Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Нанокристаллические пленки сульфида и селенида цинка для тонкопленочных электролюминесцентных источников

Диссертация: Нанокристаллические пленки сульфида и селенида цинка для тонкопленочных электролюминесцентных источников
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Соединения, А В, а также твердые растворы на их основе используют в акустоэлектрических приборов (усилителей и детекторов ультразвука, тензодатчиков), инфракрасных датчиков, лазеров, работающих в ближнем и среднем инфракрасном диапазонах, но широкое применение находят в качестве люминофоров в тонкоплёночных излучателях благодаря уникальным электрофизическим, фотоэлектрическим и оптическим… Читать ещё >

Нанокристаллические пленки сульфида и селенида цинка для тонкопленочных электролюминесцентных источников (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Список сокращений и обозначений
  • Глава I. Нанокристаллические пленки, А В: синтез, структура, свойства
    • 1. 1. Свойства и особенности полупроводников А2Вб
    • 1. 2. Структура и свойства сульфида и селенида цинка
    • 1. 3. Влияние структуры на оптические свойства сульфида и селенида цинка
    • 1. 4. Свойства пленок А2Вб, «полученных при низких температурах конденсации
    • 1. 5. Получение сульфидов и селенидов цинка в нанокристаллическом состоянии
    • 1. 6. Основные стадии формирования пленок вакуумным методом
  • Выводы по первой главе
  • Глава II. Приборы и методы эксперимента
    • 2. 1. Сверхвысоковакуумная установка
    • 2. 2. Получение нанокристаллических пленок сульфида и селенида цинка
    • 2. 3. Методы исследований пленок
      • 2. 3. 1. Определение интегральной скорости роста пленки
      • 2. 3. 2. Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия (РФЭС)
      • 2. 3. 3. Вторично ионная масс-спектрометрия (ВИМС) пленок
      • 2. 3. 4. Рентгеноструктурные исследования пленок
      • 2. 3. 5. Электронно-микроскопические исследования
      • 2. 3. 6. АСМ — исследования тонких полупроводниковых пленок
      • 2. 3. 7. Определение оптических параметров и оптической ширины запрещенной зоны пленок
  • Вывод по второй главе
  • Глава III. Структурные и оптические свойства нанокристаллических пленок селенида и сульфида цинка
    • 3. 1. Влияние температуры конденсации на скорость роста пленки селенида и сульфида цинка
    • 3. 2. Рентгеноэлектронная спектроскопия пленок селенида и сульфида цинка
    • 3. 3. Исследование структурных характеристик пленок сульфида и селенида цинка
      • 3. 3. 1. Рентгеноструктурный анализ
      • 3. 3. 2. Просвечивающая электронная микроскопия
    • 3. 4. Атомно-силовая микроскопия 89 3.5 Оптические свойства
  • Выводы по третьей главе
  • Глава IV. Механизм роста пленок. Возможности их использования
    • 4. 1. Расчет упругих механических напряжений в структурах пленка/подложка, возникающих из-за разницы термических коэффициентов расширения
    • 4. 2. Механизмы роста пленок селенида и сульфида цинка
    • 4. 3. Влияние температуры отжига на структуру пленок сульфида цинка, осажденных при температуре конденсации 123 К
    • 4. 4. Влияние температуры отжига на оптические свойства пленок ZnS
    • 4. 5. Электролюминесцентные источники на базе нанокомпозитных пленок ZnSenZnS
  • Выводы по четвертой главе

Научный интерес к разработке способов получения, изучению структуры и свойств наносистем обусловлен проявлением размерных эффектов. Свойства наночастиц и нанокристаллов, размеры которых соизмеримы или меньше, чем характерный корреляционный масштаб, фигурирующий в теоретическом описании физического явления, резко отличаются от свойств массивных материалов [1].

Изменения свойств материалов при переходе в нанокристаллическое состояние открывают перспективы при создании материалов и структурных элементов нанометрового размера [2].

К основным методам, получения наноматериалов относятся порошковая технология, интенсивная пластическая деформация, контролируемая кристаллизация из аморфного состояния и пленочная технология. Наибольшее распространение для получения пленок получили вакуумные методы напыления (включая молекулярно-лучевую эпитаксию), газофазное осаждение [3]. В зависимости от температуры подложки и от скорости осаждения можно, получать монокристаллические, поликристаллические или аморфные пленки.

2 б.

Соединения, А В, а также твердые растворы на их основе используют в акустоэлектрических приборов (усилителей и детекторов ультразвука, тензодатчиков), инфракрасных датчиков, лазеров, работающих в ближнем и среднем инфракрасном диапазонах [4], но широкое применение находят в качестве люминофоров в тонкоплёночных излучателях [5] благодаря уникальным электрофизическим, фотоэлектрическим и оптическим свойствам. Наиболее распространенным электролюминофором является 2п8. В прикладной люминесценции играет примерно такую же роль, как кремний в полупроводниковой электронике. Это соединение широко используется при создании высоковольтных и низковольтных катодолюминофоров, фотолюминофоров, радиолюминофоров и других люминесцентных приборов [6].

В, последнее время, стали появляться работы по получению при низких температурах конденсации как ориентированных, так и разупорядоченных пленок соединений А2Вб [7−8], обладающих интенсивной люминесценцией, используемые среди различных типов современных устройств отображения информации.

Получение пленок, бинарного составаосложняется различием в давлении насыщенных паров" компонентов соединения и коэффициентов конденсации. Остаточные газы, способные вступать в химические реакции с веществом подложки и входить в решетку кристалла, оказывают, как правило, неконтролируемое влияние на скоростьроста, структуру и электрофизические параметры пленок. Поэтому выращивание полупроводниковых пленок из паровой фазы должно проводиться в тщательно дегазированнойгерметичной системе с остаточным давлением химически активных газов (кислород, углеводороды и др.) не более 10″ 6 Па.

В связи с вышесказанным, исследование методов синтеза и свойств плёнок соединения А2Вб конкретного состава важно как для практического их использования, так и для изучения фундаментальных физических и химических процессов, протекающих при получении и применении полупроводниковых структур.

Цель настоящей работы: разработка сверхвысоковакуумной установки для получения нанокристаллических пленок стехиометрического состава бинарных полупроводниковых соединений при низких температурах конденсации, исследование физических основ получения нанокристаллических пленок сульфида и селенида цинка и возможностей использования их в качестве тонкопленочных электролюминесцентных источников.

Для достижения поставленной цели решались следующие задачи:

1. Разработка и изготовление сверхвысоковакуумной установки термического напыления для синтеза нанокристаллических пленок полупроводниковых соединений при низких температурах конденсации.

2. Исследование процессов низкотемпературной конденсации пленок сульфида и селенида цинка.

3. Исследование влияния термоотжига на структуру и оптические свойства пленок сульфида цинка.

Научная новизна результатов, полученных в ходе выполненной диссертационной работы, состоит в следующем:

1. Изготовлена сверхвысоковакуумная установка термического напыления для получения бинарных полупроводниковых соединений стехиометрического состава в интервале температур конденсации от 123 К до 873 К.

2. Выявлен и объяснен минимум на зависимостях, скорости роста пленок сульфида и селенида цинка от температуры конденсации.

3. Впервые выявлено влияние низких температур конденсации и материала подложки при термическом напылении на структуру, фазовый и элементный состав, люминесцентные свойства нанокристаллических пленок сульфида и селенида цинка. *.

4. Определены режимы получения нанокристаллических пленок 2п8 и 7п8е стехиометрического состава.

5. Формирование гексагональной фазы в кубической матрице сульфида цинка в условиях низких температур конденсации связано с влиянием механических напряжений в системе пленка — подложка и наличием дефектов упаковки.

6. Установлена взаимосвязь электролюминесценции со структурой и стехиометрическим составом нанокристаллических пленок ZnS. Практическая ценность работы.

1. Изготовленная экспериментальная напылительная сверхвысоковакуумная установка может быть применена в технологических процессах получения изделий микро — и оптоэлектроники, требующих сверхвысокого вакуума (порядка 10″ 6 Па) и низкотемпературных режимов (от 123 К до 273 К) получения.

2. Полученные нанокристаллические пленки сульфида и селенида цинка могут быть использованы в качестве рабочих слоев тонкопленочных электролюминесцентных излучателей.

Исследования по тематике диссертационной работе проводились в соответствии с аналитической ведомственной целевой программой «Развитие научного потенциала высшей школы (2009;2011 гг.)», проект № 1.3.08 «Исследование нанокристаллических и мультислойных наноразмерных систем, полученных в сильнонеравновесных условиях». Основные положения, выносимые на защиту.

1. Конструкция лабораторной установки, позволяющая обеспечивать чистоту и стехиометрический состав бинарных полупроводников при низких температурах конденсации.

2. Минимумы на зависимостях скоростей роста пленок сульфида и селенида цинка при температурах конденсации от 123 К до 273 К связаны со сменой сорбционных процессов во время осаждения пара на подложку.

3. Понижение температуры конденсации приводит к увеличению размера кристаллитов гексагональной фазы в кубической матрице сульфида цинка.

4. Отжиг пленок сульфида цинка после осаждения приводит к улучшению стехиометрии по толщине пленок и уменьшению концентрации кислорода в пленках.

5. Интенсивность фотои электролюминесценции нанокристаллических пленок 7п8 определяется структурой и стехиометрией, зависит от температур конденсации и последующего отжига.

Личный вклад автора.

Диссертация является самостоятельной работой, обобщившей результаты, полученные лично автором. Постановка задач исследований, определение методов решения и анализ результатов исследований выполнены совместно с научным руководителем.

Апробация результатов работы.

Основные положения диссертационной работы обсуждались и докладывались на IV Международной конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники», Санкт-Петербург, 2004 г.- V, VI Национальной конференции РСНЭ НАНО, Москва, 2005, 2007 гг.- научной конференции с международным участием «75 лет высшему образованию в Удмуртии», Ижевск, 2006 г.- IX Российской университетско-академической научно-практической конференции, Ижевск, 2008 г.- IV Международном научном семинаре «Современные методы анализа дифракционных данных (Топография, дифрактометрия, электронная микроскопия)», Великий Новгород, 2008 г.- II Всероссийской конференции с международным Интернет-участием «От наноструктур, наноматериалов и нанотехнологий к наноиндустрии», Ижевск, 2009 г.- XIV Международной конференции «Соединения AnBVI», Санкт-Петербург, 2009 г.- Международной конференции «Современные проблемы физики поверхностей и наноструктур», Ярославль, 2010 г.- IX Всероссийской конференции «Физикохимия ультрадисперсных (нано-) систем», Ижевск, 2010 г.- XIV Национальной конференции по росту кристаллов, Москва, 2010 г.

Публикации.

Общее число публикаций — 20. Из них 10 статей в рецензируемых журналах, 10 публикаций в материалах научно-технических конференций. Список работ приводится в конце автореферата.

Структура и объем диссертации

.

Диссертационная работа состоит из введения, четырех глав с краткими выводами по каждой главе, заключения, списка цитируемой литературы. Она включает 151 страниц машинописного текста, 59 рисунков, 5 таблиц и библиографию из 157 наименований.

Основные выводы по четвертой главе.

Рассмотрены механизмы формирования пленок сульфида и селенида цинка при отрицательных температурах конденсации, которые связаны с сорбционными, диффузионными процессами адатомов по поверхности среды фазы и механическими напряжениями, возникающими на границе пленка-подложка. Конкуренция между физической и химической адсорбцией при низких температурах конденсации и ЕпБе приводит к нелинейной зависимости скорости роста пленок от температуры конденсации.

Выявлено влияние отжига на структуру и фазовый состав исследуемых пленок. Отжиг приводит к совершенствованию структуры и гомогенизации состава. Оптимальной стехиометрией, наивысшей относительной прозрачностью обладают пленки сульфида цинка осажденные при температуре 123 К и подвергнутые отжигу при 423 К.

Получено, что интегральная интенсивность электролюминесценции зависит от температуры отжига. Данная зависимость коррелирует с зависимостями стехиометрии и структуры пленок активного слоя ТПЭЛИ.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Основные выводы диссертационной работы:

1. Изготовленная сверхвысоковакуумная установка позволяет получать методом термического напыления («вспышки») близкие к стехиометрическому составу и чистыми от инородных примесей бинарные полупроводниковые пленки при рабочем давлении 10″ 6 Па в диапазоне температур конденсации от 123 К до 873 К и контролем in situ остаточной атмосферы.

2. Понижение температуры конденсации от 273 К до 123 К приводит к изменению структуры нанокристаллических пленок сульфида и селенида цинкаувеличивается размер включений гексагональной фазы в кубической матрицеизменяется соотношение концентраций элементов пленок ZnSe и ZnS Se: Zn = 49,54:50,46−50,83:49,17 и S: Zn — 56,2:40,1−48,3:44,9 соответственно.

3. Конкуренция между физической и химической адсорбцией при низких температурах конденсации ZnS и ZnSe приводит к нелинейной зависимости скорости роста плёнок от температуры конденсации.

4. Появление гексагональной фазы в тонких пленках ZnS (толщиной до 0,15 мкм) обусловлено в основном механическими напряжениями в системе пленка-подложка, данная фаза является неустойчивой и исчезает при отжиге. В толстых пленках (свыше 0,15 мкм) наряду с механическими напряжениями за появление гексагональной фазы ответственны дефекты упаковки, отжиг не приводит к ее исчезновению.

5. Отжиг плёнок сульфида цинка при температуре 423 К приводит к:

— улучшению однородности элементного состава по толщине пленок,.

— уменьшению концентрации абсорбционного кислорода в приповерхностном слое от 37 ат.% до 9 ат.%.

— выравниванию по высоте и диаметру нанообразований.

— увеличению интенсивности фотои электролюминесценции.

Показать весь текст

Список литературы

  1. А.И. Нанокристаллические материалы: методы получения и свойства // Екатеринбург УрО РАН, 1998. — 196 с.
  2. И.П. Нанотехнология: физико-химия нанокластеров, наноструктур и наноматериалов // М.: КомКнига, 2006. 592 с.
  3. Н.К. и др. Селенид цинка. Получение и оптические свойства // -М.: Наука, 1992. 96 с.
  4. Е. М., Яшина Э. В. Оптические элементы из сульфида цинка и селенида цинка для инфракрасной техни-ки // Оптический журнал. 2005. — № 7. — С. 56−59.
  5. Н.Т., Шляпин А. В., Сабитов О. Ю. Кинетика электролюминесценции тонкопленочных излучателей на основе сульфида цинка на ультранизких частотах // Журнал технической физики. 2002. -Т.72, Вып. 2. — С.74−83.
  6. И.К., Ковалев Б. А., Косяченко JI.A. Кокин С. М. Электролюминесцентные источники света // М.: Энергоатомиздат, 1990. -168 с.
  7. Zhu Y.C., Bando Y. Preparation and photoluminescence of single-crystal zinc selenide nanowires // Chem. Phys. Lett. 2003. — Vol. 377. — P. 367−370.
  8. Babucke H., Thiele P., Prasse Т., Rabe M., Henneberger F. ZnSe-based electro-optic waveguide modulators for the blue-green spectral range // Semiconductor Science and Technology. 1998. — Vol. 13. — № 2. — P. 200−206.
  9. Itoh S., Taniguchi S., Hino Т., Imoto R., Nakano K., Nakayama N., Ikeda M. and Ishibashi A. Room temperature laser operation of wide band-gap II-VI laser diodes // Materials Science and Engineering B. 1997. — Vol. 43. — P. 5559.
  10. Itoh S., Nakano K., Ishibashi A. Current status and Future prospects of ZnSe-based light-emitting devices// Journal of Crystal Growth. 2000. -Vol. 214. — P. 1029−1034.
  11. Е.Г., Семенов Г. В., Угай Я. А. Химия полупроводников. // Воронеж: ВГУ, 1995. 270 с.
  12. В.П., Новоселова А. В. Р—Т—х-диаграммы состояния систем металлхалькоген // М.: Наука, 1987. 207 с.
  13. И. В. Полупроводниковые наноструктуры CdSe/ZnSe, полученные методом молекулярногпучковой эпитаксии: самоформирование, свойства и применение в оптоэлектронике // Дис. канд. физ.-мат. наук. СПб, 2006. -177 с.
  14. Ю.К., Денисова О. В. Физико-химические основы технологии полупроводниковых материалов // Учеб. пособие. СПб.: СЗТУ, 2005. 80 с.
  15. М.П., Кулаковский В. Д., Савченко И. Б., Фадеев А. В. О фазом переходе в кристаллах селенида цинка //Физика твердого тела. 1976. — Т. 18. №.3.-С. 909−911.
  16. Е.Е., Баженова Л. Т., Шиманская Н. П. // Сб. научных трудов ВНИИ монокристаллов, сцинтилляционных материалов и особо чистых химических веществ. 1982. — №. 9. — С. 149−150.
  17. Kikuma I., Furukoshi М. Direct observation of the 3C-2H transformation in ZnSe by high-temperature X-ray diffraction // J. Cryst. Growth. 1985. — Vol. 71. — №. l.-P. 136−140.
  18. Okada H., Kawanaka Т., Ohmoto S. Study on the ZnSe phase diagram by differential thermal analysis // Journal of Crystal Growth. 1996. — Vol. 165. № 1−2.-P. 31−36.
  19. C.A. Введение в технологию полупроводниковых материалов // М.: Высшая Школа, 1970. 504 с.
  20. А., Кришна П. Полиморфизм и политипизм в кристаллах // М.: Мир, 1969.-274 с.
  21. О.Б., Чудотворцев И. Г., Шаров М. К. Основы физики и химии полупроводников // Учебное пособие для вузов ч.2. Издательско-полиграфический центр Воронежского государственного университета, 2007.-51 с.
  22. Н.К., Кузнецов В. А. Сульфид цинка. Получение и оптические свойства // М.: Наука, 1987. 220 с.
  23. Под ред. Медведева С. А. Физика и химия соединений AnBVI // M.: Мир, 1970. 624 с.
  24. Н.Х., Банкина В. Ф., Порецкая JI.B., Скуднова Е. В., Чижевская С. Н. Полупроводниковые халькогениды и сплавы на их основе // М.: Наука, 1975. 220 с.
  25. Физико химическое1 исследование системы сульфид цинка — сульфид кадмия //Отчет НИИ Химии Саратовского ун-та № Б608 160. Саратов. -1978.- 110 с.
  26. Skinner BJ, Barton Р.В. The substitution of oxygen for sulfiir in wurtzite and sphalerite // American Mineralogist. 1960. — Vol. 45. — P. 612−625.
  27. К. Структурные исследования некоторых окислов и других халькогенидов при нормальных и высоких давлениях // М.: Мир, 1969. — 207 с.
  28. П. Термодинамика веществ при высоких давлениях // СПб.: Янус, 2002. 176 с.
  29. Datta S., Yacobi B.G., Holt D.B. Scanning electron microscope studies of local variations in cathodoluminescence in striated ZnS platelets // Journal of Materials Science. 1977. — Vol. 12. — № 12. — P. 2411−2420.
  30. В.В., Лакин Е. Е., Путятин В. Д. Монокристаллы и техника // Харьков: ВНИИМонокристалл. 1975. — Вып. 12. — С. 14−20.
  31. Е.Б., Куколь В. В., Сысоев А. А. Мартенситные и диффузионные превращения в монокристаллах ZnS // Изв. АН СССР, Неорг.материалы. -1980. -Т.16. -С. 1175−1178.
  32. Hill J., Lewis K.L., Cullis A. The Defect and Band Structure of CVD-grown ZnS // Proc. 6ht Intern. Conf. on CVD. 1977. P. 276−282.
  33. . Оптические процессы в полупроводниках // М.: Мир, 1973. -212 с.
  34. Бонч-Бруевич B.JL. Вопросы электронной теории неупорядоченных полупроводников // Успехи физических наук. 1983. — Т. 140. — Вып. 4 — С. 583−637.
  35. Liang А.Х., Rishi R. Effect of Hot-Pressing Temperature on the Optical Transmission of Zinc Sulfide // Appl. Phys. Lett. 1991. — Vol. 58. — № 5. — P. 441−443.
  36. К., Хаффман Д. Поглощение и рассеивание света малыми частицами // М.: Мир, 1986. 660 с.
  37. Ю.И. Оптические свойства полупроводников // М.: Наука, 1977. -366 с.
  38. Brus L.E. Electron-electron and electron-hole interactions in small semiconductor crystallites: the size dependence of the lowest excited electronic state // The Journal of Chemical Physics. 1984. — Vol. 80. — № 9. — P. 44 034 409.
  39. Д.Н. Получение и исследование свойств углеродных наноматериалов и нанокристаллов широкозонных полупроводников. // автореферат дис. на соискание ученой степени кандидата технических наук. Черноголовка, 2005. 170 с.
  40. Г. В., Горохова Е. И. // Оптический журнал. 1997 — Т. 64. — № 9. -С. 75−77.
  41. Mingyuan Gao, Junqi Sun, Eric Dulkeith et al. Lateral Patterning of CdTe Nanocrystal Films by the Electric Field Directed Layer-by-Layer Assembly Method//Langmuir. 2002. — Vol. 18. — P. 4098−4102.
  42. К., Фудзимори X., Хасимото К. Аморфные металлы // под ред. Масумото Ц. пер. с япон. М.: Металлургия, 1987. 328 с.
  43. А., Шо М. Физика и применение аморфных полупроводников // М.: Мир, 1991.-670 с.
  44. И.Д., Трусов Л. И., Чижик С. П. Ульродисперсные металлические среды // М.:Атомиздат, 1977. 264 с.
  45. Valeva Е., Necheva D. Photo induced phenomena in chalcogenide structures // J. Non-Cryst. Solids. 1987. — Vol. 90. — P. 497−504.
  46. Vateva E., Nesheva D. Photoconductivity of amorphous CdS films // J. Non-Crystalline Solids. 1982. — Vol. 51. — P. 381−388.
  47. Nesheva D. Properties of amorphous CdS crystalline Si juhctions // J. Solid-State Electronics. — 1987. — Vol. 30. — № 2. P. 173−176.
  48. Mendolia J., Lemoin D. Electrical and Optical Properties of Evaporated Thin Films of a-CdTe // Phys. Stat. Sol. 1986. (a)97. P. 601−607.
  49. А.П., Рубец В. П. Калинкин И.П. Формирование ориентированных пленок теллурида кадмия на аморфной подложке в резконеравновесных условиях //ЖТФ. 2001. — Т. 71. — Вып. 4. — С. 133−135.
  50. А.П., Рубец В. П., Антипов В. В. Механизм нуклеации ориентированных пленок теллурида кадмия, формирующихся в резко неравновесных условиях // Физика и техника полупроводников. 2006 — Т. 40.-Вып. 7. -С.790−793.
  51. А.П., Рубец В. П. Эффект переключения в гетеропереходах Si-CdS, синтезированных в резко неравновесных условиях // Физика и техника полупроводников. 2002. — Т. 36. — Вып. 7. — С. 843−846.
  52. А.П., Рубец В. П., Кукушкин С. А. Сенсорные исследования начальных стадий формирования теллурида кадмия из паровой фазы // Физика твердого тела. 2001. — Т. 43. — Вып. 10 — С. 1901−1903.
  53. А.П., Рубец В-.П., Нуждин М. Ю., Калинкин И. П. Влияние резко неравновесных условий на стехиометрию состава слоя теллурида кадмия, конденсируемого из паровой фазы // Физика и техника полупроводников. 2003. — Т. 37. — Вып. 6. — С. 641−643.
  54. А.П., Рубец В. П., Калинкин И. П. Начальные стадии образования эпитаксиальных пленок соединений А2В6 в резко неравновесных условиях на подложке из слюды мусковит // ФТТ. 1997. — Т. 39. — № 2. — С. 382−386.
  55. В.П. Физико-химические процессы конденсации пленок теллурида и сульфида кадмия в широком интервале температур подложек// автореферат дисс. канд. хим. наук. СПб.: СПГТИ (ТУ), 1997. 20 с.
  56. Kukushkin S.A., Osipov A.V. Soliton model of island migration in thin films // Surface Science. 1995. — Vol. 329. — P. 135−140.
  57. А.П., Рубец В. П., Калинкин И. П. Оптический край поглощения и его модификации при распаде пленок твердых растворов теллурида и сульфида кадмия // ФТП. 1997. — Т.31. — № 5. — С. 635−638.
  58. А.П., Рубец В. П., Калинкин И. П. Корреляционная связь между пропусканием и составом в пленках твердых растворов соединений А2Вб // Неорганические материалы. 1999. — Т. 35. — № 5. — С. 5448−551.
  59. S.K. Lok, G. Wang, Y. Cai, N. Wang, Y.C. Zhong, K.S. Wong, I.K. Sou. Growth temperature dependence of the structural and photoluminescence properties of MBE-grown ZnS nanowires // Journal of Crystal Growth, 2009. — Vol. 311. — № 9. — P. 2630−2634.
  60. Chia-Wei Huang, Hsuan-Mei Weng, Yeu-Long Jiang, Herng-Yih Ueng. Investigation on the properties of molecular beam deposited ZnSe films // Thin Solid Films. -2009. Vol. 517. — P. 3667−3671.
  61. Zhengbang Pi, Xiaolu Su, Chao Yang, Xike Tian, Fang Pei, Suxin Zhang, Jianhua Zheng. Chemical vapor deposition synthesis and photoluminescence properties of ZnS hollow microspheres // Materials Research Bulletin 2008. -Vol. 43.-P. 1966−1970.
  62. Chongfeng Guo, C.H. Choy, Dexiu Huang, Yueping Fang, Preparation of 3D ZnSe novel structure // Journal of Physics and Chemistry of Solids, 2006. -Vol. 67,-№ 4.-P. 818−821.
  63. S., Mangalaraj D., Narayandass Sa. К., Kim R. and Yi J. Structure, optical and electrical properties of ZnSe thin films // Physica B: Condensed Matter. 2005. — Vol. 358. — P. 27−35.
  64. Venkatachalam S., Jeyachandran Y.L., Sureshkumar P., Dhayalraj A., Mangalaraj D., Narayandass Sa.K. and Velumani S. Characterization of vacuum-evaporated ZnSe thin films // Materials Characterization. 2007. — Vol. 58. — P. 794−799.
  65. G.I., Ciupina V., Рора M.E., Prodan G., Rusu G.G. and Baban C. Microstructural characterization and optical properties of ZnSe thin films // Journal of Non-Crystalline Solids. 2006. — Vol. 352. — P. 1525−1528.
  66. Venkatachalam S., Mangalaraj D., Narayandass Sa.K., Kim K. and Yi J. Composition, structural, dielectric and DC characterization of vacuum deposited ZnSe thin films // Vacuum. 2007. — Vol. 81. — P. 928−933.
  67. M. П., Соколовская Ж. Д. // Изв. АН СССР. Неорг. материалы. -1985.-Т. 21.-№ 1.-С. 20−25.
  68. М. П., Голенко В.П // Изв. АН СССР. Неорг. материалы. 1975. -Т. 11.-№ 7.-С. 1196−1200.
  69. Zhu Y.C., Bando Y. Preparation and photoluminescence of single-crystal zinc selenide nanowires // Chem. Phys. Lett. 2003. — Vol. 377. — P. 367−370.
  70. Venkata Subbaiah Y.P., Prathap P., Ramakrishna Reddy K.T. Structural, electrical and optical properties of ZnS films deposited by close-spaced evaporation // Applied Surface Science. 2006. — Vol. 253. — P. 2409−2415.
  71. Daranfed W., Aida M.S., Hafdallah A., Lekiket H. Substrate temperature influence on ZnS thin films prepared by ultrasonic spray // Thin Solid Films. -2009. Vol. 518. — P. 1082−1084.
  72. Sahraei R., Motedayen Aval G., Baghizadeh A., Lamehi-Rachti M., Goudarzi A., Majles Ara M.H. Investigation of the effect of temperature on growth mechanism of nanocrystalline ZnS thin films // Materials Letters. 2008. — Vol. 62. — P. 4345−4347.
  73. Hyun Joo Lee and Soo U Lee Deposition and optical properties of nanocrystalline ZnS thin films by a chemical method // Current Applied Physics. 2007. — Vol. 7. — P. 193−197.
  74. Wang Y., Zhang L., Liang C., Wang G., Peng X. Catalytic growth and photoluminescence properties of semiconductor single-crystal ZnS nanowires // Chemical Physics Letters. 2002. — Vol. 357. — P. 314−318.
  75. Meng X.M., Liu J., Jiang Y., Chen W.W., Lee C.S., Bello I., Lee S.T. Structure- and size-controlled ultrafine ZnS nanowires// Chemical Physics Letters. 2003. — Vol. 382. — P. 434−438.
  76. Технология тонких пленок (справочник) // Под ред. JI. Майссела, Р. Глэнга: пер. с англ. Под ред. М. И. Елинсона, Г. Г. Смолко. T.l. М.: Сов. Радио. 1977. 664 с.
  77. И.П., Алесковский В. Б., Симашкевич А. В. Эпитаксиальные пленки соединении А2Вб // Д.: ЛГУ им. Жданова, 1978. 311 с.
  78. С.А., Осипов А. В. Процессы конденсации тонких пленок // УФН. 1998.-Т. 168. т№ 10.-С. 1083−1116.
  79. Venables A, Spiller G. D. Т., Hanbucken М Nucleation and growth of thin films // Rep. Prog. Phys. 1984. — Vol. 47. — № 4. — P. 399−459.
  80. Pashley D. W. The nucleation, growth, structure, and epitaxy of thin surface films //Adv. Phys. 1965. — Vol. 14. — P. 327−416.
  81. Basset G.A. Condensation and Evaporation of Solids // New York, 1964. P 599.
  82. Kern R., Masson A., Metios J.J. Migration Browhienne de Crisstallites Sur. Une Surface et Relation Avee Depitaxie // Surf. Sei. 1971. — Vol. 27. — № 3. -P. 483−498.
  83. Zanghi J.C., Metios J.J., Kern R. Elastic interaction between // Surf. Sei. -1975. Vol. 52. — № 3. — P. 556−568.
  84. И.П., Алесковский В. Б., Симашкевич A.B. Эпитаксиальные1. О fпленки соединений AB// Л.:ЛГУ им. Жданова, 1978. 311 с.
  85. В.М., Трусов А. И., Холмянский В. А. Структурные превращения в тонких пленках //М.:Металлургия. 1988, -325 с.
  86. Л.С., Папиров И. И. Эпитаксиальные пленки // М.: Наука, 1971. -480 с.
  87. Л.С., Фукс М. Я., Косевич В. М. Механизм образования и субструктура конденсированных пленок // М.: Наука, 1972. 319 с.
  88. С.А., Слезов В. В. Дисперсные системы на поверхности твердых тел: механизмы образования тонких пленок (эволюционный подход) // СПб.: Наука, 1996. 304 с.
  89. П.Н., Романов Э. А., Ветошкин В. М. Сверхвысоковакуумная установка для напыления нанокристаллических полупроводниковых соединений // Вакуумная техника и технология. 2008. — Т. 18. — № 2. — С. 75−80.
  90. Масс-спектрометр типа МХ-7304 ЦФ1.560. 014 ТО.
  91. Пост вакуумный универсальный ВУП-5, Техническое описание и инструкция по эксплуатации. 1989.
  92. Г. С., Болтенков Б. С., Рябинков А. И. Масс-спектры высокого разрешения остаточного газа в металлической вакуумной системе // ЖТФ. -2006.-Т. 76.-Вып. 1.-С. 105−114.
  93. Л.Н. Вакуумная техника // М.: Высшая школа, 1990. 320 с.
  94. A.M. Увеличение интенсивности отражения рентгеновского излучения от поверхности при нанесении на нее алмазоподобной углеродной пленки // ЖТФ. 1998. — Т. 68. — № 7. — С. 136−138.
  95. В.М. Экспериментальная установка для исследования вакуумно-плазменных- процессов обработки кварца // автореферат канд. тех. наук. Ижевск, 2009. 23 с.
  96. В.М., Крылов П. Н., Романов Э. А. Исследование влияния режимов ионно-плазменной обработки на шероховатость подложек из кварца, поликора и ситалла // Вакуумная техника и технология. 2008. — Т. 18.-№ 2.-С. 81−85.
  97. МИИ -4. Техническое описание и инструкция по эксплуатации. JIOMO. -1981.
  98. В., Сих М. П. Анализ поверхности методами Оже- и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии // М.: Мир, 1987. 598 с.
  99. Ф.З. Термостимулированные изменения в оксидных пленках переходных металлов и сплавов на их основе // канд. дисс. Ижевск. ФТИ УрО РАН, 1993. 189 с.
  100. Т. Фотоэлектронная и Оже-спектроскопия. // JL: Машиностроение, 1989. 344 с.
  101. Под ред. Фрименса JL, Вэнника Дж., Декейсера В. Электронная и ионная спектроскопия твердых тел // М.: Мир, 1981. 468 с.
  102. В.И., Черепин В. Т. Физические методы исследования поверхности твердых тел // М.: Наука, 1983. 296 с.
  103. Методика количественного анализа методом ВИМС. Руководство пользователя к масс-спектометру МС-7201М // Сумы. 1987.
  104. С.С., Крылов П. Н. Автоматизация серийной установки рентгеноструктурного анализа ДРОН-3 // Приборы и техника эксперимента. 2005. — № 2. — С. 149−150.
  105. С.С., Скаков Ю. А., Расторгуев JI. Н. Ренгенографический и электронно-оптический анализ // М.: МИСИС. 1994.
  106. Картотека Международного центра дифракционных данных JCPDS.
  107. ПО.Миркин Л. И. Справочник по рентгеноструктурному анализуполикристаллов //Москва, 1961. 863 с.
  108. Ш. Горелик С. С., Расторгуев Л. Н., Скаков Ю. А. Рентгеновский и электроннооптический анализ // М.: Металлургия, 1970. 106 с.
  109. Н.А. Практическая металлография // М.: Высшая школа, 1982.- 272 с.
  110. Binning G., Quate C.F.,'Gerber С. Atomic Force Microscope // Phys. Rev. Lett.- 1986.-Vol. 56.-P. 930−933.
  111. Wisendanger. Scanning Probe Microscopy. Analytical Methods // SpringerVerlag, Berlin, 2000.
  112. Основы сканирующей зондовой микроскопии. / Миронов B.JI. / М.: Техносфера, 2004. 143 с.
  113. А.А., Чижик С. А. Сканирующая зондовая микроскопия // Материалы, технологии, инструменты. -1997. № 3. — С 78.
  114. В.А. Микромеханика для сканирующей зондовой микроскопии // Микросистемная технйка. 2000. — № 1. — С. 21.
  115. Р.З., Галлямов P.P. Физические основы сканирующей зондовой микроскопии // Уфа: РИО Баш. ГУ. 2003. 82 с.
  116. М. Ю. Сысоев А.Н. Чувильдеев В. Н. Лабораторный практикум «Физика твердого тела» (физические свойства твердых тел)". М.: Высшая школа, 2001. Т. 2. — 484 с.
  117. Swanepoel R. Determination of the thickness and optical constants of amorphous silicon // J. Phys. E: Instrum. 1983. — Vol. 16. — № 12. — P. 12 141 222.
  118. Scott S.D., Barnes H.L. Sphalerite-wurtzite equilibria and stoihiometry // Geochim. Cosmochim. Acta.- 1972. -Vol. 36. P. 1275−1295.
  119. Ф.Д., Лютфалибекова А. Э. Расчет упругих механических напряжений в неоднородных в полупроводниковых структурах // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2002. — № 2. -С. 13−14.
  120. A.B. Гетероэпитаксиальные структуры ZnSxSeix/GaAs -получение, физические свойства, применения // Физика и химия твердого тела. 2007. — Т.8. — № 3. — С. 622−627.
  121. Л.Н., Петросян В. И. Полупроводниковые пленки для микроэлектроники // Новосибирск: Наука, 1977. 248 с.
  122. Н.К., Каретников И. А., Голуб К. В., Данилевич Н.Д., Лисицын
  123. B.М., Олешко В. И. Влияние кислорода на электронную зонную структуру ZnS ФТП, -2005. Т. 39. Вып. 5. С. 513−520.
  124. Н.К., Данилевич Н. Д. Особенности спектров самоактивированной люминесценции CdS(O) с позиции теории непересекающихся зон // ФТП. 2010. — Т. 44. — Вып. 4. С. 458−462.
  125. Ч., Практический курс гетерогенного катализа: Пер. с англ. // М.: Мир, 1984. -520 с.
  126. В.М., Трусов Л. И., Холмянский В. А. Структурные превращения в тонких пленках. // М.: Металлургия, 1982. -247 с.
  127. Д.В., Яфаров Р. К. Влияние упругих взаимодействий на формирование кремниевых нанокристаллитов на некристаллических подложках в плазме СВЧ газового разряда низкого давления //.Письма в ЖТФ. 2007. -Т. 33. -Вып. 7. -С. 26−34.
  128. В. А., Терпий Д. Н. Кинетика нарастания и свойства наноструктурных пленок диборида гафния // Журнал технической физики. 2009. — Т. 79. — Вып. 7. -С. 96−100.
  129. В.К., Набойкина E.H., Лебедев В. П., Храмцова В. И. Оптические и структурные свойства эпитаксиальных слоев сульфида и селенида цинка // Украинский физический журнал. — 1969. Т. 14. — № 5.1. C. 818−825.
  130. A.M., Белый В. И., Гельфонд Н. В. и др. Химическое строение и структура тонких пленок, полученных химическим осаждением из газовой фазы // Журнал структурной химии. 2002. — Т. 43. — № 4. — С. 605−628.
  131. О.Н., Марковский Л. Я., Миронов И. А. и др. Неорганические люминофоры // JI.: Химия, 1975. -192 с.
  132. Н.К., Каретников И. А., Плотниченко В. Г., Гаврищук Е. М., Яшина Э. В., Иконников В. Г. Преобразование центров люминесценции CVD-ZnS при газостатировании // ФТП. 2004. — Т.38. — Вып. 1. — С. 3943.
  133. Э.А. Получение и свойства поликристаллического сульфида цинка для ИК оптики (Диссертация на соискание ученой степени доктора химических наук. Нижний Новгород, 2004). 283 с.
  134. А.Н. Широкозонные полупроводники AnBIV и перспективы их применения // Успехи физических наук. — 1974. — Т. 113. Вып. 1. -С. 129- 155.
  135. .Ф. Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников. // М. Высшая школа, 1973. -655 с.
  136. А.Н. Электролюмисценция полупроводников и полупроводниковых структур // Соросовский образовательный журнал, Физика. 2000. — Т. 6. — № 3. — С. 105−111.
  137. П.Н., Валеев Р. Г., Романов Э. А., Структура и свойства тонких нанокомпозитных пленок ZnSe. //Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 2007, № 1, С. 41−45.
  138. П.Н., Романов Э. А. АСМ исследования нанокристаллических пленок ZnS. //Химическая физика и мезоскопия, 2009, Т.11, № 2, С. 235 243.
  139. П.Н., Романов Э. А., Федотова И. В. Исследования полиморфных превращений в нанокристаллических пленках сульфида цинка // Химическая физика и мезоскопия. 2010. Т.12, № 3. С.368−371.
  140. R. Valeev, E. Romanov, A. Deev, A. Beltukov, K. Eliseev, P. Krylov, N. Mezentsev, V. Rriventsov Synthesis of ZnSe semiconductor nanodots arrays by templadet PVD // Physica Status Solidic 2010, V.7, № 6, P.1539−1541.
  141. П.Н., Романов Э. А., Федотова И. В. Влияние термоотжига на структуру нанокристаллических пленок сульфида цинка // Физика и техника полупроводников, 2011, Т.45, Вып.1, С.127−131.
  142. Р.Г., Бельтюков А. Н., Ветошкин В. М., Романов Э. А., Елисеев A.A. Характеристики излучения тонкопленочных электролюминесцентных источников на базе нанокомпозитных пленок ZnSe // Журнал технической физики, 2011, Т. 81, Вып. 6, С. 153−155.
  143. Р.Г., Крылов П. Н. Кобзиев В.Ф., Романов Э. А. Электрофизические и оптические свойства тонких пленок ZnSe в различных структурных состояниях. Вестник удмуртского университета. Физика. Ижевск, 2005, № 4, С. 165−170.
  144. P.M., Романов Э. А., Крылов П. Н. Зависимость структуры пленок селенида цинка от температуры их синтеза. Материалы девятой российской университетско-академической научно-практической конференции, Ижевск, 2008, С. 96.
  145. Р.Г., Деев А. Н., Крылов П. Н., Кобзиев В. Ф., Романов Э. А., Пивоварова О. И. Структура и свойства тонких нанокомпозитных пленок ZnSe. Тезисы докладов V Национальной конференции РСНЭ НАНО -2005, Москва, 14−19 ноября 2005 г., С. 192.
  146. П.Н., Романов Э. А., Федотова И. В. Нанокристаллические плёнкии 2п8е: синтез, структура. Сборник трудов IX Всероссийской1 конференции «Физикохимия ультрадисперсных (нано-) систем», Ижевск, 22−26 ноября 2010 г. С. 173−175.
  147. П.Н., Романов Э. А., Федотова И. В. Структура и свойства нанокристаллических плёнок сульфида и селенида цинка. Тезисы докладов XIV Национальной конференции по росту кристаллов, Москва, 6−10 декабря 2010 г. Т. 2, С. 192.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!