Полупроводники и транзисторы
Где = 1500 (см2/В?с) — подвижность электронов кремния, = 450 (см2/В?с) — подвижность дырок кремния, = 1,45· 1010 (см-3) собственная концентрация носителей зарядов кремния. Определить обратный тепловой ток перехода Iо, дифференциальное сопротивление перехода rpn и диффузионную емкость перехода Сдиф при прямом токе I = 10 мА. Определить концентрации основных и неосновных носителей зарядов nn и pn… Читать ещё >
Полупроводники и транзисторы (реферат, курсовая, диплом, контрольная)
Задание 1
Задача 1.1
В полупроводнике n типа концентрация атомов донорной примеси составляет ND = 1016 см-3, Т = 300 К.
По условию варианта 13 полупроводник — кремний Si.
Определить концентрации основных и неосновных носителей зарядов nn и pn и положение уровня Ферми относительно середины запрещенной зоны ЕFn — Ei
Решение Известно, что в электронном полупpоводнике nn? ND. Поэтому подставляя в вместо n величину ND и, обозначая уpовень Феpми через EFn, получаем:
Откуда следует:
Где
ni = 1,45· 1010 (см-3) — собственная концентрация носителей заряда Si;
k = 8,62· 10-5 (эВ/К) — постоянная Больцмана.
(эВ).
Согласно известной формуле для расчета концентpации неосновных носителей заpяда в электронном полупpоводнике с учетом сдвига уpовня Феpми относительно сеpедины запpещенной зоны:
(см-3).
Ответ: nn = 1016 (см-3), pn = 20 750 (см-3), ЕFn — Ei = 0,348 эВ.
Задача 1.2
Отношение удельного сопротивления полупроводника n типа к удельному сопротивлению собственного полупроводника составляет
рn/pi = 10-3, Т = 300 К.
Определить концентрацию атомов донорной примеси Nд
Полупроводник по условию варианта 13 — кремний.
Решение.
1. Удельная электрическая проводимость полупроводника:
? = q (n ·? n + p ·? p)
В собственном полупроводнике ni = pi, поэтому
? i= q· ni (? n +? p) ;
сi = 1/?? i = 1/(q· ni (? n +? p))
— собственное удельное сопротивление.
2. Поскольку в полупроводнике n типа nn >> pn, поэтому
? n= q· nn ·? n .
В электронном полупроводнике кол-во свободных электронов приблизительно равно кол-ву атомов-доноров:
Nд = nn, сn = 1/?? n = 1/(q· nn ·? n).
3. По условию задачи известно отношение:
рn/pi = 10-3, т. е. подставив из п. 1 и п. 2 решения в 3 получим:
Выразим:
где = 1500 (см2/В?с) — подвижность электронов кремния, = 450 (см2/В?с) — подвижность дырок кремния, = 1,45· 1010 (см-3) собственная концентрация носителей зарядов кремния.
(см-3).
Ответ: (см-3).
Задача 1.3
Полупроводник находится под стационарным внешним воздействием, выражающемся в инжекции в него электронов в сечении Xp. Диффузионная длина электронов Ln = 0,01 см.
Определить относительное уменьшение концентрации избыточных электронов на расстоянии х = 0,1 см от их введения
Решение.
Распределение избыточной концентрации вдоль оси x характеризуется уравнением:
Откуда определим относительное уменьшение концентрации на расстоянии:
Относительное уменьшение концентрации на расстоянии x + xp:
Ответ:
Задание 2
Задача 2.2
Удельные сопротивления областей полупроводника, образующих резкий p-n переход равны pn = 1 Ом? см, pp = 10 Ом? см. Т = 300 К.
Определить контактную разность потенциалов цк и ширину перехода Д при подаче на переход обратного напряжения U = 5 В Полупроводник — Si.
Решение.
1. Определим концентрацию атомов донорной примеси Nд в полупроводнике типа n из формулы для определения удельного сопротивления:
Откуда см-3
2. Определим концентрацию атомов акцепторной примеси NА в полупроводнике типа р из формулы для определения удельного сопротивления:
Откуда полупроводник донорный электрон транзистор см-3
3. Контактная разность потенциалов при приложении обратного напряжения к переходу:
(В)
4. Ширина перехода при обратном включении:
(см) Ответ: В, см Задача 2.2
Обратный тепловой ток резкого р-п перехода Io = 10-15 А, сопротивление тела базы = 20 Ом. Т = 300 К.
Рассчитать и построить на графике прямую ветвь ВAX р-n-перехода в интервале токов i =0…20 мА. Провести ее кусочно-линейную аппроксимацию и определить пороговое напряжение U. Определить во сколько раз изменится тепловой ток при изменении температуры на ДT = 30 К.
Решение С учетом сопротивления базы, прямой ток реального p-n-перехода описывается уравнением:
Выразим из приведенного выше уравнения U:
Для построения графика ВАХ где прямой ток изменяется от 0 до 20 мА составим таблицу:
I, мА | ||||||||||||
U, В | 0,77 | 0,83 | 0,879 | 0,926 | 0,972 | 1,017 | 1,06 | 1,10 | 1,147 | 1,19 | ||
Определим по ВАХ пороговое напряжение U0? 0,74 В.
Определим во сколько раз изменится тепловой ток при изменении температуры на ДT = 10 К.
Для кремниевых p-n-переходов обратный ток удваивается на каждые 8 °C (Т* = 8°C).
Температура удвоения обратного тока p-n перехода Т* позволяет рассчитать обратный ток iОБР(Т0 + DТ) при возрастании температуры на DТ по известному значению обратного тока при заданной температуре Т0.
iОБР(Т0 + ДТ) = iОБР(Т0)· 2ДТ/Т*=10-15·230/8 =13,45· 10-15 (А),
т.е. ток увеличится в 13,45 раз.
Ответ: пороговое напряжение U? 0,74 В,
Задача 2.3
Концентрации атомов донорной и акцепторной примесей в областях полупроводника, образующих резкий p-n переход равны: ND = 1018 см-3, NA = 1016 см-3. Площадь перехода равна S = 0,002 см2, время жизни неравновесных электронов фn = 10-6c, T = 300 K.
Полупроводник — кремний.
Определить обратный тепловой ток перехода Iо, дифференциальное сопротивление перехода rpn и диффузионную емкость перехода Сдиф при прямом токе I = 10 мА.
Решение.
1. Определим концентрации основных носителей зарядов в переходе:
(см-3)
(см-3)
2. Определим тепловой ток:
(А) Где Dn = 36 см2/с — коэффициент диффузии электронов кремния,
Dр = 13 см2/с — коэффициент диффузии дырок кремния.
3. Определим дифференциальное сопротивление перехода при прямом токе 10 мА:
(Ом).
4. Определим диффузионную емкость:
(Ф) Ответ: А, Ом, Ф
Задание 3
Задача 3.1
Биполярный транзистор n-p-n структуры включен по схеме ОЭ. Напряжения между электродами: UБЭ = 0,7 В, UКЭ = 0,3 В.
Нарисовать схему включения транзистора, показать полярности напряжений и определить в каком режиме работает транзистор.
Решение Рис. 1. Схема включения биполярного транзистора с общим эмиттером (ОЭ) В нашем случае коллекторный переход находится в открытом состоянии, поскольку не выполняется условие uКБ = uКЭ — uБЭ > 0. Эмиттерный переход также открыт (uБЭ>0). Такой режим работы транзистора называется режимом насыщения.
Задача 3.2
Биполярный транзистор n-p-n структуры с коэффициентом передачи тока базы в = 60, включен по схеме ОЭ и работает в активном режиме (UЭП = 0,3 В). Сквозной тепловой ток коллектора iкэ0 = 10-6 А, напряжение Uбэ = 0,4 В, сопротивление тела базы r'б = 60 Ом.
Нарисовать эквивалентную схему, соответствующую кусочно-линейной модели транзистора для активного режима. Определить токи iэ, iк, iб.
Решение Рис. Эквивалентная схема для включения с ОЭ в активном режиме
1. Определим ток базы:
(мА)
2. Определим ток коллектора:
(А)
3. Ток эмиттера согласно схеме замещения:
(А).
Задача 3.3
Полевой n-канальный транзистор с управляющим p-n-переходом имеет минимальное сопротивление канала rк0 = 100 Oм и пороговое напряжение
Uпор = - 4 В.
Рассчитать и построить на графике зависимость тока стока ic от напряжения Uзи.
Решение.
Вольтамперная характеристика полевого транзистора может быть описана приближенной формулой:
при неизменном
При приложении к затвору обратно, так называемого порогового напряжения ток от истока к стоку будет равен 0.
Минимальное сопротивление канала rк0 достигается при = 0.
Пусть =1 В, а изменяется от -4 В до 0. Построим таблицу с численными значениями и график ic(Uзи)
Uзи, В | — 4 | — 3 | — 2 | — 1 | ||
ic, мА | 0,6 | 2,5 | 5,6 | |||
Рис. Зависимость тока стока ic от напряжения Uзи.