Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Полупроводниковые излучатели для ультрафиолетовой области спектра на основе нитридов металлов третьей группы: Технология и применение

Диссертация: Полупроводниковые излучатели для ультрафиолетовой области спектра на основе нитридов металлов третьей группы: Технология и применение
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

С интенсивным развитием теории и практики точного земледелия в работах зарубежных и отечественных ученых разрабатываются методы неповреждающего контроля физиологического состояния растений и дистанционной диагностики посевов (Якушев, 2002; Bouma, 1999). Одним из таких методов является определение флуоресценции хлорофилла, информативность которого очень высока. Характеристика спектров… Читать ещё >

Полупроводниковые излучатели для ультрафиолетовой области спектра на основе нитридов металлов третьей группы: Технология и применение (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Глава 1. Свойства, применение и особенности получения 10 нитридов металлов третьей группы
    • 1. 1. Основные свойства и применение III-нитридов
    • 1. 2. Способы получения эпитаксиальных плёнок нитридов металлов третьей группы
  • Глава 2. Экспериментальные методики и постановка экспериментов
    • 2. 1. Конструктивные и функциональные особенности установки ЭПН
      • 2. 1. 1. Структура установки ЭПН
      • 2. 1. 2. Подготовка и проведение эпитаксиалъного роста на установке ЭПН
    • 2. 2. Конструктивные и функциональные особенности установки RIBER 32Р
      • 2. 2. 1. Структура установки RIBER 32Р
      • 2. 2. 2. Особенности использования яркостного пирометра для контроля ростового процесса в молекулярно-пучковой эпитаксии
      • 2. 2. 3. Подготовка и проведение эпитаксиалъного роста на установке RIBER 32Р
      • 2. 2. 4. Особенности использования силана для легирования III-нитридов кремнием в установке RIBER 32Р
      • 2. 2. 5. Особенности использования эффузионной ячейки в качестве источника магния
    • 2. 3. Измерение параметров эпитаксиальных структур
    • 2. 4. Постростовое технологическое оборудование и методики
      • 2. 4. 1. Реактивное ионно-ппазменное травление
      • 2. 4. 2. Омические контакты к легированным слоям п- и р-типа проводимости
  • Глава 3. Рост полупроводниковых слоев AIN, GaN и твёрдых растворов на их основе методом молекулярно-пучковой эпитаксии
    • 3. 1. Начальная стадия эпитаксиального роста
      • 3. 1. 1. Эпитаксиалъный рост на Si (111)
      • 3. 1. 2. Эпитаксиалъный рост на А1203 (0001)
    • 3. 2. Кинетика эпитаксиального роста нитридов Ill-группы
    • 3. 3. Кристаллические и оптические свойства короткопериодных сверхрешёток AIN/AlGaN
  • Глава 4. Получение и свойства светодиодов с излучением в УФ области на основе гетероструктур AIGaN
    • 4. 1. Легирование сплавов AIGaN
      • 4. 1. 1. Легирование слоев AlxGaixN кремнием в диапазоне составов 0.56<с<
      • 4. 1. 2. Легирование слоев AlxGai. xNмагнием в диапазоне составов 0<х<
      • 4. 1. 3. Легирование и электрические свойства короткопериодных сверхрешёток
    • 4. 2. Оптические и электрические свойства светодиодов, излучающих в дальней УФ области
    • 4. 3. Рост и оптические свойства квантовых точек AIGaN
  • Заключение
  • Выводы

Актуальность темы

.

Абрам Фёдорович Иоффе — создатель отечественной физической школы (Алфёров, 2005) придавал большое значение развитию полупроводниковой техники, мечтал на её основе создать «электронный агроном» (Иоффе, 1955; Иоффе, 1957; Кульков, 2002). Особое внимание А. Ф. Иоффе обращал на разработку способов изготовления различных полупроводниковых материалов (Иоффе, 1956), методик определения их основных параметров и фотоэлектрических свойств (Фогельсон, 2002). В развитии научных идей А. Ф. Иоффе в настоящее время достигнут значительный прогресс в разработке и создании эффективных полупроводниковых устройств, в частности светодиодов, излучающих в сине-зелёной и длинноволновой ультрафиолетовой (УФ) области спектра. Что касается УФ-В диапазона (280−320 нм) и более коротковолнового, то в них эффективность излучения светодиодов остаётся ещё очень низкой, хотя потребность в таких излучателях чрезвычайно высока. Они необходимы для решения многих прикладных задач в различных областях науки и техники, и в частности, в агрофизических исследованиях.

Нитриды металлов III группы периодической системы элементов Д. И. Менделеева (далее — Ш-нитриды), включающие три двойных соединения семейства AIN, GaN, InN и их сплавы, представляют собой широкозонные полупроводники с прямыми оптическими переходами и стабильными физическими и химическими свойствами. В настоящее время они считаются одними из наиболее перспективных материалов для разработки новых типов оптоэлектронных устройств, работающих в широком диапазоне длин волн от видимой до дальней УФ областей спектра, а также мощных СВЧ приборов, способных функционировать в агрессивных средах и при высоких температурах.

Ключевой проблемой при получении высококачественных пленок III-нитридов является отсутствие подходящих подложек, имеющих соответствующие параметры кристаллической решетки и коэффициент теплового расширения. Так, традиционные подложки из сапфира и кремния, на которых выращивают слои III-нитридов, имеют, например, для GaN рассогласование 14% и 17% соответственно. Начальная стадия роста, на которой происходит «согласование» кристаллических решеток подложки и пленки, в этом случае оказывает решающее влияние на структурные, электрические и оптические свойства получаемых полупроводниковых слоев и гетерострукту р.

Другим важным аспектом при создании светоизлучающих приборов является получение высокого уровня легирования базовых областей. Однако легирование широкозонных полупроводников обычно представляет собой довольно непростую задачу. Один из путей преодоления этой трудности лежит в использовании короткопериодных сверхрешеток. Для использования в светодиодах, излучающих в дальней УФ области спектра, сверхрешётки должны содержать в барьерах чистый A1N и иметь период, равный всего нескольким монослоям. Рост, оптические и электрические свойства таких сверхрешеток и возможность их использования в светодиодах в настоящее время остаются практически не изученными.

Повышение эффективности излучения требует использования в активной области светодиода квантово-размерных структур — квантовых ям и точек. Если свойства квантовых ям AlGaN уже довольно хорошо изучены, то в литературе совершенно отсутствует информация о получении и свойствах квантовых точек AlGaN.

В настоящее время эпитаксиальные слои III-нитридов получают в основном методами газофазнаой эпитаксии из металлорганических соединений и молекулярно-пучковой эпитаксии. Несомненно, метод молекулярно-пучковой эпитаксии является одним из наиболее перспективных методов получения полупроводниковых структур с толщинами слоев, находящимися на атомном уровне. К достоинствам этого метода относятся возможность получения монокристаллов высокой чистоты (за счет проведения ростового процесса в сверхвысоком вакууме) — возможность выращивания сверхтонких слоев с резкими изменениями состава на границах (за счет относительно низких температур роста, препятствующих взаимной диффузии компонент, и практически мгновенного прерывания молекулярных потоков, поступающих на подложку) — прецизионный контроль толщин слоев на атомарном уровне (за счет высокой скорости управления потоками и относительно малых скоростей роста) — высокая однородность состава и уровня легирования вдоль поверхности структуры и др.

Таким образом, разработка технологии получения эффективных УФ светодиодов на основе Ш-нитридов методом молекулярно-пучковой эпитаксии является весьма актуальной.

Цель и задачи исследования

.

Целью данной работы являлась разработка технологии получения светодиодов, излучающих в ультрафиолетовой области 250−340 нм на основе нитридов металлов третьей группы (Al, Ga) методом молекулярно-пучковой эпитаксии (осаждения кристаллических плёнок в сверхвысоком вакууме) при взаимодействии пучков атомов или молекул с аммиаком (NH3).

Для этого были поставлены и решены следующие задачи: о исследован рост плёнок A1N, GaN, AlxGaixN (х<1) и найдены условия для получения названных слоев высокого кристаллического качествао исследовано легирование слоёв AlxGai. xN магнием и кремнием и определён диапазон изменения состава (х), при котором уровень пи р-типа легирования достаточен для использования в ультрафиолетовых светодиодахо определены физические параметры короткопериодных сверхрешеток AlN/AlxGaixN и AlxGaixN/GaN для достижения оптимального уровня легированияо исследованы оптические свойства активной области получаемых слоёв, найдены структура и параметры эпитаксиального роста, дающие наибольшую эффективность излучательной рекомбинациио на основе экспериментальных данных разработана структура ультрафиолетовых светодиодов с излучением в диапазоне 250−345 нмо исследованы электрические и оптические характеристики полученных светодиодов.

Научная новизна.

В результате проведения целого комплекса исследований с применением метода молекулярно-пучкового осаждения были разработаны технологические условия роста слоев нитридов алюминия и галлия с высокими электрическими и оптическими характеристиками, позволившие впервые получить светодиоды, излучающие в диапазоне длин волн 250−345 нм.

В процессе выполнения работы были получены новые данные по легированию, электрическим и оптическим свойствам слоев AlxGai. xN и, созданных на их основе, короткопериодных сверхрешёток, имеющих большое научное и прикладное значение.

Выяснены условия для роста слоёв, позволившие впервые получить квантовые точки AlGaN в матрице AlxGai. xN, использование которых в активной области светодиода позволяет увеличить мощность излучения на два порядка.

Практическая значимость.

Разработанная методика может быть использована в качестве основы промышленной технологии получения полупроводниковых приборов, излучающих в коротковолновой УФ области спектра, которые могут найти широкое применение в агропочвоведческих и агрофизических исследованиях, например, при микроанализе состава биологических сред, почвы, растительных объектов (Лискер, 1987; Лискер, 1998; Лискер, 2002; Лискер, 2000; Мошков, 1966; Мошков, 1973), при изучении фотофизических процессов фотосинтеза (Архипов и др., 2002), для использования в облучательных установках регулируемых агроэкосистем (РАЭС) (Ермаков, 2002) и в модельных опытах по влиянию разных доз радиации на продуктивность сельскохохяйственных культур (Канаш, 2001; Канаш, 2002; Канаш, 1992; Савин и др., 1985).

Основные результаты работы, выдвигаемые на защиту:

— условия роста высокотемпературного буферного слоя A1N, позволяющие получать на кремниевых и сапфировых подложках эпитаксиальные слои III-нитридов с высоким кристаллическим совершенством;

— результаты экспериментального исследования влияния основных кинетических параметров (температуры и отношения потоков элементов III и V группы) на эпитаксиальный рост и десорбцию A1N и GaN;

— результаты исследования легирования магнием и кремнием, электрических и оптических свойств короткопериодных сверхрешёток AlN/Al0.08Ga0.92N;

— методика получения и результаты исследования оптических и электрических свойств светодиодов на основе короткопериодных сверхрешёток AIN/AlGaN и AlGaN/GaN с излучением в УФ области 250-г345 нм;

— результаты исследования легирования и электрических свойств твердых растворов AlxGai. xN пи р-типа различного состава (0<х<1);

— условия роста множественных квантовых ям, приводящие к формированию квантовых точек и увеличению интенсивности люминесценции на два порядка;

— перспективы использования полупроводниковых излучателей в УФ области спектра в агропочвоведении и агрофизике.

Апробация работы.

Диссертационная работа выполнялась в рамках открытой тематики НИР Отделения нейтронных исследований Петербургского института ядерной физики им. Б. П. Константинова (ПИЯФ) Российской академии наук: «Изучение проблемы нарушения сверхрешёток (CP-нарушения) — поиск электрического дипольного момента нейтрона (1985;1990 г. г., регистрационный номер 01.9.60.033.50), «Изучение упругого и неупругого адрон-нуклонного рассеяния» (1985;1990 г. г., регистрационный номер 01.86.0122.456).

Результаты работы прошли успешную апробацию на представительных научных форумах в России, Германии, Испании, США, Японии:

IV Международная конференции: «Физика светоизлучающих устройств, созданных на основе нано-технологий (Physics of Light-Matter Coupling in.

Nanostructures)", 29 июня — 3 июля, Санкт-Петербург, 2004 г.,.

5 Международная конференция по полупроводникам на основе нитридов.

5th International Conference on Nitride Semiconductors)", 25 — 30 мая, Hapa,.

Япония, 2003 г.- «Международное совещание по полупроводникам на основе нитридов (International Workshop on Nitride Semiconductors)», 22 — 25 июля,.

Аахен, Германия, 2002 г.- «4 Международная конференция по лазерам, th излучающим в голубой области спектра, и светодиодам (4 International.

Symposium on Blue Lasers and Light Emitting Diodes)", 11−15 марта, Кордова, th.

Испания, 2002 г.- 7 Симпозиум по нитртдам третьей группы (7 Wide Bandgap Ill-Nitride Workshop)", 10−14 марта, Ричмонд, США, 2002 г.- 20 Северо-Американская конференция по молекулярно-пучковой эпитаксии (20th North American Conference on Molecular Beam Epitaxy)", 1 — 3 октября, Провайденс, США, 2001 г.- 4 Международная конференция по полупроводникам на основе нитридов (4th International Conference on Nitride Semiconductors)", 16−20 июля, Денвер, США, 2001 г.

Публикации.

По теме диссертации опубликовано 10 работ (в соавторстве). Структура и объём диссертации.

Диссертация состоит из введения, четырёх глав, заключения, выводов, и списка литературы, изложена на 163 страницах машинописного текста, содержит 2 таблицы и 67 рисунков.

Список литературы

включает 177 наименований, из них 141 зарубежных авторов.

ВЫВОДЫ.

1. Изучены процессы зарождения и роста буферного слоя A1N на кремниевых и сапфировых подложках. Образование нитрида кремния на поверхности подложки способствует формированию буферного слоя A1N высокого качества. Оптимальная температура подложки составляет 860 °C.

2. Определён характер влияния основных кинетических параметровотношения потоков элементов III и V группы и температуры на скорость роста A1N и GaN. Показано, что на зависимости скорости роста от отношения III/V можно выделить три области с различным характером поведения: NH3-лимитирующий, III-лимитирующий и «вязкостный». С увеличением температуры скорость роста GaN уменьшается и не зависит от отношения V/III.

3. Исследованы оптические и электрические свойства сверхрешёток A1N / Alo.08Gao.92N (А) и Alo.4Gao.6N / GaN (Б). Установлено:

— эффективная ширина запрещённой зоны может быть плавно изменена в диапазоне 4.5−5.3 эВ (275−232 нм) у решётки (А) при изменении её периода в интервале 1.25−2.25 нм и в диапазоне 3.6−3.8 эВ (345−325 нм) у решётки (Б) при изменении её периода в интервале 5.6−7.5 нм;

— в результате легирования сверхрешёток кремнием и магнием может быть получена концентрация ~Ы019 см" 3 и ~Ы018 см'3 для электронов и дырок, соответственно;

— достигнутый уровень легирования позволяет на основе сверхрешёток получать р-п-переходы высокого качества.

4. В результате исследования легирования слоев AlxGaixN кремнием и магнием установлено:

— энергия активации примесных уровней возрастает с увеличением состава х, особенно сильно в случае легирования магнием;

— в легированных кремнием слоях возможно получение высокой.

1Q 1 концентрации электронов больше 1−10 см вплоть до состава *=0.85;

— оптимальными концентрациями кремния и магния при легировании слоев являются (число атомов) 1−2-Ю20 см" 3 и 2−7-1019 см" 3, соответственно;

5. С помощью результатов компьютерного моделирования были разработаны и впервые созданы УФ светодиоды с излучением в диапазоне длин волн 250−290 нм и 325−345 нм на основе сверхрешёток AlN/Al0.08Ga0.92N и Alo.4Gao.6N/GaN, соответственно.

6. Разработанные полупроводниковые излучатели для ультрафиолетовой области спектра должны найти широкое применение для контроля физиологического состояния растений как в лабораторных, так в полевых исследованиях.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

С интенсивным развитием теории и практики точного земледелия в работах зарубежных и отечественных ученых разрабатываются методы неповреждающего контроля физиологического состояния растений и дистанционной диагностики посевов (Якушев, 2002; Bouma, 1999). Одним из таких методов является определение флуоресценции хлорофилла, информативность которого очень высока. Характеристика спектров флуоресценции хлорофилла и их изменение при действии неблагоприятных факторов среды служат показателями активности фотосинтетического аппарата и его устойчивости к действию стрессоров (Николенко, 2000). В экспериментах, проводимых в лаборатории биофизики растений отдела светофизиологии растений и биопродуктивности агроэкосистем Агрофизического научно-исследовательского института Росельхозакадемии (Канаш, 2001; Канаш, 2002; Канаш, 1992; Савин и др., 1985) флуоресценция возбуждалась с помощью ультрафиолетового светодиода (УФ-А+синий) с максимумом излучения 370 или 400 нм, подсоединенного к стабилизированному источнику питания. Флуоресценция улавливалась оптоволоконным датчиком отражения и поступала в ПК. Настройка таймера в компьютере позволяла замерять затухание флуоресценции. Разница между спектрами флуоресценции и поглощения хлорофилла позволяет возбуждать флуоресценцию светом одной волны (УФ-А+синий свет), а измерять ее в другом диапазоне (600−800 нм) -рис. 5.1.

При возбуждении УФ-В радиацией (обычно с максимумом 300−310 нм) можно получить полный спектр флуоресценции листа, который представлен не только флуоресценцией хлорофилла (красная флуоресценция), но и сине-зеленой флуоресценцией некоторых вторичных метаболитов, роль которых в регулировании взаимодействия растений со средой обитания чрезвычайно высока. Обычно при диагностике физиологического состояния растений сине-зеленая флуоресценции возбуждается с помощью эксимерного лазера, оснащённого набором светофильтров. Несомненно, что светодиоды, излучающие в УФ-В области спектра, очень удобны для проведения подобных исследований. К сожалению, такие светодиоды только разрабатываются и пока не доступны для исследователей.

Кроме диагностики физиологического состояния растений по показателям сине-зеленой и красной флуоресценции, ультрафиолетовые светодиоды могут найти применение также при исследовании механизмов действия УФ радиации на различные органы растений и передачи сигнала между дистанционно удаленными органами. В этом случае светодиоды с различными спектральными характеристиками могут быть использованы для облучения небольших участков листьев, стеблей, цветков или других органов растений.

Рис. 5.1. Спектры возбуждения и флуоресценции хлорофилла.

Показать весь текст

Список литературы

  1. .И. Абрам Фёдорович Иоффе — создатель отечественной физической школы. / Материалы межд. Конференции, посвященной 125-летию со дня рождения А. Ф. Иоффее. Санкт-Петербург, 27−28 октября 2005 г. -СПб.: ФТИ, 2005.24 с.
  2. .И., Казаринов Р. Ф., Авт. свид. СССР, 1963, N 181 737.
  3. В.Г., Никишин С. А, Синявский Д. В. // Письма в ЖТФ, 1991, 17,45.
  4. М.В., Савин В. Н., Николенко В. Ф. Биофизика и радиационная биология растений. / В сб.: Агрофизика от А. Ф. Иоффе до наших дней. Под общей редакцией И. Б. Ускова. СПб.: АФИ, 2002. 73−83.
  5. Р.З. Голубые диоды. // Соросовский образовательный журнал, 2001,7, 75−83
  6. М., Вольф Э. Основы оптики. М.: Наука, 1970.
  7. А.А., Кораблев В. В., Карпов С. Ю. Легирование магнием в молекулярно-пучковой эпитаксии нитрида галлия из активированного азота. //ФТП, 2003, 37, 866−870.
  8. Г. И. Физические основы микроэлектроники. М.: Советское радио, 1971.
  9. Е.И. Растение и среда обитания в регулируемой агроэкосистеме. / Агрофизика 21 века (к 70-летию образования Агрофизического института). Тр. межд. научно-практич. конф. 8−12 июля 2002 года. СПб.: Россельхозакадемия, 2002. с. 22−25.
  10. А.Ф. Физика и сельское хозяйство. М., Л.: АН СССР, 1955.
  11. А.Ф. Полупроводники и их применение. М., Л.: АН СССР, 1956.
  12. А.Ф. Советская агрофизика. М.: Наука, 1957.
  13. Е.В. Эколого-физиологические основы действия УФ-В радиации и диагностика устойчивости растений. / Дисс.докт. биол. наук. СПб.: АФИ, 2001. 299 С.
  14. Е.В., Савин В. Н., Осипов Ю. А. Влияние повышенных уровней УФ радиации на рост и продуктивность сельскохозяйственных растений. / В сб.: Современные проблемы изучения и сохранения биосферы. Т. 3. СПб.: Гидрометеоиздат, 1992. с. 211−218.
  15. И.К. Таблицы физических величин. Справочник. М.: Атомиздат, 1976. 1006 с.
  16. Н.И., Ирвин К. Г. Вольт-амперные характеристики GaN и AlGaN р-п-диодов. // ФТП, 1998, 32, с. 369−372.
  17. О.В. «Электронный агроном» и инструментальный контроль полевых агротехнологий. / В сб.: Агрофизика от А. Ф. Иоффе до наших дней. Под общей редакцией И. Б. Ускова. СПб.: АФИ, 2002. с. 154−167.
  18. Е.В. Методы исследования эффекта Холла. М.: Советское радио, 1974.
  19. И.С. Физические методы исследования в агромониторнге. // В сб.: Физические методы и средства получения информации в агромониторинге. JL: Колос, 1987. с. 3−21.
  20. И.С. Лазерно-оптические методы и системы автоматизированного исследования растений и семян. / В сб.: Агрофизические методы и приборы. Т. 3. Растения и среда их обитания. Л.: Россельхозакадемия, 1998. с. 299−311.
  21. Н., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. М.: Мир, 1982. 658 с.
  22. .С. Выращивание растений на искусственном освещении. Изд. 2-ое, перераб. М., JL: Колос, 1966.
  23. .С. Роль лучистой энергии в выявлении потенциальной продуктивности растений. -М.: Наука, 1973.
  24. В.Ф. Определение жароустойчивости растений флуоресцентным методом, онтогенетические и сортовые закономерности её изменчивости. / Дисс. докт. биол. наук. СПб.: АФИ. 2000.
  25. В.Н., Канаш Е. В., Осипов Ю. А., Николенко В. Ф., Котович И. Н. Влияние экологической ультрафиолетовой радиации на рост и продуктивность ячменя и пшеницы. // Физиол. и биохим. культурных раст. 1985, т. 17. с 562−567.
  26. Справочник для химиков, инженеров и врачей. Вредные вещества в промышленности. В 3-х томах. Т. З. Неорганические и элементорганические соединения. / Под ред. Н. В. Лазарева и И. Д. Гадаскиной. Л.: Химия, 1977. 608 с.
  27. Справочник. Термодинамические свойства индивидуальных веществ. Т. 2, 3. Ред. В. П. Глушко. М.: Наука, т. 2, 1979. 331 е., т. 3, 1981. 560 с.
  28. М. В., Мохосев Ф. П., Алексеев И. П. Химия галлия, индия и таллия. Новосибирск: Наука, 1977. 224 с.
  29. И.Б. Полупроводниковые термопреобразователи в агромониторинге. / В сб.: Агрофизика от А. Ф. Иоффе до наших дней. Под общей редакцией И. Б. Ускова. СПб.: АФИ, 2002. с. 206−227.
  30. И. А., Шека 3. А. Галогениды индия и их координационные соединения. Киев: Наук. Думка, 1981. 300 с.
  31. В. П. На пути к точному земледелию. СПб.: Изд-во ПИЯФ РАН, 2002.
  32. C.R. / In: GaN and Related Materials, edited by S J.Pearton. New York: Gordon and Breach, 1997. pp. 11−51.
  33. AdivarahanV., S. Wu, J. P. Zhang, A. Chitnis, M. Shatalov, V. Madavilli, R. Gaska, M.AsifKhan. High-efficiency 269 nm emission deep ultraviolet light-emitting diodes. // Appl. Phys. Lett., 2004, 84, 4762−4764.
  34. AlexeevA.N., S.Yu.Karpov, M.A.Maiorov, V.E.Myachin, Yu.V.Pogorelsky, I.A.Sokolov. Thermal etching of binary and ternary III-V compounds under vacuum conditions. //J. Cryst. Growth, 1996, 166, 167−171.
  35. AmbacherO. Growth and applications of Group Ill-nitrides. // J. Phys. D., 1998,31,2653−2710.
  36. Ambacher O., W. Rieger, P. Ansmann, H. Angerer, T.D.Moustakas, M.Stutzmann. Sub-bandgap absorption of gallium nitride determined by Photothermal Deflection Spectroscopy. // Sol. State Commun., 1996, 97, 365−370.
  37. Aoki M., H. Yamane, M Shimada, S. Sarayama, F. J DiSalvo. Conditions for seeded growth of GaN crystals by the Na flux method. // Mater. Letters, 2002, 56, 660−664.
  38. Ashley K.L., A.G.Milnes. Double Injection in Deep-Lying Impurity Semiconductors. //J. Appl. Phys., 1964, 35, 369−374.
  39. Bauer J., L. Biste, D.Bolze. // Phys. Status Solidi (a), 1977, 39, 173.
  40. Borisov В., V. Kuryatkov, Yu. Kudryavtsev, R. Asomoza, S. Nikishin, M. Holtz, H.Temkin. Si-doped AlxGai. xN (0.56 < x < 1) layers grown by molecular beam epitaxy with ammonia. // Appl. Phys. Lett., 2005, 87, 132 106.
  41. Binari S.C., K. Ikossi, J.A.Roussos, W. Kruppa, D. Park, H.B.Dietrich, D.D.Koleske, A.E.Wickenden, R.L.Henry. Trapping effects and microwave power performance in AlGaN/GaN HEMTs. // IEEE Trans. Electron. Dev., 2001, 48, 465−471.
  42. Bobel F.G., H. Moller, A. Wowchak, B. Hertl, J. Van Hove, L.A.Chow, P.P.Chow. Pyrometric interferometry for real time molecular beam epitaxy process monitoring. // J. Vac. Sci. Technol., 1994, B, 12, 1207−1210.
  43. Bouma J., J. Stoorvogel, B.A.van Alphen, H.W.G.Boolting. Pedology, Precision Agriculture and Changing Paradigm of agriculture Research. // Soil Sci. Soc. Am. J., 1999, 63, 1763−1768.
  44. Bourret A., A. Barski, J.L.Rouviere, G. Renaud, A.Barbier. Growth of aluminum nitride on (III) silicon: Microstructure and interface structure. // J. Appl. Phys., 1998, 83, 2003−2009.
  45. CasadyJ.B., A.K.Agarwal, S. Seshadri, R.R.Siergiej, L.B.Rowland, M.F. MacMillan, D.C.Sheridan, P.A.Sanger, C.D.Brandt. 4H-SiC power devices for use in power electronic motor control. //Solid-State Electron., 1998, 42,2165−2176.
  46. Chaly V.P., D.M.Demidov, G.A.Fokin, S.Yu.Karpov, V.E.Myachin, Yu.V.Pogorelsky, I.Yu.Rusanovich, A.P.Shkurko, A.L.Ter-Martirosyan. Use of molecular beam epitaxy for high-power AlGaAs laser production. // J. Cryst. Growth, 1995,150, 1350−1353.
  47. Chang I. F. Contact resistance in diffused resistors. // J. Electrochem. Soc., 1970,117,368−373.
  48. Chen J., D.G.Ivey, J. Bardwell, Y. Liu, H. Tang, J.B.Webb. Microstructural analysis of Ti/Al/Ti/Au ohmic contacts to n-AlGaN/GaN. // J. Vac. Sci. Technol. A, 2002, 20, 1004−1010.
  49. ChowdhuryU., M.M.Wong, C.J.Collins, B. Yang, J.C.Denyszyn, J.C.Campbell, R.D.Dupuis. High-performance solar-blind photodetector using an Alo.6Gao.4N n-type window layer. // J. Cryst. Growth, 2003, 248, 552−555.
  50. Cui J., A. Sun, M. Reshichkov, F. Yun, A. Baski, H. Morko?. Preparation of Sapphire for High Quality Ill-Nitride Growth. // MRS Internet J. Nitride Semicond., 2000, 5, 7.
  51. Daudin В., F. Widmann, G. Feuillet, Y. Samson, M. Arlery, J.L.Rouviere. Stranski-Krastanov growth mode during the molecular beam epitaxy of highly strained GaN. // Phys. Rev. B, 1997, 56, R7069-R7072.
  52. Dimitrov R., M. Murphy, J. Smart, W. Schaff, J.R.Shealy, L.F.Eastman, i
  53. O.Ambacher, M.Stutzmann. Two-dimensional electron gases in Ga-face and N-face AlGaN/GaN heterostructures grown by plasma-induced molecular beam epitaxy and metalorganic chemical vapor deposition on sapphire. // J. Appl. Phys., 2000, 87, 3375−3380.
  54. Dobson P.J., B. AJoyce, J.H.Neave. Current understanding and applications of the RHEED intensity oscillation technique. // J. Crystal Growth., 1987, 81, 1−8.
  55. Eastman L.F. Results, Potential and Challenges of High Power GaN-Based Transistors. //Physica Status Solidi (a), 1999,176, 175−178.
  56. Edgar J. H.(ed.). Properties of Group III Nitrides. Institution of Electrical Engineers, 1994.
  57. Felice R. Di, J.E.Northrup. Energetics of A1N thin films on the Al203(0001) surface.//Appl. Phys. Lett., 1998, 73, 936−938.
  58. FengY., M.A.Reshchikov, L. He, T. King, H. Morko?, S.W.Novak, L.Wei. Energy band bowing parameter in AlxGa! xN alloys. // J. Appl. Phys., 2002, 92, 4837−4839.
  59. Fiorentini V., F.Bernardini. Effects of macroscopic polarization in III-V nitride multiple quantum wells. // Phys. Rev., 1999, 60, 8849−8858.
  60. FischerS., C. Wetzel, E.E.Haller, B.K.Meyer. On p-type doping in GaN— acceptor binding energies. //Appl. Phys. Lett., 1995, 67, 1298−1300.
  61. Furis M., A.N.Cartwright, J. Hwang, W.J.Schaff. Time Resolved Photoluminescence of Si-doped High Al Mole Fraction AlGaN Epilayers Grown by Plasma-Enhanced Molecular Beam Epitaxy. // Mat. Res. Soc. Symp. Proc., 2004, 798, Y5.45.
  62. Goepfert I. D., E.F.Schubert, A. Osinsky, P.E.Norris, N.N.Faleev. Experimental and theoretical study of acceptor activation and transport properties in p-type AlxGatxN/GaN superlattices. // J. Appl. Phys., 2000, 88, 2030−2038.
  63. Yu. / In: Properties of Advanced SemiconductorMaterials GaN, A1N, InN, BN, SiC, SiGe. Eds. Levinshtein M.E., Rumyantsev S.L., Shur M.S. New York: John Wiley & Sons Inc., 2001, 31−47.
  64. Grandjean N., J. Massies, F. Semond, S.Yu.Karpov, R.A.Talalaev. GaN evaporation in molecular-beam epitaxy environment. // Appl. Phys. Lett., 1999, 74, 1854−1856.
  65. Grandjean N., J. Massies, M. Lerou, Nitridation of saphire. Effect on the optical properties of GaN epitaxial overlayers. // Appl. Phys. Lett., 1996, 69, 2071−2073.
  66. Guha S., N.A.Bojarczuk, F.Cardone. Mg in GaN: Incorporation of a volatile species at high temperatures during molecular beam epitaxy. // Appl. Phys. Lett., 1997, 71, 1685−1687.
  67. Guo Q., O. Kato, A.Yoshida. Thermal stability of indium nitride single crystal films. // J. Appl. Phys., 1993, 73, 7969−7971.
  68. Haffouz S., H. Tang, J.A.Bardwell, S. Rolfe, E.M.Hsu, I. Sproule, S. Moisa, M. Beaulieu, J.B.Webb. Ammonia molecular beam epitaxy growth of p-type GaN and application to bipolar junction transistors. // J. Vac. Sci. Technol. B, 2005, 23, 1199−1203.
  69. Hageman P.R., S. Haffouz, V. Kirilyuk, A. Grzegorczyk, P.K.Larsen. High Quality GaN Layers on Si (III) Substrates: A1N Buffer Layer Optimisation and Insertion of a SiN Intermediate Layer. // Phys. stat. sol. (a), 2001,188, 523−526.
  70. HeldR., D.E.Crawford, A.M.Johnston, A.M.Dabiran, P.I.Cohen. N-limited versus Ga- limited growth on GaN (0001) by MBE using NH3. // Surf. Rev. Lett., 1998,5,913−934.fc'
  71. Hellman E.S., D.N.E.Buchanan, C.H.Chen. Nucleation of A1N on the (7×7) Reconstructed Silicon (III) Surface. // MRS Internet J. Nitride Semicond. Res., 1998,3, 43.
  72. Hirayama H. Quaternary InAlGaN-based high-efficiency ultraviolet light-emitting diodes. // J. Appl. Phys., 2005, 97, 91 101.
  73. Hirayama H., Y. Aoyagi, S.Tanaka. Fabrication of Self-Assembling AlGaN 'Щ Quantum Dot on AlGaN Surfaces Using Anti-Surfactant. // MRS Internet J.
  74. Nitride Semicond. Res., 1999, 4S1, G9.4.
  75. Hirayama H., Y. Enomoto, A. Kinoshita, A. Hirata, Y.Aoyagi. Efficient 230−280 nm emission from high-Al-content AlGaN-based multiquantum wells. // Appl. Phys. Lett., 2002, 80, 37−39.
  76. Hooper S.E., M. Kauer, V. Bousquet, K. Johnson, J.M.Barnes, J.Heffeman. InGaN multiple quantum well laser diodes grown by molecular beam epitaxy. // Electron. Lett., 2004, 40, 33−34.
  77. Huang D., P. Visconti, K.M.Jones, M.A.Reshchikov, F. Yun, A.A.Baski,
  78. T.King, H.Morkoc. Dependence of GaN polarity on the parameters of the buffer layer grown by molecular beam epitaxy. // Appl. Phys. Lett., 2001, 78,4145−4147.
  79. L.P. / In: 10th Int. Conf. on Chemical Vapor Deposition. Ed. G.W.Cullen. Princeton, NJ: Electrochem. Soc., 1987, p. l 12.
  80. Hwang J.S., A.V.Kuznetsov, S.S.Lee, H.S.Kim, J.G.Choi, P.J.Chong. ^ Heteroepitaxy of gallium nitride on (0001), (TO 12) and (lOlO) sapphire surfaces. //
  81. J. Cryst. Growth, 1994,142, 5−14.
  82. Ishikawa H., K. Yamamoto, T. Egawa, T. Soga, T. Jimbo, M.Umeno. Thermal stability of GaN on Si (III) substrate. // J. Cryst. Growth, 1998,189−190, 178−182.
  83. Ishizaka A., Y.Shiraki. Low Temperature Surface Cleaning of Silicon and Its Application to Silicon MBE. // J. Electrochem. Soc., 2004,151, 666−671.
  84. Jain S.C., M. Willander, J. Narayan, R. Van Overstraeten. Ill-nitrides: Growth, characterization, and properties. // J. Appl. Phys., 2000, 87, 965−1006.
  85. Jeon S.-R., Z. Ren, G. Cui, J. Su, M. Gherasimova, J. Han, H.-K.Cho, L.Zhou. Investigation of Mg doping in high-Al content p-type AlxGaixN (0.3
  86. Johnson K., V. Bousquet, S.E.Hooper, M. Kauer, C. Zellweger, J.Heffernan. High-power InGaN light emitting diodes grown by molecular beam epitaxy. // Electron. Lett., 2004, 40, 1299−1300.
  87. Kamp M., M. Mayer, A. Pelzmann, K.J.Ebeling. Fundamentals, Material Properties and Device Performances in GaN MBE using On-Surface Cracking of Ammonia. // MRS Internet J. Nitride Semicond. Res., 1997, 2, 26.
  88. KampM., M. Mayer, A. Pelzmann, K.J.Ebeling. Fundamentals, Material Properties and Device Performances in GaN MBE using On-Surface Cracking of Ammonia. // MRS Internet J. Nitride Semicond. Res., 1997, 2, 26.
  89. Karpov S.Yu., Yu.N.Makarov, M.S.Ramm. The role of gaseous species in group-Ill nitride growth. // MRS Internet J. Nitride Semicond. Res., 1997, 2, 45.
  90. Karpov S.Yu., Yu.V.Kovalchuk, V.E.Myachin, Yu.V.Pogorelskii. Instability of III-V compound surfaces due to liquid phase formation. // J. Cryst. Growth, 1993,129, 563−570.
  91. Kawamura F., M. Morishita, T. Iwahashi, M. Yoshimura, Y. Mor, T.Sasaki. Synthesis of Bulk GaN Single Crystals Using Na-Ca Flux. // Jpn. J. Appl. Phys., 2002, 41, L1440-L1442.
  92. KellerS., B.P.Keller, Y.-F.Wu, B. Heying, D. Kapolnek, J.S.Speck, U.K.Mishra, S.P.DenBaars. Influence of sapphire nitridation on properties of gallium nitride grown by metalorganic chemical vapor deposition. // Appl. Phys. Lett., 1996, 68, 1525−1527.
  93. Kelly M.K., O. Ambacher, R. Dimitrov, R. Handschuh, M.Stutzmann. Optical Process for Liftoff of Group Ill-Nitride Films. // Phys. Status Solidi, 1997, 159, R3-R4.
  94. KimK.S., K.Y.Lim, H.J.Lee. The effects of nitridation on properties of GaN grown on sapphire substrate by metal-organic chemical vapour deposition. // Semicond. Sci. Technol., 1999,14, 557−560.
  95. Kim W., O. Aktas, A.E.Botchkarev, A. Salvador, S.N.Mohammad, H. Morkot?. Reactive molecular beam epitaxy of wurtzite GaN: Materials characteristics and growth kinetics. // J. Appl. Phys., 1996, 79, 7657−7666.
  96. Kokubun Y., J. Nishio, M. Abe, T. Ehara, S.Nakagomi. Properties of GaN Epitaxial Layers Grown at High Growth Rates by Metalorganic Chemical Vapor Deposition. // J. Electron. Mater., 2001, 30, 23−27.
  97. Kumakura K., T. Makimoto, N.Kobayashi. Enhanced Hole Generation in Mg-Doped AlGaN/GaN Superlattices Due to Piezoelectric Field. // Jpn. J. Appl. Phys., 2000, 39, 2428−2430.
  98. Lakshmi E., B. Mathur, A.B.Bhattacharya, V.P.Bhargava. The growth of highly resistive gallium nitride films. // Thin Solid Films, 1980, 74, 77−82.
  99. Lee Y.H., H.S.Kim, G.Y.Yeom, J.W.Lee, M.C.Yoo, T.I.Kim. Etch characteristics of GaN using inductively coupled Ch/Ar and CI2/BCI3 plasmas. // J. Vac. Sci. Technol., 1998, A, 12, 1478−1482.
  100. Levinstein M.E., S.L.Rumyantsev, M.S.Shur (ed.). Properties of advanced semiconductor materials: GaN, A1N, InN, SiC, SiGe. NY/ChichesterAVeinheim/ Brisbane/Singapore/Toronto: John Wiley&Sons. Inc., 2001.
  101. Li J., T.N.Oder, M.L.Nakarmi, J.Y.Lin, H.X.Jiang. Optical and electrical properties of Mg-doped p-type AlxGaNxN. // Appl. Phys. Lett., 2002, 80, 12 101 212.
  102. Liu R., F.A.Ponce, A. Dadgar, A.Krost. Atomic arrangement at the AIN/Si (III) interface. // Appl. Phys. Lett., 2003, 83, 860−862.
  103. Manasevit H.M., ErdmanF.M., Simpson W.I. // J. Electrochem. Soc., 1971, 118, 724−736.
  104. Marlow G.S., M.B.Das. The effects of contact size and non-zero metal resistance on the determination of specific contact resistance. // Solid-State Electron., 1982,25, 91−94.
  105. Maruyama Т., T.Morishita. Indium nitride thin films prepared by radio-frequency reactive sputtering. // J. Appl. Phys., 1994, 76, 5809−5812.
  106. McCluskey M.D., N.M.Jonson, C.G.Van de Walle, D.P.Bour, M. Kneissl, W.Walukiewicz. Metastability of Oxygen Donors in AlGaN. // Phys. Rev. Lett., 1998,80, 4008−4011.
  107. Mesrine M., N. Grandjean, J.Massies. Efficiency of NH3 as nitrogen source for GaN molecular beam epitaxy. // Appl.Phys.Lett., 1998, 72, 350−352.
  108. Mogab C.J., H.J.Levinstein. Anisotropic plasma etching of polysilicon. // J. Vac. Sci. Technol., 1980,17, 721−730.
  109. Morita M., S. Isogai, N. Shimizu, K. Tsubouchi, N.Mikoshiba. Aluminum Nitride Epitaxially Grown on Silicon: Orientation Relationships. // Jpn. J. Appl. Phys., 1981, 20, L173-L175.
  110. Munir Z.A., A.W.Searcy. Activation energy for the Sublimation of Gallium Nitride. // J. Chem. Phys., 1965, 42, 4223−4228.
  111. Nakada Y., I. Aksenov, H.Okumura. GaN heteroepitaxial growth on silicon nitride buffer layers formed on Si (III) surfaces by plasma-assisted molecular beam epitaxy. // Appl. Phys. Lett., 1998, 73, 827−829.
  112. Nakamura S. Analysis of Real-Time Monitoring Using Interference Effects. // Jpn. J. Appl. Phys., 1991a, 30 1348−1353.
  113. Nakamura S. GaN Growth Using GaN Buffer Layer. // Jpn. J. Appl. Phys., 1991b, 30, L1705-L1707.
  114. Nakamura S. In Situ Monitoring of GaN Growth Using Interference Effects. // Jpn. J. Appl. Phys., 1991c, 30 1620−1627.
  115. Nakamura S., G.Fasol. The Blue Laser Diode: GaN based light emitters and diodes. Berlin: Springer, 1997. 397 p.
  116. Nakamura S., M. Senoh, N. Iwasa, S. Nagahama, T. Yamada, T.Mukail. Superbright Green InGaN Single-Quantum-Well-Structure Light-Emitting Diodes. //Jpn. J. Appl. Phys., 1993a, 34, L1332-L1335.
  117. Nakamura S., M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y.Sugimoto. InGaN-Based Multi-Quantum-Well-Structure Laser Diodes. // Jpn. J. Appl. Phys., 1993b, 35, L74-L76.
  118. Nakamura S., M. Senoh, T.Mukai. P-GaN/N-InGaN/N-GaN Double-Heterostructure Blue-Light-Emitting Diodes. // Jpn. J. Appl. Phys., 1993c, 32, L8-Lll.
  119. Nakarmi M.L., K.H.Kim, K. Zhu, J.Y.Lin, H.X.Jiang. Transport properties of highly conductive n-type Al-rich AlxGajxN (x ^ 0.7). // Appl. Phys. Lett., 2004, 85,3769−3771.
  120. Neumayer D.A., J.G.Ekerdt. Growth of Group III Nitrides. A Review of Precursors and Techniques. // Chem. Mater., 1996, 8, 9−25.
  121. Pearton S. J. Wide bandgap semiconductors: growth, processing and applications. Noyes Publications, 2000.
  122. Powell R.C., N.-E.Lee, J.E.Greene. Growth of GaN (0001) lx 1 on Al203(0001) by gas-source molecular beam epitaxy. // Appl. Phys. Lett., 2003, 60, 2505−2507.
  123. Przhevalskii I.N., S.Yu.Karpov, Yu.N.Makarov. Thermodynamic properties of group-Ill nitrides and related species. // MRS Internet J. Nitride Semicond. Res., 1997, 3, 30.
  124. PuychevrierN., M.Menoret. Synthesis of III-V semiconductor nitrides by reactive cathodic sputtering. // Thin Solid Films, 1976, 36, 141−145.
  125. Reeves G.K. Specific Contact Resistance Using a Circular Transmission Line Model. // Solid-State Electron., 1980, 23, 487−490.
  126. Reeves G.K., H.B.Harrison. Obtaining the Specific Contact Resistance from Transmission Lint Model Measurements. // Elect. Device Lett., 1982, EDL-2, 111−113.
  127. Si-doped GaN. //Appl. Phys. Lett., 1997, 71, 921−923.
  128. Schubert E.F., W. Grieshaber, I.D.Goepfert. Enhancement of deep acceptor activation in semiconductors by superlattice doping. // Appl. Phys. Lett., 1996, 69, 3737−3739.
  129. Semond F., Y. Cordier, N. Grandjean, F. Natali, B. Damilano, S. Vezian, J.Massies. Molecular Beam Epitaxy of Group-Ill Nitrides on Silicon Substrates: Growth, Properties and Device Applications. // Phys. stat. sol. (a), 2001,188, 501−510.
  130. Shaw D.W. Kinetic aspects in the vapour phase epitaxy of III-V compounds. //
  131. J. Cryst. Growth, 1975, 31, 130−141.
  132. Shenai K., R.S.Scott, B.J.Baliga. Optimum semiconductors for high power electronics. // IEEE Transactions on Electron Devices, 1989, 36, 1811−1823.
  133. Shin Т. I., D.H.Yoon. Growth behavior of bulk GaN single crystals grown with various flux ratios using solvent-thermal method. // Crys. Res. Technol., 2005, 40, 827−831.
  134. Shubina TV., V.N.Jmerik, M.G.Tkachman, V.A.Vekshin, V.V.Ratnikov,
  135. A.A.Toropov, A.A.Sitnikova, S.V.Ivanov, J.P.Bergman, F. Karlsson, P. Holtz,
  136. B.Monemar. Nanometric-Scale Fluctuations of Intrinsic Electric Fields in GaN/AlGaN Quantum Wells with Inversion Domains. // Phys. stat. sol. (b), 2002, 234, 919−923.
  137. Smith A.R., R.M.Feenstra, D.W.Greve, M.-S.Shin, M. Skowronski, J. Neugebauer, J.E.Northrup. Determination of wurtzite GaN lattice polarity based on surface reconstruction. // Appl. Phys. Lett., 1998, 72, 2114−2116.
  138. Smorchkova I.P., E. Haus, B. Heying, P. Kozodoy, P. Fini, J.P.Ibbetson, S. Keller, S.P.DenBaars, J.S.Speck, U.K.Mishra. Mg doping of GaN layers grown by plasma-assisted molecular-beam epitaxy. // Appl. Phys. Lett., 2000, 76, 718−720.
  139. Spring-Thorpe A.J., T.P.Humphreys, A. Majeed, W.T.Moore. In situ growth rate measurements during molecular beam epitaxy using an optical pyrometer. // Appl. Phys. Lett., 2002, 55, 2138−2140.
  140. Stampfl C., C.G. Van de Walle. Doping of Al^Ga^N. // Appl. Phys. Lett, 1998,72,459−461.
  141. Streetman B. G. Solid State Electronic Devices. 3rd Edition. Prentice Hall: 1990.
  142. Stutzmann M., O. Ambacher, M. Eickhoff, U. Karrer, A.L.Pimenta, R. Neuberger, J. Schalwig, R. Dimitrov, P.J.Schuck, R.D.Grober. Playing with Polarity. // Phys. stat. sol. (b), 2001, 228, 505−512.
  143. Sun W.H., V. Adivarahan, M. Shatalov, Y. Lee, S. Wu, J.W.Yang, J.P.Zhang, M. Asif Khan. Continuous Wave Milliwatt Power AlGaN Light Emitting Diodes at 280 nm. //Jpn. J. Appl. Phys., 2004, 43, L1419-L1421.
  144. SuperLatticeLightEmittingDiod simulator. Richmond: Semiconductor Technology Research. Inc., 2003.
  145. Sze S.M. Physics of Semiconductor Device. New York: Wiley Interscience Publication, 1981. 868 p.
  146. Tanaka S., S. Iwai, Y.Aoyagi. Self-assembling GaN quantum dots on AlxGaixN surfaces using a surfactant. // Appl. Phys. Lett., 1996, 69, 4096−4098.
  147. Tanaka Т., A. Watanabe, H. Amano, Y. Kobayashi, I. Akasaki, S. Yamazaki, M. Koike, p-type conduction in Mg-doped GaN and Al0.08Ga0.92N grown by metalorganic vapor phase epitaxy. //Appl Phys. Lett., 1994, 65, 593−595.
  148. Taniyasu Y., M. Kasu, N.Kobayashi. Intentional control of n-type conduction for Si-doped A1N and AlxGaUxN (0.42
  149. Taniyasu Y., M. Kasu, N.Kobayashi. Electrical conduction properties of n-type Si-doped A1N with high electron mobility (>100 cn^V's"1). // Appl. Phys. Lett., 2004, 85, 4672−4674.
  150. Telieps W., E.Bauer. The (7><7)<→(lxl) phase transition on Si (III). // Surf. Sci., 1992,162, 163−168.
  151. Torvik J.T. Dopants in GaN. / In: Ill-Nitride Semiconductors: Electrical, Structural and Defects Properties. Editor O.Manasreh. Elseiver, 2000, p. 17.
  152. Vartuli C.B., J.D.MacKenzie, J.W.Lee, C.R.Abernathy, S.J.Pearton, RJ.Shul. Cl2/Ar and CH4/H2/Ar dry etching of III-V nitrides. // J. Appl. Phys., 1996, 80, 3705−3709.
  153. Vezian S., F. Semond, J. Massies, D.W.Bullock, Z. Ding, P.M.Thibado. Origins of GaN (0001) surface reconstructions. // Surf. Sci., 2003, 541, 242−251.
  154. Wagener M.C., G.R.James, F.Omnes. Intrinsic compensation of silicon-doped AIGaN. // Appl. Phys. Lett., 2003, 83, 4193−4195.
  155. Waldron E.L., J.W.Graff, E.F.Schubert. Improved mobilities and resistivities in modulation-doped p-type AlGaN/GaN superlattices. // Appl. Phys. Lett., 2001, 79, 2737−2739.
  156. Walle C.G.van de, C. Stampfl, J.Neugebauer. Theory of doping and defects in III-V nitrides. // J. Cryst. Growth, 1998,189, 505−510.
  157. Watanabe A., T. Takeuchi, K. Hirosawa, H. Amano, K. Hiramatsu, I.Akasaki. The growth of single crystalline GaN on a Si substrate using AIN as an intermediate layer. // J. Cryst. Growth, 1993, 28, 391−396.
  158. Widmann F., B. Daudin, G. Feuillet, Y. Samson, J.L.Rouvie're, N.Pelekanos. Growth kinetics and optical properties of self-organized GaN quantum dots. // J. Appl. Phys., 1998, 83, 7618−7624.
  159. Wu C.-L., J.-L.Hsieh, H.-D.Hsueh, S.Gwo. Thermal nitridation of the Si (III)-(7×7) surface studied by scanning tunneling microscopy and spectroscopy. // Phys. Rev. B, 2002, 65, 45 309.
  160. Wu Y.F., D. Kapolnek, J.P.Ibbetson, P. Parikh, B.P.Keller, U.K.Mishra. Very-high power density AlGaN/GaN HEMTs. // IEEE Trans. Electron. Dev., 2001, 48, 586−590.
  161. YasanA., R. McClintock, K. Mayes, S.R.Darvish, P. Kung, M. Razeghi, R.J.Molnar. 280 nm UV LEDs grown on HVPE GaN substrates. // OptoElectronics Review, 2002,10, 287−289.
  162. Yasutake K., A. Takeychi, H. Kakiuchi, K.Yoshii. Molecular beam epitaxial growth of A1N single crystalline films on Si (III) using radio-frequency plasma assisted nitrogen radical source. // J. Vac. Sci. Technol., 1998,16A, 2140- 2147.
  163. Zeisel R., M.W.Bayerl, S.T.B.Goennenwein, R. Dimitrov, O. Ambacher, M.S.Brand, M.Stutzmann. DX-behavior of Si in A1N. // Phys. Rev. B, 2000, 61, R16283-R16286.
  164. Zembutsu S., M.Kobayashi. The growth of c-axis-oriented GaN films by D.C.-biased reactive sputtering. // Thin Solid Films, 1985,129, 289−297.
  165. Zotov A.V., E.A.Khramtsova, S.V.Ryzhkov, A.A.Saranin, A.B.Chub, V.G.Lifshits. LEED-AES reexamination of the Ai/Si (III) T-phase. // Surf. Sci., 1994, 316, L1034-L1038.
  166. ZhuK., V. Kuryatkov, B. Borisov, J. Yun, G. Kipshidze, S.A.Nikishin, H. Temkin, D. Aurongzeb, M.Holtz. Evolution of Surface Roughness of A1N and GaN Induced by Inductively Coupled Cl2/Ar Plasma Etching. // J. Appl. Phys., 2004, 95, 4635−4641.
  167. Zukauskas A., M.S.Shue, R.Gaska. Introduction to Solid-State Lighting. N.-Y.: Wiley, 2002. 207 p.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!