Взаимодействие халькогенидов германия, олова и свинца в твердофазных реакциях и в реакциях «твердое-газ»

Список литературы

1. Lead chalcogenides: Physics and Applications. Ed. D.Khokhlov. London, New York: Gordon&Breach, 2002.
2. Кайданов В.И., Равич Ю. И. Глубокие и резонансные состояния в полупроводниках типа AIVBVI //
3. Успехи физических наук. 1985. Т. 145. № 1. С. 51−86.
4. Hummer К., Griineis A., Kresse G. Structural and electronic properties of lead chalcogenides from firstprinciples // Phys. Rev. B. 2007. V. 75. P. 195 211 1−9.
5. Simons G., Bloch A.N. Pauli-Force Model Potential for Solids // Phys. Rev. B. 1973. V. 7. P. 27 542 761.
6. Chelikowsky J.R., Phillips J.C. Quantum-defect theory of heats of formation and structural transitionenergies of liquid and solid simple metal alloys and compounds // Phys. Rev. B. 1978. V. 17. P. 2453−2477.
7. Zunger A. Systematization of the stable crystal structure of all AB-type binary compounds: Apseudopotential orbital-radii approach. Phys. Rev. B. 1980. V. 22. P. 5839−5872.
8. Littlewood P.B. The crystal structure of IV-VI compounds: I. Classification and description // J. Phys.
9. C: Solid St. Phys. 1980. V. 13. P. 4855−4873.
10. Nabi Z., Abbar В., Mecabih S., Khal A., Amrane N. Pressure dependence of band gaps in PbS, PbSeand PbTe // Сотр. Materials Science. 2000. V. 18. P. 127.
11. Albanesi E.A., Okoye C.M.I., Rodriguez C.O., Peltzer у Blanca E.L., Petukhov A.G. Electronicstructure, structural properties and dielectric functions of IV-VI semiconductors: PbSe and PbTe // Phys. Rev. B. 2000. V. 61. P. 16 589−16 595.
12. Tung Y.W., Cohen M. L. Relativistic band structure and electronic properties of SnTe, GeTe, and
13. PbTe // Phys. Rev. 1969. V. 180. N. 1. P. 823−826.
14. Волков Б.А., Панкратов O.A., Сазонов A.B. Зонная структура полупроводников AIVBVI в приближении сильной связи на р-орбиталях // Физика и Техника Полупроводников. 1982. Т. 16. № 10. С. 1734−1742.
15. Valdivia J.A., Barberis G.E. Fully relativistic electronic structure of the semiconductors PbTe, PbSeand PbS // J. Phys. Chem. Solids. 1995. V. 56. N. 9. P. 1141−1146.
16. Lach-lab M., Keegan M., Papaconstantopoulos D.A., Mehl M.J. Electronic structure calculations of
17. PbTe // Journal of Physics and Chemistry of Solids. 2000. V. 61. P. 1639−1645.
18. Lach-lab M" Papaconstantopoulos D.A., Mehl M.J. Electronic structure calculations of leadchalcogenides PbS, PbSe, PbTe // Journal of Physics and Chemistry of Solids. 2002. V. 63. P. 833 841.
19. Albanesi E.A., Peltzer E.L., Blanca Y., Petukhov A.G. Calculated optical spectra of IV-VIsemiconductors PbS, PbSe and PbTe // Computational Materials Science. 2005. V. 32. P. 85−95.
20. Lefebvre I., Szymansky M.A., Olivier-Fourcade J., Juma J.C. Electronic structure of tin monochalcogenides from SnO to SnTe // Phys. Rev. B. 1998. V. 58. P. 1896−1906.
21. Nabi Z., Kellou A., Mecabin S., Khalfi A., Benosman N. Optoelectronic properties of Sn02 andorthorhombic SnS and SnSe compounds // Material Science and Engineering B. 2003. V.98. P. 104 115.
22. Taniguchi M., Johnson R.L., Chijsen J., Cardona M. Core excitons and conduction-band structure inorthorhombic GeS, GeSe, SnS, SnSe single crystals // Phys. Rev. B. 1990. V. 42. P. 3634−3643.
23. Polatoglou H.M., Theodorou G., Economou N.A., Electronic properties of cubic crystals with anaverage of five valence electrons per atom // Phys. Rev. B. 1986. V. 33. P. 1265−1274.
24. Phillips J.C., Van Vechten J.A. Dielectric Classification of Crystal Structures, Ionization Potentials, and Band Structures // Phys. Rev. Lett. 1969. V. 22. P. 705−708.
25. Andreoni W., Balderechi A., Biemont E., Phillips J.C. Hard-core pseudopotentials and structural mapsof solids // Phys. Rev. B. 1979. V. 20. P. 4814−4823.
26. Шелимова JI.E., Томашик B.H., Грыцив В. И. Диаграммы состояния в полупроводниковом материаловедении. М.: Наука, 1991, 368 с.
27. Коржуев М.А. Теллурид германия и его физические свойства. М.: Наука, 1986, 103 с.
28. Kolobov V.A., Tominaga J., Fons P., Urunga T. Local structure of crystallized GeTe film // Appliedphysics Letters. 2003. V.82. P. 382−384.
29. Chattopadhyaya Т., Boucherle J.X., von Schnering H.G. // Neutron diffraction study on the structuralphase transition in GeTe //J. Phys. C. 1987. V. 20. P. 1431−1440.
30. Nonaka Т., Ohbayashi G., Toriumi Y., Mori Y., Hashimoto H. Crystal structure of GeTe and
31. Ge2Sb2Te5 meta-stable phase // Thin Solid Films. 2000. V. 370. P. 258−261.
32. Raty Y., Godlevsky V.V., Gaspard J.P.B., Bionducci C. M, Bellissent R., Ceolin R., Chelikowsky J.R.,
33. Ghosez P. Local structure of liquid GeTe via neutron scattering and ab initio simulations // Phys. Rev. B. 2002. V. 65. P. 115 205 1−10.
34. Herman F., Kortum R.I., Ortenburger I.В., Van Dyke J.P. Relativistic band structure of GeTe, SnTe,
35. PbTe, PbSe, and PbS //J. Phys. Colloq. 1968. V. 29. P. C4−62−77.
36. Ciucivara A., Sahu B.R., Kleinman L. Density functional study of the effect of pressure on theferroelectric GeTe // Phys. Rev. B. 2006. V. 73. P. 214 105 1−6.
37. Wu S.H., Zunger A. Electronic and structural anomalies in lead chalcogenides // Phys. Rev. B. 1997.1. V. 55. P.13 605−13 610.
38. Shishkin M., Kresse G. Self-onsistent GW calculations for semiconductors and isolatiors // Phys. Rev.
39. B. 2006. V. 74. P. 35 101−1-9.
40. Rabe K.M., Joannopoulos J.D. Ab initio relativistic pseudopotential study of the zero-temperaturestructural properties of SnTe and PbTe // Phys. Rev. B. 1987. V. 32. P. 2302−2314.
41. Mian M., Harrison N.M., Saunders V.R., Flavell W.R. Ab initio Hartree-Fock investigation of galena
42. PbS) // Chem. Phys. Lett. 1996. V. 257. P. 627−632.
43. Natarajan R., Ogiit S. Structural and electronic propertie of Ge-Te cluster // Phys. Rev. B. 2003. V. 67.1. P. 235 326−1-6.
44. Wu Z.J. Theoretical study on PbS, PbO and their anions // Chemical Physics letters 2003. V.370.1. P. 39−43
45. Giri D., Das K.K. Theoretical study of electronic spectrum of SnSe // Chem. Phys. Lett. 2005. V. 411.1. P. 144−149.38. von Oertzen G.U., Jones R.T., Gerson A.R. Electronic and optical properties of Fe, Zn and Pb sulfides
46. J. Electr. Spectr. Rel. Phenom. 2005. V. 144−147. P. 1245−1247.
47. Zeng H., Schelly Z.A., Ueno-Noto K., Marynick D.S.Density functional study of structures of leadsulfide clusters (PbS)n (n=l-9) // J. Phys. Chem. A. 2005. V. 109. P. 1616−1620.
48. Hase I., Yanagisawa T. Electronic structure of (Tl0.i25Pb0.875)Te // Physica C. 2006. V. 61. P. 445−448.
49. Ahmad S., Mahanti S.D., Hoang K., Kanatzidis M.G. Ab initio studies of electronic structure ofdefects in PbTe // Phys. Rev. B. 2006. V. 74. P. 155 205 1−13.
50. Car R., Parrinello M. Unified Approach for Molecular Dynamics and Density-Functional Theory //
51. Phys. Rev. Lett. 1985. V. 55. P. 2471−2474.
52. Vanderbilt D., Joannopoulous J.D. Total energies in Se. III. Defects in the glass // Phys. Rev. B. 1983.1. V. 27. P. 6311−6321.
53. Hohl D., Jones R.O. First-principles molecular-dynamics simulation of liquid and amorphous selenium
54. Phys. Rev. B. 1991. V. 43. P. 3856−3870.
55. Andreoni W., Curioni A. New advances in chemistry and materials science with CPMD and parallelcomputing // Parallel Computing. 2000. V. 26. P. 819−842.
56. Дункен X., Лыгин В. Квантовая химия адсорбции на поверхности твердых тел. Москва, «МИР», 1980, 288 с.
57. Pacchioni G., Ierano G. Ab initio theory of optical transitions of point defects in SiC>2 // Phys. Rev. B.1998. V. 57. P. 818−832.
58. Raghavachari К., Pacchioni G. Photoabsorption of dioxasilyrane and silanone groups at the surface ofsilica // J. Chem. Phys. 2001. V. 114. P. 4657−4662.
59. Raghavachari K., Ricci D., Pacchioni G. Optical properties of point defects in Si02 from timedependent density functional theory // J. Chem. Phys. 2002. V. 116. P. 825−831.
60. Gaussian basis sets for molecular calculations. Ed. Husinaga S. Amsterdam: Elsevier, 1984. P. 81−86.
61. Hay P.J., Wadt W.R. Ab initio effective core potentials for molecular calculations. Potentials for thetransition metal atoms Sc-Hg // J. Chem. Phys. 1985. V. 82. P. 270−283.
62. Hay P. J., Wadt W.R. Ab initio effective core potentials for molecular calculations. Potentials for thetransition metal atoms Na-Bi // J. Chem. Phys. 1985. V. 82. P. 284−298.
63. Frish M.J., Trucks G.W., Svhlegel H.B., Scuseria G.E. et al. Gaussian 03. Gaussian, Inc. Wallingford1. CT. 2004.
64. Dovesi R., Saunders V. R., Roetti C., Causa M., Harrison N. M., Orlando R., and Apra E.
65. CRYSTAL98 User’s Manual. University of Turin. 1998.
66. Durand P., Barthelat J.C. A theoretical method to determine atomic pseudopotentials for electronicstructure calculations of molecules and solids // Theor. Chim. Acta. 1975. V. 38. P. 283−302.
67. Muscat J., Gale J.D. First principles studies of the surface of galena PbS // Geochimica et
68. Cosmochimica Acta. 2003. V. 67, N. 5. P. 799−805
69. Benran K. Bond lengths and angles in gas-phase molecules. Tokyo: Maruzen Company, 1984. V. II. P.649.641.
70. Термические константы веществ. Справочник под ред. Глушко В. П. М.: АН СССР, ВИНИТИ,
71. Ин-т высоких температур. С. 1965−1982.
72. Слэтер Дж. Методы самосогласованного поля для молекул и твердых тел. М.: Мир. 1978. 658 с.
73. Нефедов В.И., Вовна В. И. Электронная структура химических соединений. М.: Наука, 1987.347 с.
74. Wagner C.D., Naumkin A.V., Kraut-Vass A., Allison J.W., Powell С.J., Rumble J.R. NIST XPSdatabase version 3.4. http://srdata.nist.gov/xps
75. Hesse R. Unifit (Universal Spectrum Processing and Analysis program for ESCA-Spectra) Version2006. University of Leipzig.
76. Yashina L.V., Tikhonov E.V., Neudachina V.S., Zyubina T.S., Chaika A.N., Shtanov V.I., Kobeleva
77. S.P., Dobrovolsky Yu.A. The oxidation of PbTe (lOO) surface in dry oxygen // Surf. Interf. Anal. 2004. V. 36. P. 993−996.
78. Cederbaum L. S., Domcke N., Von Niessen W. Many-body calculation of electron affinities: C2 and aprediction for P2 // J. Phys. B. 1977. V. 10. P. 2963−2970.
79. Von Niessen W., Schirmer J., Cederbaum L. S. Computational methods for the one-particle. Green’sfunction // Comput. Phys. Rep. 1984. V. 1. P. 57−125.
80. Ortiz J. V. Electron binding energies of anionic alkali metal atoms from partial fourth order electronpropagator theory calculations // J. Chem. Phys. 1988. V. 89. P. 6348.
81. Schmidt M.W., Baldridge K.K., Boatz J.A. et al. General Atomic and Molecular Electronic Structure
82. System//J.Comput.Chem. 1993. V. 14. P. 1347−1363.
83. Frisch M. J., Trucks G. W., Schlegel H. B. et al., GAUSSIAN 98, Revision A.7, (Gaussian, Inc., PA, 1998).
84. Bagus P. S., Illas F., Pacchioni G., Parmigiani F. Mechanisms responsible for chemical shifts of corelevel binding energies and their relationship to chemical bonding // J. Electron Spectrosc. Relat. Phenom. 1999. V. 100. P. 215−236.
85. Huzinaga S. Gaussian basis sets for molecular calculations. Amsterdam: Elsevier, 1984.
86. Hinkel V., Haak H., Mariani C., Sorba L., Horn K. Investigation of bulk band structure of IV-VIcompound semiconductors: PbSe and PbTe // Phys. Rev. B. 1989. V. 40. P. 5549−5556.
87. Grandke Т., Ley L., Cardona M. Valence band structure of PbS angle-resolved photoemission // Phys.
88. Rev. B. 1977. V. 38. P. 1033−1036.
89. Grandke Т., Ley L., Cardona M., Preier H. Spin-orbit splitting in the valence band of PbSe fromangle-resolved UV photoemission // Solid State Communications. 1997. V. 24. P. 287−290.
90. Grandke Т., Ley L., Cardona M. Angle-resolved photoemission and electronic band structure of leadchalcogenides // Phys. Rev. B. 1978. V. 18. P. 3847−3871.
91. Bottner R., Ratz S., Schroeder N., Marquardt S., and Gerhardt U., Gaska R., Vaitkus J. Analysis ofangle-resolved photoemission data of PbS (001) surfaces within the direct-transition model // Phys. Rev. B. 1996. V. 53. P. 10 336−10 343.
92. Fukui K. UV photoemission studies on PbTe, SnTe and GeTe in polycrystalline and amorphousphases // J. Phys. Soc. Japan. 1992. V. 61. P. 1084−1097.
93. Зломанов В.П., Новоселова A.B. Р-Т-х-диаграммы состояния систем металл-халькоген. М., 1. Наука, 1987, 207 с.
94. Bletskan D.I. Phase equilibrium in binary systems AIVBVI. Part III. Systems Sn-Chalcogenides // J.
95. Ovonic Res. 2005. V. 1. № 5. P. 61−69.
96. Schlieper A., Feutelais Y., Fries S.G., Legendre В., Blachnik R. Thermodynamic evaluation of the
97. Germanium-Tellurium system // Calphad. 1999. V. 23. P. 1−18.
98. Кузнецов B.JI. Критическая оценка, оптимизация фазовой диаграммы и термодинамическихсвойств в системе Sn-Te // Неорган, материалы. 1996. Т. 32. № 3. С. 261−272
99. Lin J.-C., Hsieh K.-C., Sharma R.C., Chang Y.A. The Pb-Te (Lead-Tellurium) System. // Bull. Alloy
100. Phase Diagrams. 1989. V. 10. P. 340−347.
101. Sharma R.C., Lin J.-C., Chang Y.A. A Thermodynamic Analysis of the Pb-S System and Calculationof the Pb-S Phase Diagram // Met. Trans. B. 1987. V. 18B. P. 237−244.
102. Lin J.-C., Sharma R.C., Chang Y.A. The Pb-Se (Lead-Selenium) System // J. Phase Equilibria. 1996.1. V. 17. P. 253−260.
103. Караханова М.И., Тамм M.E., Новоселова A.B. Твердые растворы системы моноселенид оловамоносульфид олова // Изв. АН СССР, неорган, материалы. 1976. Т. 12. № 5. С. 942−944.
104. Albers W., Haas С., Ober Н., Schodder G.R., Wasscher J.D. Preparation and properties of mixedcrystals SnS (iX)Sex // J. Phys. Chem. Solids. 1962. V. 23. P. 215−220.
105. Liu H., Chang L. Phase relations in systems of tin chalcogenides // J. Alloys Сотр. 1992. V. 185. №l.P. 183−190
106. Караханова М.И., Пашинкин А. С., Новоселова A.B. О диаграмме плавкости олово-селен // Изв.
107. АН СССР, неорган, материалы. 1966. Т. 2. № 7. С. 1186−1189.
108. Leute V., Menge D. Thermodynamic Investigations of the Quasibinary Systems (CdkSni.k)Te,
109. CdkSnik)Se, and Sn (SeiTe!.i) // Z. Phys. Chem. 1992. Bd. 176. № 1. S. 47−64.
110. Штанов В.И., Зломанов В. П., Новоселова A.B. Исследование системы PbSe-SnSe // Изв. АН
111. СССР, неорган, материалы. 1974. Т. 10. № 2. С. 224−227.
112. Меджидов Р.А., Расулов С. М. О плавлении теллурида германия// Теплофизика высокихтемператур. 1976. Т. 14. С. 334−342.
113. Steininger J. Thermodynamics and calculation of the liquidus-solidus gap in homogeneous, monotonicalloy systems // J. Appl. Phys. 1970. V. 41. P. 2713−2724.
114. Физико-химические свойства полупроводниковых веществ. Справочник. М.: Наука, 1979. 340 с.
115. Schenk М., Berger Н., Klimakov A., Menzel U. The non-stochiometry of lead telluride. 6th Intern.
116. Sympos. «High-Purity Materials in Science and Technology». Dresden, 1985, pt. 2. P. 452.
117. Атомная диффузия в полупроводниках, под ред. Шоу Д. М.: Мир, 1975, 684 с.
118. Polity A., Krause-Rehberg R., Zlomanov V., Shtanov V., Chatchaturov A., Makinen S. Study ofvacancy defects in PbSe and Pbi. xSnxSe // J. Crystal Growth 1993. V. 131. P. 271−274.
119. Гаськов A.M., Матвеев О. В., Зломанов В. П., Новоселова А. В. Исследование теллурида свинца //
120. Изв. АН СССР, неорган, материалы. 1969. Т. V. № 11. С. 1889−1893.
121. Новожилов А.Ф. Физико-химическое исследование систем свинец-селен, свинец-теллур. Дисс.канд. хим. наук. М.: 1977. 176 с.
122. Яшина JI.B. Кинетические закономерности газофазного роста кристаллов в системе Pb-Ge-Te.
123. Дисс. канд. хим. наук. М.: МГУ, 1996. 195 с.
124. Любимов А.П., Беспальцева Н. Н. Исследование состава и давления пара теллурида германиямасс-спектрометрическим методом, Изв. АН СССР, Неорган, материалы, Т.5. N5. С. 161−162 (1969).
125. Молчанов М.В., Аликханян А. С., Зломанов В. П., Яшина Л. В., Масс-спектральное исследование газовой фазы над теллуридом германия // Неорган, материалы. 2002. Т. 38. С. 559−564.
126. Волькенштейн Ф.Ф. Физико-химия адсорбционных и каталитических процессов на поверхности твердых тел. М.: Наука. 1991. с. 350.
127. Handbook of Crystal Growth, edited by D.T.H.Hurle. North-Holland: Elsevier, 1993. 1352 p.
128. Buckly H.E. Crystal Growth. New York: Wiley, 1951. 571 p.
129. Молчанов M.B., Дунаева Т. А., Яшина Л. В., Штанов В. И., Зломанов В. П. Рост кристаллов сульфида свинца из газовой фазы // Неорган, материалы. 1999. Т. 35. С. 25−32.
130. Kaldis Е., Pieschoka М. В кн.: Handbook of Crystal Growth. North-Holland: Elsevier, 1993. V. 2. P. 615.
131. Klimakow A.M., Hofer Ch. Shaped crystal growth of PbTe by the open tube technique // Crystal Res. and Technol. 1984. V. 19. P. 1433−1441.
132. Казеннов Б. А. Процессы роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок. Новосибирск: Наука, т. 2, 1975, 306 с.
133. Noda Y., Orihashi М., Nishida I. Preparation and thermoelectric properties of n-type lead telluride // Trans. IEE of Japan. 1996. V.116-A. P. 242−247.
134. Безродная Л.И., Макарова Н. И., Стуркова Е. П. Харионовский Ю.С., Юдин С. Г. Рост кристаллов. М: Наука, т. 9, 1972, с. 231−234.
135. Курило Л.В., Ильчук Г. А., Бартошинский В. З., Турко Х. А., Хацко М. П. Рост кристаллов халькогенидов свинца методом ХТР // Изв. акад. наук СССР, неорган, материалы, 1980. Т. 16. С. 1186.
136. Stober D., Hildmann В.О., Bottner Н., Schelb S., Bachem К.Н., Binnewies М. Chemical transport reactions during crystal growth of PbTe and PbSe via vapor phase influenced by Agl. // J. Cryst. Growth. 1992. V. 121. P. 656−664.
137. Варшава С.С., Бекеша С. Н., Курило И. В., Пелех Л. Н. Морфология и свойства кристаллов SnTe и PbTe, выращенных из газовой фазы. // Изв. акад. наук СССР, неорган. Материалы 1987. Т. 23. С. 1286.
138. Palosz W. Inert Gases in Closed Crystal Growth Systems, in Materials Research in Low Gravity, editor N. Ramachandran // Proc. SPIE-Int. Soc. Opt. Eng. 1997. V. 3123. P. 34−43.
139. Prior A.C. Growth from the Vapour of Large Single Crystals of Lead Selenide. of Controlled Composition//J. Electrochem. Soc. 1961. V. 108, P. 82−87.
140. Белянский М.П., Дерновский В. И., Тананаева О. И., Зломанов В. П. Анализ кинетики роста кристаллов из газовой фазы в системе с постоянным объемом // Высокочистые вещества. 1990. Т. 5. С. 130.
141. Rosenberger F. Lar stress physical vapor growth (PVT) // Fundamentals of Crystal Growth. 1978. V. 43. P. 148.
142. Faktor M.M., Garret I. Growth of Crystals from the Vapour. London: Chapman and Hall, 1976. 300 P
143. Kaldis E., Principles of the Vapour Growth of Single Crystals, in Crystal Growth, Theory and Techniques, editor С. H. L. Goodman. New York: Plenum. Press 1974. P. 49.
144. Дерновский В.И. Рост кристаллов из газовой фазы: к вопросам переноса массы в закрытой системе // Кристаллография. 1992. Т. 2. № 2. С. 302−311.
145. Nill K.W., Blumm F.A., Calawa A.R., Harman T.C. Infrared Spectroscopy of CO Using a Tunable PbSSe Diode Laser // Appl. Phys. Lett. 1971. V. 19. P. 79−82.
146. Бестаев M.B., Горелик А. И., Мошников В. А., Таиров Ю. М. Рост кристаллов теллурида свинца из газовой фазы // Оптический журнал 1997. Т. 64. С. 116.
147. Воропаев Л.П., Ли Г.Д. Некоторые свойства ограненных монокристаллов Pbi.xSnxTe. // Изв. Акад. Наук СССР, неорган, материалы 1988. Т. 24. С. 1921.
148. Калинин Е.А., Тананаева О. И., Зломанов В. П., Новоселова А. В. Изучение кристаллов Pbi-xGexTe из пара методом сублимации // Неорган, материалы. 1991. Т. 27. С. 627.
149. Яшина Л.В., Зломанов В. П., Дерновский В. И., Штанов В. И., Тананаева О. И., Буханько Н. Г. Скорость роста и габитус кристаллов теллурида германия // Неорган, материалы. 1997. Т. 33. С.212−223.
150. Маклаков С.А., Тананаева О. И., Зломанов В. П. Изучение кинетики роста кристаллов теллурида свинца из пара. // Материалы электронной техники. 1983. Т. 36. № 11. С. 184.
151. Butler J.F., Harman T.C. Long-wavelength infrared Pbi-*SnYTe diode lasers // Appl. Phys. Letters. 1968. V. 12. P. 347−349.
152. Zountendyk J., Akutagawa W. Diffusive-convective physical vapour transport of PbTe from a Te-rich solid source // J. of Crystal Growth 1982. V. 56, P. 245−253.
153. Kovalev A.N., Medvedev S.A., Vasilkova V.V., Paramonov V.I. 6th Intern. Conference on Crystal Growth, Moscow. 1980. V. 1.P.216.
154. Tamari N., Shtrikman H. Non-seeded growth of large single Pbi-^SnJe crystals on a quartz surface // J. Cryst. Growth. 1978. V. 43. P. 378−380.
155. Tamari N., Shtrikman H. Growth study of large non-seeded Pbi xSnvTe single crystals // J. Electron. Mater. 1979. V. 8. P. 269−288.
156. Omaly J., Robert M., Cadoret R. Controle de la Croissance Cristalline a Portir de la Phase Vapeur en Tube Fermi // Mat. Res. Bull. 1981. V. 16. P. 1261−1270.
157. Daniel D.R., Maier H., Preier H. Sublimation growth of pseudobinary Pb0.93Sn0.07Se grystals with controlled carrer concentration// J. Cryst. Growth. 1977. V. 38. № 1. P. 145−146.
158. Harman T.C., McVittie J.P. Horizontal unseeded vapor growth of IV-VI compounds and alloys. // J. Electron. Materials, 1974. V. 3. P. 843−854.
159. Lo W., Montgomery G.P. Ingot-nucleated PbixSnxTe diode lasers // J. Appl. Phys. 1976. V. 47. № 1. P. 267.
160. Lo W. Tellurium-rich growth and laser fabrication of lead-tin-telluride (Pbi-xSnxTe: 0.06 // J. Electron. Mater. 1977. V. 6. P. 39−48.
161. Preier H., Herkert R., Pfeiffer H. Growth of PbSixSex single crystals by sublimation // J. of Crystal Growth. 1974. V. 22. N2. P. 153−158.
162. Maier H., Daniel D.R., Preier H. Sublimation growth of PbSe crystals with controlled carrier concentration // J. of Crystal Growth. 1976. V. 35. N2. P. 121.
163. Mollmann K.-P., Siehe D., Zajnudinov S. Doping of PbTe with Ga during Growth from the Vapour Phase. // Cryst. Res. Technol. 1986. V. 21. P. 1273.
164. Копыль А.И., Ковбаснюк H.K., Летюченко С. Д., Слинько С. Д. Получение монокристаллов соединений А4В6 с естественной огранкой из паровой фазы. Всесоюзная конф. по росту крист. 1988. Т. 1-М. С. 177.
165. Ковбансюк Н.К., Летюченко С. Д., Слинько С. Д. Получение монокристаллов соединений А4В6 с естественной огранкой из паровой фазы. Всесоюзная конф. по росту крист. 1992. Т. 1. С. 248.
166. Kasai I., Daniel D.R., Maier Н., Wurzinger H.-D. Growth and morphology of Pbi. xSnySe and (PbSe)iz (SnTe)z alloys from the vapor phase // J. Cryst. Growth. 1974. V. 23. N. 3. P. 201−206.
167. Maier H., Daniel D.R. SnSe single crystals: sublimation growth, deviation from stoichiometry and electrical properties // J. Electron. Mater. 1977. V. 6. N. 6. P. 693−704.
168. Слинько С.Д., Хандожко А. Г., Данилюк Г. В., Копыль А. И., Летюченко С. Д. // Примеси в узкозонных полупроводниках, Материалы всесоюзного семинара по проблемам физики и химии полупроводников, Павлодар. 1989. Т. 3. С. 56.
169. Leszczynski М., Szczerbakow A., Karczewski G. The properties of (Pb, Ge) Te single crystals grownfrom the vapour phase // J. of Crystal Growth. 1994. V. 135. N. 3−4. P. 565−570.
170. Szczerbakow A., Durose K. Self-selecting vapour growth of bulk crystals Principles and applicability // Progress Cryst. Growth Charact. Mater. 2005. V. 51. N. 1−3. P. 81−108.
171. Parker S.G., Pinnel J.E., Johnson R.E. Growth of large crystals of (Pb, Ge) Te and (Pb, Sn) Te // J. Electron. Mater. 1974. V. 3. N. 4. P. 731−746.
172. Antcliffe G.A., Wrobel J.S. High mobility n-type Pbo.83Sno.17Te single crystals // Mat. Res. Bull. 1970. V. 5. P. 747.
173. Bradford A., Wientworth E. Preparation of vapor grown lead-tin telluride for 8−14 micrometer photodiodes // Infrared Phys. 1975. V. 15. P. 303−309.
174. Andrews A.M., Longo J.T., Clarke J.E., Gertner E.R. Backside-illuminated Pbi. xSnxTe heterojunction photodiode // Appl. Phys. Letters. 1975. V. 26. P. 438.
175. Wrobel J.S., Antcliffe G.A., Bate R.T. Lead germanium telluride diode lasers // J. Nonmetals. 1973. V. 1. P. 217.
176. Bakin A.S., Chesnokova D.B., Jas’kov D.A. The PbixSnxTe gas phase epitaxy // J. of Crystal Growth. 1989. V. 94. N. 3. P. 651−655.
177. Pandey R.K. A new method for the growth of PbixSnxTe single crystals // Solid State Commun. 1974. V. 15. P. 449.
178. Golacki Z., Furmanik Z., Gorska M., Szczerbakow A., Zahorowski W. Vapour phase growth of large crystals of PbTe and PbbxSnxTe // J. Cryst. Growth. 1982. V. 60. P. 150−152.
179. Марков E.B., Давыдов А. А. Сублимация кристаллов CdS // Изв. Акад. Наук СССР, неорган, материалы. 1971. Т. 7. С. 575−583.
180. Штанов В.И., Зломанов В. П., Комов А. А., Козловский В. Ф., Нибш Х.-Х. Рост кристаллов (Pb, Sn) Te из газовой фазы// Высокочистые вещества. 1989. Т. 1. С. 5−12.
181. Golacki Z., Gorska М., Warminski Т., Szczerbakow A. Vapour phase growth and properties of Pbi. xSnxTe single crystals // J. of Crystal Growth. 1986. V. 74. N. 1. P. 129−134.
182. Tzao J.Y. Materials Fundamentals of Molecular Beam Epitaxy. New-York: Academic Press, 1993. 301 p.
183. Pizzarello F. Vapor Phase Crystal Growth of Lead Sulfide Crystals // J. Appl. Phys. 1954. V. 25. N6. P. 804−805.
184. Шотов А.П., Кучеренко И. В., Королев Ю. Н., Чижевский Е. Г. Исследование непораболичности валентной зоны и механизма рассеяния дырок в кристаллах Pb0.94Sn0.06Se при 80 К // Физ. Тех. Полупров. 1972. Т. 6. С. 1508−1512.
185. Саунина Т.В., Чеснокова Д. Б., Яськов Д. А. Исследования условий роста кристаллов твердого раствора Pbi.xSnxTe из газовой фазы // Матер, электр. техники. 1982. Т. 41. № 3. С. 164−170.
186. Бакин А.С., Чеснокова Д. Б., Ясысов Д. А. Лимитирующие стадии роста эпитаксиальных слоев PbixSnxTe// Изв. Акад. Наук СССР, неорган, материалы. 1987. Т. 23. С. 48−52.
187. Клинкова Л.А., Гартман В. К., Гулаева Л. П., Зверькова С. А. Рост кристаллов теллурида свинца методом Маркова-Давыдова // Изв. Акад. Наук СССР, неорган, материалы. 1987. Т. 23. С. 1132−1135.
188. Чегнов В.П., Хряпов В. Т., Марков Е. В., Язов В. М. Выращивание монокристаллов Pbi.xSnxTe из паровой фазы // Матер, электр. техники. 1984. Т. 45. № 4. С. 189−194.
189. Штанов В.И., Усанов А. Г., Зломанов В. П. Особенности массопереноса при выращивании кристаллов Pbi-xSnxTe (0,18<х<0,25) // депон. в ВИНИТИ, № 80-В от 3.01.86.
190. Штанов В.И., Усанов А. Г., Зломанов В. П., Комов А. А. Состав и структура кристаллов Pbi xSnxTe, выращенных из паров фазы на затравку // Изв. Акад. Наук СССР, неорган, материалы. 1988. Т. 24. С. 1796−1801.
191. Saunina T.V., Chesnokova D.B., Jaskov D.A. Termodynamic analysis of the conditions of growth of PbixSnxTe from the gas phase // J. of Cryst. Growth. 1985. V. 71. P. 75−79.
192. Бакин А.С., Саунина T.B., Яськов Д. А. Распределение состава при выращивании кристаллов PbixSnxTe из газовой фазы // Изв. ЛЭТИ. 1979. Т. 250. С. 103−107.
193. Lawson W.D. Oxygen free single grystals of lead telluride, selenide and sulfide // J. Appl. Phys. 1952. V. 23. P. 495−501.
194. Кантер Ю.О., Сидоров Ю. Г. Влияние очистки на кристаллизацию расплава РЬТе. // Изв. Акад. Наук СССР, неорган, материалы. 1980. Т. 16. С. 1874−1880.
195. Клинкова Л.А., Гартман В. К., Гулаева Л. П., Романенко И. М. Ориентированное выращивание монокристаллов РЬТе методом вертикальной сублимации // Изв. АН СССР, неорган, материалы. 1988. Т. 24. № 8. С. 1271−1275.
196. Knittel A.Z. Vapour growth of crystals with a steady state source // J. of Crystal Growth. 1974. V. 26. Nl.P. 33−36.
197. Саунина T.B., Чеснокова Д. Б., Яськов Д. А. Исследование лимитирующих стадий роста кристаллов (PbixSnx)i-yTeyH3 газовой фазы. // Электронная Техника, Материалы. 1983. Т. 34. № 4. С. 177−182.
198. Штанов В.И. Условия образования монокристалла в методе Бриджмена // Кристаллография. 2004. Т. 49. № 2. С. 336−342.
199. M.Muhlberg. Investigations in the structural perfection of Bridgman-grown PbTe single crystals. //
200. Kristall und Technick. 1980. V. 15. N. 5. P. 565−570.
201. Gille P., Muhlberg M., Parthier L" Rudolph P. Grystal growth of PbTe and (Pb, Sn) Te by the Bridgman method and by THM. // Crystal Res. and Technol. 1984. V. 19. P. 881−889.
202. Rodot H., Regel L.L., Turtchaninov A.M. Crystal growth of IV-VI semiconductors in a centrifuge // J. of Crystal Growth. 1990. V. 104. N. 2. P. 280−284.
203. Berger H., Mizera E., Auleytner J. X-Ray study of the defect structure of PbTe single crystals // Crystal Res. and Technol. 1984. V. 19. N. 1. P. 43−48.
204. Tovstyuk K.D., Slinko I.O., Tovstyuk N.K., Khandozhko A.G. Lithium Impurity States in PbTe // Phys. Stat. Sol. B. 1990. V. 157. N. 1. P. 151−157.
205. Schenk M., Berger H., Klimakov A., Muhlberg M., Wienecke M. Nonstoichiometry and point defects in PbTe // Cryst. Res. Technol. 1988. V. 23. N. 1. P. 77−84.
206. Fano V. Precipitation in chalcogenides of groups II and IV // J. Cryst. Growth. 1990. V. 106. N4. P. 510−512.
207. Leute V., Schmidtke H. Untersuchungen zum Diffusionsmechanismus in den quasibinaeren Halbleilerlegierungen (Pb, Sn) Te und (Pb, Sn) Se // Ber. Bunsenges. Phys. Chem. 1975. Bd. 79. № 11. S. 1134−1140.
208. Breshi R., Camanzi A., Fano V. Defects in PbTe single crystals // J. Cryst. Growth. 1982. V. 58. N. 2. P. 399−408.
209. Аверьянов И.С., Маркина Н. П., Волков Ф. П., Перцев Г. В., Чащин С. П. Фотодиод на основе монокристаллов PbixSnxSe // Изв. Акад. Наук СССР, неорган, материалы. 1967. Т. 3. С. 877 884.
210. Melentyev I.I., Boyarskay Yu.S. Dislocation distributions produced by indentation and scratching in lead sulphide grown from the vapour and the melt // J. of Crystal Growth. 1971. V. 8. N. 2. P. 205 208
211. Noda Y., Orihashi M., Nishida I.A. Thermoelectric properties of p-type lead telluride doped with silver or potassium // Mater. Trans., JIM. 1998. V. 39. N. 5. P. 602−605.
212. Orihashi M., Noda Y., Chen L., Hirai T. Preparation and Thermoelectric Properties of K-Doped p-Type Lead Telluride // J. Adv. Sei. 1997. V. 9. P. 32−37.
213. Zayachuk D.M., Matulenis E.L., Mikityuk V.l. The behaviour of Gd in lead and tin tellurides and its effect on their physical properties // J. Cryst. Growth. 1992. V. 121. N. 1. P. 235−239.
214. Zayachuk D.M., Ivanchuk D.D., Ivanchuk R.D., Maslyanchuk S.S., Mikityuk V.l. The Effect of Gadolinium Doping on the Physical Properties of Lead Telluride // Phys. Stat. Sol. A. 1990. V. 119. N. 1. P. 215−219.
215. Duguzhev Sh.M., Makhin A.V., Moshnikov V.A., Shelykh A.I. Doping of PbTe and Pb,.xSnxTc withgallium and indium // Cryst. Res. Technol. 1990. V. 25. N. 2. P. 145−149.
216. Golacki Z., Godwod K., Majewski J., Jasiolek G. Precipitates in PbTe: Cr crystal grown by the Bridgman method // J. of Crystal Growth. 1987. V. 84. N. 3. P. 455−459.
217. Strauss A.J., Harman T.C. Pseudobinary phase diagram and existance regions for PbSi-xSex. // J. Electr. Mater. 1973. V. 2. № 1. P. 71−85.
218. Steininger J., Strauss A.J. Phase diagrams and crystal growth of pseudobinary alloy semiconductors // J. of Crystal Growth 1972. V. 13/14. P. 657−662.
219. Потапов M.A., Чупахин M.C., Штанов В. П., Зломанов В. П. Зондовый масс-спектрометрический метод анализа легкоплавких металлов и сплавов высокой чистоты // Ж. анал. хим. 1978. Т. 33. С. 1062.
220. Гертович Т.С., Гринева С. И., Гуцуляк В. Г., Орлетский В. Б., Товсюк К. Д. Оптические свойства монокристаллов Pbi.xSnxSe в области края собственного поглощения. // Физика и техника полупроводников. 1975. Т. 9. С. 1015.
221. Melngailis I., Harman Т.С., Kernan W.C. Shubnikov-de Hass Measurements in Pb!.xSnxSe // Phys. Rev. В 1972. V. 5. N. 6. P. 2250−2257.
222. Kinoshita K., Yamada T. Surface tension of Pbo^Sno^Te melt and the effect Marangoni convection in microgravity crystal growth. // J. of Crystal Growth. 1989. V. 96. P. 953−956.
223. Ghezzi C. Short-range order and diffuse X-ray scattering in single crystal PbxSnixTe alloys // Phys. Stat. Sol. A. 1976. V. 34. N. 2. P. 525−531.
224. Watanabe Т., Kinoshita K. Study of precipitation in bridgman-grown Pbi xSnxTe single crystals by ТЕМ // J. of Crystal Growth. 1987. V. 80. N. 2. P. 393−399.
225. Huang Y., Debnam W.J., Fripp A.L. Interface shapes during vertical Bridgman growth of (Pb, Sn) Te crystals // J. Cryst. Growth. 1990. V. 104. N. 2. P. 315−326.
226. Вершигора 3.K., Гуцуляк В. Г., Оманчуковская И. В., Орлетский В. Б. Выращивание кристаллов халькогенидов свинца// Неорган, материалы. 1990. Т. 26. С. 935−940.
227. Inoue М., Kaku Y., Yagi Н., Tatsukawa Т. Correlation between Electrical Properties and Crystalline Environment in Pb^SnJe Mixed Crystals // J. Phys. Soc. Japan 1977. V. 43. N2. P. 512−518.
228. Harman T.C. Control of imperfections in crystals of Pbi. xSnxTe, PbixSnxSe and PbS. xSex // J. Nonmetals. 1973. V. 1. P. 183−194.
229. Rudolph P., Kiessling F.M. The horizontal Bridgman method // Cryst. Res. and Technol. 1988. V. 23, N. 10−11. P. 1207−1212.
230. Kinoshita K., Sugii K. Bridgman growth of subgrain boundary free PbixSnxTe single crytals // J. Cryst. Growth. 1985. V. 71. P. 283−286.
231. Assenov R., Polychroniadis E.K. On the comparative characterization of single crystalline PbTe (I) grown by vertical Bridgman and travelling heater methods // J. Cryst. Growth. 1991. V. 112. N. 1. P. 227−234.
232. Laugier A., Cadoz J., Faure M., Moulin M. Ternary phase diagram and liquid phase epitaxy of Pb-Sn-Se and Pb-Sn-Te // J. of Crystal Growth. 1974. V. 21. P. 235−244.
233. Гук В.Г., Осипова Е. В., Фролов А. А. Электрофизические свойства кристаллов теллурида свинца//Неорган. Материалы 1996. Т. 32. С. 148−152.
234. Metz Е.Р.А., Miller R.C., Mazelsky R. A Technique for Pulling Single Crystals of Volatile Materials // J. Appl. Phys. 1962. V. 33. N. 6. P. 2016−2017.
235. Wagner J.W., Willardson R.K. Growth of Pbi. xSnxTe single grystals from nonstoichiometric melts // Trans. Metal. Soc. AIME. 1969. V. 245. P. 461−467.
236. Лакеенков B.M., Тетеркин B.B., Сизов Ф. Ф., Плятско С. В., Белокон С. А. Поведение примеси Ga в монокристаллах РЬТе // Украинский физический журнал. 1984. Т. 29. С. 757.
237. Белоконь С.А., Дарчук С. Д., Плятско С. В., Сизов Ф. Ф., Тетеркин В. В. Поведение примеси индия в монокристаллах теллурида свинца // Изв. Акад. Наук СССР, неорган, материалы. 1988. Т. 24. С. 1618−1624.
238. Wagner J.W., Willardson R.K. Growth and characterization of single crystals of PbTe-SnTe // Trans. Met. Soc. AIME. 1968. V. 242. P. 366−371.
239. Курбанов K.P., Яценко О. Б., Зломанов В. П. Выращивание кристаллов Pbi.xSnxTe. // Изв. Акад. Наук СССР, неорган, материалы. 1976. Т. 12. № 11. С. 2076−2077.
240. Кажданов В., Мельник Р. Б., Федоренко Е. Ш. Выращивание кристаллов PbixSnxTe // Изв. Акад. Наук СССР, неорган, материалы. 1966. Т. 2. С. 2246−2249.
241. Munoz V., Lasbley A., Klotz S., Triboulet R. Synthesis and growth of PbTe crystals at low temperature and their characterization // J. Cryst. Growth. 1999. V. 196. N. 1. P. 71−76.
242. Zlomanov V.P., Masyakin E.V., Novoselova A.V. P-T-X phase diagram of the Pb-Se system and vapor phase growth mechanism of lead selenide single crystals // J. Cryst. Growth. 1974. V. 26. N. 2. P. 261−266.
243. Kinoshita K., Miyazawa S. Large homogeneous PbixSnxTe single crystal growth by vapor-melt-solid mechanism//J. of Crystal Growth. 1982. V. 57. N. 1. P. 141−144.
244. Андрющенко Е.Д., Варламова Л. М., Зломанов В. П., Новоселова А. В., Тананаева О. И. Изучение роста кристаллов PbixSnxTe по механизму пар-жидкость-кристалл // Изв. Акад. Наук СССР, неорган, материалы. 1979. Т. 15. С. 1569−1572.
245. Андрюшенко Е.Д., Данильчук Т. Н., Зломанов В. П., Новоселова А. В., Тананаева О. И. Скорость роста кристаллов Pbi.xSnxTe по механизму пар-жидкость-кристалл // Изв. Акад. Наук СССР, неорган, материалы. 1979. Т. 15. С. 1573−1577.
246. Kinoshita К., Sugii К. Vapor-melt-solid mechanism of Pbi ~, SnvTe single crystal growth // J. Cryst. Growth. 1983. V. 65. N. 1−3. P. 379−383.
247. Старик П.М., Заячюк Д. М. Поведение сверхстехиометрического теллура в теллуридах свинца-олова // Изв. Акад. Наук СССР, неорган, материалы. 1989. Т. 25. С. 158−167.
248. Fabbri М., Bandeira I.N., Miranda L.C.M. A model for the solute transport in PbSnTe growth by vapor-melt-solid technique // J. of Crystal Growth. 1990. V. 104. N. 2. P. 435−444.
249. Демин B.H., Букреева И. Г., Гаськов A.M., Зломанов В. П., Новоселова А. В. Рост кристаллов из пара и границы области гомогенности твердого раствора Pbi.y (SxTei-x)y // Изв. АН СССР, неорган. материалы. 1986. Т. 22. С. 33−35.
250. Яненко З.Г., Штанов В. И., Зломанов В. П. Выращивание кристаллов Pbi-xSnxTe по механизму пар-жидкость-кристалл при небольших градиентах температур // Изв. АН СССР, неорган, материалы. 1990. С. 26. № 2. С. 437−438.
251. Brebrick R.F. Partial pressures of Те2 (g) in equilibruium with GeTe (s) from optical density data // J. Phys. Chem. Solids. 1966. V. 27. N9. P. 1495−1505.
252. Yashina L.V., Shtanov V.I., Yanenko Z.G. The application of VLS growth technique to bulk semiconductors // J. of Crystal Growth. 2003. V. 252. P. 68−78.
253. Саунин И.В., Саунина T.B., Язков Д. А. Выращивание кристаллов Pbi-xSnxTe из газовой фазы// Журн. неорган, химии. 1986. Т. 31. С. 1304−1310.231. van Dal М. Microstructural stability of the Kirkendall plane. Eindhoven, 2001. 150 p.
254. Leute V. The influence of thermodynamic on the interdiffusion in quasibinary systems // Solid State Ionics 2003. V. 164. P. 159−168.
255. Schmalzried H. Chemical kinetics of solids. Weinheim, New York, Basel, Cambrigde, Tokyo: VCH, 1995.433 р.
256. Атомная диффузия в полупроводниках. Под ред. Д.Шоу. М.: Мир. 1975. 684 с.
257. Yashina L., Leute V. The phase diagrams of the quasibinary systems (Pb, Ge) Te and (Ge, Sn) Te. // J. Alloys Сотр. 2000. V. 313. P. 82−92.
258. Leute V., Volkmer N. A Contribution to the Phase Diagram of the Quasibinary System PbS (ix)Tex. //Z. Phys. Chem. N. F. 1985. V. 144. P. 145−155.
259. Leute V. Thermodynamics of solid solutions with ordering tendencies. // Calphad. 1996. V. 20. P. 407−418.
260. Kerkhoff M., Leute V. The phase diagram of the quasibinary system Ga2Te3/Ga2Se3. // J. Alloys Сотр. 2004. V. 381. P. 124−129.
261. Kerkhoff M., Leute V. The phase diagram of the quasibinary system Hg3Se3/Ga2Se3. // J. Alloys Сотр. 2005. V. 391. P. 42−48.
262. Leute V., Weitze D., Zeppenfeld A. Phase diagrams of II-VI/III-VI solid solutions with ordering tendencies // Journal of Alloys and Compounds. 1999. V. 289. P. 233−243.
263. Weitze D., Leute V. The phase diagrams of the quasibinary systems HgTe/In2Te3 and CdTe/In2Te3 // Journal of Alloys and Compounds. 1996. V. 236, N. 1−2. P. 229−235.
264. Bredol M., Leute V. Solid state reactions in the quasibinary system Ga2Te3/CdTe. // Journal of Solid State Chemistry. 1985. V. 60. P. 29−40.
265. Leute V. Solid state reactions in semiconductor systems // Solid State Ionics. 1985. V. 17. P. 185 212.
266. Leute V. A Thermodynamic Description of the Quasiternary Systems. Part I. Solid Solution Pb (S, Se, Te). //Z. Metallkunde. 1996. V. 87. P. 32−40.
267. Leute V. Пакет программ для расчета фазовых диаграмм, http://www.uni-muenster. de/Chemie .pc/Leute
268. Wagner J.W., Wooley J.C. Phase Studies of the (Pb, Sn) Te Alloys // Mater. Res. Bull. 1967. V. 2. P. 1055−1059.
269. Calawa A.R., Harman T.C., Finn M., Youtz P. Crystal Growth, Annealing and Diffusion of Lead-Tin-Chalcogenides // Trans. Met. Soc. AIME. 1968. V. 242. P. 374−383.
270. Huang Yu., Brebrick R.F. Partial Pressures and Thermodynamic Properties of PbTe-SnTe Solid Solutions with 13, 20 and 100 Mole Percent SnTe // J. Electrochem. Soc. 1988. V. 135 P. 15 471 559.
271. Зломанов В.П., Ло Куанг Фу, Гаськов A.M., Новоселова А. В. Исследование Т-х-у диаграммы системы свинец-олово-теллур. // Журн. неорган, химии. 1974. Т. 19. С. 2538−2541.
272. Михайлов В.Ф., Пелевин О. В., Соколов A.M., Хорват A.M. Равновесие твердая фаза жидкость в системе Pb-Sn-Te выше 750°С. // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1978. Т. 14. С. 777−778.
273. Linden К. J., Kennedy С. A. Phase Diagram of the Ternary System Pb-Sn-Te // J. Appl. Phys. 1969. V. 40. P. 2595−2597.
274. Шелимова Л.Е., Абрикосов H.X. Исследование политермического разреза PbTe-SnTe и получение монокристаллов сплава Pbo.6Sno.4Te // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1973. Т. 9. С. 1642−1643.
275. Astes M.G., Hatto P., Crocker A.J. Liquidus Measurements in the Pb-Sn-Te System // J. Of Crystal Growth. 1979. V. 47. P. 379−383.254 255 256 257.258.259.260.261.262.263.264.265.266.267.268.269.
276. Hato P., Crocker A. J., Winn J. Solidus of the Pb-Sn-Te Alloy System // J. of Crystal Growth. 1982. V. 57. P. 507−515.
277. Dionne G., Wooley J.C. Crystal Growth and Isothermal Annealing of (Pb, Sn) Te alloys // J. Electrochem. Soc. 1972. V.119. P. 784−788.
278. Harman T.C. Control of Imperfections in Crystals of (Pb, Sn) Te, (Pb, Sn) Se and Pb (S, Se) // J. Nonmetals. 1973. V.l. P. 183−194.
279. Sha Y.G., Chen K.T., Brebrick R.F. Partial Pressures and Thermodynamic Properties of PbTe-SnTe Solid and Liquid Solutions with 50, 70 and 100 Mole Percent SnTe // J. Electrochem. Soc. 1991. V. 138. P. 2460−2465.
280. Hiscocks E.R., West J.D. Crystal Pulling and Constitution in (Pb, Sn) Te // J. Mater. Sci. 1968. V. 3. P. 76−79.
281. Blachnik R., Gather B. Die Mischungsenenthalpien im system Pb-Te // J. Less-Common Metals. 1983. V. 92. P. 207−213.
282. Schlieper A., Blachnik R. Calorimetric investigations of liquid Ge-Te and Si-Te alloys // J. Alloys Сотр. 1996. V. 235. P. 237−243.
283. Strauss A.J., Harman T.C. Pseudobinary phase diagram and existance regions for PbSi. xSex // J. Electr. Mater. 1973. V. 2. № 1. P. 71−85.
284. Кузнецов B.JI., Гаськов A.M., Зломанов В. П. Т-х-у проекция системы Pb-Se-Te // Неорган, материалы. 1987. Т. 23. С. 902−906.
285. Grimes D.E. The Pb-PbTe-PbSe subternary system // Trans. Met. Soc. AIME. 1965. V. 233. P. 14 421 444.
286. Steininger J. Phase diagram of the PbTe-PbSe pseudobinary system // Met. Trans. 1970. V. 1. P. 2939−2941.
287. Laugier A. Thermodynamics and phase diagram calculations in II-IV and IV-VI ternary systems using an associated solution model // Rev. Phys. Appl. 1973. V. 8. P. 259−269.
288. Balde L., Legendre В., Balkhi A. Etude du diagramme d’equilibre entre phases du systeme ternaire germanuim-etain-tellure // J. Alloys Сотр. 1996. V. 216. P. 285−293
289. Абрикосов H.X., Вассерман A.M., Порецкая Л. В. Исследование системы SnTe-GeTe // Докл. АН СССР. 1958. № 123. С. 279−281.
290. Bierly J.N., Muldawer L., Beckman О. The continuous rhombohedral-cubic transformation in GeTe-SnTe alloys // Acta Metallurg. 1963. V. 11. P. 447−454.
291. Абрикосов H.X., Авилов E.C., Карпинский О. Г., Шелимова Л. Е. Физико-химические исследования сплавов системы GeTe РЬТе в области твердых растворов на основе GeTe // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1981. Т. 17. № 9. С. 1172−1174.
292. Schlieper A., Blachnik R. Thermodynamic Investigations of the System Ge-Sn-Te // Z. Metallkunde. 1998. Bd. 89. S. 3−15.
293. Bergman C., Castanet R. Temperature Dependence of the Enthalpy of Formation of Liquid Ge-Te Alloys // Ber. Bunsendes. 1976. V. 80. № 8. P. 774−775
294. Караханова М.И., Тамм M.E., Новоселова A.B. Твердые растворы системы моноселенид оло-ва-моносульфид олова // Изв. АН СССР, неорган, материалы. 1976. Т. 12. № 5. С. 942−944.
295. Albers W., Haas С., Ober Н., Schodder G.R., Wasscher J.D. Preparation and properties of mixed crystals SnS (ix)Sex // J. Phys. Chem. Solids. 1962. V. 23. P. 215−220.
296. Liu H., Chang L. Phase relations in systems of tin chalcogenides // J. Alloys Сотр. 1992. V. 185. №l.P. 183−190.
297. Громаков С.Д., Зороацкая И. В., Латыпов З. М., Чвала М. А., Эйдельман Е. А., Бадыгина Л. М., Зарипова Л. Г. К методике изучения фазовых диаграмм полупроводниковых систем // Журн. неорган, хим. 1964. Т. IX. С. 2485−2487.
298. Darrow M.S., White W.B., Roy R. Phase Relations in the System PbS-PbTe // Trans. Met. Soc. AIME. 1966. V. 236. P. 654−658.
299. Дёмин B.H. Физико-химическое исследование системы свинец-сера-теллур. Дисс. канд. хи-мич. наук. М.: МГУ, 1986. 201 с. 286 287 288 289 290 287 579 136,294.295,296.297.298.299.300.301.i
300. Darrow M.S., White W.B., Roy R. Evidence for Spinodal Decomposition in the System PbS-PbTe // Mater. Sci. Eng. 1968/69. V. 3. C. 289−292
301. Blachnik R., Binder J., Schlieper A. The excess enthalpies of liquid Ge-Pb-Te alloys // Z. Metallkunde. 1977. Bd. 88. H. 7. S. 522−528
302. Hohnke D.K., Holloway H., Kaiser S. Phase relations and transformations in the system PbTe-GeTe // J. Phys. Chem. Solids. 1972. V. 33. P. 2053−2062.
303. Бигвава А.Д., Кунчулия Е. Д., Моисеенко С. С., Сабо Е. П., Швангирадзе П. П. Рентгенографическое исследование сплавов системы GeTe-PbTe // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1972. Т. 8. С. 2089−2091.
304. Кузнецов В.Г., Ли Чи-фа. Рентгенографическое исследование системы SnS-PbS // Журн. неорган. химии. 1964. Т. 9. № 5. С. 1201−1206.
305. Бигвава А.Д., Кунчулия Э. Д., Моисеенко С. С., Анисимов Б. Б. Рентгенографическое исследование сплавов системы SnS-PbS // Изв. АН СССР, Неорган. Материалы. 1974. Т. 10. № 2. С. 359−360.
306. Leute V., Menge D. Thermodynamic Investigations of the Quasibinary Systems (CdkSnj k) Te, (CdkSni.k)Se, and Sn (SeiTei.i) // Z. Phys. Chem. 1992. V. 176. № 1. P. 47−64
307. Totami A., Okazaki H., Nakajima S. Phase studies of the SnSei-xTex alloys // Trans. Met. Soc. AIME. 1968. V. 242. P. 709−712.
308. Штанов В.И., Зломанов В. П., Новоселова А. В. Исследование системы PbSe-SnSe // Изв. АН СССР, неорган, материалы. 1974. Т. 10. № 2. С. 224−227.
309. Латыпов З.М., Савельев В. П., Аверьянов И. С. Исследование системы PbSe-SnSe // Изв. АН СССР, неорган, материалы. 1971. Т. 7. № 8. С. 1331−1334.
310. Wooley J., Bertolo О. Phase studies of the Pbi-*SnxSe alloys // Mat. Res. Bull. 1968. V. 3. P. 445 450.
311. Zlomanov V., White W., Roy R. Phase Relations in the System Pb-Sn-Se // Trans. Met. Soc. AIME.1971. V. 2. P. 121−124.
312. Strauss A.J. Metallurgical and Electronic Properties of PbjxSnxTe, PbixSnxSe and Other IV-VI Alloys // Trans. Met. Soc. AIME. 1971. V. 242. № 3. P. 354−365.
313. Dal Corso S., Liuatard В., Tedenac J.C. The Pb-Sn-Se system: phase equilibria and relations in the PbSe-SnSe-Se subternary // J. Phase Equilibria. 1995. V. 16. № 4. P. 308−314.
314. Krebs H., Grun K., Kallen D. Mischkristallsysteme zwischen halbleitenden Chalkogeniden // Z. Anorg. allg. Chem. 1961. V. 312. P. 307−313.
315. Демидова Е.Д. Сублимация твердых растворов Pb(.xSnxTe и PbSeixTex. Дисс. канд. хим. наук. М.: МГУ, 1988. 172 стр.
316. Кузнецов В.Л. Синтез и свойства твердого раствора Pbi.y (SeixTex)y. Дисс. канд. хим. наук. М.: МГУ, 1984. 184 стр.
317. Kikuchi R., de Fontaine D. National Bureau of Standards SP-496, Appl. of Phase Diagr. in Metallurgy and Ceramics, Proc. of Workshop held at NBS, Gaithersburg 1977.
318. Leute V. A Thermodynamic Description of Quasibinary Systems Based on Four Particles Cluster Model. // Ber. Bunsengnes. Phys. Chem. 1989. B. 93. P. 548−555.
319. Leute V. Z. Naturforsch. 50a (1995) 357−367.
320. Абдуллин X.A., Лебедев А. И. Влияние дефектов и примесей на рассеяние носителей вблизи фазового перехода в полупроводнике-сегнетоэлектрике Pbi.xGexTe // ФТТ. 1983. Т. 25. В. 12. С. 3571−3576.
321. Абакумова Т.А., Яшина JI.B., Тананаева О. И., Зломанов В. П. Донорное влияние германия на РЬТе // Неорганические материалы. 1994. Т. 30, № 9. С. 1121−1122.
322. Cockayne Е., Rabe К. М. ЛЬ initio study of the ferroelectric transition in cubic Pb3GeTe4 // Phys. Rev. B. 1997. V. 56. P. 7947−7961.321. van Dal M. Microstructural stability of the Kirkendall plane. Eindhoven. 2001. 150p.
323. V.Leute The influence of thermodynamic on the interdiffusion in quasibinary systems //Solid State Ionics 2003. V. 164. P. 159−168.
324. Яшина JI.B., Бобруйко В. Б., Зломанов В. П., Белянский М. П., Дерновский В. И., Молчанов М. В. Оптимизация условий отжига для получения кристаллов (РЬ|лОсх).Д ен заданного состава // Неорганич. материалы. 1995. Т. 31. № 10. С. 1340−1346.
325. Атомная диффузия в полупроводниках. Под ред. Д.Шоу. М.: Мир, 1975, 684 с.
326. Leute V., Boettner Н., Schmidtke Н. Chalcogen interdiffusion in the system Pb (S, Se) // Z. Naturforsch. 1979. V. 34a. P. 80−95.
327. Leute V., Hornisher R. Die Interdiffusion der Chalcogene in der Halbleiterlegierung Pb (Se, Te) // Zeitschrift fuer Physicalische Chemie. 1974. V. 93. P. 33−52.
328. Симирская Г. П. Диффузия компонентов и примесей в халькогенидах А4В6 и А25Вз6 Дисс. канд. химич. наук. М. 1986. 185 с.
329. Симирский Ю.Н. Изучение процессов диффузии компонентов и примесей в системе свинец-олово-теллур. Дисс. канд. хим. наук. М. 1980. 160 с.
330. Бехштедт Ф., Эндерлайн Р. Поверхности и границы раздела полупроводников. М.: Мир. 1990. 488с.
331. Оура К., Лифшиц В. Г., Саранин А. А., Зотов А. В., Катаяма М. Введение в физику поверхности. М.: Наука. 2006. 490 с.
332. Lazarides А.А., Duke С.В., Paton A., Kahn A. Determination of the surface atomic geometry of PbTe (lOO) by dynamical low energy electron-diffraction intensity analysis // Phys. Rev. B. 1995. V. 52. № 20. P. 14 895−14 905.
333. Lazarides A.A., Duke C.B., Paton A., Kahn A. Surface relaxation of PbTe (lOO) // J. Vac. Sci. Technol. A. 1995. V.13. № 3. P.1378−1381.
334. Becker U., Hochella M.F., Jr. The calculation of STM images, STS spectra, and XPS peak shifts for galena: new tool for understanding mineral surface chemistry // Geochim. Cosmochim. Acta. 1996. V. 60. P. 2413−2426.
335. Leiro J.A., Laajalehto K., Kartio I., Heinonen M.H. Surface core-level shift and phonon broadenin in PbS (100) // Surf. Sci. 1998. V. 412/413. P. 918−923.
336. Paolucci G. Surface core level shift of lead sulfide // Phys.Rev.B. 1990. V. 41. № 6. P. 3851−3853.
337. Allan G. Surface core-level shifts and relaxation of group-IVA-element chalcogenide semiconductors // Phys. Rev. B. 1991. V. 43. № 12. P. 9594−9598.
338. Lafemina J.P., Duke C.B. Dependence of oxide surface structure on surface topology and local chemical bonding // J. Vac. Sci. Technol 1991. A9. P. 1847−1855.
339. Ollonqvist T., Kaurila T, Isokallio M., Punkkinen M., Vayrynen J. Inverse photoemission and photoemission spectra of the PbS (OOl) surface // Journal of Electron Spectroscopy and Relate Phenomena 1995. V. 76. P. 729−734.
340. Martinez H., Auriel C., Loudet M., Pfister-Guillouzo G. Electronic structure (XPS and ab-initio band structure calculation) ns scanning probe imaged of a-tin sulfide // Applied surface science. 1996. V. 103. P. 149−158.
341. Nakajima K., Kimura K., Mannami M. The (111) surface of PbTe observed by high-resolution RBS // Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B. 1998. V. 135. P. 350−354.
342. Kendelewicz T" Liu P., Brown G.E., Nelson E.J. Atomic geometry of PbS (100) surface // Surf. Sci. 1998. V. 395. P. 229−238.
343. Preobrajenski A.B., Chasse T., Atomic and electronic structure of epitxial PbS on InP (llO) and InP (OOl) // Appl. Surf. Sci. 2000. V. 166. P. 201−208.
344. Satta A., de Gironcoli S. Surface structure and core-level shifts in lead chalcogenide (001) surfaces // Phys. Rev. B. 2001. V.63. P. 33 302/1−33 302/4.
345. Cricenti A., Tallarida M., Ottaviani C., Kowalski B., Gutievitz E., Szczerbakow A., Orlowski B.A. Differential reflectivity and angle-resolved photoemission of PbS (100) // Surface science 2001. V.482. P. 659−663.
346. Ma J., Jia Y., Song Y., Liang E., Wu L., Wang F., Wang X., Hu X. The geometric and electronic properties of the PbS, PbSe and PbTe (001) surfaces // Surf. Sci. 2004. V. 551. P. 91−98.
347. Batyrev I.G., Kleinman L., Leiro J. Rumpled relaxation and surface core-level shift in PbS (OOl) // Phys. Rev. B. 2004. V. 70. P. 73 310 1−3.
348. Yen J.J., Lindau I. Atomic subshell photoionization cross section and asymmetry parameters: 1< Z<103. 1985. Academic Press, Inc. 155 p.
349. Briggs G.A.D., Fisher A.I. STM experiment and atomistic modeling hand in hand: individual molecules on semiconductor surfaces // Surf. Sci. Rep. 1999. V. 33. P. 1−81.
350. Woodruff D.P. Chemical-state-specific surface structure determination. Surface Science. 2001. V. 482−485. P. 49−59.
351. Woodruff D.P. Solved and unsolved problems in surface structure determination // Surface Science.2002. V. 500. P. 147−171.
352. Woodruff D.P. Angular dependence in photoemissiofrom atoms to surfaces to atoms 100 // Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena. 1999. P. 259−272.
353. Woodruff D.P. Photoelectron diffraction: past, present and future. // Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena. 2002. V. 126. P. 55−65.
354. Woodruff D.P. Adsorbate structure determination using photoelectron diffraction: Methods and applications. // Surface Science Reports 2007. V. 62. P. 1−38.
355. Woodruff D.P. Is seeing believing Atomic-scale imaging of surface structures using scanning tunneling microscopy // Current Opinion in Solid State and Materials Science. 2003. V. 7. P. 75−81.
356. Woodruff D.P., Munoz M.A., Marquez R.E. Tanner Structural studies at metallic surfaces and interfaces using MEIS // Current Applied Physics. 2003. V. 3. P. 19−24.
357. Harrison M.J., Woodruff D.P., Robinson J. Surface alloys, surface rumpling and surface stress. // Surface Science. 2004. V. 572. P. 309−317.
358. Briggs D., Grand J.T. (Eds.), Surface Analysis by Auger and X-ray Spectroscopy, IMPublication, 2003.
359. A.M., Гольценвейзер A.A., Соколова M.A., Зломанов В. П., Новоселова А. В. Оже-электронный микроанализ окисленного поликристаллического слоя сульфида свинца // Докл. АН СССР 1983. Т. 269. С. 607−608.
360. Л.Н. Неустроев, В. В. Осипов // ФТП, 1987, 21, 2159.
361. Александрова О. А. Ахмеджанов А.Т., Бондоков Р. Ц., Мошников В. А., Саунин И. В., Таиров Ю. М., Штанов В. И., Яшина Л. В. Исследование барьерных структур In/РЬТе с промежуточным тонким диэлектрическим слоем. // ФТП, 2000, Т. 34, С. 1420.
362. Rogacheva E.I., Tavrina T.V., Nashchekina O.N., Grigorov S.N., Sipatov A.Yu., Volobuev V.V., Dresselhaus M.S., Dresselhaus G. Influence of oxidation on the transport properties of IV-VI-thin films // Physica E. 2003. V. 17. P. 310−312.
363. Rogacheva E.I., Tavrina T.V., Nashchekina O.N., Volobuev V.V., Fedorov A.G. Sipatov A.Yu., and Dresselhaus M.S. Effect of non-stoichiometry on oxidation processes in n-type PbTe thin films // Thin Solid Films 2003. V. 423. P. 257−261.
364. Olson J.К., Li H., Ju T., Viner J.M., Taylor P.C. Optical properties of amorphous GeTe, Sb2Te3, and Ge2Sn3Te5. The role of oxygen // J. Appl. Phys. 2006. V. 99. P. 103 508 1−10.
365. Bukun N., Dobrovolsky Y" Levchenko A., Leonova N., Osadchii E., J. Solid State Electrochem.2003. V. 7. P. 122.
366. Gorovikov S.A., Molodtsov S.L., Follath R. //Nucl. Instrum. Methods A. 1998. V. 411. P. 506.
367. Hesse R., Chasse T., Streubel P., Szargan R. Error estimation in peak-shape analysis of XPS core-level spectra using UNIFIT 2003: how significant are the results of peak fits // Surf. Interface Anal.2004. V. 36. P. 1373−1383.
368. Hesse R., Chasse T., Szargan R. Unifit 2002 universal analysis software for photoelectron spectra // Anal. Bioanal. Chem. 2003. V. 375. P. 856−863.
369. Hesse R., Chasse T., Szargan R. Peak shape analysis of core level photoelectron spectra using UNIFIT for WINDOWS // Fresenius. J. Anal. Chem. 1999. V. 365. P. 48−54.
370. Tougaard S., Jannsson C. // Surf. Interface Anal. 1993. V.20. P. 1013.
371. Bankroft G.M., Gudat W., Eastman D.E. Photoionization-cross-section stydies of atomic and final state effects in Pb 5d core levels using synchrotron radiation // Phys. Rev. В. V. 1978. 17. P. 44 994 504.
372. Tossel J.A., Vaughan D.J. Electronic structure and the chemical reactivity of the surface of galena// The Canadian mineralogist. Journal of the mineral association of Canada 1987. V. 25. P. 381−393.
373. Tanuma S., Powell C. J, Penn D.R. // Surf. Interf. Anal. 1993. V. 21. P. 165.
374. Jung M.-C., Shin H.J., Kim K., Noh J.S. High-resolutionX-ray photoelectron spectroscopy on oxygen-free amorphous Ge2Sb2Te5 // J. Chung Appl. Phys. Lett. 2006. V. 89. P. 43 503 1−3.
375. Тананаева О.И., Сапожников P.A., Новоселова A.B. Изучение окисления теллурида свинца кислородом // Изв. АН СССР, Неорган, материалы 1969. Т. 5, № 4. С. 737−740.
376. Обухов О.П., Фирсанова Л. А., Бейлин А. Ю., Паршина М. И., Бабанин О. М. Исследование кинетики и механизма взаимодействия теллурида свинца с кислородом // Термоэлектрические материалы. Сборник научных трудов. М.: Изд-во МИСиС 1971. С. 51−71.
377. Плаксина Ю.Б., Кобяков В. П., Челнокова Л. П. Окисление в атмосферных условиях порошкообразных теллуридов германия, олова и свинца // Порошковая металлургия 1973. Т. 123. № 3. С. 51−56.
378. Chen L., Goto Т., Tu R., Hirai T. High-temperature oxidation behavior of PbTe and oxidation-resistive glass coating // Proc. 16th Int. Conf. Thermoelectr. 1997. P.251−254.
379. Каукис А.А., Беккер А. А., Несмеянов A.H. Об окислении в теллуридных системах элементов четвертой группы // Латвийский государственный университет, Ученые записки 1972. Т. 166. С. 27−32.
380. Паршина М.И., Фирсанова Л. А., Бейлин А. Ю., Обухов О. П. Исследование окисления теллури-да олова // Термоэлектрические материалы. Сборник научных трудов. М.: Изд-во МИСиС 1971.С. 45−50.
381. Васильев Л.Н., Макеева К. В., Арчаков Ю. И. Механохимическое окисление SnTe // Изв. АН СССР, Неорган, материалы 1979. Т. 15. № 8. С. 1352−1355.
382. Гогишвили О.Ш., Дегальцев А. Н., Кононов Г. Г., Лавриненко И. П., Лалыкин С. П. Поведение кислорода в теллуриде германия // Изв. АН СССР, Неорган, материалы 1988. Т. 24. № 7. С. 1108−1111.
383. Штанова O.K., Зломанов В. П., Дудкин Л. Д., Нарва О. М. Изучение окисления теллурида германия. В кн. Химия и физика халькогенидов. Киев: Наукова думка. 1977. С. 82−83.
384. Зломанов В. П. Получение и исследование некоторых физико-химических свойств селенида свинца. Автореферат на соискание ученой степени кандидата химических наук. М., 1962, 13 с
385. Гаськов A.M., Гольценвейзер А. А., Соколова М. А., Зломанов В. П., Новоселова А. В. Оже-электронный микроанализ окисленного поликристаллического слоя сульфида свинца // ДАН СССР. 1983. Т. 269. № 3. С. 607−609.
386. Полывянный И.Р., Жубанова Н. Х., Куанышев А. Ш. Механизм реакции окисления сульфида свинца. // Комплексное использование минерального сырья. 1988. № 8 .С.
387. Василев И.Н., Макеева К. В., Крыльников Ю. В., Серегин Л. Н. // Изв. АН СССР, неорган, материалы 1977. Т. 13. С. 1414.
388. Becker U., Hochella M.F., Jr. The calculation of STM images, STS spectra, and XPS peak shifts for galena: new tool for understanding mineral surface chemistry // Geochim. Cosmochim. Acta 1996. V. 60. P. 2413−2426.
389. Gerson A.R., O’Dea A.R. A quantum chemical investigation of the oxidation and dissolution mechanisms of Galena// Geochim. Et Cosmochim. Acta 2003. V.67. P. 813−822.
390. Hagstrom A.L., Fahlman A. The interaction between oxygen and the lead chalcogenides at room temperature studied by photoelectron spectroscopy // Appl. Surf. Sci. 1978. V.l. P. 455−470.
391. Eggleston C.M. Initial oxidation of sulphide sites on a galena surface: Experimental confirmation of an ab-initio calculation // Geochim. et Cosmochim.Acta. 1997. V. 61. N. 13. P. 657−660.
392. Buckley A.N., Woods R. An X-Ray photoelectron spectroscopic study of the oxidation of galena // Appl. Surf. Sei. 1984. V. 17. P. 401−414.
393. Laajalehto K., Kartio I., Suoninen E. XPS and SR-XPS techniques applied to sulphide mineral surfaces // Int. J. Miner. Process. 1997. V. 51. P. 163−170.
394. Nowak P., Laajalehto K. Oxidation of galena surface an XPS study of the formation of sulfoxy species // Appl. Surf. Sei. 2000. V. 157. P. 101−111.
395. Laajalehto K., Smart R.St.C., Ralston J., Suoninen E. STM and XPS investigation of reaction of galena in air // Appl. Surf. Sei. 1993. V. 64. P. 29−39.
396. Zingg D.S., Hercules D.M. Electron spectroscopy for chemical analysis studies of lead sulfide oxidation // J. Phys. Chem., 1978. V. 82, № 18. P. 1992−1995.
397. Kim B.S., Hayes R.A., Prestidge C.A., Ralston J., Smart R.St.C. Scanning tunneling microscopy studies of galena: the mechanism of oxidation in air // Appl. Surf. Sei. 1994. V. 78. P. 385−397.
398. Becker U., Rosso K.M. Step edges on galena (100): Probing the basis for defect driven surface reactivity at the atomic scale // Am. Mineral. 2001. V. 86. P. 862−870.
399. Eggleston C.M., Hochella M.F., Jr. Atomic and electronic structure of PbS (100) surfaces and chemisorption-oxidation reactions//ACS Symp. Ser. 1994. V. 550, Ch. 15. P. 201−222.
400. Bryce R.A., Vincent M.A., Hiller I.H., Hall R. Structure and stability of galena (PbS) at the interface with aqueous solution: a combined embedded cluster/reaction field study // J. Molec. Struct. (Theochem) 2000. V. 500. P. 169−180.
401. Wright K., Hiller I.H., Vaughan D.J., Vincent M.A. Cluster models of the dissociation of water on the surface of galena (PbS) // Chem. Phys. Lett. 1999. V. 277. P. 527−231.
402. Wright K., Hiller I.H., Vincent M. A, Kresse G. Dissociation of water on the surface of galena (PbS): A comparison of periodic and cluster models // J. Chem. Phys. 1999. V. 111. P. 6942−6946.
403. Manocha A.S., Park R.L. Flotation related ESCA studies on PbS surfaces // Appl. Surf. Sei. 1977. V. l.P. 129−141.
404. Fornasiero D., Li F., Ralston J., Smart R.St.C. Oxidation of galena surfaces. I. X-ray photoelectron spectroscopic and dissolution kinetics studies // J. Colloid Interf. Sei. 1994. V. 164. P. 333−344.
405. Gautier C., Cambon-Muller M., Averous M. Study of PbSe layer oxidation and oxide dissolution // Appl. Surf. Sei. 1999. V. 141. P. 157−163.
406. Берченко H.H., Евстегнеев А. И., Ерохов В. Ю., Матвиенко A.B. Свойства поверхности узкозонных полупроводников и методы ее защиты // Зарубежная электронная техника. 1981. Т. 235. №З.С. 3−68.
407. Kubiak R.A.A., McGlashan S.R.L., King R.M., Parker E.H.C. Oxygen and monoatomic hydrogen interactions with PbTe film surfaces prepared by molecular-beam deposition // Appl. Phys. A. 1986. V.40. P. 7−12.
408. Sun T.S., Byer N.E., Chen J.M. Oxygen uptake on epitaxial PbTe (lll) surfaces // J. Vac. Sci. Technol. 1978. V. 15. № 2. P. 585−589.
409. Green M., Lee M.J. The interaction of oxygen with clean lead telluride surfaces // J. Phys. Chem. Solids. 1966. V. 27. P. 797−804.
410. Bettini M., Richter H.J. Oxidation in air and thermal desorption on PbTe, SnTe and Pbo.8Sno.2Te surfaces // Surf. Sci. 1979. V. 80. P. 334−343.
411. Badrinarayanan S., Mandale А.В., Sinha A.P. Photoelectron spectroscopy study of surface oxidation of SnTe, PbTe and PbSnTe // Mater. Chem. Phys. 1984. V. 11. P. 1−14.
412. Rogacheva E.I., Tavrina T.V., Nashchekina O.N., Volobuev V.V., Fedorov A.G., Sipatov A.Yu., Dresselhaus M.S. Effect of non-stoichiometry on oxidation processes on n-type PbTe thin films // Thin Solid Films 2003. V. 423. P. 257−261.
413. Badrinarayanan S., Mandale А. В., Gunjikar V. G., Sinha A. P. B. SnSe Mechanism of high-temperature oxidation of tin selenide// J. Mater. Sci. 1986. V. 21. № 9. P. 3333−3338.
414. Sun X., Yu В., Ng G., Meyyappan M. One-dimensional phase-change nanostructures: germanium telluride nanowire // J. Phys Chem C. 2007. V. 111. P. 2421−2425.
415. Lee S.-H., Ко D.-K., Jung Y., Agarwal R. Size-dependent phase transition memory switching behavior and low writing currents in GeTe nanowires // Appl. Phys. Lett. 2006. V. 89. P. 223 116 13.
416. Киселев В.Ф., Крыло O.B. Адсорбционные процессы на поверхности полупроводников и диэлектриков. М.: Наука, 1978. 256с.
417. Cerofolini G.F., Mascolo D., Vlad M.O. A model for oxidation kinetics in air at room temperature of hydroden-terminated (100)Si // J. Appl. Phys. 2006. V. 100. P. 54 308 1−11.
418. Cerofolini G. F., Bruna G. L., Meda L. Enhanced silicon oxidation in O2 and 02: F2 // Appl. Surf. Sci. 1996 V. 93. P.361−373.
419. Dudzik E., Leslie A., O’Toole E" McGovern I.T., Patchett A., Zahn D.R.T. An ARUPS/NEXAFS study of the H2S/InP (110) adsorbate system // Applied Surface Science 1996/ V. 104/105. P. 101 106.
420. Srivastava G.P. Surface passivation by dissociative molecular adsorption // Vacuum 2002. V. 67. P. 11−20.
421. Cakmak M., Srivastava G.P. Ab-initio study of the adsorption of H2S onto the Si (001) surface // Surface Science 1999. V. 433−435. P. 420−424.
422. Cakmak M., Srivastava G.P. An ab initio calculation of the adsorption of H2S onto InP (l 10)-(1×1) surface // Applied Surface Science 1998. V. 123/124. P. 52−55.
423. Cakmak M., Srivastava G.P. Theoretical study of the GaAs (l 10)-(lxl)-H2S surface // Surface Science 1998. V. 402¹⁰⁴. P. 658−662.
424. Nelen L., Fuller K., Freenlief C.M. Adsorption and decomposition of H2S on the Ge (100) surface // Applied Surface cience 1999. V. 150. P. 65−72.
425. Conrad S., Mullins D.R., Xin Q.-S., Zhu X.-Y. Thermal and photochemical deposition of sulfur on GaAs (100)//Applied Surface Science 1996. V. 107.P. 145−152.
426. Zou Z., Wei X.M., Liu Q.P., Huang H.H., Sim W.S., Xu G.Q., Huan C.H.A. Interaction of atomic hydrogen, HS and H2S on GaAs (100) // Chemical Physics Letters 1999. V. 312. P. 149−154.
427. Dudzik E., Mueller C., McGover I.T., Lloyd D.R., Patchett S., Zahn D.R.T., Johal T., McGrath R. H2S adsorption on the (110) surface of III-V semiconductors // Applied Surface Science 1996. V. 104/105. P. 101−106.
428. Conrad S., Mullins D.R., Xin Q.-S., Zhu X.-Y. Thermal and photochemical pathways of H2S on GaAs (100) // Surface Science 1997. V. 382. P. 79−92.
429. Shirnomura M.M., Nerlov S.V., Christensen Q., Guo N., Fukuda S. Adsorption of H2S on InP (001)studied by photoemission spectroscopy // Applied Surface Science 1997. V. 121/122. P. 237−240.
430. Huang H.H., Zou Z., Jiang X., Xu G.Q. Photo-induced dissociation of H2S on GaAs (100) // Surface Science 1998. V. 396. P. 304−312.
431. Lai Y.H., Yeh C.T., Lin Y.H. Hung W.H. Adsorption and thermal decomposition of H2S on Si (100) // Surface Science 2002. V. 519. P. 150−156.
432. Chab V., Pekarek L., Ulrych I., Suchy J., Prince K.C., Peloi M., Evans M., Comicioli C., Zacchigna M., Crotti C. Soft X-ray photoemission studies of S/InP (100) // Surface Science 1997. V. 377−379. P. 261−265.
433. Buckley A.N., Kravets I.M., Shukarev A.V., Woods R. J. // Appl. Electrochemistry 1994. V. 24. P. 513.
434. Kartio I., Wittstock G., Laajalehto K., Hirsch D., Simola J., Laiho T., Szargan R., Suoninen E. Detection of elemental sylphur on galena oxidized in acidic soulution // Int. Miner. Process. 1997. V. 51. P. 293−301.
435. Nowak P., Laajalehto K. Oxidation of galena surface an XPS study of the formation of sulfoxy species//Applied Surface Science 2000. V. 157. P. 101−111.
436. Gerl H" Schafer H. // Z. Naturforsch. 1972. V. 27b. P. 1421/2.1. БЛАГОДАРНОСТИ
437. Автор особо признателен профессору, д.х.н. Поповкину Борису Александровичу за консультативную помощь и поддержку.
438. Автор благодарен доценту, к.х.н. Тамм Марине Евгеньевне и всем сотрудникам лаборатории химии и физики полупроводниковых материалов за поддержку, а также д.х.н. Васильеву Валерию Петровичу за внимательное отношение к работе и консультативную помощь.
439. Результаты Лит. исто ч-ник
440. РЬТе Физ. транспорт, закрытая сист., без затравки, Н*, V**, ду *** 1123 2−60 Обогащен теллуром (0.05−0.20 мм/ч) Слиток 68
441. РЬ8 Физ. транспорт, закрытая сист., без затравки, АУ 1223 150 Слиток Содержит р-п переход 69
442. РЬ|.г8пД'е Физ. транспорт, закрытая сист., без затравки, АУ 5−25 4−30 дней 1-Ю4 70
443. РЬ|.г8пгТе Физ. транспорт, закрытая сист., без затравки, АУ 11 081 133 1−25 С различным содержанием теллура (0.04−0.4 мм/ч) Слиток х=0.2 3−104 5-Ю3 71
444. РЬі^БпДе Физ. транспорт, закрытая сист., без затравки, Н 10 951 134 1−15 (<1 мм/ч) 8−12 Слиток х=0.13−0.25 Р, (4−8)х1018 (0.8−0.15)хЮ5, полуширина кривой качания 70−110″ 48
445. РЬ8е Физ. транспорт, закрытая сист., без затравки, АУ, протяжка 1273 <100 Расплав (скорость протяжки 0.8 мм/ч) Слиток, 3−5 см х 2 см диам. /?=3×1018−1019 <24000 (77К) 72
446. РЬ^п^е Физ. транспорт, закрытая сист., без затравки, АУ, протяжка Немного ниже точки плавления 25−50 Расплав, х=0.08−0.12 (скорость протяжки 0.8 мм/ч) Слиток, 3−5 см х 2 см диам. х=0.06−0.1 /≥3×1017-ЗхЮ19 <5х Ю5 73
447. РЬБ Физ. транспорт, закрытая сист., без затравки, АУ, протяжка 1363 (старт) Расплав 100 ч (скорость протяжки 0.66 мм/ч) Слиток я-тип 5−104 74
448. РЬі.^п^е Физ. транспорт, закрытая сист., без затравки, Н, V***, -11 731 193 -40−70 (скорость протяжки 0.5 мм/ч) Слиток, 3.57 см х 1−1.4 см диам. х=0.06 75
449. КрШсШ сист., без затравки, Н, дополнительный резервуар Бе р={ 2−5) 10,8ст"3 6x6x2 мм (0.2 см3) п, р~ 3 10 161 017 6
450. PbTe Физ. транспорт, закрытая сист., затравка РЬТе 100. 1123 Слиток 3-Ю17 4.6-Ю4 (77К) 77
451. Pb^Ge/Fe Физ. транспорт, закрытая сист., затравка РЬТе, Н Немного ниже точки плавления 2 месяца для jc=0.03 Слиток На 15% больше GeTe, чем в источнике х<0.1 р<1х1018с т"3 0.1-М04 78
452. PbN, Sn-re Физ. транспорт, закрытая сист., затравка ВаР2 111., Н 1123 5−10 1 неделя (2 г/день) Слиток, 2 см х 1 см диам. р-іш 79
453. PbTe (I), Pb,.TSnTTe (И), PbSi. TSe, (Ш), Pb^Sn^Se (IV) Физ. транспорт, закрыиая сист., на источнике, изотермич., H 10 731 088 (II) — 11 231 138 (III, IV) 1.5−0.3 Зёрна 0.05−0.32 мм 7 дней Грани до 2.5 см2 (I) р, 1.4хЮ18 -l.OxlO19, п, 1.5−1.8×1018 1×103 53
454. PbSe Физ. транспорт, закрытая сист., на источнике, изотермич., H 1093 -2 Частицы 1−3 мм Огранённый, 1−3 кристалла до 2.5 см3 заданная 1×103−1×104 85
455. PbTe (Ga) Физ. транспорт, закрытая сист., на источнике, темп, профиль с минимумом., H 810 <10 Несколько огранённых кристаллов длиной 5−10 мм «=4хЮ12 гс=Т.4хЮ13 1.7×104 1.3×104 1−5×104 (на грани) 86
456. Pb^Sn^Se Физ. транспорт, закрытая сист., на источнике, изотермич., H Огранённый, грани 100. до 1.5 см2 х=0.07 р, п, 10 171 019 2×104 52
457. Pbi.rSn, Te (I), PbTe,. xSe, (II) Физ. транспорт, закрытая сист., на источнике, темп, профиль с минимумом., H 1100 12 дней (I) (8 мм/ч, 1730 мм3/ч) Огранённый, грани 100. до 30×30 мм х=0.2 (I), х=0.08 (II) <1 х 104 87
458. PbSe, PbTe Физ. транспорт, закрытая сист., на источнике, темп, профиль с минимумом., H -1093 2−5 1 месяц Огранённый, 6 г п, -1018 ~103 (300К) 104 61
459. PbTe (I), Pb^Sn/Te (II) Физ. транспорт, закрытая сист., на источнике, темп, профиль с минимумом., H 1100 Слиток диаметр 28 мм, длина 70 мм (8−40 мм3/ч) Огранённый, грани 100. 15×15, 10×10, 7×15 мм х=0.2 (II) 1×103−1×104 88
460. PbSe (I) PbTe (II) Хим. транспорт (Agi), закрытая сист., на источнике, темп, профиль с минимумом, H -973 2−5 2 недели Ограненный, 12 г р, lxio19 (i) — р, 4хЮ18 (Н) 628 (ЗООК) (I) — 504 (ЗООК) (II) 1×104 61
461. РЬТе Физ. транспорт, закрытая сист. (М-Д), затравка РЬТе, V 11 501 180 15−30 30−46 час. (0.10−0.47 мм/час) 50−60 Слиток диаметр 1623 мм, длина 15−20 мм РЛ 1- 3) х1018 (5−9)х102 (300К) ЮМО6- МУГ= 10−80 см"1 92
462. РЬТе Физ. транспорт, Закр. сист. (М-Д), затравка РЬТе, Р (Аг)=40 мм.рт.ст. (298К), V 10 931 123 15−20 70−110 час. Время ох- лажд. 5 час. Слиток п, 6×1017−2×1018 (1−3)х103 (ЗООК) 2×105 93
463. РЬТе (I) Pb^Sn/Ге (II) Физ. транспорт, закр.сист. (М-Д), затравка РЬТе, Р=5,10 кПа (298К), V 10 351 090 10−65 (0.10 мм/час) Слиток х=0.13−0.38 (II) 1×104−1×10б- количество МУГ не более 1−2 95
464. РЬТе (I) Pb^SnJe (II) Физ. транспорт, закр.сист. (М-Д), затравка РЬТе, Р=5, 10 кПа (298К), V 10 451 125 10−65 (<5−10"7 моль/см2с) 8−12 Слиток х=0.13−0.25 Р,(2−15) х1018 (0.8−6.0) х104 48
465. Н горизонтальное расположение ампулы- **У — вертикальное (источник вверху, кристалл внизу) расположение ампулы- ***АУ — анти-вертикальное (кристалл вверху, источник внизу) расположение ампулы- Тя — температура выращивания- ДТ-разность температур, К.