Резистивная связь транзисторов

Резистивная связь осуществляется путем соединения коллектора первого транзистора и базы второго с помощью резистора R3 (рис. 2.26, а).

В исходном состоянии транзистор VTJ закрыт, а транзистор VT2 открыт и насыщен, т. е. ток базы /_б2 транзистора VT2 больше его базового тока насыщения:

где 1_к н2 — ток в цепи коллектора при режиме насыщения транзистора VT2 р₂ — коэффициент усиления по току транзистора VT2.

Ток базы второго транзистора.

Рис. 2.26. Схемы резистивных соединений транзисторных ключей: а — обычная; б — с ускоряющим конденсатором Из предыдущих выражений можно определить сопротивление резистора связи каскадов:

При подаче на вход VT1 скачка отрицательного напряжения транзистор открывается и входит в режим насыщения. При этом транзистор VT2 закрывается, так как напряжение на его базе больше нуля. На коллекторном выходе транзистора VT2 произойдет скачок отрицательного напряжения. Мощность импульса на втором каскаде возрастет примерно в (3₂ раз.

Для увеличения быстродействия второго каскада параллельно резистору R3 включают конденсатор С2 (рис. 2.26, б).

Одним из достоинств резистивной связи каскадов является возможность подстройки режима работы транзистора путем подбора параметров напряжения Е₆₂ и делителя напряжения на резисторах R3 и R5. При этом коэффициент усиления по току и амплитуда импульса могут снизиться.