Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Разработка и исследование способа разделения прозрачных хрупких диэлектрических материалов излучением лазера на парах меди

ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Разработке способа и устройства объемной лазерной маркировки прозрачных хрупких материалов, позволяющих повысить разрешение и яркость получаемого изображения путем уменьшения размеров и устранения зоны трещинообразования около разрушения. В способе воздействие на материал происходит двумя импульсами излучения. Первый импульс имеет допороговую интенсивность. Задержка по времени между первым… Читать ещё >

Разработка и исследование способа разделения прозрачных хрупких диэлектрических материалов излучением лазера на парах меди (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • ГЛАВА 1. ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ С ПРОЗРАЧНЫМИ ХРУПКИМИ МАТЕРИАЛАМИ
    • 1. 1. Физические процессы при воздействии излучения на материалы
      • 1. 1. 1. Воздействие излучения на непрозрачные материалы
      • 1. 1. 2. Воздействие излучения на прозрачные материалы
    • 1. 2. Выводы по данным литературного обзора
    • 1. 3. Цели и задачи исследования
  • ГЛАВА 2. ЛАЗЕРНОЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ ОБОРУДОВАНИЕ
    • 2. 1. Лазеры на парах меди
    • 2. 2. Разработка лазерного оборудования для обработки прозрачных хрупких материалов. t 2.2.1. Разработка лазерного модуля «Кулон-15 Си»
      • 2. 2. 1. 1. Определение конструктивных особенностей
      • 2. 2. 1. 2. Определение особенностей, параметров и характеристик излучения.33 2.2.2. Разработка фокусирующих систем излучения ЛПМ
      • 2. 2. 2. 1. Расчет параметров склеенных ахроматических объективов
      • 2. 2. 2. 2. Экспериментальное исследование параметров склеенных ахроматических объективов
    • 2. 3. Выводы по главе 2
  • ГЛАВА 3. МЕХАНИЗМЫ ЛАЗЕРНОГО РАЗРУШЕНИЯ ПРОЗРАЧНЫХ ХРУПКИХ МАТЕРИАЛОВ ПОД ДЕЙСТВИЕМ ИМПУЛЬСНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ
    • 3. 1. Поглощение излучения прозрачными хрупкими материалами
      • 3. 1. 1. Несобственные механизмы поглощения
      • 3. 1. 2. Собственные механизмы поглощения
        • 3. 1. 2. 1. Ударная ионизация. t 3.1.2.2. Многофотонная ионизация
    • 3. 2. Теория механического разрушения объемов и поверхностей прозрачных хрупких материалов импульсным излучением
      • 3. 2. 1. Физическая постановка задачи и выбор уравнений термоупругого разрушения
      • 3. 2. 2. Критерий образования механического повреждения
      • 3. 2. 3. Формирование трещины
    • 3. 3. Определение условий роста лазерного разрушения
      • 3. 3. 1. Выбор критерия разрушения материала
      • 3. 3. 2. Зарождение трещины на краю пластины
      • 3. 3. 3. Поведение трещины на стадии стабильного роста
    • 3. 4. Особенности механического разрушения поверхностей
    • 3. 5. Выводы по главе 3
  • ГЛАВА 4. ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ АСПЕКТЫ РАЗРУШЕНИЯ ПРОЗРАЧНЫХ ХРУПКИХ МАТЕРИАЛОВ ИЗЛУЧЕНИЕМ ЛПМ
    • 4. 1. Определение влияния основных параметров излучения ЛПМ на результат обработки
      • 4. 1. 1. Влияние энергетических параметров и характеристик
      • 4. 1. 2. Влияние временных параметров и характеристик излучения
      • 4. 1. 3. Особенности многоимпульсной обработки
    • 4. 2. Определение оптической чистоты материалов, обрабатываемых излучением ЛПМ
    • 4. 3. Технология комбинированной обработки импульсами двух длин волн излучения ЛПМ
      • 4. 3. 1. Способ обработки
      • 4. 3. 2. Устройство для комбинированной обработки
    • 4. 4. Выводы по главе 4
  • ГЛАВА 5. ПРИМЕРЫ ПРИМЕНЕНИЯ ИЗЛУЧЕНИЯ ЛПМ ДЛЯ ОБРАБОТКИ
    • 5. 1. Описание экспериментального технологического стенда
    • 5. 2. Особенности технологии формирования изображений в стекле
    • 5. 3. Особенности технологии скрайбирования, пробивки отверстий и разделения в режиме удаления прозрачных хрупких материалов
    • 5. 4. Выводы по главе 5

При традиционных способах изготовления большинства изделий из стекла (стеклянная тара, элементы мебели, стеклянные ограждения и т. д.) его последующая обработка с целью изменения формы, размеров и качества поверхности практически не производится, поскольку указанные параметры стараются обеспечить на стадии формования (выдувание, вытяжка, прокатка и т. д.). Для других изделий (например, применяемых в электровакуумном производстве и приборостроении) основными методами обработки являются: тепловая обработка в процессе сварки деталей в узлы, направленное нарушение прочности стекла с помощью тепловых, абразивных и твердосплавных инструментов с последующим его разламыванием по намеченному контуру, шлифовка и полировка с целью обеспечения высокой точности и химические методы обработки. В этом случае основными физическими свойствами стекла, предопределяющими использование этих методов, являются хрупкость при нормальной температуре, высокая пластичность, плавно меняющаяся в широком диапазоне температур, начиная от температуры стеклования (размягчения), и химическая неустойчивость. Эти технологические процессы известны давно и доведены в настоящее время до максимальной простоты и совершенства.

Отдельно следует рассматривать лазерную технологию обработки стекла, при которой отсутствует механическое воздействие инструмента (луча) на материал. Данная технология использует кроме указанных ещё и оптические свойства стекла, тем самым значительно расширяя возможности его обработки. Лазерная обработка прозрачных хрупких диэлектриков (стекло, сапфир, алмаз, рубин и др.) является постоянно развивающимся и важным методом обработки для электронной промышленности, электровакуумного производства и приборостроения. Операции лазерного разделения хрупких материалов, применяемые в указанной области, обеспечивают требуемые высокие показатели чистоты получаемых изделий, точности геометрии и качества обработанных поверхностей. В этой области применяются различные типы лазеров, и для каждого случая обработки доминирующим является тот или иной механизм разделения материала: абляция или термоупругое разрушение. С помощью лазерного излучения могут выполняться следующие технологические процессы: скрайбирование, управляемое термораскалывание, сварка, возгонка отверстий, сквозное разделение стекла с одновременным оплавлением краёв и объемная обработка. Лазерное скрайбирование представляет собой локальное ослабление прочности стекла, не приводящее к самопроизвольному его разделению, с последующим механическим разламыванием по намеченному контуру. Под управляемым термораскалыванием имеется в виду локальный нагрев листового стекла по заданному контуру, режим которого обеспечивает последующее за нагревом появление трещины в стекле, которая с достаточной точностью следует за перемещающимся следом лазерного луча по поверхности материала. Операции лазерного разделения хрупких материалов, применяемых в электронной промышленности, обеспечивают высокую чистоту получаемых изделий. Поскольку абразивная и алмазная обработка трудно реализуемы в вакууме, лазерная обработка практически не имеет альтернатив при изготовлении полупроводниковых особо чистых изделий. Лазерная сварка стекла и другие операции, связанные с его расплавлением, отличаются от известных процессов только ограниченной областью нагрева и, так же, как возгонка отверстий и сквозное разделение, не нуждаются в общих пояснениях. Кроме того, в последнее время всё более широкое распространение приобретает лазерная объёмная обработка стекла. Данная технология является уникальной в том смысле, что в процессе обработки импульсное лазерное излучение фокусируется в объём материала, и в стекле образуются внутренние микроразрушения, при этом поверхность материала остаётся не затронутой воздействием. Таким образом, путём периодической фокусировки импульсного лазерного луча в стекло создаётся совокупность микроразрушений, представляющая собой определённую пространственную картину. Несмотря на то, что целенаправленное формирование микроразрушений на поверхности и в объеме прозрачных материалов началось исследователями ещё в конце 80-х годов прошлого столетия, к настоящему времени не сформировано конкретного системного решения проблемы лазерной обработки материалов, прозрачных для лазерного излучения. Опубликованные по этой теме материалы имеют, за небольшим исключением, характер реклам, патентных описаний и кратких сообщений о возможности осуществления технологических операций—без детального анализа происходящих при этом физических процессов. Также актуальной является задача о создании инициатора разрушения для получения целенаправленного разрушения в процессе лазерного термораскалывания, поскольку в работах, посвященных технологии термораскалывания этому вопросу уделяется недостаточно внимания.

Наиболее часто применяемыми для обработки являются С02-лазеры, эксимерные лазеры, твердотельные лазеры с неодимом и лазеры на парах меди (ЛПМ), в области создания которых за последние несколько лет были достигнуты значительные результаты.

На сегодняшний день лазер на парах меди представляет собой источник мощного (средняя мощность до 100 Вт) импульсного видимого излучения с длиной волны 0,51 и 0,58 мкм, с высокой частотой следования импульсов от 2 до 50 кГц, короткой длительностью импульсов порядка 20 не с высоким качеством, близким к дифракционному (расходимость порядка 0,2 мрад), и высокой пиковой мощностью (от 10 до 1000 кВт). Такое сочетание параметров излучения является идеальной комбинацией для прецизионной микрообработки с испарением практически любых материалов и на сегодняшний день является причиной повышенного интереса к излучению ЛПМ как к технологическому инструменту. При этом современные модели являются простыми в использовании, надежными и обладают низкими эксплуатационными расходами, что также послужило причиной их широкого применения в промышленности для операций пробивки микроотверстий и прецизионной резки металлов.

В настоящее время отсутствует систематизированное представление о возможностях использования импульсно-периодического излучения для обработки прозрачных хрупких диэлектриков. Поэтому в полной мере не используются технологические возможности современных лазеров с указанным типом излучения, в частности, твердотельных лазеров с диодной накачкой и ЛПМ.

В связи с изложенным, исследование процессов взаимодействия излучения лазера на парах меди с прозрачными хрупкими диэлектрическими материалами и разработка способа технологического воздействия данного излучения на указанные материалы при операциях разделения является актуальной задачей.

Данная работа посвящена исследованию и разработке процессов разделения прозрачных хрупких диэлектрических материалов с помощью излучения лазера на парах меди.

Научная новизна заключается в решении проблемы управления технологической обработкой прозрачных хрупких материалов импульсно-периодическим излучением ЛПМ, состоящем в следующем:

1. Установлено, что в случае воздействия импульса излучения ЛПМ с интенсивностью выше критической при превышении термоупругими растягивающими напряжениями предела прочности в прозрачном хрупком материале образуется трещина. Это происходит при превышении температурой и скоростью изменения температуры материала критической величины.

2. Установлено, что для избежания вызванного действием термоупругих напряжений растрескивания поверхности, образованной в процессе резки или прошивки отверстия с удалением материала путем абляции, интенсивность импульса излучения ЛПМ должна обеспечивать нагрев материала выше температуры абляции, но быть ниже критической для образования трещины.

3. Разработан способ двухимпульсной обработки с удалением материалов, для которых нагрев выше температуры абляции не может быть обеспечен одним импульсом ЛПМ с интенсивностью ниже критической, при которой образуется трещина. В этом способе нагрев материала до температуры абляции происходит последовательно двумя импульсами волновых составляющих (0,51 и 0,58 мкм) излучения ЛПМ, интенсивность каждого из которых ниже критической для образования трещины.

Результаты работы были использованы при:

1. Разработке способа и устройства объемной лазерной маркировки прозрачных хрупких материалов, позволяющих повысить разрешение и яркость получаемого изображения путем уменьшения размеров и устранения зоны трещинообразования около разрушения. В способе воздействие на материал происходит двумя импульсами излучения. Первый импульс имеет допороговую интенсивность. Задержка по времени между первым и вторым импульсом сравнима со временем релаксации температурного поля и поля напряжений в материале, возникающих в результате воздействия первого импульса. Второй импульс формирует полость в объеме материала.

2. Проведении модернизации ЛПМ типа «Кулон» с одним активным элементом на основе разработанных технических требований к лазерному технологическому оборудованию. Определены зависимости средней мощности и расходимости излучения от параметров используемого резонатора.

3. Определении диапазона параметров излучения ЛПМ и соответствующих элементов лазерного оборудования, необходимых для процессов разделения различных марок стекла, алмаза, рубина, сапфира.

4. Расчете, изготовлении и исследовании объективов для фокусировки излучения ЛПМ с двумя длинами волн. В результате проведенных расчетов и экспериментов получены значения размера пучка излучения ЛПМ в фокусе ахроматических склеенных двухлинзовых объективов с различным фокусным расстоянием.

5. Создании автоматизированного лазерного технологического комплекса на базе ЛПМ в ФГУП «НПП «Исток», г. Фрязино для прецизионной обработки прозрачных материалов, в состав которого вошли разработанные устройства.

Основные материалы работы опубликованы в 3-х печатных работах. Материалы работы составили также содержание соответствующих глав 3-х научно-технических отчетов по НИР и ОКР.

Результаты работы докладывались на:

— Конференции «Лазерные системы и их применение. Лазерные системы'2004», Кострома, 29 июня-1 июля 2004 г.

— Международном симпозиуме «Образование через науку», Москва, МГТУ им. Н. Э. Баумана, 17−19 мая 2005 г.

— Научных семинарах кафедры «Лазерные технологии в машиностроении» (МТ-12) МГТУ им. Н. Э. Баумана, 2002;2005 гг. t.

5.5. ОБЩИЕ ВЫВОДЫ.

1. Так как при взаимодействии излучения ЛПМ высокой интенсивности (>108 Вт/см2) с образцами обычной чистоты широкого ряда хрупких материалов: стекло, кристаллический кварц, сапфир и др. преобладает механизм локального поглощения на неоднородностях с повышенным коэффициентом поглощения, то эффективность поглощения, а, значит, и процесса обработки, определяется количеством и характеристиками дефектов, определяющими оптическое качество материала.

2. Разрушение с образованием трещины при локальном поглощении излучения лазера на парах меди прозрачным хрупким диэлектриком возникает при превышении растягивающими термонапряжениями предела прочности материала. Это происходит при превышении температурой и скоростью изменения температуры материала критической величины. Данные условия выполняются при превышении интенсивностью излучения критической величины, определяемой свойствами материала.

3. Теоретически и экспериментально установлено, что при воздействии излучения ЛПМ на прозрачные хрупкие материалы типа стекол при появлении трещиноватого разрушения его размер пропорционален энергии импульса и зависит от параметров фокусировки. Установлено влияние параметров излучения ЛПМ на результат обработки в случае формирования как объемных, так и поверхностных дефектов в материале.

4. Приведена классификация по необходимой интенсивности излучения процессов обработки излучением ЛПМ ряда прозрачных хрупких диэлектрических материалов: 1−10 ГВт/см2—скрайбирование, 5−50 ГВт/см2— резка и пробивка отверстий, >25 ГВт/см2—формирование изображения в объеме материала.

5. Расчетным путем установлено, что с помощью воздействия на материал двух импульсов излучения с периодом ~ десятков не появляется возможность расширения технологических возможностей обработки рассматриваемых материалов излучением ЛПМ. Предлагаемый способ заключается в управлении характером (гладкое или трещиноватое) разрушения, производимого вторым импульсом, путем выбора требуемой величины задержки между импульсами и интенсивности 1-го и 2-го импульса. Предложено устройство для реализации способа.

6. Разработана технология получения с помощью излучения ЛПМ плоских изображений в стекле, состоящих из отдельных объемных микроразрушений. Технология обеспечивает получение трещиноватых микроразрушений размером от 50 до 300 мкм с расстоянием между ними от 15 мкм в зависимости от требуемых разрешения и яркости изображения.

7. При скрайбировании, пробивке отверстий и резке прозрачных хрупких диэлектриков излучением ЛПМ удаление материала происходит путем абляции. Так как глубина распространения тепла за время действия импульса излучения ЛПМ для рассматриваемых материалов составляет ~1 мкм, то значение диаметра отверстия или ширииы реза практически определяется диаметром луча с интенсивностью выше пороговой для абляции. Типичные значения указанных размеров составляют 10−30 мкм.

Показать весь текст

Список литературы

  1. А.Г., Соколов А. А. Лазерная обработка неметаллических материалов М.: Высшая школа, 1988. — 192 с.
  2. Г. А. Лазерная обработка стекла М.: Советское радио, 1979. — 136 с.
  3. Ю.К., Маненков А. А., Нечитайло B.C. Исследование объёмного лазерного разрушения и рассеяния света в кристаллах и стёклах//Труды ФИАН. 1978. — Т. 101.-С.31−74
  4. А.А., Прохоров A.M. Лазерное разрушение прозрачных твёрдых тел //Успехи физических наук. 1986. — Т. 148, № 1. — С. 179 211
  5. М.Ф., Маненков А. А., Покотило И. Л. Взаимосвязь характеристик лазерного разрушения в статистической теории //Квантовая электропика. 2000. — Т. 30, № 7. — С. 592−596
  6. М.Ф., Маненков А. А., Покотило И. Л. Теоретический анализ эффекта накопления в лазерном разрушении прозрачных диэлектриков при многократном облучении //Квантовая электроника. 1995. — Т. 22, № 7.-С. 701−705
  7. М.Ф., Маненков А. А., Покотило И. Л. Закономерности лазерного разрушения прозрачных твердых тел, инициированного поглощающими включениями различных типов //Квантовая электроника. 1998. — Т. 25, № 9. — С. 833−837
  8. М.Ф., Маненков А. А., Покотило И. Л. Эффективность различных механизмов лазерного разрушения прозрачных твердых тел //Квантовая электроника. 2002. — Т. 32, № 7. — С. 623−628
  9. М.Ф., Маненков А. А., Покотило И. Л. Механическое разрушение прозрачных твердых тел лазерными импульсами разной длительности //Квантовая электроника. 2002. — Т. 32, № 4. — С. 335−340
  10. Hopper R.W., Uhlman D.R. Mechanism of inclusion damage in laser glass //J. Appl. Phys. 1970. — V. 41, № 4. — P. 4023−4025
  11. А.Г., Иванов И. А., Лябин H.A. Способ обработки прозрачных диэлектрических материалов излучением лазера на парах меди //Технология машиностроения. 2005. — № 10. — С. 60−64
  12. А.Г., Казарян М. А., Лябин Н. А. Лазеры на парах меди: конструкция, характеристики и применения М.: ФИЗМАТЛИТ, 2005.-312 с.
  13. Высокоскоростная импульсная модуляция излучения лазеров на самоограниченных переходах атомов химических элементов /Н.М. Лепехин, Ю. С. Присеко, Н. А. Лябин и др. // Прикл. физика. -2005.-№ 2.-С. 51−55
  14. Н. А. Разработка и исследование промышленных отпаянных лазеров на парах меди мощностью 10−50 Вт для технологического и медицинского применений: Дис.. канд. техн. наук. Фрязино, 2002. -244 с.
  15. Пат. 2 082 263 (Россия). Способ возбуждения импульсных лазеров на самоограниченных переходах /А.С. Скрипниченко, А. Н. Солдатов, Н. А. Юдин. //Б.И. 1997. — № 6
  16. А.А. Кинетика возбуждения рабочих уровней лазера на парах меди в режиме сдвоенных импульсов //Квантовая электроника. 1988. -Т. 15, № 9.-С. 2510−2513
  17. В.М. Исследование физических процессов взаимодействия излучения лазера на парах меди с материалами электронной техники и разработка технологии их прецизионной обработки: Дис.. канд. техн. наук. Фрязино, 1999. — 104 с.
  18. Л.И. Двухлинзовый склеенный объектив. Методические указания для курсового и дипломного проектирования М.: Ротапринт МВТУ им. Н. Э. Баумана, 1973. — 54 с.
  19. И.А. Прикладная оптика М.: Машиностроение, 1966. — ч. Н-312 с.
  20. Г. В., Лазарева Н. Л., Пуряев Д. Т. Оптические измерения: Учебник для вузов по специальностям «Оптико-электронные приборы» и «Технология оптического приборостроения» М.: Машиностроение, 1987. — 264 с.
  21. А.С., Епифанов А. С., Маненков А. А. Влияние УФ-подсветки на пробой щелочно-галоидных кристаллов излучением С02-лазера //ЖЭТФ. 1979. — Т. 76, № 5. — С. 617−621
  22. Braunlich P., Shmid A., Kelley P. Analysis of laser-induced damage in crystals //Appl. Phys. Lett. 1975. — V. 26, № 1. — P. 150−155
  23. Shmid A., Kelley P., Braunlich P. Multi-photon absorption in crystals //Phys. Rev. Ser. B. 1977. — V. 16, № 7. — P. 4569−4574
  24. Kelley P., Shmid A., Braunlich P. The role of molecular double-photon effective section in laser beam absorption by transparent materials // Appl. Phys. Lett. 1979. — V. 20, № 5. — P. 815−823
  25. A.B., Файзуллов Ф. С. К механизму разрушения кристаллов лазерным излучением //Квантовая электроника. 1977. -Т. 4,№ 6. -С. 1144−1147
  26. А.С. Исследование закономерностей и механизм собственного оптического пробоя стекол //ЖЭТФ. 1974. — Т. 67, № 10.-С. 1805−1810
  27. А.С., Маненков А. А., Прохоров A.M. Лазерное разрушение особо чистых оптических материалов //ЖЭТФ. 1976. — Т. 70, № 5. -С. 728−732
  28. Лазерное разрушение щелочно-галоидных кристаллов /Б.Г. Горшков, Ю. К. Данилейко, А. С. Епифанов и др. //ЖЭТФ. 1977. — Т. 72, № 9. -С. 1171−1175
  29. .Г., Данилейко Ю. К., Николаев В. Н. Исследование закономерностей и механизм собственного оптического пробоя прозрачных материалов //Изв. АН СССР. Сер. физ. 1985. — Т. 49, № 8.-С. 1140−1143
  30. Г. В., Маненков А. А. О многофотонном поглощении в кристаллах //Квантовая электроника. 1979. — Т. 6, № 1. — С. 45−48
  31. Эффективное сечение двухфотонного поглощения в кристаллах /Ю.К. Данилейко, Т. П. Лебедева, А. А. Маненков и др. //ЖЭТФ. -1978.-Т. 74, № 4.-С. 765−769
  32. ., Уэйнер Дж. Теория термоупругих напряжений М.: Мир, 1964.- 517 с.
  33. Л.А. Методы решения нелинейных задач теплопроводности -М.: Наука, 1975. 228 с.
  34. К. Введение в механику разрушения М.: Мир, 1988. — 364 с.
  35. М.Ф., Маненков А. А., Покотило И. Л. Теоретический анализ условий теплового взрыва и фотоионизационная неустойчивость прозрачных диэлектриков с поглощающими включениями //Квантовая электроника. 1988. — Т. 15, № 3. — С. 544−549
  36. Разрушение: /Пер. с англ./ред. Г. Лившиц М.: Мир, 1976. Т.7-Разрушение неметаллов и композиционных материалов. 4.1. Неорганические материалы (стекла, горные породы, композиты, керамика, лед) — 634 с.
  37. И.Е. Исследование и разработка технологии управляемого термораскалывания листового стекла излучением твердотельного лазера: Дис.. канд. техн. наук. Москва, 2000. — 147 с.
  38. Разрушение: /Пер. с англ./Ред. Г. Лившиц М.: Мир, 1976. Т.2-Математические основы теории разрушения — 767 с.
  39. Пух В. П. Прочность и разрушение стекла Л.: Наука, 1973. — 156 с.
  40. Г. М. Строение и механические свойства неорганических стёкол М.: Стройиздат, 1966. — 216 с.
  41. П.Я. Механические свойства силикатных стёкол Л.: Наука, 1970.- 180 с.
  42. А.В. Теория теплопроводности М.: Высшая школа, 1967. -600 с.
  43. А.Н., Самарский А. А. Уравнения математической физики -М.: Наука, 1972. 736 с.
  44. В.И. Сопротивление материалов М.: Физматгиз, 1962. -536 с.
  45. Г. Неустановившиеся температурные напряжения М.: Физматгиз, 1963. — 252 с.
  46. Я.С., Коляно Ю. М. Неустановившиеся температурные поля и напряжения в тонких пластинках Киев: Наукова думка, 1972. -308 с.
  47. Ю.М., Нудин А. Н. Температурные напряжения от объёмных источников Киев: Наукова думка, 1983. — 287 с.
  48. А.П., Брычков Ю. А., Маричев О. И. Интегралы и ряды. Элементарные функции М.: Наука, 1981. — 800 с.
  49. А.П., Брычков Ю. А., Маричев О. И. Интегралы и ряды. Специальные функции М.: Наука, 1983. — 752 с.
  50. Е., Эмде Ф., Лёш Ф. Специальные функции М.: Наука, 1977. -344 с.
  51. Поверхностное разрушение лазерных кристаллов рубина /Ю.К. Данилейко, А. А. Маненков, A.M. Прохоров и др. //Труды ФИАН. 1978. — Т. 101, № 1.-С. 9−21
  52. Оптический пробой прозрачных сред, содержащих микронеоднородности /A.M. Бонч-Бруевич, И. В. Алешин, Я. А. Имас и др. //ЖТФ. -1971. Т. 41, № 3. — С. 532−537
  53. Взаимодействие лазерного излучения с оптическими полимерами /К.М. Дюмаев, А. А. Маненков, А. П. Маслюков и др. //Труды ИОФАН. 1991.-Т. 33, № 1.- С. 144−149
  54. А.Г., Шиганов И. Н. Лазерная сварка металлов М.: Высш. школа, 1988.-207 с.
  55. Л.Д., Ферсман И. А., Бортникер В. Ю. О накопительном эффекте разрушения прозрачных диэлектриков при многократном облучении лазером //ЖТФ. 1974. — Т. 44, № 4. — С. 2020−2030
  56. Ю.К., Маненков А. А., Нечитайло B.C. Предпороговые явления при лазерном разрушении оптических материалов //Квантовая электроника. 1976. — Т. 3, № 3. — С. 438−448
  57. Merkle L.D., Bass М., Swimm R.T. Multiple pulse laser-induced bulk damage in crystalline and fused quartz at 1.064 and 0.532 цт //Opt. Engng. 1983. — V. 22, № 3. — P. 405−413
  58. Разрушение поверхности монокристаллов ниобата и танталата лития под действием лазерного излучения /Г.М. Зверев, Е. А. Левчук, В. А. Пашков и др. //Квантовая электроника. 1972. — № 2. — С. 94 108
  59. She C.Y., Edwards D.F. Interaction gradients, concurrent light scattering experiments and bulk laser damage in solids //NBS Spec. Publ. 1972. -№ 372.-P. 11−24
  60. В.П., Смирнов В. Н. Сопоставление кинетики роста рассеяния и вспышек свечения в щелочно-галоидных кристаллах под действием импульсов излучения СОг-лазера //ЖТФ. 1979. — Т. 49, № 5. — С. 2647−2655
  61. Разрушение прозрачных диэлектриков под действием мощного лазерного излучения /Б.М. Ашкинадзе, В. И. Владимиров, В. А. Лихачев и др. //ЖЭТФ. 1966. — Т. 50, № 8. — С. 1187−1194
  62. Разрушение прозрачных диэлектриков под воздействием лазерного излучения /М.Б. Агранат, И. К. Красюк, Н. П. Новиков и др. //ЖЭТФ. -1971. Т. 60, № 10. — С. 1748−1758
  63. Об эффекте накопления в лазерном разрушении оптических материалов /А.А. Маненков, Г. А. Матюшин, B.C. Нечитайло и др. //Изв АН СССР. Сер. физич. 1988. — Т. 52, № 9. — С. 1788−1794
  64. И.С., Михайлова Е. З. Физические величины: Справочник. -М.: Энергоатомиздат, 1991. 1232 с.
  65. Пат. SU 1 838 163 (СССР). Способ формирования изображений. /П.В. Агринский, А. Г. Григорьянц, В. Н. Рождествин и др. //Б.И. -1992.-№ 25
  66. Troitski I. Laser-induced damage creates interior images //Opt. Eng. Reports. № 191. 1999. — P. 12−13
  67. Пат. 2 243 102 (Россия). Способ формирования изображений и устройство для его осуществления /П.В. Агринский, Ю. П. Астраханцев, A.M. Шилин //Б.И. 2004. — № 12
  68. Keiper В., Exner Н., Loschner U., Kuntze Т. Drilling of glass by excimer laser mask projection technique //ICALEO. 1999. — № 12. — P. 124−136
  69. Knowles M.R.H., Bell A.I., Rutterford G., Kearsley A.J., Webb C.E. Laser micro-machining of diamond //De Beers 3rd Annual Diamond Conference.: Appear, thes. of Int. conf. London, 2002. — P. 112−119
  70. А.Г., Иванов И. А. Применение лазеров на парах меди для технологической обработки //Лазерные системы и их применение: Сб. научных трудов /Под ред. В. А. Петрова. М.: МНТОРЭС им. А. С. Попова, 2004.-С. 131−137
Заполнить форму текущей работой