ΠŸΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒ Π² написании студСнчСских Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚
АнтистрСссовый сСрвис

РасчСт систСмы управлСния

Π Π΅Ρ„Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠŸΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒ Π² Π½Π°ΠΏΠΈΡΠ°Π½ΠΈΠΈΠ£Π·Π½Π°Ρ‚ΡŒ ΡΡ‚ΠΎΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΠΌΠΎΠ΅ΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹

ΠŸΡ€ΠΈΠ½ΠΈΠΌΠ°Π΅ΠΌ ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния UR3=1B. РассчитаСм Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π» рСзистора R3: ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅ΠΌ R3=R1 ΠΈ R4=R2, Ρ‚.ΠΊ. ΠΏΡ€ΠΈ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΌ равСнствС Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΌΠΈΠ½ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ сдвиг. Π’Ρ‹Π±ΠΈΡ€Π°Π΅ΠΌ рСзисторы, Π² ΡΡ…Π΅ΠΌΠ΅ Π·Π°Π΄Π°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° (рис. 1.4.5): Π’Ρ‹Π±ΠΈΡ€Π°Π΅ΠΌ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠΉ транзистор с ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠΌ n-Ρ‚ΠΈΠΏΠ° 2n7000: Iстаб = 5мА. КОм Π’ΠΎΠ³Π΄Π° уравнСния Π΄Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ° ΠΈ ΠΏΠ°ΡƒΠ·Ρ‹ Ρ€Π°Π²Π½Ρ‹: Π’Ρ‹Π±ΠΈΡ€Π°Π΅ΠΌ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ 521БА3 со ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌΠΈ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°ΠΌΠΈ: Π’ ΠΊΠ°Ρ‡Π΅ΡΡ‚Π²Π΅… Π§ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Π΅Ρ‰Ρ‘ >

РасчСт систСмы управлСния (Ρ€Π΅Ρ„Π΅Ρ€Π°Ρ‚, курсовая, Π΄ΠΈΠΏΠ»ΠΎΠΌ, ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΡŒΠ½Π°Ρ)

РасчСт ΠΈ Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€ Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€Π°:

ΠžΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΠΌ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€Π°:

РасчСт систСмы управлСния.

.

Π³Π΄Π΅ Π‘Π²Ρ… = 140ΠΏΠ€, UΠ· = 15Π’ — максимальноС напряТСниС Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅ транзистора IRF740.

ΠžΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΠΌ врСмя Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ:

РасчСт систСмы управлСния.

.

Rз = Uз/Imax = 15/2 = 7.5 Ом.

ΠžΡ‚ΡΡŽΠ΄Π°,.

РасчСт систСмы управлСния.

.

Π’ΠΎΠ³Π΄Π° IΠ΄Ρ€ == 0,08А.

Π’ΠΎΠ³Π΄Π° IΠ΄Ρ€ == 0,08А.

Π‘Ρ‹Π» Π²Ρ‹Π±Ρ€Π°Π½ Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€ HCPL 5150, ΡƒΠ΄ΠΎΠ²Π»Π΅Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΉ трСбованиям тСхничСского задания. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€Π° с ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹ΠΌ транзистором ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½Π° Π½Π° Ρ€ΠΈΡΡƒΠ½ΠΊΠ΅ 2.2.1:

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€Π°.

Рис. 1.2.1 — Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€Π°.

РасчСт Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠ° Ρ‚ΠΎΠΊΠ°:

Π’ ΠΊΠ°Ρ‡Π΅ΡΡ‚Π²Π΅ Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠ° Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌ ΡˆΡƒΠ½Ρ‚ ШБМ 75−0,1−5А.

ΠŸΡ€ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Π½ΠΈΠΈ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π½Π΅Π³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° IΠ½=2А Π΅Π³ΠΎ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС составит:

РасчСт ΡΠΎΠ³Π»Π°ΡΡƒΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ устройства:

РасчСт ΡΠΎΠ³Π»Π°ΡΡƒΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ устройства:

Π˜ΡΡ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Π΅: UΠ²Ρ… = 50ΠΌΠ’, UΠ²Ρ‹Ρ… = 10 Π’.

РассчитаСм коэффициСнт усилСния:

РасчСт систСмы управлСния.

Π—Π°Π΄Π°Π΄ΠΈΠΌ рСзистор R2 = 10 кОм. ΠžΡ‚ΡΡŽΠ΄Π°:

R1 = R2/-Koc =50 Ом.

R3 = R1||R2=50 Ом.

Π’Ρ‹Π±ΠΈΡ€Π°Π΅ΠΌ ΠΏΡ€Π΅Ρ†ΠΈΠ·ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Π΅ рСзисторы:

R1: Π‘1−4 50 Ом;

R2: Π‘1−4 10 кОм;

R3: C1−4 50 Ом.

РассчитаСм источник ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния:

Π˜ΡΡ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Π΅: UΠ²Ρ‹Ρ…=10 Π’.

Π’Ρ‹Π±ΠΈΡ€Π°Π΅ΠΌ стабилитрон ΠΈΠ· ΡƒΡΠ»ΠΎΠ²ΠΈΡ Uстаб>UΠ²Ρ‹Ρ…, Uстаб? Π•ΠΏ. Π‘Ρ‹Π» Π²Ρ‹Π±Ρ€Π°Π½ стабилитрон КБ512А со ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌΠΈ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°ΠΌΠΈ: Uстаб = 11,5−12,5 Π’, Iстаб=3−12мА.

Π’Ρ‹Π±ΠΈΡ€Π°Π΅ΠΌ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠΉ транзистор с ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠΌ n-Ρ‚ΠΈΠΏΠ° 2n7000: Iстаб = 5мА.

Π’ΠΎΠΊ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· подстроСчный рСзистор R1 Π½Π΅ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°Ρ‚ΡŒ 10% ΠΎΡ‚ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° стабилизации. Π—Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚, Ir1 = 0.5мА.

РассчитаСм R1:

Π’Ρ‹Π±ΠΈΡ€Π°Π΅ΠΌ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ рСзистор R-0904N-A25K.

Π’ качСствС ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠ³ΠΎ усилитСля Π²Ρ‹Π±ΠΈΡ€Π°Π΅ΠΌ ОУ ΠΎΠ±Ρ‰Π΅Π³ΠΎ примСнСния LM358D. Π•Π³ΠΎ основныС ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹:

Π’ ΠΊΠ°Ρ‡Π΅ΡΡ‚Π²Π΅ ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠ³ΠΎ усилитСля Π²Ρ‹Π±ΠΈΡ€Π°Π΅ΠΌ ΠžΠ£ ΠΎΠ±Ρ‰Π΅Π³ΠΎ примСнСния LM358D. Π•Π³ΠΎ основныС ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹:

НапряТСниС питания: 3−32Π’;

Π’Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ: 50 мА;

ΠœΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ: 60 мА;

НапряТСниС смСщСния: 2 ΠΌΠ’.

РасчСт Π΄ΠΈΡ„Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ усилитСля:

Π˜ΡΡ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Π΅: U1Π²Ρ… = 10 Π’, U2Π²Ρ… = 11 Π’, UΠ²Ρ‹Ρ… = 10 Π’.

ΠŸΡ€ΠΈ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½Π°ΠΊΠΎΠ²ΠΎΠΌ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠΈ сопротивлСний.

РасчСт систСмы управлСния.

ΠΈΠΌΠ΅Π΅ΠΌ.

РасчСт систСмы управлСния.

.

Π—Π°Π΄Π°Π΄ΠΈΠΌ R2 = 10 кОм.

РассчитаСм R1 ΠΈΠ· ΡΠΎΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ:

РасчСт систСмы управлСния.

ΠžΡ‚ΡΡŽΠ΄Π° R1 = 1кОм.

ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅ΠΌ R3=R1 ΠΈ R4=R2, Ρ‚.ΠΊ. ΠΏΡ€ΠΈ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΌ равСнствС Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΌΠΈΠ½ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ сдвиг.

РасчСт ШИМ-прСобразоватСля:

РасчСт ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° ΠΈ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π°.

Π˜Π½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€:

ΠŸΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Π°Ρ схСма ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π°.

Рис. 1.4.1 — ΠŸΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Π°Ρ схСма ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π°.

ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅ΠΌ R1 = 10 кОм. ΠšΠΎΠ½Π΄Π΅Π½ΡΠ°Ρ‚ΠΎΡ€ рассчитаСм ΠΈΠ· ΡƒΡΠ»ΠΎΠ²ΠΈΡ:

Ρ„ = R1*C1 > 10TΠΏΡ€,.

Π³Π΄Π΅ TΠΏΡ€ =1/fΠΏΡ€ = 1/30 000 = 0.33 мкс.

Π‘Π»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, R1*C1 > 3.3 мкс. ΠžΡ‚ΡΡŽΠ΄Π° Π‘1 = 330 ΠΏΠ€.

ΠšΠΎΠΌΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€:

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° 521БА3.

Рис. 1.4.2 — Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° 521БА3.

Π’Ρ‹Π±ΠΈΡ€Π°Π΅ΠΌ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ 521БА3 со ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌΠΈ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°ΠΌΠΈ:

НапряТСниС источника питания ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ полярности: 16,5 Π’ Π’Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС: 30 Π’ ΠœΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ ΡΠΌΠΈΡ‚Ρ‚Π΅Ρ€ΠΎΠΌ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ свСтодиод Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€Π°:

РассчитаСм Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ рСзистор:

РасчСт систСмы управлСния.

.

Π³Π΄Π΅ UvdΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния Π½Π° ΡΠ²Π΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΈΠΎΠ΄Π΅, Ρ€Π°Π²Π½ΠΎΠ΅ 2,4 Π’;

IΠΏΡ€ — Ρ‚ΠΎΠΊ потрСблСния, Ρ€Π°Π²Π½Ρ‹ΠΉ 6 мА.

РасчСт систСмы управлСния.

Π’Ρ‹Π±ΠΈΡ€Π°Π΅ΠΌ ΠΏΡ€Π΅Ρ†ΠΈΠ·ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹ΠΉ рСзистор: Π‘1−4 RΠΎΠ³Ρ€ = 2,2 кОм.

РасчСт Π“ΠŸΠ:

Π˜ΡΡ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Π΅:

Um = 10B;

T = 1/f = 100мкс;

tΠΏΡ€ = ?*Π’= 50мкс;

tox = 50мкс;

Iн = 100нА.

Π—Π°Π΄Π°Π΄ΠΈΠΌ зарядный Ρ‚ΠΎΠΊ кондСнсатора IΠ· = 1мА. По ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌΡƒ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΈ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ Uкэ Π±Ρ‹Π» Π²Ρ‹Π±Ρ€Π°Π½ биполярный транзистор VT2: 2N4401BU.

ΠŸΡ€ΠΈΠ½ΠΈΠΌΠ°Π΅ΠΌ ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния UR3=1B. РассчитаСм Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π» рСзистора R3:

R3 = UR3/Iз = 1/0.001 = 1 кОм.

РассчитаСм Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ транзистора VT2:

Iб = Iз/в = 0.001/40 = 25 мкА.

Π—Π°Π΄Π°Π΄ΠΈΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊ дСлитСля R1, R2: IΠ΄ = 250 мкА. Учитывая, Ρ‡Ρ‚ΠΎ напряТСниС ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° Π±Π°Π·Π°-эмиттСр транзистора VT2 Ρ€Π°Π²Π½ΠΎ 0.7 Π’, ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния Π½Π° Ρ€Π΅Π·ΠΈΡΡ‚ΠΎΡ€Π΅ R1 Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎ 0.7 Π’. Π‘Π»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния Π½Π° Ρ€Π΅Π·ΠΈΡΡ‚ΠΎΡ€Π΅ R2 = 10−0,7 = 9,3 Π’.

РассчитаСм Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»Ρ‹ рСзисторов R1 ΠΈ R2:

R1 = 0.7/0.25 = 2.8 кОм;

R2 = 9.3/0.25 = 37.2 кОм.

РассчитаСм Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρƒ кондСнсатора:

Π‘ = (IΠ· Π§ tΠΏΡ€) / Umax = (0,001*0,5)/10 = 5Π½Π€.

ΠžΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΠ΅ΠΌ разрядный Ρ‚ΠΎΠΊ, ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ VT3, Π²ΠΎ Π²Ρ€Π΅ΠΌΡ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ…ΠΎΠ΄Π°:

IΡ€Π°Π·Ρ€ = {(Π‘ Π§ Umax) / tΠΎΡ…} + IΠ· = [(0,5*10)/0,5]+0,001 = 2 мА.

Π’ ΠΊΠ°Ρ‡Π΅ΡΡ‚Π²Π΅ транзистора VT3 Π±Ρ‹Π» Π²Ρ‹Π±Ρ€Π°Π½ BC556B.

РассчитываСм Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ транзистора VT1:

IΠ± = IΡ€Π°Π·Ρ€ / Π― = 0,002/125 = 16 мкА.

РассчитываСм Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρƒ рСзистора RΠ±:

РасчСт систСмы управлСния.

= (12−0,7)/0,16 = 706 кОм.

Π’Ρ‹Π±ΠΈΡ€Π°Π΅ΠΌ ΠΈΠ· ΠΏΡ€Π΅Ρ†ΠΈΠ·ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… рСзисторов Π‘1−4:

Rб = 750 кОм;

R1 = 3 кОм;

R2 = 39 кОм.

РасчСт Π·Π°Π΄Π°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π°:

Π’Ρ‹Π±ΠΈΡ€Π°Π΅ΠΌ рСзисторы, Π² ΡΡ…Π΅ΠΌΠ΅ Π·Π°Π΄Π°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° (рис. 1.4.5):

кОм Π’ΠΎΠ³Π΄Π° уравнСния Π΄Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ° ΠΈ ΠΏΠ°ΡƒΠ·Ρ‹ Ρ€Π°Π²Π½Ρ‹:

.

.

НайдСм, ΠΏΡ€Π΅Π΄Π²Π°Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π·Π°Π΄Π°Π² кОм:

РасчСт систСмы управлСния.

Π‘1== 1/(1,1*30 000*100000*1,093) = 277 ΠΏΠ€.

Из Ρ€ΡΠ΄Π° Π•12 Π²Ρ‹Π±ΠΈΡ€Π°Π΅ΠΌ = 270 ΠΏΠ€.

Π Π°Π·Π΄Π΅Π»ΠΈΠ² tΠΈΠΌ Π½Π° tΠΏ, ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΠΌ:

РасчСт систСмы управлСния.

НайдСм рСзистор :

кОм.

ΠŸΠΎΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚ΡŒ вСсь тСкст
Π—Π°ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒ Ρ‚Π΅ΠΊΡƒΡ‰Π΅ΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΎΠΉ