Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Электроннооптические исследования ранних стадий формирования пленок гранецентрированных кубических металлов на щелочно-галлоидных кристаллах

Диссертация: Электроннооптические исследования ранних стадий формирования пленок гранецентрированных кубических металлов на щелочно-галлоидных кристаллах
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Образование ориентации (III) как в процессе роста, так и в процессе отжига пленок осуществляется одним и тем же механизмом — вращением сдвойниковзнных микрокристаллов и носит рекристаллизационный характерсдвойникованные микрокристаллы, отклоненные от (001) ориентации в процессе роста пленок, находятся в энергетически неравновесном состоянии: низкотемпературный, относительно Т, отжиг приводит… Читать ещё >

Электроннооптические исследования ранних стадий формирования пленок гранецентрированных кубических металлов на щелочно-галлоидных кристаллах (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • ГЛАВА I. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР
    • 1. 1. Теории образования зародышей при конденсации на кристаллических подложках
      • 1. 1. 1. Термодинамическая теория
      • 1. 1. 2. Статистически-механическая теория Уолтона--Родина. II
    • 1. 2. Экспериментальное изучение процессов зародыше-образования на кристаллических подложках
      • 1. 2. 1. Плотность зародышей
      • 1. 2. 2. Распределение зародышей
      • 1. 2. 3. Ориентация зародышей
      • 1. 2. 4. Рост конденсированной фазы
      • 1. 2. 5. Двойникование. Первичное двойникование по четырем плоскостям {ill}
      • 1. 2. 6. Многократное двойникование,-Структура многократно сдвойникованных микро’йфисталлов
      • 1. 2. 7. Мостики между микрокристаллами в ранних стадиях роста пленок
      • 1. 2. 8. Термическая обработка тонких металлических пленок
      • 1. 2. 9. Структура межфазной границы системы ГЦК металл/щелочно-галлоидный кристалл

Широкое применение тонких пленок в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем вызывает необходимость проведения глубоких исследований процессов их формирования, структуры и свойств. Особое место в современных исследованиях занимает проблема получения пленок с заданными структурой и ориентацией с надежной воспроизводимостью результатов. Важнейшим этапом на пути решения данной проблемы является исследование ранних стадий формирования пленок, когда пленка представляет собой совокупность изолированных микрокристаллов (островков), расположенных на поверхности подложки, и выяснение связи между структурой и ориентацией отдельных микрокристаллов со структурой и ориентацией сформировавшейся сплошной пленки.

С термодинамической точки зрения островковэя пленка является неравновесной системой, в которой имеются весьма развитые свободная и межфазная поверхности, с которыми связана избыточная энергия. В силу этого нестабильна во времени структура, следовательно, и нестабильны свойства островковых пленок. В этом аспекте весьма важным является исследование характера кинетики протекания процессов, приводящих к структурным и морфологическим изменениям островков в процессах роста и рекристаллизации пленок.

Подавляющее большинство работ, посвященных исследованию начальных стадий формирования пленок, проводились для металлов с ГЦК решеткой на щелочно-галлоидных кристаллах. Это было обусловлено тем, что ГЦК металлы просты по структуре, хорошо изучены, доступны и ряд из них относится к благородным, что имеет немаловажное значение для обеспечения чистоты экспериментов. Щелочно-галлоидные кристаллы также просты по структуре и хорошо изучены, доступны и имеют целый ряд преимуществ в экспериментальной практике. Однако, несмотря на указанные преимущества, именно пара ГЦК металл/щелочно-галлоидный кристалл преподнесла ряд результатов, которые трудно объяснить в рамках существующих теорий образования и роста зародышей при конденсации из паровой фазы на кристаллических подложках. Перечислим наиболее важные из них.

1. Многократное двойникование.

2. Образование мостиков между соседними микрокристаллами на ранних стадиях формирования пленок.

3. Явление изменения ориентации (001) в (III) в процессе роста пленок.

4. Явление изменения ориентации в процессе совместного отжига системы пленка/подложка.

Именно детальному исследованию вышеуказанных явлений, обнаруженных экспериментально, посвящается настоящая диссертационная работа.

В первой главе проведен критический обзор литературы, посвященный вопросам теории и экспериментального изучения процессов образования и роста зародышевых микрокристаллов при конденсации на кристаллических подложках. В основном было обращено внимание на экспериментальные работы.

Во второй главе излагается техника получения пленок и методы исследования.

В третьей главе представлены результаты следующих экспериментальных исследований: влияние различных физико-химических факторов на характер распределения зародышевых микрокристаллов конденсированной фазы на поверхности щелочно-гал-лоидных кристалловкинетика процесса формирования пленок золота на каменной соли в зависимости от изменения температуры и толщины осадкаазимутальные направления мостиков между соседними микрокристаллами и строение многократно сдвойникован-ных структуринтерпретация дифракционных картин пленок ГДК металлов на каменной соли.

В четвертой главе излагаются результаты экспериментальных исследований совместного отжига системы пленка/подложка на примерах золота на каменой соли и алюминия на ситалле.

Пятая глава посвящена вопросам структуры межфазной границы системы двойник зарождения ГЦК металла/щелочно-галлоид-ный кристалл.

Список литературы

включает 117 наименований.

На защиту вносятся следующие результаты и научные положения:

1. Склонность ГЦК металлов образовывать сдвойникованные по плоскостям {ill} структуры на ранних стадиях формирования пленок приводит к изменению ориентации зарождения (001).

2. Изменение ориентации в процессах роста и отжига пленок осуществляется вращением сдвойниковзнных структур.

3. В стадии отклонения сдвойниковзнных структур от первоначальной ориентации (001) формируются мультимикрокристал-лы, с особенностями строения и роста которых связано образование мостиков между ними.

4. Ориентация (116), согласно экспериментальным данным, является энергетически выгодной ориентацией для сдвойниковзнных по плоскостям {ill} структур, что возможно в случае образования структуры двойника зарождения.

Диссертационная работа выполнена на кафедре физики твердого тела Ереванского государственного университета.

Автор считает своим приятным долгом выразить благодарность сотрудникам Научно-исследовательского технологического института микроэлектроники Ширакяну Г. Г. и Тумасову В. Р. за помощь в процессе работы над отдельными частями диссертациидоктору физико-математических наук, профессору Палатнику Л. С. за обсуждение некоторых вопросов и ценные советыдоктору физико-математических наук Погосяну Я.М.за помощь и ценные советы.

Особо признателен автор научному руководителю диссертационной работы доктору физико-математических наук, профессору Безирганяну П.А.за постоянную помощь, поддержку и ценные советы при работе над диссертационной темой.

ВЫВОДЫ.

1. В процессе роста пленок золота на каменной соли в температурном интервале конденсации 150−400°С ориентацией зарождения является ориентация (001) — в условиях относительно низких TR (150−200°С) увеличение толщины осадка приводит к исчезновению ориентации зарожденияв условиях относительно высоких Тк (300−400°С) ориентация зарождения сохраняется от начальных стадий до формирования сплошных пленок.

2. Обоснована возможность образования многократно сдвойниковзнных микрокристаллов золота, входящие углы которых находятся между плоскостями {ill} двойников различного порядка, образуя структуры левого и правого вращения.

3. Обнаружено закономерное распределение азимутальных направлений мостиков, которые совпадают со структурными особенностями мультимикрокристаллов. Этот результат указывает на то, что природу образования мостиков необходимо искать в особенностях строения и роста мультимикрокристаллов.

4. Обнаружено явление вращения сдвойниковзнных по плоскостям {ill} микрокристаллов в процессе роста пленок ГЦК металлов. Вращение происходит вокруг <�П0> матрицы, параллельной подложке и приводит к образованию метастабильной (116) и конечной (III) ориентациям.

5. Образование ориентации (III) как в процессе роста, так и в процессе отжига пленок осуществляется одним и тем же механизмом — вращением сдвойниковзнных микрокристаллов и носит рекристаллизационный характерсдвойникованные микрокристаллы, отклоненные от (001) ориентации в процессе роста пленок, находятся в энергетически неравновесном состоянии: низкотемпературный, относительно Т, отжиг приводит к изменению их структуры и ориентации.

6. Образование мультимикрокристаллов и ориентации (III) в процессе формирования пленок ГЦК металлов на неметаллических подложках является следствием двойникования, слабой связи между пленкой и подложкой и стремлением системы к минимизации межфазной энергии за счет уменьшения энергии плоскости сопряжения микрокристалла с подложкой.

7. В процессе формирования пленок ГЦК металлов вполне возможно образование структуры типа двойника зарождения, чем и можно объяснить появление метастабильной ориентации (116), обеспечивающей сопряжение атомов металла только с катионами подложки.

Показать весь текст

Список литературы

  1. .К. Структурная электронография. М.: Изд-во АН1. СССР, 1956.
  2. Ван-дер-Мерве Дж.Х. Несоответствие кристаллических решетоки силы связи на поверхности раздела между ориентированными пленками и подложками.-В кн.: Монокристаллические плен, ки. М.: Мир, 1966, с. 172−201.
  3. Я.Е., Кэгэновсий Ю. С. О формировании диффузионнойзоны с учетом граничной кинетики.-ФММ, 1975, т.39, с, 553--558.
  4. Я.Е., Кагановский Ю. С. Диффузионный перенос массыв островковых пленках.-УФН, 1978, т.125, с.489−525.
  5. Я.Е., Кагановский Ю. С., Калинин В. В., Двумерная коалесценция крупинок золота на поверхности естественного скола монокристалла NaCl.-ФТТ, 1969, т. II, с.250−252.
  6. Я.Е., Кагановский Ю. С., Калинин В. В., Слезов В.В.
  7. Диффузионная коэлесценция металлических крупинок на неметаллической подложке.-ФТТ, 1970, т.12, с.1953−1962.
  8. Дк.В. Термодинамические работы. Том I. Термодинамика.1. М.: Гостехиздат, 1950.
  9. Г. И. Электрическая структура поверхности полупроводников и граничных слоев.-ДАН СССР, 1971, т.199, с.802−805.
  10. Г. И. Кристаллизация как матричный репликационныйпроцесс. 1У Всесоюзное совещание по росту кристаллов. 4.1. Ереван: Изд-во АН Арм. ССР, 1972, с.109−126.
  11. Г. И., Герасимов Ю. М. Сложные активные центры какфактор, определяющий морфологию и ориентацию декорирующих кристаллов. УШ Всесоюзная конференция по электронной микроскопии. Тезисы докладов. Том 2. М.: Знание, 1971, с. 7.
  12. Г. И., Лебедева В. Н., Москвин В. В. Визуализация центров окраски щелочно-галлоидных кристаллов.-ФТТ, 1968, т. 10, с.3489−3491.
  13. Г. И., Лебедева В. Н., Москвин В. В. Исследование центров окраски щелочно-галлоидных кристаллов на электронно-микроскопическом уровне.-Кристаллография, 1969, т.14, с. 664−671.
  14. Г. И., Токмакова Е. И. Исследование электрическихсвойств поверхности ионных кристаллов.-Кристаллография, 1969, т.14, с.1055−1058.
  15. Гл.С. Изучение процессов, определяющих морфологиюи структуру ориентированных пленок.-Изв.АН СССР (Физика), 1974, т.38, с.1472−1478.
  16. Гл.С., Верцнер В. Н. Наблюдение процесса рекристаллизации тонких пленок золота в электронном микроскопе.--Кристаллография, 1967, т.12, с.949−951.
  17. В.В., Федоренко А. И. Фомин А.В. О роли межфазного взаимодействия для эпитаксии металлов на щелочно--галлоидных подложках.-Кристаллография, 1978, т.23, с.588−593.
  18. А.И., Мзладжикян Ф. М., Тумасов В. Р. Выбор температуры нанесения нижнего электрода тонкопленочного конденсатора .-Электронная техника (Микроэлектроника), 1978, т.75, с.97−99.
  19. В.М., Иевлев В. М., Пэлэтник Л. С., Федоренко А.И.
  20. Структура межкристзллитных и межфазных границ. М.: Металлургия, 1980.
  21. В.М., Пэлэтник Л. С., Сокол А. А. О влиянии поверхностно активных примесей на эпитэксиальные процессы.-ДАН СССР, 1968, т.181, с.1424−1426.
  22. В.М., Сокол А. А. Субструктуры, создаваемые в кристаллах точечными дефектами.-ФТТ, 1969, т. II, с.810−817.
  23. В.М., Сокол А. А. О процессе декорирования тонкихкристаллов.-ФТТ, 1971, т.13, с.3703−3705.
  24. В. Введение в электронную оптику. М.: ИЛ, 1950.
  25. Ф.М. Строение мультичастиц золота и образованиемостиков между ними в ранних стадиях роста пленок.-Кристаллография, 1974, т.19, с.309−313.
  26. Ф.М. Интерпретация электронограмм пленок ГЦКметаллов на каменной соли в ранних стадиях роста.-Кристаллография, 1976, т.21, с.231−233.
  27. Ф.М. Рекристаллизация и образование преимущественной ориентации (III) в тонких пленках золота на каменной соли.-Научные сообщения Армнипроцветмет, Ереван: Изд-во Айастан, 1980, с.101−103.
  28. Маладжикян Ф. М. Межфазные границы сопрягающихся решеток
  29. ГЦК металл-щелочно-галлоидный кристалл.-Сборник научных трудов Армнипроцветмет, Ереван, 1983, с.115−118.
  30. Ф.М., Ширакян Г. Г. Некоторые особенности образования мостиков между частицами в ранних стадиях роста пленок золота. Изв. АН Арм.ССР, Физика, 1974, т.9, с.62--66.
  31. Дж.У. Монокристэллические пленки, полученные испарением в вакууме.-В кн.: Физика тонких пленок, т.4, М.: Мир, 1970, с.167−225.
  32. Л.С., Папиров И, И. Ориентированная кристаллизация.1. М.: Металлургия, 1964.
  33. Л.С., Папиров И. И. Эпитаксиальные пленки. М.:1. Наука, 1971.
  34. Л.С., Фукс М. Я., Бойко Б. Т., Панчеха П. А. Влияниеотжига на характеристики блочной структуры вакуумных конденсатов А1 и Sn.-Кристэллогрэфия, 1967, т.12, с.911−915.
  35. З.Г. Дифракция электронов. М.: Изд-во АН СССР, 1949.
  36. Т.Н., Уолтон У. Образование зародышей в ориентированных пленках. В кн.: Монокристаллические пленки, М.: Мир, 1966, с.44−57.
  37. К., Трийа Ж. Новые исследования роста и структурытонких пленок.-В кн.: Монокристаллические пленки, М.: Мир, 1966, с.242−261.
  38. А.А., Косевич В. М. Влияние примесей в ионных кристаллахна эпитэксию золота.-Кристаллография, 1969, т.14,с.527−528.
  39. Э.И. Кристаллизация и термообработка тонких пленок.
  40. Минск: Наука и техника, 1976.
  41. В.И., Лукьянович В. М. О центрах зародышеобразованиязолота на кристаллах НаС1.-ФТТ, 1968, т.10, с.1889−1891.
  42. В.И., Чернов В. Н., Лукьянович В. М. Декорированиезеркальных кристаллов КС1.-ФТТ, 1969, т. II, с.3655−3657.
  43. М.Я., Палатник Л. С., Козьма А. А., Нечитайло А. А., Семененко Ю. Е. Исследование структуры и некоторых свойств конденсированных пленок никеля при нагреве.-ФММ, 1970, т.29, с.271−276.
  44. Р. Основы электронной оптики. М.: Мир, 1966.
  45. Д., Моазед К. Образование зародышей при кристаллизациитонких пленок.-В кн.:Физика тонких пленок, т.4, М.: Мир, 1970, с.123−166.
  46. Д., Паунд Г. Испарение и конденсация. М.:Метэллург., 1966.
  47. Д., Хруска С., Паунд Г. Теория образования зародышейпри конденсации на подложках.-В кн.:Монокристаллические пленки, М.: Мир, 1966, с.15−43.
  48. П., Хови А., Николъсон Р., Пэшли Д., Уэлан М. Электронная микроскопия тонких кристаллов. М.: Мир, 1968.-11 545. Allpress J.G., Sanders J.V. Decoration of facets on silver.. Phil. Mag., 1964, v.9, p.645−658.
  49. Allpress J.G., Sanders J.V. The structure and orientationof crystals in deposits of metals on mica. Surface sci., 1967, v.7, p.1−25.
  50. Bahadur K., Sastry P.V. On the extra reflections in electron diffraction patterns from thin evaporated films of some of the face-centred cubic metals. Proc. Phys. Soc. Lond., 1961, v.78, p.594−595.
  51. Bassett G.A. A new technique for decoration of cleavageand slipsteps on ionic crystal surfaces. Phil. Mag., 1958, v.3, p.1042−1045.
  52. Bassett G.A. Nucleation of evaporated metal layers on single crystal substrates. Proc. Fourth Intern. Conf. on Electron microscopy. Berlin, 1958, v.1. Berlin-Gottingen-Heidelberg: Springer-Verlag, 1960, p.512−515.
  53. Bassett G.A. Continuous observation of the growth of vacuum evaporated metall films. Proc. Europ. Reg. Conf. on Electron microscopy. Delft, 1960, v.1, p.270−275.
  54. Bassett G.A. Techniques for Electron microscopy. Oxford, 1961.
  55. Bauer E., Poppa H. Recent advances in epitaxy. Thin Solid Films, 1972, v.12, p.167−185.
  56. Bethge H., Keller K.W. Uber die Abbildungen von Versetzungen durch Abdampfstrukturen auf NaCl-kristallen. Zeit. Naturforshung, 1960, v.15a, p.271−272.
  57. Burbank R.D., Heidenreich R.D. Microtwinning in epitaxial
  58. Nickel-iron films. Phil. Mag., 1960, v.5, p.373−382.-11 655. Galligan M.J. Fivefold simmetry and dislocations.
  59. Frenkel I. Theorie der Adsorption und verwandter Erscheinungen. Zeit. fur Physik, 1924, v.26, p.117−138.
  60. Gallon Т.Е., Higginbotham I.G., Prutton M., Tokutaka H.
  61. The (100) surfaces of alkali halides. 1. The air and vacuum cleaved surfaces. Surface Sci., 1970, v.21, p.224−232.
  62. Gardner Sumner G. Effects of substrate temperature onthe growth of thin platinum deposits on rock solt. -Phil. Mag., 1965, v.12, p.767−775.
  63. Gillet E., Gillet M. Formation et croissance des edifices atomiques presentant des arrangements pentago-naux. Thin Solid Films, 1973, v.15, p.249−257.
  64. Goche 0., Wilman H. The structure of silver films.
  65. Proc. Phys. Soc., 1939, v.51, p.625−651.
  66. Gottsche H. Uber die Orientierung dunner Aufdumpfschichten von Metallen. Zeit. Naturforschung., 1956, v.11a, p.55−68.
  67. Grets R.D. The linetension effect in heterogeneous nucleation. Surface See., 1966, v.5, p.239−251.
  68. Hall C.E. Introduction to Electron Microscopy. New1. York, 1953.-11 766. Henning C.A.O. On the growth, of gold films on KC1 in highvacuum. Surface Sci., 1968, v.12, p.308−316.
  69. Henning C.A.O. The growth of gold films on rocksalt inhigh vacuum. Surface Sci., 1968, v.9, p.277−295.
  70. Hirsch P.В., Kelly A., Menter J.W. The structure of coldworked gold. 1: A study by electron diffraction. Proc. Phys.Soc.Lond., 1955, part B, v.68, p.1132−1145.
  71. Hruska S.J., Pound G, 1I. Thermal-beem energy and nucleationof metal crystals on substrats. Trans.Metallurg. Soc. AIME, 1964, v.230, p.1406−1413.
  72. Ino S. Epitaxial growth of metals on rocksalt faces cleavedin vacuum. II. Orientation and structure of gold particles formed in ultrahigh vacuum. J.Phys.Soc.Japan, 1966, v.21, p.346−362.
  73. Ino S. Stability of multiply-twinned particles. J.Phys.
  74. Soc.Japan, 1969, v.27, p.941−953.
  75. Inusuka Т., Ueda R. Nucleation density of gold on thecleavage surface of sodium chloride. Surface Sci., 1967, v.8, p.445−448.
  76. Mag., 1957, v.2, p.4−55−466.
  77. Keller K.W. Abdampfstriikturen und Versetzungen in NaGl.
  78. Phys. Status Solid!., 1969, v.36, p.557−565.
  79. Kimoto K., Nishida I. Multiply-twinned particles of
  80. F.C.C. metals produced by condensation in argon at low pressures. J.Phys. Soc. Japan, 1967, v.22, p. 940.
  81. Klemperer 0. Electron optic. Cambridge, 1953.
  82. Led R.A. Absorbtion of water on sodium chloride: the effect of prior exposure to hydrogen chloride, carbon dioxide and water vapor. Surface Sci., 1968, v.12, p.37−45.
  83. Lessen H., Bruck L. Herstellung von dunnen silbereinkristallen und ihze Untersuchung mit Electronenstrahlen.-Ann. Physik, 1935, v.22, p.65−72.
  84. Lewis B. Migration and capture processes in heterogeousnucleation and growth. Surface Sci., 1970, v.21, p.273−306.
  85. Masson A., Metois J.J., Kern R. Migration brownienne decrystallites sur une surface et relation avec l’epita-xie. I. Partie experimentale. Surface Sci., 1971, v.27, p.463−482.
  86. Matthews J. W, A technique for studying the epitaxial growth of silver on mica. Proc. Europ. Reg. Conf. Electron Microscopy, Delft, 1960, v.1, p.276−279.
  87. Matthews J.W. Growth of face-centered-cubic metals onsodium chloride substrates. J. Vacuum Sci.Technol., 1966, v.3, p.133−144.
  88. Matthews J.W., Grunbaum E. The need for contaminants inthe epitaxial growth of gold on rocksalt. Appl. Phys. Letters, 1964, v.5, p.106−107.
  89. Matthews J.W., Grunbaum E. The structure of gold filmsgrowth in ultras-high vacuum on sodium chloride substrates. -Phil. Mag., 1965, v.11, p.1233−1244.
  90. Metois J.J., Gauch M, Masson A., Kern R. Migrationbrownienne de cristallites sur une surface et relation avec l’epitaxie. III. Cas de 1-Jaluminium sur KC1- precisions sur le mechanisme de glissement. Surface Sci., 1972, v.30, p.43−52.
  91. Metois J.J., Gauch M., Masson A., Kern R. Epitaxiesphenomene de postnucleation (sur l’exeple des couches minces des continues dfaluminium et d*or sur (100)KC1) — Thin Solid Films, 1972, v.11, p.205−218.
  92. Mihama K., Yasuda J. Initial stage of epitaxial growthof evaporated gold films on sodium chloride. J.Phys. Soc. Japan, 1966, v.21, p.1166−1176.
  93. Nahora A., Ino S., Ogawa S. Epitaxial growth of someface-centered-cubic metals on cleavage face of mica.- Japan.J.Appl.Phys., 1968, v.7, p.1144−1145.
  94. Ogawa S., Ino S. Formation of multiply-twinned particles on alkali halide crystals by vacuum evaporationand their structures. J.Cryst. Growth, 1972″ v.13−14, p.48−56.
  95. Pashley D.W. The preparation of smooth single crystalsurfaces of silver by on evaporation technique. -Phil. Mag., 1959, v.4, p.316−323.
  96. Pashley D.W. The growth and structure of gold and silver deposits formed by evaporation inside an electron microscope. Phil. Mag., 1964, v.10, p.127−158.
  97. Pashley D.W. The nucleation, growth, structure andepitaxy of thin surface films. Advances in Phys., 1965, v.14, p.327−4-16.
  98. Pashley D.W., Stowell M.J. Electron microscopy anddiffraction of twinned structure in evaporated films of gold. Phil. Mag., 1963, v.8, p.1605−1631.
  99. Poppa H. Progress in the continuous observation ofthin-film nucleation and growth processes by electron microscopy. — J. Vacuum Sci. Technol., 1965, v.2, p.42−48.
  100. Quintana M.C., Sacedon J.L. Recristallization des couches minces d’or d’orientation (001) dans 1"orientation (III). Thin Solid Films, 1972, v.14, p.149−121 153.
  101. Quintana M.C., Sacedon J.L. Recristallization on theirsubstrates of Au (001)/NaO1(001) fimls into Au (III)/ NaCl (OOI). Part Is Electron microscopy and electron diffraction observation. Thin Solid Films, 1973, v.17, p.311−318.
  102. Quintana M.C., Sacedon J.L. Mendiola J. Recristallization on their substrates of Au (00I)/NaCl (00I) films into Au (III)/NaCl (00I). Part lis X-ray measurements of strains. Thin Solid Films, 1973, v.17, p.319−327.
  103. Robius J.L., Rodin T.N. Nucleation of metal crystals onionic surfaces. Surface Sci., 1964, v.2, p.346−355.
  104. Schlotterer H. Struktur elektrolytischer Schichten im
  105. Endwachstum. Eine Undersuchung des Zusammenhanges von Oberflachenform und Vorzugsorientierung mit den Metho-den der Elektronenbengung und Elektrnenmikroskopic.-Zeit. Kristallographic, 1964, v.119, p.321−356.
  106. Segall R.L. Unusual twinning in annealed copper. J.1. Metals, 1957, v.9, P.50.
  107. Serna J., Bru L. Surface phenomena and dislocationsin alkali halides. Surface Sci., 1968, v.12, p.369−384.
  108. Sloope B.W., Tiller C.O. Formation conditions and struc*ture of thin epitaxial silver films on rocksalt. -J.Appl.Phys., 1961, v.32, p.1331−1336.
  109. Stirland D.J., Campbell D.S. Use of matching cleavagefaces of sodium chloride in the study of thin film growth. J. Vacuum Sci. Technol., 1966, v.3> p.258−263.
  110. Thirsk H.R., Whitmore E.J. An electron diffraction study of the surface reaction between nickel oxide and corundum. Trans. Faraday Society, 1940, v.36, p. 563−574.
  111. Vermaan J.S., Henning C.A.O. The role of the substratesurface layer in the process of epitaxy. Part I. The growth of gold films on rocksalt and its substitutional surfaces. Phil. Mag., 1970, v.22, p.269−280.
  112. Walton D. Nucleation of vapor deposits. J. Chem. Phys.1962, v.37, p.2182−2188.
  113. Walton D., Rodin T.N., Rollins R.W. Nucleation of silver on sodium chloride. J. Chem. Phys., 1963″ v.38, p.2698−2704.
  114. Yagi K., Takayanagi K., Kobayashi K., Hanjo G. In-situobservations of growth processes of multiply twinned. J. Cryst. Growth, 1975, v.28, p.117−124.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!