Напряжение в SiC>2

Правильное понимание механизма упругих напряжений, возникающих в системе пленка-подложка, имеет важное значение, поскольку высокие упругие напряжения могут привести к короблению подложки, образованию трещин в пленке и возникновению дефектов в расположенных под пленкой слоях кремния. Показано, что SiCb находится в состоянии сжатия на поверхности. Величины упругих напряжений составляют 310^ дин/см². Основной причиной возникновения упругих напряжений является разница коэффициентов термического расширения между Si и Si (X.

В ходе технологического процесса изготовления п/п приборов в оксидной пленке вытравливаются окна, что приводит к сложному распределению упругих напряжений на краях окисной пленки. На границах разрыва сплошности пленки может возникать чрезвычайно высокий уровень упругих напряжений. Обычно эти напряжения должны релаксировать за счет пластической деформации или других механизмов.

Возможность введения структурных дефектов в кремний в результате напряжений весьма реальна. Величина сдвиговых напряжений на границе раздела фаз сравнима с величиной сжимающих напряжений (310⁹ дин/см²). Все эго делает возможным протекание пластической деформации в кремнии. Отрицательное влияние структурных дефектов в кремнии на токи утечки /э-я-переходов известно.