ΠŸΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒ Π² написании студСнчСских Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚
АнтистрСссовый сСрвис

ВлияниС элСктрон-Ρ„ΠΎΠ½ΠΎΠ½Π½ΠΎΠ³ΠΎ взаимодСйствия Π½Π° свойства повСрхности Π½Π°Π½ΠΎΠ°Π»ΠΌΠ°Π·ΠΎΠ²

Π”ΠΈΡΡΠ΅Ρ€Ρ‚Π°Ρ†ΠΈΡΠŸΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒ Π² Π½Π°ΠΏΠΈΡΠ°Π½ΠΈΠΈΠ£Π·Π½Π°Ρ‚ΡŒ ΡΡ‚ΠΎΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΠΌΠΎΠ΅ΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹

ΠŸΡ€Π°ΠΊΡ‚ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠ°Ρ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹. ΠŸΡ€Π΅Π΄Π»ΠΎΠΆΠ΅Π½ способ увСличСния тСплопроводности ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ·ΠΈΡ‚ΠΎΠ² Π½Π° ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»-диэлСктрик, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π»ΠΎΠΆΠ΅Π½Π° структура, Π½Π°ΠΈΠ±ΠΎΠ»Π΅Π΅ эффСктивно отводящСС Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎ ΠΎΡ‚ ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»ΠΎΠ². ΠŸΡ€Π΅Π΄Π»Π°Π³Π°Π΅Ρ‚ΡΡ, для ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ тСплосопротивлСния Π½Π° Π³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ†Π΅ проводящСго ΠΈ Π½Π΅ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΡΡ‰Π΅Π³ΠΎ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ² Π²ΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠ½ΠΊΠΈΠΉ слой ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π°, с Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΎΠΌ порядка Π½Π΅ΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΈΡ… Π½ΠΌ, с ΡΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ элСктрон-Ρ„ΠΎΠ½ΠΎΠ½Π½Ρ‹ΠΌ… Π§ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Π΅Ρ‰Ρ‘ >

ВлияниС элСктрон-Ρ„ΠΎΠ½ΠΎΠ½Π½ΠΎΠ³ΠΎ взаимодСйствия Π½Π° свойства повСрхности Π½Π°Π½ΠΎΠ°Π»ΠΌΠ°Π·ΠΎΠ² (Ρ€Π΅Ρ„Π΅Ρ€Π°Ρ‚, курсовая, Π΄ΠΈΠΏΠ»ΠΎΠΌ, ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΡŒΠ½Π°Ρ)

Π‘ΠΎΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°Π½ΠΈΠ΅

  • 1. ΠžΠ±Π·ΠΎΡ€ свойств повСрхности Π½Π°Π½ΠΎΠ°Π»ΠΌΠ°Π·Π½Ρ‹Ρ… частиц
    • 1. 1. ΠŸΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π½Π°Π½ΠΎΠ°Π»ΠΌΠ°Π·ΠΎΠ²
    • 1. 2. ΠŸΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π½Π°Π½ΠΎΠ°Π»ΠΌΠ°Π·Π½Ρ‹Ρ… частиц
    • 1. 3. Π‘ΠΎΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠšΠ°ΠΏΠΈΡ†Ρ‹ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»ΠΎΠΌ ΠΈ Π΄ΠΈΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΈΠΊΠΎΠΌ
    • 1. 4. ПолСвая эмиссия ΠΈΠ· Π½Π°Π½ΠΎΠ°Π»ΠΌΠ°Π·ΠΎΠ²
    • 1. 5. ВзаимодСйствиС элСктронов ΠΈ Ρ„ΠΎΠ½ΠΎΠ½ΠΎΠ² Π² Π»ΠΎΠΊΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ области
  • 2. Π‘Ρ‚Ρ€ΠΎΠ΅Π½ΠΈΠ΅ повСрхности Π½Π°Π½ΠΎΠ°Π»ΠΌΠ°Π·Π½Ρ‹Ρ… частиц ΠΈ ΠΈΡ… ΠΎΠΏΡ‚ичСскиС свойства
    • 2. 1. Π‘Ρ‚Ρ€ΠΎΠ΅Π½ΠΈΠ΅ повСрхности Π½Π°Π½ΠΎΠ°Π»ΠΌΠ°Π·Π½Ρ‹Ρ… частиц
    • 2. 2. Π­Ρ„Ρ„Π΅ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹ΠΉ Π³Π°ΠΌΠΈΠ»ΡŒΡ‚ΠΎΠ½ΠΈΠ°Π½ для элСктрона Π½Π° ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…ности Π½Π°ΠΈΠΎΠ°Π»-ΠΌΠ°Π·Π°
    • 2. 3. ΠžΠΏΡ‚ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠ°Ρ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ повСрхности Π½Π°Π½ΠΎΠ°Π»ΠΌΠ°Π·Π°
    • 2. 4. ΠžΠΏΡ‚ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΎΠ΅ ΠΏΠΎΠ³Π»ΠΎΡ‰Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π² ΡΡƒΡΠΏΠ΅Π½Π·ΠΈΠΈ Π½Π°Π½ΠΎΠ°Π»ΠΌΠ°Π·ΠΎΠ². Π‘Ρ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚Π΅ΠΎΡ€ΠΈΠΈ ΠΈ ΡΠΊΡΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°
  • 3. ВзаимодСйствиС элСктронов ΠΈ Ρ„ΠΎΠ½ΠΎΠ½ΠΎΠ² Π² Π»ΠΎΠΊΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ области
    • 3. 1. Π­Ρ„Ρ„Π΅ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹ΠΉ Π“Π°ΠΌΠΈΠ»ΡŒΡ‚ΠΎΠ½ΠΈΠ°Π½ ΠΈ ΡΠΎΠ±ΡΡ‚вСнная энСргСтичСская Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒ для элСктрона
    • 3. 2. Π­Ρ„Ρ„Π΅ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π» ΠΏΡ€ΠΈ локальном элСктрон-Ρ„ΠΎΠ½ΠΎΠ½Π½ΠΎΠΌ взаимодСйствии
    • 3. 3. Мнимая Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒ собствСнно-энСргСтичСской части для элСктрона
    • 3. 4. Амплитуда рассСяния ΠΈ ΡΠ΅Ρ‡Π΅Π½ΠΈΡ рассСяния
    • 3. 5. Π’Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρ‹
  • 4. Эмиссия ΠΈΠ· ΡƒΠ³Π»Π΅Ρ€ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… наноструктур
    • 4. 1. ОписаниС ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈ
      • 4. 1. 1. ЧислСныС расчСты
      • 4. 1. 2. АналитичСский ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄
    • 4. 2. Π‘Ρ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈ с ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‰ΠΈΠΌΠΈΡΡ ΡΠΊΡΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌΠΈ
      • 4. 2. 1. НизкиС эффСктивныС Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π°
      • 4. 2. 2. ВысокиС эффСктивныС Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹
    • 4. 3. Π’Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρ‹
  • 5. Π’Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ сопротивлСниС Π½Π° Π³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ†Π΅ ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»Π° ΠΈ Π΄ΠΈΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΈΠΊΠ°
    • 5. 1. МодСль
      • 5. 1. 1. ГриновскиС Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΈ Π² ΠΎΡ‚сутствии взаимодСйствия
      • 5. 1. 2. ЭлСктронная гриновская функция
      • 5. 1. 3. Ѐононная гриновская функция
      • 5. 1. 4. ΠŸΠ΅Ρ€Π΅Π½ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠ° константы взаимодСйствия
    • 5. 2. Π€ΠΎΡ€ΠΌΡƒΠ»Π° ΠšΡƒΠ±ΠΎ для Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ сопротивлСния
    • 5. 3. Π’Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρ‹

ΠΠΊΡ‚ΡƒΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ‚Π΅ΠΌΡ‹

диссСртации. Наноалмазы Π΄Π΅Ρ‚ΠΎΠ½Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠ³ΠΎ синтСза (ДНА) ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ΠΈΠ· Π½Π΅ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΈΡ… ΡƒΠ³Π»Π΅Ρ€ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… наноструктур, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ производятся Π² ΠΏΡ€ΠΎΠΌΡ‹ΡˆΠ»Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΌΠ°ΡΡˆΡ‚Π°Π±Π°Ρ… [1]. Π’ ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π½ΠΎΠΌ ДНА ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‚ ΠΊΠ°ΠΊ Π°Π±Ρ€Π°Π·ΠΈΠ²Π½Ρ‹Π΅ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Ρ‹, благодаря Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΈΡ… ΡΠ²ΠΎΠΉΡΡ‚Π²Π°ΠΌ, ΠΊΠ°ΠΊ коммСрчСская Π΄ΠΎΡΡ‚ΡƒΠΏΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ, химичСская ΠΈΠ½Π΅Ρ€Ρ‚Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΡ‡Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ. Однако Π² ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄Π½Π΅Π΅ пятилСтиС, частицы Π΄Π΅Ρ‚ΠΎΠ½Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π½Π°Π½ΠΎΠ°Π»ΠΌΠ°Π·Π° стали ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π»Π΅ΠΊΠ°Ρ‚ΡŒ всС большСС Π²Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅, благодаря Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠΌ, Π½Π΅ ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅ Π·Π°ΠΌΠ΅Ρ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ свойствам. Π’Π°ΠΊ, Π°Π»ΠΌΠ°Π·Π½Ρ‹Π΅ иаиочастицы, Π² ΡΠΈΠ»Ρƒ ΠΈΡ… Π±ΠΈΠΎΡΠΎΠ²ΠΌΠ΅ΡΡ‚имости [2], ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°ΡŽΡ‚ сущСствСнным прСимущСством ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΌΠΈ ΠΊΠ²Π°Π½Ρ‚ΠΎΠ²Ρ‹ΠΌΠΈ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ°ΠΌΠΈ Π² ΠΊΠ°Ρ‡Π΅ΡΡ‚Π²Π΅ ΠΌΠ°Ρ€ΠΊΠ΅Ρ€ΠΎΠ² [3], Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π² ΠΊΠ°Ρ‡Π΅ΡΡ‚Π²Π΅ пСрСносчиков Π² ΡΠΈΡΡ‚Π΅ΠΌΠ°Ρ… доставки лСкарствСнных ΠΏΡ€Π΅ΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΠ² [4]. ΠŸΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΡΡ‚ΡΡ интСнсивныС исслСдования Π°Π·ΠΎΡ‚Π½ΠΎ-вакансионного Π΄Π΅Ρ„Π΅ΠΊΡ‚Π° Π² Π½Π°Π½ΠΎΠ°Π»ΠΌΠ°Π·Π°Ρ… [5,6], ΠΊΠ°ΠΊ Π½Π°ΠΈΠ±ΠΎΠ»Π΅Π΅ вСроятной основы для ΠΊΡƒΠ±ΠΈΡ‚ΠΎΠ² Π² ΠΊΠ²Π°Π½Ρ‚ΠΎΠ²ΠΎΠΌ ΠΊΠΎΠΌΠΏΡŒΡŽΡ‚Π΅Ρ€Π΅. ΠšΡ€ΠΎΠΌΠ΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, частицы Π΄Π΅Ρ‚ΠΎΠ½Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… Π½Π°Π½ΠΎΠ°Π»ΠΌΠ°Π·ΠΎΠ² ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π»Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‚ Π²Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅ Π² ΠΊΠ°Ρ‡Π΅ΡΡ‚Π²Π΅ носитСлСй ΠΊΠ°Ρ‚Π°Π»ΠΈΠ·Π°Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ² [7], ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… эмиттСров элСктронов [8], основой для тСнлоироводящих ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ·ΠΈΡ‚ΠΎΠ² [9], ΠΎΠ½ΠΈ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π½Π°ΠΉΡ‚ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π²ΠΎ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΈΡ… Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ… областях (смотри ΠΎΠ±Π·ΠΎΡ€ [10]).

Π’ΠΎ Π²ΡΠ΅Ρ… пСрСчислСнных примСнСниях ΡΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²Π΅Π½Π½ΡƒΡŽ Ρ€ΠΎΠ»ΡŒ ΠΈΠ³Ρ€Π°Π΅Ρ‚ ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ частицы Π½Π°Π½ΠΎΠ°Π»ΠΌΠ°Π·Π°. Π­Ρ‚ΠΎ являСтся СстСствСнным слСдствиСм возрастания Π΄ΠΎΠ»ΠΈ Π°Ρ‚ΠΎΠΌΠΎΠ² находящихся Π½Π° ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…ности, ΠΊ Π°Ρ‚ΠΎΠΌΠ°ΠΌ находящихся Π² ΠΎΠ±ΡŠΠ΅ΠΌΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΠΈ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΎΠ² частиц. Π’Π°ΠΊ, Π½Π΅Π΄Π°Π²Π½ΠΎ [11,12] Π±Ρ‹Π»ΠΎ ΠΎΠ±Π½Π°Ρ€ΡƒΠΆΠ΅Π½ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ особСнности структуры повСрхности Π½Π°Π½ΠΎΠ°Π»ΠΌΠ°Π·ΠΎΠ² сущСствСнно Π²Π»ΠΈΡΡŽΡ‚ Π½Π° ΠΎΠΏΡ‚ичСскиС свойства МУ~ Π΄Π΅Ρ„Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΠ², хотя сами Π΄Π΅Ρ„Π΅ΠΊΡ‚Ρ‹ находятся Π² ΡΠ΄Ρ€Π΅ Π½Π°Π½ΠΎΠ°Π»ΠΌΠ°Π·Π½ΠΎΠΉ частицы. Π’ ΡΡ‚ΠΎΠΉ связи являСтся Π°ΠΊΡ‚ΡƒΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ ΠΈΠ·ΡƒΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ повСрхностных свойств Π½Π°Π½ΠΎΠ°Π»ΠΌΠ°Π·Π½Ρ‹Ρ… частиц.

Однако Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΠΎΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚.ΠΊ. Π² ΠΏΡ€ΠΎΡ†Π΅ΡΡΠ΅ синтСза, частицы Π½Π°Π½ΠΎΠ°Π»ΠΌΠ°-Π·ΠΎΠ² Π°Π³Π»ΠΎΠΌΠ΅Ρ€ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚, ΠΈΠ·-Π·Π° сильного взаимодСйствиС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ наночастицами [13,14], коммСрчСски доступныС ΠΏΠΎΡ€ΠΎΡˆΠΊΠΈ ΠΈ ΡΡƒΡΠΏΠ΅Π½Π·ΠΈΠΈ Π½Π°Π½ΠΎΠ°Π»ΠΌΠ°Π·ΠΎΠ² Π΄ΠΎ ΡΠ°ΠΌΠΎΠ³ΠΎ послСднСго Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ прСдставляли собой Π°Π³Π»ΠΎΠΌΠ΅Ρ€Π°Ρ‚Ρ‹ со ΡΡ€Π΅Π΄Π½ΠΈΠΌ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΎΠΌ частиц 100−200 Π½ΠΌ [1,15,16]. НСдавно, Π² Π½Π΅ΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΈΡ… лабораториях ΠΌΠΈΡ€Π° ΡƒΠ΄Π°Π»ΠΎΡΡŒ Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄Ρ‹ раздСлСния Π°Π³Π»ΠΎΠΌΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΠ² ΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ суспСнзии Π½Π°Π½ΠΎΠ°Π»ΠΌΠ°Π·ΠΎΠ² со ΡΡ€Π΅Π΄Π½ΠΈΠΌ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΎΠΌ частиц ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 4 ΠΏΡ‚ [10,17,18].

ВсС это ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΠΈΠ»ΠΎ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ ΠΊ ΡΠΊΡΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌΡƒ исслСдованию ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Π°Π»ΠΌΠ°Π·Π½Ρ‹Ρ… наночастиц Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Π½Π΅Π΄Π°Π²Π½ΠΎ, ΠΈ ΠΏΠΎΠΊΠ° Π½Π΅ ΡΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²ΡƒΠ΅Ρ‚ ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΏΡ€ΠΈΠ·Π½Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… прСдставлСний ΠΎ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΈΡ… повСрхностных свойствах Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… частиц. Π’ΠΎ-ΠΏΠ΅Ρ€Π²Ρ‹Ρ…, ΠΊΠ°ΠΊ это Π½Π΅ ΡƒΠ΄ΠΈΠ²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, Π½Π΅ ΡΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²ΡƒΠ΅Ρ‚ ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΏΡ€ΠΈΠ·Π½Π°Π½Π½ΠΎΠΉ ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈ повСрхности 4-Π½ΠΌ частиц. Π₯отя, ΠΊΠ°ΠΊ Π±Ρ‹Π»ΠΎ сказано Π²Ρ‹ΡˆΠ΅, ΠΏΠΎΠ½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅ повСрхностных свойств Π½Π°Π½ΠΎΠ°Π»ΠΌΠ°Π·Π½Ρ‹Ρ… частиц являСтся критичСски Π²Π°ΠΆΠ½Ρ‹ΠΌ, ΠΊΠ°ΠΊ Π² Π΄Π°Π»ΡŒΠ½Π΅ΠΉΡˆΠΈΡ… Π½Π°ΡƒΡ‡Π½Ρ‹Ρ… исслСдованиях Π½Π°Π½ΠΎΠ°Π»ΠΌΠ°Π·ΠΎΠ², Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ Π² Ρ‡ΠΈΡΡ‚ΠΎ тСхнологичСских примСнСниях. Π’ΠΎ-Π²Ρ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ…, хотя ΡƒΠΆΠ΅ ΠΏΡ€ΠΎΠΌΡ‹ΡˆΠ»Π΅Π½Π½ΠΎ производят ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ·ΠΈΡ‚Ρ‹ ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»-Π°Π»ΠΌΠ°Π·, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π» для Ρ‚Π΅ΡˆΠ³ΠΎΠΎΡ‚Π²ΠΎΠ΄Π°, остаСтся нСпонятным, ΠΊΠ°ΠΊ энСргия ΠΎΡ‚ ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Ρ… носитСлСй Ρ‚Π΅ΠΏΠ»Π° Π² Π°Π»ΠΌΠ°Π·Π΅ — Ρ„ΠΎΠ½ΠΎΠ½ΠΎΠ² пСрСдаСтся ΠΊ ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹ΠΌ носитСлСм Ρ‚Π΅ΠΏΠ»Π° Π² ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»Π΅ — элСктронам, Π° Π³Π»Π°Π²Π½ΠΎΠ΅, ΠΊΠ°ΠΊ ΡΠ΄Π΅Π»Π°Ρ‚ΡŒ этот процСсс Π½Π°ΠΈΠ±ΠΎΠ»Π΅Π΅ эффСктивным. Π•Ρ‰Π΅ ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΌ, Π½Π°ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅ понятным повСрхностным свойством Π½Π°Π½ΠΎΠ°Π»ΠΌΠ°Π·ΠΎΠ², являСтся нолСвая эмиссия ΠΈΠ· Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… частиц, которая Π½Π°Π±Π»ΡŽΠ΄Π°Π΅Ρ‚ΡΡ ΠΏΡ€ΠΈ напряТСнности ΠΏΠΎΠ»Π΅ΠΉ сущСствСнно ΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠΈΡ… Ρ‡Π΅ΠΌ для ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»ΠΎΠ².

Π‘ΠΊΠ°Π·Π°Π½Π½ΠΎΠ΅ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ опрСдСляСт Π°ΠΊΡ‚ΡƒΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ‚Π΅ΠΌΡ‹ диссСртации, ΠΈ ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΠ΅Ρ‚ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΉΡ‚ΠΈ ΠΊ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠ΅ Ρ†Π΅Π»ΠΈ исслСдования.

ЦСлью диссСртации являСтся ΠΈΠ·ΡƒΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ свойств повСрхности Π½Π°Π½ΠΎΠ°Π»ΠΌΠ°Π·ΠΎΠ² обусловлСнных элСктронными процСссами, происходящими Π½Π° ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…ности ΠΈ Π²Π»ΠΈΡΠ½ΠΈΡ Π½Π° ΡΡ‚ΠΈ процСссы элСктрон-Ρ„ΠΎΠ½ΠΎΠ½Π½ΠΎΠ³ΠΎ взаимодСйствия.

Научная Π½ΠΎΠ²ΠΈΠ·Π½Π° Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹:

1. Показано, Ρ‡Ρ‚ΠΎ оптичСскиС свойства Π½Π°Π½ΠΎΠ°Π»ΠΌΠ°Π·ΠΎΠ² сущСствСнно зависят ΠΎΡ‚ ΡΡ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ‚ΡƒΡ€Ρ‹ повСрхности. Π‘Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Ρ‹ прСдставлСния ΠΎ ΡΡ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ‚ΡƒΡ€Π΅ повСрхности Π½Π°Π½ΠΎΠ°Π»ΠΌΠ°Π·ΠΎΠ² ΠΈ Π½Π° ΡΡ‚ΠΎΠΉ основС объяснСно оптичСскоС ΠΏΠΎΠ³Π»ΠΎΡ‰Π΅Π½ΠΈΠ΅, наблюдаСмоС Π² ΡΡƒΡΠΏΠ΅Π½Π·ΠΈΡΡ… Π½Π°Π½ΠΎΠ°Π»ΠΌΠ°Π·ΠΎΠ².

2. РассмотрСн эффСкт ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ‚Π΅ΠΏΠ»Π° ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ основными носитСлями Ρ‚Π΅ΠΏΠ»Π° Π² Π΄ΠΈΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΈΠΊΠ΅-Ρ„ΠΎΠ½ΠΎΠ½ΠΎΠ² ΠΊ ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹ΠΌ носитСлям Π² ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»Π΅ — элСктронам ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°Ρ… элСктрон-Ρ„ΠΎΠ½ΠΎΠ½Π½ΠΎΠ³ΠΎ взаимодСйствия, Π² ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎΠΌ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π΅ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€.

3. РассмотрСно влияниС элСктрон-Ρ„ΠΎΠ½ΠΎΠ½Π½ΠΎΠ³ΠΎ взаимодСйствия Π½Π° Ρ€Π°ΡΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ эмитированных элСктронов ΠΏΠΎ ΡΠ½Π΅Ρ€Π³ΠΈΠΈ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠΉ эмиссии ΠΈΠ· Π½Π°Π½ΠΎΠ°Π»ΠΌΠ°Π·-Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΎΠΊ.

4. Π˜Π·ΡƒΡ‡Π΅Π½ΠΎ влияниС локального элСктрон-Ρ„ΠΎΠ½ΠΎΠ½Π½ΠΎΠ³ΠΎ взаимодСйствия Π½Π° Ρ‚ранспортныС характСристики элСктронов.

ΠŸΡ€Π°ΠΊΡ‚ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠ°Ρ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹. ΠŸΡ€Π΅Π΄Π»ΠΎΠΆΠ΅Π½ способ увСличСния тСплопроводности ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ·ΠΈΡ‚ΠΎΠ² Π½Π° ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»-диэлСктрик, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π»ΠΎΠΆΠ΅Π½Π° структура, Π½Π°ΠΈΠ±ΠΎΠ»Π΅Π΅ эффСктивно отводящСС Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎ ΠΎΡ‚ ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»ΠΎΠ². ΠŸΡ€Π΅Π΄Π»Π°Π³Π°Π΅Ρ‚ΡΡ, для ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ тСплосопротивлСния Π½Π° Π³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ†Π΅ проводящСго ΠΈ Π½Π΅ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΡΡ‰Π΅Π³ΠΎ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ² Π²ΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠ½ΠΊΠΈΠΉ слой ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π°, с Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΎΠΌ порядка Π½Π΅ΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΈΡ… Π½ΠΌ, с ΡΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ элСктрон-Ρ„ΠΎΠ½ΠΎΠ½Π½Ρ‹ΠΌ взаимодСйствиСм. ΠšΡ€ΠΎΠΌΠ΅ этого, прСдлагаСтся ΠΎΠΏΡ‚ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Π°Ρ структура эмиссионного Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π° Π½Π° ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ Π½Π°Π½ΠΎΠ°Π»ΠΌΠ°Π·ΠΎΠ², ΠΈΠ· ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… Π½Π°Π±Π»ΡŽΠ΄Π°Π΅Ρ‚ΡΡ полСвая эмиссия ΠΏΡ€ΠΈ напряТСнноСтях ΠΏΠΎΠ»Π΅ΠΉ сущСствСнно ΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠΈΡ…, Ρ‡Π΅ΠΌ для ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»ΠΎΠ².

ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ полоТСния, выносимыС Π½Π° Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Ρƒ:

1. ΠžΠΏΡ‚ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΎΠ΅ ΠΏΠΎΠ³Π»ΠΎΡ‰Π΅Π½ΠΈΠ΅ суспСнзий Π½Π°Π½ΠΎΠ°Π»ΠΌΠ°Π·ΠΎΠ² ΠΎΠ±ΡŠΡΡΠ½ΡΠ΅Ρ‚ΡΡ элСктронными ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ Π½Π° ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…ности Π½Π°Π½ΠΎΠ°Π»ΠΌΠ°Π·Π½Ρ‹Ρ… частиц.

2. ВлияниС элСктрон-Ρ„ΠΎΠ½ΠΎΠ½Π½ΠΎΠ³ΠΎ взаимодСйствия Π½Π° ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…ности Π½Π°Π½ΠΎΠ°Π»ΠΌΠ°Π·Π½Ρ‹Ρ… частиц ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ ΡƒΡˆΠΈΡ€Π΅Π½ΠΈΡŽ распрСдСлСния эмитированных элСктронов ΠΏΠΎ ΡΠ½Π΅Ρ€Π³ΠΈΠΈ.

3. Π‘ΠΎΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠšΠ°ΠΏΠΈΡ†Ρ‹ Π½Π° Π³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ†Π΅ ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»-диэлСктрик ΠΏΡ€ΠΈ ΠΌΠ°Π»Ρ‹Ρ… Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π°Ρ… ΠΈ/ΠΈΠ»ΠΈ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°Ρ… элСктрон-Ρ„ΠΎΠ½ΠΎΠ½Π½ΠΎΠ³ΠΎ взаимодСйствия ΠΌΠ°Π»ΠΎ, Π° ΠΏΡ€ΠΈ ростС этих Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ Π½Π° Π½Π°ΡΡ‹Ρ‰Π΅Π½ΠΈΠ΅.

4. ВзаимодСйствиС элСктронов ΠΈ Ρ„ΠΎΠ½ΠΎΠ½ΠΎΠ² Π² Π»ΠΎΠΊΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ области ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ Ρ€Π΅Π·ΠΎΠ½Π°Π½ΡΠ½ΠΎΠΌΡƒ Π½Π΅ΡƒΠΏΡ€ΡƒΠ³ΠΎΠΌΡƒ Ρ€Π°ΡΡΠ΅ΡΠ½ΠΈΡŽ элСктронов.

Апробация Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹. Π Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Ρ‹ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ Π΄ΠΎΠΊΠ»Π°Π΄Ρ‹Π²Π°Π»ΠΈΡΡŒ Π½Π° ΡΠ΅ΠΌΠΈΠ½Π°Ρ€Π°Ρ… Π»Π°Π±ΠΎΡ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΠΉ Π€ΠΈΠ·ΠΈΠΊΠΎ-тСхничСского института ΠΈΠΌ. Π. Π€. Π˜ΠΎΡ„Ρ„Π΅, Российской ΠΊΠΎΠ½Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠΈ «Π€ΡƒΠ½Π΄Π°ΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠΊΠ»Π°Π΄Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌΡ‹ соврСмСнной Ρ„ΠΈΠ·ΠΈΠΊΠΈ» (Москва,.

2006), Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π½Π° ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄ΡƒΠ½Π°Ρ€ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… конфСрСнциях: «ICNDST ancl ADC» (North Carolina, USA, 2006), «Nanocarbon and Nanodiamond» (Π‘Π°Π½ΠΊΡ‚-ΠŸΠ΅Ρ‚Π΅Ρ€Π±ΡƒΡ€Π³, Россия, 2006), «New Diamond and Nano Carbons» (Osaka, Japan. 2007), «Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies» (Nagano, Japan,.

2007), «Materials Research Society Meeting» (Boston, USA, 2007), «Detonation Nanodiamonds: Technology, Properties and Applications» (Π‘Π°Π½ΠΊΡ‚-ΠŸΠ΅Ρ‚Π΅Ρ€Π±ΡƒΡ€Π³, Россия.

2008)," Rusnanotech08″ (Москва, Россия, 2008), «Rusnanotech09» (Москва, Россия,.

2009), «Diamond 2009» (Athens, Greece, 2009), «ΠΠΌΠΎΡ€Ρ„Π½Ρ‹Π΅ ΠΈ ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΡ€ΠΈΡΡ‚алличСскиС ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΈ» (Π‘Π°Π½ΠΊΡ‚-ΠŸΠ΅Ρ‚Π΅Ρ€Π±ΡƒΡ€Π³, Россия, 2010), «NAN02010», (Rome, Italy,.

2010).

ΠŸΡƒΠ±Π»ΠΈΠΊΠ°Ρ†ΠΈΠΈ. По Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π°ΠΌ исслСдований, ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… Π² Π΄ΠΈΡΡΠ΅Ρ€Ρ‚Π°Ρ†ΠΈΠΈ, ΠΎΠΏΡƒΠ±Π»ΠΈΠΊΠΎΠ²Π°Π½ΠΎ 7 статСй Π² Ρ€Π΅Ρ„Π΅Ρ€ΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Ρ… российских ΠΈ Π·Π°Ρ€ΡƒΠ±Π΅ΠΆΠ½Ρ‹Ρ… ΠΆΡƒΡ€Π½Π°Π»Π°Ρ… ΠΈΠ· ΡΠΏΠΈΡΠΊΠ° Π’ΠΠš.

Π‘Ρ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ‚ΡƒΡ€Π° ΠΈ ΠΎΠ±ΡŠΠ΅ΠΌ диссСртации

ДиссСртация состоит ΠΈΠ· Π²Π²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΈΡ, пяти Π³Π»Π°Π², Π·Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ΠΈ ΡΠΏΠΈΡΠΊΠ° Π»ΠΈΡ‚Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹. ДиссСртация содСрТит 101 страницу тСкста, Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ 19 рисунков. Бписок Ρ†ΠΈΡ‚ΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠΉ Π»ΠΈΡ‚Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ содСрТит 124 ΠΈΠ°ΠΈΠΌΠ΅Π½ΠΎΠ²Π°.

5.3 Π’Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρ‹.

Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, Π½Π°ΠΌ ΡƒΠ΄Π°Π»ΠΎΡΡŒ «ΠΏΡ€ΠΎΡΡƒΠΌΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ» Π² Π°Π΄ΠΈΠ°Π±Π°Ρ‚ичСском случаС Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ для Гриновской Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΈ элСктрона, ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π°Π΅ΠΌΠΎΠ΅ ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ Π‘Π›Ρˆ. Π‘Ρ‹Π» ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½ аналитичСский Π²ΠΈΠ΄ для плотности состояний элСктронов ΠΈ Ρ„ΠΎΠ½ΠΎΠ½ΠΎΠ² Π² ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎΠΉ систСмС, ΠΏΡ€ΠΈ локальном элСктрон-Ρ„ΠΎΠ½ΠΎΠ½Π½ΠΎΠΌ взаимодСйствии.

РассмотрСв Ρ„ΠΎΠ½ΠΎΠ½Π½ΡƒΡŽ ΠΏΠ»ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ состояний, ΠΌΡ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ΅ΠΌ Ρ‚Π΅ΠΏΠ΅Ρ€ΡŒ ΡƒΡ‚Π²Π΅Ρ€ΠΆΠ΄Π°Ρ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ, ΠΏΠΎ ΠΌΠ΅Ρ€Π΅ увСличСния константы локального элСктрон-Ρ„ΠΎΠ½ΠΎΠ½Π½ΠΎΠ³ΠΎ взаимодСйствия Π² ΠΌΠ΅Ρ‚алличСском случаС, происходит ΡƒΠΏΡ€ΠΎΡ‡Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ низкоэнСргСтичСских Ρ„ΠΎΠ½ΠΎΠ½ΠΎΠ² ΠΈ Ρ€Π°Π·ΠΌΡΠ³Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ высокоэнСргСтичСских Ρ„ΠΎΠ½ΠΎΠ½ΠΎΠ².

Π’ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΌΠ΅Ρ‚алличСском случаС происходит размягчСниС высокоэнСргСтичСских Ρ„ΠΎΠ½ΠΎΠ½ΠΎΠ², Π° Π΄Π»Ρ низкоэнСргСтичСских Ρ„ΠΎΠ½ΠΎΠ½ΠΎΠ² Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½Π° ΠΊΠ°ΠΊ ΡƒΠΏΡ€ΠΎΡ‡Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ Ρ€Π°Π·ΠΌΡΠ³Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ„ΠΎΠ½ΠΎΠ½ΠΎΠ². Π­Ρ‚ΠΈ эффСкты Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹ ΠΏΡ€ΠΎΡΠ²Π»ΡΡ‚ΡŒΡΡ, ΠΊΠ°ΠΊ Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€ Π² [124], Π½Π° Ρ€Π°ΠΌΠ°Π½ΠΎΠ²ΡΠΊΠΈΡ… спСктрах ΠΏΠΎΠ΄ΠΎΠ±Π½Ρ‹Ρ… систСм.

Π’ ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠ΅, прСдлоТСнная схСма расчСта Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ сопротивлСния Π½Π° Π³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ†Π΅ элСктронной ΠΈ Ρ„ΠΎΠ½ΠΎΠ½Π½ΠΎΠΉ подсистСмы, ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΠΈΠΌΠ° ΠΏΡ€ΠΈ Π»ΡŽΠ±Ρ‹Ρ… ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°Ρ… систСмы, ΠΊΠ°ΠΊ Π² Π°Π΄ΠΈΠ°Π±Π°Ρ‚ичСском Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ Π² Π½Π΅Π°Π΄ΠΈΠ°Π±Π°Ρ‚ичСском случаях.

Для ΡƒΠ»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ тСплопроводности Π³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ†Ρ‹ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ мСталличСскими ΠΈ Π΄ΠΈΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚ричСским ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»ΠΎΠΌ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π²ΡΡ‚Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ слой. Π’ Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΠΈ ΠΎΡ‚ ΠΊΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚Π° элСктрон-Ρ„ΠΎΠ½ΠΎΠ½Π½ΠΎΠ³ΠΎ взаимодСйствия Π² ΡΡ‚ΠΎΠΌ Π±ΡƒΡ„Π΅Ρ€Π½ΠΎΠΌ слоС, Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ всСй систСмы Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ сущСствСнно ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½ΡΡ‚ΡŒΡΡ. Из ΡΠ΄Π΅Π»Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… Π²Ρ‹ΠΊΠ»Π°Π΄ΠΎΠΊ Π² Π°Π΄ΠΈΠ°Π±Π°Ρ‚ичСском случаС ясно, Ρ‡Ρ‚ΠΎ, Ρ‡Π΅ΠΌ большС Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π° ΠΈΠ»ΠΈ коэффициСнт взаимодСйствия, Ρ‚Π΅ΠΌ большС Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ, ΠΎΠ΄Π½Π°ΠΊΠΎ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π½Π΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΠΎΠ»ΠΆΠ°Ρ‚ΡŒΡΡ Π΄ΠΎ Π±Π΅ΡΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½ΠΎΡΡ‚ΠΈ, Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ Π½Π° Π½Π°ΡΡ‹Ρ‰Π΅Π½ΠΈΠ΅.

Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ относится ΠΈ ΠΊ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΌΠ΅Ρ‚алличСскому ΡΠ»ΡƒΡ‡Π°ΡŽ, Ρ‚. Π΅. ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π°ΠΌ, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, Π½Π°Π½ΠΎΡ‚Ρ€ΡƒΠ±ΠΊΠ° — диэлСктрик. БущСствСнноС ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ ΠΎΡ‚ ΠΌΠ΅Ρ‚алличСского случая Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½ΠΎ Π½Π°Π±Π»ΡŽΠ΄Π°Ρ‚ΡŒΡΡ ΠΊΠ°ΠΊ Π² Ρ€Π΅Π·ΠΊΠΎΠΉ зависимости ΠΎΡ‚ ΠΊΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚Π° элСктрон-Ρ„ΠΎΠ½ΠΎΠ½Π½ΠΎΠ³ΠΎ взаимодСйствия — ΠΏΡ€ΠΈ коэффициСнтах большС критичСского Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ€Π΅Π·ΠΊΠΎ растСт, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ Π² Ρ…Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€Π½Ρ‹Ρ… Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π°Ρ… этой проводимости.

Π—Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅

.

Π’ Π΄ΠΈΡΡΠ΅Ρ€Ρ‚Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½Ρ‹ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ основныС Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Ρ‹:

1. ΠŸΡ€Π΅Π΄Π»ΠΎΠΆΠ΅Π½Π° модСль повСрхности Π½Π°Π½ΠΎΠ°Π»ΠΌΠ°Π·Π½ΠΎΠΉ частицы, Π½Π° ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ Π·Π° ΡΡ‡Π΅Ρ‚ рСконструкции ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Π΄ΠΈΠΌΠ΅Ρ€ΠΈΠ·ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ Ρ†Π΅ΠΏΠΎΡ‡ΠΊΠΈ. Π’Ρ‹Π²Π΅Π΄Π΅Π½, с ΡƒΡ‡Π΅Ρ‚ΠΎΠΌ влияния ΠΎΠ±ΡŠΠ΅ΠΌΠ½Ρ‹Ρ… состояний, эффСктивный Π³Π°ΠΌΠΈΠ»ΡŒΡ‚ΠΎΠ½ΠΈΠ°Π½ для элСктрона Π½Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ повСрхности.

2. Рассчитана Π² Ρ€Π°ΠΌΠΊΠ°Ρ… Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Π»ΠΈΠ·ΠΌΠ° ΠšΡƒΠ±ΠΎ, оптичСская ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ для элСктрона Π½Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ повСрхности.

3. Показано, Ρ‡Ρ‚ΠΎ для элСктрона Π½Π° ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…ности Π½Π°Π½ΠΎΠ°Π»ΠΌΠ°Π·Π° ΡΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ Π΄Π²Π° Ρ…Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° ΠΏΡ€ΠΈ энСргиях ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 1.5 ΠΈ 5.

4. Π‘Ρ‹Π»ΠΎ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ всС особСнности Π² ΠΎΠΏΡ‚ичСских свойствах Π½Π°Π½ΠΎΠ°Π»ΠΌΠ°Π·ΠΈΡ‹Ρ… суспСнзий Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠΎ ΠΎΠ±ΡŠΡΡΠ½ΡΡŽΡ‚ΡΡ, с Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΎΠΉ ΠΏΠΎΠ·ΠΈΡ†ΠΈΠΈ, Π² Ρ€Π°ΠΌΠΊΠ°Ρ… прСдставлСний ΠΎ Π½Π°Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠΈ Π½Π° ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…ности Π½Π°Π½ΠΎΠ°Π»ΠΌΠ°Π·ΠΎΠ² ΡƒΠ³Π»Π΅Ρ€ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… Π΄ΠΈΠΌΠ΅Ρ€ΠΎΠ² ΠΈ ΠΈΡ… Ρ†Π΅ΠΏΠΎΡ‡Π΅ΠΊ. Π‘Ρ‹Π» сдСлан Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚.ΠΊ. Ρ‚Π³ ΡΠ²ΡΠ·ΠΈ, ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π°Ρ‚ΠΎΠΌΠ°ΠΌΠΈ ΡƒΠ³Π»Π΅Ρ€ΠΎΠ΄Π° Π² Π΄ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π΅, достаточно слабыС, это Π½Π΅ΠΈΠ·Π±Π΅ΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Ρ‚ ΠΊ Ρ‚ΠΎΠΌΡƒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π½Π°Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… Π΄ΠΈΠΌΠ΅Ρ€ΠΎΠ², Π° Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚ ΠΈ ΠΏΠΈΠΊΠΎΠ² поглощСния Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ сильно Π·Π°Π²ΠΈΡΠ΅Ρ‚ΡŒ ΠΎΡ‚ ΠΎΠΊΡ€ΡƒΠΆΠ°ΡŽΡ‰Π΅ΠΉ Π½Π°Π½ΠΎΠ°Π»ΠΌΠ°Π· срСды. ΠŸΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠΈ ΠΈΠ»ΠΈ ΠΏΠΎΠ½ΠΈΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΈ рН Ρ€Π°ΡΡ‚Π²ΠΎΡ€Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠ΅ ΠΏΠΈΠΊΠΈ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹ ΡΠΌΠ΅Ρ‰Π°Ρ‚ΡŒΡΡ. ΠŸΡ€ΠΈ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ΅ повСрхности Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹ΠΌΠΈ окислитСлями Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠ΅ структуры Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹ ΠΈΡΡ‡Π΅Π·Π°Ρ‚ΡŒ с ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…ности Π½Π°Π½ΠΎΠ°Π»ΠΌΠ°Π·ΠΎΠ².

5. РассмотрСна Π·Π°Π΄Π°Ρ‡Π° ΠΎ Π²Π·Π°ΠΈΠΌΠΎΠ΄Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΠΈΠΈ элСктронов ΠΈ Ρ„ΠΎΠ½ΠΎΠ½ΠΎΠ² Π² Π»ΠΎΠΊΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ области. Π’Ρ‹Π²Π΅Π΄Π΅Π½ эффСктивный Π³Π°ΠΌΠΈΠ»ΡŒΡ‚ΠΎΠ½ΠΈΠ°Π½, гриновская функция ΠΈ ΡΠΎΠ±ΡΡ‚Π²Π΅Π½Π½ΠΎ энСргСтичСская Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒ для элСктронов Π²Π·Π°ΠΈΠΌΠΎΠ΄Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… с Ρ„ΠΎΠ½ΠΎ-Π½Π°ΠΌΠΈ Π² Π»ΠΎΠΊΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ области.

6. ВыявлСн Π½ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ эффСкт рСзонансного Π½Π΅ΡƒΠΏΡ€ΡƒΠ³ΠΎΠ³ΠΎ рассСяния элСктрона Π½Π° ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΠΈ с Π»ΠΎΠΊΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ элСктрон-Ρ„ΠΎΠ½ΠΎΠ½Π½Ρ‹ΠΌ взаимодСйствиСм, ΠΏΡ€ΠΈ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Π°Ρ… области взаимодСйствия.

7. На ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ прСдставлСний ΠΎ ΡΡ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ‚ΡƒΡ€Π΅ повСрхности Π½Π°Π½ΠΎΠ°Π»ΠΌΠ°Π·ΠΎΠ² ΠΈ ΠΎ Π²Π·Π°ΠΈΠΌΠΎΠ΄Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΠΈΠΈ элСктронов ΠΈ Ρ„ΠΎΠ½ΠΎΠ½ΠΎΠ² Π² Π»ΠΎΠΊΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ областях, ΠΎΠ±ΡŠΡΡΠ½Π΅Π½Ρ‹ основныС особСнности Π½ΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠΉ эмиссии ΠΈΠ· Π½Π°Π½ΠΎΠ°Π»ΠΌΠ°Π·Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΎΠΊ. Π’Π°ΠΊΠΈΠ΅ ΠΊΠ°ΠΊ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠ΅ эффСктивныС Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π° ΠΈ Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΠΈΠ΅ эффСктивныС Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ для Π½Π°-Π½ΠΎΠ°Π»ΠΌΠ°Π·Π½Ρ‹Ρ… ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ².

8. Для ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ случая, ΡƒΠ΄Π°Π»ΠΎΡΡŒ Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎ Ρ€Π΅ΡˆΠΈΡ‚ΡŒ Π·Π°Π΄Π°Ρ‡Ρƒ ΠΎ Π²Π·Π°ΠΈΠΌΠΎΠ΄Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΠΈΠΈ элСктронов ΠΈ Ρ„ΠΎΠ½ΠΎΠ½ΠΎΠ² Π² Π»ΠΎΠΊΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ области. Π’Π°ΠΊ, Π±Ρ‹Π» ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½ аналитичСский Π²ΠΈΠ΄ для плотности состояний элСктронов ΠΈ Ρ„ΠΎΠ½ΠΎΠ½ΠΎΠ² Π² ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎΠΉ систСмС, ΠΏΡ€ΠΈ локальном элСктрон-Ρ„ΠΎΠ½ΠΎΠ½Π½ΠΎΠΌ взаимодСйствии, ΠΏΡ€ΠΈ Π»ΡŽΠ±Ρ‹Ρ… ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°Ρ… взаимодСйствия.

9. Π’ Ρ€Π°ΠΌΠΊΠ°Ρ… Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Π»ΠΈΠ·ΠΌΠ° ΠšΡƒΠ±ΠΎ, Π±Ρ‹Π» рассмотрСн Π²ΠΊΠ»Π°Π΄ Π² Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ΅ΠΎΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π½Π° Π³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ†Π΅ ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»-диэлСктрик, эффСктов прямой ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ энСргии ΠΎΡ‚ ΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ½ΠΎΠ² Π² ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»Π΅ ΠΊ Ρ„ΠΎΠ½ΠΎΠ½Π°ΠΌ Π² Π΄ΠΈΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΈΠΊΠ΅. Рассчитаны зависимости для этого тСплосопротивлСния ΠΊΠ°ΠΊ ΠΎΡ‚ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ ΠΎΡ‚ ΠΊΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚Π° элСктрон-Ρ„ΠΎΠ½ΠΎΠ½Π½ΠΎΠ³ΠΎ взаимодСйствия. Из ΡΠ΄Π΅Π»Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… Π²Ρ‹ΠΊΠ»Π°Π΄ΠΎΠΊ Π² Π°Π΄ΠΈΠ°Π±Π°Ρ‚ичСском случаС ясно, Ρ‡Ρ‚ΠΎ, Ρ‡Π΅ΠΌ большС Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π° ΠΈΠ»ΠΈ коэффициСнт взаимодСйствия, Ρ‚Π΅ΠΌ большС Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ, ΠΎΠ΄Π½Π°ΠΊΠΎ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π½Π΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΠΎΠ»ΠΆΠ°Ρ‚ΡŒΡΡ Π΄ΠΎ Π±Π΅ΡΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½ΠΎΡΡ‚ΠΈ, Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ Π½Π° Π½Π°ΡΡ‹Ρ‰Π΅Π½ΠΈΠ΅.

Π― Π²Ρ‹Ρ€Π°ΠΆΠ°ΡŽ ΠΈΡΠΊΡ€Π΅Π½Π½ΡŽΡŽ Π±Π»Π°Π³ΠΎΠ΄Π°Ρ€Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΌΠΎΠ΅ΠΌΡƒ Π½Π°ΡƒΡ‡Π½ΠΎΠΌΡƒ Ρ€ΡƒΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŽ Π•. Π”. Π­ΠΉΠ΄Π΅Π»ΡŒΠΌΠ°Π½Ρƒ Π·Π° Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ ΠΌΠ½Π΅ знания ΠΏΠΎ Ρ„ΠΈΠ·ΠΈΠΊΠ΅ ΠΈ Π½Π°Π²Ρ‹ΠΊΠΈ Π½Π°ΡƒΡ‡Π½ΠΎΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹, Π·Π° ΠΏΠΎΡΡ‚оянныС Π²Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅ ΠΈ ΠΏΠΎΠ΄Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΊΡƒ. Π― Π±Π»Π°Π³ΠΎΠ΄Π°Ρ€Π΅Π½ А. Π―. Π‘ΡƒΠ»ΡŽ Π·Π° Π½Π°ΡΡ‚авлСния ΠΈ Π²ΡΠ΅ΡΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ½Π½ΡŽΡŽ ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒ, ΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π½ΡƒΡŽ Π½Π° Π²ΡΠ΅ΠΌ протяТСнии написания Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹. А Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅, я Π±Π»Π°Π³ΠΎΠ΄Π°Ρ€Π΅Π½ К. Π”. Π¦Π΅Π½Π΄ΠΈΠ½Ρƒ, Π’. Π›. Π“ΡƒΡ€Π΅Π²ΠΈΡ‡Ρƒ, Π‘. А. ΠšΡ‚ΠΈΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ²Ρƒ Π·Π° ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎΡ‡ΠΈΡΠ»Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π·Π½Ρ‹Π΅ совСты ΠΈ ΠΎΠ±ΡΡƒΠΆΠ΄Π΅Π½ΠΈΡ.

ΠŸΡƒΠ±Π»ΠΈΠΊΠ°Ρ†ΠΈΠΈ Π°Π²Ρ‚ΠΎΡ€Π° ΠΏΠΎ Ρ‚Π΅ΠΌΠ΅ диссСртации.

Al] А. Π•. АлСксСнский, А. Π―. Π‘ΡƒΠ»ΡŒ, Π‘. Π’. ΠšΠΎΠ½ΡΡ…ΠΈΠ½, К. Π’. Π Π΅ΠΉΡ…, Π›. Π’. Π¨Π°Ρ€ΠΎΠ½ΠΎΠ²Π°, Π•. Π”. ЭйдСльман. ΠžΠΏΡ‚ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΈΠ΅ свойства Π³ΠΈΠ΄Ρ€ΠΎΠ·ΠΎΠ»Π΅ΠΉ Π΄Π΅Ρ‚ΠΎΠ½Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… Π½Π°ΠΈΠΎΠ°Π»-ΠΌΠ°Π·ΠΎΠ² // Π€Π’Π’ 54, 541−548 (2012).

А2] К. Π’. Π Π΅ΠΉΡ…. ΠžΠΏΡ‚ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΈΠ΅ свойства суспСнзий Π½Π°Π½ΠΎΠ°Π»ΠΌΠ°Π·ΠΎΠ² // Письма Π² Π–Π­Π’Π€ 94, 23−27 (2011).

A3] К. Π’. Π Π΅ΠΉΡ…, Π•. Π”. ЭйдСльман. Π­Π»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ½-Ρ„ΠΎΠ½ΠΎΠ½Π½ΠΎΠ΅ взаимодСйствиС Π² Π»ΠΎΠΊΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ области // Π€Π’Π’ 53, 1618−1620 (2011).

А4] A. VuP, К. Reich, Π•. Eidelman, М. Terranova, A. Ciorba, S. Orlanducci, V. Sessa, М. Rossi. A Model of Field Emission from Carbon Nanotubes Decorated by Nanodiamonds// Advanced Science Letters 3, 110−116 (2010).

A5[ К. V. Reich, E. D. Eidelman. Effect of electron-phonon interaction on field emission from carbon nanostructures // EPL (Europhysics Letters) 85, 47 007 (2009).

A6] К. Π’. Π Π΅ΠΉΡ…, E. Π”. ЭйдСльман, А. Π’. Π”ΠΈΠ΄Π΅ΠΉΠΊΠΈΠ½, А. Π―. Π’ΡƒΠ»ΡŒ. ΠžΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΎΠΏΡ‚ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Π²Π°ΠΊΡƒΡƒΠΌΠ° ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠΉ эмиссии ΠΈΠ· Π°Π»ΠΌΠ°Π·ΠΎΠΏΠΎΠ΄ΠΎΠ±Π½ΠΎΠΉ ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΊΠΈ /7 Π–Π’Π€ 78, 119−122 (2008).

АВ] К. Π’. Π Π΅ΠΉΡ…, Π•. Π”. ЭйдСльман, А. Π―. Π’ΡƒΠ»ΡŒ. ΠžΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ разности Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€ Π² ΡƒΠ³Π»Π΅Ρ€ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… наноструктурах ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠΉ эмиссии // Π–Π’Π€ 77, 123−126 (2007).

ΠŸΠΎΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚ΡŒ вСсь тСкст

Бписок Π»ΠΈΡ‚Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹

  1. Nanoscience and nanotechnologies: Encyclopedia of life support systems / Ed. by V. Kharkin, C. Bai, S.-C.Kim. Oxford, UK: EOLSS Publishers, 2009. p. 991.
  2. Nanodiamonds: Applications in Biology and Nanoscale Medicine / Ed. by D. Ho. MA, USA: Springer, 2010. p. 288.
  3. In Vivo Imaging and Toxicity Assessments of Fluorescent Nanodiamonds in Caenorhabditis elegans / N. Mohan, C.-S. Chen, H.-H. Hsieh et al. // Nano Letters. 2010. Vol. 10, no. 9. P. 3692−3699.
  4. Fentori-Treated Functionalized Diamond Nanoparticles as Gene Delivery System / R. Martin, M. Alvaro, J. R. Herance et al. // ACS Nano. 2010. Vol. 4, no. 1. P. 65−74.
  5. A quantum memory intrinsic to single nitrogen-vacancy centres in diamond / G. D. Fuchs, G. Burkard, P. V. Klimov et al. // Nature Physics. 2011. Vol. 7, no. 10. P. 789−793.
  6. Plakhotnik T., Chapman R. Nitrogen-vacancy centers in nano-diamond reversibly decrease the luminescence quantum yield under strong pulsed-laser irradiation // New Journal of Physics. 2011. Vol. 13, no. 4. p. 45 001.
  7. Palladium supported on detonation nanodiamond as a highly effective catalyst of the C=C and acetylenic bond hydrogenation / O. V. Turova, E. V. Starodubtseva, M. G. Vinogradov et al. /7 Catalysis Communications. 2011. Vol. 12, no. 7. P. 577 579.
  8. Reich K. V., Eidelman E. D. Effect of electron-phonon interaction on field emission from carbon nanostructures // EPL (Europlwsics Letters). 2009. Vol. 85, no. 4. p. 47 007.
  9. Kidalov S., Shakhov F. Thermal Conductivity of Diamond Composites // Materials. 2009. Vol. 2, no. 4. P. 2467−2495.
  10. Eiji O. Monodisperse single nanodiamond particulates // Pure Appl. Chem. 2008. Vol. 80, no. 7. P. 1365−1379.
  11. Surface-induced charge state conversion of nitrogen-vacancy defects in nanodiamonds / L. Rondin, G. Dantelle, A. Slablab et al. // Phys. Rev. B. 2010. Vol. 82, no. 11. p. 115 449.
  12. Chemical control of the charge state of nitrogen-vacancy centers in diamond / M. V. Hauf, B. Grotz, B. Naydenov et al. // Phys. Rev. B. 2011. Vol. 83, no. 8. p. 81 304.
  13. Barnard Amanda S., Sternberg Michael. Crystallinity and surface electrostatics of diamond nanocrystals // J. Mater. Chem. 2007. T. 17. C. 4811−4819.
  14. Barnard Amanda S. Self-assembly in nanodiamond agglutinates // J. Mater. Chem. 2008. T. 18. C. 4038−4041.
  15. Baidakova M., Vul' A. New prospects and frontiers of nanodiamond clusters // Journal of Physics D: Applied Physics. 2007. Vol. 40, no. 20. p. 6300.
  16. Unusually tight aggregation in detonation nanodiamond: Identification and disintegration / A. Kruger, F. Kataoka. M. Ozawaet al. // Carbon. 2005. Vol. 43, no. 8. P. 1722 1730.
  17. Aleksenskiy A., Eydelman E., Vul' A. Y. Deagglomeration of Detonation Nanodiamonds // Nanoscience and Nanotechnology Letters. 2011. Vol. 3. P. 6874.
  18. Size-Dependent Reactivity of Diamond Nanoparticles / O. A. Williams, J. Hees, C. Dieker et al. // ACS Nano. 2010. Vol. 4, no. 8. P. 4824−4830.
  19. Lawrence S. Pan D. R. K. Diamond: Electronic Properties and Applications (Electronic Materials: Science and Technology). NY, USA: Springer, 1994. p. 492.
  20. Olga, A. Shenderova D. M. G.. Ultrananocrystalline Diamond: Synthesis, Properties, and Applications. MA, USA: William Andrew, 2006. p. 620.
  21. ΠŸΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π°Π»ΠΌΠ°Π·ΠΎΠ² ΠΈΠ· Π²Π·Ρ€Ρ‹Π²Ρ‡Π°Ρ‚Ρ‹Ρ… вСщСств / А. И. Лямкин, Π•. А. ΠŸΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ², А. П. Π•Ρ€ΡˆΠΎΠ² ΠΈ Π΄Ρ€.] // Π”ΠΎΠΊΠ»Π°Π΄Ρ‹ АкадСмии Π½Π°ΡƒΠΊ Π‘Π‘Π‘Π . 1988. Π’. 302. Π‘. 611 613.
  22. Diamonds in detonation soot / N. R. Greiner, D. S. Phillips, J. D. Johnson et al. /7 Nature. 1988. Vol. 333. P. 440−442.
  23. Study of ultradispersed diamond powders obtained using explosion energy / V. Kuznetsov, M. Aleksandrov, I. Zagoruiko et al. // Carbon. 1991. Vol. 29, no. 4−5. P. 665 668.
  24. Chang Laii-Yun, Osawa Eiji, Barnard Amanda S. Confirmation of the electrostatic self-assembly of nanodiamonds // Nanoscale. 2011. Π’. 3. C. 958−962.
  25. Quantum Confinement and Fullerenelike Surface Reconstructions in Nanodiamonds / J.-Y. Raty, G. Galli, C. Bostedt et al. // Phys. Rev. Lett. 2003. Vol. 90, no. 3. p. 37 401.
  26. Shenderova O. A., Zhirnov V. V., Brenner D. W. Carbon Nanostructures // Critical Reviews in Solid State and Materials Sciences. 2002. Vol. 27, no. 3−4. P. 227−356.
  27. Barnard A. S., Russo S. P., Snook I. K. Ab initio modelling of the stability of nanocrystalline diamond morphologies // Philosophical Magazine Letters. 2003. Vol. 83, no. 1. P. 39−45.
  28. Gamarnik M. Y. Energetical preference of diamond nanoparticles // Phys. Rev. B. 1996. Vol. 54. P. 2150−2156.
  29. Raty J., Galli G. Optical properties and structure of nanodiamonds // Journal of Electroanalytical Chemistry. 2005. Vol. 584, no. 1. P. 9 12.
  30. Defects and impurities in nanodiamonds: EPR, NMR and TEM study / A. Shames, A. Panich, W. Kempinski et al. // Journal of Physics and Chemistry of Solids. 2002. Vol. 63, no. 11. P. 1993 2001.
  31. Baidakova M., Siklitsky V., Vul A. Ultradisperse-Diamond Nanoclusters. Fractal Structure and Diamond-Graphite Phase Transition // Chaos, Solitons and Fractals. 1999. Vol. 10, no. 12. P. 2153 2163.
  32. Surface Chemistry and Properties of Ozone-Purified Detonation Nanodiamonds / O. Shenderova, A. Koscheev, N. Zaripov et al. // The Journal of Physical Chemistry C. 2011. Vol. 115, no. 20. P. 9827−9837.
  33. Deaggregation of Nanodiamond Powders Using Salt- and Sugar-Assisted Milling /
  34. A. Pentecost, S. Gour, V. Mochalin et al. // ACS Applied Materials and Interfaces. 2010. Vol. 2, no. 11. P. 3289−3294.
  35. Correlation between viscosity and absorption of electromagnetic waves in an aqueous UNCD suspension / A. Vul', E. Eydelman, M. Inakuma et al. // Diamond and Related Materials. 2007. Vol. 16, no. 12. P. 2023 2028.
  36. Absorption and scattering of light in nanodiamond hydrosols / A. Y. Vul, E. Eydelman, L. Sharonova et al. // Diamond and Related Materials. 2011. Vol. 20, no. 3. P. 279 284.
  37. Zhong H., Lukes J. R. Interfacial thermal resistance between carbon nanotubes: Molecular dynamics simulations and analytical thermal modeling // Phys. Rev.
  38. B. 2006. Vol. 74. p. 125 403.
  39. Mahan G. D. Thermal transport in AB superlattices // Phys. Rev. B. 2011. Vol. 83, no. 12. p. 125 313.
  40. Nanoscale thermal transport / D. G. Cahill, W. K. Ford, K. E. Goodson et al. // Journal of Applied Physics. 2003. Vol. 93, no. 2. P. 793−818.
  41. Thermal conductivity of (Zr, W) N/ScN metal/semiconductor multilayers and superlattices / V. Rawat, Y. K. Koh, D. G. Cahill et al. // Journal of Applied Physics. 2009. Vol. 105, no. 2. p. 24 909.
  42. Thermal Conductance of InAs Nanowire Composites / A. I. Persson, Y. K. Koh, D. G. Cahill et al. // Nano Letters. 2009. Vol. 9, no. 12. P. 4484−4488.
  43. Han Z., Fina A. Thermal conductivity of carbon nanotubes and their polymer nanocomposites: A review // Progress in Polymer Science. 2011. Vol. 36, no. 7. P. 914 944.
  44. Kidalov S. V., Shakhov F. M. Thermal Conductivity of Diamond Composites // Materials. 2009. Vol. 2, no. 4. P. 2467−2495.
  45. Cola B. A., Xu J., Fisher T. S. Contact mechanics and thermal conductance of carbon nanotube array interfaces // International Journal of Heat and Mass Transfer. 2009. Vol. 52, no. 15−16. P. 3490 3503.
  46. Wang D., Carlson M. T., Richardson H. H. Absorption Cross Section and Interfacial Thermal Conductance from an Individual Optically Excited SingleWalled Carbon Nanotube // ACS Nano. 2011. Vol. 5, no. 9. p. 7391−7396.
  47. Heat transport, across the metal-diamond interface / M. Battabyal, O. Beffort, S. Kleiner et al. // Diamond and Related Materials. 2008. Vol. 17, no. 7−10. P. 1438 1442.
  48. Interfacial thermal transport in atomic junctions / L. Zhang, P. Keblinski, J.-S. Wang et al. // Phys. Rev. B. 2011. Vol. 83. p. 64 303.
  49. Hu M., Keblinski P., Schelling P. K. Kapitza conductance of silicon-amorphous polyethylene interfaces by molecular dynamics simulations /7 Phys. Rev. B. 2009. Vol. 79. p. 104 305.
  50. Thermal conductivity and thermal boundary resistance of nanostructures / K. Termentzidis, J. Parasurainan, C. A. D. Cruz et al. /7 Nanoscale Research Letters. 2011. Vol. 6. p. 288.
  51. Luo T., Lloyd J. R. Non-equilibrium molecular dynamics study of thermal energy transport in Au-SAM-Au junctions /7 International Journal of Heat and Mass Transfer. 2010. Vol. 53, no. 1−3. P. 1−11.
  52. Patel H. A., Garde S., Keblinski P. Thermal Resistance of Nanoscopic Liquid -Liquid Interfaces Dependence on Chemistry and Molecular Architecture // Nano Letters. 2005. Vol. 5, no. 11. P. 2225−2231.
  53. Majumdar Arun, Reddy Pramod. Role of electron-phonon coupling in thermal conductance of metal-nonmetal interfaces // Journal of Applied Physics. 2004. T. 84, № 23. C. 4768−4770.
  54. Sergeev A. Inelastic electron-boundary scattering in thin films // Physica B: Condensed Matter. 1999. Vol. 263−264. P. 217 219.
  55. Sergeev A. V. Electronic Kapitza conductance due to inelastic electron-boundary scattering .// Phys. Rev. B. 1998. Vol. 58, no. 16. p. 10 199.
  56. Huberman M. L., Overhauser A. W. Electronic Kapitza conductance at a diamond-Pb interface // Phys. Rev. B. 1994. Vol. 50, no. 5. P. 2865−2873.
  57. Mahan G. D. Kapitza thermal resistance between a metal and a nonmetal // Phys. Rev. B. 2009. Vol. 79, no. 7. p. 75 408.
  58. Chakraborty M., Das A. N., Chakrabarti A. Study of the one-dimensional Holstein model with next-nearest-neighbor hopping //' Journal of Physics: Condensed Matter. 2011. Vol. 23, no. 2. p. 25 601.
  59. Liu Q., Ye J., Zhao Y. Multimode vibronic spectra of the Holstein molecular crystal model // Phys. Chem. Chem. Phys. 2010. Vol. 12. P. 6045−6053.
  60. Vidmar L., Bonca J., Trugman S. A. Emergence of states in the phonon spectral function of the Holstein polaron below and above the one-phonon continuum /7 Phys. Rev. B. 2010. Vol. 82, no. 10. p. 104 304.
  61. Field emission from awl-shaped diamond-like carbon by using filtered eathodic arc plasma technique on anodic aluminum oxide template / C. Li, X. C. Li, E. M. Chong et al. // Physica Π’ Condensed Matter. 2008. Vol. 403. P. 195−199.
  62. Fowler R,., Nordheim L. Electron Emission in Intense Electric Fields /7 Proceedings of the Royal Society of London. Series A. 1928. Vol. 119, no. 781. P. 173−181.
  63. Nottingham Effect in Field and T — F Emission: Heating and Cooling Domains, and Inversion Temperature / F. M. Charbonnier, R. W. Strayer, L. W. Swanson et al. // Pliys. Rev. Lett, 1964. Sep. Vol. 13. P. 397−401.
  64. Influence of film deposition parameters on the field emission properties of diamond-like carbon films / R. Wachter, A. Cordery, S. Proffitt et al. // Diamond and Related Materials. 1998. Vol. 7, no. 2−5. P. 687 691.
  65. Zhu W., Kochanski G. P., Jin S. Low-Field Electron Emission from Undoped Nanostructured Diamond // Science. 1998. T. 282, № 5393. C. 1471−1473.
  66. Field emission behavior of nitrogen incorporated diamond-like carbon films / K.-R. Lee, K. Y. Eun, S. Lee et al. // Thin Solid Films. 1996. Vol. 290−291, no. 1. P. 171 175.
  67. Electron emission from diamond thin films deposited by microwave plasma-chemical vapor deposition method / C. Gu, Z. Jin, Y. Wang et al. // Diamond and Related Materials. 2000. Vol. 9, no. 9−10. P. 1604 1607.
  68. Lin I.-N., Chen Y.-H., Cheng H.-F. Modification of emission properties of diamond films due to surface treatment process /7 Diamond and R, elated Materials. 2000. Vol. 9, no. 9−10. P. 1574 1581.
  69. TO. Field emission characteristics of nanostructured thin film carbon materials / A. Obraztsov, A. Volkov, A. Zakhidov et al. /7 Applied Surface Science. 2003. Vol. 215, no. 1−4. P. 214 221.
  70. Pore size dependence of field emission from nanoscale porous carbon / M. Ojima, S. Hiwatashi, H. Araki et al. // Applied Physics Letters. 2006. Vol. 88, no. 5. p. 53 103.
  71. Saito Y., Uemura S. Field emission from carbon nanotubes and its application to electron sources /7 Carbon. 2000. Vol. 38, no. 2. P. 169 182.
  72. Field electron emission from individual carbon nanotubes of a vertically aligned array / V. Semet, V. T. Binh, P. Vincent et al. // Applied Physics Letters. 2002. Vol. 81, no. 2. P. 343−345.
  73. Shim J. Y., Baik H. K. Effect of non-diamond carbon etching on the field emission property of highly sp2 bonded nanocrystalline diamond films // Diamond and Related Materials. 2001. Vol. 10, no. 3−7. P. 847 851.
  74. Structuring nanodiamond cone arrays for improved field emission / W. J. Zhang, Y. Wu, W. K. Wong et al. // Applied Physics Letters. 2003. Vol. 83, no. 16. P. 3365−3367.
  75. Cold field emission from CVD diamond films observed in emission electron microscopy / C. Wang, A. Garcia, D. C. Ingram et al. /7 Electronics Letters. 1991. Vol. 27. P. 1459−1461.
  76. Pshenichnyuk S., Yumaguzin Y. Field emission energy distributions of electrons from tungsten tip emitters coated with diamond-like film prepared by ion-beam deposition /7 Diamond and Related Materials. 2004. Vol. 13, no. 1. P. 125 -132.
  77. Mechanisms of field emission from diamond coated Mo emitters / R. Schlesser, M. McClure, B. McCarson et al. // Diamond and Related Materials. 1998. Vol. 7, no. 2−5. P. 636 639.
  78. Xu N. S., Tzeng Y., Latham R. V. A diagnostic study of the field emission characteristics of individual micro-emitters in CVD diamond films // Journal of Physics D: Applied Physics. 1994. Vol. 27, no. 9. p. 1988.
  79. Reich K. V., Eidelman E. D., Vul' A. Y. Determination of temperature difference in carbon nanostruetures in field emission // Journal of Technical Physics. 2007. Vol. 52. P. 943−946.
  80. Field emission properties of carbon nanotubes / 0. Groning, O. M. Kuttel, C. Emmenegger et al. // Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures. 2000. Vol. 18, no. 2. P. 665−678.
  81. Dideykin A., Eidelman E., VuP A. The mechanism of autoelectron emission in carbon nanostructures // Solid State Communications. 2003. Vol. 126. P. 495 498.
  82. Free standing graphene-diamond hybrid films and their electron emission properties / D. Varshney, C. Venkateswara Rao, M. J.-F. Guinel et al. /7 Journal of Applied Physics. 2011. Vol. 110, no. 4. p. 44 324.
  83. Varshney D., Weiner B. R., Morell G. Growth and field emission study of a monolithic carbon nanotube/diamoiid composite // Carbon. 2010. Vol. 48, no. 12. P. 3353 3358.
  84. Galperin M., Ratner M. A., Nitzan A. Molecular transport junctions: vibrational effects // Journal of Physics: Condensed Matter. 2007. Vol. 19, no. 10. p. 103 201.
  85. Experimental Test of the Numerical Renormalization-Group Theory for Inelastic Scattering from Magnetic Impurities /' C. Bauerle, F. Mallet, F. Schopfer et al. // Phys. Rev. Lett. 2005. Vol. 95, no. 26. p. 266 805.
  86. Micklitz T., Costi T. A., Rosch A. Magnetic field dependence of dephasing rate due to diluted Kondo impurities /7 Phys. Rev. B. 2007. Vol. 75, no. 5. p. 54 406.
  87. Dora B., Gulacsi M. Inelastic scattering from local vibrational modes // Phys. Rev. B. 2008. Vol. 78, no. 16. p. 165 111.
  88. Observation of Strong Electron Dephasing in Highly Disordered Cu93Ge4Au3 Thin Films / S. M. Huang, T. C. Lee, H. Akimoto et al. /,/ Phys. Rev. Lett. 2007. Vol. 99, no. 4. p. 46 601.
  89. Cervenka J., van de Ruit K., Flipse C. F. J. Giant inelastic tunneling in epitaxial graphene mediated by localized states // Phvs. Rev. B. 2010. T. 81, № 20. c. 205 403.
  90. Devreese J. T., Alexandrov A. S. Frohlich polaron and bipolaron: recent developments // Reports on Progress in Physics. 2009. Vol. 72, no. 6. p. 66 501.
  91. Olsen T. Inelastic scattering in a local polaron model with quadratic coupling to bosons // Phys. Rev. B. 2009. Vol. 79, no. 23. p. 235 414.
  92. A Model of Field Emission from Carbon Nanotubes Decorated by Nanodiamonds / A. Vul, K. Reich, E. Eidelman et al. // Advanced Science Letters. 2010. Vol. 3, no. 2. P. 110−117.
  93. Dispersions of surface states on diamond (100) and (111) / R. Graupner, M. Hollering, A. Ziegler et al. // Phys. Rev. B. 1997. Vol. 55, no. 16. P. 1 084 110 847.
  94. Optical gap between dangling-bond states of a single-domain diamond C (lll) — (2×1) by reflectance anisotropy spectroscopy / G. Bussetti, C. Goletti, P. Chiaradia et al. // EPL (Europhysics Letters). 2007. Vol. 79, no. 5. p. 57 002.
  95. Diamond (111) and (100) surface: ab initio study of the atomic and electronic structure / A. Scholze, W. Schmidt, P. Kackell et al. // Materials Science and Engineering B. 1996. Vol. 37, no. 1−3. P. 158 161.
  96. Tight-binding calculations of quasiparticle wave functions for C (lll)2xl / M. Marsili, O. Pulci, F. Bechstedt et al. // Phys. Rev. B. 2008. Vol. 78, no. 20. p. 205 414.
  97. Pandey Ii. C. New dimerized-chain model for the reconstruction of the diamond (lll)-(2×1) surface /,/" Phys. Rev. B. 1982. Vol. 25, no. 6. P. 4338−4341.
  98. Electronic properties and quantum transport in Graphene-based nanostructures / Dubois, S. M.-M., Zanolli, Z., Declerck, X. et al. // Eur. Phys. J. B. 2009. Vol. 72-, no. 1. P. 1−24.
  99. Nicol E. J., Carbotte J. P. Optical conductivity of bilayer graphene with and without an asymmetry gap // Phys. Rev. B. 2008. Vol. 77, no. 15. p. 155 409.
  100. Mahan G. D. Many-particle physics. NY, USA: Plenum Press, 1993. p. 1044.
  101. Egger R., Gogolin A. O. Vibration-induced correction to the current through a single molecule // Phys. Rev. B. 2008. Vol. 77, no. 11. p. 113 405.
  102. Theory of inelastic scattering from quantum impurities / L. Borda, L. Fritz, N. Andrei et al. /7 Phys. Rev. B. 2007. Vol. 75, no. 23. p. 235 112.
  103. Effect of sp2-phase nanostructure on field emission from amorphous carbons / A. Ilie, A. C. Ferrari, T. Yagi et al. // Applied Physics Letters. 2000. Vol. 76. p. 2627.
  104. McClure J.W. Energy Band Structure of Graphite // IBM Journal of Research and Development. 1964. T. 8. C. 255−261.
  105. Holstein T. Studies of polaron motion, part ii. the small polaron. // Annals of Physics. 1959. Vol. 8. P. 343−389.
  106. Polarons in Carbon Nanotubes / M. Verissimo-Alves, R. B. Capaz, B. Koiller et- al. il Physical Review Letters. 2001. Vol. 86. P. 3372−3375.
  107. Stuart J. T., Diprima R. C. The Eckhaus and Benjamin-Feir Resonance Mechanisms // Royal Society of London Proceedings Series A. 1978. Vol. 362. P. 27−41.
  108. H. H., АнкСвич А. Π‘ΠΎΠ»ΠΈΡ‚ΠΎΠ½Ρ‹. Москва: Π€ΠΈΠ·ΠΌΠ°Ρ‚Π»ΠΈΡ‚, 2003. с. 348.
  109. The field emission from carbon nanotubes / G. Fursey. D. Novikov, G. Dyuzhev et al. /7 Applied Surface Science. 2003. Vol. 215, no. 1−4. P. 135 140.
  110. Cini M. Theory of the Auger effect in solids: Plasrnon effects in electron spectroscopies of valence states // Phys. Rev. B. 1978. Vol. 17. P. 2486−2493.
  111. Cini M., D’Andrea A. Exactly solved electron-boson models in condensed matter and molecular physics by a generalised recursion method // Journal of Physics C: Solid State Physics. 1988. Vol. 21, no. 2. p. 193.
  112. Lorentzen L. Plenary Papers A Priori Truncation Error Bounds for Continued Fractions // Rocky Mountain Journal of Mathematics. 2003. Vol. 33, no. 2. P. 409−474.
  113. Handbook of Continued Fractions for Special Functions / A. Cuyt, V. Brevik Petersen, B. Verdonk et al. NY, USA: Springer-Verlag, 2008.
  114. Phonon spectral function of the Holstein polaron / J. Loos, M. Hohenadler, A. Alvermann et al. // Journal of Physics: Condensed Matter. 2006. Vol. 18, no. 31. p. 7299.
  115. Ginzburg V., Kirzhnits D. High-temperature superconductivity. NY: Consultants Bureau, 1982. p. 464.
  116. Stoner R. J., Maris H. J. Kapitza conductance and heat flow between solids at temperatures from 50 to 300 K // Phys. Rev. B. 1993. Vol. 48. P. 16 373−16 387.
  117. Thermal conductance and phonon transmissivity of metal-graphite interfaces / A. J. Schmidt, K. C. Collins, A. J. Minnich et al. // Journal of Applied Physics. 2010. Vol. 107, no. 10. p. 104 907.
  118. Collins K. C., Chen S., Chen G. Effects of surface chemistry on thermal conductance at aluminum-diamond interfaces // Journal of Applied Physics. 2010. Vol. 97, no. 8. p. 83 102.
  119. Size-induced acoustic hardening and optic softening of phonons in InP, Ce02, Sn02, CdS, Ag, and Si nanostructures / C. Q. Sun, L. K. Pan, C. M. Li et al. // Phys. Rev. B. 2005. Vol. 72. p. 134 301.
Π—Π°ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒ Ρ‚Π΅ΠΊΡƒΡ‰Π΅ΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΎΠΉ