Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Разработка информационного обеспечения вакуумных процессов создания пленочных композиций

Диссертация: Разработка информационного обеспечения вакуумных процессов создания пленочных композиций
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Разработана структура и построена реляционная модель базы данных информационной системы. БД включает 16 таблиц справочной подсистемы, одну таблицу подсистемы администрирования ИС и 8 таблиц со значениями Emin (ot) для различных ориентации и вариантов роста необходимых для опре деления ориентационных соотношений.4. Впервые формализован процесс проектирования структуры много слойной ориентированной… Читать ещё >

Разработка информационного обеспечения вакуумных процессов создания пленочных композиций (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • 1. СПОСОБЫ ПОЛУЧЕНИЯ И СУБСТРУКТУРА МНОГОСЛОЙНЫХ ПЛЕНОЧНЫХ КОМПОЗИЦИЩЛИТЕРАТУРНЬШ ОБЗОР)
    • 1. 1. Особенности вакуумных технологических процессов получения тонкопленочных материалов
      • 1. 1. 1. Общая характеристика метода испарения и конденсации в вакууме
      • 1. 1. 2. Влияние параметров процесса испарения на свойства пленки
      • 1. 1. 3. Влияние параметров процесса переноса вещества на конечные свойства пленки.,.'
      • 1. 1. 4. Влияние параметров процесса конденсации на структуру пленки
    • 1. 2. Современные представления о субструктуре многослойных пленочных композиций
      • 1. 2. 1. Виды многослойных композиций
      • 1. 2. 2. Основные критерии ориентированной кристаллизации тонких пленок
      • 1. 2. 3. Основные особенности многослойных композиций, влияющие на их структуру
    • 1. 3. Современное состояние проблемы проектирования технологических процессов получения пленочных материалов
      • 1. 3. 1. Современное состояние и тенденции развития технологических наук
      • 1. 3. 2. Обзор существующих методов автоматизации проектирования технологических процессов
      • 1. 3. 3. Виды информационных систем и их применение в технологии производства материалов

Актуальность работы. Разнообразные тонкопленочные материалы и их композиции широко используются в различных отраслях техники, в научных исследованиях. Это связано прежде всего с тем, что тонкие пленки обладают свойствами, отличными от свойств материалов в массивном состоянии. Наиболее ярким проявлением этого является размерный эффект их структуры и свойств. Весьма перспективное направление развития тонкопленочных технологий — создание многослойных пленочных композиций, в которых можно реализовать многие специфические свойства тонких пленок, но уже в относительно массивных образцах.

Среди большого количества методов получения тонких пленок самым широко используемым и весьма универсальным является метод испарения и конденсации материалов в вакууме. Он позволяет получить тонкие пленки практически любых материалов и практически незаменим при формировании многослойных композиций (МК). Возможность контроля большинства параметров вакуумного процесса говорит о достаточно хорошей степени его управляемости.

С появлением новых информационных технологий открылась возможность если не к полной, то по крайней мере к значительной автоматизации вакуумных ТП, в частности автоматизации работ по проектированию и подготовке ТП.

За последнее время было накоплено множество различных экспериментальных данных, теоретических знаний о тонких пленках и практического опыта получения с помощью вакуумных ТП различных тонкопленочных материалов и МК, что возникла задача систематизировать все эти знания и опыт и выработать единую последовательность действий, обеспечивающую стабильное получение качественных многослойных композиций с заданными свойствами. Поэтому стала весьма актуальной задача создания единой информационной системы, призванной автоматизировать как проектирование структуры МК, включающее выбор материалов и предсказание механизма их роста, определение возможности получения заданной композиции, ориентационных соотношений и основных субструктурных параметров, так и проектирование вакуумного ТП ее получения, заключающегося в выборе подходящего метода испарения и определении технологических параметров процесса, при которых может быть получена заданная многослойная композиция.

Работа выполнялась на кафедре физики Воронежского государственного технического университета в соответствии: с планом научно-исследовательских работ ВГТУ по научному направлению «Физика, химия и технология конструкционных и функциональных материалов различного назначения» по региональной межвузовской научно-технической программе «ВУЗ-Черноземье» на 1997;1998 гг. по теме «Разработка новых перспективных диэлектрических и композиционных материалов для электронной техники» (№гос.рег 01.9.70 009 426), по федеральной целевой программе «Государственная поддержка интеграции высшего образования и фундаментальной науки на 1997;2000 годы» по проекту «Создание учебно-научного центра «Металлургия» (№гос.регГБ13.98 01.9.90 001 631).

Цель работы заключалась в разработке информационного обеспечения проектирования субструктур многослойных ориентированных пленочных композиций и вакуумных технологических процессов их получения.

В соответствии с поставленной целью в диссертации решались следующие задачи:

— проведение анализа вакуумных технологических процессов, выявление основных факторов и параметров, влияющих на ТП и пленочную композицию, определение множества данных, которые необходимо хранить и обрабатывать в ИС;

— разработка функциональной структуры информационной системы, структуры и реляционной модели базы данных (БД) ИС;

— формализация и разработка алгоритмов проектирования структуры многослойной ориентированной композиции для различных ее вариантов (монокристаллическая, одноориентационная, многоориентационная);

— формализация и разработка алгоритмов проектирования вакуумных технологических процессов получения многослойных композиций;

— программная реализация спроектированной информационной системы, ее базы данных и разработанных алгоритмов.

Научная новизна работы.

Разработана реляционная модель базы данных системы, содержащей всю необходимую информацию для процесса проектирования структуры и ТП получения МК.

Формализован процесс проектирования структуры многослойной ориентированной композиции, разработаны алгоритм определения ориентаци-онных соотношений на основе энергетического критерия, алгоритмы проектирования структур и определения основных субструктурных параметров о и о монокристаллическои, одноориентационнои и многоориентационнои композиций.

Формализовано проектирование вакуумного технологического процесса получения многослойной ориентированной композиции, разработан алгоритм определения параметров вакуумного ТП получения монокристаллической пленки металла на монокристаллической подложке. На его основе разработан пакет алгоритмов для определения параметров технологических процессов каждой стадии получения МК спроектированной структуры.

Впервые для автоматизации проектирования структуры многослойной композиции и вакуумных технологических процессов были применены современные информационные технологии (технологии создания информационных систем). Создана информационная система проектирования структуры и вакуумных ТП получения МК, в рамках которой программно реализованы реляционная модель базы данных системы, электронный справочник и разработанные в ходе диссертации алгоритмы проектирования структуры и технологического процесса.

Объектами исследования являются ориентированные металлические многослойные композиции с ГЦК и (или) ОЦК типом кристаллических решеток компонент, а также вакуумные технологические процессы их получения.

Основные положения и результаты, выносимые на защиту:

— разработанная функциональная структура информационной системы проектирования структуры и вакуумных технологических процессов получения многослойных композиций;

— реляционная модель базы данных системы, в которой собрана информация, необходимая для выполнения ИС своих функций;

— последовательность действий, реализуемая в ИС на этапе проектирования структуры многослойной ориентированной композиции для варианта выбора в качестве объекта проектирования монокристаллической, одноори-ентационной и многоориентационной МКалгоритм определения ориента-ционных соотношенийалгоритм определения возможности получения и критической толщины слоев монокристаллической композиции;

— алгоритм определения оптимальных параметров ТП получения монокристаллической пленки заданной толщины и структуры на монокристаллической подложке;

— последовательность действий при проектировании ТП получения спроектированной многослойной ориентированной композициипакет алгоритмов для определения оптимальных параметров технологических процессов всех этапов получения МК.

Практическая ценность работы состоит в создании на основе реляционной модели базы данных и разработанных алгоритмов информационной системы проектирования структуры и вакуумных технологических процессов получения многослойных композиций, которую можно использовать для автоматизации труда научных работников и инженеров, занимающихся проблемами МК и вакуумными технологиями их получения, а также в учебном процессе. В зависимости от поставленных задач можно использовать ИС как удобную справочную систему, содержащую большой объем информации, необходимой при проектировании структуры и ТП получения пленочных композиций, либо спроектировать структуру заданной МК и определить оптимальные параметры технологического процесса ее получения.

Созданная информационная система и разработанные алгоритмы могут использоваться в качестве основы при решении других задач, связанных с проектированием структуры пленочных композиций или вакуумных ТП.

Апробация работы. Основные результаты работы докладывались и обсуждались на V научно-технической конференции с международным участием «Материалы и упрочняющие технологии» (Курск, 1997), конференции «Реализация региональных научно-технических программ ЦентральноЧерноземного региона» (Воронеж, 1997), конференции студентов и молодых ученых в разделе «Техническая физика» (Москва, 1998) — Всероссийской межвузовской научно-технической конференции студентов и аспирантов (Москва, 1998), V Международной конференции «Пленки и покрытия» (Санкт-Петербург, 1998), II Всероссийском семинаре «Нелинейные процессы и проблемы самоорганизации в современном материаловедении» (Воронеж, 1999), симпозиуме «Математическое моделирование в естественных и гуманитарных науках» (Воронеж, 2000).

Публикации. По теме диссертации опубликовано 9 научных работ.

Личный вклад автора. Лично автором были разработаны структура информационной системы, реляционная модель базы данных, алгоритм определения ориентационных соотношений, алгоритм проектирования структуры монокристаллической композиции, алгоритм проектирования вакуумного технологического процесса получения монокристаллической пленки на монокристаллической подложке, пакет алгоритмов определения оптимальных параметров ТП получения многослойных ориентированных композиций. Автор принимал непосредственное участие в выработке последовательности действий в ИС при проектировании одноориентационных и многоори-ентационных композиций, а также при проектировании вакуумных ТП получения МК. Самостоятельно автором была программно реализована информационная система проектирования структуры и вакуумных технологических процессов получения многослойных композиций.

Структура работы. Диссертация состоит из введения, четырех глав, выводов и списка литературы. Она содержит 118 страниц, 17 рисунков, список литературы из 100 названий.

1. Разработана функциональная структура информационной системы проектирования структуры и вакуумных технологических процессов получе ния МК. В состав ИС входят: справочная подсистема, обеспечивающая про смотр и редактирование справочной информации, подсистема разграничения доступа к ИС со стороны различных пользователей, модуль проектирования стрзостуры МК, модуль проектирования ТП получения МК. Все части ИС об мениваются данными с БД.

2. Сформировано множество параметров, необходимых для функцио нирования информационной системы. В него вошли данные, необходимые для проектирования стрзостуры многослойной композиции, проектирования технологического процесса получения МК, администрирования информаци онной системы и некоторые данные обеспечивающие дальнейшее развитие.

3. Разработана структура и построена реляционная модель базы данных информационной системы. БД включает 16 таблиц справочной подсистемы, одну таблицу подсистемы администрирования ИС и 8 таблиц со значениями Emin (ot) для различных ориентации и вариантов роста необходимых для опре деления ориентационных соотношений.4. Впервые формализован процесс проектирования структуры много слойной ориентированной композиции. Разработанный алгоритм проектиро вания монокристаллигческой композиции для любой пары металлов позволя ет определить принципиальную возможность создания такой композиции (по критериям слоевого роста ФМ) и определить критическую толщину ее слоев. При проектировании одноориентационных и многоориентационных компо зиций можно определить оптимальные ориентационные соотношения по со ответствующему алгоритму, предсказать механизм роста и оценить толщины каждого слоя.5. Формализовано проектирование вакуумного технологического про цесса получения многослойной ориентированной композиции, разработан алгоритм определения параметров вакуумных ТП получения монокристалли ческой пленки металла на монокристаллической подложке. С его помощью можно определить необходимый материал испарителя (тигля) и тип испари теля, выбрать материал подложки, определить такие параметры ТП (расстоя ние от испарителя до подложки h, минимальную массу испаряемого металла Me, температуру подложки Тп, температуру испарителя Ти, время испарения t, давление остаточных газов р. На основе этого алгоритма разработан пакет алгоритмов для определения параметров технологических процессов каждой стадии получения МК спроектированной структуры.6. Создана информационная система проектирования структуры и ва куумных технологических процессов получения многослойных ориентиро ванных композиций, в рамках которой программно реализованы реляционная модель базы данных системы, электронный справочник, предоставляющий доступ пользователям к информации из БД, и разработанные в ходе диссер тационной работы алгоритмы, обрабатывающие данные из БД (алгоритмы проектирования структуры и технологического процесса). Система обеспе чивает проектирование субструктуры ориентированных двухкомпонентных МК для любой заданной пары металлов и достаточно точное определение параметров вакуумных ТП их получения.

Показать весь текст

Список литературы

  1. В.В. Тонкие пленки в технике сверхвысоких частот.- М.: Советское радио, 1967.- 456 с.
  2. Холлэнд Л. Нанесение тонких пленок в вакууме. — М.: Госэнергоиз- дат, 1962.- 608 с.
  3. Л., Глэнг Р. Технология тонких пленок: Справочник. -М.: Советское радио, 1977.- Т. 1.- 664 с.
  4. Э.И. Кристаллизация и термообработка тонких пленок. — Минск: Наука и техника, 1976. — 376 с.
  5. П., Берри Р. У. Тонкопленочные элементы и схемы// Физика тонких пленок. Т. 2/ Под ред. Г. Хасса, Р. Э. Туна. — М.: Мир, 1967.- 320 -391.
  6. Палатник Л. С, Фз^с М.Я., Косевич В. М. Механизм образования и субструктура конденсированных пленок. — М.: Наука, 1972. — 320с.
  7. В.М., Трусов Л. И. Рост пленок: Учеб. пособие. — Воронеж: ВПИ, 1982. — 98 с.
  8. Дэшман Научные основы вакуумной техники. — М.: Мир, 1964. — 716 с.
  9. Соколов И. А. Расчеты процессов полупроводниковой технологии: Учеб. пособие для вузов. — М.: Металлургия, 1994. -176 с.
  10. А.Н. Давление пара химических элементов. — М.: Изд-во АН СССР, 1961.-396 с.
  11. Дж. П., Моазед К. Л. Образование зародышей при кристаллизации тонких пленок// Физика тонких пленок. Т. 4 / Под ред. Г. Хасса, Р. Э. Туна. — М.: Мир, 1970.- 123 — 166.
  12. Метфессель Тонкие пленки, их изготовление и измерение. -М.: Мир, 1963.-272 с.
  13. B.C. Вакуумное нанесение тонких пленок.- М.: Энергия, 1967.-312 с. по
  14. Касуэлл Х. Л. Оборудование для испарения материалов в сверхвысоком вакууме и анализ остаточных газов// Физика тонких пленок. Т. 1/ Под ред. Г. Хасса. — М.: Мир, 1967.- 13 — 90.
  15. Л., Глэнг Р. Технология тонких пленок: Справочник. -М.: Советское радио, 1977.- Т. 2.- 768 с.
  16. Тун Р. Э. Структура тонких пленок.// Физика тонких пленок. Т. 1/ Под ред. Г. Хасса — М.: Мир, 1967.- 224 — 274.
  17. Чопра К. Д. Электрические явления в тонких пленках. — М.: Мир, 1972.-436 с.
  18. Палатник Л. С, Папиров И. И. Ориентированная кристаллизация. — М.: Металлургия, 1964. -408 с.
  19. Нейгебауэр К. А. Явления структурного разупорядочения в тонких металлических пленках// Физика тонких пленок. Т. 2/ Под ред. Г. Хасса, Р. Э. Туна. — М.: Мир, 1967.- 13 — 82.
  20. В.М. Структура пленок: Учеб. пособие. — Воронеж: ВПИ, 1983. — 87 с.
  21. Л.С., Папиров И. И. Эпитаксиальные пленки. — М.: Наука, 1971.-480с.
  22. В.М., Палатник Л. С. Механизм роста и дефекты кристаллического строения вакуумных конденсатов// Физика металлов и металловедение. — 1968. — Т. 25. — Вып. 1. — 63 -79.
  23. Дж. У. Монокристаллические пленки, полученные испарением в вакууме // Физика тонких пленок. Т. 4/ Под ред. Г. Хасса, Р. Э. Туна. -М.: Мир, 1970.-С. 167−227.
  24. В.П., Точицкий Э. И., Чапланов A.M. Эпитаксиальный рост металлических пленок на галогенидах // Пластичность и обработка металлов давлением: Сб. тр. — Минск: Наука и техника, 1964.- 249−254
  25. А.И., Гаврилов И. И. Влияние параметров процесса осаждения на скорость роста и морфологию крупных осадков монокристалли-I l l ческого кремния // Металлургия и металловедение чистых металлов. — 1980. -№ 14.-0.21−28.
  26. Mouzd K.L., Anderson J.C.(ed.). The Use of Thin Films in Physical Investigation. — New York: Academic Press Inc, 1966. — 203 p.
  27. B.M., Бугаков A.B., Трофимов В. И. Рост и субструктура конденсированных пленок: Учеб. пособие. — Воронеж: ВГТУ, 2000. -386 с.
  28. В.М., Бугаков А. В., Иевлев В. П. Многослойные пленочные металлические композиции: структурный аспект проблемы // Вестник ВГТУ. Сер. Материаловедение. — Вып. 1.1. — Воронеж: ВГТУ, 1996. — 7 — 22.
  29. В.М., Бугаков А. В. Структурная и субструктурная самоорганизация при росте многослойных пленочных композиций //Вестник ВГТУ. Сер. Материаловедение. — Вып. 1.5. — Воронеж: ВГТУ, 1999. — 61 — 68.
  30. Royer M.L. Recherches experimentales sur I’epitaxie on orientation mutuelle des cristaux d’especes differentes // Bull. Soc. Franc. Mineral. -1928. -Vol.51.-№l-2.-P. 7−157.
  31. Warrington D.H., Bufalini P. The Coincidence Site Lattice And Grain Boundaries // Scr. Met. — 1971. — Vol. 5 — P.771−776.
  32. Исследование структуры границ зерен / B.C. Постников, В. М. Иевлев, К. С. Соловьев, И. В. Золотухин //ФММ. -1974. — Т.37. -С. 124−132.
  33. Tan T.Y., Sass S.L., Balluffi R.W. The Detection Of The Periodic Structure Of High-Angle Twist Boundaries.II. High Resolution Electron Microscopy Study // Phil. Mag. -1975.- Vol. 31.-P. 575−585.
  34. Bollmaim W. On The Geometry Of Grain And Phase Boundaries. I. General Theory. 11. Apphcations Of General Theory //Phil.Mag.- 1967.-Vol. 16.-P.363−381.-P.383−399.
  35. Структура межкристаллитных и межфазных границ / В. М. Косевич, В. М. Иевлев, Л. С. Палатник, А. И. Федоренко. -М.Металлургия, 1980.- 250 с.
  36. В.М., Бугаков А. В., Бармина Н. В. Применение теории 0- решетки к анализу ориентационных соотношений на межфазной границе // Поверхность. Физика, химия, механика. — 1984.-№ 5.-С. 21−28.
  37. Bauer Е. Phanomenologische Theorie der Kristallabscheidung an Ober- flachen//Z. Kristallogr. -1958. -Bd. 110. -H.4. — S. 372−431.
  38. Bauer E. Epitaxy Of Metals On Metals // Appl.Surf.Sci. — 1982. — Vol. 11/12.-P. 479−494.
  39. B.M., Трусов Л. И., Холмянский В.А. Структурные превращения в тонких пленках. — 2-е изд., перераб. и доп. — М.: Металлургия, 1988. -326 с.
  40. Ван дер Мерве Дж. X. Несоответствие кристаллических решеток и силы связи на поверхности раздела между ориентированными пленками и подложками // Монокристаллические пленки — М.: Мир, 1966. — 172−201.
  41. Bauer Е., Van der Merwe J.H. Structure And Growth Of Crystalline Su- perlattices: From Monolayer To Superlattice // Phys.Rev.B: Condens. Mater. -1986.- Vol. 33.- № 6. — 3657 — 3671.
  42. A.B., Иевлев B.M., Ирхин Б. П. Энергия и релаксированная атомная структура межфазных границ в металлических системах с ГЦК решеткой 1. Энергия границ различных ориентации // Поверхность. Физика, химия, механика.-1993. — № 2. — 97−105.
  43. А.В., Иевлев В. М. Энергия и релаксированная атомная структура межфазных границ в металлических системах с ГЦК решеткой: границы (lll)-(OOl) и (lll)-(llO)// Поверхность. Физика, химия, механика. -1994.-№ 12.-С. 112−122. ИЗ
  44. В.Ф. Проблемы и технология комплексной автоматизации// Автоматизация проектирования. — 1998.- № 4.- 40−44. -1999.- № 1.- 28−36.
  45. В.В. Модели в задачах анализа и управления сложными системами и процессами // Компьютерная хроника. — 1999. — № 3.-С.51−69.
  46. И.П., Маничев В. Б. Основы теории и проектирования САПР. — М.: Высш. шк., 1990. — 335 с.
  47. Системы автоматизированного проектирования: В 9 кн. Норенков И. П. Кн. 1. Принципы построения и структура. — М.: Высш. шк., 1986.- 127 с.
  48. Системы автоматизированного проектирования: В 9 кн. Трудоно- шин В.А., Пивоварова Н. В. Кн. 4. Математические модели технических объектов. — М.: Высш. шк., 1986. — 160 с.
  49. Н.Н., Данилин А. Н. Комплексный инженерный анализ — прочность, динамика, акустика // Автоматизация проектирования. — 1998. — № 2 -С.31 -35.
  50. Но. Р., Plummer J.D., Hansen S.E. VLSI Process Modeling — SUPREM3 // ШЕЕ Trans. Electron Dev. — 1983. — Vol. ED-30. — № 10. — P. 1438 -1453.
  51. В.Ф. Информационная интеграция производств// Компьютерная хроника. — 1999. — № 3.- 5−24.
  52. Г. Р. Очерки информационной технологии. — М.: ИнфоАрт, 1993.-336 с.
  53. LT 97 — альтернатива AutoCAD // Автоматизация проектирования.- 1998.-№ 2.-С. 42−44.
  54. Коротко о SCAN // Автоматизация проектирования. — 1998. — № 2 — 39−41.
  55. В.А. Физический анализ кремниевой технологии (ФАКТ) // Компьютерные силы быстрого реагирования. — 1992. — Вып. 1. — 4−11.
  56. Scovell P.D., Duckworth C.N., Rosser P.G. Modeling of VLSI Semiconductor Manufacturing Processes // Rep. Prog. Phys. — 1989. — Vol. 52. — P. 349−388.
  57. Е.И. Комплекс программных средств CAD/CAM — систем ГРАФИКА-81 // Автоматизация проектирования. -1997. — № 1 — 42−45.
  58. Кузнецов Д. Введение в системы управления базами данных: Часть 1. // СУБД. -1995.-№ 1.- 117−127.
  59. Кузнецов Д. Введение в информационные системы: Часть 2.11 СУБД. — 1997. — № 2. — 83−96.
  60. В.И. Обзор способов и средств построения информационных приложений // СУБД. -1996.- № 5−6. — 52−63.
  61. F., Капо S., Iwata S. Development of «Data-Free-Way» Distrbuted Database System For Advanced Nuclear Materials// Nucl. Sci. Tech-nol. -1994. — № 12.- Vol. 31. — P. 1314−1334.
  62. Nakajima H., Yokoyama N., Ueno F. Present Status and Prospect of «Data — Free — Way» (Distributed Database for Advanced Nuclear Materials) // Nucl. Mater. — 1994. — Vol. 212 -215, P. 1711 -1714.
  63. Fujita M., Yokokawa Т., Noda T. A Material Information System by Using the Internet // http://inaba.nrim.go.jp/. -1997. — 13 p.
  64. Fujita M., Kurihara Y, Shindo M. A Distributed Database System for Mutual Usage of Materials Information (Data — Free — Way)// STP 1331.-1997.- P. 260−276.
  65. C.A. Ильичёва, B.C. Майоров, H.M. Семёшин. База знаний в лазерных технологиях// Автоматизация проектирования. -1998. -№ 2. — 16−20.
  66. В.В., Савинков В. М. Проектирование баз данных информационных систем. — 2-е изд. перераб. и доп. — М: Финансы и статистика, 1989. — 350 с.
  67. Т., Фрай Дж. Проектирование структур баз данных: В 2 кн. Кн.1.-М:Мир, 1985.-287 с.
  68. А.А. Информационная система проектирования вакуумных технологических процессов формирования пленочных композиций // Конференция студентов и молодых ученых. Техническая физика: Сб. тр. -Москва, 1998.-Ч. П.-С. 17−22.
  69. М. Введение в SQL. — М.: Лори, 1996. — 375 с.
  70. А.А. Система проектирования вакуумных технологий тонкопленочных материалов// Второй Всерос. сем. «Нелинейные процессы и проблемы самоорганизации в современном материаловедении»: Тез. докл. -Воронеж, 1999. -С. 138 — 140.
  71. А.А., Иевлев В. М., Бугаков А. В. База данных информационной системы проектирования вакуумных технологических процессов нанесения пленочных покрытий// V Междунар. конф. «Пленки и покрытия'98»: Сб. тр.- Санкт-Петербург, 1998. — 377−379.
  72. Г. Металлофизика. — М.: Мир, 1971.-504 с.
  73. Г. М. Системы управления базами данных — коротко о главном // СУБД. — 1995.- № 1.- 128−138.
  74. Е.Ф. Реляционная модель данных для больших совместно используемых банков данных.// СУБД. -1995. — № 1 — 100−116.
  75. Кузнецов Д- Введение в СУБД: Часть АЛ СУБД. — 1995. — № 4 — 114−122.
  76. Г. Проектирование реляционных баз данных для использования с микроэвм. — М.: Мир, 1991. -247 с.
  77. А.В., Иевлев В. М. Энергия межфазных границ в металлических пленочных системах при сопряжении плоскостями разных индексов // Тонкие пленки и нитевидные кристаллы: Межвуз. сб. научн. тр. -Воронеж, 1993.-С. 4−11.
  78. Б)таков А. В. Энергия, релаксированная атомная структура и субструктура межфазных грани в пленочных металлических системах// Дис. д-ра физ.-мат. наук. — Воронеж, 1996. — 295 с.
  79. А.В., Чикирякин А.А. Компьютерное прогнозирование структуры многослойных тонкопленочных композиций // Симпозиум «Математическое моделирование в естественных и гуманитарных науках»: Тез. докл.- Воронеж, 2000.-С. 36.
  80. Palmberg P.W., Rhoin T.N., Todd Т. Ion-energy Electron Diffraction Studies Of Epitaxial Growth Of Silver And Gold In Ultrohight Vacuum// Appl. Phys. Lett. -1967. — Vol.10. — P.122 -124.
  81. Stirland D.J. Epitaxy Modifications To Evaporated Fee Metals Induced By Electron Bombardment Of Alkali Halide Substrates // Appl. Phys. Lett. — 1969. -Vol. 15.-P. 86−88.
  82. Stirland D.J. Etectron-Bombardment-Induced Changes In The Growth And Epitaxy Of Evaporated Gold Films // Appl. Phys. Lett. — 1966. — Vol. 8. — P. 326−327.
  83. Palmberg P.W., Todd C.J., Rhodin T.N. Role Of Surface Defects In The Epitaxial Of Some Fee Metals On Potassum In UHV // J. Appl. Phys. — 1968. -Vol. 39.- 4650−4662.
  84. Cho A.Y., Arthur J.R. Molecular Beam Epitaxy // J. Cryst. Growth. — 1978.-Vol. 45.-P.-325.
  85. Berger H. Molekularstrahlepitaxial// J.Tag. Phys. Und Electron. — Berlin. -1977.-P. 107−136
  86. Влияние ионизации молекулярного пучка на ориентированный рост металлических пленок / B.C. Постников, В. М. Иевлев, В. Н. Моргунов, И. В. Золотухин // Нитевидные кристаллы и неферромагнитные пленки. Ч. 2: Тонкие пленки. — Воронеж. -1970. — 87 — 93.
  87. В.Н. Особенности зарождения и структура пленок некоторых металлов при конденсации из ионизированного потока: Автореферат дис… канд. физ. — мат. наук. — Воронеж. — 1971. — 16 с.
  88. Влияние ионизированных атомов в конденсируемом потоке на кинетику зарождения пленок / В. М. Иевлев, В. А. Аммер, Е. В. Шведов, В. И. Иванов // ФТТ. — 1976. — Т. 18. — 1138 — 1140.
  89. Takagi Т., Yamada I., Sosaki А. Film Formation By Ionized — Claster Beam Deposition // Inst. Phys. Conf Ser. — 1978. — № 38. — P. 142 -150.
  90. Takagi T. Yamada I. Ionized — Cluster Beam Epitaxy // J. Cryst. Growth. -1978.-Vol. 45.-P. 318−325.
  91. Yamada I. Characteristics Of Thin Films Formed By The lonized- Cluster Beam Technique // J. Cryst. Growth. — 1978. — Vol. 45.- P. 318 — 325.
  92. Tokutaka N., Putton M., Higgenbotham J.G. The (100) Surfaces Of Alkali Halides. II Electron Stimulated Dissociation // Surf Sci. — 1970. — Vol. 21. — P. 233 — 240.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!