Разработка методов и устройств контроля основных параметров массивов памяти систем спутниковой связи
Диссертация
Проведен анализ существующих способов повышения скорости «чтения/записи» информации, показана невозможность получения при их использовании скорости доступа к памяти типа FLASH более 2 Гбит/стак же высокоскоростные МП имеют низкую надежностьанализ методов повышения вероятности безотказной работы — резервирования доказал нецелесообразность использования так называемого ненагруженного… Читать ещё >
Список литературы
- Ерохин Г. А. Повышение надежности встроенных носителей энергонезависимой памяти // 12-я Межрегиональная конференция МНТО-РЭС им. А. С. Попова «Обработка, сигналов в системах телефонной связи и вещания». -М.: МТУ СИ, 2003. — С. 166−169.
- Ерохин- Г. А. Повышение надежности и скорости чтения/записи устройств цифровой энергонезависимой памяти // Депонирована в ЦНИИ «Информсвязь» 04.07.04 № 2244св. 2004 С.91−102.
- Ерохин Г. А. Устройство согласования микросхем FLASH-иамяти и интерфейса SCSI // 13-я Межрегиональная конференция МНТОРЭСим. А. С. Попова «Обработка сигналов в системах телефонной связи и вещания». -М.: МТУСИ, 2004. С. 116−117.
- Ерохин Г. А. Анализ алгоритмизации энергонезависимой памяти для систем связи // Международная научно-техническая школа-конференция «Молодые ученые — науке, технологиям и профессиональному образованию в электронике». М.: МИРЭА, 2005. — Ч. 2. — С.37−40.
- Ерохин Г. А. Использование RAID-массива внутри кристалла FLASH памяти для мобильных устройств // Международный форум информатизации «Телекоммуникационные и вычислительные системы». М.: МТУСИ, 2005. — С. 103−109.
- Ерохин Г. А. Анализ надежности устройств FLASH-памяти II 6-я международная научно-техническая конференция «Перспективные технологии в средствах передачи информации». — Владимир.: ВГУ, 2005 — С.159−160.
- Ерохин Г. А., Порохов В. Н., Ершов А. Н. Стенд для исследования устройств энергонезависимого хранения данных // 4-я Международная научно-техническая конференция «Перспективные технологии в средствах передачи информации». Владимир.: РОСТ, 2005. — С.38−39.
- Ерохин Г. А. Использование ПЛИС в высокоскоростных устройствах энергонезависимой памяти на микросхемах FLASH II Труды 19-й конференции РНТО РЭС им. А. С. Попова. — М.: Инсвязьиздат, 2005-Том 1. — С.56−58.
- Ерохин Г. А. Микросхемы постоянной энергонезависимой памяти// Международная научно-практическая конференция INTERMATIC-2005 «Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения»: Мат. конф. -М.: МИРЭА, 2005. Ч. 2. С. 123−124.
- Ерохин Г. А., Нестеркин Ю. А. Шевлягин Д.С. Исследование микросхем флэш-памяти на устойчивость к радиационному воздействии // Международный форум информатизации «Телекоммуникационные и вычислительные системы». М.: МТУСИ, 2006. — С.28−29.
- Ерохин Г. А. Особенности описания схемотехники энергонезависимой памяти на языках HDL // Международная научно-практическая конференция INTERMATIC-2005 «Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения». М.: МИРЭА, 2005 — Ч. 2. -С.153−155.
- Ерохин Г. А. Ускоренные испытания микросхем FLASH-imuwiR II Московская научно-техническая конференция «Технологии информационного общества». -М.: МТУСИ, 2007. С.176−177.
- Ерохин Г. А. Массивы энергонезависимой памяти бортовых систем сбора и передачи информации //Труды московского технического университета связи и информатики. М.: «ИД Медиа Паблишер», 2007 — С.64−65.
- Ерохин Г. А. Повышение срока активного существования систем спутниковой связи // Материалы 16-й межрегиональной конференции «Обработка сигналов в системах радио связи и вещания». -М.гМТУСИ, 2008. — С.31−33.
- Ерохин Г. А. Высокоскоростной массив энергонезависимого хранения информации на микросхемах типа FLASH // Проектирование и технологии электронных средств. — Владимир: 2008. — № 1. — С.45−48.
- A.Abernethy, Dr. Robert В., The New Weibull handbook, Second Edition // авторское издание, 1996,
- LaBel К.A., Gates MM, Moran A.K. Commercial Microelectronics Technologies for Applications in the Satellite Radiation Environment. 2006-
- David Petrick, Dr. James Howard Xilinx Virtex-II Pro Power PC Proton-test Result, 2006−87.- Сайт по радиационной стойкости, http://klabs.org/-
- Scheick Leif, SEE Measurements on the Aeroflex MCM Flash Memory, 2001-
- Sahu It, Radiation Report on: 58C1001, 1996-
- Paolo Pavan, Roberto Bez, Piero Olivo, and Enrico Zanoni, Flash Memory Cells-An Overview. Proceedings of the IEEE, Vol. 85, No. 8, august 1997-
- Angelo Visconti, Memorie Non Volatili. STMicroelectronics Central R&D -Non- Volatile Memory Process Development, Padova, a.a. 2001−2002.
- Сайт производителя микросхем FLASH: www.samsung. com-
- Сайт производителя микросхем FLASH: www.mitsubishi.com-
- Сайт производителя МП на FLASH: www.itt.compac1flash.rir,
- Сайт производителя МП па. FLASH: www.msistem.com-,
- Сайт производителя МП на FLASH: www.pretec.com-
- Сайт производителя ПЛИС: www.Xilinx.com',
- Голографические приводы: ww.compress.ru/Archive/CP/2006/1/10/-
- Информ. сайт оптическаой записи типа FMD: salo-nav. com/arch/2006/02/004−010. htm-113.- Информ. сайт о FLASH дисках: www. m-systems.com/site/en-US/Products/-
- Тед.: (405) oUJ *, 220 191"5П14В1 001
- ПГРН 102TJ39219980, ИНН/КПП1. OKUO 1 141 738″. OIPH даспутниковой^язи^вбортов^^^ <<Электро л>>
- Г, А используются При исследовательском бортовой системе сбора даннь
- РНИИ КП"), в.48' ' оЛ". &bdquo-&bdquo-&bdquo-ышения надежностимассива энергонезави^^ой^амяти^^ч^ треть^тлаве^иссертации^^^
- Запуск КА «Электро Л>» с данной1 2009 году. генерального директора i 3а^Г^нстГораФГУП$ F «РНИИ кп"1.2009 г. гк^М-К. Соловьев11. Т-(
- Российский научно-исследовательский институт космического приборостроения» (ФГУП «РНИИ КП»)
- Авиамоторная ул., д. 53, Москва, 111 250 Тел.: (495) 509−12−02, факс: (495) 509−12−00, e-mall: coniaclf) rn!fkp.ni
- Данная система прошла комплексные отработочные испытания. Запуск КА «Метеор М» с данной системой предполагается осуществить во втором квартале 2009 года.
- Заместитель генерального директора -генерального конструктора ФГУП «РНИИ-КП"1. ЧУД009 г.
- Для служебного пользования1. Экз № 1. УТВЕРЖДАЮ
- Заместитель генерального конструктора ФГУЙфрНИИ кп"1. Новиков 2006 г. 1. УТВЕРЖДАЮ
- Заместитель генерального директора ФХ? П НИИП по науке1<�Ь"1. OG>1. В. Н. Улимов 2006 г. 1. УТВЕРЖ, 1. Начальник, Ю68 ВП МО1. Е. В. Колыванов 2006 г. 1. УТВЕРЖДАЮачальшш5383 В2006 г. протокол
- Испытаний полупроводниковых микросхем флэш-памяти Samsung K9W8G08U1M на стойкость к воздействию специальных факторов
- Программа предприятия-разработчика исх. № 1131−1 от 11.10.05 г.)2006 г. 1.Цель испытаний.
- Определение предельной стойкости Флэш-памяти интегральных микросхем памяти Samsung K9W8G08U1M к воздействию спецфакторов с характеристиками К1 и КЗ „Климат-6″.2. Объект испытаний.
- Наименование изделия, функциональное назначение.
- Интегральные микросхемы памяти K9W8G08U1M фирмы Samsung в составе накопителя Transcend 1GB USB2.0 Jet Flash
- Функциональное назначение: энергонезависимая память. Габаритные размеры корпуса 18,4×12,4 мм. Количество: 2
- Технология изготовления, стадия разработки, группа применения. Интегральная микросхема Samsung K9W8G08U1M изготовлена по МОП-технологии. Стадия разработки: серийные.1. З. Нормы испытаний.31 Дэкв = 1,2"'. СЗ,
- Где СЗ экспериментально полученный на установке № 200 уровень стойкости микросхем Samsung K9W8G08U1M.
- Наименование Изделия Наименование контролируемых параметров, обозначение, единица измерений Нормы на параметры Наименование факторов, для которых необходим контроль данного параметра
- До воздействия После воздействия
- SAMSUNG K9W8G08U1M I. Число рабочих блоков 3984 3984 СЗ2. Обьем, Мбайт 996 996
- Число рабочих блоков 3984 39 844. Обьем, Мбайт 996 996
- Дата и место проведения испытаний.
- Испытания проводились на моделирующих установках ФГУП „НИИП“ г. Лыткарино
- Дата испытаний Воздействующий фактор Тип моделирующей установки Номера изделий, выборки Номера табл. приложения Номера осциллограмм, рисунков и др.1404.0602.05.06 СЗ № 200 № 1,2 Табл. 1
- Выводы по результатам испытаний.
- По результатам измерений до, в процессе и после каждого вида воздействия (см.Приложение) сделаны следующие выводы:
- В процессе воздействия спецфактора: СЗ с интенсивностью 2,7 Р/мин. (уст. № 200), на микросхемы Samsung K9W8G08U1M отказов не зафиксировано в течение 4486 мин.
- Рукр^о^гаёль группы А.Ю. Лебедев2006 г."/
- СОГЛАСОВАНО“ Начальник 968 ВП
- УТВЕРЖДАЮ» Заместитель генерального конструктора1. А. Н. Ершов 2008 г.
- Начальник отдела 1131JT Г. А. Ерохин 2008 г.