Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Исследование взаимодействия лазерного излучения с нанографитными пленками для создания фотоприемника на оптическом выпрямлении

Диссертация: Исследование взаимодействия лазерного излучения с нанографитными пленками для создания фотоприемника на оптическом выпрямлении
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Нелинейно-оптические свойства могут проявлять не только взвеси углеродных нанотрубок в растворах, но и их пленочные структуры на различных подложках. Технологии изготовления углеродных пленок довольно хорошо изучены и применяются для получения различных пленок, в том числе и нанографитных. Обычно наноуглеродные пленки представляют интерес как холодные катоды, обладающие аномально низким пороговым… Читать ещё >

Исследование взаимодействия лазерного излучения с нанографитными пленками для создания фотоприемника на оптическом выпрямлении (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • УСЛОВНЫЕ СОКРАЩЕНИЯ
  • Глава 1. ЭФФЕКТ ОПТИЧЕСКОГО ВЫПРЯМЛЕНИЯ И ЕГО ф ПРИМЕНЕНИЯ (ОБЗОР)
    • 1. 1. Теоретические основы эффекта оптического выпрямления
    • 1. 2. Характерные особенности ЭОВ
    • 1. 3. Применения эффекта оптического выпрямления
      • 1. 3. 1. Измеритель мощности
      • 1. 3. 2. Генератор сверхкоротких электрических импульсов
      • 1. 3. 3. Генерация терагерцового излучения
  • ГЛАВА 2. ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ ОБОРУДОВАНИЕ
  • Ф
    • 2. 1. Наносекундные источники лазерного излучения в различных областях оптического спектра. щ
    • 2. 2. Оптический микроскоп «Neophot 32», сопряженный с цифровой фотокамерой
      • 2. 2. 1. Краткое описание микроскопа «Neophot 32 «
      • 2. 2. 2. Сопряжение микроскопа с цифровой фотокамерой
    • 2. 3. Модернизация эллипсометра ЛЭФ — ЗМ для исследования диффузно рассеянного света
  • Ф 2.3.1. Устройство и работа эллипсометра
    • 2. 3. 2. Модернизация эллипсометра
  • ГЛАВА 3. ИССЛЕДОВАНИЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ МОЩНОГО ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ С НАНОГРАФИТНЫМИ ПЛЕНКАМИ
    • 3. 1. Свойства и состав нанографитных пленок
    • 3. 2. Определение порога лазерного разрушения нанографитных пленок
    • 3. 3. Особенности лазерной обработки нанографитных пленок
      • 3. 3. 1. Анизотропное лазерное испарение нанографитных пленок
      • 3. 3. 2. Модель анизотропной абляции
  • ГЛАВА 4. НАБЛЮДЕНИЕ И ИССЛЕДОВАНИЕ ЭФФЕКТА Щ ОПТИЧЕСКОГО ВЫПРЯМЛЕНИЯ В НАНОГРАФИТНЫХ ПЛЕНКАХ
    • 4. 1. Экспериментальное наблюдение ЭОВ
      • 4. 1. 1. Формы импульсов. ф 4.1.2. Зависимости от ориентации нанаграфитной пленки
      • 4. 1. 3. Зависимости от мощности лазерного излучения
    • 4. 2. Исследование спектральной зависимости ЭОВ
    • 4. 3. Влияние толщины нанографитной пленки на ЭОВ
    • 4. 4. Теоретическое рассмотрение ЭОВ в нанографитных пленках
  • ГЛАВА 5. БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЙ ФОТОПРИЕМНИК МОЩНОГО ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ НА ОСНОВЕ ЭОВ
    • 5. 1. Конструкция быстродействующего фотоприемника мощного
  • Ф лазерного излучения
    • 5. 2. Исследование основных характеристик фотоприемника на ЭОВ
      • 5. 2. 1. Быстродействие фотоприемника
      • 5. 2. 2. Исследование влияния размерного фактора на чувствительность фотоприемника
        • 5. 2. 2. 1. Влияние межэлектродного расстояния
        • 5. 2. 2. 2. Влияние длины электродов
        • 5. 2. 2. 3. Влияние ширины пленки
        • 5. 2. 2. 4. Локальная чувствительность
      • 5. 2. 3. Сравнительное исследование фотоприемников из нанографитной пленки и кремниевой пластины
      • 5. 2. 4. Качественная модель нанографитного фотоприемника
    • 5. 3. Возможные применения нанографитного приемника на основе ЭОВ
      • 5. 3. 1. Регистрация формы импульсов лазерного излучения
      • 5. 3. 2. Генератор сверхкоротких электрических импульсов
      • 5. 3. 3. Датчикуглового положения
      • 5. 3. 4. Навигационная система

Диссертационная работа посвящена разработке оптоэлектронных устройств на основе исследований оптических и нелинейно-оптических свойств нового нанографитного пленочного материала с использованием наносекундных источников мощного лазерного излучения.

Объектом исследования являются нанографитные пленки, выращенные методом плазмохимического осаждения из смеси метана и водорода.

Предметом исследования являются методы и средства лазерной обработки материалов мощным лазерным излучением наносекундной длительности.

Актуальность темы

Приборостроение постоянно нуждается в пополнении элементной базы для создания более совершенных устройств. Поэтому одним из самых важных этапов технологии приборостроения является изыскание и внедрение новых материалов. В связи с этим в последние годы наблюдается растущий интерес к изучению оптических и нелинейно-оптических свойств наноуглеродных материалов. Известно, что углеродные нанотрубки используются в качестве холодных катодов для создания плоских панельных дисплеев, в осветительных приборах и для разработки малогабаритных источников рентгеновского излучения. Растворы различных форм наноуглеродных материалов проявляют нелинейно-оптические свойства и могут являться оптическими переключателями и ограничителями лазерного излучения (лимитерами).

Нелинейно-оптические свойства могут проявлять не только взвеси углеродных нанотрубок в растворах, но и их пленочные структуры на различных подложках. Технологии изготовления углеродных пленок довольно хорошо изучены и применяются для получения различных пленок, в том числе и нанографитных. Обычно наноуглеродные пленки представляют интерес как холодные катоды, обладающие аномально низким пороговым значением напряженности электрического поля, вызывающего туннелирование электронов с поверхности в вакуум [1−4]. Однако особенности взаимодействия мощного лазерного излучения с такими пленками до последнего времени не были изучены. Для технологии оптоэлектронного приборостроения представляет интерес изыскание наноуглеродных материалов, обладающих нелинейно-оптическими свойствами. Одним из интересных нелинейно-оптических эффектов для оптоэлектроники с применением углеродных материалов является эффект оптического выпрямления (ЭОВ).

ЭОВ является примером нелинейного взаимодействия мощного лазерного излучения со средой и обычно наблюдается в нелинейно-оптических кристаллах. Этот эффект проявляется при прохождении мощного лазерного импульса через нелинейно-оптический кристалл. В результате в кристалле возникает электрическая поляризация, изменяющаяся во времени пропорционально огибающей мощности лазерного импульса. Если на торцах нелинейно-оптического кристалла имеются металлические электроды, то поляризация приводит к появлению между электродами импульсного напряжения, временная форма которого повторяет форму лазерного импульса. Время релаксации электронной поляризуемости, ответственной за ЭОВ имеет порядок около 10'15с. Из этого вытекает возможность применения указанного эффекта для создания генераторов сверхкоротких импульсов для целей микроэлектроники, быстродействующих фотопреобразователей для регистрации формы лазерных импульсов и т. д.

Обычно для регистрации сверхкоротких световых импульсов используются приемники излучения на основе внешнего и внутреннего фотоэффектов. Из приемников, основанных на внешнем фотоэффекте, используются вакуумные фотодиоды, т. е. фотоэлементы (ФЭ). Быстродействие ФЭ ограничено разбросом времен пролета фотоэлектронов от катода к аноду и переходными процессами в контуре фотоэлемент-нагрузка. Коаксиальные ФЭ, например, имеют время нарастания переходной характеристики порядка Ю" 10 с. Наряду с относительно большими габаритными размерами одним из основных недостатков коаксиальных ФЭ является необходимость подачи на них высокого напряжения около (0.1−1) кВ.

Полупроводниковые приемники излучения на основе внутреннего фотоэффекта, такие как, pin и лавинные фотодиоды имеют малые размеры Л размер светоприемной части около 1 мм), работают при невысоких уровнях постоянного напряжения и обеспечивают время нарастания переходной.

8 9 характеристики (10″ - 10″) с. Одним из основных недостатков лавинных фотодиодов является требование поддержания рабочего напряжения с высокой точностью.

Временное разрешение датчиков, основанных на ЭОВ, во много раз превосходит быстродействие существующих в настоящее время фотоприемников. За счет этого эффекта возможно прямое преобразование мощности сверхкороткого лазерного импульса в импульс электрического напряжения, повторяющий форму лазерного импульса. Это позволяет использовать ЭОВ в приборах для измерения длительности импульсов мощного лазерного излучения. Сверхкороткие электрические импульсы, полученные с помощью ЭОВ, могут быть применены в скоростной цифровой технике. Линейный характер зависимости амплитуды сигнала ЭОВ от мощности лазерного излучения позволяет создавать измерители мощности лазерного излучения.

Основным препятствием широкого использования ЭОВ в оптоэлектронных приборах является низкий коэффициент преобразования лазерной мощности в амплитуду импульса электрического напряжения известными нелинейно-оптическими кристаллами. Тем не менее, ЭОВ в настоящее время используется для генерации излучения терагерцового диапазона, находящего применения в медицине, молекулярной спектроскопии, для построения изображений скрытых объектов и.т.д.

В связи с этим, актуален поиск и исследование новых материалов, обладающих повышенным коэффициентом преобразования лазерной мощности в амплитуду импульса электрического напряжения при ЭОВ. Это позволит разработать оптоэлектронные приборы с лучшими характеристиками, работающих на новых физических принципах, для различных задач технологии приборостроения.

Цель работы — разработка новых типов оптоэлектронных устройств на основе исследований оптических и нелинейно-оптических явлений, возникающих при взаимодействии мощного лазерного излучения с нанографитными пленками.

Для достижения поставленной цели решались следующие задачи:

1. Наблюдение и исследование эффекта оптического выпрямления в нанографитных пленках.

2. Разработка быстродействующего фотоприемника мощного лазерного излучения из нанографитной пленки на основе эффекта оптического выпрямления и определение его основных характеристик.

3. Определение порога лазерного разрушения нанографитных пленок.

4. Исследование морфологии поверхности шероховатых нанографитных пленок после воздействия мощным лазерным излучением.

Методы исследования. В диссертации использован комплексный метод, включающий экспериментальные исследования и теоретическое обоснование полученных результатов. Работа выполнялась с применением физического моделирования, в теоретических исследованиях использовались теоретические основы взаимодействия лазерного излучения со средой и принципы нелинейной оптики. В экспериментальных исследованиях применялись теория измерения физических величин, статистические методы обработки результатов исследования, а так же методы научного эксперимента.

Достоверность результатов исследований и работоспособность созданных устройств подтверждена в широкомасштабной серии физических экспериментов. Обоснование теоретических утверждений выполнено с опорой на известные физические методы. Анализ экспериментальных данных проведен с соблюдением критериев достоверности статистических испытаний и физических измерений.

Научная новизна диссертационного исследования состоит в том, что в нем:

1. Обнаружен ЭОВ в нанографитных пленках, возникающий на квадрупольном вкладе квадратичной по полю статической поляризации нелинейной среды нанографитного материала.

2. Показано, что при толщине нанографитной пленки в пределах (2−2.5) мкм наблюдается максимальная амплитуда сигнала ЭОВ.

3. Установлено, что амплитуда сигнала ЭОВ в нанографитной пленке в диапазоне длин волн (266−1900) нм возрастает обратно пропорционально длине волны.

4. Разработан быстродействующий широкополосный фотоприемник мощного лазерного излучения, работающий на ЭОВ в нанографитной пленке. Фотоприемник функционирует без внешнего источника питания и схем усиления импульсов, обеспечивает регистрацию лазерных импульсов в широком спектральном диапазоне от 266 нм до 5000 нм с быстродействием менее 0.5 не, а его чувствительность на длине волны 1000 нм составляет 500 мВ/МВт.

5. Показано, что воздействие мощного линейно-поляризованного лазерного излучения на нанографитные пленки сопровождается возникновением в них пространственно-ориентированных структур. Ориентация структур, определяемая поляризацией лазерного излучения, связана с анизотропной абляцией нанографитного материала пленки, обусловленной поляризационной зависимостью коэффициентов поглощения и отражения света для непрозрачной шероховатой поверхности.

Практическая ценность работы состоит в том, что разработанный широкополосный быстродействующий фотоприемник мощного лазерного излучения из нового нанографитного материала может быть использован для измерения энергетических параметров импульсного лазерного излучения и изготовления датчиков пространственного расположения объектов, работающих на новом физическом принципе.

Работа выполнялась при поддержке INTAS (проект № 01−0254), РФФИ (проект № 04−02−96 011) и «Фонда содействия отечественной науке».

Положения, выносимые на защиту.

1. При наносекундном импульсном лазерном облучении проводящих нанографитных пленок, полученных методом плазмохимического осаждения на кремниевых подложках, возникает электрический импульс ЭОВ, форма которого повторяет форму лазерного импульса, а амплитуда существенно зависит от пространственной ориентации нанографитной пленки и поляризации лазерного излучения.

2. При облучении нанографитных пленок толщиной более 2 мкм оптическим излучением на длине волны 1064 нм импульс ЭОВ наблюдается при полном отсутствии фотоэлектрического сигнала, возникающего от кремниевой подложки. Максимальная амплитуда сигнала ЭОВ достигается при толщине нанографитной пленки в пределах (2−2.5) мкм.

3. Разработанный быстродействующий фотоприемник мощного лазерного излучения, состоящий из нанографитной пленки и двух параллельных электродов, расположенных на его поверхности, обеспечивает регистрацию наносекундных лазерных импульсов в широком спектральном диапазоне от 266 до 5000 нм с быстродействием менее 0.5 не. Максимальная чувствительность фотоприемника достигается при размерах светочувствительной пленки, близкой к диаметру пучка лазера.

4. Импульсная лазерная обработка нанографитных пленок линейно-поляризованным излучением с плотностью мощности более 18 МВт/см сопровождается анизотропной абляцией поверхности пленки, наблюдаемой в индикатрисе диффузно рассеянного на поверхности пленок излучения маломощного источника света.

Апробация работы. Материалы диссертационной работы докладывались на X International Conference «Laser — assisted Micro and Nanotechnologies» (Россия, Санкт-Петербург, 2003) — VI Российской университетско-академической научно-практической конференции (Россия, Ижевск, 2004) — Конференции молодых ученых КоМУ-2004 (Россия, Ижевск, 2004) — Conference on Lasers and Electro-Optics/International Quantum Electronics Conference (San Francisco, California, USA, 2004) — XXXVIII annual conference of the Finnish Physical Society (Oulu, Finland, 2004) — IXIth international winterschool euroconference on electronic properties of novel materials/Molecular nanostructures (Kirchberg/Tirol, Austria, 2005) — Школе-семинаре «Наноматериалы, нанотехнологии» КоМУ-2005 (Россия, Ижевск, 2005) — International Conference on Coherent and Nonlinear Optics (Россия, Санкт-Петербург, 2005).

Публикации. Материалы диссертационной работы полностью отражены в научных изданиях. Общее число публикаций — 20, в том числе: положительное решение на выдачу патента РФ на изобретение, статьи в рецензируемых журналах — 10, тезисы докладов конференций — 9.

Личный вклад. Результаты, изложенные в диссертации, получены лично соискателем. Постановка задач исследований, определение методов их решения и интерпретация результатов экспериментов выполнены совместно соавторами опубликованных работ при непосредственном участии соискателя.

Структура и объем работы. Диссертационная работа состоит из введения, пяти глав, заключения, библиографического списка, включающего 147 источников. Работа изложена на 146 страницах, содержит 58 рисунков и 2 таблицы.

Выводы к Главе 5.

1. Разработана конструкция простого нанографитного фотоприемника, работающего на эффекте оптического выпрямления, позволяющего преобразовывать энергию оптических импульсов в электрическую с чувствительностью около 500 мВ/МВт и быстродействием не хуже 0.5 не.

2. Фотоприемник из нанографитной пленки обладает следующими отличительными особенностями:

• работает без внешнего источника питания и дополнительных навесных элементов;

• преобразует наносекундные световые импульсы в электрические импульсы соответствующей формы и длительности;

• при фиксированном угле падения луча полярность сигнала не зависит от положения пучка на поверхности пленки;

• амплитуда и полярность сигнала существенно зависят от угла падения (см. п. 4.1.2);

• чувствительность существенно зависит от размеров пленки, а также от длины и взаимного расположения электродов, используемых для его измерения, а максимальная чувствительность достигается при размерах ФП, близких к размеру лазерного пятна на поверхности нанографитной пленки.

Фотоприемник точно такой же конструкции из кремниевой пластины обладает совершенно другими свойствами:

• фотоэлектрический сигнал не воспроизводит форму лазерного импульса и примерно в 20 раз длиннее длительности падающих импульсов- 2) при фиксированном угле падения луча полярность сигнала меняется при изменении положения пучка лазера от одного электрода к другому;

• при облучении одной и той же выбранной точки на поверхности ФП полярность сигнала не зависит от угла падения;

• при размерах ФП близких к размеру лазерного пятна на поверхности кремниевой пластины амплитуда фотоэлектрического сигнала обращается в нуль.

3. Предложены варианты оптоэлектронных устройств (генератор сверхкоротких электрических импульсов, датчик углового положения, навигационная система), в которых может найти применение разработанный нанографитный фотоприемник.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

1. Экспериментально установлено, что разрушение нанографитных пленок происходит при плотностях мощности лазерного излучения более 18 МВт/см. Порог исчезновения автоэлектронной эмиссии с поверхности нанографитных пленок в вакуум достигается при плотности мощности лазерного излучения 6.9 МВт/см. Показано, что лазерная обработка нанографитных пленок может быть использована для изготовления холодных катодов с заданной формой эмитирующих участков, расположенных на поверхности пленок. Обнаружено, что воздействие мощного линейно-поляризованного лазерного излучения на нанографитные пленки сопровождается возникновением на них пространственно ориентированных структур. Указанные структуры ориентированны перпендикулярно плоскости поляризации лазерного излучения и образуются за счет анизотропной абляции материала пленки.

2. Обнаружено, что облучение нанографитной пленки импульсами лазерного излучения наносекундной длительности приводит к появлению в ней электрического импульса эффекта оптического выпрямления. Экспериментально показано, что амплитуда и полярность импульса эффекта оптического выпрямления, возникающего при лазерном облучении нанографитных пленок, существенно зависят от угла падения и поляризации излучения, а так же от пространственной ориентации нанографитной пленки и расположенных на ней электродов относительно падающего лазерного пучка. Максимальная амплитуда импульса оптического выпрямления достигается для р-поляризованного излучения при угле падения (45°-50°) и при перпендикулярной ориентации электродов к плоскости падения.

3. Показано, что амплитуда импульса эффекта оптического выпрямления максимальна при толщине нанографитной пленки (2−2.5) мкм. Установлено, что при меньшей толщине пленки импульс оптического выпрямления наблюдается совместно с фотоэлектрическим сигналом микросекундной длительности, возникающим от кремниевой подложки. В нанографитных пленках толщиной более 2 мкм импульс ЭОВ наблюдается в отсутствии сигнала от кремниевой подложки.

4. Разработан быстродействующий фотоприемник мощного лазерного излучения из нанографитной пленки, работающий на эффекте оптического выпрямления. Обнаружено, что амплитуда сигнала ЭОВ зависит от размеров пленки, а также от длины и взаимного расположения электродов, используемых при измерении. Показано, что максимальная чувствительность фотоприемника, состоящего из пленки с электродами и работающего без внешнего источника питания и дополнительных навесных элементов, достигается при размерах пленки, сравнимых с диаметром пучка лазера, и составляет более 500 мВ/МВт на длине волны 1064 нм. Показано, что фотоприемник можно использовать для регистрации импульсного лазерного излучения в широком диапазоне длин волн от 266 до 5000 нм с быстродействием менее 0.5 не.

Показать весь текст

Список литературы

  1. З.Я., Чернозатонский JI.A., Федоров Е. А. Нановолоконная углеродная структура //Письма в ЖЭТФ. 1992. — Т.56. — С.26−30.
  2. Satyanarayana B.S., Hart A., Milne W.I., Robertson J. Field emission from tetrahedral amorphous carbon //Appl. Phys. Lett. -1997. V.71. — P. 14 301 432.
  3. BonardJ.—M., KindH., StockliTh. and Nilsson L.-O. Field emission from carbon nanotubes: the first five years //Solid-State Electronics. 2001. — V.45. -P. 893−914.
  4. Y. В., Harter D. J., and Bavli R. Optical Pulse Compressors Composed of Saturable and Reverse Saturable Absorbers // Chemical Physics Letters. 1986.- V. 127. P.280−284.
  5. Klaus Schneider, Stephen Schiller Multiple conversion and optical limiting in a subharmonic-pumped parametric oscillator // Optics Lett. 1997. — V.22 (6). -P. 363−365.
  6. Xuan Sun, Yuenan Xiong, Ping Chen, Jianyi Lin and et.al. Investigation of an Optical Limiting Mechanism in Multiwalled Carbon Nanotubes // Appl. Opt. -2000. V.39(12). — P. 1998−2001.
  7. Elim H.I., Ji W., Ma G.H., and et.al. Ultrafast absorptive and refractive nonlinearities in multi-walled carbon nanotube film // Appl. Phys. Lett. 2004.- V.85(10). P.1799−1801.
  8. И.Ю., Образцов A.H. Автоматизированная установка для газофазного осаждения алмазных пленок в разряде постоянного тока // ПТЭ. 1998. — № 1 — С. 152−156.
  9. А.Н., Павловский И. Ю., Волков А. П. Автоэлектронная эмиссия в графитоподобных пленках // ЖТФ. 2001. — Т.71. — С.89−95.
  10. А.Н., Волков А. П., Павловский И. Ю. и др. Механизм холодной эмиссии электронов из углеродных материалов // Письма в ЖЭТФ. 1998.- Т.68. Вып. 1. — С.56−60.
  11. А.Н., Волков А. П., Воронин А. И., Кощеев С. В. Регибридизация атомных орбиталей и полевая эмиссия электронов изнаноструктурированного углерода // ЖЭТФ. 2001. — Т. 120. — Вып.4(10) -С.970−978.
  12. Obraztsov A.N., Zolotukhin A.A., Ustinov А.О. et al., Chemical vapor deposition of carbon films: in-situ plasma diagnostics // Carbon. 2003. -V.41. — P.836−839
  13. Mikheev G.M., Zonov R.G., Obraztsov A.N., Svirko Yu.P. Giant optical rectification effect in nanocarbon films // Appl. Phys. Lett. 2004. — V.84. -№. 24. — P.4854−4856
  14. Г. М., Зонов Р. Г., Образцов A.H., Свирко Ю. П. Оптическое выпрямление в углеродных нанопленках // ЖЭТФ. 2004. — Т.126. — № 5. -С.1083−1088.
  15. Г. М., Зонов Р. Г., Образцов А. Н., Свирко Ю. П. Наблюдение эффекта оптического выпрямления в наноуглеродных пленках // Письма в ЖТФ. 2004. — Т.30. — Вып. 17. — С.88−94.
  16. Г. М., Зонов Р. Г., Образцов А. Н., Волков А. П., Свирко Ю. П. Спектральная зависимость эффекта оптического выпрямления в нанографитных пленках // Письма в ЖТФ. 2005. — Т.31. — Вып.З. — С. 11 -17.
  17. Г. М., Зонов Р. Г., Образцов А. Н., Свирко Ю. П., Волков А. П. Быстродействующий фотоприемник мощного лазерного излучения на основе нанографитной пленки. // ПТЭ. 2005. — № 3. — С.84−89.
  18. Измерение энергетических параметров и характеристик лазерного излучения / Под редакцией А. Ф. Котюка. М.: Радио и связь. — 1981. -288с.
  19. А. Введение в оптическую электронику. М.: Высшая школа. -1983.-400с.
  20. И.П. Основы электроники. Л.: Энергоатомиздат. — 1990. -352с.
  21. С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. М.: Физматгиз. 1963. — 495с.
  22. .С. Основы электроники и микроэлектроники. К.: Вища школа. — 1989.-423с.
  23. В.А., Наумов А. В., Бугров П. В. Имульсная фотометрия. JL: Машиностроение. — 1978. — Вып.5. — 183с.
  24. Г. Г. Приемники излучения оптических и оптико-электронных приборов. Ленинград.: Машиностроение. Ленинградское отделение. -1986.- 175с.
  25. Optical limiting and degenerate four-wave mixing in novel fiillerenes. Daniela Marciu. Dissertation submitted to the Faculty of the Virginia Polytechnic Institute and State University. Blacksburg. Virginia. — Feb. 09, 1999.
  26. .Н., Айвазян Ю. М. Эффект оптического выпрямления и его применения // Квантовая электроника. 1980. — Т.7. -№ 1. — С.5−33.
  27. Ward J.F. Absolute Measurement of an Optical-Rectification Coefficient in Ammonium Dihydrogen Phosphate // Phys. Rev. 1966. — V. 143. — P.569−574.
  28. Шен И. Р. Принципы нелинейной оптики. Пер. с анг. / Под ред. Ахманова С. А. М.: Наука. Гл. ред. Физ.-мат. Лит. — 1989. — 560с.
  29. Bass М., Franken Р.А., Ward J.F., Weinreich G. Optical Rectification // Phys. Rev. Lett., 1962. — V.9. — P.446−448.
  30. A.H., Кривощеков Г. В., Маренников С. И., Пестряков Е. В., Саввинных Г. А. Возбуждение ультразвуковых колебаний кристаллов под действием излучения ОКГ на рубине // ФТТ. 1966. — Т.8. — № 8. — С.2490−2492.
  31. Nahata A., Heinz T.F. Generation of subpicosecond electrical pulses by optical rectification // Optics Lett. 1998. — V.23. — № 11. — P. 867−869.
  32. GrafS., Sigg H., Bachtold W. High-frequency electrical pulse generation using optical rectification in bulk GaAs //Appl. Phys. Lett. 2000. — V.76. — P.2647−2649.
  33. Bonvalet A., Joffre M., Martin J.L., Migus A. Generation of ultrabroadband femtosecond pulses in the mid-infrared by optical rectification of 15 fs light pulses at 100 MHz repetition rate // Appl. Phys. Lett. 1995. — V.67. — P.2907−2909.
  34. Fattinger Ch., Grischkowsky D. Point source terahertz optics // Appl. Phys. Lett. 1988. — V.53. — № 16. — P.1480−1482.
  35. Sinyukov A.M., Hayden L.M. Generation and detection of terahertz radiation with multilayered electro-optic polymer films // Opt. Lett. 2002. — V. 27. -№ 1. —P.55−57.
  36. Carey J.J., Bailey R.T., Pugh D. et al. Terahertz pulse generation in an organic crystal by optical rectification and resonant excitation of molecular charge transfer // Appl. Phys. Lett. 2002. — V.81. — № 23. — P.4335−4337.
  37. .Н. Измерение и стабилизация энергетических параметров лазерного излучения на основе явлений нелинейной оптики // Письма в ЖТФ. 1998. — Т.24. — № 10. — С.76−79.
  38. А.А., Кондратенко П. С. Электромагнитные явления при оптическом выпрямлении лазерного импульса на периодической поверхности металла // Письма в ЖТФ. 1990. — Т. 16. — Вып.7. — С.75−79.
  39. Kadlec F., Kuzel P., Coutaz J.-L. Study of terahertz radiation generated by optical rectification on thin gold films // Opt. Lett. 2005. — V.30. -№ 11.-P.1402−1404.
  40. Kadlec F., Kuzel P., Coutaz J.-L. Optical rectification at metal surfaces // Opt. Lett. 2004. — V. 29. — P.2674−2676.
  41. Ahn J., Efimov A.V., Averitt R.D., Taylor A.J. Terahertz waveform synthesis via optical rectification of shaped ultrafast laser pulses // Optics Express. -2003. V. 11. — № 20. — P.2486−2496.
  42. Khurgin J. Optical-generation of picosecond electrical pulses in asymmetric quantum-well structures placed in a transverse magnetic-field // Appl. Phys. Lett. 1990. — V.56. — № 25. — P.2490−2492.
  43. Auston D. H. and Glass A. M. Optical generation of intense picosecond electrical pulses // Appl. Phys. Lett. 1972. — V.20. — P.398−399.
  44. Stepanov A.G., Kuhl J., Kozma I.Z. et al. Scaling up the energy of THz pulses created by optical rectification // Optics Express. 2005. — V.13. — № 15. -P.5762−5768.
  45. Jeon Tae-In, Grischkowsky D. Direct optoelectronic generation and detection of subps electrical pulses on sub-mm coaxial transmission lines // Appl. Phys. Lett. 2004. — V.85. — P.6092−6094.
  46. Zhang W., Azad A.K., Grischkowsky D. Terahertz studies of carrier dynamics and dielectric response of n-type, freestanding epitaxial GaN // Appl. Phys. Lett. 2003. — V.82. — P.2841−2843.
  47. McGowan R.W., Cheville R.A., Grischkowsky D. Direct observation of thegouy phase shift in THz impulse ranging // Appl. Phys. Lett. 2000. — V.76. -P.670−672.
  48. Berry E., Fitzgerald A.J., Zinov’ev N.N. et al. Optical properties of tissuemeasured using terahertz pulsed imaging. Proceedings of SPIE: Medical Imaging 2003: Physics of Medical Imaging. 2003. — V.5030. — P.459−470.
  49. Beard M.C., Turner G.M., Schmuttenmaer C.A. Terahertz spectroscopy // J. Phys. Chem. B. 2002. — V.106. — № 29. — P.7146−7159.
  50. Pashkin A., Kempa M., N’emec H. et al. Phase-sensitive time-domain terahertz reflection spectroscopy // Rev. Sci. Instrum. 2003. — V.74. — P.4711−4717.
  51. N’emec H., Kuzel P., Garet F. et al. Time-domain terahertz study of defect formation in onedimensional photonic crystals // Appl. Opt. 2004. — V.43. -№ 9. — P. 1965−1970.h*
  52. Nvemec H., Kadlec F., Kadlec C. et al. Ultrafast far-infrared dynamics probed by terahertz pulses: a frequency domain approach, ii. applications // J. Chem. Phys. 2005. — V.122. — P. l 4 504.
  53. Nahata A., Weling A.S., Heinz T.F. A wideband coherent terahertz spectroscopy system using optical rectification and electro-optic sampling // Appl. Phys. Lett. 1996. — V.69. — № 16. — P.2321−2323.
  54. Kadlec F., N"emec H., Kuzel P. Optical two-photon absorption in GaAs measured by optical pump terahertz probe spectroscopy. // Phys. Rev. B. -2004. — V. 70. — № 8. — P. 12 5205(1−4).
  55. Kadlec F., Simon P., Raimboux N. Vibrational spectra of superionic crystals (BaF2)l.*(LaF3>c// J. Phys. Chem. Sol. 1999. — V. 60. — № 7. — P.861−866.
  56. Fekete L., Hlinka J. Y., Kadlec F. et al. Active optical control of the terahertz reflectivity // Opt. Lett. 2005. — V.30. — P.1992−1994.
  57. Zhang J., Grischkowsky D. Terahertz time-domain spectroscopy study of silica aerogels and adsorbed molecular vapors // J. Phys. Chem. B. 2004. — V.108. -P. 18 590−18 600.
  58. Harmon S.A., Cheville R.A. Part-per-million gas detection from long-baseline THz spectroscopy // Appl. Phys. Lett. 2004. — V.85. — P.2128−2130.
  59. Zhang J., Grischkowsky D. THz time-domain spectroscopy of sub-monolayer water adsorbed in hydrophilic silica aerogels // Optics. Lett. 2004. — V.29. -P.1031−1033.
  60. Harde H., Zhao J., Wolff M. et al. THz time-domain spectroscopy on ammonia // J. Phys. Chem. A. 2001. — V. 105. — P.6038−6047.
  61. Ferguson В., Wang S., Gray D., Abbot D., and Zhang X. -C. T-ray computed tomography // Opt. Lett. 2002. — V.27. — P. 1312−1314.
  62. Toshiaki Hattori, Keisuke Ohta, Rakchanok Rungsawang and Keiji Tukamoto Phase-sensitive high-speed THz imaging // J. Phys. D: Appl. Phys. 2004. -V.37. -P.770−773.
  63. Ни В., Nuss M. Imaging with terahertz waves // Optics Letters. 1995. — V.20. -P.1716−1718.
  64. Cai Y., Brener I., Lopata J. et al. Design and performance of singular electric field terahertz photoconducting antennas // Appl. Phys. Lett. 1997. — V.71. -№ 15. — P.2076−2078.
  65. Leemans W.P., Geddes C.G.R., Faure J. et al. Observation of terahertz emission from a laser-plasma accelerated electron bunch crossing a plasma-vacuum boundary // Phys. Rev. Lett. 2003. — V.91. — № 7. — P.7 4802(l-4).
  66. Stone M.R., Naftaly M., Miles R.E. et al. Electrical and radiation characteristics of semilarge photoconductive terahertz emitters // IEEE Trans. Microwave Theory and Tech. 2004. — V.52. — № 10. — P.2420−2429.
  67. DeFonzo A.P., Jarwala M., Lutz C. Transient response of planar integrated optoelectronic antennas // Appl. Phys. Lett. 1987. — V.50. — № 17. — P. l 1 551 157.
  68. Smith P.R., Auston D.H., Nuss M.C. Subpicosecond photoconducting dipole antennas // IEEE J. Quantum Electron. 1988. — V.24. — № 2. — P.255−260.
  69. Ни B.B., Darrow J.T., Zhang X.-C. et al. Optically steerable photoconducting antennas // Appl. Phys. Lett. 1990. — V.56. — № 10. — P.886−888.
  70. Richards P. L., Shen Y. R., and Yang К. H. Generation of far infrared radiation by picosecond light pulses in LiNb03 // Appl. Phys. Lett. 1971. — V.19 -P.320−323.
  71. Auston D. H., Glass A. M., and Ballman A. A. Optical rectification by impurities in polar crystals // Phys. Rev. Lett. 1972. — V.28 — P.897−900.
  72. Auston D. H, Cheung K.P., Smith P.R. Picosecond photoconducting Hertzian dipoles // Appl. Phys. Lett. 1984. — V.45 — P.284−286.
  73. Hebling J., Stepanov A.G., Alm6si G., Bartal В., Kuhl J. Tunable THz pulse generation by optical rectification of ultrashort laser pulses with tilted pulse fronts // Appl. Phys. В 2004. — V.78. — P.593−599.
  74. Xu L., Zhang X.-C. and Auston D.H. Terahertz beam generation by femtosecond optical pulses in electrooptic materials // Appl. Phys. Lett. 1992. — V.61 -P.1784−1786.
  75. Wu Q. and Zhang X.-C. Ultrafast Electro-Optic Field Sensors // Appl. Phys. Lett. 1996. — V.68. — P. 1604−1606.
  76. Lee Y.-S., Meade Т., DeCamp M., Norris T.B., and Galvanauskas A. Temperature dependence of narrow-band terahertz generation from periodically-poled lithium niobate // Appl. Phys. Lett. 2000. — V.77. -P.1244−1246.
  77. Lee Y.-S., Amer N., and Hurlbut W. C. Terahertz pulse shaping via optical rectification in poled lithium niobate // Appl. Phys. Lett. 2003. — V.82. -P. 170−172.
  78. Shan J., Weling A.S., Knoesel E. et al. Single-shot measurement of terahertz electromagnetic pulses by use of electro-optic sampling // Optics Lett. 2000. -V.25. — № 6. — P.426−428.
  79. Schall M., Jepsen P.U. Freeze-out of difference-phonon modes in ZnTe and its application in detection of THz pulses // Appl. Phys. Lett. 2000. — V.77. -№ 18. — P.2801−2803.
  80. Cai Y., Brener I., Lopata J. et al. Coherent terahertz radiation detection: Direct comparison between free-space electro-optic sampling and antenna detection // Appl. Phys. Lett. 1998. — V.73. — № 4. — P.444−446.
  81. Coleman S., Grischkowsky D. Parallel plate THz transmitter // Appl. Phys. Lett. 2004. — V.84. — № 5. — P.654−656.
  82. Coleman S., Grischkowsky D. Parallel plate THz transmitter // Appl. Phys. Lett. 2004. — V.84. — P.654−656.
  83. Dai J., Coleman S., Grischkowsky D. Planar THz Quasioptics // Appl. Phys. Lett. 2004. — V.85. — P.884−886.
  84. Г. М., Зонов Р. Г., Калюжный Д. Г., Попов А. Ю. Сопряжение оптического микроскопа «Neophot-32» с персональным компьютером // ПТЭ. -2003. — № 3. -С.164.
  85. Г. М., Зонов Р. Г., Образцов А. Н., Волков А. П. Анизотропное лазерное испарение графитных пленок // ЖЭТФ. 2004. — Т. 125. — Вып.З. -С.548−555.
  86. Mikheev G.M., Zonov R.G., Obraztsov A.N., Volkov A.P. Pulse laser processing of nano-carbon film structures // Proceedings of SPIE. 2004. -V.5399. — P.184−191.
  87. Г. М., Зонов Р. Г., Образцов A.H., Волков А. П. Особенности лазерной обработки шероховатых графитоподобных пленок // Известия ВУЗов. Приборостроение. 2004. — Т.47. -№ 10. — С.59−64.
  88. Mikheev G.M., Zonov R.G., Kaluzhny D.G. Pulse laser processing of metal thin films on glass substrates // Proc. SPIE. 2004. — Vol.5399. — P.179−183.
  89. Г. М., Зонов Р. Г., Калюжный Д. Г. Получение дифракционных структур при лазерной обработке металлических пленок // Известия ВУЗов. Приборостроение. 2004. — Т.47. — № 8. — С.62−66.
  90. Г. М., Калюжный Д. Г. Зонов Р.Г. Дифракционная решетка // Патент РФ на изобретение № 2 226 284, G02B 5/18, 27/44 20.02.2002., Бюл. № 9. 2004.
  91. Г. М., Малеев Д. И., Могилева Т. Н. Эффективный одночастотный•5 «liATiNd -лазер с пассивной модуляцией добротности и поляризационным выводом излучения // Квантовая электроника. 1992. — Т.19. — № 1. — С.45−47.
  92. А.А. Строение и спектрально-люминесцентные свойства полиметиновых красителей. Киев: Наукова Думка. 1991. — 232с.
  93. Д.И., Михеев Г. М., Могилева Т. Н. Лазер с модуляцией добротности с регулируемой длительностью импульса // ПТЭ. 1990. — № 5.-С. 198−201.
  94. Г. В., Михеев Г. М. ВКР-спектроскопия возбужденных колебательных состояний молекулы водорода // Квантовая электроника. -1985. Т. 12. — № 2. — С.394−397.
  95. Stoicheff В.P. High resolution Raman spectroscopy of. gases, IX. Spectra of H2, HD and D2 // Can. J. of Phys. 1957. — V.35. — P.730−741.
  96. New Digital Camera for Photomicrography // International Labmate. 2002.- V.27. № 5. — P.38.
  97. Большой фотомикроскоп отраженного света NEOPHOT 32. Инструкция по эксплуатации. С ARAL ZEISS JENA.
  98. И.В. Эллипсометрия тонких пленок / Методическая разработка для студентов. УдГУ. Ижевск. 1996. — 56с.
  99. Godet C., Heitz Т., Bouree J.E. et al. Growth and composition of dual-plasma polymer-like amorphous carbon films // Appl. Phys. 1998. — V.84. -P.3919−3932.
  100. Anders S., Anders A., Kortright J. B. et al. Vacuum arc deposition of multilayer X-ray mirrors // Surf. Coat. Technol. 1993. — V.61. — P.257−261.
  101. Monteiro O. R., Delplancke-Ogletree M.-P., Brown I. G. Tungsten-containing amorphous carbon films deposited by pulsed vacuum arc // Thin Solid Films. 1999. — V.342. — P.100−107.
  102. B.B., Тимонов А. П., Соболев В.Вал. Спектры оптических функций и переходов алмаза // Оптика и спектроскопия. 2000. — Т.88. -№ 2. — С.255−259.
  103. В.В., Тимонов А. П., Соболев В.Вал. Структура и природа оптических переходов алмаза // Журн. прикл. спектр. 2000. — Т.67. — № 3.- С.355−358.
  104. В.В., Тимонов А. П., Соболев В.Вал. Спектры характеристических потерь алмаза // ФТТ. 2000. — Т.42. — № 4. — С.632−636.
  105. Zhu W., Kochanski G. P., Jin S., Seibles L. Defect-enhanced electron field emission from chemical vapor deposited diamond // Journal of Applied Physics.- 1995. V.78. — P.2707−2711.
  106. Groning О., Kiittel O.M., Groning P., and Schlapbach L. Field emission properties of noncrystalline chemically vapor deposited diamond films // J. Vac. Sci. Technol. 1999. — В17(5). — P. 1970−1986.
  107. Ralchenko V., Karabutov A., Vlasov I., et al. Diamond-carbon nanocomposites: applications for diamond film deposition and field electron emission // Diamond and Related Materials. 1999. — V.8. — P. 1496−1501.
  108. Obraztsov A.N., Volkov A.P., Pavlovsky I. Field emission from nanoclustered carbon materials // Diamond and Related Mat. 2000. — V.9. -P.l 190−1195.
  109. Obraztsov A.N., Volkov A.P., Nagovitsyn K.S., and et al. CVD growth and field emission properties of nanostructured carbon film // J. Phys. D: Appl. Phys. 2002. — V.35. — P.357−362.
  110. А.А., Образцов A.H., Устинов A.O., Волков А. П. Образование наноуглеродных пленочных материалов в газоразрядной плазме // ЖЭТФ. 2003. — Т. 124. — С. 1291−1297.
  111. Birnbaum М. Semiconductor surface damage produced by ruby lasers // J. Appl. Phys. 1965. — V.36. — P.3688−3689.
  112. С.А., Емельянов В. И., Коротеев B.H., Семиногов В. Н. Воздействие мощного лазерного излучения на поверхность полупроводников и металлов: нелинейно-оптические эффекты и нелинейно-оптическая диагностика // УФН. 1985. — Т. 147. — Вып.4. -С.675−745.
  113. В. П., Буйлов JI. JL, Конов В. Ии др. Взаимодействие лазерного излучения с алмазными пленками // Доклады Академии наук СССР. -1988. Т.ЗОЗ. -№ 3. — С.598−601.
  114. Д.О., Гусаков Г. М., Фролов А. И. Рост периодических структур на поверхности германия при воздействии импульсного лазерного излучения // Квантовая электроника. 1991. — Т.18. — № 12. -С.1477−1480.
  115. Banishev A.F., Golubev V.S., Khramova O.D. Study of the Key-Hole formation dynamics under high-power laser pulse action upon metals // Laser Phys. 1993. — V. 1. — № 6. — P. 1198−1202.
  116. В.В., Долгаев С. И., Лаврищев С. В., и др. Формирование конических микроструктур при импульсном лазерном испарении твердых тел // Квант, электроника. 2000. — Т.30(8). — С.710−714.
  117. А.П. Отражение света от поглощающих сред. 1963. — Минск.: АН БССР. — 26с.
  118. Г. М., Идиатулин B.C. Анизотропия поглощения мощного лазерного излучения в металлах //Квантовая электроника. 1997. — Т.24. -С.1007−1011.
  119. Оптические свойства полупроводников. Справочник под ред. Гавриленко В. И. и др. 1987. — Киев.: Наукова Думка. — 198с.
  120. Г. М., Зонов Р. Г., Образцов А. Н., Волков А. П., Свирко Ю. П. Влияние толщины нанографитной пленки на импульс оптического выпрямления // Письма в ЖТФ. 2005. — Т.31. — Вып. 13. — С.50−57.
  121. Mikheev G.M., Zonov R.G., Obraztsov A.N., Svirko Yu.P. Observation of the optical rectification effect in nanocarbon films // Proceedings of the XXXVIII annual Conference of the Finnish Physical Society. Oulu, 2004. -P.287.
  122. Mikheev G.M., Zonov R.G., Obraztsov A.N., Svirko Yu. P. Giant optical rectification in nanographite // Finnish Optical Society (FOS). Proceedings of Optics Days. Turku, 2004. — P.43.
  123. Р.Г. Наведенная ЭДС в нанографитных пленках при лазерном облучении // Конференция молодых ученых Физико-техническогоинститута УрО РАН: Сборник тезисов докладов. Ижевск. Россия, 2004. -С.17.
  124. Г. М., Могилева Т. Н., Попов А. Ю., Калюжный Д. Г. Автоматизированная лазерная система для диагностики водорода в газовых смесях // ПТЭ. 2003. — № 2. — С. 101−107.
  125. Г. М. Эффективность прямого и обратного ВКР в водороде при монохроматической накачке // Квантовая электроника. 1991. — Т.18. -№ 3. — С.337−339.
  126. Maier М., Kaiser W., Giordmaine J.A. Backward stimulated Raman scattering // Phys. Rev. 1969. — V. l77. — № 2 — P.580−599.
  127. Jacobs R.R., Goldhar J., Eimerl D., Browm S.B. and Murray J.R. High-efficiency energy extraction in backward-wave Raman scattering // Appl. Phys. Lett. 1980. — V.37. — P.264−266.
  128. Г. В., Есиков Д. А., Малеев Д. И., Михеев Г. М. Энергетические характеристики ВКР на переходе Qn(l) колебательно-возбужденной молекулы водорода // Квантовая электроника. 1986. — Т. 13. — № 2. -С.378−386.
  129. А.Н., Волков А. П., Павловский И. Ю. и др. Роль кривизны атомных слоев в полевой эмиссии электронов из графитоподобногонаноструктурированного углерода // Письма в ЖЭТФ. 1999. — Т.69. -С.381−386.
  130. Г. М., Образцов А. Н., Зонов Р. Г., Свирко Ю. П. Оптоэлектронное устройство // положительное решение от 11.11.2005 на выдачу патента РФ на изобретение по заявке № 2 004 115 871/09 (17 039) от 25.05.2004.
  131. Р.Г., Галкин А. Н., Михеев Г. М. Влияние линейных размеров на величину эффекта оптического выпрямления // Сборник тезисов докладов. Школа-семинар КоМУ-2005 «Нанотехнологии и наноматериалы». -Ижевск. Россия, 2005. С.ЗО.
  132. В.М., Гречин С. С., Иванов А. А., Подшивалов А. А. Высокоэффективная генерация второй и третьей гармоник излучения фемтосекундного хром-форстеритового лазера в нелинейно-оптических кристаллах // Квант, электроника. 2005. — Т.35(6). — С.525−526.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!