Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Анализ и синтез сверхвысокочастотных малошумящих транзисторных усилителей с частотно-зависимыми обратными связями

Диссертация: Анализ и синтез сверхвысокочастотных малошумящих транзисторных усилителей с частотно-зависимыми обратными связями
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Реализация в промышленности. Исследования диссертационной работы являются частью хоздоговорной работы по теме 040−80−08 со Всесоюзным научно-исследовательским институтом радиоаппаратуры, договорной работы о творческом сотрудничестве с Таллинским политехническим институтом, договорных работ на передачу научно-технической продукции с Таллинским КБ РЭТ и РУС г. Певека Магаданской области, а также… Читать ещё >

Анализ и синтез сверхвысокочастотных малошумящих транзисторных усилителей с частотно-зависимыми обратными связями (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • 1. АНАЛИЗ НАУЧНОЙ ПРОБЛЕМЫ И ПОСТАНОВКА ЗАДАЧ ИССЛЕДОВАНИЙ
  • 2. АНАЛИЗ СВЧ МАЛОШУМЯЩЕГО ТРАНЗИСТОРНОГО УСИЛИТЕЛЯ С ЦЕПЬЮ ВНЕШНЕЙ ЧАСТОТНО-ЗАВИСИМОЙ ОБРАТНОЙ СВЯЗИ ПО НАПРЯЖЕНИЮ
    • 2. 1. Постановка задачи
    • 2. 2. Транзисторный усилитель с общим стоком
    • 2. 3. Транзисторный усилитель с общим затвором
    • 2. 4. Транзисторный усилитель с общим стоком
    • 2. 5. Влияние проводимости цепи внешней обратной связи по напряжению на параметры усилителя
    • 2. 6. Выводы
  • 3. АНАЛИЗ СВЧ МАЛОШУМЯЩЕГО ТРАНЗИСТОРНОГО УСИЛИТЕЛЯ С ЦЕПЬЮ ВНЕШНЕЙ ЧАСТОТНО-ЗАВИСИМОЙ ОБРАТНОЙ СВЯЗИ ПО ТОКУ
    • 3. 1. Постановка задачи
    • 3. 2. Транзисторный усилитель с общим истоком
    • 3. 3. Транзисторный усилитель с общим затвором
    • 3. 4. Транзисторный усилитель с общим стоком
    • 3. 5. Влияние проводимости цепи внешней обратной связи по напряжению на параметры усилителя
    • 3. 6. Выводы
  • 4. АНАЛИЗ СВЧ МАЛОШУМЯЩЕГО ТРАНЗИСТОРНОГО УСИЛИТЕЛЯ С КОМБИНИРОВАННОЙ ЧАСТОТНО-ЗАВИСИМОЙ ВНЕШНЕЙ ОБРАТНОЙ СВЯЗЬЮ
    • 4. 1. Постановка задачи
    • 4. 2. Транзисторный усилитель с общим истоком
    • 4. 3. Транзисторный усилитель с общим затвором
    • 4. 4. Транзисторный усилитель с общим стоком
    • 4. 5. Влияние проводимости цепи внешней обратной связи по напряжению на параметры усилителя
    • 4. 6. Выводы
  • 5. СИНТЕЗ ЦЕПИ ВНЕШНЕЙ ЧАСТОТНО-ЗАВИСИМОЙ ОБРАТНОЙ СВЯЗИ
    • 5. 1. Постановка задачи
    • 5. 2. Синтез цепей внешней обратной связи по напряжению
    • 5. 3. Синтез цепей внешней обратной связи по току
    • 5. 4. Выводы
  • 6. МАШИННЫЙ СИНТЕЗ СВЧ МАЛОШУМЯЩИХ ТРАНЗИСТОРНЫХ УСИЛИТЕЛЕЙ С ВНЕШНИМИ ЧАСТОТНО-ЗАВИСИМЫМИ ОБРАТНЫМИ СВЯЗЯМИ
    • 6. 1. Описание блок-схемы алгоритма программы расчета
    • 6. 2. Выбор метода оптимизации
    • 6. 3. Выводы
  • РАЗРАБОТКА И ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ТРАНЗИСТОРНЫХ УСИЛИТЕЛЕЙ С ВНЕШНИМИ ЧАСТОТНО-ЗАВИСИМЫМИ ОБРАТНЫМИ СВЯЗЯМИ
    • 7. 1. Разработка малошумящего транзисторного СВЧ усилителя с внешней частотно-зависимой обратной связью и исследование его шумовых характеристик
    • 7. 2. Разработка сверхширокополосного транзисторного СВЧ усилителя внешней частотно-зависимой обратной связью и исследование его коэффициента усиления
    • 7. 3. Разработка транзисторного СВЧ усилителя-выключателя с внешней частотно-зависимой обратной связью и исследование его коэффициента усиления и зависимости затухания в диапазоне частот
    • 7. 4. Выводы

Освоение сантиметрового и миллиметрового диапазона волн требует разработки малошумящих транзисторных усилителей, которые улучшают технико-экономические показатели радиоэлектронных устройств и систем.

Проблема построения таких усилителей, удовлетворяющих совокупности технических требований на современной элементной базе, давно привлекает внимание исследователей. Причем высокие технические характеристики мало-шумящих транзисторных усилителей в сантиметровом и миллиметровом диапазоне волн достигаются за счет цепей внешних частотно-зависимых обратных связей (ЦВЧОС).

При разработке усилителей с различными видами обратных связей существенное значение приобретает не только применение совершенных элементов, но и наиболее рациональное построение схемы усилителя, которое может быть осуществлено на основании заданных характеристик посредством синтеза цепей обратных связей. Однако синтез цепи обратной связи пока широкого распространения не получил из-за сложности расчета и обязательного использования диаграмм Картера и Вольперта-Смита.

В создании теории и методов анализа и расчета усилительных схем большие заслуги принадлежат русским ученым — А. Д. Артыму, А. ИБергу, Г. В. Брауде, В. И. Сифорову. Значительный вклад в развитие теории и практического применения усилителей сделали М.А.Бонч-Бруевич, Г. С. Цыкин, Г. В. Войшвилло, О. Б. Лурье, С. Н. Кризе, А. А. Ризкин, Н. В. Терпугов, И. А. Трискало, О. Г. Головин, В. А. Андреев, А. Г. Алексеев и другие высококвалифицированные радиоспециалисты.

В последние годы, особенно с появлением СВЧ полевых и биполярных транзисторов, сложность и разнообразие схем значительно возросли. Поэтому для решения вопросов анализа и синтеза усилителей все чаще применяются графические методы исследования, в создании которых большая заслуга принадлежит отечественным ученым — JI.Я.Нагорному, Г. В. Петрову, А. И. Толстому, Н. З. Шварцу и др. Для анализа и синтеза сверхвысокочастотных транзисторных усилителей средней мощности с частотно-зависимыми обратными связями широко используются графические методы с применением диаграмм Картера и Вольперта-Смита, разработанные Л. И. Бабаком. Однако из-за сложности и громоздкости расчетов они не нашли широкого распространения.

Несмотря на достаточную полноту разработки общих методов анализа и синтеза электронных схем, при исследовании и расчетах СВЧ усилителей с обратной связью приходится сталкиваться с некоторыми затруднениями, связанными с несовершенством технологии производства СВЧ транзисторов, а именно:

— использование их в качестве усилителей в диапазоне частот до 0.5 граничной частоты единичного усиления;

— высокий коэффициент шума от 1.0 до 3 дБ;

— высокий коэффициент обратной передачи от 0.01 до 0.2 единиц;

— динамический диапазон не превышает 90 дБ;

— большой разброс параметров радиоэлементов и диэлектрической проницаемости подложек;

— сложность формирования амплитудно-частотной характеристики из-за потенциальной устойчивости;

— недостаточная температурная стабильность.

В связи с этим и возникает необходимость в создании универсальных методов анализа и синтеза линейных усилительных схем на транзисторах, независимо от их сложности, которая позволила бы инженеру-разработчику или исследователю упростить процесс теоретического исследования или расчета. Настоящая работа и посвящена разработке таких методов на основе методов теории матриц, теории четырехполюсника, теории линейных электрических цепей, теории функции комплексного переменного, теории усилителей с обратной связью. Причем теория усилителей с обратной связью расширена применительно к СВЧ диапазону [75−84]. В результате этого можно улучшить параметры линейных СВЧ усилителей не только за счет дорогостоящей технологии производства, а путем синтеза различных видов местных положительных и отрицательных обратных связей, а именно:

— увеличивать в несколько раз частоту единичного усиления усилителя;

— снижать коэффициент шума в широкой полосе частот;

— увеличивать динамический диапазон;

— уменьшать коэффициент обратной передачи |S12| до нуля в полосе частот;

— уменьшать влияние дестабилизирующих факторов на параметры усилителя.

Расчет линейных однокаскадных усилителей СВЧ диапазона доведен до простых, полученных в работе, аналитических выражений, по которым строится годограф иммитанса цепи ОС в диапазоне частот на комплексной плоскости цепи обратной связи по совокупности требований технического задания на однокаскадный усилитель и условий физической и схемной реализуемости. В результате исследований СВЧ усилителей на полевых и биполярных транзисторах были определены структуры цепей обратных связей значительно улучшающие их параметры. Параметрический и структурный синтез этих цепей осуществляется с помощью Чебышевской аппроксимации степенными полиномами, что значительно упрощает задачу. Практическим результатом работы является разработка и исследование СВЧ малошумящих транзисторных усилителей с ЦВЧОС, которые защищены изобретениями и используются в действующих объектах связи, что подтверждено актами о внедрении (см.приложение).

Для решения поставленной задачи необходимо исследовать ряд теоретических и схемотехнических вопросов, рассмотреть вопросы математического обеспечения САПР (системы автоматизированного проектирования) многокаскадных транзисторных СВЧ усилителей с ЦВЧОС, провести макетирование и экспериментальные исследования схем усилителей по основным характеристикам в диапазоне частот.

В теоретическом плане на первое место выступают две проблемы: анализ и синтез усилителей с обратной связью в СВЧ диапазоне.

Необходимо найти новые схемотехнические решения усилителей с ОС, в которых технические параметры превышают параметры усилителей, разработанных классическими методами проектирования. Разработать методы анализа и синтеза усилителей с ОС. Определить аналитические выражения возвратного отношения цепи ОС усилителя СВЧ, используя параметры рассеяния бесструктурной модели транзистора.

Проблема практической реализации делает весьма актуальным, во-первых, поиск структур усилителей с высокими техническими характеристиками, и, во-вторых, разработку вопросов моделирования применительно к СВЧ диапазону. Такие расчеты могут быть проведены только с использованием ЭВМ. Поэтому разработка машинных методов исследования сверхвысокочастотных мало-шумящих транзисторных усилителей с цепями внешних частотно-зависимых обратных связей является актуальной задачей. Все указанные вопросы являются предметом исследования данной работы.

Цель работы. Разработать и исследовать новую методику автоматизированного проектирования сверхвысокочастотных малошумящих одно-каскадных транзисторных усилителей с ЦВЧОС на основе их S-параметров, позволяющей синтезировать цепь обратной связи. Причем, анализ этих усилителей, служит для определения годографа иммитанса цепи обратной связи, а их синтез, позволит по годографу иммитанса цепи обратной связи, определять структуру и значение элементов цепи ОС, удовлетворяющей требованиям технического задания на усилитель и условиям физической и схемной реализации в диапазоне частот с использованием персональных компьютеров в диалоговом режиме. Получить аналитические выражения различных видов обратной связи усилителя СВЧ, по которым провести анализ влияния ЦВЧОС на параметры усилителя при различных схемах включения транзистора. Разработать пакет прикладных программ автоматизированного проектирования по методам анализа и синтеза сверхвысокочастотных малошумящих транзисторных усилителей с ЦВЧОС и исследовать с помощью персонального компьютера (ПК) возможность улучшения параметров и расширения схемотехнических решений усилителей в СВЧ диапазоне.

Основные задачи исследования. В процессе выполнения работы, в соответствии с поставленной целью, необходимо решить следующие задачи:

1. Разработка методов анализа сверхвысокочастотных малошумящих транзисторных усилителей (МШТУ) с ЦВЧОС (по току, по напряжению, по току и напряжению) на основе их параметров рассеяния (S-параметров) с целью определения годографа иммитанса цепи обратной связи в частотном диапазоне, знание которого крайне необходимо при проектировании подобного рода СВЧ усилителей.

2. Исследование влияния ЦВЧОС (по току, по напряжению, по току и напряжению) на параметры транзисторного СВЧ усилителя в диапазоне частот, учет которых крайне необходим при проектировании усилителей, при различных схемах включения транзистора,.

3. Разработка метода синтеза цепи внешней частотно-зависимой обратной связи по току и по напряжению сверхвысокочастотных МШТУ, по годографам иммитанса ЦВЧОС, удовлетворяющих требованиям технического задания на усилитель и условиям физической и схемной реализации в диапазоне частот, позволяющая решать задачи автоматизированного проектирования СВЧ транисторных усилителей.

4. Разработка алгоритма анализа и синтеза сверхвысокочастотных МШТУ с ЦВЧОС на основе их параметров рассеяния в диапазоне частот на ПК. Разработка пакета прикладных программ автоматизированного проектирования по методикам анализа и синтеза сверхвысокочастотных многокаскадных МШТУ с ЦВЧОС на ПК.

5. Разработка, исследование и обобщение результатов испытаний сверхвысокочастотных МШТУ с ЦВЧОС.

Методы исследования. Основные результаты работы были получены с использованием методов теории матриц, теории четырехполюсника, теории функций комплексного переменного, теории линейных электрических цепей, теории усилителей с обратной связью.

Новые научные результаты, выносимые на защиту:

1. Вопросы построения сверхвысокочастотных мапошумящих транзисторных усилителей с внешними цепями частотно-зависимых обратных связей на основе S-параметров, позволяющие уменьшать коэффициент шума, расширять полосу усиливаемых частот, формировать требуемую амплитудно-частотную характеристику, увеличивать коэффициент усиления.

2. Предложены и защищены патентами на изобретения основные схемотехнические решения транзисторных усилителей СВЧ диапазона с ЦВЧОС.

3. Метод анализа СВЧ усилителей с ОС (по току, по напряжению, по току и напряжению) на основе их S-параметров, позволяющий определять годографы иммитанса цепи ОС, удовлетворяющие требованиям технического задания, знание которых крайне необходимо при проектировании транзисторных мапошумящих усилителей СВЧ диапазона.

4. Анализ влияния ЦВЧОС на параметры СВЧ усилителя, при помощи полученных аналитических выражений разных видов обратной связи при различных схемах включения транзистора.

5. Метод синтеза иммитанса цепи ОС по току и по напряжению, представленными годографами иммитанса обратной связи, удовлетворяющие условиям физической и схемной реализации в СВЧ диапазоне.

6. Алгоритм методов анализа и синтеза СВЧ усилителей с ОС на основе их S-параметров на ПК и пакет прикладных программ автоматизированного проектирования усилителей.

7. Результаты теоретических и практических исследований, позволяющие с помощью ЦВЧОС сверхвысокочастотного МШТУ, уменьшить коэффициент шума, увеличить коэффициент усиления и расширить полосу усиливаемых частот.

Практическая ценность. Полученные в работе научные и практические результаты по теории сверхвысокочастотных МШТУ с ЦВЧОС на основе S-параметров, а также разработанные методы анализа и синтеза усилителей позволили создать ряд макетов усилителей с ЦВЧОС в СВЧ диапазоне с улучшенными техническими характеристиками. На основании, полученных результатов по методам анализа и синтеза сверхвысокочастотных МШТУ с ЦВЧОС, разработан пакет прикладных программ для ПК, используемый при автоматизированном проектировании усилителей, а также получены патенты на изобретения [82−84].

Реализация в промышленности. Исследования диссертационной работы являются частью хоздоговорной работы по теме 040−80−08 со Всесоюзным научно-исследовательским институтом радиоаппаратуры, договорной работы о творческом сотрудничестве с Таллинским политехническим институтом, договорных работ на передачу научно-технической продукции с Таллинским КБ РЭТ и РУС г. Певека Магаданской области, а также 000"Совтранс" (Санкт-Петербург), выполненных на кафедре «Теории электрических цепей» Санкт-Петербургского государственного университета телекоммуникаций (СПбГУТ) им. проф.М.А.Бонч-Бруевича. Результаты диссертации использованы при создании сверхвысокочастотных МШТУ для спутникового непосредственного телевизионного вещания системы «Орбита», для спутниковой телефонии, а также для приема передач со спутников связи (ТВ-спутников Интелсат, ЕС, Телеком-1 В, Астра и т. д.), что подтверждено соответствующими актами внедрения.

Апробация работы. Результаты диссертационной работы были доложены на Всесоюзной конференции молодых ученых и специалистов в Московском институте электронной техники в 1982 году, Третьем всесоюзном совещании во ВНИИМ им. Менделеева в г. Ленинграде в 1988 году, на научно-технических конференциях профессорско-преподавательского состава СПбГУТ им. проф.М.А. Бонч-Бруевича на кафедрах «Теории электрических цепей» и «Схемотехники электронных устройств» в 1984;2003 годах.

По материалам диссертации опубликовано 10 статей и получены три патента на изобретения [75−84].

Содержание работы:

В первой главе дан обзор существующих сверхвысокочастотных МШТУ, рассмотрены принципы построения транзисторных усилителей, освещены вопросы современного состояния методов анализа, синтеза и математического моделирования усилителей с ЦВЧОС, сформулированы задачи исследования.

Вторая глава посвящена разработке методов анализа сверхвысокочастотного МШТУ с ЦВЧОС по напряжению на основе его S-параметров с целью определения годографа проводимости цепи ОС в диапазоне частот. Получены новые аналитические выражения глубины обратной связи по напряжению, входного и выходного сопротивления, коэффициента усиления усилителя при различных схемах включения транзистора, по которым проведен анализ влияния ЦВЧОС на параметры усилителя.

В третьей главе разработан метод анализа сверхвысокочастотного МШТУ с ЦВЧОС по току на основе его S-параметров с целью определения годографа сопротивления цепи ОС в диапазоне частот. Получены новые аналитические выражения глубины обратной связи по току, входного и выходного сопротивления, коэффициента усиления усилителя при различных схемах включения транзистора, по которым проведен анализ влияния ЦВЧОС на параметры усилителя.

Четвертая глава посвящена разработке метода анализа сверхвысокочастотного МШТУ с комбинированной ЦВЧОС на основе его S-параметров с целью определения годографа сопротивления (проводимости) цепи ОС в диапазоне частот. Получены новые аналитические выражения глубины комбинированной обратной связи, входного и выходного сопротивления, коэффициента усиления усилителя при различных схемах включения транзистора, по которым проведен анализ влияния ЦВЧОС на параметры усилителя.

В пятой главе разработан метод синтеза цепи внешней частотно-зависимой обратной связи по току и по напряжению, определены экспериментальным путем шесть структур частотно-зависимых цепей обратной связи по напряжению и шесть структур частотно-зависимых цепей обратной связи по току.

Шестая глава посвящена разработке алгоритма программы для ПК, используемого при автоматизированном проектировании сверхвысокочастотных одно-каскадных и многокаскадных МШТУ с ЦВЧОС.

В седьмой главе исследованы и обобщены результаты испытаний сверхвысокочастотных однокаскадных СВЧ МШТУ с ЦВЧОС.

7.4. Выводы.

1. Хорошее совпадение теории и эксперимента основано на измерения S-параметров тест-платы с транзистором в СВЧ диапазоне с малой погрешностью.

2. Анализ, разработанных и исследованных макетов, которые защищены изобретениями, позволяет сделать заключение об их практической применимости.

3. Разработанные методы анализа и синтеза СВЧ усилителей с частотно-зависимой обратной связью, позволяет использовать монолитную технологию.

4. Три разработанных усилителя по методам анализа и синтеза, данной диссертационной работы, внедрены на предприятиях на действующих объектах.

УПРАВЛЕНИЯ ynrt Ч=Нп.

— U3 ис.

Рис. 7.3.1.Принципиальная схема СВЧ усилителя-выключателя. Кр (дБ) со/юо.

• практика без ОС, я практика с ОС теория спутниковой телевизионной связи и спутниковой телефонной связи, что подтверждается прилагаемыми актами о внедрении.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Основные научные результаты диссертационной работы можно сформулировать следующим образом:

1. Развиты вопросы теории и построения малошумящих однокаскадных транзисторных СВЧ усилителей с различными типами частотно-зависимых обратных связей с высокими техническими характеристиками на основе Sпараметров транзисторов, позволяющие уменьшать коэффициент шума, расширять полосу усиливаемых частот, увеличивать коэффициент усиления.

2. Предложенные и защищенные патентами на изобретения различные схемотехнические решения однокаскадных транзисторных усилителей СВЧ диапазона.

3. Разработан метод анализа однокаскадных МШТУ СВЧ с ЦВЧОС (по току, по напряжению, по току и напряжению) на основе их Sпараметров, с целью определения годографа иммитанса цепи обратной связи в частотном диапазоне.

4. Анализ влияния ЦВЧОС на параметры СВЧ усилителя при помощи, полученных аналитических выражений возвратного отношения разных видов обратной связи, при различных схемах включения транзистора.

5. Разработан метод синтеза цепи внешней частотно-зависимой ОС по току и по напряжению сверхвысокочастотных однокаскадных МШТУ по годографам иммитанса ЦВЧОС, удовлетворяющих условиям физической и схемной реализуемости в диапазоне частот и требованиям технического задания на усилитель.

6. Разработаны алгоритмы анализа и синтеза сверхвысокочастотных однокаскадных МШТУ с ЦВЧОС на основе их параметров рассеяния. Разработан пакет прикладных программ автоматизированного проектирования по методам анализа и синтеза сверхвысокочастотных однокаскадных и многокаскадных МШТУ с ЦВЧОС.

7. Анализ и обобщение результатов испытаний сверхвысокочастотных однокаскадных МШТУ с ЦВЧОС.

8. Результаты теоретических и практических исследований, позволяющие с помощью цепи ЦВЧОС СВЧ усилителя, минимизировать коэффициент шума, увеличить коэффициент усиления и расширить полосу частот.

Хорошее совпадение теории и эксперимента при автоматизированном проектировании малошумящих транзисторных СВЧ усилителей с ЦВЧОС, указывает на работоспособность методов анализа и синтеза данной научной работы, что подтверждается актами о внедрении трех усилителей.

Новые научные результаты, полученные в диссертации, апробированы на Всесоюзных конференциях в масштабе России и на кафедрах Университета, которые нашли отражение в 3-ех тезисах доклада, 2-ух отчетах по НИР, 2-ух информационных листках, 1-ой статье в «Сборнике научных трудов учебных институтов связи» и 3-ех патентах на изобретения. Три СВЧ усилителя внедрены на предприятиях на действующих обьектах спутниковой телевизионной и телефонной связи.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Е.З., Грибов Э. Б., Николаевский И. Ф., Пруслина С. С. Расчет усилителей ВЧ по параметрам технических условий на транзисторы//Полупро-водниковые приборы в технике связи.-1967.-Вып.1.-с.70−82.
  2. И.П., Докучаев Ю. П. и др. Кремниевый малошумящий биполярный транзистор КТ-3115//Микроэлектроника и полупроводниковые приборы.- 1980.-Вып. 5 .-с.43.
  3. В.Л., Шер Ю.А. Частотные свойства полупроводникового триода с распределенными параметрами/ЛТолупроводниковые приборы и их примене-ние:Сб.статей.-М.:Советское радио, 1963.-Вып.З.
  4. А.Д. Усилители с обратной связью.-Л.:Энергия, 1969.-248с.
  5. Л.И. Анализ транзисторных усилителей с обратной связью с помощью круговых диаграмм//Полупроводниковая электроника в технике связи / Под ред.И. Ф. Николаевского, — М.:Связь, 1978.- Вып.19.-с.69−81.
  6. Л.И. Структурный синтез двухполюсных цепей коррекции транзисторных МШУ СВЧ усилителей// Радиотехника.- 1988.-N6.- с. 31.
  7. В.Ю., Белецкий А. Ф. Задачи широкополосного согласования произвольных комплексных сопротивлений//Изв.вузов.Радиоэлектроника.-1973.-N11.-с.43−49.
  8. В.Ю., Белецкий А. Ф. О критерии близости в задачах синтеза согласующих цепей//Радиотехника и электроника. -1971.- t.16,N18.
  9. Л.В., Бердыев B.C., Петров Б. Е. О широкополосности транзисторного усилителя СВЧ с реактивной обратной связью/В кн: Исследования и радиотехника, НЭТИ.-1973.-Вып.6.-с.З-8.
  10. Л.В., Бердыев B.C. Улучшение энергетических характеристик маломощных СВЧ усилителей//Электронная техника. Микроэлектронные устройства.- 1977.-Вып.4.
  11. Д.И. Поисковые методы оптимального проектирования.-М.:Сов: радио, 1975.-216 с.
  12. Н.А., Шварц Н. З. Транзисторные усилители СВЧ с диссипативны-ми выравнивающими цепями//Радиотехника и электроника.-1971 .-N8.-с. 14 011 410.
  13. Н.А., Шварц Н. З. Выравнивающие цепи с потерями для транзисторных усилителей СВЧ//Радиотехника и электроника.-1971 .-N5.-с. 1102−1104.
  14. А.Ф. Теория линейных электрических цепей: Учебник для вузов. М.:Радио и связь, 1986.-544с.
  15. И.С., Жидков Н. П. Методы вычислений.-М.:1962.-т.1.
  16. Н.Т., Толстиков Ю. В. Методы анализа устройств СВЧ.-Киев:Техни-ка, 1976.-104с.
  17. В.М., Никифоров В. В. Транзисторные усилители мощности.-М.:Энергия, 1978.-344 с.
  18. В.М. Синтез цепей связи для широкополосных усилителей // Ред.С.М.Смольский-М.МЭИД980.
  19. Г. Теория цепей и проектирование усилителей с обратной связью: Пер. с англ.-М.:Издатинлит, 1948.-641 с.
  20. Ю.Г. Влияние обратных связей на коэффициент шума уси-лителей//Сборник работ аспирантов ТИРиЭТА.-1969.-Вып.1. -с.93−99.
  21. Л.Г. Широкополосный усилитель с активной обратной связью // Полупроводниковая электроника в технике связи. -1982.-N22.-C.30−34.
  22. Э.В. Коэффициент шума транзисторного RC усилителя с квази-резонансом//Радиотехника.-1979.-N6.-C.62−63.
  23. К.М., Васильев К. П., Иванова Л. П. Маломощные кремниевые СВЧ транзисторы п-р-п типа КТ-372А-В//Электронная промышленность.-1975.-N2.-C.89−95.
  24. Г. Н., Каменецкий Ю. А. Волновые шумовые параметры тран-зисторов//Микроэлектроника и полупроводниковые приборы/Под ред.А.А.Васен--кова и Я. А. Федорова, 1980, вып.5,с.161−175.
  25. Г. В. Усилительные устройства:Учебник для вузов. -М.:Свя-зь, 1975.-384 с.
  26. Г. В. Усилительные устройства: Учебник для вузов.-2-е изд., перераб. и доп. М.: Радио и связь, 1983.-264 с.
  27. Ю.А., Королев В. А., Серов В. Н. Об оптимизации линейных электронных схем//Дцерная электроника.- М.:Атомиздат, 1979.- Вып.9.-С. 17−66.
  28. JI.C. Структурный синтез транзисторных усилителей с обратной связью. М.:Связь, 1972.-128 с.
  29. Г. З., Ерошкин И. А., Зубков A.M. Метод расчета параметров эквивалентной схемы полевого транзистора с барьером Шотки на GaAs, основанный на двумерной модели//Электронная техника. Полупроводниковые приборы.-1983.-Вып.3.-С.93.
  30. .А., Савон А. Д. Машинное проектирование сверхширокополосных транзисторных усилителей СВЧ//Электронная техника. Электроника СВЧ.-1976.-Вып. 11 .-С. 132−136.
  31. .А. Моделирование на ЭВМ различных схем транзисторных усилителей СВЧ//Электронная техника. Электроника СВЧ.-1977.-Вып.З.-С.51−54.
  32. A.M. Синтез систем с обратной связью: Пер. с англ./ Под ред.М. В. Мееровича.-М.:Сов.радио, 1970.-600 с.
  33. К., Гардж., Чадха Р. Машинное проектирование СВЧ устройств: Пер. с англ.-М.:Радио и связь, 1987.-432 с.
  34. В.Н., Кушниренко А. И., Петров Г. В. Аналоговые полупроводниковые интегральные схемы СВЧ. М.:Радио и связь, 1985.-192 с.:илл.
  35. В.П. Справочник по алгоритмам и программам на языке Бейсик для персональных ЭВМ: Справочник.-М.:Наука, 1989.- 240 с.
  36. В.И., Изгагин JI.H., Шварц Н. З. Транзисторный усилитель СВЧ с полосой пропускания 1−1000 МГц//Приборы и техника эксперимента.-1972.-N3.-C.134−136.
  37. JI.H. и др. Машинный синтез сверхширокополосных транзисторных усилителей СВЧ//Известия вузов. Радиоэлектроника -1974.-t.17,N6.-C.112−117.
  38. В.Н. Машинное проектирование электрических схем. М.: Энергия,! 972.-280 с.
  39. В.И. СВЧ полупроводниковые радиопередатчики. М.: Радио и связь, 1981.-400 с.
  40. А.Ю., Шварц Н. З., Терлецкий Г. Г. Исследование нейтрализации внутренних обратных связей СВЧ транзисторов/ЯТолупроводниковые приборы в технике электросвязи/ Под ред.И. Ф. Николаевского.- М.:Связь, 1974.-Вып.14.-С.98−107.
  41. .А. и др. Методы автоматизированного расчета электронных схем в технике связи: Учебное пособие для вузов.- М.:Радио и связь, 1990.-272 е.: илл.
  42. Д.А. Исследование и разработка методов проектирования широкополосных транзисторных СВЧ усилителей для радиопередающих устройств: Дисс.канд. техн. наук/ ЛЭТИ.- Л., 1978.
  43. Р. Высокочастотные усилители: Пер. с англ. / Под ред.В.Р.Маг-нушевского. М.:Радио и связь, 1981.-216 с.
  44. М.Ю., Сокольский В. В. Анализ и расчет транзисторных усилителей СВЧ с обратной связью // Радиотехника. -1981.-т. 36, N3.-C.35−37.
  45. В.И., Юфит Г. А. Проектирование СВЧ устройств с помощью ЭВМ.- М.: Сов. радио, 1975.-176 с.
  46. Г., Корн Т. Справочник по математике. Для научных работников и инженеров. М.:Наука, 1978.-832 е.: илл.
  47. М.А., Шабат Б. В. Методы теории функций комплексного переменного. ГИФМЛ, 1958.
  48. Л .Я. Анализ и расчет усилительных схем. Киев. :ГИТЛ, 1963.244 с.:илл.
  49. Н.С. Синтез транзисторных усилителей и фильтров. Л.: Энергия, 1970.-240 с.
  50. Г. В., Толстой А. И. Расчет линейных однокаскадных транзисторных СВЧ усилителей с согласующими цепями без потерь // Радиотехника.-1977.-t.32,N10.-C.79−83.
  51. .Н., Резнев А. А., Терешина Т. Н. Исследование влияния емкостной отрицательной обратной связи на характеристики усилителей мощности по схеме с общей базой//Электронная техника. Микроэлектронные устройства.-1979.-Вып.2.-С.22−31.
  52. Г. В., Толстой А. И. Линейные балансные СВЧ усилители.- М.: Радио и связь, 1983.-176 с.
  53. Э. Численные методы условной оптимизации: Пер. с англ / Под ред.Ф.Гилл, У. Мюррей: Пер. под ред. А. А. Петрова. -М.:Мир, 1977.-220 с.
  54. Полупроводниковые приборы в схемах СВЧ/ Под ред.М.Хауса и Д.Моргана. М. Мир, 1979.
  55. А.А. Программирование на современных алгоритмических языках: Учебное пособие для втузов.- 3-е изд., перераб. и доп.-М.:Наука, 1990.-384 с.
  56. Д.М., Гридин А. Н., Мишустин Б. А. Устройства СВЧ/Под ред. проф.Д. М. Сазонова. М.:Высшая школа, 1981.-295 с.:илл.
  57. В.П. Содержание и методы теории электронных цепей// Известия вузов. Радиоэлектроника.-1967.-т.10,К7.
  58. Справочник по волноводам: Пер. с англ / Под ред.Я. Н. Фельда.-М.: Сов. радио, 1952.-431 с.
  59. Г. И. Графоаналитический расчет транзисторных усилителей с обратной связью на основе S-параметров/ЛЛирокополосные усилители.- Томск, ТГУ, 1974.-Вып.4.-С.26−39.
  60. Твердотельные устройства СВЧ в технике связи / Л. Г. Гассанов, А. А. Липатов, В. В. Марков, Н. А. Могильченко.-М.:Радио и связь, 1988.-288 с.:илл.
  61. В.М., ЛевенсонЛ.С. Машинный синтез транзисторных СВЧ усилителей // Вопросы радиоэлектроники. Радиоизмерительная техника.-1974.-Вып2. с.34−41.
  62. М.Б., Грищенко С. В. Анализ и расчет транзисторного СВЧ усилителя с параллельной обратной связью // Электронная техника. Электроника СВЧ.-1984.-Вып.4(364).-С.37−40.
  63. А.И. Общая методика расчета линейных однокаскадных СВЧ усилителей с использованием S-параметров // Радиотехника.-1977.-t.32,N10.-С.79−83.
  64. Транзисторы для аппаратуры широкого применения: Справочник /К.М.Брежнева, Е. И. Гантман, Т. И. Давыдова и др.: Под ред.Б. Л. Перельмана.-М.:Радио и связь, 1982.-656 с.
  65. Я.К., Каширский И. С., Ловкий В. К. Проектирование радиотехнических схем на инженерных ЭЦВМ.- Киев.: Техника, 1976.-272 с.
  66. P.M. Теоретические ограничения полосы согласования произвольных импедансов: Пер. с англ / Ред.Х. Д. Икрамов. М.: Мир, 1980.-280 с.
  67. А.Л., Явич Л. Р. Синтез четырехполюсников и восьмиполюсников на СВЧ.- М.:Связь, 1971.-388 с.
  68. Ю.Л. Полупроводниковые СВЧ устройства.(Анализ и синтез). -М.:Связь, 1978.-256 с.
  69. Г. Г. Широкополосное согласование генератора с комплексной нагрузкой // Электросвязь.-N 12.-Л., 1974.
  70. Аппроксимация входных и выходных импедансов транзисторов СВЧ: Отчет / Л. И. Чикунов Г. Р.18 227 004 266, Л., 1982.
  71. Численные методы оптимизации. Единый подход: Пер. с англ/ Под ред.И. А. Вателя.-М.:Мир, 1974.-376 с.
  72. Н.З. Линейные транзисторные усилители СВЧ.- М.:Сов.радио, 1980.-368 с.
  73. Н.З. Усилители СВЧ на полевых транзисторах.- М.:Радио и связь, 1988.-288 с.
  74. Н.З. Система нестандартных 8-параметров//Микроэлектроника и полупроводниковые приборы/Под ред.А. А. Васенкова и Я. А. Федотова.-1976.-Вып.1.-С.302.
  75. Анализ методов проектирования малошумящих транзисторных усилителей СВЧ на основе параметров рассеяния и диплексеров: Отчет / А. В. Юбков Г. Р.1 870 042 878, Л., 1987.
  76. А.В. Усилитель СВЧ диапазона//Информ. листок N438−89/ ЛЦН-ТИ. Л., 1989.
  77. А.В. Усилитель СВЧ диапазона//Информ. листок N520−89./ ЛЦН-ТИ. Л., 1989.
  78. А.В. Метод расчета СВЧ малошумящего транзисторного усилителя с цепью внешней частотно-зависимой обратной связи по току//45 НТК: Тез. докл. / ЛЭИС, Л, 1992. С. 15−16.
  79. Патент 1 835 194. Транзисторный сверхвысокочастотный усилитель / А. В. Юбков А.В., И. А. Трискало., Н. И. Глухов // БИ. 1993. № 30.
  80. Патент 1 813 308. Транзисторный усилитель / А. В. Юбков // БИ. 1993. №
  81. Патент 2 022 452. Устройство с изменяемым коэффициентом передачи / А. В. Юбков., И. А. Трискало., Н. И. Глухов // БИ. 1994. № 20.
  82. А.В. Управляемый широкополосный СВЧ усилитель-аттенюатор с широким диапазоном регулирования // Схемотехника, 2002,№ 11,с.17.
  83. А.В., Трискало И. А. Широкополосный СВЧ транзисторный усилитель с большим диапазоном регулирования коэффициента усиления //55 НТК. Тез. докл. / СПбГУТ. СПб, 2003. с. 10.
  84. Besser L. Desiqn considerations of 3.1−3.5 GHz GaAs FET amplifier//IEEE GMTT Int: Microwave Sympos., Arlington Heights, ILL, 1972: Dig.Techn.Pap.New York.-1972.-p.230−232.
  85. Bodway G.E. Circuit design and characterisation of transistors by means treeport scattering parameters// Microwave Journal.-1968.-v. 11, N 5.-p.55−63.
  86. Bodway G.E. Two-port power flow analysis using generalised scattering parameters// Microwave Journal.-1967.-v. 10, N 6. -p.61−69.
  87. Cristal E.G. Tables of maximally flat impedance transformung Networks of low-pass form// Trans.IEEE.-1965. -v.l3,N 5.
  88. Engberg J. Simultaneons input power match and noise optimisation using feedback// Jn:4th European Microwave Conf.:Prog-Montreaux.-1974.-p.385−389.
  89. Frater R.H., Williams D.R. An Active «Gold» noise source//JEEE Trans.-1981.-v.29,N4.-p.344−347.
  90. Hauri E.R. Darstellung der Verstarkereigenschaften von Transistoren als linear aktive vierpole durch die Streuparameters// Technische Mitteilungen FTT.-1970. -Bd. 49, N l.-s.2−12-N 2-s.74−84.
  91. Hauri E.R. Stabilitatsbetrachtungen mit Streuparametern fur lineare aktive vierpole (Transistoren)// Technische Mitteilungen FTT.-1971.-Bd.49.N l.-s.4-ll--N 2.-s.77−83.
  92. Honjo К., Takajama Y. GaAs FET ultrabroadband amplifiers for Gbit/s gate rate systems// IEEE Trans.-198l.-v.29,N 7. -p.629−636.
  93. Journal of Solid-State Circuits.-1982,-v.l7,N 6.-p.ll72.
  94. Krowne C.M. Extending the low-freguency range of GaAs FET broadband microwave amplifiers using micrestrip transmission lines// El.Letters.-1979.-v.l5,N 6.-p.197−198.
  95. Kuhl N. CAD with grafics make circuit design a sciance// Microwaves.-1974.-v.l3,N 6.-p.42−50.
  96. Lehmann Randall E., Heston David D. X-band monolithic series feedback LNA//IEEE Microwave and Millimeter-Wave Monolith.Cire.Symp., St. Lonis, Mo., Ju -ne 3−4, 1985, Dig.Pap.New York.-1985.-p.54−57.
  97. Levy R. Explicit formulas for Chebyshev impedance matching networks, filters and interstages// Proc.IEE.-1964.-v. 111, N 6.
  98. Liechti C.A. Performance of gual-gate GaAs MESFETs as gain-controlled low-noise amplifiers and high-speed modulators// IEEE Trans.-1976.-v.MTT-23,N6.-p.461−469.
  99. Mason S.J. Power gain in feedback amplifier// IRE Trans.- 1954.-v.l, N 2.-p.20−25.
  100. Meyer R.G. et al. A wide-band ultralinear amplifier from 3 to 300 MGz// IE EE Journal of Solid-Statte Circuits.-1974.-v.9,N 4.
  101. Matthaei G.L. Tables of Chebyshev impedancetransforming network of low-pass form// Proc.IEEE.-1964.-v.58,N 8.
  102. Microwaves and RF.-1985.-v.24,N 12.-p.124.
  103. Nahri T. Smith charts speed design of feedback amps// Microwaves and RF.-1984.-v.23,N 11.-pp.99−100,102,106.
  104. Niclas K.B., Wilser W.T., Gold R.B., Hitchens W. R// IEEE Jnternational Solid State Circuits Conference.-1980.-p. 165−169.
  105. Niclas K. B et al. The matched feedback amplifier ultra-wide-band microwave amplification with GaAs MESFETs// ШЕЕ Trans.- 1980.-v.28,N 4.-p.285−294.
  106. Niclas K.B. Noise in broad-band GaAs MESFET amplifiers with parallel feedback// IEEE Trans.-1982.-v.30,N l.-p.63−70.
  107. Rollet I.M. The measurement of transistor unilateral gain// IEEE Trans.-1965. v. l2,N2.-p.91−97.
  108. Rosenbrok H.H. An automatic method for finding the greatest or least value of function// Computer J.-1960.-N 3.- p. 175−184.
  109. D., Weitzel C.E., Paulson W. 3-stage wideband RLC feedback GaAs monolithic amplifier//GaAs 1С Symp., Boston, Mass., 23−25 ct., 1984.Techn. Dig. New York.-1984.-p.93−96.
  110. Scheitlin D. Single-stage GaAs monolithic feedback amplifiers// IEEE Trans. Microwave Theory and Techn.-1985.-v. 33, N 11.-p. 1244−1249.
  111. Siddigui T. Syntesis technigue for a 2−8 GHz 1W FET amplifier// Microwave Journal.- 1979.-v.22,N 4.-p.57−62.
  112. Singhakowinta A., Boothrond A.R. Gain capability of twoport amplifier //Jnt.J. Electronics.-1966.-v.21, N 6.-p.549 -560.
  113. Spence R. Linear aktive networks// London-New York-Sydney-Toronto: Wiley- Interscience.-1970.-p.354.
  114. Sturzu P. Build a 12 octave hybrid amplifier//Microwaves.-1974.-v.l3,N 6.-p.54−57.
  115. Urlich E. Use Negative Feedback to slash Wideband VSWR//Microwaves.-1978.- v.17,N 10.-p.66−70.
  116. Vendelin G. Try CAD for accurate GaAs MESFET models//Microwaves.-1975 .-v. 14, N 6.-p.58−70.
  117. Verstatile 10 to 4200 MHz ultra-linear amplifier delivers 100 mW// Microwave J.-1985.-v.28,N ll.-p.215−216.
  118. J.L. В et al. The application of negative feedback to microwave bipolar transistors// In. Gth Eur. Microwave Conf. Rome: Conf.Boc.-Sevenoaks.-1976.-p.530−533.
  119. Weinzeb S et al. Ultra-low-noise 1.2 to 1.7 GHz cooled GaAs FET amplifiers// IEEE Trans.-1982.-v.30,N 6.-p.849 -853.
  120. D1=R (1)*R (4)-I (1)*I (4)-R (2)*R (3)+I (2)*I (3) 320 D2=R (1)*I (4)+I (1)*R (4)-R (2)*I (3)-I (2)*R (3) 330 А1 =P*(D 1 +R (2)+R (3)-1)/2: A2=P*(D2+I (2)+I (3))/2
  121. В1 =(1 +P*(R (1)+R (4)+D 1)/2: B2=(D2+P"(I (l)+I (4)))/2
  122. С1 =B 1 -P"A 1: C2=B2-P*A2
  123. RPINT" «-01-» «-02-» «-03-» «-04
  124. RPINT» «-05-» «-06-» «-07-» «-08
  125. PRINT: PRINT"BBE, HHTE ПАРАМЕТРЫ ОС»: PRINT370 IF A$="X" THEN 460 380 IF P<0 THEN 550 390 INPUT «Re Y (HA4)="-X3400 INPUT „Re Y (KOH)="-X7410 INPUT“ HLAT (Re Y)="-X5420 INPUT» Im Y (HA4)="-X4430 INPUT «Im Y (KOH)="-X8440 INPUT „IHAT (Im Y)="-X6450 GOTO 610
  126. INPUT „Re Y (HA4)="-Y3 470 INPUT „Re Y (KOH)="-Y7 480 INPUT „HIAT (Re Y)="-Y5 490INPUT“ ImY (HA4)="-Y4 500 INPUT“ Im Y (KOH)="-Y8510INPUT“ UIAT (ImY)="-Y6 520 PRINT
  127. Z3=2*A1 *(X1 *Y1 -X2*Y2)-2*A2*(X1 •Y2+X2"Y1)
  128. Z4=2"A1 *(X2*Y1+X1 •Y2)+2*A2*(X1 *Y1 -X2*Y2)
  129. Z1 =Z 1+Z3+C3• Y1-C4*Y2: Z2=Z2+Z4+Y1 •C4+Y2*C 1
  130. H (1)=H (1)-A1 • Y1 + A2*Y2: V (1)=V (1)-A1*Y2-A2*Y1
  131. H (2)=H (2)+Z3+B3 • Y1-B4*Y2: V (2)=V (2)+Z4+B3*Y2+B4*Y1
  132. H (3)=H (3)+Z3+B3• Y1-B4*Y2: V (3)=V (3)+Z4+B3®Y2+B4*Y1
  133. H (4)=H (4)-A1 *Y1+A2*Y2: V (4)=V (4)-A1"Y2-A2*Y1800 FOR К=1 TO 4
  134. S (K)+(H (K)*Z 1+V (K)*Z2)/(Z 1 *Z 1 +Z2*Z2) 820 W (K)=(V (K)*Z1-H (K)*Z2)/(Z1 *Z1+Z2*Z2) 830 NEXT К
  135. ZA=50*((1+S (1))*(1-S (1))-W (1)*W (1))/((1-S (1))*(1-S (1))+W (1)*W (1))
  136. ZB=5 0*2* W (1)/((1 -S (1))•(1 -S (1))+W (1)• W (1))
  137. ZQ=50*((1+S (4))*(1-S (4))-W (4)*W (4))/((1-S (4))*(1-S (4))+W (4)*W (4))
  138. ZN=50*2*W (4)/((1 -S (4))"(1-S (4))+W (4)"W (4))
  139. PRINT 'RE Zbx="-ZA-„Om“,'TM Zbx="-ZB-„Om“
  140. PRINT 'RE ZBbix="-ZQ-„OM“,'TM ZBbix="-ZN-„OM“
  141. D5=SQR ((S (2)*S (2)+W (2)*W (2))*(S (3)*S (3)+W (3)*W (3)))
  142. D6=1-S (1)*S (1)-W (1)*W (1): D7=1-S (4)*S (4)-W (4>W (4)
  143. IF D5>D6 OR D5>D7 THEN 990
  144. D8=ABS (S (1)*S (4)-W (1)*W (4)-S (2)*S (3)+W (2)*W (3))A2
  145. D8=ABS (S (1)*W (4)+W (1)*S (4)-S (2)*W (3)-W (2)*S (3))A2+D8890 U=(D6+D7+D8−1)/D5/2900 IF U<1 THEN 990 910 G=(S (3)*S (3)+W (3)*W (3))
  146. G4=SQR (G)/SQR (S (2)*S (2)+W (2)*W (2))
  147. PRINT"G4="-G4,"G4(flB)=" — 1OLOG10(G4)920 IF P7>0 THEN 940
  148. G=(U-SQR (U*U-1))SQR (G/(S (2)*S (2)+W (2)"W (2)))940 IF G1>G THEN 990 950 FORK=l TO 4960 X (K)=S (K):Y (K)=W (K)970 NEXT К
  149. W (N)=INT (V (N> 100+.5)/l 00
  150. PRINT"4ACTOTA F (IT4)="-W (N)-„RE Z="-1.PUT R (N)1. ABS (N-3)ol THEN Ml:1. PRINT"IM Z="-1.PUT I (N)1. Ml:1. PRINT1. NEXTN1. M5:
  151. PRINT"BBE, HHTE НОМЕР СХЕМЫ" — INPUT J1. PRINT1. FOR K=1 TO 51. F (K)=1/R (K)1. J<2.5 THEN M2:1. F (K)=F (K)*V (K)*V (K)
  152. J=5 THEN F (K)=F (K)*V (K)*V (K)1. M2:1. NEXT К
  153. ABS (J-2)oi THEN M3: MO=(F (2)+F (4))/2 M1 =Q (4)"(F (4)-F (2)) AO=MO-K2*M 1 A1=M1*K10=SQR (ABS (A0*A 1))
  154. J=1 THEN RO=l/AO ELSE RO=l/Al
  155. J=1 THEN PRINT"RO="-INT (RO* 100+.5)/l 00-„0м“,
  156. С 1 ="-SGN (AO*A 1)"0*500/Р1-„пФ“
  157. J=1 THEN PRINT „RO="-INT (RO* 100+.5)/100-„0м“, 1.="-SGN (A0*Al)/0/2/PI-"hr"1. GOTO M4:1. M3:
  158. MO=(F (l)+F (3)+F (5))/3 Ml=2*Q (2)*(F (5)-F (l))/3 M2=(F (1)+F (5))/3−2F (3)/3 PRINT MO, M1, M2 IF J об THEN M5 END
  159. ПРОГРАММА РЕАЛИЗАЦИИ НА МПЛ1. Ml: CLS
  160. РЯШТ’ВВЕДИТЕ 1 ПРИ СИНТЕЗЕ“ РЯШТ"ВВЕДИТЕ О ПРИ АНАЛИЗЕ“ INPUT К
  161. К (К-1)">0 THEN Ml: PRINT: PRINT
  162. РКЮТ"ВВЕДИТЕ ТОЛЩИНУ ПОЛОСКИ (ММ) -INPUT Т
  163. РЫМГ’ВВЕДИТЕ ТОЛЩИНУ ПОДЛОЖКИ (ММ) „- INPUT Н
  164. PRINT"BBEflMTE ОТНОСИТ.ДИЭЛЕКТ.ПРОНИЦ.1.PUT ER1. ТН=Т/Н1. PI=4*ATN (1)1. К=1 THEN М2:
  165. PRINT"BBE, ZJHTE ШИРИНУ ПОЛОСКИ (ММ)1.PUT W1. WH=W/H1. CLS: PRINT:PRINT
  166. PRINT:PRINT"PE3yJIbTATbI АНАЛИЗА“ GOSUB МЗ: GOSUB M4: PRINT
  167. РМКГ’ШИРИНА ПОЛОСКИ W="-W-„MM“ PRINT
  168. Р11ШТ"ЭФФЕКТ.ДИЕЛ.ПРОНИЦ.="-ЕР PRINT"BOЛHOBOE СОПРОТ. ZB="-ZO-„Om“ PRINT-PRINT"**************************"1. GOTO M5: M2:
  169. PRINT"BBEAHTE ВЕЛИЧИНУ ВОЛН.СОПРОТИВ. В ОМАХ' INPUT ZO GOSUB Мб: CLS: PRINT:PRINT
  170. PRINT: PRINT“ * ****** *РЕЗУ ЛЬТАТЫ СИНТЕЗА* ********» GOSUB МЗ:
  171. РШОТ"В0ЛН0В0ЕС0ПР0Т.2В="-20-«0м» PRINT"UIHPHHA ПОЛОСКИ W="-W-«MM» pjyjsjT’PRINT"***** ************************ **********" GOTO М5: М13:1. PRINT: PRINTpRNT"************KOHELJ ПРОГРАММЫ************"1. END1. M4:
  172. WH>(l/2/PI) THEN Mil: WE=WH+TH/PI (1 +LOG (4"PI* W/T)) GOTO M7: Mil:
  173. WE=WH+TH/PI*(1 +LOG (2/TH)) M7:1. WH=> THEN M8:
  174. EF=((1 /SQR (1+12/WH}+.04(1 -WH)A2))*((ER-1)/2)+(ER+1)/2 ZO=60/SQR (EF)*LOG (8/WH+.25WH) ZO=120*PI/SQR (EF)/WH+1.393+.6 670 001 *LOG (WH+l .444)) M9:
  175. ZO=INT (ZO* 100+5)/100 EF=INT {EF* 100+.5)/1001. RETURN Мб:1. B=377*PI/2/ZO/SQR (ER)
  176. A=(ER-1)/(ER+1)*(.23+. 1 l/ER)+ZO/60*SQR ((ER+l)/2) IF A≤1.52 THEN M12:
  177. WH=((LOG (B-1)+.39-.61/ER)(ER-1)/2/ER+B-1 -LOG (2B-1))*2/PI1. GOTO M10:1. M12:1. WH=8"EXP (A)/(EXP (2*A)-2)1. M10: W=WH*H1. W=INT (W* 100+.05)/1001. RETURN1. M3:
  178. PRINT.PRINT'TOJIIIJMHA ПОЛОСКИ T="-T-«MM» PRINT" ТОЛЩИНА ПОДЛОЖКИ H="-H-«MM»
  179. PRINT" ОТНОС.ДИЕЛ.ПРОНИЦ. ER="-ER1. RETURN
  180. PRINTiPRINT'^EHAETE ПРОДОЛЖИТЬ? (Y/N)" — M14:1. D$=INKEY$ 1. D$="Y" THEN Ml:
  181. D$="N" THEN M13: ELSE M14:1. Утверждаю ый директор1. АКТвнедрения результатов диссертационной работы Юбкова А. В. на тему «Анализ и синтез сверхвысокочастотных малошумящих транзисторных усилителей с частотнозависимыми обратными связями.
  182. Предлагаемый усилитель по сравнению с существующими транзисторными усилителя в диапазоне частот от 1 до 2 ГГц имеет существенное снижение коэффициента шума, который сравним только с охлаждаемыми параметрическими усилителями.
  183. Внедрение данного усилителя найдет широкое применение, так как он обладает большим сроком службы, стабильностью режима работы, малыми габаритами, энергопотреблением, простотой эксплуатации.
  184. Практическая реализация изобретения возможна на современной отечественной элементной базе, то есть на транзисторах с высоким коэффициентом шума.
  185. Коммерческий директо Радченко В.И.
  186. Старший научный сотрудник Юбков А.В.1. УТВЕРЖДАЮ
  187. Проректор по научной работе JiuHG им. проф. М.А.Ьонч-Б ру$ви ча1990г.1. УПЗЕРйДАЮ
  188. Гл"инженер КБРЭ ТПО РЗТ Кланберг З.В.1990г.1. АКТ О ВНЕДРЕНИЙ
  189. Внедрение усилителя позволило существенно улучшить чувствительность приёмного тракта радиосистемы и позволило скомпенсировать по-г тери антенного фидера на 10 дБ.
  190. Годовой экономический эффект от внедрения составляет 122 тыс.рублей.1. От. ЯЭИС
  191. Научный руководитель r^fe^S* доц. Павлов В .Я. Отв* исполнительн.с.Юбков А.В.
  192. От КБРЭ ТПО РЭТ Начальник отдела
  193. Руаский 3.0< Цачалышк сектора Полищук В.А.1. УТВЕРЖДАЮ1. УТВЕРЖДАЮ
  194. Гл*инженер Чау некого РУС Седнев ВЛЬ1989 г. .1. АКТ О ВНЕДРЕНИИ
  195. Внедрение укманного усилителя позволило скомпенсировать потери антенного фидера» что привело к увеличению чувствнтель-нооти приемного тракта на 6 дБ.1. От ХЭИС От Чауиохого РУС1. Отв"пополнитель1. Юбков А. В
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!