Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Исследование тепловых режимов тиристоров при различных условиях работы в полупроводниковых преобразовательных устройствах

Диссертация: Исследование тепловых режимов тиристоров при различных условиях работы в полупроводниковых преобразовательных устройствах
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

За последние 15−20 лет широкое применение, практически во всех отраслях промышленности, нашли тиристорные полупроводниковые преобразовательные устройства. По сравнению с другими преобразователями они имеют существенные технико-экономические преимущества: компактность, отсутствие подвижных контактов и вращающихся масс, широкий температурный диапазон работы, отсутствие таких токсичных материалов… Читать ещё >

Исследование тепловых режимов тиристоров при различных условиях работы в полупроводниковых преобразовательных устройствах (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • ГЛАВА II. ЕРВАЯ. СОСТОЯНИЕ ВОПРОСА В ОБЛАСТИ РАСЧЕТА И
  • ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОГО ИССЛЕДОВАНИЯ ТЕПЛОВЫХ РЕЖИМОВ ТИРИСТОРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬНЫХ УСТРОЙСТВ
    • 1. 1. Анализ существующих методов расчета тепловых режимов тиристоров полупроводниковых преобразовательных устройств
    • 1. 2. Анализ существунцих методов и средств экспериментального исследования тепловых режимов тиристоров полупроводниковых преобразовательных устройств
    • 1. 3. Исходные данные для проведения исследования тепловых режимов тиристоров полупроводниковых преобразовательных устройств
  • ВЫВОДЫ
  • ГЛАВА ВТОРАЯ. МЕТОДЫ И СРЕДСТВА ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОГО ИССЛЕДОВАНИЯ ТЕПЛОВЫХ РЕЕИМОВ ТИРИСТОРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬНЫХ УСТРОЙСТВ
    • 2. 1. Установка для экспериментального исследования тепловых режимов тиристоров полупроводниковых преобразовательных устройств
    • 2. 2. Методы и средства измерений температуры элементов тиристора
      • 2. 2. 1. Технология изготовления специальных термопреобразователей
      • 2. 2. 2. Градуировка специальных термопреобразователей
      • 2. 2. 3. Установка специальных термопреобразователей на тиристор
    • 2. 3. Исследование метрологических характеристик методов и средств испытаний
      • 2. 3. 1. Исследование погрешности измерительно-вычислительного комплекса при измерении параметров тепловых режимов тиристоров полупроводниковых преобразовательных устройств
      • 2. 3. 2. Исследование погрешности измерения температуры окружаюцей среды, корпуса и вывода тиристора
      • 2. 3. 3. Исследование погрешности измерения температуры полупроводниковой структуры тиристора
      • 2. 3. 4. Исследование погрешности измерения электрических величин
      • 2. 3. 5. Экспериментальная оценка погрешности средств измерений
  • ВЫВОДЫ
  • ГЛАВА ТРЕТЬЯ. ЭЕСПЕРИМЕНТАЛШОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ТЕПЛОВЫХ РЕЖИМОВ ТИРИСТОРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬНЫХ УСТРОЙСТВ
    • 3. 1. Объект и режимы испытаний
    • 3. 2. Алгоритм получения и обработки измерительной информации
    • 3. 3. Исследование мощности тепловых потерь в тиристоре полупроводникового преобразовательного устройства
    • 3. 4. Результаты исследования
  • ВЫВОДЫ
  • ГЛАВА. ЧЕТВЁРТАЯ. РАСЧЕТ ТЕПЛОВЫХ РЕЖИМОВ ТИРИСТОРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬНЫХ УСТРОЙСТВ
    • 4. 1. Основные предпосылки и допущения
    • 4. 2. Метод расчета тепловых режимов тиристоров полупроводниковых преобразовательных устройств
    • 4. 3. Пример расчета тепловых режимов тиристорного преобразователя
    • 4. 4. Данные расчёта и его экспериментальной проверки
  • ВЫВОДЫ

За последние 15−20 лет широкое применение, практически во всех отраслях промышленности, нашли тиристорные полупроводниковые преобразовательные устройства. По сравнению с другими преобразователями они имеют существенные технико-экономические преимущества: компактность, отсутствие подвижных контактов и вращающихся масс, широкий температурный диапазон работы, отсутствие таких токсичных материалов, как ртуть, высокий к.п.д., постоянная готовность к работе и удобство в эксплуатации.

Утвержденные ХХУТ съездом КПСС «Основные направления экономического и социального развития СССР на 1981;1985 годы и на период до 1990 года» ставят перед разработчиками полупроводниковых преобразователей требования по созданию изделий с улучшенными эксплуатационными характеристиками и, в первую очередь, повышение эффективности и надёжности их работы.

Надёжность работы и основные эксплуатационные характеристики тиристорных преобразовательных устройств в значительной степени зависят от тепловых режимов тиристоров (ТРТ) [б, 7, 23, 25, 26, 27, 29, 50, 54, 55, 57, 68, 75, 77, 80, 84, 87, 94, 96, 97, 102, 106, 113, 118].

Широкий диапазон требований, предъявляемых к тиристорным преобразователям, а также режимов и условий их работы требуют правильного выбора типа тиристора и создание условий максимального использования его свойств, в значительной степени зависящих от ТРТ. Поэтому одной из важнейших задач, стоящих перед разработчиками тиристорных преобразователей и электрооборудования, в котором они применяются, является исследование ТРТ в различных условиях работы с целью получения достоверных данных, позволяющих улучшить эффективность и надёжность работы тиристорных преобразователей. Актуальность проблемы определяется и необходимостью всестороннего изучения и анализа тепловых процессов в тиристор-ных преобразователях при различных условиях их работы в схемах сложного энергетического оборудования.

Тепловые режимы полупроводниковых приборов, в том числе и тиристоров, изучались многими отечественными и зарубежными специалистами [II, 12, 28, 29, 30, 43, 45, 47, 50, 51, 64, 67, 68, 73, 74, 75, 76, 88, 90, 101, 102, 104, 107, 108, 117].

Однако считать задачу решенной пока не представляется возможным, так как применяемые в настоящее время методы расчета ТРТ, такие как аналитические, графоаналитические, электротепловой аналогии, численный метод решения на ЭВМ и другие, весьма трудоёмки, имеют низкую точность и мало пригодны для инженерных расчётов.

Поэтому, несмотря на развитие вычислительной техники, продолжаются поиски наиболее простых методов расчета ТРТ в целях надёжной работы как самих тиристоров, так и полупроводниковых преобразовательных устройств (ППУ), выполненных с применением тиристоров. Практически все опубликованные работы предназначены, для разработчиков полупроводниковых приборов (ПП), что определило характер рассматриваемых вопросов и методику изложения материала [73]. Необходимо отметить, что в ряде случаев отсутствует экспериментальная проверка предложенных методов расчета ТРТ, что является недопустимым, учитывая приближённый метод анализа температурного поля тиристора.

Экспериментальное исследование ТРТ имеет и самостоятельное значение, так как сведения по этому вопросу для отечественных тиристоров явно недостаточны [73].

Особое значение имеют исследования ТРТ при их работе без охладителя (радиатора) в условиях охлаждения естественной конвекцией окружащего воздуха. Такие ТРТ встречаются при их работе в электрооборудовании, для которого на первый план ставятся требования по массо-габаритным показателям [17]. Объём данных по исследованию указанного ТРТ в настоящее время весьма ограничен. Основным параметром ТРТ, определяющим работу тиристорного преобразователя, является температура его полупроводниковой структуры (Трп) [16, 45, 51, 68, 70, 84, 88, 96, 102, 115], зависящая в основном от мощности тепловых потерь в тиристоре, его конструкции и условий охлаждения, а также режима работы тиристорного преобразователя.

Для определения Трп в настоящее время в основном применяются косвенные методы измерения, основываодиеся на использовании температурной зависимости какого-либо электрического параметра тиристора[8, 10, 14, 32, 42, 48, 72, 81, 86, 89, 98, 105]. Известные косвенные методы измерения Трп обладают общим существенным недостатком, заключающимся в методике определения градуи-ровочных характеристик. Как правило, градуировочная характеристика определяется, когда все элементы конструкции тиристора прогреты до одинаковой температуры. Однако в рабочем режиме существует градиент температур по его элементам [9, 13, 52], что приводит к появлению неизвестной методической погрешности измерений Трп при использовании указанных градуировочных характеристик. Эта методическая погрешность определения градуировочных характеристик косвенных методов измерения Трп затрудняет метрологическую оценку результатов измерения и в значительной степени снижает достоверность самих измерений, вследствии чего в [39] не установлена погрешность измерения теплового сопротивления силового полупроводникового прибора. Кроме того, отсутствие возможности определения Трп косвенными методами непосредственно во время прохождения греющего тока, а также определения Трп в какой-либо точке полупроводниковой структуры приводит к тому, что косвенные методы не являются абсолютными и позволяют определять степень приближения к истинной величине Трп. Получаемая при измерениях косвенными методами величина Трп названа «эффективной» [б, 34, 76, 93, 114, Пб].

Весьма важное значение при экспериментальном исследовании ТРТ полупроводниковых преобразовательных устройств (ТРТ ППУ) имеют достоверность определения мощности тепловых потерь в тиристоре и автоматизация получения, хранения, обработки и выдачи измерительной информации. Создание измерительно-вычислительных комплексов и информационно-измерительных систем, применение математических методов кибернетики и средств вычислительной техники ряд авторов рассматривает как один из способов повышения точности измерений как стационарных, так и нестационарных величин [49, 60, 109]. Естественно, что аналогичный подход к измерению параметров ТРТ ППУ позволит повысить точность измерения, в реальном масштабе времени исследовать динамику параметров тепловых режимов применительно к конкретным условиям, а также выполнить необходимые расчеты на ЭВМ этой информационно-измерительной системы.

Из вышеизложенного следует, что особую важность и актуальность в настоящее время имеет задача разработки методов и средств испытаний для исследования ТРТ ППУ, позволяющих повысить точность определения параметров ТРТ ППУ.

Основной целью настоящей диссертационной работы является исследование тепловых режимов тиристоров при различных условиях работы в полупроводниковых преобразовательных устройствах, поз- 1 волявдее получить достоверные данные для улучшения эффективности | и надёжности работы, а также массо-габаритных характеристик тирис-торных преобразователей.

Основными научными задачами при этом являются:

1. Разработка методов и средств испытаний, обеспечивающих повышение достоверности определения параметров ТРТ ППУ.

2. Теоретическое и экспериментальное исследование метрологических характеристик разработанных методов и средств испытаний.

3. Экспериментальное исследование ТРТ при различных условиях работы в ППУ.

4. Разработка метода расчета установившихся ТРТ при различных условиях работы в ППУ.

5. Экспериментальная проверка разработанного метода расчета.

При решении поставленных задач применялись следующие методы исследований:

— аналитико-экспериментальный метод, основанный на получении численных значений коэффициентов исходных дифференциальных уравнений (тепловых параметров эквивалентных схем) экспериментальными способами, основанными на исследовании реакции тиристора на типовые возмущения (нагрев и остывание) в зависимости от мощности тепловых потерь в тиристоре и условий его работы в ППУ;

— сравнительный анализ принципа построения и приемов повышения точности измерений, проводимый в процессе разработки методов и средств испытаний;

— методы теории вероятности и математической статистики, а также способ двойной градуировки (на базе физических констант) при исследовании метрологических характеристик методов и средств испытаний;

— сбор и обработка измерительной информации на ЭВМ;

— экспериментальная проверка результатов расчетов.

При выполнении диссертационной работы были получены следующие новые научные результаты:

I. Проведено исследование и получены новые данные о ТРТ при их работе в ППУ при установившихся, кратковременных и повторно-кратковременных режимах, в условиях принудительного и естественного охлаждения, позволяющие улучшить массо-габаритные характеристики, эффективность и надёжность работы тиристор-ных прёобразователей.

2. Разработаны новые методы и средства испытаний, позволившие повысить достоверность определения параметров ТРТ ППУ.

3. Проведена оценка достоверности получаемой измерительной информации. Дано теоретическое и экспериментальное исследование метрологических характеристик разработанных методов и средств испытаний для исследования ТРТ ППУ. Найдены, теоретически обоснованы и экспериментально подтверждены рекомендации по уменьшению погрешности определения параметров ТРТ ППУ.

4. Впервые рассмотрен способ измерения температуры полупроводниковой структуры тиристора (основного параметра теплового режима тиристорного преобразователя), позволивший повысить точность её определения (авторское свидетельство J6 812 009.

М).

5. Предложена новая схема измерительно-вычислительного комплекса, выполненного на базе ЭШ (авторское свидетельство & 452 001.

2]), обеспечивающая привязку измеренных значений параметров к текущему времени исследуемого процесса, разработаны алгоритм и программа функционирования комплекса для исследования ТРТ ППУ.

6. Исследована мощность тепловых потерь в тиристоре ППУ, даны рекомендации по повышению достоверности определения её при несинусоидальной кривой тока нагрузки, определены величины мощности потерь, отводимых через силовой гибкий вывод и корпус тиристора при различных условиях его охлаждения в ППУ.

7. Разработан метод расчета ТРТ ППУ, позволяющий определять температуру полупроводниковой структуры, силового гибкого вывода и корпуса тиристора при его принудительном охлаждении и при охлаждении в условиях естественной конвекции окружающей среды, тиристоров с охладителями (радиаторами) и без них.

8. Проведена экспериментальная проверка разработанного метода расчета ТРТ ШУ.

Основные результаты работы нашли практическое применение в разработках, выполняющихся по Постановлениям ЦК КПСС и СМ СССР. Разработанные метод расчета, методы и средства испытаний внедрены в ОКБ, КФ ВНШФТРИ и на Горьковском Машиностроительном заводе при разработке и эксплуатации установок, а также для исследования теплофизических параметров изделий. Экономический эффект составил 129 тысяч рублей в год (приложения IX и X).

В настоящей диссертационной работе автор защищает:

1. Результаты исследования ТРТ при их работе в ШУ при установившихся, кратковременных и повторно-кратковременных режимах, в условиях принудительного и естественного охлаждения, позволявшие улучшить масса-габаритные характеристики, эффективность и надёжность работы тиристорных преобразователей.

2. Разработанные методы и средства испытаний, позволившие повысить достоверность определения параметров ТРТ ППУ.

3. Выполненные исследования метрологических характеристик разработанных методов и средств испытаний.

4. Новый способ измерения температуры полупроводниковой структуры тиристора (основного параметра теплового режима тиристор-ного преобразователя), позволивший повысить точность её определения (авторское свидетельство № 812 009 [4]).

5. Новую схему измерительно-вычислительного комплекса, выполненного на базе ЭВМ (авторское свидетельство № 452 001 [2]), алгоритм и программу функционирования комплекса для исследования ТРТ ПГО" .

6. Выполненные исследования по определению мощности потерь в тиристоре, при несинусоидальной форме кривой тока нагрузки и различных условиях его охлаждения в ПНУ.

7. Разработанный метод расчета ТРТ ППУ, позволяющий определять температуру полупроводниковой структуры, силового гибкого вывода и корпуса тиристора при его принудительном охлаждении и при охлаждении в условиях естественной конвекции окружающей среды, тиристоров с охладителями (радиаторами) и без них.

Апробация работы. Основные положения диссертационной работы доложены на:

— Всесоюзной научно-технической конференции по измерительно-информационным системам «ШС-73», г. Ивано-Франковск, 1973 г.;

— Всесоюзной научно-технической конференции «Проблемы создания автоматизированных систем управления процессами разработки и эксплуатации нефтяных месторождений», г. Казань, 1974 г.;

— Научно-технической конференции «Повышение эффективности цреобразовательной техники и систем электроэнергетики» г. Горький, 1978 г.;

— Всесоюзном научно-техническом семинаре «Разработка систем сбора и обработки технологических данных в силовом полупроводниковом приборостроении», г. Таллин, 1980 г.;

— Всесоюзном научно-техническом семинаре «Повышение параметров силовых полупроводниковых приборов на основе новых конструктивных решений и методов изготовления», г. Запорожье, 1981 г.

Публикации. По результатам выполненного исследования опубликовано 7 печатных работ [61, 62, 119, 120, 121, 122, 12б], 2 работы находятся в печати [123,124] и получено 3 авторских свидетельства [2, 3, 4].

16. Результаты работы нашли практическое применение в разработках, выполняющихся по Постановлениям ЦК КПСС и СМ СССР. Разработанные методы расчета, метод: и средства испытаний внедрены в ОКБ, КФ ВНИЙФТРЙ и на Горьковском Машиностроительном заводе при разработке и эксплуатации установок, а также для исследования теплофизических параметров изделий. Экономический эффект составил 129 тысяч рублей в год.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Основные научные и практические результаты работы: I. Проведён анализ существующих методов расчета, методов и средств экспериментального исследования ТРТ ЕШУ, показавший необходимость разработки новых методов расчета, а также методов и средств экспериментального исследования ТРТ ППУ.

2. Предложено цри исследовании ТРТ ППУ рассматривать тиристор как систему трёх совместно нагреваемых тел: вывод, р-п структура, корпус.

3. Разработана и изготовлена установка для исследования ТРТ ППУ при токе нагрузки до 800А действувдего значения одно-полупериодного синусоидального тока частотой 50 Гц, при принудительном и естественном охлаждении тиристора, цри его работе в ППУ при установившемся, кратковременном и повторно-кратковременном режимах работы.

4. Разработана новая схема измерительно-вычислительного комплекса информационно-измерительной системы установки, обеспечивающая привязку измеренных параметров к текущему времени исследуемого процесса при автоматическом съёме и обработке измерительной информации при исследовании ТРТ ППУ {а. с.№ 425 001).

5. Разработана конструкция и технология изготовления специальных малогабаритных термопреобразователей для исследования ТРТ ППУ.

6. Разработан новый метод измерения температуры полупроводниковой структуры тиристора (основного параметра теплового режима тиристорного преобразователя), позволивший уменьшить погрешность её определения. Измерение Трп с нормированной погрешностью, дало возможность получить данные о ТРТ ППУ, позволяющие повысить эффективность и надёжность работы тиристорного преобразователя (а.с.$ 812 009).

7. Проведена оценка достоверности получаемой измерительной информации. Дано теоретическое и экспериментальное исследование метрологических характеристик предложенных методов и средств испытаний для исследования ТРТ ППУ.

8. Проведено исследование и получены новые данные о ТРТ при их работе в ППУ при установившихся, кратковременных и повторно-кратковременных режимах, в условиях принудительного и естественного охлаждения, позволяющие улучшить массо-габаритные характеристики, эффективность и надёжность работы тиристор-ных преобразователей. / 9. Показано, что наиболее достоверные результаты оцределе.

I ния мощности тепловых потерь в тиристоре ППУ получаются при 11 / определении её как произведение действующих значений прямого 4. тока и прямого падения напряжения на тиристоре, измеренных цри-0 / борами, предназначенными для измерения действующих значений, / показания которых не зависят от формы вдивой измеряемой физической величины, например, приборами термоэлектрической системы. V.

10. Установлены численные соотношения между параметрами.

ТРТ ППУ для вывода, р-п структуры и корпуса при условиях проведенных исследований.

11. Определена перегрузочная способность тиристоров ППУ при кратковременном режиме работы, в условиях принудительного охлаждения и охлаждения тиристора с радиатором и без радиатора естественной конвекцией окружающего воздуха. Даны рекомендации по применению тиристоров в ППУ при кратковременных режимах работы, позволяющие снизить массо-габаритные характеристики тиристорных преобразователей и электрооборудования, в котором они применяются.

12. Предложен метод расчета ТРТ ППУ, основанный на использовании данных о предельных характеристиках тиристора, проведенных в нормативно-технической документации или полученных экспериментально и представлении тиристора как системы трёх совместно нагреваемых элементов: вывода, р-п структуры и корпуса.

13. Проведена экспериментальная проверка предложенного метода расчета ТРТ ППУ, показавшая, что расхождение экспериментальных и расчетных данных для установившегося ТРТ ППУ не превышает 6 °C, что с учетом погрешности средств измерений находится в пределах 10 $ от температуры соответствующего элемента тиристора и вполне приемлемо для инженерной практики расчета ТРТ ППУ.

14. Проведены теоретические и экспериментальные исследования и получены новые данные о ТРТ при их работе без радиатора в ППУ в условиях охлаждения естественной конвекцией окружающего воздуха. Объем данных по такому режиму в настоящее время весьма ограничен.

15. Показана возможность исследования ТРТ ППУ с тиристорами таблеточной конструкции разработанными в настоящей работе методами и средствами, а также возможность использования результатов исследования ТРТ ППУ с тиристорами штыревой конструкции для повышения эффективности и надёжности работы ППУ с тиристорами таблеточной конструкции.

Показать весь текст

Список литературы

  1. А.с.189 606 (СССР). Термопара /Авт.изобрет. Г. М. Горчаков, В. Н. Малышев. — Опубл. в Б.И., 1966, № 24- МКИ&01К 7/06. -УДК 536.532.
  2. А.с.654 862 (СССР). Способ определения температуры нагрева объектов /Авт.изобрет. В. А. Козин, К. П1Сёмин, Н. Г. Сандлер, Г. М. Пкулевич. Опубл. в Б.И., 1979, № 12- MKHG0IK 5/56. -УДК 536.532.
  3. А.с.812 009 (СССР). Способ измерения температуры полупроводниковой структуры тиристора /Авт.изобрет. В. В. Бахтин, М. М. Михайлов, С. Н. Шевчук, Г. М. Пкулевич. Опубл. в Б.И. 1981, № 34- MKHG OIR 31/26. — УДК 621.382.2.
  4. А.И., Воротникова Д. Н. Методы измерения температуры полупроводниковых приборов. Электронная техника, сер.8, Научно-техн.сб., 1972, вып.1, с.86−93.
  5. .И., Тучкевич В. М., Трукан М. К. Температура р-п перехода в мощных германиевых вентилях в пропускной полупериод.- 140
  6. Электричество, 1962, $ 12, с.64−65.
  7. В.Л., Козлов В. А. Определение теплового сопротивления транзисторов с использованием дифференциальных параметров. -Сб.статей: Полупроводниковые приборы и их применение. М.: Советское радио, 1966, с.72−95.
  8. В.Л., Федотов Я. А. Испытание и исследование полупроводниковых цриборов. М.- Высшая школа, 1975. — 325с.
  9. Н.А., Горюнов Н. Н., Григорьян В. Г. Наблюдение тепловых полей в полупроводниковых приборах при псмощи регистрации рекомбинационного излучения. Радиотехника и электроника, 1971, й 8, с.1523−1524.
  10. Adler M.S. Accurate Calculations of the Forward Drop and
  11. Power Dissipation in Thyristors, IEEE Trans. Electron. Devices, 1978, v. 25, no. 1, pp. 16 22.
  12. Adler M.S., Glascock H.H. Investigation of the Surge Characteristics of Power Rectifiers and Ihyristors in Large-Area Press Packages, IEEE Trans. Electron Devices, 1979, v. 26, no. 7, PP. Ю85 1091.
  13. Д.Д. Основные термочувствительные параметры тиристоров. Тр.Моск.Энерг.ин-та, 1972, вып.108, с. 106−107.
  14. В.М. и др. Аппаратура и методы контроля параметров силовых полупроводниковых вентилей. -М.- Энергия, 1971. -184 с.
  15. В.М. Надёжность силовых полупроводниковых приборов. -М.- Энергия, 1978. 96с.
  16. Т.В., Ровинский П. А. Расчет тепловых режимов тиристоров преобразователей частоты с непосредственной связью.
  17. В сб. Воцросы теории и расчета мощных электро-машинио тиристор-ных комплексов. — Л.: БНИИэлектрсмаш, 1979, с. 148−158.
  18. И.В. и др. Трёхфазный транзисторный преобразователь частоты. Электроэнергетика и автоматика. Кишинёв, изд-во ШТИИНЦА, 1972, вып.12, С.6Ф-69.
  19. В. Д. Теория ошибок наблюдений с основами теории вероятностей. -М.: Недра, 1965. 184 с.
  20. А.Е., Чесноков Ю. А. Возможная погрешность оценки температуры перегрева структуры таблеточных тиристоров в установившихся и импульсных режимах. Электротехнич.промышленность. Сер.преобразоват.техника. 1978, вып.1(96), с. 1−2.
  21. Э.Ф. и др. Перегрузка тщягстора однократный импульсом тока большой амплитуды. В кн.: Физика электронно-дырочных переходов и полупроводниковых приборов. -Л.: Наука, 1969, с.309−319.
  22. Э.Ф., Греков И. В., Крюкова H.H. Определение температуры рп-рп-структуры тиристора во время прохождения импульса тока перегрузки. Электричество, 1970,? 8, с.79−81.
  23. Б|урцев Э.Ф., Греков И. В., Крюкова H.H. Локализация тока в кремниевых диодах при большой плотности прямого тока. -ФТП, 1970, й 10, с.1955−1962.
  24. Blieber А. Thyristors Ihysics, New York, Springer, 1976, 304, p#
  25. A.b. (Che Effect of On-State Temperature Coefficient on Thyristor Junction Temperature Calculations. Power
  26. Thyristors and Their Application Conference, Publications, N 55″ pt. 1, London, 1969. 11 p.
  27. Biberachek H. Wenn Halbleiter schwitzen. Electrotechnik, 1979, Bd. 61, N 7″ S. 52 55.
  28. Braun E. Untersuchung des Temperaturganges von Transistoren bei Impulsbelastung, E.T.Z., N 5, 1965, S. 165 169.
  29. Butther W. Sperrschicht-Temperaturberechnung fur Halbleiterbauelemente zu periodischen Lastspielen, Electrotechn. Z.A., 1978, N1, S. 11 17.
  30. A.H. Основы пирометрии. -M. — Металлургия, I97I.-447.
  31. A.H. и др.Конструкции корпусов и тепловые свойства полупроводниковых приборов. М.- Энергия, 1972. — 120с.
  32. А.Н. и др. Точность контактных методов измерения температуры. М.: Изд-во стандартов, 1975. — 232с.
  33. H.H. Свойства полупроводниковых приборов при длительной работе и хранении. М.: Энергия, 1970. — 104с.
  34. ГОСТ 14 069–72. Вентили силовые полупроводниковые кремниевые управляемые тиристоры. — 45с.
  35. ГОСТ 18 311–72. Электрооборудование. Основные понятия. Термины и определения. 18с.
  36. ГОСТ 16 504–74. Качество продукции. Контроль и испытания. Основные термины и определения. 21с.
  37. ГОСТ 1790–77. Материалы термоэлектрических термометров. Проволока из сплавов хромель Т., Алкмель и копель для термоэлектродов термопар. 13с.
  38. ГОСТ 20 859–79. Приборы полупроводниковые силовые. Общие технические требования. 24с.
  39. ГОСТ 24 461–80. Приборы полупроводниковые силовые. Методы измерений и испытаний. 55с.40. 1Уторова А.Н., Кол тик Е.Д., Хантель А. Д. Исследование динамической погрешности аналого-цифровых преобразователей.
  40. В сб. Исследования в области информационно-измерительной техники. Труды метрологических институтов СССР. -Л.- Энергия, 1971, вып.126(186), с.128−135.
  41. П.Д., Нагорский В. Д. О перегрузочных способностях германиевых триодов. Известия Ш СССР Энергетика и автоматика, 1961, № 3, с.159−166.
  42. П.Д. Исследование тепловых режимов полупроводниковых приборов методом эквивалентных схем. Известия вузов, Приборостроение, 1964, т.7, й 5, с.151−159.
  43. П.Д. К теории инженерного расчета нестационарных тепловых процессов в мощных полупроводниковых приборах. -Электричество, 1966, № 4, с.46−52.
  44. П.Д. О способах инженерного расчета тепловых режимов тиристоров, используемых в схемах промышленной электроники. Электричество, 1967, № 4, с.58−66.
  45. П.Д. Анализ и расчет тепловых режимов полупроводниковых приборов. -М.- Энергия, 1967. 144с.
  46. П.Г., Кузьмин В. А. и др. Расчет силовых полупроводниковых приборов. —М.- Энергия, 1980. 184с.
  47. Ф. и др. Управляемые полупроводниковые вентили. -М.- Мир, 1967. 455с.
  48. В.А., Лавров Н. И., Сальман М. А. Методы неразрушаю-щих испытаний тиристоров на токовую нагрузку. Тр. НИИ постоян.тока, 1974, вып.20, с.209−215.
  49. Ф.Ф. и др. О повышении точности измерительно-вычислительных комплексов. Измерительная техника, 1971, й 10, с.10−13.
  50. Г. Н. Теплообмен в радиоэлектронных устройствах. -М.- Л.: Госэнергоиздат, 1963. 288с.
  51. И. С. и др. Термическое сопротивление силовых кремниевых вентилей. Электричество, 1965, № 2, с.42−45.
  52. И. С. и др. Расчет нестационарного температурного поля силовых тиристоров. Электричество, 1970, № 10,с.34−37.
  53. Frey Р. Sperrschicht-Temperaturen von Halbleiterbauelementen bei Impulsbetrieb, Nachrichtentechn. Z., 162, IT 9"1. S. 434 437.
  54. Goldsmid H.J., Hilbourne R.A. Transistor Operation Aidedby Thermo Electric Refrigeration. Brit. Сопла and Electron., 1960, N 1, pp. 69 -71.
  55. Granneman W.W., Heese J.D. Transient Junction Temperature in Bower Transistors. Electrical Engineering, 1960, IT 1, pp. 117 121.
  56. Gutzwiller F., Silvan T. Bower Semiconductors Rating Under Transient and Intermittent Loads, Сопла, and Electron, 1961,1. 52, pp. 51 53.
  57. Grossman M. On Bower Transistors and Thyristors. Electron. Design, 1977, V. 23, N 8, pp. 52 59.
  58. A.H. Элементарные оценки ошибок измерений. -Л.: Наука, 1967. 88с.
  59. Г. В. и др. Основы теории цепей. -М.- Л.: Энергия, 1965. 444с.
  60. Г. П., Гогсадзе Р. Ш. Математические методы в измерительной технике. -М.- Изд-во стандартов, 1970. -616с.
  61. Ю.П., Пкулевич Г. М. Измерительно-вычислительная система для исследования теплофизических параметров объекта.
  62. Тезисы докладов: Всесоюзной научно-технической конференции по измерительным информационным системам ПИИС-73″, г. Ива-но-Франковск, 1973, часть 3, с. 120.
  63. А. И., Киселёв И. Г., Филатов В. В. Температурное состояние охладителей и теплообмен при жидкостном охлаждении силовых полупроводниковых цриборов. Изв. вузов СССР. Приборостроение, 1978, T. XXI,? 8, C. II4-II9.
  64. Jakits О. Das thermische Verhalten von HaTbleitergleich-richtern, Brown Bov. Mitt., 1958, N 11/12, S. 540 544.
  65. Г., Егер Д. Теплопроводность твёрдых тел. -М.- Наука, 1964. 487с.
  66. И. Г. и др. Теплопередача в охладителях типа «двухфазный термосифон» для силовых полупроводниковых цриборов. -Электротехн.промышленность. Сер.Преобраз.техника, 1977, вып.5(88), с.10−12.
  67. И.Г. Исследование теплообмена при цреобразовании энергии в силовых установках локомотивов. Автореф.дис. на соиск. ученой степени доктора техн.наук. Л., ЛЙИНГ, 1979.-44с.
  68. В.Н., Резинский С. Р., Евзеров Й. Х. Тиристорные преобразователи ТЦ/ТВ, AT, ATP. М.: Энергия, 1978. -104с.
  69. Конструирование силовых полупроводниковых преобразовательных агрегатов / Под ред. В. М. Венделанда. М.: Энергия, 1973. 288с.
  70. В.А., Сенаторов К. А. Четырёхсложные полупроводниковые приборы. М.: Энергия, 1967. — 184с.
  71. М.В., Макаров Б. И. Измерение температуры поверхности твердых тел. М.: Энергия, 1979. — 96с.
  72. В.А., Тутов Н. М. Динамические режимы эксплуатации мощных тиристоров. М.: Энергия, 1977. — 192с.
  73. А.М. Анализ температурного режима полупроводникового триода. Изв. вузов СССР по разделу Радиотехника, I960, Т. З, с.366−370.
  74. . Управляемые электрические вентили и их применение. Перевод с французского. М.: Энергия, 1971. — 504с.
  75. Г. Тиристор в электротехнике. Пер. с франц. М.: Энергия, 1977. — 184с.
  76. В.А., Чуверин Ю. Ю. Статистический метод расчета температуры р-п-р-п структуры силовых управляемых вентилейв установившемся режиме. Тр.Моск.института инж.ж.д.трансп., 1974, вып.470, с.109−114.
  77. Методы обработки результатов наблюдений при измерениях /Под ред. К. П. Широкова. Труды метрологических институтов СССР. — вып. 134 (194). М- Л.: Изд-во стандартов, 1972. -117с.
  78. Mortenson К.Е. Transistor Junction Temperature as a Function of Time, Eroc. I.R.E., 1957, N 4-, pp. 504 515.
  79. Morris R.G., Hust J.G. Thermal Conductivity Measurement of Silicon from 30 to 425, Hiys. Eev., 1961, N 5, pp. 346 549.
  80. Г. П. и др. Исследование выпрямительных элементов тиристоров типа TI60. Электромех. и автоматика. Межвед. респ.темат.техн.сб. 1974, вып.24, с.95−97.
  81. И.М. Оборудование и технология производства полупроводниковых приборов. М.: Высш. школа, 1977. — 269с.
  82. Newell W.E. Dissipation in Solid-State Devices the Magie of 1 + IEEE Tr. Ind. Appl., 1976, IA — 12, N 4-, pp. 386 396.
  83. И.Д. Электрические и тепловые параметры силовых кремниевых вентилей выпрямительных установок устройств электрической тяги. Автореф.дис. на соиск. ученой степени доктора техн.наук. Л., MST, 1969. — 46с.
  84. А.И., Жидких В. М. Расчеты теплового режима твердых тел. Л.: Энергия, 1968. — 304с.
  85. Полупроводники и их применение в электротехнике. Рига, Изд-во АН Латв. ССР, 1962. 232с.
  86. A.A., Вратолгобов В. В., Духнина Л. С. Исследование работы и предельных нагрузок бесконтактной коммутационной и регулирующей аппаратуры. Электротехническая промышленность. Сер. Аппараты низкого напряжения, 1972, вып.5(13), с.3−6.
  87. A.A., Братолюбов В. Б. Бесконтактные коммутирующие и регулирующие полупроводниковые устройства на переменном токе. М.: Энергия, 1978. — 192с.
  88. Peterman P., Workman W. Microelectronics and Reliability, 1967, N 6, p. 307.
  89. Pbwer Semiconductor Databook. Power Transistors, Ihyristors 1973/ 1974. Milan, 1973.-304 p.
  90. А.А., Ашкинази Г. А. Режимы нагрузки силовых полупроводниковых цриборов. М.: Энергия, 1976. — 296с.
  91. Расчет температуршх полей узлов энергетических установок / Под ред.И. Г. Киселёва. JL: Машиностроение, 1978. — 192с.
  92. Г. А. Курс основных радиотехнических измерений. М.: Связь, 1966. — 423с.
  93. Г. А. Преобразовательные устройства. М.: Энергия, 1970. — 544с.
  94. Л.Й., Македонская Л. Н., Бабайлов В.М, Тепловой расчёт радиаторов для охлаждения полупроводниковых приборов при естественной конвекции. Электротехн. цром-сть. Сер. Преоб-раз.техника, 1980, вып.2(121), с.9−11.
  95. Н.М., Маркович М. И. Измерение тепловых сопротивлений мощных транзисторов. Известия вузов. Радиотехника, 1961, Jfc 3, с.341−343.
  96. Л.З. Математическая обработка результатов эксперимента. ~М?: Наука, 1972. 192с.
  97. Г. М. и др. Обнаружение дефектов р-п-р-п структур регистрацией теплового излучения. Дефектоскопия, 1971, В I, C. I4I-I43.
  98. Н.Х. Силовая полупроводниковая техника. М.: Энергия, 1968. — 320с.
  99. Справочник по электроизмерительным приборам/ Под ред.К. К. Илюнина. Л.: Энергия, 1977. -832с.
  100. Silber Р., Robertson M.J. Thermal Effects on the Forward
  101. Characteristics of Silicon p-i-n Diodes at High Pulse Currents. Solid-State Electronics, 1973 N 12, pp. 1337 1346.
  102. Silicon Controlled Rectifier. Manual, New York, 1964. 312 p.
  103. Stumpe A.C. Das thermische Verhalten von Thyristoren.
  104. Electronic, 1967, S. 228 232.
  105. H.H. Тепловой режим мощных полупроводниковых диодов. Изв. вузов СССР по разделу Приборостроение, I960,6, с.89−98.
  106. Тиристоры серии Т штыревые на токи 25−200 А. Каталог Информэлектро, 05.04.41−75, 1975. 27с.
  107. Weitzsch F. Schwankungen der Transistor Sperrschichttemperatur die periodischen Aussteuerungen. Archiv der Electr. Ubertragung, 1962, N 7, S. 335 342.
  108. Wojtalla P. Temperaturwechselversuche an grobflachigen Thyristoren, Siemens Z., 1974, N 8, S. 575 577.
  109. О.Г., Моисеев Л. Г., Сахаров Ю. В. Силовые полупроводниковые приборы. Справочник. М.: Энергия, 1975. — 512с.
  110. A.A. и др. Обеспечение тепловых режимов изделий электронной техники. М.: Энергия, 1980. — 216с.
  111. Ю.А., Рабинерсон A.A., Челноков В. Е. Определение температуры перегрева структуры тиристора в импульсных режимах методом электротепловой аналогии. В кн.: Силовые полупроводниковые приборы. — М.: Информэлектро, 1969, с.79−90.
  112. Ю.А. Переходная тепловая характеристика таблеточных тиристоров с дефектами в структуре или конструк. ции. Электротехн. пром-сть. Сер.Преобраз.техника., 1978, вып.5 (100), с.2−5.
  113. С.Н., Шиулевич Г. М. Экспериментальное исследование температурного поля тиристоров. Сб. Силовые полуцровод-никовые цриборы и преобразовательные устройства. г. Саранск, 1976, Вып.6, с.30−34.
  114. С.Н., Шиулевич Г. М. Контроль теплового режима тиристора. Измерительная техника, 1977, Л 12, с. 68.
  115. С.Н., Шиулевич Г. М., Игнатьев Ю. П. Определение теплового режима силового полупроводникового прибора. Метрология, 1978, № 10, с.28−31.
  116. С.Н., Шмулевич Г. М. Расчет теплового режима силового полупроводникового прибора. Сб.: Электрооборудование промышленных предприятий, г. Чебоксары, 1980, Вып.8, с.61−66.
  117. С.Н., Шмулевич Г. М. Экспериментальное исследование тепловых режимов тиристоров. Сб.:Электрооборудование промышленных предприятий. г. Чебоксары, 1981, Вып.9. (в печати) .
  118. Г. М., Усков А. И. Метрологическая экспертиза чер-тёжно-технической документации при разработке испытательного оборудования. Измерительная техника, 1976, № 12, с.9−10.
  119. Г. M. Определение мощности потерь в полупроводниковых приборах. Метрология, 1979, JE 2, с.56−59.
  120. В. Л. Метод расчета температуры структуры силовых полупроводниковых приборов. Электротехн. пром-сть. Сер.Преобраз.техника, 1979, вып.7 (114), с. 1−4.
  121. В.Е. Корректирующие звенья в устройствах измерения нестационарных температур. М-: Энергия, 1970. -120с.
  122. Электротехнический справочник /Под общ. ред.П. Г. Грудинского и др. М.: Энергия, 1975. — 776с.
  123. H.A. Влияние отвода тепла по датчику на точность измерения температуры поверхности. Изв. вузов, Приборостроение, 1963, т.6, № I, с.134−142.
  124. H.A. Теоретические основы измерения нестационарных ¦ температур. Л.: Энергия, 1967. — 300с.
  125. Tan Stach. Boznamka k vykonoue zatiritelnasti transi stornj vobaru vissich kolkforovych, Selovait tecnika, 1967″ N 7*1. S. 73 78.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!