Модель для прогнозирования надежности ЯС-структур

Были подвергнуты испытаниям двухслойные ЯС-структуры с удельной емкостью до 120 мкФ/см², диэлектриком из стекла С-41−1 и резистивным слоем из сплава РС-3710, полученным методом термического испарения в вакууме [36]. К контактным площадкам ЯС-структур из золота приваривались медные проводники диаметром 80 мкм. Микросхемы с ЯС-структурами заливались полимером марки «Виксинт К-68», затем приклеивались и припаивались на специальные испытательные колодки для подведения напряжения и проведения измерений. Количество испытуемых структур — более 200 игг. Электрическая нагрузка — 6,3 В. Уровни тепловой нагрузки — 373, 385 и 398 К. На образцах измерялось сопротивление резистивного слоя Я, емкость С при закороченном резисторе Я на частоте 800 Гц. Измерения частоты режекции проводилось, но схеме, изображенной на рис. 4.18. Результаты измерений относительного ухода частоты от времени представлены на рис. 4.19.

Рис. 4.18. Схема измерения частоты режекции RC-структур:

• 1 — генератор; 2 — селективный вольтметр; 3 — частотомер;
• 4 — магазин сопротивлений; 5 — вольтметр

Рис. 4.19. Усредненные временные зависимости относительных уходов частоты от времени при испытаниях

Учитывая, что резистивный слой защищен обкладкой из алюминия и что основные изменения частоты режекции / могут быть обусловлены уходом емкости, можно записать

С учетом формулы (4.5) имеем модель прогнозирования надежности RC-структуры по относительному уходу частоты режекции.

где составляет 0,7 эВ, если воспользоваться известной методикой обработки временных зависимостей¹.