Надежность тонкопленочных резисторов определяется многими факторами: допустимой величиной мощности рассеяния, адгезией и т. д. Анализ показывает, что одной из причин их ненадежности является окисление, приводящее к увеличению сопротивления. Известно, что в сплошных поликристаллических пленках электросопротивление обусловлено действием трех механизмов: изотропного рассеяния на фононах и точечных дефектах, рассеяния на внешних поверхностях и дислокациях и рассеяния на границах зерен.
Удельное сопротивление, обусловленное первыми двумя механизмами, согласно теории Фукса и Зондхаймера выражается через удельное объемное сопротивление р°, толщину d°, среднюю длину свободного пробега электронов /, вероятность р зеркального отражения электрона от поверхности пленки. Теоретические модели дают следующие результаты:
• для относительно толстой пленки или высокой температуры.
• для относительно тонкой пленки.
Тонкопленочные резисторы на основе кермета К50-С были изготовлены методом термического испарения в вакууме с регулировкой отжигом. Конфигурация прямоугольная, получена методом двойной фотолитографии. Размеры 100×200 мкм, ps. = 1 кОм/квадрат, N = 28 728 шт. Температура испытаний — 373 К. Измерения проводились цифровым автоматическим мостом Р-336.
Пример 4.1
Экспериментальная зависимость изменения сопротивления от времени представлена на рис. 4.13. С учетом формул динамической модели при d° <�§; b°J° траектория описывается выражением.
Рис. 4.13. Зависимость (усредненная) от времени относительного сопротивления тонкопленочных резисторов из керметного сплава К50-С при испытаниях на долговечность:
—теория; х — эксперимент.
Решение. Приведенное выше выражение упростится при условии Подбирая Ф (0, имеем Требуется получить динамическую модель прогнозирования надежности резисторов.
При Р — 104 (10 5) получим динамическую модель прогнозирования надежности резисторов до 3,6 * 107 с (3,6 • 108 с).
у
р°.