Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Фотолюминесцентные свойства оксидных люминофоров в системе [Al2O3?B2O3?SiO2]: Eu

Диссертация: Фотолюминесцентные свойства оксидных люминофоров в системе [Al2O3?B2O3?SiO2]: Eu
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

По этим причинам все большее распространение в производстве люминофоров получают оксидные системы. Наиболее популярны двойные и тройные соединения, состоящие в основном из тугоплавких высокостабильных компонентов, таких как силикатные, алюминатные, галлатные и подобные им системы. При этом используемые составы должны обеспечивать длительные сроки наработки без деградации, что дает оксидным… Читать ещё >

Фотолюминесцентные свойства оксидных люминофоров в системе [Al2O3?B2O3?SiO2]: Eu (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • 1. Особенности современных неорганических люминофоров
    • 1. 1. Практическое применение современных люминофоров
    • 1. 2. Неорганические люминофоры, легированные редкоземельными элементами
    • 1. 3. Спектр электронных переходов ионов Ей" /Ей
    • 1. 4. Неорганические люминофоры красного цвета свечения
    • 1. 5. Неорганические люминофоры зеленого цвета свечения
    • 1. 6. Неорганические люминофоры синего цвета свечения
    • 1. 7. Структура и свойства алюмосиликатных стекол в качестве материала матрицы люминофоров
    • 1. 8. Выводы и постановка задачи
  • 2. Технология получения люминофоров и методика измерения их параметров
    • 2. 1. Синтез оксидных люминофоров синего цвета свечения
    • 2. 2. Методика исследования спектров фотолюминесценции люминофоров
    • 2. 3. Автоматизация измерительного комплекса для снятия спектра фотолюминесценции
    • 2. 4. Исследование спектров пропускания люминофоров
    • 2. 5. Исследование спектров электролюминесценции
    • 2. 6. Выводы
  • 3. Исследование зависимости фотолюминесценции в системе [ВгОз'А^Оз'вЮг^Еи от состава матрицы и содержания активатора
    • 3. 1. Исследование фотолюминесценции в системе
  • В2Оз)ол (А12Оз)о, 9]к-п (8Ю2):Еи
    • 3. 2. Исследование влияния соотношения оксида бора/оксида алюминия на свойства фотолюминесценции в системе [(В2Оз)14-(А12Оз)к]*28Ю2:Еи
    • 3. 3. Исследование влияния содержания европия на люминесцентные свойства фотолюминофора [(ВоОз^САШзЭо^^ЗЮ^Еи
    • 3. 4. Исследование влияния возбуждающего излучения на цветовые координаты фотолюминесценции в системе [(В2Оз)]. к (А12Оз)к]*28Ю2:Еи
    • 3. 5. Исследование поглощения люминофоров системы
  • В203)1.и (А1203)к]-28Ю2:Еи
    • 3. 6. Выводы
  • 4. Исследование зависимости фотолюминесценции в системе [(В203)1.к (А120з)к]в28Ю2:Еи от условий получения люминофоров
    • 4. 1. Исследование влияния условий синтеза на люминесцентные свойства в системе [(В203)1.к (А1203)к]"28Ю2:Еи
    • 4. 2. Исследование влияния дополнительного вакуумного отжига на люминесцентные свойства фотолюминофоров системы
  • В20зМА1203)к]-28Ю2:Еи
    • 4. 3. Выводы

Актуальность темы

:

Применяемые до настоящего времени в качестве люминофоров соединения халькогенидов, галогенидов, фосфаты, арсенаты, стибиаты в полной мере не удовлетворяют современным технологическим запросам. При удовлетворительных яркостных показателях главными недостатками таких люминофоров являются плохая цветопередача, низкая стойкость к возбуждающим (плазменные разряды, электрическое поле, электронный пучок и т. д.) и внешним факторам (термическая и химическая стойкость), высокая токсичность, сложная технология синтеза.

По этим причинам все большее распространение в производстве люминофоров получают оксидные системы. Наиболее популярны двойные и тройные соединения, состоящие в основном из тугоплавких высокостабильных компонентов, таких как силикатные, алюминатные, галлатные и подобные им системы. При этом используемые составы должны обеспечивать длительные сроки наработки без деградации, что дает оксидным системам огромное преимущество. Одновременно с этим, химическая стойкость оксидных соединений является существенным ограничением в их практическом использовании в производстве люминофоров. К примеру, использование в качестве матрицы соединений группы А1203 требует обработки при температурах порядка 1400−1500°С и сложных технологических условий.

Другой проблемой производства оксидных люминофоров является требование к повышению их светотехнических характеристик, что особенно актуально для люминофоров синего цвета свечения. Для этих целей наиболее часто используется добавление в качестве легирующей примеси редкоземельных элементов. Основным преимуществом таких элементов при использовании в люминофорах является зависимость энергии излучения, обусловленного электронными переходами между с! и Г уровнями редкоземельных ионов, от окружения, в котором этот ион находится, из-за расщепления кристаллическим полем ё-уровня. 4.

Таким образом, получение эффективных оксидных люминофоров, использующих в качестве активатора редкоземельный элемент с цветом свечения, соответствующим одному из основных цветов (красный, синий, зеленый), является актуальным и необходимым условием разработки новых и модернизации существующих индикаторных элементов и световых приборов.

Цель работы:

Выявление механизмов формирования синей фотолюминесценции в бороалюмосиликатных системах, легированных европием, исследование люминесцентных свойств в этих системах в зависимости от состава и условий синтеза.

Для достижения указанной цели в работе необходимо решить следующие задачи:

— Разработка технологии и исследование возможности получения фотолюминофоров синего цвета свечения в системе [ВзОзАЬОз^СЬ^Еи.

— Исследование влияния состава матрицы люминофоров на характеристики фотолюминесценции в системе [ВгОзАЬОзВЮз^Еи.

— Исследование влияния содержания активатора люминофоров на характеристики фотолюминесценции в системе [В20з А120з 8102]: Еи.

— Изучение влияния параметров технологического процесса синтеза люминофоров в системе [ВзОзАЬОзБЮг^Еи' на характеристики фотолюминесценции.

Научная новизна:

— Выявлены механизмы формирования синей фотолюминесценции люминофоров в системе [ВзОзАЬОзБЮз^Еи, синтезированных без использования восстанавливающей атмосферы, которые при возбуждении ультрафиолетовым излучением (Хех=337, 325 нм) проявляют фотолюминесценцию в синей области спектра, обусловленную излучением двухвалентных ионов европия, встраиваемых в матрицу алюмосиликата бора.

— Установлено, что частичное замещение оксида алюминия оксидом бора при к>0.3 в составе люминофоров системы [(В20з)1.к (А120з)к]'28 102:Еи 5 существенным образом не влияет на спектральный состав фотолюминесценции, а превышение указанного значения приводит к смещению излучения в фиолетовую область спектра.

— Показано, что количество восстановленных до двухвалентного состояния ионов активатора в составе люминофоров системы [ВзОз-АЬОз-БЮг^Еи при содержании европия в диапазоне 1−9% ат. не достигает значений, при которых появляется концентрационное тушение фотолюминесценции в синей области спектра. Превышение содержания европия в 7% ат. и 5% ат. (при возбуждении излучением лазеров с длинами волн 325 и 337 нм соответственно), приводит к насыщению интенсивности излучения в синей области спектра, что связано с определяемым составом матрицы ограниченным количеством кислородных вакансий, и спаду фотолюминесценции в красной области, что обусловлено концентрационным тушением.

— Установлено, что увеличение температуры синтеза люминофоров системы [В20з • АЬОз • 8Ю2] :Еи на воздухе с 1300 °C до 1350 °C и его длительности с 1 до 5 ч, а также вакуумный отжиг при температурах свыше 1400 °C, приводят к увеличению интенсивности фотолюминесценции в синей области спектра и спаду интенсивности фотолюминесценции в красной области спектра, что обусловлено увеличением доли восстановленных до двухвалентного состояния ионов европия.

Практическая значимость работы:

— Разработана методика и установлены технологические режимы получения фотолюминофоров синего цвета свечения на основе системы [В20зА1203 8Ю2]: Еи без применения восстановителей.

— В системе [В203 А120з8Ю2]: Еи выявлены составы, демонстрирующие фотолюминесценцию синего цвета свечения, соответствующего цветовым координатам основных синих цветов телевизионных стандартов и стандартов систем сигнализации при возбуждении ультрафиолетовым излучением с длиной волны 337 и 325 нм.

— Выявлены оптимальные условия синтеза для получения в системе [ВгОз-АЬОз^СЬ^Еи люминофоров различных оттенков свечения в синей и сине-фиолетовой области спектра.

— Результаты исследования влияния состава, структуры, условий синтеза и добавки флюса на характеристики фотолюминесценции составов в системе [В20зА1203−8Ю2]: Еи могут использоваться при разработке новых люминофоров синего цвета свечения.

Положения, выносимые на защиту:

1. Метод твердофазного синтеза путем прямого спекания порошкообразных компонентов в атмосфере воздуха при температурах 1300−1350°С позволяет синтезировать люминофоры со спектром фотолюминесценции в синей области, обусловленным внутрицентровыми переходами в ионах Еи2+ в системе [(В2Оз)1^(А12Оз)к]п (8Ю2):Еи при к=0.1, п=0,5.4 и содержании европия в диапазоне 1−9%.

2. Частичное замещение оксида алюминия оксидом бора в системе [(В20з)1.к (А120з)к] -28Ю2:Еи до к>0.3 способствует переходу ионов европия в двухвалентное состояние без применения восстановителей и существенно не влияет на спектральный состав излучения. Дальнейшее замещение оксида алюминия оксидом бора при к от 0,3 до 0 приводит к смещению спектров фотолюминесценции в фиолетовую область видимого диапазона, что обусловлено формированием легкоплавкой аморфной структуры образца вследствие снижения содержания оксида алюминия в составе.

3. Увеличение содержания европия от 1 до 7% ат. при возбуждении излучением гелий-кадмиевого лазера с длиной волны 325 им и до 5% ат. при возбуждении излучением импульсного азотного лазера с длиной волны 337 нм, приводит к росту интенсивности излучения в синей области спектра, обусловленному увеличением числа восстановленных до двухвалентного состояния ионов. Дальнейшее повышение содержания европия ведет к насыщению излучения в синей области спектра, что связано с ограниченным количеством кислородных вакансий, определяемым составом матрицы, и быстрому спаду интенсивности обусловленной внутрицентровыми переходами в ионах Еи3+ фотолюминесценции в красной области, что вызвано концентрационным тушением.

4. Увеличение температуры синтеза с 1300 °C до 1350 °C и длительности синтеза с 1 до 5 ч, равно как и проведение дополнительного вакуумного отжига при температурах свыше 1400 °C люминофоров системы [В2ОзА12Оз8Ю2]: Еи, приводит к возрастанию интенсивности фотолюминесценции в синей области спектра и снижению интенсивности излучения в красной области спектра, что связано с увеличением кислородных вакансий в структуре матрицы.

Апробация работы:

Основные результаты работы докладывались и были представлены на международных научных конференциях «Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы» (Ульяновск 2007), «Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы» (Ульяновск 2009), «Оптика неоднородных структур» (Минск, 2011), «Микроэлектроника и информатика» (Зеленоград, 2012).

Достоверность результатов:

Достоверность научных результатов обусловлена использованием в экспериментах стандартных апробированных методик контроля технологических процессов получения образцов люминофоров и измерения, высокоточной цифровой аппаратуры, воспроизводимостью результатов исследования, а также их согласованием с результатами исследований других научных групп.

Личное участие автора:

В диссертационной работе изложены результаты, которые были получены автором самостоятельно и в соавторстве на всех этапах исследовательского процесса: изготовление экспериментальных образцов, разработке и создании экспериментальной установки, разработке программ обработки экспериментальных данных для ЭВМ, модификации оборудования, проведении экспериментов и обработке экспериментальных данных, анализе и обобщении полученных результатов.

Публикации:

Основные результаты исследований отражены в 10 публикациях, из них 5 — в журналах из перечня ВАК, 5 — на международных и всероссийских конференциях.

Структура и объем работы:

Диссертация состоит из введения, 4 глав, заключения, списка литературы из 148 наименований, включает в себя 92 рисунка, 16 таблиц. Общий объем диссертации составляет 170 страниц, из них 164 страницы основного текста.

4.3 Выводы.

Обобщая вышеприведенные результаты экспериментального исследования, можно сформулировать следующие выводы:

— Установлено, что в результате твердофазного синтеза в течение 4 часов при температуре 1350 °C достигается равновесное состояние системы [(В203)1 к (А1203)к]в28Ю2:Еи. При этом исследованные люминофоры имеют аморфную структуру.

— Определено, что повышение температуры синтеза на 50 °C до значения 1350 °C увеличивает интенсивность фотолюминесценции исследуемых составов в синей области спектра до 10 раз, что связано с полнотой реакции спекания компонентов шихты. При этом показано, что для случая возбуждения фотолюминесценции составов системы [(В203)1.к (А1203)к]"28 102:Еи, синтезированных при пониженной температуре 1300 °C, излучением импульсного азотного лазера с длиной волны 337 нм интенсивность спектральных линий Еи2+ в синей области уступает по интенсивности излучению в красной области (Еи3+) до 2,5−10 раз, что обусловлено малой вероятностью восстановления ионов активатора ввиду недостаточного количества кислородных вакансий. Также показано, что для составов [(В203)]. к (А1203)к]*28Ю2:Еи, синтезированных при температуре 1300 °C, уширение люминесцентных пиков Еи3+ увеличивается одновременно с ростом интенсивности синего пика Еи2+ при изменении состава матрицы, что свидетельствует о связи стеклообразной структуры образца с соединениями, формирующими кислородные вакансии. Показано, что изменение параметров синтеза люминофоров системы [В203 А1203 8Ю2]: Еи, таких как температура и длительность спекания компонентов шихты, применение отжига в вакуумной камере, позволяет варьировать яркость и цвет свечения люминофоров благодаря изменению соотношения содержания двухи трехвалентных ионов европия Еи2+/Еи3+, встраиваемых в матрицу и формирующих спектры фотолюминесценции.

— Показано, что изменение спектров фотолюминесценции исследуемых составов системы [ВгОз'АЬОз^БЮ^Еи с ростом температуры синтеза аналогичны изменениям спектров фотолюминесценции составов системы [СаОА120]*28Ю2:Еи: с увеличением температуры синтеза уменьшается влияние спектральных линий Еи3+ с одновременным ростом интенсивности спектральных линий Ей, что говорит о сходных процессах образования кислородных вакансий в ходе формирования стеклообразной структуры образца. При этом характерные точки указанных систем определяются наиболее легкоплавкими компонентами — оксидами бора и кальция. Отличительной особенностью более тугоплавкой системы [Са0*А120]*28Ю2:Еи является широкополосное излучение Еи2+, перекрывающее сине-зеленую часть видимого диапазона длин волн.

— Установлено, что вакуумный отжиг оказывает воздействие, аналогичное синтезу в восстановительной среде: интенсифицирует процесс образования кислородных вакансий, тем самым увеличивая концентрацию двухвалентных ионов активатора. Данное воздействие проявляется в смещении соотношения интенсивностей спектральных линий Еи2+/Еи3+ в сторону преобладания синего излучения. Кроме того, специфика вакуумного отжига позволяет существенно упростить процесс синтеза люминофоров синего цвета свечения, сократив длительность данного технологического процесса до 5−10 мин.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

На основании полученных результатов, описанных в диссертационной работе по получению и исследованию новых оксидных люминофоров в системе [В203 АЛ203 8Ю2]: Еи, можно сформулировать следующие основные выводы:

1. Разработана технология синтеза люминофоров, обладающих фотолюминесценцией синего и фиолетового цвета свечения, в системе [В2Оз А12Оз 8Ю2]: Еи, обусловленной внутрицентровыми переходами в ионах Еи2+, путем спекания порошкообразных оксидов бора, алюминия, кремния, европия на воздухе при температурах 1300−1350°С без применения восстановительной атмосферы.

2. Установлено, что замещение оксида алюминия оксидом бора в системе [(В2Оз)1к (А12Оз)к]-28Ю2:Еи до к>0.3 существенно не влияет на спектральный состав излучения и оксид бора может рассматриваться как флюс. При дальнейшем замещении оксида алюминия оксидом бора (при к<0.3 наблюдается изменение спектрального состава излучения — смещение в фиолетовую область видимого диапазона спектра с уменьшением интенсивности максимума спектра излучения, что обусловлено увеличением стеклообразной фазы вследствие снижения содержания алюминия в составе стекла.

3. Показано, что повышение содержания европия от 1 до 7% ат. при возбуждении излучением гелий-кадмиевого лазера с длиной волны 325 нм и до 5% ат. при возбуждении излучением импульсного азотного лазера с длиной волны 337 нм, приводит к росту интенсивности излучения в синей области спектра, обусловленному увеличением числа восстановленных до двухвалентного состояния ионов. Превышение указанных концентраций приводит к насыщению интенсивности синей люминесценции, что может быть связано с ограниченным составом матрицы количеством восстановленных ионов активатора Ей", и к спаду интенсивности излучения в красной области спектра (1сх=337нм), обусловленного внутрицентровыми переходами в ионах Еи2+, что вызвано концентрационным тушением и проявляется в возрастании скорости затухания красной фотолюминесценции от концентрации активатора. При этом количество восстановленных ионов активатора Еи2+ в составах системы [В203 • А1203 • 8Ю2] :Еи определяется составом матрицы и не зависит от концентрации европия в составе шихты, о чем свидетельствует независимость времени затухания излучения в синей области спектра от концентрации активатора в диапазоне 1−9% ат. в случае возбуждения фотолюминесценции в синей области спектра излучением импульсного азотного лазера с длиной волны 337 нм.

4. Установлено, что с ростом температуры и длительности спекания компонентов люминофоров вида [В20зА1203 8Ю2]: Еи, а также вследствие вакуумного отжига при температурах свыше 1400 °C, увеличивается интенсивность фотолюминесценции в синей области и снижается в красной, что свидетельствует об увеличении соотношения количества ионов европия Еи2+/Еи3+, встраиваемых в матриц}' и формирующих спектры фотолюминесценции. При этом синтез в восстановительной среде может быть заменен вакуумным отжигом. Аналогичные изменения спектров излучения отмечены в системе [Са0А120]-28Ю2:Еи, что связано с ускоренным формированием кислородных вакансий вследствие образования сложных соединений легкоплавких элементов (оксида бора и кальция соответственно) в структуре матрицы при интенсификации реакции спекания порошкообразных компонентов шихты.

Возможные направления дальнейших исследований:

Дальнейшее исследование тонкопленочных структур на основе люминофоров системы [В2Оз А12Оз 8Ю2]: Еи с целью возможности получения электролюминесценции.

Исследование возможностей повышения эффективности (квантового выхода и светоотдачи) люминофоров в системе [В203-А120з-8Ю2]: Еи.

Исследование возможностей понижения температуры синтеза люминофоров системы [В203 А120з8Ю2]: Еи для использования в тонкопленочных структурах на стеклянных подложках.

Поиск в системе алюмосиликатов, легированных редкоземельными элементами, люминофоров других цветов, на основе которых возможно создание электролюминесцентных структур.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Mc Kcag А.Н. Ranby P.W.//Brit. Pat. 578 192, 1942. 578 192, 1942.
  2. Busta H.: Field emission flat displays// New York: Vacuum Microelectronics ed. W Zhu, 2001.3. http://www.fe-tech.co.jp/en/prototype/prototype.html.
  3. Yusuke Fukui, Masaharu Terauchi, Takuji Tsujita. Plasma display panel and method for manufacturing the same// JP Patent 20 100 045 573, 2009
  4. Jung I.Y., Cho Y., Lee S.G., Solrn S.H.// Appl. Phys. Lett., vol. 87, 191 908, 2005
  5. Okamoto K., Nasu Y., Hamakawa Y.: Low-thershold voltage thin-film ectroluminescent devices.// JEEE Trans, on Electron Devices, vol. 28, pp. 698−702, 1981.
  6. Abe A., Fujita Y., Tohda Т.: Large-scale highly resoluble AC thin film EL flat panel display// Nat. Techn. Report, vol.30, № 1, pp. 186−192, 1984.
  7. Laura Ungur, Elisabeth-Jeanne Popovici, Maria Vadan, Ligia Pascu, Marilena Vasilescu, Nazarov M.: Chracterisation of oxidic materials with luminescent properties// Special issue, Studia universitatis babes-bolyai, Phaysica, pp. 439−442, 2001.
  8. Jong Seong Bae, Byung Kee, Jung Hyun Jeong.: Luminescence characteristics of pulsed-laser-ablated Y1.35Gd0.603:Eu3+ thin-film phosphors// J. Appl. Phys., vol. 98, 43 513, 2005.
  9. Tadatsugu Minami, Youhei Kobayashi, Tetsuya Shirai, Toshihiro Miyata, Shingo Suzuki.: High-Luminance thin-film electroluminescent devices using monoclinic Y О phosphor activated with Mn//Jpn. J. Appl. Phys., vol. 41, pp. 478−480, 2002.
  10. Hingnard A, Aron A, Aschehoug P, Viana B, Thery J, Laurent A and Perriere J.// J.Mater.Chem., vol.10, p. 549, 2000
  11. Zhang Q. Y., Pita K., Buddhudu S. and Kam С. H.: Luminescent properties of rare-earth ion doped yttrium silicate thin film phosphors for a full-colour display// J.Phys.D.: Appl.Phys., vol. 35, pp. 3085−3090, 2002.
  12. Hao J. and Cocovera M.// Appl.Phys.Lett., vol. 79, 740, 2001.
  13. Yu M., Lin J., Zhou Y. H., Wang S. B. and Zhang H. J.// J.Mater.Chem., vol. 12, p. 86, 2002.
  14. Reisfeld R. and Jorgensen C.K.: Lasers and Excited States of Rare Earths// Berlin: SpringerVerlag, 1977.
  15. Qiao Y., Chen D., Ren J., Wu В., Qiu J., Akai Т.: Blue emission from Eu2±doped high silica glass near-infrared femtosecond laser irradiation// Journal of applied physics, vol. 103, 23 108, 2008.
  16. Nogami M., Abe Y. rEnhanced emission from Eu2+ ions in sol-gel derived A1203 Si02 glasses//Applied Physics Letters, vol. 69, 191 296, 1996.
  17. Chen D., Miyoshi H., Akai Т., Yazawa T.:Colorless transparent fluorescence material: sintered porous glass containing rare-earth and transition-material ions// Applied physics letters, vol. 86, 232 908, 2005.
  18. Esparza A., M. Garcia, C. Falcony.: Photoluminescence properties of AlO: Eu thin films deposited by spray pyrolysis// Superficies у Vacio, vol. 9, pp. 74−77, 1999.
  19. Langlet M., Joubert J. C. in Rao C.N.R. (ed.)// Blackwell Oxford: Chemistry of Advanced Materials, vol. 55, 1993.
  20. Jergel M., Conde Gallardo A., Falcony C. and Strbik S.// Supercond. Sci. Technol., vol. 9, 1996.
  21. Man S.Q., Pun E.Y.B., Chung P. S.// Opt. Commun. vol. 168, pp. 369−373, 1999.
  22. Jin Y.F., Jiang D.H., Chen X.S., Bian B.Y., Huang X.H.// J. Non-Cryst. Solids, vol. 80, pp. 147−151, 1986.
  23. Liu Y., Xu C.N., Chen H. and Tateyama H.// Thin Solid Films, vol. 10, p. 415, 2002.
  24. Yin M., Duan C., Zhang W., Lou L., Xia S. and Krupa J. C.// J.Appl.Phys., vol. 86, 3751, 1999.
  25. Blasse G.: Handbook on the Physics and Chemistry of Rare Earths// Amsterdam: North-Holland: ed Gschneider K. A. and Eyring L. R., vol. 4, 1984.
  26. Sugar J. and SpectorN.// J. Opt. Soc. Am. vol. 64, p. 1484, 1974.
  27. Hayato Kamioka, Masahiro Hirano and Hideo Hosono: Photo-induced charge state conversion of Eu2+ in Ca2ZnSi207// J.Appl. Phys., vol. 106, 53 105, 2009.
  28. Rebohle L., von Borany J., Frob H., and Skorupa W.// Appl. Phys. B: Lasers Opt., vol. 70, p. 1, 2000.
  29. Trukhin A. N., Goldberg M., Jansons J., Fitting H.-J., and Tale I. A.// Non-Cryst. Solids, vol. 223, p. 114, 1998.
  30. Reisfeld R. and Jorgensen С. K.: Lasers and Excited States of Rare Earths// Berlin: Springer, 1977.
  31. Gan F. X.: Optical and Spectroscopic Properties of Glass// Berlin: Springer, 1992.
  32. Л.Я., Пекерман Ф. М., Петошина Jl.H.-.Люминофоры// Ленинград: Химия, 1966.
  33. Э.В., Дадонов В.Ф.: Люминесцентные лампы. Люминофоры и люминофорные покрытия// Саранск: Издательство Мордовского университета, 2007.
  34. Blasse G. and Bril AM Philips Res. Rep, vol. 23, p. 201, 1968.
  35. Poort H M S, Blokpoel P W and Blasse G.// Chem. Mater., vol. 7, p. 1547, 1995.
  36. Palilla С F, Levinc К A and Tomkus R M.// J. Electrochem. Soc.:Solid State Sci., vol. 115, p. 642,1968.
  37. Blasse G. and Grabmaier B.C.// Luminescent Materials, 214, 1994.
  38. Garcia M.A., Borsella E., Paje S.E., Llopis J., Villegas M.A.// J. Lumin., vol. 93, p. 253, 2001.
  39. Lou Z., Hao J., Cocivera M.: Luminescence studies of BaA1204 films doped with Tm, Tb and Eu// J. Phys. D: Appl. Phys., vol. 35, pp. 2841−2845, 2002.
  40. Li Y. Q., Delsing A. C. A., De With G., and Hintzen H. T.// Chem. Mater., vol. 17, 3242, 2005.
  41. Delsing A. C. A., Hintzen H. Т., and Li Y. Q.// U.S. Patent 7 351 356 B2, 2008.
  42. Himaki H., Takashima S., Kameshima M., and Naitou T.// U.S. Patent 76 883 Al, 2006.
  43. Studenkin A. S., Golego N. and Cocivera M.// J.Appl.Phys., vol. 83, p. 2104, 1998.
  44. Golego N. and Cocivera M. H Thin Solid Films, vol. 14, p. 322, 1998.
  45. Bachmann V., Ronda C., Oeckler O., Sclinick W., and Meijerink A.// Chem. Mater., vol. 21, p. 316, 2009.
  46. Zhang M., Wang J., Zhang Z., Zhang Q., and Su Q.// Appl. Phys. B: Lasers Opt., vol. 93, p. 829,2008.
  47. Wang M. Y., Zhang J. H., Zhang X., Luo Y. S., Ren X. G., Lu S. Z., Liu X. R., and Wang X. J.// J. Phys. D: Appl. Phys., vol. 41, 205 103, 2008.
  48. Song X., Ri Fu, Agathopoulos S., He H., Zhao X., and Zhang S.: Photoluminescence properties of Eu2±activated CaSi202N2: Redshift and concentration quenching// J. of Appl.Phys., vol. 106, 33 103,2009.
  49. Li Yuan Qiang: Structure and luminescence properties of novel rare-earth doped silicon nitride based materials// Eindhoven: Technische, 2005.
  50. Kitai A.: Luminescent Materials and Applications// John Wiley and Sons, 2008.
  51. Blasse G. and Grabmaier B.C.: Luminescent materials// Berlin: Springer-Verlag, 1994.
  52. Hoppe H.A., Lutz H., Morys P., Schnick W. and Seilmeier A.// J. Phys. Chcm. Solids, vol. 61, p. 2000, 2001.
  53. Nikol Ger., Justel T. and Weinheim H.// Adv. Mater., vol. 12, p. 527, 2000.
  54. Peng M., Qiu J., Yang L., and Zhao С.// Amsterdam, Netli: Opt. Mater., vol. 27, p. 591, 2004.
  55. Peng M. and Hong G.// J. Lumin., vol. 127, p. 735, 2007.
  56. W. В., McCarthy G. J.// J. Less-Common Met., vol. 22, p. 409, 1970.
  57. Su Q., Zeng Q., and Pei Z.// Chin. J. Inorg. Chem., vol. 16, p. 293, 2000.
  58. Pei Z., Su Q., and Zhang J.// J. Alloys Compd., vol. 51, p. 198, 1993.
  59. Su Q., Liang H., Ни Т., Tao Y., and Liu T.// J. Alloys Compd., vol. 132, p. 344, 2002.
  60. Peng Q. Su, Z. Pei, G. Hong// J. Mater. Chem., vol. 13, p. 1202, 2003.
  61. Dorenbos P.// Chem. Mater., vol. 17, 6452, 2005.
  62. Liu В., Wang Y., Zhou J., Zhang F., Wang Z.// Jour, of Appl. Phys., vol. 106, 53 102, 2009.
  63. Holgado P., Barranco A., Yubero F., Espinos J. P., and Gonzalez-Elipe A. R.//Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B, vol. 187, p. 465, 2002.
  64. Peng M., Pei Z., Hong G., and Su Q.// J. Mater. Chem., vol. 13, p. 1202, 2003.
  65. Davolos M. R. and A. M. Pires// Chem. Mater., vol. 13, p. 21, 2001.
  66. Shannon R. D.// Acta Crystallogr., Sect. A: Cryst. Phys., Diffr., Theor. Gen.Crystallogr., vol. 32, p. 751, 1976.
  67. Moine B. and Bizarri Q. I I J. Lumin., vol. 113, p. 199, 2005.
  68. Chen D., Shao M., Cheng L., Wang X., Ma D. D.: Strong and stable blue photoluminescence: The peapodlike Si0x@A1203 heterostructure// Appl.Phys.Lett., vol. 94, 43 101, 2009.
  69. Ю.М., Белякова Ю. А., Голенко В. П. и др.: Синтез минералов// Москва: Недра, 1987.
  70. Грум-Гржимайло О.С.: Муллит с керамических материалах// Труды НИИ Стройкерамики, 1975.
  71. Е.Н. и др.: Экспериментальная и техническая петрология// Москва: Научный мир, 2000.
  72. В. М., Карпинос Д. М., Панасевич В. М.: Синтетический муллит и материалы на его основе// Киев: Техника, 1971.
  73. Burnham W.E.// Carng. Inst. Wash., vol. 63, pp. 223−227, 1964.
  74. Lagsgaard J.// Physical Review B, vol. 64, 174 114, 2002.
  75. Sen S. et al// J. Non-Cryst. Solids, vol. 261, pp. 226−236, 2000.
  76. Nguyen, Nguyen Т. Т.: The Role of Aluminum in Rare Earth-Doped Sol-Gel Silicate Glasses// Clinton, NY 13 323, U.S.A: Hamilton College, 2007.
  77. Qiao Y. et alII Appl. Phys. В., vol. 87, pp. 717−722, 2007.
  78. Lochhead M. J.: Luminescence Spectroscopy of Europium (III) Doped Silica Gels and Silicate Glasses// Ph. D dissertation.
  79. Tomozieu E., van Faassen E., Arnoldbik W. M., Vredenberg A. M., and Habraken F. H. P. M.// Thin Solid Films, vol. 382, pp. 420−421, 2002.
  80. Barranco A., Mejias J. A., Espinos J. P., Caballero A., Gonzalez-Elipe A. R., and Yubero F.// J. Vac. Sci. Technol., vol. 19, p. 136, 2001.
  81. Barrancoa A., Yubero F. and Espinos J. P., Groening P., Gonzalez-Elipe A. R.: Electronic state characterization of SiOx thin films prepared by evaporation// J. Appl. Phys., vol. 97, 113 714, 2005.
  82. Lin L.W., Tang Y.H., Pei L.Z., Zhu L.B., Zhang Y., Guo C.: Smooth silicon oxide nanowires under supercritically hydrothermal conditions// Journal of Non-Crystalline Solids, vol. 353, pp. 159−163,2007.
  83. Skorupa W" Rcbohlc L., and Gebel T. I I Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process, vol. 76, p. 1049, 2003.
  84. П.П., Гистлинг A.M.: Реакции в смесях твердых веществ// Москва: СтроГшздат, 1971.
  85. Н.А., Беззубов С. И., Ефимов А. А., Курлов А., Павленко А., Пустовгар Е., Шестаков М.: Почему золь гель метод столь популярен?// www.nanometer.ru, 2010.
  86. А.А., Лукашин А.В.: Функциональные наноматериалы. (Под ред. Ю.Д. Третьякова)// Москва: ФИЗМАТЛИТ, 2010.
  87. А.И., Мошников В. А., Таиров Ю. М., Шилова О.А.: Основы золь-гель технологии нанокомпозитов// Санкт-Петербург: «Элмор», 2007.
  88. Н.А., Саркисов П.Д.: Основы золь-гсль технологии нанодисперсного кремнезема// Москва: ИКЦ «Академкнига», 2008.
  89. Cheong K.Y., Muti N., Ramanan S.R.: Electrical and optical studies of ZnO: Ga thin films fabricated via the sol-gel technique// Thin Solid Films, vol. 410, pp. 142−146, 2002.
  90. Li Y., Xu L., Li X., Shen X., Wang A.: Effect of aging time of ZnO sol on the structural and optical properties of ZnO thin films prepared by sol-gel method// Applied Surface Science, vol. 256, pp. 4543−4547, 2010.
  91. Raoufi D., Raoufi Т.: The effect of heat treatment on the physical properties of sol-gel derived ZnO thin films// Applied Surface Science, vol. 255, pp. 5812−5817, 2009.
  92. Gurav A., Kodas Т., Pluym Т., Yun Xiong.: Aerosol Processing of Materials// Aerosol Science and technology, vol. 19, pp. 411−452, 1993.
  93. Hinklin T. R., Rand S.C., Laine R.M.transparent, polycrystalline upconverting nanoceramics: Towards 3-D displays// Adv. Mater., vol. 20, pp. 1270−1273, 2008.
  94. Э. Г., Тесленко В. В.: Химия в микроэлектронике. (Химическое осаждение из газовой фазы)// Москва, 1988.
  95. Н.Т., Паксютов К. В., Терентьев М. А., Широков А.В.: Получение и исследование люминофора MgY204: Eu//Ульяновск: Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы. Труды IX Междунар. конф. УлГУ, с. 59, 2007.
  96. Н.Т., Паксютов К. В., Терентьев М. А., Широков А.В.// Письма в ЖТФ, т. 34, 2008.
  97. Н.Т., Паксютов К. В., Терентьев М. А., Широков А.В.: Оптимизация состава и условий синтеза синих люминофоров (В203)0.5(А1203)0.5. 2Si02: Eu2+// ЖТФ, Т. 79. с. 9, 2009.
  98. Н.Т., Паксютов К. В., Терентьев М. А., Широков А.В.: Широкополосная фотолюминесценция в системе (Ca0-A1203-Si02):Eu// Письма в ЖТФ, т. 35, 2009.
  99. Терентьев М.А.: Преобразователь интерфейса GPIB-RS232// Радио, вып. 1, 2010.
  100. Смит С.: Цифровая обработка сигналов// Москва: Додэка-ХХ1, 2008.
  101. Agoston George A.: Color Theory and Its Application in Art and Design// Springer-Verlag, CIE 1960, 1987.
  102. Saltzman Max and Billmeyer Jr. Fred W.: 2-degree versus 10-degree standard observer. Principles of Color Technology (2nd edition)// Wiley John, 1981.
  103. Быков P. E.: Телевидение// Москва: МРБ, 1988.
  104. Лампы электрические. Методы измерения спектральных и цветовых характеристик// ГОСТ 23 198–94.
  105. Lehmann, W. J.: Contact Electroluminescence// Electrochem. Soc., vol. 104 (1), pp. 45−50, 1957.
  106. Готра З.Ю.: Технология микроэлектронных устройств. // Москва, «Радио и связь», 1991.
  107. Gielisse P.J., Foster W.R., Levin E.M., Robbins C.R., McMurdie H.F.: Phase diagrams for ceramists//Columbus, USA, 1964.
  108. H.A., Барзаковский В. П., Лапин В. В., Курцева H.H., Бойкова А.И.: Диаграммы состояния силикатных систем// Ленинград: Наука, 1972.
  109. Будников П.П.: Химия и технология силикатов// Киев, 1964.
  110. Бережной A.C.: Многокомпонентные системы окислов// Киев: Наукова думка, 1970.
  111. W. М., Pask J. A.: Solid solution range and microstructures of melt-growm mullite// J. AMER. CER. SOC., vol. 66, pp. 649−654, 1983.
  112. Справочник химика (под ред. Б.П.Никольского)// Химия, 1982.
  113. Lideil К. and Thompson D. P.: X-ray diffraction data for yttrium silicates// Br.Ceram.Trans.J., vol. 85, p. 17, 1986.
  114. Evtukh A.A., Indutnyy I.Z., Lisovsky LP., Litvin Yu.M., et all// Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, vol. 6, pp. 32−36, 2003.
  115. Zutlier G.: Dielectric and optical properties of SiOx// Phys. Stat. Sol., vol. 59, K109-K113, 1980.
  116. Aitasalo Т., Holsa J., Janger H., Lastusaari M. et all.// Int. Conf. On Sol-Gel Method. Res. Technol. Applicaton № 2. Szklaska Poreba, Pologne, v.26. n2. p. l 13−116, 2004.
  117. Prucnal S., Sun J.M., Skorupa W., Helm M.// Appl. Phys. Lett., vol. 90, 2007.
  118. Chena B.J., Punb E.Y.B., Lina H.: Photoluminescence and spectral parameters of Eu3+ in sodium-aluminum-tellurite ceramics// Journal of Alloys and Compounds, vol. 479, pp. 352−356, 2009.
  119. Г. Е., Маханек А. Г., Семченко A.B., Гайшун B.E., Мельниченко И. М., Подденежный E.H.: Спектрально-люминесцентные свойства и структура оптических центров Ей- и Ce-Eu содержащих кварцевых гель-стекол.// Физика твердого тела, вып. 41, 1999.
  120. Lochhead М. J.: Luminescence Spectroscopy of Europium (III) Doped Silica Gels and Silicate Glasses// Pli. D dissertation.
  121. Hao J., Studenkin A. S. and Cocivera M.// J.Lumin., vol. 93, p. 313, 2001.
  122. Pringsheim P. and Vogel M.: Luminescence of liquids and solids// New York, 1946.
  123. Vedda A. et. al.// Appl. Phys. Lett., vol. 85, 6356, 2004.
  124. Vedda A. et al.// Chem. Mater., vol. 18,5178, 2006.
  125. И.А., Зацепин А. Ф., Кортов B.C., Щапова IO.В.: Правило Урбаха в стеклах Pb0-Si02// Физика твердого тела, vol. 42, 2000.
  126. Fuxi Gan: Optical and spectroscopic properties of glass// Berlin: Springer-Verlag, 1992.
  127. J. Pankove, Cody G.D.: Hydrogenated Amorphous Silicon. PartB//N.Y.: Academic Press Inc., 1984.
  128. O’Leary S.K., Johnson S.R., Lim P.K.// J. Appl. Phys, T. 82. 3334, 1997.
  129. Hernandez J., Lopez F. J., Murrieta H., and Rubio J.:Optical absorption, emission, and excitation spectra of Eu2 + in the alkali halides.// J Phys Soc Japan, vol. 50, p. 225, 1981.
  130. Vecht A.//Journ. Crystal Growth, vol. 59, p. 81, 1982.
  131. Harbeke, Editor: G.: Polycrystalline semiconductors, physical properties and applications// Berlin: Springer-Verlag, 1985.
  132. SunX. D. and Xiang X. D.// Appl.Phys.Lett., vol. 72, p. 525, 1998.
  133. Choe Y. J., Ravichandran D., Blomquist M. S., Morton C. D., Kirchner W. K., Ervin H. M. and Lee U. // Appl.Phys.Lett., vol. 78, 3800, 2001.
  134. H.T., Паксютов K.B., Терентьев M.A., Широков A.B.: Широкополосная фотолюминесценция в системе (Ca0-A1203-Si02):Eu// Ульяновск, УлГУ: «Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы. Труды международной конференции», 2009 г.
  135. Jing-hai Y., Wen-yan L., Li-Li Y., Yong-jun Z., Ya-xin W., Hou-gang F.: Preparation and Luminiscence Behavior of CaSi03: Eu3+(Bi3+)// Journal of Alloys and Compounds, vol. 454, pp. 506−509, 2008.
  136. Чугунов JI.A.: ЭПР ионов Eu2+ и Gd3+ в неупорядоченных кислородосодержащих твердых телах// Рига: Диссертация на соискание ученой степени кандидата физ.-мат. наук,
  137. Hicklin R.C., Johnstone I.K., Barnes R.G., Wilder D.R.: Electron spin resonance of Gd3+ in glasses of the sode-silica-yttria system// J. Chem. Phys., vol. 59, p. 1652−1668, 1973.
  138. JI.A., Кафыров B.M.: ЭПР в кварцевых стеклах, легированных оксидами редкоземельных элементов и алюминия// Рига: Тезисы докладов IV Всесоюзного симпозиума «Оптические спектральные свойства стекол», 1977.
  139. Nicula Al., Turkevich J.: EPR of rare earth elements (Gd3+ and Eu2+) in zeolites// Rev. Roum. Phys., vol. 19, pp. 191−201, 1974.
  140. Lamps & Lighting Electronics Catalogue 2010// Koninklijke Philips Electronics N.V., 2010.1984.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!