Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Полупроводники и транзисторы

КонтрольнаяПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Где = 1500 (см2/В?с) — подвижность электронов кремния, = 450 (см2/В?с) — подвижность дырок кремния, = 1,45· 1010 (см-3) собственная концентрация носителей зарядов кремния. Определить обратный тепловой ток перехода Iо, дифференциальное сопротивление перехода rpn и диффузионную емкость перехода Сдиф при прямом токе I = 10 мА. Определить концентрации основных и неосновных носителей зарядов nn и pn… Читать ещё >

Полупроводники и транзисторы (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Задание 1

Задача 1.1

В полупроводнике n типа концентрация атомов донорной примеси составляет ND = 1016 см-3, Т = 300 К.

По условию варианта 13 полупроводник — кремний Si.

Определить концентрации основных и неосновных носителей зарядов nn и pn и положение уровня Ферми относительно середины запрещенной зоны ЕFn — Ei

Решение Известно, что в электронном полупpоводнике nn? ND. Поэтому подставляя в вместо n величину ND и, обозначая уpовень Феpми через EFn, получаем:

Откуда следует:

Где

ni = 1,45· 1010 (см-3) — собственная концентрация носителей заряда Si;

k = 8,62· 10-5 (эВ/К) — постоянная Больцмана.

(эВ).

Согласно известной формуле для расчета концентpации неосновных носителей заpяда в электронном полупpоводнике с учетом сдвига уpовня Феpми относительно сеpедины запpещенной зоны:

(см-3).

Ответ: nn = 1016 (см-3), pn = 20 750 (см-3), ЕFn — Ei = 0,348 эВ.

Задача 1.2

Отношение удельного сопротивления полупроводника n типа к удельному сопротивлению собственного полупроводника составляет

рn/pi = 10-3, Т = 300 К.

Определить концентрацию атомов донорной примеси Nд

Полупроводник по условию варианта 13 — кремний.

Решение.

1. Удельная электрическая проводимость полупроводника:

? = q (n ·? n + p ·? p)

В собственном полупроводнике ni = pi, поэтому

? i= q· ni (? n +? p) ;

сi = 1/?? i = 1/(q· ni (? n +? p))

— собственное удельное сопротивление.

2. Поскольку в полупроводнике n типа nn >> pn, поэтому

? n= q· nn ·? n .

В электронном полупроводнике кол-во свободных электронов приблизительно равно кол-ву атомов-доноров:

Nд = nn, сn = 1/?? n = 1/(q· nn ·? n).

3. По условию задачи известно отношение:

рn/pi = 10-3, т. е. подставив из п. 1 и п. 2 решения в 3 получим:

Выразим:

где = 1500 (см2/В?с) — подвижность электронов кремния, = 450 (см2/В?с) — подвижность дырок кремния, = 1,45· 1010 (см-3) собственная концентрация носителей зарядов кремния.

(см-3).

Ответ: (см-3).

Задача 1.3

Полупроводник находится под стационарным внешним воздействием, выражающемся в инжекции в него электронов в сечении Xp. Диффузионная длина электронов Ln = 0,01 см.

Определить относительное уменьшение концентрации избыточных электронов на расстоянии х = 0,1 см от их введения

Решение.

Распределение избыточной концентрации вдоль оси x характеризуется уравнением:

Откуда определим относительное уменьшение концентрации на расстоянии:

Относительное уменьшение концентрации на расстоянии x + xp:

Ответ:

Задание 2

Задача 2.2

Удельные сопротивления областей полупроводника, образующих резкий p-n переход равны pn = 1 Ом? см, pp = 10 Ом? см. Т = 300 К.

Определить контактную разность потенциалов цк и ширину перехода Д при подаче на переход обратного напряжения U = 5 В Полупроводник — Si.

Решение.

1. Определим концентрацию атомов донорной примеси Nд в полупроводнике типа n из формулы для определения удельного сопротивления:

Откуда см-3

2. Определим концентрацию атомов акцепторной примеси NА в полупроводнике типа р из формулы для определения удельного сопротивления:

Откуда полупроводник донорный электрон транзистор см-3

3. Контактная разность потенциалов при приложении обратного напряжения к переходу:

(В)

4. Ширина перехода при обратном включении:

(см) Ответ: В, см Задача 2.2

Обратный тепловой ток резкого р-п перехода Io = 10-15 А, сопротивление тела базы = 20 Ом. Т = 300 К.

Рассчитать и построить на графике прямую ветвь ВAX р-n-перехода в интервале токов i =0…20 мА. Провести ее кусочно-линейную аппроксимацию и определить пороговое напряжение U. Определить во сколько раз изменится тепловой ток при изменении температуры на ДT = 30 К.

Решение С учетом сопротивления базы, прямой ток реального p-n-перехода описывается уравнением:

Выразим из приведенного выше уравнения U:

Для построения графика ВАХ где прямой ток изменяется от 0 до 20 мА составим таблицу:

I, мА

U, В

0,77

0,83

0,879

0,926

0,972

1,017

1,06

1,10

1,147

1,19

Определим по ВАХ пороговое напряжение U0? 0,74 В.

Определим во сколько раз изменится тепловой ток при изменении температуры на ДT = 10 К.

Для кремниевых p-n-переходов обратный ток удваивается на каждые 8 °C (Т* = 8°C).

Температура удвоения обратного тока p-n перехода Т* позволяет рассчитать обратный ток iОБР0 + DТ) при возрастании температуры на DТ по известному значению обратного тока при заданной температуре Т0.

iОБР0 + ДТ) = iОБР0)· 2ДТ/Т*=10-15·230/8 =13,45· 10-15 (А),

т.е. ток увеличится в 13,45 раз.

Ответ: пороговое напряжение U? 0,74 В,

Задача 2.3

Концентрации атомов донорной и акцепторной примесей в областях полупроводника, образующих резкий p-n переход равны: ND = 1018 см-3, NA = 1016 см-3. Площадь перехода равна S = 0,002 см2, время жизни неравновесных электронов фn = 10-6c, T = 300 K.

Полупроводник — кремний.

Определить обратный тепловой ток перехода Iо, дифференциальное сопротивление перехода rpn и диффузионную емкость перехода Сдиф при прямом токе I = 10 мА.

Решение.

1. Определим концентрации основных носителей зарядов в переходе:

(см-3)

(см-3)

2. Определим тепловой ток:

(А) Где Dn = 36 см2/с — коэффициент диффузии электронов кремния,

Dр = 13 см2/с — коэффициент диффузии дырок кремния.

3. Определим дифференциальное сопротивление перехода при прямом токе 10 мА:

(Ом).

4. Определим диффузионную емкость:

(Ф) Ответ: А, Ом, Ф

Задание 3

Задача 3.1

Биполярный транзистор n-p-n структуры включен по схеме ОЭ. Напряжения между электродами: UБЭ = 0,7 В, UКЭ = 0,3 В.

Нарисовать схему включения транзистора, показать полярности напряжений и определить в каком режиме работает транзистор.

Решение Рис. 1. Схема включения биполярного транзистора с общим эмиттером (ОЭ) В нашем случае коллекторный переход находится в открытом состоянии, поскольку не выполняется условие uКБ = uКЭ — uБЭ > 0. Эмиттерный переход также открыт (uБЭ>0). Такой режим работы транзистора называется режимом насыщения.

Задача 3.2

Биполярный транзистор n-p-n структуры с коэффициентом передачи тока базы в = 60, включен по схеме ОЭ и работает в активном режиме (UЭП = 0,3 В). Сквозной тепловой ток коллектора iкэ0 = 10-6 А, напряжение Uбэ = 0,4 В, сопротивление тела базы r'б = 60 Ом.

Нарисовать эквивалентную схему, соответствующую кусочно-линейной модели транзистора для активного режима. Определить токи iэ, iк, iб.

Решение Рис. Эквивалентная схема для включения с ОЭ в активном режиме

1. Определим ток базы:

(мА)

2. Определим ток коллектора:

(А)

3. Ток эмиттера согласно схеме замещения:

(А).

Задача 3.3

Полевой n-канальный транзистор с управляющим p-n-переходом имеет минимальное сопротивление канала rк0 = 100 Oм и пороговое напряжение

Uпор = - 4 В.

Рассчитать и построить на графике зависимость тока стока ic от напряжения Uзи.

Решение.

Вольтамперная характеристика полевого транзистора может быть описана приближенной формулой:

при неизменном

При приложении к затвору обратно, так называемого порогового напряжения ток от истока к стоку будет равен 0.

Минимальное сопротивление канала rк0 достигается при = 0.

Пусть =1 В, а изменяется от -4 В до 0. Построим таблицу с численными значениями и график ic(Uзи)

Uзи, В

— 4

— 3

— 2

— 1

ic, мА

0,6

2,5

5,6

Рис. Зависимость тока стока ic от напряжения Uзи.

Показать весь текст
Заполнить форму текущей работой