ΠŸΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒ Π² написании студСнчСских Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚
АнтистрСссовый сСрвис

Π˜Π·ΡƒΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ основных возмоТностСй ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΡ‹ Electronics Workbench

Лабораторная Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΠŸΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒ Π² Π½Π°ΠΏΠΈΡΠ°Π½ΠΈΠΈΠ£Π·Π½Π°Ρ‚ΡŒ ΡΡ‚ΠΎΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΠΌΠΎΠ΅ΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹

ΠœΠ½ΠΎΠ³ΠΎΠ²Π°Ρ€ΠΈΠ°Π½Ρ‚Π½Ρ‹ΠΉ Π°Π½Π°Π»ΠΈΠ· Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΏΠΎΠ»Π°Π³Π°Π΅Ρ‚ исслСдованиС схСмы с Π½Π΅ΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΈΠΌΠΈ значСниями ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΈΠ· ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ² схСмы. ΠœΡ‹ Π±ΡƒΠ΄Π΅ΠΌ Π²Π°Ρ€ΡŒΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ значСния индуктивности. ΠŸΡ€ΠΈ L0=120ΠΌΠΊΠ“Π½ ΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΎΠ΄ ΠΊΠΎΠ»Π΅Π±Π°Π½ΠΈΠΉ Π’?608нс, Π°ΠΌΠΏΠ»ΠΈΡ‚ΡƒΠ΄Π° ΠΊΠΎΠ»Π΅Π±Π°Π½ΠΈΠΉ А? 5,72Π’: Π˜Π·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ИзмСняСм Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π» источника Π­Π”Π‘ Π•Π² Π΄ΠΎ 0 Π’. Π’ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅ΠΌ схСму, записываСм Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Ρ‹ измСрСния Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° для Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ…… Π§ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Π΅Ρ‰Ρ‘ >

Π˜Π·ΡƒΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ основных возмоТностСй ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΡ‹ Electronics Workbench (Ρ€Π΅Ρ„Π΅Ρ€Π°Ρ‚, курсовая, Π΄ΠΈΠΏΠ»ΠΎΠΌ, ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΡŒΠ½Π°Ρ)

ΠœΠΈΠ½ΠΈΡΡ‚Π΅Ρ€ΡΡ‚Π²ΠΎ образования ΠΈ Π½Π°ΡƒΠΊΠΈ Π Π€ ГосударствСнноС ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ ΡƒΡ‡Ρ€Π΅ΠΆΠ΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π’Ρ‹ΡΡˆΠ΅Π³ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΡ„Π΅ΡΡΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ образования Владимирский ГосударствСнный УнивСрситСт ΠšΠ°Ρ„Π΅Π΄Ρ€Π° УИВЭБ ΠœΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ ΠΈ Π°Π½Π°Π»ΠΈΠ· Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… устройств Лабораторная Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π° № 1

Π˜Π·ΡƒΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ основных возмоТностСй ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΡ‹ Electronics Workbench.

Π’Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΠ»:

студСнт Π³Ρ€. Π£Π˜ΡƒΠ±-109

Π‘Π°Ρ‡ΡƒΡ€ΠΈΠ½ П.Н.

Π’Π»Π°Π΄ΠΈΠΌΠΈΡ€ 2012

ЦСль Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹: ΠΎΠ·Π½Π°ΠΊΠΎΠΌΠΈΡ‚ΡŒΡΡ со ΡΡ€Π΅Π΄ΠΎΠΉ модСлирования элСктронных схСм Electronics Workbench, провСсти Π°Π½Π°Π»ΠΈΠ· Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° ΠšΠΎΠ»ΠΏΠΈΡ‚Ρ†Π°, ΠΈΡΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ характСристики биполярного транзистора, ΠΈΠ·ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ структуры ΠΈ Π°Π»Π³ΠΎΡ€ΠΈΡ‚ΠΌΠΎΠ² Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ асинхронных ΠΈ ΡΠΈΠ½Ρ…Ρ€ΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… Ρ‚Ρ€ΠΈΠ³Π³Π΅Ρ€ΠΎΠ².

Π—Π°Π΄Π°Π½ΠΈΠ΅ 1. ИсслСдованиС Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° ΠšΠΎΠ»ΠΏΠΈΡ‚Ρ†Π°.

1. Π—Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΈΡ‚ΡŒ схСму Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° ΠšΠΎΠ»ΠΏΠΈΡ‚Ρ†Π° (ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΡŒ Ρ„Π°ΠΉΠ» 2m-occil.ewb).

2. Π Π°ΡΡΡ‡ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ ΠΏΠΎ ΠΏΠΎΡΡ‚оянному Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ ΠΈ Π·Π°Ρ„ΠΈΠΊΡΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Ρ‹.

3. ΠŸΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²Π΅ΡΡ‚ΠΈ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎΠ²Π°Ρ€ΠΈΠ°Π½Ρ‚Π½Ρ‹ΠΉ Π°Π½Π°Π»ΠΈΠ· Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ°Ρ…, ΡƒΠΊΠ°Π·Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€Π΅ΠΏΠΎΠ΄Π°Π²Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΌ.

4. ΠŸΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²Π΅ΡΡ‚ΠΈ расчСт частотных характСристик ΠΈ Π·Π°Ρ„ΠΈΠΊΡΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚ Π² Π²ΠΈΠ΄Π΅ АЧΠ₯, Π€Π§Π₯ ΠΈ Π² Ρ‚Π°Π±Π»ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΌ Π²ΠΈΠ΄Π΅.

5. ΠŸΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²Π΅ΡΡ‚ΠΈ расчСт ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ процСсса. Π Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Ρ‹ вывСсти Π² Π²ΠΈΠ΄Π΅ Π³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΊΠ° ΠΈ Π·Π°Ρ„ΠΈΠΊΡΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ.

6. ΠŸΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²Π΅ΡΡ‚ΠΈ ΡΠΏΠ΅ΠΊΡ‚Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Π°Π½Π°Π»ΠΈΠ·. Π Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Ρ‹ Π·Π°Ρ„ΠΈΠΊΡΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ.

7. ΠŸΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²Π΅ΡΡ‚ΠΈ статистичСский Π°Π½Π°Π»ΠΈΠ· ΠΏΡ€ΠΈ Π·Π°Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°Ρ…. Π Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Ρ‹ Π·Π°Ρ„ΠΈΠΊΡΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ.

Π—Π°Π΄Π°Π½ΠΈΠ΅ 2. ИсслСдованиС биполярного транзистора

1. Π˜ΡΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΎΡ‚ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΈ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡ Π±Π°Π·Π°-эмиттСр.

2. Π’Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚ΡŒ Π°Π½Π°Π»ΠΈΠ· зависимости коэффициСнта усилСния ΠΏΠΎ ΠΏΠΎΡΡ‚оянному Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ ΠΎΡ‚ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°.

3. Π˜ΡΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρƒ биполярного транзистора Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ отсСчки.

4. ΠŸΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ характСристики транзистора.

5. ΠžΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ коэффициСнт ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ ΠΏΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠΌΡƒ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ.

6. Π˜ΡΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ динамичСскоС Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС транзистора.

Π—Π°Π΄Π°Π½ΠΈΠ΅ 3. ИсслСдованиС Ρ‚Ρ€ΠΈΠ³Π³Π΅Ρ€ΠΎΠ²

1. Π˜Π·ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ структуру ΠΈ Π°Π»Π³ΠΎΡ€ΠΈΡ‚ΠΌΡ‹ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ асинхронных ΠΈ ΡΠΈΠ½Ρ…Ρ€ΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… Ρ‚Ρ€ΠΈΠ³Π³Π΅Ρ€ΠΎΠ².

2. Π˜ΡΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠ² ΠΈ Π²ΠΎΠ·Π±ΡƒΠΆΠ΄Π΅Π½ΠΈΡ основных Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ² Ρ‚Ρ€ΠΈΠ³Π³Π΅Ρ€ΠΎΠ².

3. Π˜Π·ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ возмоТности взаимозамСняСмости Ρ‚Ρ€ΠΈΠ³Π³Π΅Ρ€ΠΎΠ² Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ². Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ транзистор Ρ‚Ρ€ΠΈΠ³Π³Π΅Ρ€ Π₯ΠΎΠ΄ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ Π—Π°Π΄Π°Π½ΠΈΠ΅ 1. ИсслСдованиС Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° ΠšΠΎΠ»ΠΏΠΈΡ‚Ρ†Π°.

1. Π—Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΈΡ‚ΡŒ схСму Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° ΠšΠΎΠ»ΠΏΠΈΡ‚Ρ†Π° (ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΡŒ Ρ„Π°ΠΉΠ» 2m-occil.ewb).

2. Π Π°ΡΡΡ‡ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ ΠΏΠΎ ΠΏΠΎΡΡ‚оянному Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ ΠΈ Π·Π°Ρ„ΠΈΠΊΡΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Ρ‹.

3. ΠŸΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²Π΅ΡΡ‚ΠΈ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎΠ²Π°Ρ€ΠΈΠ°Π½Ρ‚Π½Ρ‹ΠΉ Π°Π½Π°Π»ΠΈΠ· Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ°Ρ…, ΡƒΠΊΠ°Π·Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€Π΅ΠΏΠΎΠ΄Π°Π²Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΌ.

4. ΠŸΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²Π΅ΡΡ‚ΠΈ расчСт частотных характСристик ΠΈ Π·Π°Ρ„ΠΈΠΊΡΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚ Π² Π²ΠΈΠ΄Π΅ АЧΠ₯, Π€Π§Π₯ ΠΈ Π² Ρ‚Π°Π±Π»ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΌ Π²ΠΈΠ΄Π΅.

5. ΠŸΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²Π΅ΡΡ‚ΠΈ расчСт ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ процСсса. Π Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Ρ‹ вывСсти Π² Π²ΠΈΠ΄Π΅ Π³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΊΠ° ΠΈ Π·Π°Ρ„ΠΈΠΊΡΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ.

6. ΠŸΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²Π΅ΡΡ‚ΠΈ ΡΠΏΠ΅ΠΊΡ‚Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Π°Π½Π°Π»ΠΈΠ·. Π Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Ρ‹ Π·Π°Ρ„ΠΈΠΊΡΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ.

7. ΠŸΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²Π΅ΡΡ‚ΠΈ статистичСский Π°Π½Π°Π»ΠΈΠ· ΠΏΡ€ΠΈ Π·Π°Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°Ρ…. Π Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Ρ‹ Π·Π°Ρ„ΠΈΠΊΡΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ.

1. ΠžΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Π²Π°Π΅ΠΌ Ρ„Π°ΠΉΠ» 2m-occil.ewb, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ располоТСн Π² ΠΏΠ°ΠΏΠΊΠ΅ Circuits ΠΊΠ°Ρ‚Π°Π»ΠΎΠ³Π° ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΡ‹. На ΡΠΊΡ€Π°Π½Π΅ появляСтся схСма Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° ΠšΠΎΠ»ΠΏΠΈΡ‚Ρ†Π°:

2. ВыполняСм расчСт Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ° ΠΏΠΎ ΠΏΠΎΡΡ‚оянному Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ. ВсС Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ ΠΊΠ°ΡΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ΡΡ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ схСмы ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ, Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΠ² ΠΊΠΎΠΌΠ°Π½Π΄Ρƒ Analysis — DC Operating Point:

3. ΠœΠ½ΠΎΠ³ΠΎΠ²Π°Ρ€ΠΈΠ°Π½Ρ‚Π½Ρ‹ΠΉ Π°Π½Π°Π»ΠΈΠ· Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΏΠΎΠ»Π°Π³Π°Π΅Ρ‚ исслСдованиС схСмы с Π½Π΅ΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΈΠΌΠΈ значСниями ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΈΠ· ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ² схСмы. ΠœΡ‹ Π±ΡƒΠ΄Π΅ΠΌ Π²Π°Ρ€ΡŒΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ значСния индуктивности. ΠŸΡ€ΠΈ L0=120ΠΌΠΊΠ“Π½ ΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΎΠ΄ ΠΊΠΎΠ»Π΅Π±Π°Π½ΠΈΠΉ Π’?608нс, Π°ΠΌΠΏΠ»ΠΈΡ‚ΡƒΠ΄Π° ΠΊΠΎΠ»Π΅Π±Π°Π½ΠΈΠΉ А? 5,72Π’:

ΠŸΡ€ΠΈ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ индуктивности Π΄ΠΎ 240ΠΌΠΊΠ“Π½ (Π² Π΄Π²Π° Ρ€Π°Π·Π° большС ΠΏΡ€Π΅Π΄Ρ‹Π΄ΡƒΡ‰Π΅Π³ΠΎ), ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π°Π΅ΠΌ ΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΎΠ΄ ΠΊΠΎΠ»Π΅Π±Π°Π½ΠΈΠΉ Π’?801нс, Π°ΠΌΠΏΠ»ΠΈΡ‚ΡƒΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π΅Π±Π°Π½ΠΈΠΉ А? 5,74Π’:

МСняя Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ значСния индуктивности, ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΎΠ΄Π° ΠΈ Π°ΠΌΠΏΠ»ΠΈΡ‚ΡƒΠ΄Ρ‹ ΠΊΠΎΠ»Π΅Π±Π°Π½ΠΈΠΉ ΠΎΡ‚ L0. Π‘Π²Π΅Π΄Ρ‘ΠΌ Π΅Ρ‘ Π² Ρ‚Π°Π±Π»ΠΈΡ†Ρƒ:

Π’Π°Π±Π»ΠΈΡ†Π° 1.

Π˜Π½Π΄ΡƒΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ L0, ΠΌΠΊΠ“Π½

ΠŸΠ΅Ρ€ΠΈΠΎΠ΄ ΠΊΠΎΠ»Π΅Π±Π°Π½ΠΈΠΉ Π’, нс

Амплитуда ΠΊΠΎΠ»Π΅Π±Π°Π½ΠΈΠΉ А, Π’

5,72

5,75

5,74

5,74

5,73

5,73

5,73

4. РасчСт частотных характСристик выполняСтся ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠΎΠΉ автоматичСски ΠΏΡ€ΠΈ Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€Π΅ ΠΊΠΎΠΌΠ°Π½Π΄Ρ‹ Analysis — AC Frequency ΠΈ Π½Π°ΠΆΠ°Ρ‚ΠΈΠΈ Π² ΠΏΠΎΡΠ²ΠΈΠ²ΡˆΠ΅ΠΌΡΡ ΠΎΠΊΠ½Π΅ ΠΊΠ½ΠΎΠΏΠΊΠΈ Simulate. На ΡΠΊΡ€Π°Π½Π΅ появится ΠΎΠΊΠ½ΠΎ:

5. РасчСт ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ процСсса выполняСтся ΠΏΡ€ΠΈ Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€Π΅ ΠΊΠΎΠΌΠ°Π½Π΄Ρ‹ Analysis — Transparent. Аналогично выводится Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚:

6. Π‘ΠΏΠ΅ΠΊΡ‚Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Π°Π½Π°Π»ΠΈΠ·. Команда Analysis — Fourier.

7. БтатистичСский Π°Π½Π°Π»ΠΈΠ· ΠΏΡ€ΠΈ Π·Π°Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°Ρ….

Π°) Π°Π½Π°Π»ΠΈΠ· ΠΏΠΎ ΠΏΠΎΡΡ‚оянному Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ:

Π±) Π°Π½Π°Π»ΠΈΠ· ΠΏΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ процСссам:

Π²) Π°Π½Π°Π»ΠΈΠ· ΠΏΠΎ Ρ‡Π°ΡΡ‚ΠΎΡ‚Π½Ρ‹ΠΌ характСристикам

Π—Π°Π΄Π°Π½ΠΈΠ΅ 2. ИсслСдованиС биполярного транзистора

1. Π˜ΡΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΎΡ‚ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΈ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡ Π±Π°Π·Π°-эмиттСр.

2. Π’Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚ΡŒ Π°Π½Π°Π»ΠΈΠ· зависимости коэффициСнта усилСния ΠΏΠΎ ΠΏΠΎΡΡ‚оянному Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ ΠΎΡ‚ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°.

3. Π˜ΡΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρƒ биполярного транзистора Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ отсСчки.

4. ΠŸΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ характСристики транзистора.

5. ΠžΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ коэффициСнт ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ ΠΏΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠΌΡƒ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ.

6. Π˜ΡΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ динамичСскоС Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС транзистора.

1. ΠžΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ коэффициСнта ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ транзистора ΠΏΠΎ ΠΏΠΎΡΡ‚оянному Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ ΠžΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Π²Π°Π΅ΠΌ Ρ„Π°ΠΉΠ» с10001.са4, содСрТащий схСму:

Π°) Π’ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅ΠΌ схСму. ЗаписываСм Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Ρ‹ измСрСния Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°, Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΈ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр. По ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π°ΠΌ рассчитываСм статичСский коэффициСнт ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ транзистора Π²DC.

— Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ источника Π­Π”Π‘ Π•Π±=5,7Π’

— Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹ транзистора IΠ²=49,19мкА

— Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° транзистора IΠΊ=10,69мкА

— Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр Uкэ=10Π’

— ΡΡ‚атичСский коэффициСнт ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ транзистора Π²DC=217,32

Π±) ИзмСняСм Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π» источника Π­Π”Π‘ Π•Π‘ Π΄ΠΎ 2,68 Π’. Π’ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅ΠΌ схСму. Аналогично ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π°Π΅ΠΌ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Ρ‹:

— Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ источника Π­Π”Π‘ Π•Π±=2,68Π’

— Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹ транзистора IΠ²=19,24мкА

— Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° транзистора IΠΊ=4,089мА

— Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр Uкэ=10Π’

— ΡΡ‚атичСский коэффициСнт ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Π²DC=212,52

Π²) ИзмСняСм Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π» источника Π­Π”Π‘ Π•Πš Π΄ΠΎ 5 Π’. ЗапускаСм схСму. ЗаписываСм Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Ρ‹ ΠΏΠΎΠ΄ΠΎΠ±Π½ΠΎ дСйствиям, Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ Π² ΠΏΡ€Π΅Π΄Ρ‹Π΄ΡƒΡ‰Π΅ΠΌ ΠΏΡƒΠ½ΠΊΡ‚Π΅ ΠΈ ΡƒΡΡ‚Π°Π½Π°Π²Π»ΠΈΠ²Π°Π΅ΠΌ Π•Πš Ρ€Π°Π²Π½Ρ‹ΠΌ 10 Π’.

— Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ источника Π­Π”Π‘ Π•Π±=5Π’

— Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹ транзистора IΠ²=19,24мкА

— Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° транзистора IΠΊ=3,917мА

— Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр Uкэ=5Π’

— ΡΡ‚атичСский коэффициСнт ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Π²DC=203,58

2. Π˜Π·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ИзмСняСм Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π» источника Π­Π”Π‘ Π•Π² Π΄ΠΎ 0 Π’. Π’ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅ΠΌ схСму, записываСм Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Ρ‹ измСрСния Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° для Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΈ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр:

ΠžΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° IК0=10мкА Π’ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹ транзистора IΠ‘=0

НапряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр UКЭ=10Π’

3. ΠŸΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ характСристики транзистора Π² ΡΡ…Π΅ΠΌΠ΅ с ΠžΠ­.

Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ характСристики исслСдуСмого транзистора прСдставлСны Π² Ρ‚Π°Π±Π»ΠΈΡ†Π΅:

Π’Π°Π±Π»ΠΈΡ†Π° 2.

0,1

0,5

1,66

9,423

831,8мкА

1,732мА

1,74мА

1,805мА

1,887мА

2,051мА

2,68

19,43

1,785мА

3,763мА

3,78мА

3,917мА

4,089мА

4,433мА

3,68

29,32

2,729мА

5,773мА

5,799мА

6,008мА

6,269мА

6,791мА

4,68

39,24

3,676мА

7,79мА

7,825мА

8,105мА

8,456мА

9,157мА

5,7

49,38

4,643мА

9,852мА

9,896мА

10,25мА

10,69мА

11,57мА

Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ характСристика исслСдуСмого транзистора:

Π—Π°Π΄Π°Π½ΠΈΠ΅ 3. ИсслСдованиС Ρ‚Ρ€ΠΈΠ³Π³Π΅Ρ€ΠΎΠ²

1. Π˜Π·ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ структуру ΠΈ Π°Π»Π³ΠΎΡ€ΠΈΡ‚ΠΌΡ‹ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ асинхронных ΠΈ ΡΠΈΠ½Ρ…Ρ€ΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… Ρ‚Ρ€ΠΈΠ³Π³Π΅Ρ€ΠΎΠ².

2. Π˜ΡΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠ² ΠΈ Π²ΠΎΠ·Π±ΡƒΠΆΠ΄Π΅Π½ΠΈΡ основных Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ² Ρ‚Ρ€ΠΈΠ³Π³Π΅Ρ€ΠΎΠ².

3. Π˜Π·ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ возмоТности взаимозамСняСмости Ρ‚Ρ€ΠΈΠ³Π³Π΅Ρ€ΠΎΠ² Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ².

1. Π˜Π·ΡƒΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ структуры ΠΈ Π°Π»Π³ΠΎΡ€ΠΈΡ‚ΠΌΠ° Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ асинхронных ΠΈ ΡΠΈΠ½Ρ…Ρ€ΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… Ρ‚Ρ€ΠΈΠ³Π³Π΅Ρ€ΠΎΠ².

Π°) ИсслСдованиС RS-Ρ‚Ρ€ΠΈΠ³Π³Π΅Ρ€Π°. ΠžΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Π²Π°Π΅ΠΌ Ρ„Π°ΠΉΠ» с1401.са4. Π€Π°ΠΉΠ» содСрТит схСму, ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΡ‘Π½Π½ΡƒΡŽ Π½Π° Ρ€ΠΈΡΡƒΠ½ΠΊΠ΅:

Π’ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅ΠΌ схСму ΠΈ ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‘ΠΌ сигналы S=0, R=1; S=0, R=0; S=1, R=0; S=0, R=0. Находим закономСрности:

— ΠΏΡ€ΠΈ S=0, R=1 Ρ‚Ρ€ΠΈΠ³Π³Π΅Ρ€ устанавливаСтся Π² ΡΠΎΡΡ‚ояниС Q=0;

— ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ ΠΊ S=0, R=0 Ρ‚Ρ€ΠΈΠ³Π³Π΅Ρ€ сохраняСт ΠΏΡ€Π΅ΠΆΠ½Π΅Π΅ состояниС Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π° Q=0;

— ΠΏΡ€ΠΈ S=1, R=0 Ρ‚Ρ€ΠΈΠ³Π³Π΅Ρ€ устанавливаСтся Π² ΡΠΎΡΡ‚ояниС Q=1;

— ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ ΠΊ 8=0, R=0 Ρ‚Ρ€ΠΈΠ³Π³Π΅Ρ€ сохраняСт ΠΏΡ€Π΅ΠΆΠ½Π΅Π΅ состояниС Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π° Q=1.

ИзмСняя состояния Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… сигналов, ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡΠΎΡΡ‚Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ‚Π°Π±Π»ΠΈΡ†Ρƒ состояний:

Π’Π°Π±Π»ΠΈΡ†Π° 3.

R

S

Qt

Qt+1

Π±) ИсслСдованиС JK-Ρ‚Ρ€ΠΈΠ³Π³Π΅Ρ€Π°, построСнного Π½Π° ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ логичСских элСмСнтов ΠΈ RS-Ρ‚Ρ€ΠΈΠ³Π³Π΅Ρ€ΠΎΠ².

ΠžΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Π²Π°Π΅ΠΌ Ρ„Π°ΠΉΠ» с1402.са4, содСрТащий схСму JK-Ρ‚Ρ€ΠΈΠ³Π³Π΅Ρ€Π°:

Аналогично дСйствиям ΠΏΡ€Π΅Π΄Ρ‹Π΄ΡƒΡ‰Π΅Π³ΠΎ ΠΏΡƒΠ½ΠΊΡ‚Π° составляСм Ρ‚Π°Π±Π»ΠΈΡ†Ρƒ состояний Ρ‚Ρ€ΠΈΠ³Π³Π΅Ρ€Π°:

Π’Π°Π±Π»ΠΈΡ†Π° 4

J

K

Qt

Qt+1

Π²) ИсслСдованиС D-Ρ‚Ρ€ΠΈΠ³Π³Π΅Ρ€Π°. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° Ρ‚Ρ€ΠΈΠ³Π³Π΅Ρ€Π° содСрТится Π² Ρ„Π°ΠΉΠ»Π΅ с1403.са4

ΠŸΡ€ΠΈ R=1, S=0 Ρ‚Ρ€ΠΈΠ³Π³Π΅Ρ€ устанавливаСтся Π² 1 (Q=1, Q'=0) нСзависимо ΠΎΡ‚ ΡΠΎΡΡ‚ояния ΠΎΡΡ‚Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Π²Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠ²; ΠΏΡ€ΠΈ R=0, S=1 Ρ‚Ρ€ΠΈΠ³Π³Π΅Ρ€ устанавливаСтся Π² 0 (Q=0, Q'=1) нСзависимо ΠΎΡ‚ ΡΠΎΡΡ‚ояния ΠΎΡΡ‚Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Π²Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠ². По ΡƒΠΊΠ°Π·Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡΠΎΡΡ‚Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ…Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€ΠΈΡΡ‚ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΡƒΡŽ Ρ‚Π°Π±Π»ΠΈΡ†Ρƒ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ Ρ‚Ρ€ΠΈΠ³Π³Π΅Ρ€Π°:

Π’Π°Π±Π»ΠΈΡ†Π° 5

C

D

Qt

Qt+1

2. ИсслСдованиС Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ Π²Ρ‹Ρ‡ΠΈΡ‚Π°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ счСтчика.

ΠžΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Π²Π°Π΅ΠΌ схСму Π²Ρ‹Ρ‡ΠΈΡ‚Π°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ счСтчика, которая содСрТится Π² Ρ„Π°ΠΉΠ»Π΅ с1407.са4; Π΅Ρ‘ Π²Π½Π΅ΡˆΠ½ΠΈΠΉ Π²ΠΈΠ΄ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΉ:

Если Π²Ρ…ΠΎΠ΄Ρ‹ логичСского Π°Π½Π°Π»ΠΈΠ·Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΊ ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€ΡΠ½Ρ‹ΠΌ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π°ΠΌ Ρ‚Ρ€ΠΈΠ³Π³Π΅Ρ€ΠΎΠ², Ρ‚ΠΎ ΡΠΈΠ³Π½Π°Π»Ρ‹ Q1, Q2 ΠΈ Q3 ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ. Если Π½Π° Π»ΠΎΠ³ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΈΠΉ Π°Π½Π°Π»ΠΈΠ·Π°Ρ‚ΠΎΡ€ ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‚ΡŒ инвСрсный сигнал с Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π°, Ρ‚ΠΎ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΠΌ ΡΡƒΠΌΠΌΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΉ счСтчик. Π’Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹Π΅ Π΄ΠΈΠ°Π³Ρ€Π°ΠΌΠΌΡ‹ счётчика:

Π’Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹Π΅ Π΄ΠΈΠ°Π³Ρ€Π°ΠΌΠΌΡ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΡΠΌΠ°Ρ‚Ρ€ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π² ΠΎΠΊΠ½Π΅ элСмСнта Logic Analyzer, ΠΊ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌΡƒ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Ρ‹ прямыС Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Ρ‹ Ρ‚Ρ€ΠΈΠ³Π³Π΅Ρ€ΠΎΠ²:

Π’Ρ‹Π²ΠΎΠ΄: Π² Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ΠΈΠ·ΡƒΡ‡Π΅Π½Ρ‹ возмоТности ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΡ‹ Electronics Workbench, ΠΏΡ€Π΅Π΄Π½Π°Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ для модСлирования элСктронных схСм, Π΅Ρ‘ ΠΈΠ½ΡΡ‚Ρ€ΡƒΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ состав ΠΈ Π½Π°Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅.

ΠŸΠΎΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚ΡŒ вСсь тСкст
Π—Π°ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒ Ρ‚Π΅ΠΊΡƒΡ‰Π΅ΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΎΠΉ