Метод формирования регулярной матрицы нанокластеров кремния в системе кремний-диоксид кремния для элементов и устройств вычислительной техники
Диссертация
В традиционной планарной кремниевой технологии, благодаря которой появилось большое разнообразие полупроводниковых приборов и полупроводниковых интегральных микросхем (ПИМС), диоксид кремния используется для различных конструкционных и технологических целей. Разработчики изделий полупроводниковой микроэлектроники на основе МОП-транзисторов стремились к тому, чтобы добротно изолировать рабочую… Читать ещё >
Список литературы
- Takahashi М., Ohno Т., Sakakibara Y., Takayama К. Fally depleted 20-nm SOI CMOSFETs with W-CladGate/Source/Drain layers IEEE Transactions on Electron Devices. Vol.48, 2001, № 7, P. 1380−1385.
- Intel 45 nm process technology http://www.intel.com/technology/architecture-silicon/45nm-core2/demo/?iid=SEARCH
- Revolutionizing How We Use Technology—Today and Beyond http://www.intel.com/technology/architecture-silicon/32nm/index.htm?iid=tech as+silicon 32nm
- Vijay Kumar. Nano Silicon // First edition 2007, Chennai, India.
- Next Generation Lithography: http://en.wikipedia.org/wiki/Next-generationlithography
- Melliar-Smith M., Helms В., Saathoff D., Cleavelin R. /International SEMATECH Annual Report 2001. Austin, TX: Sematech Inc. (www.sematech.org), 2002.
- Technology Roadmap for Nanoeleclronics (Second Edition November 2000) European Commission 1ST programme Future and Emerging Technologies Edited by R. Compano
- Extreme Ultraviolet Lythography: http://en.wikipedia.org/wilci/ Extreme ultraviolet lithography
- Gwyn C.W., Stulen R., Sweeney D., Altwood D. /Extreme ultraviolet lithography.//-J. Vac. Sci. Technol. B, 1998, v. 16, pp. 3142−3149.
- Mizusava N., Uda K., Watanabe Y., Pieczulewski С./ Global activities making X-ray lithography a reality for 100 nm production and beyond // Future Fab 5f London: Technology Publishing Ltd., 1997, p. 177−185.
- Harriot L.R. / Scattering with angular limitation projection electron beam lithography for suboptical lithography// J. Vac. Sci. Technol. B. 1997, v. 15, № 6, pp. 2130−2135.
- Harriot L.R./ Scattering with angular limitation projection electron beam lithography for suboptical lithography//J. Vac. Sci. Technol. B. 1997, v. 15, № 6, pp. 2130−2135.
- Кибалов Д. С. Волнообразные наноструктуры на поверхности кремния, инициируемые ионной бомбардировкой : диссертация. доктора физико-математических наук: 05.27.01.- Ярославль, 2004.- 305 е.: ил. РГБ ОД, 71 06−1/175
- Kurihara К., Iwadate K. t Namatsu Н., Nagase М., Takenaka Н., Murasc К./ An Electron Beam Nanolithography System and its Application to Si Nanofabrication.// Jpn. J. Appl. Phys., 1995, v, 34, pp. 6940−6946.
- Electron Beam Lithography: http://en.wikipedia.oro/wiki/ Electronbeamlithography
- Huey B.D., Langford RM. / Low-dose focused ion beam nanofabrication and characterization by atomic force microscopy. //Nanotechnology, 2003, v. 14, pp. 409−412.
- Minne S.C., Manali S.R., Yaralioglu G., Atalar A., Quate C.F./ Automated parallel high-speed atomic force microscopy. //Appl. Phys. Lett., 1998, v. 72, № 18, pp. 2340−2342.
- Longo D. M, Benson W.E., Chraska Т., Hull R. / Deep submicron microcontact printing on planar and curved substrates utilizing focused ion beam fabricated print heads.// Appl. Phys. Lett., 2001, v. 78, № 7, pp. 981 98.
- Nanoimprint Lithography: http://en.wikipedia.org/wiki/ NanoimprintLithography
- Muray L.P., Spallas J.P., Stebler C, Lee K., Manlcos M., Hsu Y., Gmur M., Chang T.H.P. /Advances in arranged microcohimn lithography.// J. Vac, Sci. TcehnoL B, 2000, v. 18,№ 6,pp. 3099−3104.
- Musato M., Susumu G. / New concept for high-throughput multielectron beam direct write system. // L Vac- Sci. Technol. B, 2000, v. 18, № 6, pp. 3061 -3066.
- Yin E., Brodie A.D., Tsai F.C., Guo G.X., Parker N-W. /Electron optical column for a multicolumn, multibeam direct write electron beam lithography system. // J. Vac. Sci.Technol., 2000, v. 18,№ 6 pp, 3126−3131.
- Scott K.L. King T.J., Liebennan M.A. Leung K.N. /Pattern generators and microcolumns for ion beam lithography. // J. Vac. Sci. Technol. В 2000, v. 18, № 6, pp.3172−3176.
- Леденцов H. H, Устинов В. M. Щукин В. А., Копьев П. С., Алферов Ж. И., Бимберг Д. /Гетерострукгуры с квантовыми точками: получение, свойства, лазеры. //Обзор. ФТП, 1998, т. 32, № 4, с. 385 -410.
- Akimov A. N" Fedosenko E.V., Neizvesinyi I.G., Shumsky V.N., Suprun S.P., Talochlcin A.B. /Formation of Self-Organized Quantum Dot Ensembles in Unstrained GaAs/ZnSe/QD Ge/ZnSe Heterosystem. //Phys. Low- Dim. Struct., 2002, №½, pp. 191−202.
- Liua J.L., Khitun A, Wanga K. L, Borca-Tasciuc T-, Liub W.L., Chen G. Yuc DP./ Growth of Ge quantum dot superlattices for thermoelectric applications. // Journal of Crystal Growth, 2001, V. 227−22R, pp. 1111−1115.
- Kamins T. L, Williams R. S-, Chen Y., Chang Y.L., Chang Y. AJ Chemical vapor deposition of Si nanowires nucleated by TiSi2 islands on Si.// Appl. Phys. Letters, 200, v. 76, № 5, pp. 562−564.
- Kamins T.I., Williams R.S., Basile D, P. /Ti-catalized Si nanowires by chemical vapor deposition: Microscopy and growth mechanisms. // J. Appl, Phys, 2001, v.89, № 2, pp. 1008−1016.
- Chung S.W., Yu J.Y., Heath J, R./ Silicon nanowire devices.// Appl. Phys- Lett., 2000, v. 76, № 15, pp. 2068−2070.
- Facsko S., Decorsy Т., Koerdt С., Trappe C., Kurz H., Vogt A., Hartnagel H.L./Formation of Ordered Nanoscale Semiconductor Dots by Ion Sputtering. // Science, 1999, v.285, pp, 1551−1553.
- Gago R., Vazquez L., Cuerno R., Valera M., Ballestcros C., Albella J.M./Production of ordered silicon nanocrystals by low energy ion sputtering. // Appl. Phys.Lett., 2001, v.78,№ 21, pp, 3316−3318.
- Borsoni G., Gros-Jean M." Korwin-Pawlowski M.L., Laffitte R., Le Roux V., Vallier L. / Oxide nanodots and ultrathin layers fabricated on silicon using nonfocused multicharged ion beam. // J. Vac, Sci. Technol. B, 2000, v. 18r № 6, pp. 3535−3538.
- Г. А. Качурин, С. Г. Яновская, B.A. Володин, В. Г. Кеслер, А. Ф. Лейер, М. О. Руаулт / О формировании нанокристалов кремния при отжиге слоев Si02, имплантированных ионами Si// физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып.6
- Han-Woo Choi,* Hyung-Joo Woo, Joon-Kon Kim, Gi-Dong Kim, Wan Hong, and Young-Yong Ji / Encapsulated Silicon Nanocrystals Formed in Silica by Ion Beam Synthesis // Bull. Korean Chem. Soc. 2004, Vol. 25, No. 4 525
- Y Liul, T P Chen, Y Q Fu, M S Tse, J H Hsieh, P F Ho/A study on Si nanocrystal formation in Si-implanted Si02 films by x-ray photoelectron spectroscopy//!. Phys. D: Appl. Phys. 36 (2003) L97-L100
- G. S. Chang 1, C. N. Whang, E. Z. Kurmaev, S. N. Shamin, V. R. Galakhov, A. oewes, D.L. Ederer/The formation of Si nanocrystal in Si02 matrix after ion beam mixing and heat treatment//
- Lewis G. W" Nobes M.J., Carter G., Whitton J.L. The mechanisms of etch pit and ripple structure formation on ion bombarded Si and other amorphous solids. — Nucl. Instr, and Meth., 1980, № 1705 pp. 363−369
- Д.С. Кибалов, И. В. Журавлев, П. А. Лепшин, В.К. Смирнов/ Перенос волнообразного нанорельефа на поверхность различных материалов// Письма в ЖТФ, 2003, том 29, вып. 22, р. 63−68
- Jiun-Lin Yeh, Hsuen-Li Chen, An Shih and Si-chen Lee/ Formation of Si nanoclusters in amorphous silicon thin films by excimer laser annealing// ELECTRONICS LETTERS 11th November 1999 Vol. 35 No. 23, p. 2508−2509
- C. F. Tan, X. Y. Chen, Y. F. Lu, Y. H. Wu, B. J. Cho, J. N. Zeng/ Laser annealing of silicon nanocrystal films formed by pulsed-laser deposition// Journal of Laser Applications — February 2004 — Volume 16, Issue 1, pp. 4045
- Jiun-Lin Yeh Hsuen-Li Chen An Shih Si-Chen Lee/ Formation of Si nanoclusters in amorphous silicon thin films by excimer laser annealing // Electronics Letters,!999,V35, Issue:23,p.2058−2059.
- Akira Watanabe, Fusao Hojo, Takao Miwa, Masatoshi Wakagi / Nanocrystalline Silicon Film Prepared by Laser Annealing of Organosilicon Nanocluster//Applied Surface Science 2002, v. 253, iss. 5, p. 2718−2726.
- M.D. Efremov, V.V. Bolotov, V.A. Volodin, L.I. Fedina, A.A. Gutakovskii, S.A. Kochubei.// Sol. St. Phenomena, 57−58,507 (1997).
- M.D. Efremov, V.A. Volodin, V.V. Bolotov, A.V. Vishnyakov, O.K. Shabanova, D.I. Bragin, L.I. Fedina, S.A. Kochubei. Sol.St. Phenomena, 6970, 557 (1999)
- T. Sameshima, S. Usui.//J. Appl. Phys., 70, 1281 (1991).
- Cheng-Yen Chen, Steffen Gurtler, С. C. Yang/ Formation Mechanism Dependence on Laser Power of UV-laser Ablated Silicon Surface Gratings// CLEO, Paafic Rim '99, ThF2, p. 624−625
- A. Medvid, P. Onufrijevs, D. Kropman, E. Mellikov, F. Mukepavela, G. Bakradze / Change of Si02 on Si layer by YAG: Nd laser radiation // V.353, Issues 5−7, 2007, P. 703−707
- H.-P. Wu, A. Okano, K. Takayanagi / Photoluminescence properties of size-selected Si nanocluster films prepared by laser ablation // Appl. Phys. (2000), A 71, 643−646
- Arturs Medvids / Laser Operating Self-assembling Formation of Semiconductor Nanostructures (Si, Ge, SiC, GaAs and SiGe) for Nanoelectronics Application//Journal of Non-Crystalline Solids 2007
- Ching-Ting Lee /Photonic performance of Si nanocluster grown by laser assistance // 0−7803−9329−5/05/S20.00 (c)2005 IEEE.
- H.H. Кононов, Г. П. Кузьмин, A.H. Орлов, A.A. Сурков, O.B. Тихоневич/ Оптические и электрические свойства тонких пластин, изготовленных из нанокристаллических порошков кремния // Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 7, р.868−874.
- К. Накамото /Инфракрасные спектры неорганических и координационных соединений // (М., Мир, 1966) с. 147.
- A.M. Скворцов, В. В. Плотников, В. И. Соколов. Формирование нанокластеров кремния в структуре кремний/диоксид кремния // Известия высших учебных заведений. ПРИБОРОСТРОЕНИЕ. 2006. Т.48, № 3, с. 6267.
- Kawazoe Y., Kondow Т., Ohno К. Clusters and nanomaterials. Theory and experiment. Berlin: Springer, 2002. 334 p.
- Kaxiras E., Jackson K. Shape of small silicon clusters// Phys. Rev. Lett. 1993. V. 71. N. 5. P. 727−730.
- Structures of medium-sized silicon clusters/ Ho Kai-Ming, Shvartsburg A.A., PhanBicai and al. //Nature (Gr. Brit.), 1998, N6676. P. 582−585.
- Guha, S. Characterization of Si+ ion-implanted Si02 films and silica glasses / Soumyendu Guha //J. Appl. Phys. 1998. — Vol.84, № 9. — P.5210−5217.
- Cullis, A.G. The structural and luminescence properties of porous silicon / A.G. Cullis, L.T.Canham, P.D.J. Calcott // Appl. Phys. Lett. 1997. — Vol.82, № 3. -P.909−965.
- Kanemitsu, Y. Resonantly excited photoluminescence from porous silicon: Effects of surface oxidation on resonant luminescence spectra / Y. Kanemitsu, S. Okamoto // Phys. Rev. B. 1997. -Vol.56, № 4. — P. R1696-R1699.
- Electronic states and luminescence in porous silicon quantum dots: The role of oxygen / M.V.Wolkin, J. Jorne, P.M. Fauchet, G. Allan, C. Delerue // Phys. Rev. Lett. 1999. — Vol.82, № 1. -P. 197−200.
- В. H. Богомолов, С. А. Гуревич, M. В. Заморянская, А. А. Ситникова, И. П. Смирнова, В. И. Соколов./ Образование нанокластеров кремния при модификации силикатной матрицы электронным пучком. //ФТТ, т. 43, в. 2, 2001, с. 357−359.
- М. V. Zamoryanskaya and V. I. Sokolov./ Structural study of thermal-oxyde films on silicon by cathodoluminescence.// Phys. Solid State, v. 47, n. 11, 1998, p. 1797−1801.
- M. V. Zamoryanskaya, V. I. Sokolov, A. A. Sitnikova and C. G. Konnikov. /Cathodoluminescence study of defect distribution at different depths in films Si02/Si.// Sol. State Phen., v. 63−64, 1998, p. 237−242.
- C. Diaz-Guerra, J. Piqueras, D. A. Kurdyukov, V. I. Sokolov and M. V. Zamoryanskaya./ Defect and nanocrystal cathodoluminescence of synthetic opals infilled with Si and Pt.// J. Appl. Phys., v. 89, 2001, p. 2720−2726.
- M.V. Zamoryanskaya, V.I. Sokolov / Cathodoluminescence study of silicon oxide -silicon interface// Phys. Tech. Semiconductor, 2007, v. 41, issue 4, p. 475−463.
- T. Shimizu-Iwayama, K. Fujita, S. Nakao, K. Saitoh, R. Fujita, N. Itoh. J. Appl. Phys., 75, 7779 (1994).
- Г. А. Качурин, И. Е. Тысченко, В. Скорупа, Р. А. Янков, К. С. Рулавлев, Н. А. Пазников, В. А. Володин, А. К. Гутаковский, А. Ф. Лейер. /ФТП, 31 (6), 730 (1997)
- С. Delerue, М. Lannoo, G. Allan. Phys. Rev. Lett., 84, 2457 (2000).
- A. Zunger, L.-W. Wang. Appl. Surf. Sci., 102, 350 (1996).
- V Ioannou-Sougleridis and A G Nassiopoulou/ Charging characteristics of Si nanocrystals embedded within Si02 in the presence of near-interface oxide traps // Journal of Physics: Conference Series 10 (2005) 392
- Michele L. Ostraat and Jan W. De Blauwe / Future Silicon Nanocrystal Nonvolatile Memory Technology//Mat. Res. Soc. Symp. Proc. Vol. 686, p. A.5.21−31
- P Dimitrakis, P Normand, E Vontitseva, К II Stegemann, К H Heinig, B. Schmidt /Memory devices obtained by Si+ irradiation through poly Si/Si02 gate stack//Journal of Physics: Conference Series 10 (2005) 7−10
- V Ioannou-Sougleridis and A G Nassiopoulou/ Charging characteristics of Si nanocrystals embedded within Si02 in the presence of near-interface oxide traps // Journal of Physics: Conference Series 10 (2005) 39−42.
- M. Fanciulli, M. Perego, C. Bonafos, A. Mouti, S. Schamm, G. Benassayag / Nanocrystals in high-k dielectric stacks for non-volatile memory application// Advances in Science and Tech. Vol 51 (2006) pp. 156−166.
- Jan De Blauwe / Nanocrystal Nonvolatile Memory Devices //IEEE TRANSACTIONS ON NANOTECHNOLOGY, VOL. 1, NO. 1, MARCH 2002
- Leonid Tsybeskov / Nanocrystalline Silicon Superlattices for Nanoelectronic Devices //
- P. Dimitrakis, P. Normand / Semiconductor Nanocrystal Floating-gate Memory Devices // Mater. Res. Soc. Symp. Proc. Vol. 830 2005, D5.1.1 -1.15
- Sandip Tiwari, Farhan Rana, Kevin Chan, Hussein Hanafi, Wei Chan, Doug Buchanan / Volatile and Non-Volat ile Memories in Silicon with Nano-Crystal Storage //0−7803−2700−4 $ 4.00 1 995 IEEE, IEDM 95−521, 20.4.1−5
- Q. Ye, R. Tsu, E.H. Nicollian./ Resonant tunneling via microcrystalline-silicon quantum confinement // Phys. Rev. B, 44 (4), 1806 (1991).
- Tsu. Appl. Phys. A, 71, 391 (2000).
- Y. Inoue, A. Tanaka, M. Fujii, S. Hayashi, K. Yamamoto.J. Appl. Phys., 86 (6), 3199 (1999).
- D.V. Averin, A.N. Korotkov, K.K. Likharev. Phys. Rev. B, 44 (12), 6199 (1991).
- К. Рейви. Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии.- М.: Мир, 1984,475 с
- В. И. Соколов, В. В. Плотников, А. М. Скворцов, Е. Г. Фролкова, Р. А. Халецкий. Особенности термического окисления кремния, обусловленные несоответствием на межфазной границе.// Известия ВУЗов. Электроника, 2002, № 5, с. 17−21
- Ф. Л. Эдельман. Структура компонентов БИС. Новосибирск: Наука, 1980, 356 е.-
- Н. Kageshima and К. Shiraishi. Relation between oxide growth direction and stress on silicon surfaces and at silicon-oxide/silicon interfaces.// Surf. Sci., v. 438, 1999, p. 102−106,
- В.П. Вейко, С. С. Дышловенко, A.M. Скворцов. Лазерное микроструктурирование поверхности кремния. // Научно-технический сборник «Диагностика и функциональный контроль качества оптических материалов» часть 2. СПбГУИТМО, 2004. С. 138 153.
- S.M.Metev, V.P.Veiko. Laser assisted microtechnology // Springer-Verlag, Heidelberg, 1994 (first edition), 1998 (second edition).
- Veiko V.P. Laser microshaping: Fundamentals, practical application, and future prospects. // RIKEN Review № 32 (January, 2001). -P. 11−18
- Justin R. Serrano, David G. Cahill. Micron-scale buckling of Si02 on Si.//J. Appl. Phis. 92, (2002). 7606−7610
- Effect of energy above laser-induced damage thresholds in the micromachining of silicon by femtosecond pulse laser B.K.A. Ngoi*, K. Venkatakrishnan, E.N.L. Lim, B. Tan, L.H.K. Koh Optics and Lasers in Engineering 35 (2001) 361−369
- Ефимов И.Е., Козырь И .Я., Горбунов Ю. И. Микроэлектроника. М.: Высшая школа, 1986, — 243 с.
- C.-F. Lin, С. W. Liu, M.-J. Chen, М. Н. Lee and I. С. Lin. Infrared electroluminescence from metal-oxide-semiconductor structures on silicon. J. Phys.: Condens. Matter, v. 12, 2000, p. 205−210.
- Барабан А. П., Булавинов В. В., Коноров П. П. Электроника слоев Si02 на кремнии.- Л.: Издательство Ленинградского университета, 1988.- 304 с.
- Гриценко В.А. Строение и электронная структура аморфных диэлектриков в кремниевых МДП структурах- Новосибирск: ВО «Наука». Сибирская издательская фирма, 1993- 280 с.
- Z. GabuiTo, G. Pucker, P. Bellutti and L. Pavesi. Electroluminescence in MOS structures with Si/Si02 nanometric multilayers// Solid State Communications.-v. 114,-2000,-P. 33−37.
- G. F. Bai, Y Q. Wang, Z. C. Ma, W. H. Zong and G. G. Qin. Electroluminescence from Au/native silicon oxide layer/pC-Si and Au/native silicon oxide layer/nC-Si structures under reverse biases// J. Phys.: Condens. Matter.- v. 10.- 1998.- P. 717−721.
- N. Porjo, T. Kuusela and L. Heikkila. Characterization of photonic dots in Si/Si02 thin-film structures// J. Appl. Phys.- v. 89.- 2001.- P. 4902−4906.
- S.Chelan, R.G.Elliman, K. Gaff and A.Durandet. Luminescence from Si nanocrystals in silica deposited by heliconactivated reactive evaporation// Appl. Phys. Lett.- v. 78.- 2001.- P. 1670−1672.
- Силинь A. P., Трухин A. H. Точечные дефекты и элементарные возбуждения в кристаллическом и стеклообразном Si02.- Рига: Зинатне, 1985.- 244 с.
- L. N. Skuja, A. R. Silin. A model for the non-bridging oxygen center in fused silica. The dynamic Jahn-Teller effect// Phys. Status Solidi. A.- v. 70.- 1982.- P. 43−49.
- L. N. Skuja, A. N. Streletsky, A. B. Pakovich. A new intrinsic defect in amorphous Si02: Twofold-coordinated silicon// Sol. State. Comm.- v. 50.-1984.-P. 1069−1072.
- M. V. Zamoryanskaya and V. I. Sokolov. Structural study of thermal-oxyde films on silicon by cathodoluminescence// Phys. Solid State.- v. 47.- № 11.-1998.-P. 1797−1801.
- М. V. Zamoryanskaya, V. I. Sokolov, A. A. Sitnikova and C. G. Konnikov. Cathodoluminescence study of defect distribution at different depths in films Si02/Si// Sol. State Phen.- v. 63−64.- 1998.- P. 237−242.
- Богомолов В. H., Гуревич С. А., Заморянская М. В., Ситникова А. А., Смирнова И. П., Соколов В. И. Образование нанокластеров кремния при модификации силикатной матрицы электронным пучком// ФТТ.- Т. 43.- в. 2.- 2001.- С. 357−359.
- С. Diaz-Guerra, J. Piqueras, D. A. Kurdyukov, V. I. Sokolov and M. V. Zamoryanskaya. Defect and nanocrystal cathodoluminescence of synthetic opals infilled with Si and Pt// J. Appl. Phys.- v. 89.- 2001, — P. 2720−2726.
- H. -J. Fitting, T. Ziems, A. von Czarnowski, B. Schidt. Luminescence center transformation in wet and dry Si02// Radiation Measurement.- v. 38.- 2004.- P. 649−653.
- M. Schmidt, J. Heitmann, R. Scholz and M. Zacharias. Bright luminescence from erbium doped nc-Si/Si02 superlattices// J. Non-Crystalline Solids.- v. 299−302, — 2002.- P. 678−682.
- M. Zacharias, S. Richter, P. Fischer, M. Schmidt and E. Wendler. Room temperature luminescence of Er doped nc-Si/Si02 superlattices// J. Non-Crystalline Solids.- v. 266−269.- 2000.- P. 608−613.
- Качурин Г. А., Реболе JI., Скорупа В., Янков Р. А., Тысченко И. Е., Фреб X., Беме Т., Лео К. Коротковолновая фотолюминесценция слоев Si02, имплантированных большими дозами ионов Si+, Ge+ и Аг+// ФТП.- Т. 32.в. 4.- 1998.- С. 439−444.
- Барабан А.П., Малявка Л. В. Эффекты дальнодействия в ионно-имплантированных структурах кремний-двуокись кремния// ПЖТФ.-1997.- Т. 23.-в. 20.-С. 26−31.
- Барабан А.П., Коноров П. П., Малявка JI.B., Трошихин А. Г. Электролюминесценция ионно-имплантированных структур кремний-двуокись кремния// ЖТФ.- 2000.- Т. 70.- в. 8.- С. 87−90.
- Качурин Г. А., Реболе JL, Тысченко И.Е., Володин В. А., Фельсков М., Скорупа В., Фреб X. Формирование центров фотолюминесценции при отжиге слоев Si02, имплантированных ионами Gе// ФТП.- 2000.- Т. 34.-в.1.- С. 23−27
- С. Wu. С. Н. Crouch, L. Zhao and Е. Mazur. Visible luminescence from silicon surfaces microstructured in air// Appl. Phys. Lett.- v. 81.- № 11.- 2002.- P. 1999−2001.
- Образцов A.H., Тимошенко В. Ю., Окуши X., Ватанабе X. Сравнительное исследование оптических свойств пористого кремния и оксидов SiO и Si02// ФТП.- Т. 33.- в. 3.- 1999.- С. 322−326.
- Т. Torchinska, J. Aguilar-Hernandez, М. Morales-Rodriguez, et all. Comparative investigation of photiluminiscence of silicon wire structures and silicon oxide films// Journal of Physics and Chemistry of Solids.- v. 63.- 2002,-P. 561−568.
- Т. V. Torchynska, В. M. Bulakh, G. P. Polupan et all. Comparativeinvestigation of surface structure, photoluminescence and its excitation in130silicon wires// Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena.- v. 114−116.-2001.- P. 235−241.
- E. Degoli and S. Ossicini. The electronic and optical properties of Si/Si02 superlattices: role of confined and defect states// Surface Science.- v. 470.2000.- P.32−42.
- McLean T.P., Loudon R., J. Phys. Chem. Solids. 13, № 1, p. 1−9 (1960)
- Акимченко И.П., Бармин Ю. В., Вавилов B.C. и др. ФТП, 18, № 12 с.2138−2141 (1984)
- G.D.Sanders, Y.C. Chang/ Phys.Rev. В, 45, 9202 (1992)
- L.N.Skula, A.R.Silin «Non-Brigen Oxigen Center in Fused Silika» phis.stat.sol. (a) 70, 43 (1982)13 9. H.-J. Fitting, T. Barfels, A.N. Trukhin, B. Schmidt, A. Gulans, A. Von Czarnovski, Journal of Non-Crystalline Solids 303, p.218−231, (2002)
- Павлова. Виолетта Тимофеевна. Оптика тонких пленок и технология их нанесении // Минск. БПИ. 1990.
- JI. Майсера, Р. Глэнта, М. И. Елинсона, Г. Г. Смольно. Технология тонких пленок // справочник, Советское радио, Москва 1977.