Исследование биполярного транзистора
Изучить его ВАХ в схеме включения с общей базой и определить параметры транзистора. Найдем дифференциальный коэффициент обратной передачи напряжения при по формуле: По полученным ВАХ-кам, используя формулы, мы рассчитали h-параметры транзистора: Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 2,2 Ом; Результаты измерений выходной ВАХ-ки транзистора МП26А в схеме с ОБ… Читать ещё >
Исследование биполярного транзистора (реферат, курсовая, диплом, контрольная)
Исследование биполярного транзистора
Цель работы: Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора.
Изучить его ВАХ в схеме включения с общей базой и определить параметры транзистора.
Рисунок 1. Схема включения p-n-p транзистора в схеме с ОБ для снятия статических характеристик
Тип транзистора: Транзисторы МП26А германиевые сплавные p-n-p универсальные низкочастотные. Предназначены для усиления и переключения сигналов низкой частоты. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса. Масса транзистора не более 2 г.
Основные технические характеристики транзистора МП26А:
* Структура транзистора: p-n-p
* Рк max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 200 мВт;
* fh21б — Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 0,2 МГц;
* Uкбо проб — Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 70 В;
* Uэбо проб — Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 70 В;
* Iк и max — Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 400 мА;
* Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 75 мкА;
* h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 20…50;
* Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 15 пФ;
* Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 2,2 Ом;
* tк — Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 1500 пс Снимем и построим две входные характеристики транзистора IЭ=f (VЭБ) транзистора МП26A в схеме с ОБ при VКБ=0 В и VКБ=10 В. Первую характеристику будем снимать до напряжения, при котором IЭ=0,9IКМАКС, а вторую — до значения, при котором выполняется условие
PК=VКБIК PКМАКС.
Iэ= = = 20 мА
Результаты измерений входной ВАХ-ки транзистора МП26А в схеме с ОБ при VКБ=0В
Iэ, мА | 0,02 | 0,04 | 0,06 | 0,08 | 0,1 | 0,2 | 0,4 | 0,6 | ||
Vэб, В | 0,053 | 0,072 | 0,084 | 0,094 | 0,1 | 0,127 | 0,157 | 0,177 | ||
Iэ, мА | 0,8 | |||||||||
Vэб, В | 0,192 | 0,2 | 0,248 | 0,3 | 0,35 | 0,38 | 0,41 | 0,51 | ||
Результаты измерений входной ВАХ-ки транзистора МП26А в схеме с ОБ при VКБ=10В
Iэ, мА | 0,02 | 0,04 | 0,06 | 0,08 | 0,1 | 0,2 | 0,4 | 0,6 | 0,8 | ||
Vэб, В | 0,028 | 0,048 | 0,058 | 0,066 | 0,72 | 0,91 | 0,113 | 0,125 | 0,133 | ||
Iэ, мА | |||||||||||
Vэб, В | 0,14 | 0,164 | 0,192 | 0,2 | 0,222 | 0,234 | |||||
По данным приведённым в таблице начертим график:
==0.0176
Рассчитаем h-параметры транзистора МП26А в схеме с ОБ в активной области по снятой ВАХ-ке.
Найдем входное сопротивление при по формуле
:
1);
2) .
Найдем дифференциальный коэффициент обратной передачи напряжения при по формуле :
;
2. Снял выходные характеристики Iк =f (Vкб):
Результаты измерений выходной ВАХ-ки транзистора МП26А в схеме с ОБ при IЭ=2 мА
Iк, мА | 0,2 | 0,4 | 0,6 | 0,8 | 1,2 | 1,6 | 2,01 | ||||
Vкб, В | 0,23 | 0,222 | 0,217 | 0,204 | 0,193 | 0,184 | 0,182 | 0,154 | — 0,5 | — 2 | |
Iк, мА | 2,03 | 2,05 | 2,07 | ||||||||
Vкб, В | — 2,01 | — 10 | — 20 | ||||||||
Результаты измерений выходной ВАХ-ки транзистора МП26А в схеме с ОБ при IЭ=5мА
Iк, мА | 0,2 | 0,4 | 0,6 | 0,8 | 1,4 | 1,6 | 2,5 | |||||
Vкб, В | 0,301 | 0,296 | 0,288 | 0,285 | 0,282 | 0,279 | 0,278 | 0,273 | 0,263 | 0,255 | 0,221 | |
Iк, мА | 3,5 | 4,2 | 4,4 | 4,6 | 4,7 | 4,8 | 4,85 | 4,86 | 4,87 | |||
Vкб, В | 0,213 | 0,2 | 0,174 | 0,164 | 0,15 | 0,146 | 0,06 | — 0,2 | — 5 | — 10 | — 20 | |
Результаты измерений выходной ВАХ-ки транзистора МП26А в схеме с ОБ при IЭ=10 мА
Iк, мА | 0,2 | 0,4 | 0,6 | 0,8 | ||||||
Vкб, В | 0,362 | 0,362 | 0,36 | 0,358 | 0,357 | 0,355 | 0,345 | 0,319 | 0,284 | |
Iк, мА | 9,4 | 9,5 | 9,58 | 9,77 | ||||||
Vкб, В | 0,235 | 0,195 | — 2 | — 5,01 | — 10 | — 20 | ||||
По данным приведённым в таблице начертим график:
биполярный транзистор напряжение схема
3. Найдем дифференциальный коэффициент передачи тока эмиттера :
h21= ==0,98 при Vкb=-10 B;
Найдем выходную проводимость транзистора :
h22===3,3*10-6См
h22===9,3*10-6См
h22===28*10-6См
В данной лабораторной работе мы ознакомились с устройством и принципом действия биполярного транзистора МП26A. Сняли ВАХ-ки и определили основные параметры данного транзистора. Определили основные входные характеристики при Vкб=0 В и при Vкб=10 В, а так же выходные характеристики при Iэ= 2 мА, Iэ= 5 мА, Iэ=10 мА.
По полученным ВАХ-кам, используя формулы, мы рассчитали h-параметры транзистора:
— входное сопротивление :
при VКБ=0В;
при VКБ=10В;
— коэффициент обратной передачи напряжения при Iэ=5 мА
;
— дифференциальный коэффициент передачи тока эмиттера :
при Vкb=-10 B;
— выходная проводимость транзистора :
Iэ=2 мА;
Iэ=5 мА;
Iэ=10 мА.
Полученные значения соответствуют приведенным типовым значениям и не превышают их.
— коэффициент обратной передачи напряжения лежит в пределах 10-1 — 10-3.
— входное сопротивление лежит в пределах 102 — 105 Ом.
— выходная проводимость лежит в пределах 10-4 — 10-6 Ом-1.
— дифференциальный коэффициент передачи тока эмиттера ~<1.
Транзистор МП26А является транзистором с p-n-p структурой, и обладает прямой проводимостью.