ΠŸΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒ Π² написании студСнчСских Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚
АнтистрСссовый сСрвис

Π’Π°Ρ€ΠΈΠ°Π½Ρ‚ β„–6

ΠšΡƒΡ€ΡΠΎΠ²Π°Ρ ΠšΡƒΠΏΠΈΡ‚ΡŒ Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²ΡƒΡŽ Π£Π·Π½Π°Ρ‚ΡŒ ΡΡ‚ΠΎΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΠΌΠΎΠ΅ΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹

Π‘ΠΈΡ€Π΅Π½ΡŒΠΊΠΈΠΉ И. Π’., Рябинин Π’. Π’., Π“ΠΎΠ»ΠΎΡ‰Π°ΠΏΠΎΠ² Π‘. Н. ЭлСктронная Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΈΠΊΠ°. 2005. — 416 Ρ. Входная ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΎΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ каскада Π½Π° ΡΠΎΡΡ‚Π°Π²Π½Ρ‹Ρ… транзисторах VT1 — VT4: ПособиС для Π²ΡƒΠ·ΠΎΠ². — Πœ.: Лаборатория Π‘Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… Π—Π½Π°Π½ΠΈΠΉ, 2000. — 488 Ρ. ΠžΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΠΌ сопротивлСниС рСзисторов (рис. 1), исходя ΠΈΠ· ΡƒΡΠ»ΠΎΠ²ΠΈΡ: Π’ΠΎΠ³Π΄Π° Π’Ρ‹Π±Π΅Ρ€Π΅ΠΌ ΠΈΠ· ΡΡ‚Π°Π½Π΄Π°Ρ€Ρ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ ряда сопротивлСний. Амплитуда Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ элСктрода транзистора VT1: Амплитуда… Π§ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Π΅Ρ‰Ρ‘ >

Π’Π°Ρ€ΠΈΠ°Π½Ρ‚ β„–6 (Ρ€Π΅Ρ„Π΅Ρ€Π°Ρ‚, курсовая, Π΄ΠΈΠΏΠ»ΠΎΠΌ, ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΡŒΠ½Π°Ρ)

Π‘ΠΎΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°Π½ΠΈΠ΅

  • Π’Π²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅
  • Π—Π°Π΄Π°Π½ΠΈΠ΅
  • 1. ВСорСтичСская Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒ
    • 1. 1. Π”Π²ΡƒΡ…Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹ΠΉ бСстрансформаторный каскад Π½Π° ΡΠΎΡΡ‚Π°Π²Π½Ρ‹Ρ… транзисторах
  • 2. ΠŸΡ€Π°ΠΊΡ‚ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠ°Ρ Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒ
    • 2. 1. ΠŸΠΎΡΡ‚Ρ€ΠΎΠ΅Π½ΠΈΠ΅ схСмы элСктричСской ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ
  • 3. РасчСтная Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒ
    • 3. 1. РасчСт Π΄Π²ΡƒΡ…Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ бСстрансформаторного каскада Π½Π° ΡΠΎΡΡ‚Π°Π²Π½Ρ‹Ρ… транзисторах
  • Π—Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅
  • Бписок Π»ΠΈΡ‚Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹
  • ΠŸΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ 1
  • ΠŸΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ 2

2) (ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ 1) Π½Π°Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌ ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π΅

Вычислим для транзистора VT3 Π°ΠΌΠΏΠ»ΠΈΡ‚ΡƒΠ΄Ρƒ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΈ Π°ΠΌΠΏΠ»ΠΈΡ‚ΡƒΠ΄Ρƒ напряТСния ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ ΠΈ ΡΠΌΠΈΡ‚Ρ‚Π΅Ρ€ΠΎΠΌ Вычислим Π°ΠΌΠΏΠ»ΠΈΡ‚ΡƒΠ΄Ρƒ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния каскада Π½Π° Ρ‚ранзисторах VT3, VT4

Π’Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС ΠΏΠ»Π΅Ρ‡Π° каскада Π½Π° VT3, VT4.

ΠžΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΠΌ сопротивлСниС рСзисторов (рис. 1), исходя ΠΈΠ· ΡƒΡΠ»ΠΎΠ²ΠΈΡ:

Π’ΠΎΠ³Π΄Π° Π’Ρ‹Π±Π΅Ρ€Π΅ΠΌ ΠΈΠ· ΡΡ‚Π°Π½Π΄Π°Ρ€Ρ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ ряда сопротивлСний

ΠžΡ†Π΅Π½ΠΈΠΌ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ рассСяния Π½Π° Ρ€Π΅Π·ΠΈΡΡ‚ΠΎΡ€Π΅ Вычислим Π°ΠΌΠΏΠ»ΠΈΡ‚ΡƒΠ΄Ρƒ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· рСзистор ΠžΡ†Π΅Π½ΠΈΠΌ сопротивлСниС Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ ΠΏΠ»Π΅Ρ‡Π° каскада Π½Π° VT1, VT2.

Амплитуда Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ элСктрода транзистора VT1:

ΠžΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΠΌ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ² ΠΈ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΉ Π² Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ΅ покоя транзистора VT1(КВ814Π‘)

(здСсь взято для транзистора КВ814Π‘).

НапряТСниС смСщСния Π½Π°Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌ ΠΏΠΎ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ВАΠ₯ транзистора КВ814Π‘ (рис. 3) (ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ 2) для Богласно рис. 4 (ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ 2),

Амплитуда Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹ VT1:

МаксимальноС Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° VT1:

МаксимальноС Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹ VT1:

МаксимальноС Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ ΠΈ ΡΠΌΠΈΡ‚Ρ‚Π΅Ρ€ΠΎΠΌ VT1 Π½Π°ΠΉΠ΄Π΅ΠΌ ΠΏΠΎ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ характСристикС VT1 (рис. 4) (ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ 2):

Амплитуда напряТСния ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ ΠΈ ΡΠΌΠΈΡ‚Ρ‚Π΅Ρ€ΠΎΠΌ VT1:

Амплитуда напряТСния Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ каскада Π½Π° VT1, VT2:

Π’Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС ΠΏΠ»Π΅Ρ‡Π° каскада Π½Π° VT1, VT2:

Входная ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΎΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ каскада Π½Π° ΡΠΎΡΡ‚Π°Π²Π½Ρ‹Ρ… транзисторах VT1 — VT4:

ΠžΡ†Π΅Π½ΠΈΠΌ коэффициСнты усилия ΠΎΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ каскада ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ мощности :

ΠžΡ†Π΅Π½ΠΈΠΌ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρƒ Смкости Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ кондСнсатора Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ каскада, Ссли ниТняя граничная частота Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡Π΅Π³ΠΎ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π° усилитСля, коэффициСнт частотных напряТСний Π½Π° Π½ΠΈΠΆΠ½Π΅ΠΉ частотС, ΠΎΡ‚Π²Π΅Π΄Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ Π½Π° Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ Π‘1, Π² ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ†Π°Ρ…). Π’ΠΎΠ³Π΄Π°

Π’Ρ‹Π±ΠΈΡ€Π°Π΅ΠΌ ΠΈΠ· ΡΡ‚Π°Π½Π΄Π°Ρ€Ρ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ ряда Π—Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅

Расчёт усилитСля с Π΄Π²ΡƒΡ…Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹ΠΌ бСстрансформаторным Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ каскадом. Π’ Π½Π°ΡΡ‚оящСС врСмя бСстрансформаторныС схСмы Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… каскадов практичСски вытСснили Ρ‚Ρ€Π°Π΄ΠΈΡ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Π΅ Ρ€Π°Π½Π΅Π΅ трансформаторныС схСмы, Ρ‡Ρ‚ΠΎ обусловлСно, ΠΏΡ€Π΅ΠΆΠ΄Π΅ всСго, ΠΈΡ… Π΄ΠΎΡΡ‚оинствами: ΠΌΠ°Π»Ρ‹ΠΌΠΈ Π³Π°Π±Π°Ρ€ΠΈΡ‚Π°ΠΌΠΈ, мСньшим вСсом ΠΈ ΡΡ‚ΠΎΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ, Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ высоким ΠΊ.ΠΏ.Π΄., мСньшим ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ΠΌ Π½Π΅Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½Ρ‹Ρ… искаТСний. ОсобСнно ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ бСстрансформаторных схСм Π² ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄Π½Π΅Π΅ врСмя Π²Ρ‹Π·Π²Π°Π½ΠΎ Ρ‚Π΅ΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠΌΡ‹ΡˆΠ»Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ освоСн выпуск ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ»ΠΈΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ€Π½Ρ‹Ρ… транзисторов, Ρ‚. Π΅. ΠΏΠ°Ρ€ транзисторов, ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‰ΠΈΡ… Ρ€Π°Π·Π½ΡƒΡŽ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈ ΠΈΠ΄Π΅Π½Ρ‚ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹, Ρ‡Ρ‚ΠΎ собствСнно ΠΈ ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΠ΅Ρ‚ ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ Π² Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ каскадС Π±Π΅Π· трансформаторов.

Π’ ΠΊΡƒΡ€ΡΠΎΠ²ΠΎΠΌ ΠΏΡ€ΠΎΠ΅ΠΊΡ‚Π΅ Π±Ρ‹Π» ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½ ΠΏΠΎΠ»Π½Ρ‹ΠΉ расчСт элСктричСской ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ схСмы усилитСля с Π·Π°Π΄Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌΠΈ тСхничСскими показатСлями.

По Π²ΡΠ΅ΠΌ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ значСниям ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡΠ΄Π΅Π»Π°Ρ‚ΡŒ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄, Ρ‡Ρ‚ΠΎ эти значСния сопоставимы с Ρ‚СхничСскими показатСлями Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ усилитСля с Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹ΠΌΠΈ ΠΏΠΎ Π·Π°Π΄Π°Π½ΠΈΡŽ.

Π’ΠΎΠ»ΠΎΠ²ΠΈΡ‡ Π“. Π˜. ΠΈ Π΄Ρ€. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠΎΡ‚Π΅Ρ…Π½ΠΈΠΊΠ° Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΈ Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΎ-Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… элСктронных устройств. — Πœ.: Π”ΠžΠ”Π­ΠšΠ, 2007. — 528 с.

Π‘Ρ‚Π΅ΠΏΠ°Π½Π΅Π½ΠΊΠΎ И. П. ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Ρ‹ микроэлСктроники: Π£Ρ‡Π΅Π±.

пособиС для Π²ΡƒΠ·ΠΎΠ². — Πœ.: Лаборатория Π‘Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… Π—Π½Π°Π½ΠΈΠΉ, 2000. — 488 с.

Π‘ΠΎΠΉΠΊΠΎ Π’., Π“ΡƒΡ€ΠΆΠΈΠΉ А., Π–ΡƒΠΉΠΊΠΎΠ² Π’. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠΎΡ‚Π΅Ρ…Π½ΠΈΠΊΠ° элСктронных систСм. АналоговыС ΠΈ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½Ρ‹Π΅ устройства: Π£Ρ‡Π΅Π±Π½ΠΈΠΊ-БПб:Π‘Π₯Π’ — ΠŸΠ΅Ρ‚Π΅Ρ€Π±ΡƒΡ€Π³, 2004 Π³. -488 с.

Π‘ΠΈΡ€Π΅Π½ΡŒΠΊΠΈΠΉ И.Π’., Рябинин Π’. Π’., Π“ΠΎΠ»ΠΎΡ‰Π°ΠΏΠΎΠ² Π‘. Н. ЭлСктронная Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΈΠΊΠ°. 2005. — 416 с.

Π”. Π›Π΅Π½ΠΊ ΠΈ Π΄Ρ€. 500 практичСских схСм Π½Π° ΠΏΠΎΠΏΡƒΠ»ΡΡ€Π½Ρ‹Ρ… Π˜Π‘: ΠŸΠ΅Ρ€. Ρ Π°Π½Π³Π».: [Π‘ΠΏΡ€Π°Π²ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠ΅ пособиС]. — Πœ.:Π”ΠœΠš, 2001. — 440 с.

Π˜Π½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ микросхСмы: ΠœΠΈΠΊΡ€ΠΎΡΡ…Π΅ΠΌΡ‹ для Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½Ρ‹Ρ… источников питания ΠΈ ΠΈΡ… ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅. Изд. 2-ΠΎΠ΅, испр. И Π΄ΠΎΠΏ. — Πœ.: Π”ΠžΠ”Π­ΠšΠ, 1998. — 400 с.

ΠŸΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ 1

Рис. 2. БСмСйство Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… статичСских ВАΠ₯ транзистора ΠšΠ’ 816 Π‘ (VT3). Нагрузочная прямая ΠΏΠ»Π΅Ρ‡Π° каскада.

ΠŸΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ 2

Рис. 3. Входная ВАΠ₯ транзистора ΠšΠ’ 816 Π‘ (VT3).

Рис. 4. Входная ВАΠ₯ транзистора ΠšΠ’ 814(Π‘) (VT1).

ΠŸΠΎΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚ΡŒ вСсь тСкст

Бписок Π»ΠΈΡ‚Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹

  1. Π“. Π˜. ΠΈ Π΄Ρ€. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠΎΡ‚Π΅Ρ…Π½ΠΈΠΊΠ° Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΈ Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΎ-Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… элСктронных устройств. — Πœ.: Π”ΠžΠ”Π­ΠšΠ, 2007. — 528 с.
  2. И.П. ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Ρ‹ микроэлСктроники: Π£Ρ‡Π΅Π±. пособиС для Π²ΡƒΠ·ΠΎΠ². — Πœ.: Лаборатория Π‘Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… Π—Π½Π°Π½ΠΈΠΉ, 2000. — 488 с.
  3. Π’., Π“ΡƒΡ€ΠΆΠΈΠΉ А., Π–ΡƒΠΉΠΊΠΎΠ² Π’. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠΎΡ‚Π΅Ρ…Π½ΠΈΠΊΠ° элСктронных систСм. АналоговыС ΠΈ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½Ρ‹Π΅ устройства: Π£Ρ‡Π΅Π±Π½ΠΈΠΊ-БПб:Π‘Π₯Π’ — ΠŸΠ΅Ρ‚Π΅Ρ€Π±ΡƒΡ€Π³, 2004 Π³. -488 с.
  4. И.Π’., Рябинин Π’. Π’., Π“ΠΎΠ»ΠΎΡ‰Π°ΠΏΠΎΠ² Π‘. Н. ЭлСктронная Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΈΠΊΠ°. 2005. — 416 с.
  5. Π”. Π›Π΅Π½ΠΊ ΠΈ Π΄Ρ€. 500 практичСских схСм Π½Π° ΠΏΠΎΠΏΡƒΠ»ΡΡ€Π½Ρ‹Ρ… Π˜Π‘: ΠŸΠ΅Ρ€. Ρ Π°Π½Π³Π».: [Π‘ΠΏΡ€Π°Π²ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠ΅ пособиС]. — Πœ.:Π”ΠœΠš, 2001. — 440 с.
  6. Π˜Π½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ микросхСмы: ΠœΠΈΠΊΡ€ΠΎΡΡ…Π΅ΠΌΡ‹ для Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½Ρ‹Ρ… источников питания ΠΈ ΠΈΡ… ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅. Изд. 2-ΠΎΠ΅, испр. И Π΄ΠΎΠΏ. — Πœ.: Π”ΠžΠ”Π­ΠšΠ, 1998. — 400 с.
Π—Π°ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒ Ρ‚Π΅ΠΊΡƒΡ‰Π΅ΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΎΠΉ
ΠšΡƒΠΏΠΈΡ‚ΡŒ Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²ΡƒΡŽ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρƒ

Π˜Π›Π˜