Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Исследование и разработка методов контроля параметров наноразмерных пленок твердых растворов титаната-цирконата свинца

Диссертация: Исследование и разработка методов контроля параметров наноразмерных пленок твердых растворов титаната-цирконата свинца
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Предложена методика определения в локальных областях электрофизических характеристик (время релаксации, скорость движения доменной стенки) сегнетоэлектрических пленок состава ЦТС толщиной менее 100 нм на основе сканирующей зондовой микроскопии с проводящими кантилеверами. Для экспериментальных пленок состава PbTi0,52Zr0,48O3 различной толщины определено значение времени релаксации to, составившее… Читать ещё >

Исследование и разработка методов контроля параметров наноразмерных пленок твердых растворов титаната-цирконата свинца (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • СПИСОК ПРИНЯТЫХ СОКРАЩЕНИЙ
  • Глава 1. Современное состояние методов контроля и измерения параметров сверхтонких сегнетоэлектрических пленок
    • 1. 1. Применение наноразмерных сегнетоэлектрических пленок
    • 1. 2. Обзор методов получения сверхтонких сегнетоэлектрических пленок
    • 1. 3. Критический размер в сегнетоэлектрических наноструктурах
    • 1. 4. Обзор методов исследования сегнетоэлектрических пленок
  • Выводы к первой главе 5
  • Глава 2. Разработка теоретической модели, описывающей взаимосвязь структуры и свойств наноразмерных сегнетоэлектрических- материалов
    • 2. 1. Тензорное описание свойств материалов
    • 212. Эффективные упругие, пьезоэлектрические и диэлектри- ' ческие характеристики нанополикристаллов*
      • 2. 3. Модель расчета свойств нанополикристалла
      • 2. 4. Характеристики нанополикристаллического 8Юг
      • 2. 5. Характеристики нанопьезокерамики системы ЦТС
      • 2. 6. Расчет пьезоэлектрических модулей пористой ^ пьезокерамики
  • Выводы ко второй главе
  • Глава 3. Разработка инструментария и методов контроля. интегральных параметров сегнетоэлектрических пленок толщиной менее 100 нм
    • 3. 1. Разработка макета стенда для измерения электрофизических и температурозависимых свойств диэлектрических пленок толщиной менее 100 нм
    • 3. 2. Методика измерения электрофизических свойств сегнетоэлектрических пленок толщиной менее 100 нм
    • 3. 3. Измерение температурозависимых свойств сегнетоэлектрических пленок толщиной менее 100 нм
    • 3. 4. Исследование оптических свойств сверхтонких сегнетоэлектрических пленок
    • 3. 5 Исследование параметров сверхтонких сегнетоэлектрических пленок толщиной менее 100 нм методами ОЖЕ, ВИМС
  • Выводы к третьей главе
  • Глава 4. Методы контроля в локальных областях параметров сверхтонких пленок сегнетоэлектриков с помощью СЗМ
    • 4. 1. Разработка технологии изготовления проводящих кантилеверов с покрытием на основе тугоплавких соединений для исследования сверхтонких пленок сегнетоэлектриков методами СЗМ
    • 4. 2. Изготовление тестовых структур на основе сверхтонких пленок сегнетоэлектриков
    • 4. 3. Разработка методики измерения в локальных областях характеристик сегнетоэлектрических пленок толщиной менее
    • 100. нм с использованием сканирующей зондовой микроскопии
  • Выводы к четвертой главе

Актуальность. Методы формирования и методики исследования сверхтонких сегнетоэлектрических пленок занимают одно из важных мест в современной твердотельной электронике. С переходом на субмикронный уровень элементной базы интегральных схем (ИС) к таким покрытиям предъявляются все более жесткие требования по физико-химическим, электрофизическим, механическим, морфологическим и структурным свойствам. Увеличение числа элементов на кристалле связано с уменьшением размеров ИС. С одной стороны, это предполагает использование технологического оборудования, способного формировать и обрабатывать топологический рисунок нанометрового разрешения. С другой стороны, возникает потребность в материалах, которые, обладая необходимыми свойствами в макрообъеме, сохранят эти свойства в микрообъеме элементов ИС и не изменят их при дальнейшей обработке и эксплуатации. Взаимодействияна границе раздела фаз являются одним из основных условийизготовления и механизмов функционирования полупроводниковых приборов, а устойчивость и воспроизводимость характеристикграницы в конечном итоге. определяет уровень, качество • и надежность изделий твердотельной электроники.

Значительное количество научных исследований посвящено сверхтонким пленкам с высокой диэлектрической проницаемостью. В' обзоре [1] отмечается, что необходимость обработки больших массивов информации в реальном масштабе времени ставит задачу создания устройств функциональной электроники, объединяющих в себе функции ввода, преобразования и вывода информации для последующей ее обработки в цифровом коде с помощью традиционных устройств. Это связано с решением ряда задач в области физики материаловедения и методов исследования полученных структур. В связи с этим, большое многообразие возможностей открывается при использовании пленок с высокой диэлектрической проницаемостью и, в частности, сегнетоэлектриков.

Несмотря на уникальность свойств, только в последнее десятилетие удалось добиться удовлетворительной контролируемой совместимости тонких слоев сегнетоэлектриков с полупроводниковыми матрицами в планарной технологии. Устройства энергонезависимой памяти, динамической памяти с произвольной выборкой, микроактюаторов, приемников ИК излучения, оптических процессоров, волноводов — вот далеко не полный перечень возможного использования свойств сегнетоэлектрических материалов.

Основная трудность при получении тонкопленочных слоев состоит в контролируемом формировании сегнетофазы. Данный процесс, как правило, является высокотемпературным, а с учетом присутствия в материале легколетучих компонентов (барий, свинец) возникают существенные трудности при изготовлении пленок субмикронной толщины, при сохранении концентрации и распределения компонентов. В последнее время в научной литературе появилось, значительное число публикаций, посвященных получению, методам исследования свойств и применению сверхтонких пленок, сегнетоэлектриков. Электрофизические свойства пленок зависят от стехиометрии входящих в нее элементов, размеров и ориентации кристаллитов, состояния границ раздела, вида и< концентрации дефектов. Основные исследования направлены на изучение влияния структуры [2−4], напряжений [5], морфологии поверхности [6], реакций с подложкой [7,8] и ряда других параметров пленок на сегнетоэлектрические свойства. Появляются сообщения о синтезе и исследовании параметров нанокристаллических сегнетоэлектриков [9,10].

Несмотря на очевидный прогресс в исследованиях в этом направлении, можно отметить известное отставание в развитии методов исследования и контроля параметров сверхтонких сегнетоэлектрических пленок, связанное с двумя основными причинами экспериментального характера. Во-первых, это сложности в получении объектов, приближенных к модельным представлениям, использующимся при теоретическом рассмотрении. Вторая причина обусловлена недостаточным развитием экспериментальных методов исследования объектов наноразмерного уровня.

В последние десятилетия разработаны и широко используются методы, связанные с зондовыми методами диагностики, однако проблемы, в методах исследования сверхтонких пленок сегнетоэлектриков, остаются. Важно отметить, что повышение аналитических возможностей физических методов диагностики, приближение размеров области взаимодействия зондов к характерным атомным размерам в определенной степени могут усложнять интерпретацию экспериментальных результатов. Это связано с особенностями физического взаимодействия и возможным усилением влияния инструмента на объект исследования.

Таким образом, при экспериментальном изучении параметров сегнетоэлектрических пленок перспективно использование комплексного подхода, подразумевающего применение современных физических методов диагностики поверхности и электрофизических методов исследования структур, в результате которого появляется возможность выявления особенностей свойств тонкопленочных структур. Данное обстоятельство крайне важно для обеспечения обратной связи конечных характеристик структур с разработкой и усовершенствованием технологий получения сверхтонких сегнетоэлектрических пленок и приборов на их основе.

Из вышеизложенного следует, что исследования по данной тематике актуальны, они представляют научный и практический интерес.

Целью работы являлось развитие и адаптация существующих методов измерения и контроля параметров сегнетоэлектрических материалов применительно к пленкам толщиной менее 100 нм, а также разработка новых методик исследования диэлектрических характеристик наноразмерных покрытий с высокой диэлектрической проницаемостью.

Задачи, которые необходимо решить для достижения поставленной цели:

Разработать методику и определить условия измерения характеристик сегнетоэлектрических пленок состава ЦТС толщиной менее 100 нм с использованием сканирующей зондовой микроскопии с проводящими кантилеверами.

Разработать инструментарий на основе типовых кремниевых кантилеверов для высокоразрешающих исследований сегнетоэлектрических пленок состава ЦТС с толщиной менее 100 нм, включающий формирование на зондовых иглах проводящих покрытий состава «УУхС толщиной до 5 нм.

Разработать методику и лабораторный стенд для комплексного измерения электрофизических, в том числе температурозависимых, параметров сегнетоэлектрических пленок толщиной менее 100 нм.

Разработать математическую модель для расчета эффективных механических и диэлектрических свойств нанокристаллических сегнетоэлектрических материалов с учетом состава и структуры межкристаллитной границы.

Объект исследований — приборы и методы контроля параметров пленок сегнетоэлектрических материалов толщиной менее 100 нм.

Научная новизна работы представлена следующими положениями:

Разработана методика и определены условия измерения характеристик сегнетоэлектрических пленок толщиной менее 100 нм с использованием сканирующей зондовой микроскопии с проводящими кантилеверами, основанная на определении временной зависимости релаксационных процессов в доменных областях сегнетоэлектрического материала.

На основе сформулированных требований к исследованию сегнетоэлектрических пленок методом сканирующей зондовой микроскопии предложены технологические подходы формирования проводящих и износоустойчивых покрытий состава WXC толщиной до 5 нм на типовых кремниевых кантилеверах, позволяющих с разрешением от 1 нм проводить анализ электрофизических свойств пленок, в том числе сегнетоэлектрических и пьезоэлектрических, с толщиной менее 100 нм.

Разработана методика комплексного измерения электрофизических, в том числе температурозависимых, параметров сегнетоэлектрических пленок толщиной менее 100 нм, основанная на выявлении зависимостей поляризационных процессов от состава материала и условий проведения измерений.

Предложена математическая модель, позволяющая рассчитывать эффективные механические и диэлектрические свойства нанокристаллических сегнетоэлектрических материалов, учитывающая состав и структуру межкристаллитной границы.

Практическая значимость работы.

На способ формирования покрытий состава WXC при температуре не более 500 °C (заявка № 2 009 135 890) получено положительное решение о выдаче патента от 20.05.2010.

Разработана методика измерения свойств поверхностных нанообъектов и проведена ее аттестация в Государственной службе стандартных справочных данных (ГСССД) («Методика измерения свойств поверхностных нанообъектов при помощи функциональных кантилеверов с наноразмерными функциональными покрытиями». Методика ГСССД. Сертификат № 170 от 19 мая 2010 г.).

Разработана методика измерения характеристик сегнетоэлектрических пленок толщиной менее 100 нм в локальных областях и проведена ее аттестация в Государственной службе стандартных справочных данных (ГСССД) («Методика измерения локальных свойств сегнетоэлектрических пленок толщиной менее 100 нм». Методика ГСССД. Сертификат № 148 от 22 января 2009 г.).

Разработана методика измерения электрофизических, в том числе температурозависимых, параметров пленок сегнетоэлектрических материалов толщиной менее 100 нм и изготовлен макет лабораторного стенда на базе персонального компьютера.

Степень обоснованности научных положений, результатов и выводов.

Результаты исследований и разработок, выводы и рекомендации, представленные в работе, получены автором с применением современных исследовательских и аналитических методов на сертифицированном оборудовании. Достоверность полученных в работе экспериментальных результатов подтверждается хорошей корреляцией с теоретическими расчетами в рамках предложенных моделей, а также с результатами исследований, выполненных другими авторами с использованием альтернативных методов и оборудования. При численной обработке экспериментальных результатов использовались лицензионные прикладные пакеты программ. Теоретические и экспериментальные результаты и положения работы не противоречат имеющимся в данной области общепринятым научным представлениям. Выводы и рекомендации, сделанные в работе, носят целостный характер и имеют тесную взаимосвязь с результатами работ, проведенными ранее в научной группе, в которую входит автор.

Основные научные положения, выносимые на защиту:

Методика измерения характеристик сегнетоэлектрических пленок толщиной менее 100 нм с использованием сканирующей зондовой микроскопии с проводящими кантилеверами, основанная на определении временной зависимости релаксационных процессов в доменных областях сегнетоэлектрического материала.

Способ создания проводящих и износоустойчивых кантилеверов, включающий формирование покрытия состава WXC толщиной не более 5 нм на зондовой игле типового кантилевера, что позволяет с разрешением от 1 нм проводить анализ электрофизических свойств пленок, в том числе сегнетоэлектрических пленок состава ЦТС.

Методика комплексного измерения электрофизических параметров сегнетоэлектрических пленок, основанная на выявлении зависимостей поляризационных процессов от состава и структуры материала, а также от температуры и условий проведения измерений.

Математическая* модель, связывающая эффективные механические и диэлектрические свойства нанокристаллических сегнетоэлектрических материалов со структурой и свойствами границ раздела кристаллитов.

Конкретное личное участие автора в получении научных результатов.

Автору принадлежит формулировка цели и задач исследований, обоснование и выбор способов их осуществления, выполнение теоретических и экспериментальных работ, а также обобщение полученных результатов. Автором разработаны и реализованы методики исследования локальных характеристик сверхтонких сегнетоэлектрических пленок. В исследованиях комплексного характера автору принадлежит формулировка целей и задач исследований, выводы и обобщение полученных результатов. Апробация работы.

Основные результаты диссертационной работыдокладывались и обсуждались на конференциях:

— The International Conference «Microand nanoelectronics — 2005, 2009» (ICMNE-2005, 2009).

— Всероссийских межвузовских конференциях студентов и аспирантов «Микроэлектроника и информатика» (Москва, Зеленоград, 2004 — 2007 гг.).

— IX и X Международных научных конференциях «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники». Таганрог, Дивноморское, 2004 и 2006 гг.

— Международной научно-технической школе-конференции. Москва. МИРЭА. 5−9 декабря 2006 г.

— II Международном форуме по нанотехнологиям. Москва, 2009 г. доклад отмечен дипломом 1 степени).

— 2010 MRS Spring Meeting. San Francisco. April 5−9, 2010.

— Международной научно-технической конференции и молодежной школе-семинаре «Нанотехнологии-2010». Таганрог, Дивноморское, 1924 сентября 2010 г.

Внедрение и использование результатов работы.

Технология создания высокоразрешающих износоустойчивых кантилеверов с проводящими покрытиями состава WXC толщиной не более 5 нм внедрена в ЗАО «НТ-МДТ».

Технология формирования функциональных покрытий толщиной 5−50 нм внедрена в Hl Iii «Технология».

Результаты внедрения подтверждены соответствующими актами.

Результаты диссертационной работы, касающиеся разработки и использования методов контроля параметров веществ, материалов и изделий, использованы в НИР:

Исследование процессов импульсной конденсации электроэрозионной плазмы и разработка принципов формирования и синтеза сверхтонких диэлектрических покрытий". Г. Р.№ 1 200 954 663. Аналитическая ведомственная целевая программа «Развитие научного потенциала высшей школы (2009;2010 годы)» Проект 2.1.2.1252.

Исследование особенностей структуры и фазовых переходов в тонких некристаллических пленках углерода при энергетических воздействиях". Г. Р.№ 1 200 612 546. Аналитическая ведомственная целевая программа «Развитие научного потенциала высшей школы (2006;2008 годы)». Проект 2.1.2.3890.

Исследование физико-химических принципов формирования сверхтонких пленок пьезоэлектрических материалов состава титанат-цирконат свинца". Г. Р.№ 1 200 806 914. Задание Федерального агентства по образованию на проведение научных исследований по тематическому плану вуза (2008;2010 годы).

Результаты диссертационных исследований использованы в учебном процессе МИЭТ при модернизации курсов лекций и лабораторного практикума по дисциплинам «Технология материалов микро-, оптои наноэлектроники», «Современные методы нанотехнологии», «Основы нанотехнологии».

Публикации.

По результатам диссертационной работы опубликовано 30 научных трудов, включая 5 статей, в том числе 3 статьи в изданиях, входящих в перечень ВАК, получен 1 патент и 1 положительное решение о выдаче патента.

Структура и объем диссертации

.

Диссертация состоит из введения, четырех основных глав с выводами, общих выводов, списка литературы из 91 наименования и трех приложений, включающих акты внедрения и использования результатов работы. Основное содержание диссертации изложено на 146 страницах и содержит 75 рисунков и 6 таблиц.

Выводы к четвертой главе.

1. Предложен технологическиий подход формирования проводящих покрытий WXC толщиной до 5 нм для создания функциональных кремниевых кантилеверов. Изготовлены и протестированы кантилеверы, позволяющие проводить анализ электрофизических свойств сегнетоэлектрических пленок с разрешающей способностью от 1 нм;

2. Предложена методика определения в локальных областях электрофизических характеристик (время релаксации, скорость движения доменной стенки) сегнетоэлектрических пленок состава ЦТС толщиной менее 100 нм с использованием сканирующей зондовой микроскопии с проводящими кантилеверами;

3. Проведена апробация методики измерений сверхтонких пленок сегнетоэлектриков. Определены параметры времени релаксации exp{-(t/t0)b} для положительной и отрицательной области поляризации при сканирований. Время релаксации для положительной области составило величину — t0=6790±1755 с, для отрицательной областиt0=3154±554 с.

4. Для сверхтонких пленок сегнетоэлектриков толщиной менее 100 нм произведен расчет скорости движения доменной стенки. Средняя скорость движения доменной стенки составила 10 нм/с, при этом расчет проводился только для 180° доменных стенок, что связано с особенностями структуры сегнетоэлектрических пленок.

5. Для оценки и апробации применимости сканирующей зондовой микроскопии в исследовании поверхности сегнетоэлектрических материалов были разработаны тестовые образцы, включающие конденсаторные структуры с никелевыми электродами и пленкой состава PbTi0,52Zr0,483 толщиной от 40 до 100 нм.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

По результатам работы можно сделать следующие выводы.

1. Предложена модель расчета упругих, диэлектрических и пьезоэлектрических свойств нанокристаллических систем, учитывающая размеры кристаллитов и межкристаллитной фазы, на основании которой проведены расчеты эффективных упругих, диэлектрических, пьезоэлектрических свойств нанокристаллического кварца с межкристаллитной фазой в виде стекла и сегнетоэлектрического твердого раствора РЬТло^г&о^Оз с межкристаллитной фазой в виде титаносвинцового стекла. Полученные зависимости являются нелинейными и убывающими. При увеличении нарушенного слоя (межкристаллитной границы) от 1 нм до 10 нм свойства нанокристаллического материала стремятся к свойствам поликристаллического.

2. Предложена схема и разработан макет лабораторного стенда для измерения электрофизических и температурозависимых свойств диэлектрических пленок толщиной менее 100 нм на базе персонального компьютера со встроенной платой двухканального осциллографа, генератора импульсов произвольной формы и нагревательного элемента с микропроцессорным регулятором температуры.

3. На основе макета стенда и предложенной методики измерений электрофизических свойств проведена оценка пьезоэлектрических величин для пленок состава РМло^^го^бОз. Для эталонных пленок толщиной более 100 нм диэлектрическая проницаемость при частоте 1 МГц принимала значения в интервале от 700 до 1000, для экспериментальных пленок толщиной от 50 нм до 100 нм, полученных при температурах менее 450 °C, значение 8 при той же частоте находилось в интервале от 500 до 900.

4. На основе предложенной методики проведены измерения температурозависимых свойств экспериментальных пленок толщиной менее 100 нм. Построены температурные зависимости приведенной емкости и диэлектрический проницаемости от температуры и частоты синусоидального сигнала. Определено значение температуры Кюри и установлено наличие сегнетоэлектрической фазы в экспериментальных образцах, что позволило конкретизировать технологические режимы синтеза наноразмерных пленок состава PbTio, 52Zr0j4803.

5. Предложен принцип и разработана технология формирования проводящих покрытий состава WXC толщиной до 5 нм на поверхности зондовой иглы кремниевых кантилеверов. Изготовлены и протестированы проводящие кантилеверы, позволяющие проводить анализ электрофизических свойств поверхности материалов, в том числе сегнетоэлектрических пленок, с разрешающей способностью от 1 нм.

6. Предложена методика определения в локальных областях электрофизических характеристик (время релаксации, скорость движения доменной стенки) сегнетоэлектрических пленок состава ЦТС толщиной менее 100 нм на основе сканирующей зондовой микроскопии с проводящими кантилеверами. Для экспериментальных пленок состава PbTi0,52Zr0,48O3 различной толщины определено значение времени релаксации to, составившее величину для положительной области поляризации — to=6790±1755 с, для отрицательной области поляризации — t0=3154±554 с. Средняя скорость движения доменной стенки составила 10 нм/с, при этом расчет проводился только для 180° доменных стенок, что связано с особенностями структуры сегнетоэлектрических пленок.

7. Разработанные в рамках проведенных исследований приборы и методы измерения и контроля параметров сегнетоэлектрических пленок позволили определить основные технологические условия реализации низкотемпературного синтеза наноразмерных пленок состава.

PbTio, 52Zro, 4803 для дальнейшего использования в наноэлектронике, механотронике и сенсорике.

Показать весь текст

Список литературы

  1. А.С.Сигов. Сегнетоэлектрические тонкие пленки в микроэлектронике// Соросовский образовательный журнал.-1996.-№ 10.-С.83−91.
  2. A.Fujisava, M. Furihata, I. Minemura et all. Effects of Zr/Ti Ratio on- Crystall Structure of Thin- Lead Zirconate-Titanate Films Prepared by Reactive Spattering//Jpn.J.Appl.Phys.-1993.-V.32.-P.4048−4051.
  3. S.Takahashi, S. Miyao, S. Yoneda M.Kuwabara. Preparation of Dense and-Pure Perovskite Ceramics in РЬ (№ 1/3М)2/з)Оз-РЬТЮз System//Jpn.J.Appl.Phys.-1993.-V.32.-P.4245−4248.
  4. S.Wada, T. Suzuki, T.Noma. The Effect of the Particle Sizes and^ the Correlational Sizes of Dipoles Introduced1 by the Lattice Defects on the Crystal Structure of Barium Titanate Fine Particles//Jpn.J:Appl.Phys.-1995.-V.34.-P.5368−5379.
  5. T.Tanimoto," K. Okazaki- K.Yamamoto. Tensile Stress-Strain^ Behavior of Piezoelectric Ceramics//Jpn.J.Appl.Phys.-1993.-V.32.-P.4233'-4236.
  6. T.Atsuki, N. Soyama,.G:Sasaki,.T.Yonezawa', K. Ogi, K. Sameshimaj K.Hoshiba, Yu. Nakao, A.Kamisawa. Surface Morphology ofi Lead-Based- Thin3 Films- and' Their Properties//Jpn. J. ApphPhys.-1994.-V.33.-P:5196−5200.
  7. Yu.Shichi, S. Tanimoto, T. Goto, K. Kuroiwa, Y.Tarui. Interaction of PbTi03 Films with-Si Substrate//Jpn.J.Appl.Phys.-1994.-V.33.-P.5172−5177.
  8. H.Hatano, S. Okamura, S. Ando, T.Tsukamoto. Properties of Ferroelectric Pb (Zr, Ti)03 Thin. Films on TiSi2/Sl Substrates//JpnJ.Appl.Phys.-1995.-V.34.-P.5263−5265.
  9. K.Takahashi, M: Nishida, S. Kawashima, K.Kugimiya. Piezoelectric Properties of Nanostructure-Controlled Lead: Perovskite-Based Ceramics//Jpn.J.Appl.Phys.-1994.-V.33.-P.5313−5316.
  10. S. Kudo, S. Tashiro, H.Igarashi. Oxygen-Atmosphere Firing of Piezoelectric Lead Zirconate Titanate Ceramics Substituted with. Lead Antimonate Niobate Having Submicron Particle. Sizes//JpmJiAppl.Phys.-1995.-V.35.-P.5303−5305.
  11. N.M. Shorrocks, A. Patel, M.J. Walker. Microelectronic Ingineering. 29, 59 (1995).
  12. R.W. Whatmore. Ferroelectrics 225, 179 (1999).
  13. ., Кук У., Яффе Г. Пьезоэлектрическая керамика. М.: Мир. 1974. 288 с.
  14. A.L. Kholkin, K.G. Brooks, D.V. Taylor, et al. Integrated Ferroelectrics. 22, 525 (1998).
  15. Bruchhaus R., Pitzer D., Schreiter M., J.Electroceram. 1999. V.3. P. l51−162
  16. И.П., Каптелов Е. Ю., Гольцев A.B. ФТТ. 2003. T.45. № 9, с. 16 851 690.
  17. Xu Yu., Mackenzie J.D. Ferroelelectric thin- films prepared- by sol-gel processing. // Integrated.Ferroelectrics. 1992. V.l. P. 17−42.
  18. Budd K.D., Dey S.K., Payne D.A. Thin-film, ferroelectric of PZT by sol-gel processing. //Proc.Brit.Ceram.Soc. 1985. V.36. P.107−121.
  19. Klee M., De Veirman A., Taylor D.J., Larsen P.K. Structure-property relations in polycrystalline titanate thin films. // Integrated Ferroelectrics. 1994. V.4. P. 197 206.
  20. Suchaneck G.- Lin Wen-Mei- Gerlach G.- Deyneka A.- Jastrabik L. Multitarget reactive sputter deposition of lead-enreached Pb (Zr, Ti)03 thin films. // Integrated Ferroelectrics. 2006. V.80. P. 189−202.
  21. Song Z.-T., Ren W., Zhang L.-Y., Yao X., Lin Ch. A study on abnormal electric properties of lead lanthanum titanate thin films caused by excess PbO. // Thin Solid Films. 1999. V.353. P.25−28.
  22. Okamura S., Abe N., Otani Y., Shiosaki T. Influence of Pt/Ti02 bottom electrodes on the properties of ferroelectric Pb (Zr, Ti) C>3 thin films. // Integrated Ferroelectrics. 2003. V.52. P. 127−136.
  23. В.П., Мосина Г. Н., Петров A.A., Пронин И. П., Сорокин Л. М., Тараканов. Особенности поведения конденсаторных структур на основе пленок цирконата-титаната свинца с избытком окиси свинца. // Письма в ЖТФ. 2001. Т.27. Вып.11. С. 56−63.
  24. Tagantsev А.К., Stolichnov I., Colla E.L., Setter N. Polarization fatigue inferroelectric films: basic experimental findings, phenomenological- scenarios, and microscopic features. //J.Appl.Phys. 2001. V.90.P.1387−1402:
  25. Chonge S.G., Goo E., Ramesh R. Microstructure of c-axis oriented lead titanate thin films by pulsed laser ablation. // Appl.Phys.Lett. 1993. V.62.P. 1742−1744.
  26. Watanabe H., Mihara Т., C.A. Paz de Araujo. Device effect of varios Zr/Ti ratios of PZT thin-film prepared by sol-gel method. // Integrated Ferroelectrics. 1992. V.1.N.2−4.P.293−304.
  27. Spierings G.A.C.M., Dormans G.J.M., Moors W.G.J., Ulenaers M.J.E., Larsen P.K. Stresses in Pt/Pb (Zr, Ti)03/Pt thin-film stacks for integrated ferroelectric capacitors. // J.Appl.Phys. 1995. V.78. P.926−1933.
  28. Grossmann M., Loshe O., Bolten 1)., Boettger U., Waser R., Hartner W., Kastner M., Schindler G. Lifetime estimation due to imprint failure in ferroelectric SrBi2Ta209 thin films. // Appl.Phys.Lett. 2000. V.76. P.363−365.
  29. Sputter-deposition, of 11 l.-axis oriented rhombohedral PZT films and their dielectric, ferroelectric and pyroelectric. properties / M. Adachi, T. Matsuzaki,
  30. N.Yamada, T. Shiosaki, A. Kawabata // Jpn.J.Appl.Phys. 1987. V.26. P.550−553.
  31. Xu Yu., Mackenzie J.D. Ferroelelectric thin films prepared by sol-gel processing//Integrated.Ferroelectrics. 1992. V.l. P. 17−42.
  32. Формирование и исследование свойств пленок цирконата-титаната свинца на диэлектрических подложках с подслоем платины / В .П. Афанасьев, Е. Ю. Каптелов, Г1Ъ Крамар, ИЛ. Пронин, Т. А. Шаплыгина // ФТТ. 1994. Т.36. Р.1657−1665.
  33. Iijima К, Ueda I, Kugimiya К. Preparation and. properties of lead zirconate — titanate thin films. // Jpn.J.Appl.PKys. 1991. V.30. P.2149−2151.
  34. Оптический контроль однофазности тонких поликристаллических сегнетоэлектрических пленок со структурой перовскита / И. П. Пронин, Н. В. Зайцева, Е. Ю. Каптелов, В. П. Афанасьев // Известия РАН, сер. физ. 1997. Т.61. Вып.2. С.379−382.
  35. Kelman M.B., Mclntyre P.G., Hendrix B.C., Bilodeau S.M., Roeder J.F. Structural analysis of coexisting tetragonal and rhombohedral phases in polycrystalline Pb (Zr0.35Ti0.65)03 thin films-//-Journal of Materials Research. -2003. V.18, N.l. — P. 173−179.
  36. Kelman M.B., Schloss L.F., Mclntyre P.C., Hendrix B.C., Bilodeau S.M., Roeder J.F. Thickness-dependent phase evolution of polycrystalline Pb (Zro.35Tio.65)03 thin films-//-Applied Physics Letters. 2002. — V.80, N.7. — P. 1258−1260.
  37. Kholkin A., Colla E., Brooks K., Muralt P., Kohli M., Maeder Т., Taylor D., Setter N. Interferometric study of piezoelectric degradation in ferroelectric thin films•//¦ Microelectronic Engineering. 1995. — V.29, N. l-4. — P. 261−264.
  38. Kholkin A.L., Colla E.L., Tagantsev A.K., Taylor D.V., Setter N. Fatigue of piezoelectric properties in Pb (Zr, Ti)03 films•//• Applied Physics Letters. 1996. -V.68, N.18. — P. 2577−2579.
  39. Kim S., Gopalan V., Kitamura K., Furukawa Y. Domain reversal and nonstoichiometry in lithium tantalate-//-Journal of Applied Physics. 2001. — V.90, N.6. — P. 2949−2963.
  40. Kirsch W., Helke G. Dielectric and piezoelectric properties of the ceramic ternary solid solutions Pb (№i/3Sb2/3)03-PbTi03-PbZr037/Hermsdorfer Technische Mitteilungen. 1971. — V. l 1, N.32. — P. 1010−1015.
  41. Kobayashi J., Yamada N., Nakamura T. Origin of the Visibility of the Antiparallel 180° Domains in Barium Titanate-//-Physical Review Letters.- 1963. -V.l 1, N.9. P. 410−414.
  42. Budd K.D., Dey S.K., Payne D.A. Thin-film ferroelectric of PZT by sol-gel processing. //Proc.Brit.Ceram.Soc. 1985. V.36. P.107−121.
  43. Dey S.K., Zulleg R. Integrated sol-gel PZT thin films on Pt, Si and GaAr for nonvolatile memory applications. // Ferroelectrics. 1990. V.108. P.37−46.
  44. Klissurska R.D., Maeder Т., Brooks K.G., Setter N. Microstructure of PZT sol: gel films on Pt substrates with different adhesion layers. // Microelectronic Engineering. 1995. V.29. P.297−300.
  45. Onsager L. Crystal Statistics. I. A Two-Dimensional Model with an OrderDisorder Transition. 1944. Phys. Rev. 65. P. l 17.
  46. Л.Д., Лифшиц Е. М. Статистическая физика (М.: Наука, 1964)
  47. Гинзбург В Л ЖЭТФ. 1945. 15. С. 739.
  48. В.Л. О поляризации и пьезоэффекте титаната бария вблизи точки сегнетоэлектрического перехода. ЖЭТФ. 1949. 19. С. 36.
  49. Ishikawa К, Yoshikawa К, Okada N. Size effect on the ferroelectrics phase transition in PbTi03 ultrafine particles. Phys. Rev. 1988. В 37. P.5852.
  50. Prasertchoung S., Nagarajan V., Ma Z., Ramesh R. Polarization switching of submicron*ferroelectric capacitors using an, atomic force microscope. Appl. Phys. Lett. 2004. 84. P.3130−3132.
  51. Batra I. P, Silverman B: D. Thermodynamic Stability of Thin Ferroelectric Films. Solid- State Commun. 1972*. M. P.291.70- Scott J.F. The physics of ferroelectric ceramic thin films for device applications. Ferroelectr. Rev. 1998. 1. P. 1−130.
  52. Li S, Eastman1 A., Li Z., Foster C.M., Newnham R.E., Cross L.E. Size effects in nanostructured ferroelectrics. Phys. Lett. 1996. A 212 P.341−346
  53. Yanase N., Abe K., Fukushima N., Kawakubo T. Thickness Dependence of Ferroelectricity in Heteroepitaxial BaTi03 Thin Film Capacitors. Jpn. J. Appl. Phys. 1999. 38. P.5305−5308.
  54. Karasawa J. Integr. Ferroelectrics. 1996. 12. P. 105.
  55. Li S., Eastman J.A., Vetrone J.M., Foster C.M., Newnham R.E., Cross L.E. Dimension and Size Effects in Ferroelectrics. Jpn. J. Appl. Phys. 1997. 36. P.5169.
  56. Maruyama Т., Saitoh M., Sakai I., Hidaka Т., Yano Y., Noguchi T. Growth and characterization of 10-nm-thick c-axis oriented epitaxial PbZr0.25Ti0 75О3 thin films on (100)Si substrate. Appl. Phys. Lett. 1998. 73. P.3524−3526.
  57. Tybell Т., Ahn C.H., Triscone J.-M. Ferroelectricity in Thin Perovskite Films. Appl. Phys. Lett. 1999. 75. P.856.
  58. Ghosez Ph., Rabe K.M. A microscopic model of Ferroelectricity in freestanding РЬТЮ3 Ultrathin Films. Appl. Phys. Lett. 2000. 76. P.2767−2769.
  59. Zembilgotov A.G. Ultrathin epitaxial ferroelectric films grown on compressive substrates: Competition between the surface and strain effects. J. Appl. Phys. 2004. 91. P.2247−2254.
  60. Tilley D.R., Zeks B. Landau theory of phase transitions in thick films. Solid State Commun. 1984. 49. P.823.
  61. Tilley D.R. Finite-Size Effects on Phase Transitions in Ferroelectrics. In Ferroelectric Thin Films: Synthesis and Basic Properties. Vol. 3. Eds, Paz De Araujo C., Scott J.F., Taylor G.F. Gordon and Breach, Amsterdam, 1996, P. l 1.
  62. Wang C.L., Zhong W.L., Zhang P.L. J. Phys.: Condens. Matter. 1992. 3. P.4743.
  63. Qu B.D., Zhang P.L., Wang Y.G., Zhong, W.L. Dielectric susceptibility of ferroelectric thin films. Ferroelectrics. 1994. 152. P.219−224.
  64. Lines M.E., Glass A.M. Principles and Applications of Ferroelectrics and Related Materials (Oxford: Clarendon Press, 1977).
  65. Kohlstedt H., Pertsev N.A., Waser R. Size effects on polarization in epitaxial ferroelectric films and the concept of ferroelectric tunnel junctions including first results. Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 2002. 688. P. l61.
  66. De Gennes P.G. Collective motions of hydrogen bonds. Solid State Commun. 1963. 1. P.132−137.
  67. Cottam M.G., Tilley D.R., Zeks B. Theory of surface modes in ferroelectrics. J. Phys. C: Solid State Phys. 1984. 17. P. 1793−1823.
  68. Г. С. Основы рентгеноструктурного анализа// М. -Л., 1940, 340с.
  69. М.В., Рощин В. М., Сагунова И. В., Шевяков В. И., Способформирования тонких пленок карбида вольфрама. Патент (21) № 2 009 135 890/12 (50 661) от 20.05.2010
  70. Sawyer C.B., Tower С.Н. Rochelle Salt as a Dielectric// Physical Review.-1930. V.35, N.3. — P. 269−273
  71. Спектрофотометры. Техническое описание и руководство по эксплуатации. М., 2002
  72. Р. А., Глезер А. М. Физ. мет. и металловедение, 1999, т. 88, № 1, с. 50−73- 2000
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!