссертация. -Новочеркасск. 1993. с. 120.
  50. В.И., Благин А. В., Казаков В. В. Твердые растворы GalnAsSb/InSb и использование фотоприемников на их основе в оптоэлектронных автоматических системах. //Тезисы докладов МНТК, т.1.- Набережные Челны.-1996.-С. 198.
  51. Н.Д., Дьяченко ВА., Марончук И. Е. Микровключения растворителя в эпитаксиальных структурах, выращенных из жидкой фазы. // Автометрия.- 1980, № 6, — С.32−37.
  52. А.В. Зонная перкристаллизация градиентом температуры в многокомпонентных системах на основе антимонида индия.// Канд.диссертация. Новочеркасск. 1996. с. 60−89.
  53. B.C., Паршин А. В., Рембеза С. П. Внутреннее трение в полупроводниковых группах AmBv, содержащих включения матричного металла. // Письма в ЖТФ, — 1978.-т.4,№ 12,С.65−68.
  54. Т., Есинага X., Такеути С. Динамика дислокаций и пластичность: Пер. с. Япон.- М.:Мир, 1989.-296с., ил.
  55. B.C., Югова Т. Г. и др. Влияние состава твердых растворов на условия когерентного роста эпитаксиальных слоев GaxIni xAsyP.y. // Кристаллография, т. ЗЗ, вып.6, 1988, С. 1469−1477.
  56. В.И., Красильников B.C., Югова Т. Г. Влияние природы и соо сстава четверных растворов соединений, А В на формирование дислокационной структуры в эпитаксиальных гетерокомпозициях.// Кристаллография, т.36, 1991, № 3, С.744−749.
  57. .В. Влияние флуктуаций состава на кинетику дислокаций в пленках твердых растворов полупроводников.// ФТП.-1995, т.29, вып.1,-С.104−113.
  58. Tashicawa S. Reduction of dislocation generation for geteroepitaxial III-V/Si by slow cooling. // J. Cryst. Growth.- 1998.-Vol.l-2.-P.194−202.
  59. Л.С., Овчинников В. А., Алфимова Д. Л. и др. Физико-химические равновесия в системе In-Ga-As-Sb-Bi. // Изв. ВУЗОВ Сев. Кавк. Регион. Естественные науки.-1998.-№ 2, С.85−97.
  60. Р.Х., Сахарова Т. В., Тарасов А.В, Уфимцев В. В. Эпитаксиаль-ный рост InAsi-x-ySbxBiy на подложках из InSb из висмутовых растворов.
  61. Неорганические материалы.-1992.-т.28,№ 3.-С.501−503.
  62. Г. Б., Джафаров Т. Д. Атомная диффузия в порлупроводниковых струткурах.-М.: Атомиздат, 1980, 280с.
  63. А.Р., Глазов В. М. Периодический закон и физические свойства электронных расплавов.-М.: Наука, 1978.-309с
  64. В.М., Трусов П. И., Холмянский В. А. Структурные превращения в тонких пленках, — 2-е изд., перераб. И доп., — М.: Металлургия.-1988.-326с.
  65. С.С., Лебедев В. В. Соединения А3В5 : Справочник-М.: Металлургия, 1984.-144с.
  66. В.И. Проблемы микроэлектроники. (Диффузия, дефектооб-разование, деградация). // ФТП, 1995.-т.29, вып. 5, — С.842−855.
  67. А.В., Ермолаева Н. В., Труфманов А. П. О возможном механизме формирования сверхрешеток в висмутсодержащих многокомпо3 5нентных пленках, А В . //Труды шестой международной научно-технической конференции. Таганрог, 1999, С.65
  68. В.В., Ермолаева Н. В., Мышкин A.J1. Исследование зависимости структурного совершенства многокомпонентных твердых растворов типа А3В5 от уровня их легирования висмутом// Сборник научных трудов, Новочеркасск, 2000с.46−50.
  69. B.C. Эффект стабилизации периода решетки в четырехком-понентных твердых растворах. //Кристаллография, т.31, вып.5,1986,с844−851.
  70. W.A. /Я. Appl.Phys., 1973, V.44, Р.534.
  71. Van der Merve J.H., Ball C.A.B. // Epitaxial growth. N.Y.: Acad. Press, 1975. P.493
  72. W.A. // J. Appl.Phys., 1973, V.44, P.534
  73. А.П., Благин A.B., Ермолаева H.B., Идентификация состава многокомпонентных гетероструктур с помощью искуственных нейронных сетей// Труды II Международной НПК, С-Петербург, 2000 г., с.352−353.
  74. А.В., Труфманов А. П., Ермолаева Н. В. Оценка состава многокомпонентных твердых растворов по их спектральным характеристикам.// Международная конференция по оптике полупроводников, Ульяновск, с. 155.
  75. В.М. Программное обеспечение персональных ЭВМ,-М.:Наука, 1988.-272с.81 .Романовская JI.M., Русс Т. В., Свитковский С. П. Программирование в среде СИ для ПЭВМ ЕС.- М.: Финансы и статистика, 1992, — 352 е., ил.
  76. Ф.П. Численные методы решения экстремальных задач.-М.: Наука, 1980,250 с.
  77. De Cremox В. // J. Physiqua.-1982.-Vol.43?-P.C5−19-C5−27.
  78. Ермолаева Н. В, Благин А. В, Труфманов А. П. Моделирование устойчивости межфазных границ пятикомпонентных твердых растворов типа А3В5 в поле градиента температур.// Труды II Международной НПК, С-Петербург, 2000 г., с. 128−130.
  79. А.В., Катаев В. Ф., Ермолаева Н. В. Исследование фазовых превращений при кристаллизации твердого раствора AlGalnSbBi в поле температурного градиента// Труды седьмой международной научно-технической конференции. Таганрог, 2000, С.151−153.
  80. Xu Z. L., Хи W.J., Li 1. Liquid phase epitaxy growth of AlxGayInix yPzAsiz/GaAs with direct band gap up to 2,0 eV.
  81. В.Б., Арбенина В. В. Особенности поведения примесей редкоземельных металлов при кристаллизации соединений АШВУ из гал-лийсодержащих расплавов//Неоранические материалы, 1996. том 32, № 10.с.1171−1177.
  82. Т.И., Джуртанов Б. Е. Электрические свойства твердых растворов нва основе GaSb/GalnAsSb, GaAsSb, GaAlAsSb.// ФТП.-1998, т.32,№ 3.-С.278−284.
  83. В.В., Акчурин Р. Х. и др. Анализ путей снижения концентрации фоновых примесей в эпитаксиальных слоях InSb // Высокочистые вещества. 1990.№ 2. С. 186−191.
  84. Н.В., Казаков В. В. Влияние различных факторов и состава твердого раствора в системе Al-Ga-In-P-As на формирование дислокационной структуры эпитаксиальных слоев.// Изв. ВУЗОВ Сев.-Кавк. Регион. Техн. Науки, — 2001.-№ 2.-С.88−90.
  85. П.П., Коледов JI.А. Металлургические расплавы и их свойства.-М.: Металлургия.-1976.-456с.
  86. К., Nagai Н. //Jap. J. Appl. Phys.-1981.-v.20.-№ 4.-P.L3131.16.
  87. H.B. Благин А. В. Исследование условий формирования гетероструктур AlGalnSbBi на подложках InSb в поле температурного градиента.// Сборник научных трудов, Новочеркасск, 2000, с.50−54.
  88. С.М. Получение многокомпонентных полупроводниковых материалов на основе соединений А3В5 с заданными свойствами.// Канд.диссертация. Новочеркасск. 1998. с. 65−78.
  89. Д.П. Получение й исследование гетероструктур и приборов на основе твердых растворов InGaAsP.// Канд.диссертация.- 1985, с. 185
  90. Putley Е.Н.,// Prog. Phys.Soc., 1959.V.73, Р280.
  91. J. Hlasnic., // Sol.St. Electron., У.8, P.461, 1965.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!