ΠŸΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒ Π² написании студСнчСских Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚
АнтистрСссовый сСрвис

ΠœΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΈΠΊΠ° использования Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π² биологичСски Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹Ρ… Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ°Ρ…

Π Π΅Ρ„Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠŸΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒ Π² Π½Π°ΠΏΠΈΡΠ°Π½ΠΈΠΈΠ£Π·Π½Π°Ρ‚ΡŒ ΡΡ‚ΠΎΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΠΌΠΎΠ΅ΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° устройства прСдставлСна Π½Π° Ρ€ΠΈΡ. 11. ΠŸΡ€ΠΈ ΡƒΠΊΠ°Π·Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… условиях измСрСния Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния Π½Π° RΠΈ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΌΠ°Π»ΠΎ ΠΈ ΡΠΎΡΡ‚авляСт порядка 1ΠΌΠ’ (ЭБК измСняСтся Π² Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π΅ 6 — 300 кОм). По ΡΡ‚ΠΎΠΉ ΠΏΡ€ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π΅ для ΠΌΠ°ΡΡˆΡ‚Π°Π±ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΡ падСния напряТСния Π½Π° RΠΈ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΠ΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΡ‚ΡŒ Π΄ΠΈΡ„Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ с ΠΊΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ΠΎΠΌ усилСния K=R2/R1 порядка 60. Для сниТСния уровня синфазных ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ…, обусловлСнных Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ… Π§ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Π΅Ρ‰Ρ‘ >

ΠœΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΈΠΊΠ° использования Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π² биологичСски Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹Ρ… Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ°Ρ… (Ρ€Π΅Ρ„Π΅Ρ€Π°Ρ‚, курсовая, Π΄ΠΈΠΏΠ»ΠΎΠΌ, ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΡŒΠ½Π°Ρ)

ΠœΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΈΠΊΠ° использования Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π² Π±ΠΈΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΈ Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹Ρ… Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ°Ρ…

1 Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠΎΡ‚Π΅Ρ…Π½ΠΈΠΊΠ° стабилизированных источников Ρ‚ΠΎΠΊΠ° (ИВ)

НаиболСС просто Ρ€Π΅ΡˆΠ°Ρ‚ΡŒ Π·Π°Π΄Π°Ρ‡Ρƒ построСния Π˜Π’ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡ нСлинСйности Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… характСристик биполярных ΠΈ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов. Π’ ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΌ случаС Π˜Π’ строят Π½Π° Π±Π°Π·Π΅ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ каскада со ΡΡ‚ΠΎΠΊΠΎΠ²ΠΎΠΉ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΎΠΉ.

Π’ΠΈΠΏΠΈΡ‡Π½Ρ‹ΠΉ Π²ΠΈΠ΄ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ характСристики ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора прСдставлСн Π½Π° Ρ€ΠΈΡ. 1, Π³Π΄Π΅ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Π½Ρ‹ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ обозначСния:

Ic — Ρ‚ΠΎΠΊ стока;

UcΠΈ — напряТСниС сток-исток;

UΠ·ΠΈ — напряТСниС Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€-исток;

UΠΏ -ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ напряТСниС (напряТСниС отсСчки).

Рисунок 1 — Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ характСристики ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора Из Ρ€ΠΈΡΡƒΠ½ΠΊΠ° Π²ΠΈΠ΄Π½ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈ постоянных значСниях напряТСния ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ic Π½Π΅Π²Π΅Π»ΠΈΠΊΠΎ. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΡ‹ ИВ Π½Π° Π±ΠΈΠΏΠΎΠ»ΡΡ€Π½Ρ‹Ρ… ΠΈ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторах нашли достаточноС ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π² Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… устройствах ΠΈΠ·-Π·Π° простоты ΠΈΡ… Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ.

Одна ΠΈΠ· Π½Π°ΠΈΠ±ΠΎΠ»Π΅Π΅ простых схСм Π˜Π’ с Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π½ΠΎΠΉ компСнсациСй Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡Π΅ΠΉ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΈ прСдставлСна Π½Π° Ρ€ΠΈΡ. 2.

Рисунок 2 — Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° ИВ с Π±ΡƒΡ„Π΅Ρ€Π½Ρ‹ΠΌ эмиттСрным ΠΏΠΎΠ²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΌ Π’ ΡΡ‚ΠΎΠΉ схСмС ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния Uбэ VT2 компСнсируСтся ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ напряТСния Π½Π° ΡΠΌΠΈΡ‚Ρ‚Π΅Ρ€Π½ΠΎΠΌ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ VT1, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠ΅ ΠΆΠ΅ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π½Ρ‹Π΅ характСристики. РСзистор R3 ΠΈΠ³Ρ€Π°Π΅Ρ‚ Ρ€ΠΎΠ»ΡŒ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ для VT1 ΠΈ Π·Π°Π΄Π°Π΅Ρ‚ Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹ VT2. Π’Π°Ρ€ΡŒΠΈΡ€ΡƒΡ ΡΠΎΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ R1/(R1+R2), ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½ΡΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ.

БущСствСнно ΡƒΠ»ΡƒΡ‡ΡˆΠ°Π΅Ρ‚ ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΡŽ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΏΠΎ ΡΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ с ΠΏΡ€Π΅Π΄Ρ‹Π΄ΡƒΡ‰Π΅ΠΉ каскодная схСма (рис. 3). Π’ Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΉ схСмС VT1 Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΈ Π² ΠΏΡ€Π΅ΠΆΠ½Π΅ΠΉ схСмС, Π½ΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Π½Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π΅ фиксируСтся с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ эмиттСра VT2. Π’ΠΎΠΊ, Ρ‚Π΅ΠΊΡƒΡ‰ΠΈΠΉ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΡƒ, практичСски Π½Π΅ Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΡ‚ ΠΎΡ‚ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹ VT2, Ссли h21 послСднСго достаточно Π²Π΅Π»ΠΈΠΊΠΎ. ΠŸΡ€ΠΈ этом Uкэ VT1 Π½Π΅ Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΡ‚ ΠΎΡ‚ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡ Π½Π° Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ΅, Π° ΡΡ‚ΠΎ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ устранСны влияния Π½Π° Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρƒ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΉ Uбэ транзистора VT1.

Рисунок 3 — Каскодная схСма ИВ Для Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ схСма обСспСчивала Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΡƒΡŽ Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ поддСрТания Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, слСдуСт ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ рСзисторы с Π΄ΠΎΠΏΡƒΡΠΊΠΎΠΌ 1%. влияниС коэффициСнта h21 ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΎΡΠ»Π°Π±ΠΈΡ‚ΡŒ, Ссли Π²Ρ‹Π±Ρ€Π°Ρ‚ΡŒ транзистор с Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΠΌ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ h21. Π’ΠΎΠ³Π΄Π° Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Π²Π½ΠΎΡΠΈΡ‚ΡŒ мСньший Π²ΠΊΠ»Π°Π΄ Π² Ρ‚ΠΎΠΊ эмиттСра. Π­Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ ΠΆΠ΅ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π΄ΠΎΡΡ‚ΠΈΡ‡ΡŒ, Ссли Π² ΠΊΠ°Ρ‡Π΅ΡΡ‚Π²Π΅ VT1 ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ составной транзистор. Π’ΠΎΠΊ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ рСгулируСтся рСзистором Π² ΡΠΌΠΈΡ‚Ρ‚Π΅Ρ€Π΅ VT1.

Π•Ρ‰Π΅ ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΌ Π²Π°Ρ€ΠΈΠ°Π½Ρ‚ΠΎΠΌ обСспСчСния нСзависимости Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΎΡ‚ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡ питания являСтся использованиС напряТСния Uбэ Π² ΠΊΠ°Ρ‡Π΅ΡΡ‚Π²Π΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ (рис.4). Π’ ΡΡ‚ΠΎΠΉ схСмС Uбэ VT1 опрСдСляСт Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ нСзависимо ΠΎΡ‚ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡ источника питания UΠΈΠΏ. Π’ΠΎΠΊ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ опрСдСляСтся Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½ΠΎΠΉ рСзистора R2:

Рисунок 4 — Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° ИВ с ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Π±-э ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° транзистора

Iн = Uбэ/R2

Π‘ ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ рСзистора R1 устанавливаСтся смСщСниС VT2 ΠΈ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π» ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° VT1, ΠΏΡ€ΠΈΡ‡Π΅ΠΌ этот ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π» мСньшС UΠΈΠΏ Π½Π° ΡƒΠ΄Π²ΠΎΠ΅Π½Π½ΡƒΡŽ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρƒ падСния напряТСния Π½Π° Π±Π°Π·ΠΎ-эмиттСрном ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ (ΠΏΡ€ΠΈ условии, Ρ‡Ρ‚ΠΎ транзисторыVT1 ΠΈ VT2 ΠΈΠ΄Π΅Π½Ρ‚ΠΈΡ‡Π½Ρ‹):

Uкэ = UΠΈΠΏ — 2Uбэ.

Π˜ΡΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π½Π° ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ согласованной ΠΏΠ°Ρ€Ρ‹ биполярных транзисторов носят Π½Π°Π·Π²Π°Π½ΠΈΠ΅ «Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ²Ρ‹Π΅ Π·Π΅Ρ€ΠΊΠ°Π»Π°» (Π’Π—). Базовая схСма Π’Π— прСдставлСна Π½Π° Ρ€ΠΈΡ. 5. ΠžΡΠΎΠ±Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ схСмы являСтся Ρ‚ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΡƒ задаСтся ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ транзистора VT1.

Рисунок 5 — Базовая схСма Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ Π·Π΅Ρ€ΠΊΠ°Π»Π° ΠŸΡ€ΠΈ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΈ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ сопротивлСния R Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° VT1 Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π° напряТСния Uбэ, устанавливаСтся Π² ΡΠΎΠΎΡ‚вСтствии с Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹ΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ iΠΏΡ€, ΠΈ Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΡ‚ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΎΡ‚ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ ΠΎΠΊΡ€ΡƒΠΆΠ°ΡŽΡ‰Π΅ΠΉ срСды ΠΈ Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠΌ транзистора. Π’ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ оказываСтся Π·Π°Π΄Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ схСмы ΠΈ Ρ‚ранзистор VT2, согласованный с VT1 (Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅ всСго ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΌΠΎΠ½ΠΎΠ»ΠΈΡ‚Π½Ρ‹ΠΉ сдвоСнный транзистор), ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Π΅Ρ‚ Π² Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΡƒ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ ΠΆΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ Π·Π°Π΄Π°Π½ для VT1.

Одно ΠΈΠ· Π΄ΠΎΡΡ‚оинств ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ схСмы, Π² ΡΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΠΈ с ΠΏΡ€Π΅Π΄Ρ‹Π΄ΡƒΡ‰ΠΈΠΌΠΈ, состоит Π² Ρ‚ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π΅Π΅ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½ устойчивости ΠΏΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ Ρ€Π°Π²Π΅Π½ UΠΈΠΏ Π·Π° Π²Ρ‹Ρ‡Π΅Ρ‚ΠΎΠΌ Π½Π΅ΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΈΡ… дСсятых Π΄ΠΎΠ»Π΅ΠΉ Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π°, Ρ‚. ΠΊ. Π½Π΅Ρ‚ падСния напряТСния Π½Π° ΡΠΌΠΈΡ‚Ρ‚Π΅Ρ€Π½Ρ‹Ρ… рСзисторах.

Π’Π— ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°Π΅Ρ‚ ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΌ сущСствСнным нСдостатком — Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ нСсколько измСняСтся с ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния, ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС Π˜Π’ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ ΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½ΡƒΡŽ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρƒ. Π’Ρ‹Π·Π²Π°Π½ΠΎ это Ρ‚Π΅ΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈ Π·Π°Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠ΅ транзистора VT2 Uбэ слабо измСняСтся Π² Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΠΈ ΠΎΡ‚ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния (проявлСниС эффСкта Π­Ρ€Π»ΠΈ). ΠŸΡ€Π°ΠΊΡ‚ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΌΠ΅Π½ΡΡ‚ΡŒΡΡ Π΄ΠΎ 21% Π² Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π΅ устойчивой Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ схСмы, Ρ‚. Π΅. характСристики Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ³ΠΎ Π˜Π’ Π±ΡƒΠ΄ΡƒΡ‚ нСсколько Ρ…ΡƒΠΆΠ΅, Ρ‡Π΅ΠΌ Π² ΠΏΡ€Π΅Π΄Ρ‹Π΄ΡƒΡ‰ΠΈΡ… схСмах с ΡΠΌΠΈΡ‚Ρ‚Π΅Ρ€Π½Ρ‹ΠΌΠΈ рСзисторами (Π² Π½ΠΈΡ… дСйствиС ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ связи ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ стабилизируСт Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ схСмы). ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ, ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΌ ΠΈΠ· Π²Π°Ρ€ΠΈΠ°Π½Ρ‚ΠΎΠ² ΡƒΠ»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ характСристик Π’Π— являСтся Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ эмиттСрных рСзисторов, ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния Π½Π° ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… составляСт нСсколько дСсятых Π΄ΠΎΠ»Π΅ΠΉ Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π°.

Π’Ρ‹ΡΠΎΠΊΡƒΡŽ ΡΡ‚Π΅ΠΏΠ΅Π½ΡŒ постоянства Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° обСспСчиваСт Π’Π— Уилсона (рис. 6). Благодаря транзистору VT3 ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π» ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° VT1 фиксирован:

UΠΊ1 = UΠΈΠΏ — 2Uбэ.

Рисунок 6 — Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ Π·Π΅Ρ€ΠΊΠ°Π»Π° Уилсона Вранзистор VT3 Π½Π΅ Π²Π»ΠΈΡΠ΅Ρ‚ Π½Π° Π±Π°Π»Π°Π½Ρ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ², ΠΏΡ€ΠΈ условии, Ссли Π΅Π³ΠΎ Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΏΡ€Π΅Π½Π΅Π±Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠΎ ΠΌΠ°Π». Π•Π³ΠΎ СдинствСнная функция состоит Π² Ρ‚ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Π·Π°Ρ„ΠΈΠΊΡΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π» ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° VT1. Π’ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ Π² Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ·Π°Π΄Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… транзисторах VT1 ΠΈ VT2 Uбэ фиксированы. Вранзистор VT3 ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Ρ€Π°ΡΡΠΌΠ°Ρ‚Ρ€ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ просто ΠΊΠ°ΠΊ элСмСнт ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π² Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΡƒ. Π•Ρ‰Π΅ ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΌ достоинством этой схСмы являСтся ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ влияния Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ² Π½Π° Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ iΠ²Ρ… Π² Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΡƒ. Π’Π— Уилсона нашло ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π² ΠΊΠ°Ρ‡Π΅ΡΡ‚Π²Π΅ источников Ρ‚ΠΎΠΊΠ°.

ΠŸΡ€ΠΈ многоэлСктродном способС диагностики ΠΈ Π»Π΅Ρ‡Π΅Π½ΠΈΡ Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Π˜Π’ с Π½Π΅ΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΈΠΌΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ. Π­Ρ‚ΠΎ Π»Π΅Π³ΠΊΠΎ достигаСтся распараллСливаниСм VT2 Π² Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠΉ схСмС Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ Π·Π΅Ρ€ΠΊΠ°Π»Π° (рис. 5). Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡƒΠΌΠ½ΠΎΠΆΠ°Ρ‚ΡŒ ΠΈΠ»ΠΈ Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡ Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Π΅ схСмы ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… транзисторов (рис. 7).

Рисунок 7 — Π‘Ρ…Π΅ΠΌΡ‹ ИВ с Π½Π΅ΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΈΠΌΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ (Π°), с ΡƒΠΌΠ½ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ (Π±) ΠΈ Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ (Π²) Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ² Π² Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ΅ Π’Π°Ρ€ΠΈΠ°Π½Ρ‚ дСлСния Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ² ΡƒΠ΄ΠΎΠ±Π΅Π½ для Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ Π² ΡƒΡΡ‚ройствах элСктротСрапии. Π”Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠΌ способом получСния Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, ΠΊΡ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌΡƒ, состоит Π²ΠΎ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ рСзистора Π² Ρ†Π΅ΠΏΡŒ эмиттСра Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ транзистора (для VT3 Уилсона, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€).

ИВ Π½Π° ΠžΠ£ (рис. 8) ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ большСС ΠΏΡ€ΠΈΠ±Π»ΠΈΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΊ ΠΈΠ΄Π΅Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌΡƒ Π˜Π’ благодаря возмоТности обСспСчСния Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Π³Π»ΡƒΠ±ΠΎΠΊΠΎΠΉ ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ связи (ООБ).

На Ρ€ΠΈΡ. 8 UΠ²Ρ… — сигнал ΠΈΠ»ΠΈ напряТСниС, снимаСмоС с Ρ€Π΅Π·ΠΈΡΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠ³ΠΎ дСлитСля.

Рисунок 8 — Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° ИВ Π½Π° Π±Π°Π·Π΅ ОУ НСдостаток схСмы ΠΎΡ‡Π΅Π²ΠΈΠ΄Π΅Π½: Π² ΡΠ»ΡƒΡ‡Π°Π΅ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΎΠΊ ΠΊ ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΉ шинС ΠžΠ£ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚ΡŒ «ΠΏΠ»Π°Π²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ» источник питания. ΠŸΡ€ΠΈ этом ΠΈ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Π²Ρ…ΠΎΠ΄ Π˜Π’ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ «ΠΏΠ»Π°Π²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΌ». Π­Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΠ·Π±Π΅ΠΆΠ°Ρ‚ΡŒ, Ссли ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ транзисторныС развязки.

НиТС ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Ρ‹ схСмы Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… ИВ, для «Π·Π°Π·Π΅ΠΌΠ»Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ…» Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΎΠΊ. На Ρ€ΠΈΡ. 9 прСдставлСна схСма Π˜Π’ с Π±ΠΈΠΏΠΎΠ»ΡΡ€Π½Ρ‹ΠΌ транзистором. ΠžΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Π°Ρ связь создаСт Π½Π° Ρ€Π΅Π·ΠΈΡΡ‚ΠΎΡ€Π΅ R ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния, Ρ€Π°Π²Π½ΠΎΠ΅ UΠΈΠΏ — UΠ²Ρ…, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ Π² ΡΠ²ΠΎΡŽ ΠΎΡ‡Π΅Ρ€Π΅Π΄ΡŒ опрСдСляСт эмиттСрный (Π° ΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ) Ρ‚ΠΎΠΊ

IΠ²Ρ‹Ρ… = (UΠΈΠΏ — UΠ²Ρ…)/R.

ΠΠ΅ΡΠΎΠ²Π΅Ρ€ΡˆΠ΅Π½ΡΡ‚Π²ΠΎ этого Π˜Π’ проявляСтся лишь Π² Ρ‚ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ нСбольшой Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π½Π΅ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½ΡΡ‚ΡŒΡΡ Π² Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΠΈ ΠΎΡ‚ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡ Uкэ.

ΠšΠ°Ρ‡Π΅ΡΡ‚Π²ΠΎ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ схСмы ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΡƒΠ»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅Π½ΠΎ, Ссли вмСсто VΠ’1 ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ составной транзистор, ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ ΠΏΠΎΠ³Ρ€Π΅ΡˆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ°Π΅Ρ‚ Π² ΡΠ²ΡΠ·ΠΈ с Ρ‚Π΅ΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠžΠ£ фактичСски стабилизируСт эмиттСрный Ρ‚ΠΎΠΊ, Π° Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΡƒ ΠΏΡ€ΠΎΡ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ. Если вмСсто биполярного транзистора ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠΉ транзистор, Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌΠ° Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½Π°, Ρ‚. ΠΊ. Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора Π½Π΅Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅Π½.

Рисунок 9 — Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° ИВ Π½Π° Π±Π°Π·Π΅ ΠžΠ£ с Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ Π‘Π’ Π’ Ρ€Π°ΡΡΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ схСмС (рис. 9) Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΏΡ€ΠΎΠΏΠΎΡ€Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»Π΅Π½ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π΅, Π½Π° ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΡƒΡŽ напряТСниС, ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½Π½ΠΎΠ΅ ΠΊ Π½Π΅ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΌΡƒ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Ρƒ ОУ, Π½ΠΈΠΆΠ΅, Ρ‡Π΅ΠΌ напряТСниС питания UΠΈΠΏ. Π˜Π½Ρ‹ΠΌΠΈ словами, напряТСниС, с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ программируСтся Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π° схСмы, измСряСтся ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΡˆΠΈΠ½Ρ‹ питания UΠΈΠΏ (ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния UR1). Π­Ρ‚ΠΎ создаСт ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌΡ‹ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‡Π΅ UΠ²Ρ… ΠΎΡ‚ Π²Π½Π΅ΡˆΠ½Π΅Π³ΠΎ источника.

НСдостаток ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡƒΡΡ‚Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‚ΡŒ, ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΠΈΠ² Ρ€Π°Π·Π²ΡΠ·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ ΠžΠ£ с Ρ‚ранзистором ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ проводимости, для ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π΅Π΅ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС измСряСтся ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΉ ΡˆΠΈΠ½Ρ‹ (рис.10).

Рисунок 10 — Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° с двумя ОУ Вранзистор VΠ’1 (n-Ρ€-n Ρ‚ΠΈΠΏΠ°) слуТит для прСобразования Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ напряТСния (измСряСмоС ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π·Π΅ΠΌΠ»ΠΈ) Π²ΠΎ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС, измСряСмоС ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ UΠΈΠΏ для ΠΎΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π˜Π’. Однако слСдуСт ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚ΡŒ Π² Π²ΠΈΠ΄Ρƒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π² ΡΡ‚ΠΎΠΉ схСмС ΠžΠ£ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΈ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… напряТСниях Π±Π»ΠΈΠ·ΠΊΠΈΡ… ΠΈΠ»ΠΈ Ρ€Π°Π²Π½Ρ‹Ρ… UΠΈΠΏ.

2 Π˜Π·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π² Π‘АВ

ΠŸΡ€ΠΈ поискС БАВ Π² ΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠΏΡƒΠ½ΠΊΡ‚ΡƒΡ€Π½ΠΎΠΉ диагностикС наибольшСС распространСниС нашСл ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ измСрСния элСктричСского сопротивлСния ΠΊΠΎΠΆΠΈ (ЭБК). ΠŸΡ€ΠΈ этом фактичСски ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΡΡŽΡ‚ Ρ‚ΠΎΠΊ, ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· БАВ. Π’Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΎΡΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²Π»ΡΡ‚ΡŒ ΠΊΠ°ΠΊ нСпосрСдствСнно, Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠ°ΠΌΠΏΠ΅Ρ€ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ Π² Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡ΠΈΠΉ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚ΡƒΡ€, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ ΠΊΠΎΡΠ²Π΅Π½Π½ΠΎ, контролируя ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния Π½Π° ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ рСзисторС RΠΈ, Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠΌ ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ с Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΎΠΉ RΠ½ (для ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ ΠΏΠΎΠ³Ρ€Π΅ΡˆΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½ΠΈΠΉ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½ΠΎ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½ΠΎ условиС RΠΈ << RΠ½). Π’Π²ΠΈΠ΄Ρƒ ΠΌΠ°Π»Ρ‹Ρ… измСряСмых Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ² (1−200мкА) Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ Π²Π°Ρ€ΠΈΠ°Π½Ρ‚ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡΡ‡ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΏΠΎΡ‡Ρ‚ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ, Ρ‚Π΅ΠΌ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ½ ΠΎΠ±Π»Π΅Π³Ρ‡Π°Π΅Ρ‚ Π·Π°Π΄Π°Ρ‡Ρƒ ΠΎΡ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²ΠΊΠΈ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚ΠΎΠ² ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½ΠΈΠΉ.

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° устройства прСдставлСна Π½Π° Ρ€ΠΈΡ. 11. ΠŸΡ€ΠΈ ΡƒΠΊΠ°Π·Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… условиях измСрСния Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния Π½Π° RΠΈ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΌΠ°Π»ΠΎ ΠΈ ΡΠΎΡΡ‚авляСт порядка 1ΠΌΠ’ (ЭБК измСняСтся Π² Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π΅ 6 — 300 кОм). По ΡΡ‚ΠΎΠΉ ΠΏΡ€ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π΅ для ΠΌΠ°ΡΡˆΡ‚Π°Π±ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΡ падСния напряТСния Π½Π° RΠΈ слСдуСт ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΡ‚ΡŒ Π΄ΠΈΡ„Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ с ΠΊΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ΠΎΠΌ усилСния K=R2/R1 порядка 60. Для сниТСния уровня синфазных ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ…, обусловлСнных Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΡΠΆΠ΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ подводящих ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΎΠ² (Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ° Π·Π°Π·Π΅ΠΌΠ»Π΅Π½Π° — элСктрод ΠΈΠ½Π΄ΠΈΡ„Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ‚Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΈ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ ΠΊ ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΉ шинС) ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ симмСтричная схСма Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… Ρ†Π΅ΠΏΠ΅ΠΉ усилитСля. НапряТСниС Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ усилитСля равняСтся Рисунок 11 — Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° устройства для диагностики БАВ

UΠ²Ρ‹Ρ… = IΠ½(RΠΈR2/R1).

Π’Π½Π΅ΡˆΠ½ΡΡ балансировка ΠžΠ£ производится Π² Ρ‚ΠΎΠΌ случаС, Ссли ΠΎΠ½Π° Π½Π΅ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡƒΡΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π½Π° Π² ΡΡ…Π΅ΠΌΠ΅ ΠžΠ£.

3 Π“Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Ρ‹ сигнал-стимулов

Π’ ΠΏΠΎΠ΄Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π΅ΠΌ своСм Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΠ½ΡΡ‚Π²Π΅ Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Ρ‹ сигнал-стимулов Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‚ Π² Π°Π²Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ»Π΅Π±Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅. ΠŸΡ€ΠΈ этом наибольший ΠΏΡ€ΠΈΠΎΡ€ΠΈΡ‚Π΅Ρ‚ ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΡ‹ ΠΏΡ€ΡΠΌΠΎΡƒΠ³ΠΎΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡ‹. Π“Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Ρ‹ сигнал-стимулов ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ построСны, ΠΊΠ°ΠΊ Π½Π° Π±Π°Π·Π΅ Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΎΠ²Ρ‹Ρ…, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… микросхСм ΠΈ Π½Π° Π»ΡŽΠ±ΠΎΠΉ элСмСнтной Π±Π°Π·Π΅ (Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΎΠ²Ρ‹Π΅-Π½Π° транзисторах, Π½Π° Π»ΠΎΠ³ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΈΡ… элСмСнтах, Π½Π° ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… усилитСлях, Π½Π° ΠΎΠ΄Π½ΠΎΡ‚Π°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹Ρ… Ρ‚Π°ΠΉΠΌΠ΅Ρ€Π°Ρ…; Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Π΅-Π½Π° ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Ρ… Ρ‚Π°ΠΉΠΌΠ΅Ρ€Π°Ρ…, дСлитСлях, микропроцСссорах ΠΈ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠ΅ Π²Π°Ρ€ΠΈΠ°Π½Ρ‚Ρ‹).

Рассмотрим ΠΏΡ€ΠΎΡΡ‚Π΅ΠΉΡˆΠΈΠΉ Π²Π°Ρ€ΠΈΠ°Π½Ρ‚ Π°Π²Ρ‚ΠΎΠ³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π°-ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠ²ΠΈΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° Π½Π° Π±Π°Π·Π΅ Ρ‚Ρ€ΠΈΠ³Π³Π΅Ρ€Π° Π¨ΠΌΠΈΠ΄Ρ‚Π°, схСма ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ прСдставлСна Π½Π° Ρ€ΠΈΡ. 12, Π°.

Рисунок 12 — Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠ²ΠΈΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° Π½Π° Π±Π°Π·Π΅ Ρ‚Ρ€ΠΈΠ³Π³Π΅Ρ€Π° Π¨ΠΌΠΈΠ΄Ρ‚Π° ЦСпь ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ связи (ПОБ), ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰Π°Ρ Π»Π°Π²ΠΈΠ½ΠΎΠΎΠ±Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠ²ΠΈΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° ΠΈΠ· ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ состояния Π² Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠ΅ Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½Π° Π½Π° ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ рСзистивного дСлитСля R1, R2. ЦСпь ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ связи (ООБ) ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Π½Π° ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΉ Ρ†Π΅ΠΏΡŒΡŽ RC. Π’Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹Π΅ Π΄ΠΈΠ°Π³Ρ€Π°ΠΌΠΌΡ‹ напряТСний Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ ΠΈ Π½Π° ΠΊΠΎΠ½Π΄Π΅Π½ΡΠ°Ρ‚ΠΎΡ€Π΅ (ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΌ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅) прСдставлСны Π½Π° Ρ€ΠΈΡ. 12, Π±. Π’ Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΉ схСмС Π΄Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ Π΄Π²ΡƒΡ… состояний ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎ Ρ€Π°Π²Π½Ρ‹, Ρ‚. Π΅ ΡΠΊΠ²Π°ΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠΎΠ² ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ полярности Ρ€Π°Π²Π½Π°. ΠŸΠ΅Ρ€ΠΈΠΎΠ΄ ΠΊΠΎΠ»Π΅Π±Π°Π½ΠΈΠΉ опрСдСляСтся ΡΠΎΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ:

.

ΠŸΠΈΠ»ΠΎΠΎΠ±Ρ€Π°Π·Π½ΡƒΡŽ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒ напряТСния Π»Π΅Π³ΠΊΠΎ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡ заряд кондСнсатора ΠΎΡ‚ ΠΈΡΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊΠ° постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ°. Π’ΠΎΠ³Π΄Π° ΠΏΡ€ΠΈ ic(t) = const = Ic ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΠΌ Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎΠ΅ нарастаниС напряТСния ΠΎΡ‚ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ:

.

Если ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΡ‚ΡŒ пСриодичСский быстрый разряд кондСнсатора, Ρ‚ΠΎ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΠΌ сигнал ΠΏΠΈΠ»ΠΎΠΎΠ±Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΠΉ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡ‹. Для ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… процСссов Π² ΠΊΠΎΠ½Π΄Π΅Π½ΡΠ°Ρ‚ΠΎΡ€Π΅ (заряд — разряд) ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ элСктронный ΠΊΠ»ΡŽΡ‡, ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ кондСнсатору (рис. 13, Π°). Амплитудно-Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹Π΅ Π΄ΠΈΠ°Π³Ρ€Π°ΠΌΠΌΡ‹ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ схСмы прСдставлСны Π½Π° Ρ€ΠΈΡ. 13, Π±. ΠŸΡ€ΠΈ Π²Ρ‹Π±Ρ€Π°Π½Π½ΠΎΠΌ Ρ‚ΠΈΠΏΠ΅ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора (с n — ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠΌ) заряд кондСнсатора осущСствляСтся Π² Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° транзистор Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ напряТСниСм ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ полярности. ΠŸΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‡Π΅ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ напряТСния ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ полярности транзистор открываСтся ΠΈ ΠΊΠΎΠ½Π΄Π΅Π½ΡΠ°Ρ‚ΠΎΡ€ разряТаСтся Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½Π΅Π΅ сопротивлСниС ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ транзистора. Π’Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹Π΅ ΡΠΎΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ Π·Π°Π΄Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠ²Ρ‹ΠΌ Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ (Π’Π“).

Рисунок 13 — Π°) Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° ΠΏΠΈΠ»ΠΎΠΎΠ±Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния: Π’Π“ — Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€; ИВ — источник Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±) Π΄ΠΈΠ°Π³Ρ€Π°ΠΌΠΌΡ‹ напряТСний Π’ ΠΊΠ°Ρ‡Π΅ΡΡ‚Π²Π΅ ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ элСмСнта ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Π½Ρ‹ ΠΊΠ°ΠΊ биполярныС, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅ транзисторы. Π”Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ прСбывания ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π° Π² Π·Π°ΠΌΠΊΠ½ΡƒΡ‚ΠΎΠΌ состоянии опрСдСляСт Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠΉ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Ρ€Π²Π°Π» ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ°ΠΌΠΈ ΠΏΠΈΠ»ΠΎΠΎΠ±Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΠΉ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡ‹, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°Ρ‚ΡŒ врСмя ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΠ³ΠΎ разряда Смкости Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½Π΅Π΅ сопротивлСниС ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π° .

Амплитуда Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠΎΠ² опрСдСляСтся ΡΠΎΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ:

Π³Π΄Π΅ — напряТСниС источника питания; - Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½Π΅Π΅ сопротивлСниС источника Ρ‚ΠΎΠΊΠ°.

Для рСфлСксотСрапии наряду с Ρ‡Π°ΡΡ‚ΠΎΡ‚ΠΎΠΉ повторСния Π²Π°ΠΆΠ½Ρ‹ΠΌ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠΌ являСтся коэффициСнт заполнСния Π²ΠΎΠ·Π΄Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ°. Π’ ΠΊΠ°Ρ‡Π΅ΡΡ‚Π²Π΅ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π° рассмотрим ΡΡ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ‚ΡƒΡ€Π½ΡƒΡŽ схСму Π°Π²Ρ‚ΠΎΠ³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π°, ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ ΠΎΡΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²Π»ΡΡ‚ΡŒ нСзависимоС ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΎΠ΄ΠΎΠΌ ΠΈ ΠΊΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ΠΎΠΌ заполнСния ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠΎΠ² ΠΏΡ€ΡΠΌΠΎΡƒΠ³ΠΎΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡ‹ (рис. 14, Π°).

Рисунок 14 — Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° Π°Π²Ρ‚ΠΎΠ³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° сигнал-стимулов (Π°) ΠΈ Π°ΠΌΠΏΠ»ΠΈΡ‚ΡƒΠ΄Π½ΠΎ-Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹Π΅ Π΄ΠΈΠ°Π³Ρ€Π°ΠΌΠΌΡ‹ (Π±) Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° содСрТит источник Ρ‚ΠΎΠΊΠ° (ИВ), Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ ΠΏΠΈΠ»ΠΎΠΎΠ±Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния Π½Π° Ρ‚ранзисторС VT ΠΈ ΠΊΠΎΠ½Π΄Π΅Π½ΡΠ°Ρ‚ΠΎΡ€Π΅ Π‘, Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΡ… ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠΎΠ² Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° ΠΏΠΈΠ»ΠΎΠΎΠ±Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния (Π€) ΠΈ Π΄Π²Π° Π°ΠΌΠΏΠ»ΠΈΡ‚ΡƒΠ΄Π½Ρ‹Ρ… ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° АК1 ΠΈ ΠΠš2.

Амплитудно-Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹Π΅ Π΄ΠΈΠ°Π³Ρ€Π°ΠΌΠΌΡ‹ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ устройства прСдставлСны Π½Π° Ρ€ΠΈΡ. 14, Π±. Π’ Π΄ΠΈΠ°Π³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ°Ρ… ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Π½Ρ‹ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ обозначСния: — ΠΏΠΈΠ»ΠΎΠΎΠ±Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС, снимаСмоС с ΠΊΠΎΠ½Π΄Π΅Π½ΡΠ°Ρ‚ΠΎΡ€Π° Π‘; - Ρ€Π΅Π³ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹ΠΉ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ напряТСния ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° АК1, Π·Π°Π΄Π°Π²Π°Π΅ΠΌΡ‹ΠΉ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ рСзистором; - Ρ€Π΅Π³ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹ΠΉ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ напряТСния ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° АК2; - напряТСниС Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ формироватСля (Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ транзистора VT); - Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС, снимаСмоС с Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π° ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° АК2; - Π΄Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ° сигнал-стимула.

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ. Π’ Π½Π°Ρ‡Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ транзистор VT Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ ΠΈ ΠΊΠΎΠ½Π΄Π΅Π½ΡΠ°Ρ‚ΠΎΡ€ Π‘ Π·Π°Ρ€ΡΠΆΠ°Π΅Ρ‚ся ΠΎΡ‚ ΠΈΡΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊΠ° Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ИВ, формируя Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎ Π½Π°Ρ€Π°ΡΡ‚Π°ΡŽΡ‰Π΅Π΅ напряТСниС, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎ подаСтся Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Ρ‹ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ² АК1 ΠΈ ΠΠš2. На Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠ΅ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Ρ‹ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ² ΠΏΠΎΠ΄Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Ρ€Π΅Π³ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Π΅ напряТСния ΠΈ ΠΎΡ‚ ΠΈΡΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊΠ° питания. Для Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ схСмы Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ условия >. ПослС достиТСния ΠΏΠΈΠ»ΠΎΠΎΠ±Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния уровня происходит ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° АК1 (ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΏΠ°Π΄) с Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ° ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ полярности ΠΈ Π΄Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ, опрСдСляСмой ΡΠΎΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ

.

ΠŸΠΈΠ»ΠΎΠΎΠ±Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС, продолТая Π½Π°Ρ€Π°ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ, достигаСт уровня срабатывания ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π°. ΠžΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΏΠ°Π΄ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° АК1 подаСтся Π½Π° Π·Π°ΠΏΡƒΡΠΊ формироватСля, с Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π° ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ полярности подаСтся Π½Π° Ρ‚ранзистор VT, вызывая быстрый разряд кондСнсатора ΠΈ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΡ Π½Π°Ρ‡Π°Π»ΠΎ Π½ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ Ρ†ΠΈΠΊΠ»Π° заряда. Частота повторСния Ρ†ΠΈΠΊΠ»ΠΎΠ² заряд разряд кондСнсатора, Π° ΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… сигнал-стимулов, Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ задаСтся ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ΠΌ срабатывания ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° АК1 ΠΈ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΠ΅Ρ‚ся ΡΠΎΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ:

.

Достоинством схСмы Π½Π° Ρ€ΠΈΡ. 15 являСтся Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ нСзависимого управлСния частотой ΠΈ Π΄Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ сигнал-стимулов. Π Π΅Π³ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹ΠΉ коэффициСнт заполнСния ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ° опрСдСляСтся Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒΠ»ΠΎΠΉ:

.

Одной ΠΈΠ· Π½Π°ΠΈΠ±ΠΎΠ»Π΅Π΅ простых Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΎΠ²ΠΎ-Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… микросхСм, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Ρ… для гСнСрирования ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚Π΅ΠΉ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠΎΠ², являСтся ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‚Π°ΠΉΠΌΠ΅Ρ€ Ρ‚ΠΈΠΏΠ° КР602Π’Π˜1 (SE71). Π€ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Π°Ρ схСма ΠΈ ΡƒΡΠ»ΠΎΠ²Π½ΠΎΠ΅ ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ этого Ρ‚Π°ΠΉΠΌΠ΅Ρ€Π° прСдставлСны Π½Π° Ρ€ΠΈΡ. 15. Π’ ΡΠΎΡΡ‚Π°Π² КР602Π’Π˜1 входят ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ элСмСнты: Π΄Π²Π° ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° DA1 ΠΈ DA2, RS — Ρ‚Ρ€ΠΈΠ³Π³Π΅Ρ€, рСзистивный Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ напряТСния R1, R2, R3, Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ усилитСли мощности. НапряТСниС питания Ρ‚Π°ΠΉΠΌΠ΅Ρ€Π° ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½ΡΡ‚ΡŒΡΡ Π² ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π°Ρ… 1 — 7 Π’.

Рисунок 15 -Π€ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Π°Ρ схСма Ρ‚Π°ΠΉΠΌΠ΅Ρ€Π° КР602Π’Π˜1 (Π°) ΠΈ Π΅Π³ΠΎ условноС ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ (Π±) Π’Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½ΠΈΠΉ рСзистивный Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ Π·Π°Π΄Π°Π΅Ρ‚ ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½ΠΈ напряТСния Π²Π΅Ρ€Ρ…Π½Π΅Π³ΠΎ ΠΈ Π½ΠΈΠΆΠ½Π΅Π³ΠΎ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ² ΠΈ ΡΠΎΠΎΡ‚вСтствСнно Π½Π° ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Ρ‹ DA1 ΠΈ DA2. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, Ссли Π½Π° Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π΅ 2 Ρ‚Π°ΠΉΠΌΠ΅Ρ€Π° напряТСниС станСт мСньшС, Ρ‚ΠΎ Π½Π° Ρ‚Ρ€ΠΈΠ³Π³Π΅Ρ€ ΠΏΠΎΠΉΠ΄Π΅Ρ‚ сигнал установки Π² Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ†Ρƒ; Ссли ΠΆΠ΅ напряТСниС Π½Π° Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π΅ 2 станСт большС, Ρ‡Π΅ΠΌ, Ρ‚ΠΎ Ρ Π²Π΅Ρ€Ρ…Π½Π΅Π³ΠΎ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° Π½Π° Ρ‚Ρ€ΠΈΠ³Π³Π΅Ρ€ ΠΏΡ€ΠΈΠ΄Π΅Ρ‚ сигнал установки Π² Π½ΡƒΠ»ΡŒ. Π’Ρ€ΠΈΠ³Π³Π΅Ρ€ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ ΠΈ Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Π²Ρ…ΠΎΠ΄ установки Π² Π½ΡƒΠ»ΡŒ — Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ 4.

Если Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Ρ‹ Ρ‚Ρ€ΠΈΠ³Π³Π΅Ρ€Π° ΠΏΠΎΡΡ‚ΡƒΠΏΠ°ΡŽΡ‚ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎ сигналы установки Π² Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Π΅ состояния, Ρ‚ΠΎ Ρ‚Ρ€ΠΈΠ³Π³Π΅Ρ€ срабатываСт Π² ΡΠΎΠΎΡ‚вСтствиС со ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠΎΡ€ΠΈΡ‚Π΅Ρ‚Π°ΠΌΠΈ сигналов. ΠΠ°ΠΈΠ²Ρ‹ΡΡˆΠΈΠΉ ΠΏΡ€ΠΈΠΎΡ€ΠΈΡ‚Π΅Ρ‚ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ сигнал, ΠΏΠΎΠ΄Π°Π²Π°Π΅ΠΌΡ‹ΠΉ Π½Π° Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ 4. ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ, этот сигнал являСтся сигналом Ρ€Π°Π·Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ: Ссли Π• = 1, Ρ‚ΠΎ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π° Ρ‚Π°ΠΉΠΌΠ΅Ρ€Π° Ρ€Π°Π·Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½Π°, Ссли Π• = 0, Ρ‚ΠΎ Ρ‚Ρ€ΠΈΠ³Π³Π΅Ρ€ Ρ‚Π°ΠΉΠΌΠ΅Ρ€Π° находится Π² Π½ΡƒΠ»Π΅Π²ΠΎΠΌ состоянии. Π’Ρ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΌ ΠΏΠΎ ΡΡ‚Π°Ρ€ΡˆΠΈΠ½ΡΡ‚Π²Ρƒ являСтся Π½Π΅ΠΏΡ€Π΅Ρ€Ρ‹Π²Π½Ρ‹ΠΉ сигнал, ΠΏΠΎΠ΄Π°Π²Π°Π΅ΠΌΡ‹ΠΉ Π½Π° Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ 2. Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ сигнал соотвСтствуСт инвСрсному Π²Ρ…ΠΎΠ΄Ρƒ установки Ρ‚Ρ€ΠΈΠ³Π³Π΅Ρ€Π° Π² Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ†Ρƒ: Ссли Π• = 1 ΠΈ, Ρ‚ΠΎ Ρ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π° Ρ‚Ρ€ΠΈΠ³Π³Π΅Ρ€Π° Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΡΠ½ΠΈΠΌΠ°Ρ‚ΡŒΡΡ Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ‡Π½Ρ‹ΠΉ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ (нСзависимо ΠΎΡ‚ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡ Π½Π° Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π΅ 2). И, Π½Π°ΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ†, самый младший ΠΏΡ€ΠΈΠΎΡ€ΠΈΡ‚Π΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΈΠ½Π°Π΄Π»Π΅ΠΆΠΈΡ‚ Π½Π΅ΠΏΡ€Π΅Ρ€Ρ‹Π²Π½ΠΎΠΌΡƒ сигналу, ΠΏΠΎΠ΄Π°Π²Π°Π΅ΠΌΠΎΠΌΡƒ Π½Π° Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ 2. Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ сигнал ΠΏΡ€ΠΈ, ΠΈ Π• = 1 обСспСчиваСт установку Ρ‚Ρ€ΠΈΠ³Π³Π΅Ρ€Π° Π² Π½ΡƒΠ»ΡŒ. Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ каскад обСспСчиваСт Ρ‚ΠΎΠΊ Π΄ΠΎ 60 мА, Ρ‡Ρ‚ΠΎ достаточно, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, для ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ элСктромагнитным Ρ€Π΅Π»Π΅.

Π’ ΠΊΠ°Ρ‡Π΅ΡΡ‚Π²Π΅ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π° рассмотрим схСму ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠ²ΠΈΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° Π½Π° Π±Π°Π·Π΅ Ρ‚Π°ΠΉΠΌΠ΅Ρ€Π° КР602Π’Π˜1 (рис.16).

Рисунок 16 — Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠ²ΠΈΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° Π½Π° Π±Π°Π·Π΅ Ρ‚Π°ΠΉΠΌΠ΅Ρ€Π° КР602Π’Π˜1 (Π°) ΠΈ Π°ΠΌΠΏΠ»ΠΈΡ‚ΡƒΠ΄Π½ΠΎ-Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹Π΅ Π΄ΠΈΠ°Π³Ρ€Π°ΠΌΠΌΡ‹ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ (Π±) Π—Π΄Π΅ΡΡŒ ΠΎΠ±Π° Π½Π΅ΠΏΡ€Π΅Ρ€Ρ‹Π²Π½Ρ‹Ρ… Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π° Ρ‚Π°ΠΉΠΌΠ΅Ρ€Π° (R ΠΈ S) ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ для контроля напряТСния Π½Π° ΠΊΠΎΠ½Π΄Π΅Π½ΡΠ°Ρ‚ΠΎΡ€Π΅ Π‘. Когда это напряТСниС достигаСт уровня, Ρ‚ΠΎ Ρ‚Ρ€ΠΈΠ³Π³Π΅Ρ€ Ρ‚Π°ΠΉΠΌΠ΅Ρ€Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ Π² ΡΠΎΡΡ‚ояниС 0. ΠŸΡ€ΠΈ этом Π½Π° ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€ΡΠ½ΠΎΠΌ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ Ρ‚Ρ€ΠΈΠ³Π³Π΅Ρ€Π° появляСтся Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ‡Π½Ρ‹ΠΉ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ, ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½ΠΈΠΉ ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²ΠΎΠΉ транзистор (рис. 16, Π°). Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π° соСдинСн со ΡΡ€Π΅Π΄Π½Π΅ΠΉ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΎΠΉ дСлитСля R1, R2, поэтому кондСнсатор Π½Π°Ρ‡ΠΈΠ½Π°Π΅Ρ‚ Ρ€Π°Π·Ρ€ΡΠΆΠ°Ρ‚ΡŒΡΡ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· рСзистор R2 ΠΈ Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½Π΅Π΅ сопротивлСниС ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°. Но ΠΊΠ°ΠΊ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ напряТСниС Π½Π° ΠΊΠΎΠ½Π΄Π΅Π½ΡΠ°Ρ‚ΠΎΡ€Π΅ снизится Π΄ΠΎ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Ρ, Ρ‚ΠΎ Π² ΡΠΎΠΎΡ‚вСтствиС с ΠΏΡ€ΠΈΠΎΡ€ΠΈΡ‚Π΅Ρ‚Π°ΠΌΠΈ сигналов, Π½Π° Ρ‚Ρ€ΠΈΠ³Π³Π΅Ρ€ подаСтся сигнал ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ Π² Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ†Ρƒ ΠΈ Π·Π°Ρ€ΡΠ΄ кондСнсатора начинаСтся снова. Частота Π³Π΅Π½Π΅Ρ€ΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Ρ… ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠΎΠ² опрСдСляСтся ΡΠΎΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ:

.

Π’Π°Ρ€ΡŒΠΈΡ€ΡƒΡ ΡΠΎΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ сопротивлСний рСзисторов R1, R2 ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Ρ€Π΅Π³ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ коэффициСнт заполнСния ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠΎΠ².

Π’Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ² составляСт ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎ 0,1 мкА, Π° Ρ‚ΠΎΠΊ ΡƒΡ‚Π΅Ρ‡ΠΊΠΈ Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π° — ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 0,1 мкА. Π’Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρ‹ этих Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ² ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‚ наибольшСС суммарноС сопротивлСниС врСмя Π·Π°Π΄Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… рСзисторов R1, R2. РСкомСндуСтся Π²Ρ‹Π±ΠΈΡ€Π°Ρ‚ΡŒ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ этого сопротивлСния ΠΈΠ· Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π° 1кОм — 1МОм. НаимСньшая возмоТная Π΄Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠ³ΠΎ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ° ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅Π½Π° быстродСйствиСм Ρ‚Π°ΠΉΠΌΠ΅Ρ€Π° ΠΈ Ρ€Π°Π²Π½Π° 6 мкс.

Π’ ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄Π½Π΅Π΅ врСмя ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ΅ распространСниС ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΠ»ΠΈ устройства гСнСрирования сигнал-стимулов Π½Π° Π±Π°Π·Π΅ ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€ΠΎΠ².

ΠŸΠΎΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚ΡŒ вСсь тСкст
Π—Π°ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒ Ρ‚Π΅ΠΊΡƒΡ‰Π΅ΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΎΠΉ