Другим типом памяти, перспективность которого тоже оценивают сегодня довольно высоко, является магниторезистивная память (Magnetic RAM, MRAM), которая также энергонезависима и имеет сравнительно высокие скоростные показатели. В качестве элементарной ячейки в устройствах MRAM применяется тонкая магнитная пленка на кремниевой подложке. MRAM — это статическая память, она не требует периодической перезаписи и при выключении питания записанная информация не теряется.
Сегодня многие специалисты называют MRAM технологией памяти следующего поколения, поскольку скоростные показатели существующих прототипов очень высоки: по данным компании IBM, время записи в MRAM не превышает 2,3 нс, что более чем в тысячу раз меньше, нежели время записи во флэш-память, и в 20 раз больше скорости обращения к FRAM. Время чтения произвольного бита не превышает 3 нс, что в 20 раз меньше, чем для DRAM, а потребляемый ток составляет около 2 мА, то есть меньше тока потребления DRAM в сто раз. Кроме того, MRAM, в отличие от SDRAM, устойчива к внешним электромагнитным воздействиям.
У MRAM есть и другое несомненное достоинство — невысокая стоимость чипов на ее основе. В отличие от флэш-памяти, которая производится по специализированному КМОП-процессу, микросхемы MRAM можно выпускать по стандартному техническому процессу, а кроме того, можно использовать материалы, применяемые в традиционных магнитных носителях, в частности в ферромагнитных пленках. В результате изготовление больших партий таких микросхем обойдется дешевле. Важным свойством MRAM-памяти является также возможность мгновенного включения, что особенно ценится в мобильных устройствах, так как значение ячейки в этом типе памяти определяется магнитным, а не электрическим зарядом, как в обычной флэш-памяти.
В разработке этого направления активно участвуют такие компании, как Infineon Technologies и IBM (последняя начала исследования в этой области еще в 70-х годах прошлого столетия). Успешную работу в области создания устройств MRAM-памяти ведет и компания NEC, инженерам которой удалось добиться заметного повышения надежности работы чипов MRAM-памяти и уменьшения их размеров. Коммерческие разработки MRAM есть и у фирмы Honeywell International. Свои средства в развитие MRAM-технологии инвестировали также такие компании, как Toshiba и Freescale Semiconductor, поэтому есть все основания полагать, что и этот тип памяти появится на рынке в качестве серийной продукции.
