ΠŸΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒ Π² написании студСнчСских Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚
АнтистрСссовый сСрвис

ΠŸΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΈ ΠΈ транзисторы

ΠšΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΡŒΠ½Π°ΡΠŸΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒ Π² Π½Π°ΠΏΠΈΡΠ°Π½ΠΈΠΈΠ£Π·Π½Π°Ρ‚ΡŒ ΡΡ‚ΠΎΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΠΌΠΎΠ΅ΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹

Π“Π΄Π΅ = 1500 (см2/Π’?с) — ΠΏΠΎΠ΄Π²ΠΈΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ элСктронов крСмния, = 450 (см2/Π’?с) — ΠΏΠΎΠ΄Π²ΠΈΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π΄Ρ‹Ρ€ΠΎΠΊ крСмния, = 1,45Β· 1010 (см-3) собствСнная концСнтрация носитСлСй зарядов крСмния. ΠžΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° IΠΎ, Π΄ΠΈΡ„Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° rpn ΠΈ Π΄ΠΈΡ„Ρ„ΡƒΠ·ΠΈΠΎΠ½Π½ΡƒΡŽ Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° Π‘Π΄ΠΈΡ„ ΠΏΡ€ΠΈ прямом Ρ‚ΠΎΠΊΠ΅ I = 10 мА. ΠžΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ основных ΠΈ Π½Π΅ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Ρ… носитСлСй зарядов nn ΠΈ pn… Π§ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Π΅Ρ‰Ρ‘ >

ΠŸΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΈ ΠΈ транзисторы (Ρ€Π΅Ρ„Π΅Ρ€Π°Ρ‚, курсовая, Π΄ΠΈΠΏΠ»ΠΎΠΌ, ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΡŒΠ½Π°Ρ)

Π—Π°Π΄Π°Π½ΠΈΠ΅ 1

Π—Π°Π΄Π°Ρ‡Π° 1.1

Π’ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠ΅ n Ρ‚ΠΈΠΏΠ° концСнтрация Π°Ρ‚ΠΎΠΌΠΎΠ² Π΄ΠΎΠ½ΠΎΡ€Π½ΠΎΠΉ примСси составляСт ND = 1016 см-3, Π’ = 300 К.

По ΡƒΡΠ»ΠΎΠ²ΠΈΡŽ Π²Π°Ρ€ΠΈΠ°Π½Ρ‚Π° 13 ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊ — ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠΉ Si.

ΠžΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ основных ΠΈ Π½Π΅ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Ρ… носитСлСй зарядов nn ΠΈ pn ΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ уровня Π€Π΅Ρ€ΠΌΠΈ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ сСрСдины Π·Π°ΠΏΡ€Π΅Ρ‰Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ Π·ΠΎΠ½Ρ‹ Π•Fn — Ei

РСшСниС Π˜Π·Π²Π΅ΡΡ‚Π½ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π² ΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π½ΠΎΠΌ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏpΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠ΅ nn? ND. ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ подставляя Π² Π²ΠΌΠ΅ΡΡ‚ΠΎ n Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρƒ ND ΠΈ, обозначая ΡƒpовСнь Π€Π΅pΠΌΠΈ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· EFn, ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π°Π΅ΠΌ:

ΠžΡ‚ΠΊΡƒΠ΄Π° слСдуСт:

Π“Π΄Π΅

ni = 1,45Β· 1010 (см-3) — собствСнная концСнтрация носитСлСй заряда Si;

k = 8,62Β· 10-5 (эВ/К) — постоянная Π‘ΠΎΠ»ΡŒΡ†ΠΌΠ°Π½Π°.

(эВ).

Богласно извСстной Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒΠ»Π΅ для расчСта ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π΅Π½Ρ‚pΠ°Ρ†ΠΈΠΈ нСосновных носитСлСй Π·Π°pяда Π² ΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π½ΠΎΠΌ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏpΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠ΅ с ΡƒΡ‡Π΅Ρ‚ΠΎΠΌ сдвига Ρƒpовня Π€Π΅pΠΌΠΈ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ сСpΠ΅Π΄ΠΈΠ½Ρ‹ Π·Π°ΠΏpΠ΅Ρ‰Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ Π·ΠΎΠ½Ρ‹:

(см-3).

ΠžΡ‚Π²Π΅Ρ‚: nn = 1016 (см-3), pn = 20 750 (см-3), Π•Fn — Ei = 0,348 эВ.

Π—Π°Π΄Π°Ρ‡Π° 1.2

ΠžΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ ΡƒΠ΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ сопротивлСния ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠ° n Ρ‚ΠΈΠΏΠ° ΠΊ ΡƒΠ΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌΡƒ ΡΠΎΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΡŽ собствСнного ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠ° составляСт

Ρ€n/pi = 10-3, Π’ = 300 К.

ΠžΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π°Ρ†ΠΈΡŽ Π°Ρ‚ΠΎΠΌΠΎΠ² Π΄ΠΎΠ½ΠΎΡ€Π½ΠΎΠΉ примСси NΠ΄

ΠŸΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊ ΠΏΠΎ ΡƒΡΠ»ΠΎΠ²ΠΈΡŽ Π²Π°Ρ€ΠΈΠ°Π½Ρ‚Π° 13 — ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠΉ.

РСшСниС.

1. УдСльная элСктричСская ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠ°:

? = q (n Β·? n + p Β·? p)

Π’ ΡΠΎΠ±ΡΡ‚Π²Π΅Π½Π½ΠΎΠΌ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠ΅ ni = pi, поэтому

? i= qΒ· ni (? n +? p) ;

сi = 1/?? i = 1/(q· ni (? n +? p))

— ΡΠΎΠ±ΡΡ‚Π²Π΅Π½Π½ΠΎΠ΅ ΡƒΠ΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС.

2. ΠŸΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ Π² ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠ΅ n Ρ‚ΠΈΠΏΠ° nn >> pn, поэтому

? n= qΒ· nn Β·? n .

Π’ ΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π½ΠΎΠΌ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠ΅ ΠΊΠΎΠ»-Π²ΠΎ свободных элСктронов ΠΏΡ€ΠΈΠ±Π»ΠΈΠ·ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Ρ€Π°Π²Π½ΠΎ ΠΊΠΎΠ»-Π²Ρƒ Π°Ρ‚ΠΎΠΌΠΎΠ²-Π΄ΠΎΠ½ΠΎΡ€ΠΎΠ²:

Nд = nn, сn = 1/?? n = 1/(q· nn ·? n).

3. По ΡƒΡΠ»ΠΎΠ²ΠΈΡŽ Π·Π°Π΄Π°Ρ‡ΠΈ извСстно ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅:

Ρ€n/pi = 10-3, Ρ‚. Π΅. подставив ΠΈΠ· ΠΏ. 1 ΠΈ ΠΏ. 2 Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ Π² 3 ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΠΌ:

Π’Ρ‹Ρ€Π°Π·ΠΈΠΌ:

Π³Π΄Π΅ = 1500 (см2/Π’?с) — ΠΏΠΎΠ΄Π²ΠΈΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ элСктронов крСмния, = 450 (см2/Π’?с) — ΠΏΠΎΠ΄Π²ΠΈΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π΄Ρ‹Ρ€ΠΎΠΊ крСмния, = 1,45Β· 1010 (см-3) собствСнная концСнтрация носитСлСй зарядов крСмния.

(см-3).

ΠžΡ‚Π²Π΅Ρ‚: (см-3).

Π—Π°Π΄Π°Ρ‡Π° 1.3

ΠŸΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊ находится ΠΏΠΎΠ΄ стационарным внСшним воздСйствиСм, Π²Ρ‹Ρ€Π°ΠΆΠ°ΡŽΡ‰Π΅ΠΌΡΡ Π² ΠΈΠ½ΠΆΠ΅ΠΊΡ†ΠΈΠΈ Π² Π½Π΅Π³ΠΎ элСктронов Π² ΡΠ΅Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ Xp. Диффузионная Π΄Π»ΠΈΠ½Π° элСктронов Ln = 0,01 ΡΠΌ.

ΠžΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΈΠ·Π±Ρ‹Ρ‚ΠΎΡ‡Π½Ρ‹Ρ… элСктронов Π½Π° Ρ€Π°ΡΡΡ‚оянии Ρ… = 0,1 ΡΠΌ ΠΎΡ‚ ΠΈΡ… Π²Π²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΈΡ

РСшСниС.

РаспрСдСлСниС ΠΈΠ·Π±Ρ‹Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠΉ ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ вдоль оси x Ρ…арактСризуСтся ΡƒΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ:

ΠžΡ‚ΠΊΡƒΠ΄Π° ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΠΌ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ Π½Π° Ρ€Π°ΡΡΡ‚оянии:

ΠžΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ Π½Π° Ρ€Π°ΡΡΡ‚оянии x + xp:

ΠžΡ‚Π²Π΅Ρ‚:

Π—Π°Π΄Π°Π½ΠΈΠ΅ 2

Π—Π°Π΄Π°Ρ‡Π° 2.2

Π£Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ сопротивлСния областСй ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠ°, ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… Ρ€Π΅Π·ΠΊΠΈΠΉ p-n ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ Ρ€Π°Π²Π½Ρ‹ pn = 1 Ом? см, pp = 10 Ом? см. Π’ = 300 К.

ΠžΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΡƒΡŽ Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ² Ρ†ΠΊ ΠΈ ΡˆΠΈΡ€ΠΈΠ½Ρƒ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° Π” ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‡Π΅ Π½Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния U = 5 Π’ ΠŸΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊ — Si.

РСшСниС.

1. ΠžΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΠΌ ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π°Ρ†ΠΈΡŽ Π°Ρ‚ΠΎΠΌΠΎΠ² Π΄ΠΎΠ½ΠΎΡ€Π½ΠΎΠΉ примСси NΠ΄ Π² ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠ΅ Ρ‚ΠΈΠΏΠ° n ΠΈΠ· Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒΠ»Ρ‹ для опрСдСлСния ΡƒΠ΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ сопротивлСния:

ΠžΡ‚ΠΊΡƒΠ΄Π° см-3

2. ΠžΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΠΌ ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π°Ρ†ΠΈΡŽ Π°Ρ‚ΠΎΠΌΠΎΠ² Π°ΠΊΡ†Π΅ΠΏΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠΉ примСси NА Π² ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠ΅ Ρ‚ΠΈΠΏΠ° Ρ€ ΠΈΠ· Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒΠ»Ρ‹ для опрСдСлСния ΡƒΠ΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ сопротивлСния:

ΠžΡ‚ΠΊΡƒΠ΄Π° ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊ Π΄ΠΎΠ½ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΉ элСктрон транзистор см-3

3. ΠšΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½Π°Ρ Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ² ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΈ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния ΠΊ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Ρƒ:

(Π’)

4. Π¨ΠΈΡ€ΠΈΠ½Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° ΠΏΡ€ΠΈ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΌ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ:

(см) ΠžΡ‚Π²Π΅Ρ‚: Π’, см Π—Π°Π΄Π°Ρ‡Π° 2.2

ΠžΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ Ρ€Π΅Π·ΠΊΠΎΠ³ΠΎ Ρ€-ΠΏ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° Io = 10-15 А, сопротивлСниС Ρ‚Π΅Π»Π° Π±Π°Π·Ρ‹ = 20 Ом. Π’ = 300 К.

Π Π°ΡΡΡ‡ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ ΠΈ ΠΏΠΎΡΡ‚Ρ€ΠΎΠΈΡ‚ΡŒ Π½Π° Π³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΊΠ΅ ΠΏΡ€ΡΠΌΡƒΡŽ Π²Π΅Ρ‚Π²ΡŒ Π’AX Ρ€-n-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° Π² ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Ρ€Π²Π°Π»Π΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ² i =0…20 мА. ΠŸΡ€ΠΎΠ²Π΅ΡΡ‚ΠΈ Π΅Π΅ ΠΊΡƒΡΠΎΡ‡Π½ΠΎ-Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΡƒΡŽ Π°ΠΏΠΏΡ€ΠΎΠΊΡΠΈΠΌΠ°Ρ†ΠΈΡŽ ΠΈ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ напряТСниС U. ΠžΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ Π²ΠΎ ΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Ρ€Π°Π· измСнится Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΈ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ Π½Π° Π”T = 30 К.

РСшСниС Π‘ ΡƒΡ‡Π΅Ρ‚ΠΎΠΌ сопротивлСния Π±Π°Π·Ρ‹, прямой Ρ‚ΠΎΠΊ Ρ€Π΅Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ p-n-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° описываСтся ΡƒΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ:

Π’Ρ‹Ρ€Π°Π·ΠΈΠΌ ΠΈΠ· ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ уравнСния U:

Для построСния Π³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΊΠ° ВАΠ₯ Π³Π΄Π΅ прямой Ρ‚ΠΎΠΊ измСняСтся ΠΎΡ‚ 0 Π΄ΠΎ 20 мА ΡΠΎΡΡ‚Π°Π²ΠΈΠΌ Ρ‚Π°Π±Π»ΠΈΡ†Ρƒ:

I, мА

U, Π’

0,77

0,83

0,879

0,926

0,972

1,017

1,06

1,10

1,147

1,19

ΠžΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΠΌ ΠΏΠΎ Π’АΠ₯ ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ напряТСниС U0? 0,74 Π’.

ΠžΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΠΌ Π²ΠΎ ΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Ρ€Π°Π· измСнится Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΈ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ Π½Π° Π”T = 10 К.

Для ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹Ρ… p-n-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠ² ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ удваиваСтся Π½Π° ΠΊΠ°ΠΆΠ΄Ρ‹Π΅ 8 Β°C (Π’* = 8Β°C).

Π’Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π° удвоСния ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° p-n ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° Π’* позволяСт Ρ€Π°ΡΡΡ‡ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ iΠžΠ‘Π (Π’0 + DΠ’) ΠΏΡ€ΠΈ возрастании Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ Π½Π° DΠ’ ΠΏΠΎ ΠΈΠ·Π²Π΅ΡΡ‚Π½ΠΎΠΌΡƒ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΡŽ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΈ Π·Π°Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΉ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π΅ Π’0.

iΠžΠ‘Π (Π’0 + Π”Π’) = iΠžΠ‘Π (Π’0)Β· 2Π”Π’/Π’*=10-15Β·230/8 =13,45Β· 10-15 (А),

Ρ‚.Π΅. Ρ‚ΠΎΠΊ увСличится Π² 13,45 Ρ€Π°Π·.

ΠžΡ‚Π²Π΅Ρ‚: ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ напряТСниС U? 0,74 Π’,

Π—Π°Π΄Π°Ρ‡Π° 2.3

ΠšΠΎΠ½Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ Π°Ρ‚ΠΎΠΌΠΎΠ² Π΄ΠΎΠ½ΠΎΡ€Π½ΠΎΠΉ ΠΈ Π°ΠΊΡ†Π΅ΠΏΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠΉ примСсСй Π² ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ях ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠ°, ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… Ρ€Π΅Π·ΠΊΠΈΠΉ p-n ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ Ρ€Π°Π²Π½Ρ‹: ND = 1018 см-3, NA = 1016 см-3. ΠŸΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΡŒ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° Ρ€Π°Π²Π½Π° S = 0,002 ΡΠΌ2, врСмя ΠΆΠΈΠ·Π½ΠΈ нСравновСсных элСктронов Ρ„n = 10-6c, T = 300 K.

ΠŸΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊ — ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠΉ.

ΠžΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° IΠΎ, Π΄ΠΈΡ„Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° rpn ΠΈ Π΄ΠΈΡ„Ρ„ΡƒΠ·ΠΈΠΎΠ½Π½ΡƒΡŽ Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° Π‘Π΄ΠΈΡ„ ΠΏΡ€ΠΈ прямом Ρ‚ΠΎΠΊΠ΅ I = 10 мА.

РСшСниС.

1. ΠžΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΠΌ ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ основных носитСлСй зарядов Π² ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π΅:

(см-3)

(см-3)

2. ΠžΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΠΌ Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ:

(А) Π“Π΄Π΅ Dn = 36 ΡΠΌ2/с — коэффициСнт Π΄ΠΈΡ„Ρ„ΡƒΠ·ΠΈΠΈ элСктронов крСмния,

DΡ€ = 13 ΡΠΌ2/с — коэффициСнт Π΄ΠΈΡ„Ρ„ΡƒΠ·ΠΈΠΈ Π΄Ρ‹Ρ€ΠΎΠΊ крСмния.

3. ΠžΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΠΌ Π΄ΠΈΡ„Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° ΠΏΡ€ΠΈ прямом Ρ‚ΠΎΠΊΠ΅ 10 мА:

(Ом).

4. ΠžΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΠΌ Π΄ΠΈΡ„Ρ„ΡƒΠ·ΠΈΠΎΠ½Π½ΡƒΡŽ Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ:

(Π€) ΠžΡ‚Π²Π΅Ρ‚: А, Ом, Π€

Π—Π°Π΄Π°Π½ΠΈΠ΅ 3

Π—Π°Π΄Π°Ρ‡Π° 3.1

Биполярный транзистор n-p-n структуры Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ ΠΏΠΎ ΡΡ…Π΅ΠΌΠ΅ ΠžΠ­. НапряТСния ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ элСктродами: UΠ‘Π­ = 0,7 Π’, UКЭ = 0,3 Π’.

ΠΠ°Ρ€ΠΈΡΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ схСму Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ транзистора, ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚ΡŒ полярности напряТСний ΠΈ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ Π² ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ транзистор.

РСшСниС Рис. 1. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ биполярного транзистора с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром (ОЭ) Π’ Π½Π°ΡˆΠ΅ΠΌ случаС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ находится Π² ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΎΠΌ состоянии, ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ Π½Π΅ Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½ΡΠ΅Ρ‚ся условиС uΠšΠ‘ = uКЭ — uΠ‘Π­ > 0. Π­ΠΌΠΈΡ‚Ρ‚Π΅Ρ€Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ (uΠ‘Π­>0). Π’Π°ΠΊΠΎΠΉ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ транзистора называСтся Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠΎΠΌ насыщСния.

Π—Π°Π΄Π°Ρ‡Π° 3.2

Биполярный транзистор n-p-n структуры с ΠΊΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ΠΎΠΌ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹ Π² = 60, Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ ΠΏΠΎ ΡΡ…Π΅ΠΌΠ΅ ΠžΠ­ ΠΈ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ Π² Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ (UЭП = 0,3 Π’). Π‘ΠΊΠ²ΠΎΠ·Π½ΠΎΠΉ Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° iкэ0 = 10-6 А, напряТСниС Uбэ = 0,4 Π’, сопротивлСниС Ρ‚Π΅Π»Π° Π±Π°Π·Ρ‹ r'Π± = 60 Ом.

ΠΠ°Ρ€ΠΈΡΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΡΠΊΠ²ΠΈΠ²Π°Π»Π΅Π½Ρ‚Π½ΡƒΡŽ схСму, ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰ΡƒΡŽ кусочно-Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎΠΉ ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈ транзистора для Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ°. ΠžΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊΠΈ iэ, iΠΊ, iΠ±.

РСшСниС Рис. ЭквивалСнтная схСма для Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ с ΠžΠ­ Π² Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅

1. ΠžΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹:

(мА)

2. ΠžΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°:

(А)

3. Π’ΠΎΠΊ эмиттСра согласно схСмС замСщСния:

(А).

Π—Π°Π΄Π°Ρ‡Π° 3.3

ПолСвой n-ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ транзистор с ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΌ p-n-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ минимальноС сопротивлСниС ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° rΠΊ0 = 100 OΠΌ ΠΈ ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ напряТСниС

UΠΏΠΎΡ€ = - 4 Π’.

Π Π°ΡΡΡ‡ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ ΠΈ ΠΏΠΎΡΡ‚Ρ€ΠΎΠΈΡ‚ΡŒ Π½Π° Π³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΊΠ΅ Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° стока ic ΠΎΡ‚ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡ UΠ·ΠΈ.

РСшСниС.

Π’ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π°ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π½Π°Ρ характСристика ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ описана ΠΏΡ€ΠΈΠ±Π»ΠΈΠΆΠ΅Π½Π½ΠΎΠΉ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒΠ»ΠΎΠΉ:

ΠΏΡ€ΠΈ Π½Π΅ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠΌ

ΠŸΡ€ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΈ ΠΊ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Ρƒ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎ, Ρ‚Π°ΠΊ Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅ΠΌΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΎΡ‚ ΠΈΡΡ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊ ΡΡ‚ΠΎΠΊΡƒ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Ρ€Π°Π²Π΅Π½ 0.

МинимальноС сопротивлСниС ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° rΠΊ0 достигаСтся ΠΏΡ€ΠΈ = 0.

ΠŸΡƒΡΡ‚ΡŒ =1 Π’, Π° ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½ΡΠ΅Ρ‚ся ΠΎΡ‚ -4 Π’ Π΄ΠΎ 0. ΠŸΠΎΡΡ‚Ρ€ΠΎΠΈΠΌ Ρ‚Π°Π±Π»ΠΈΡ†Ρƒ с Ρ‡ΠΈΡΠ»Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌΠΈ значСниями ΠΈ Π³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΊ ic(UΠ·ΠΈ)

UΠ·ΠΈ, Π’

— 4

— 3

— 2

— 1

ic, мА

0,6

2,5

5,6

Рис. Π—Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° стока ic ΠΎΡ‚ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡ UΠ·ΠΈ.

ΠŸΠΎΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚ΡŒ вСсь тСкст
Π—Π°ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒ Ρ‚Π΅ΠΊΡƒΡ‰Π΅ΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΎΠΉ