ΠŸΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒ Π² написании студСнчСских Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚
АнтистрСссовый сСрвис

Π Π°Π΄ΠΈΠΎΠ²Π΅Ρ‰Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΠ½ΠΈΠΊ II класса

ΠšΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΡŒΠ½Π°ΡΠŸΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒ Π² Π½Π°ΠΏΠΈΡΠ°Π½ΠΈΠΈΠ£Π·Π½Π°Ρ‚ΡŒ ΡΡ‚ΠΎΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΠΌΠΎΠ΅ΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹

УПЧ многокаскадный, с ΠΠ Π£. ΠŸΠ΅Ρ€Π²Ρ‹ΠΉ каскад Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½ Π½Π° Ρ‚ранзисторС VT1, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ ΠΏΠΎ ΡΡ…Π΅ΠΌΠ΅ с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром. Π’ ΠΊΠ°Ρ‡Π΅ΡΡ‚Π²Π΅ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ элСмСнта ΠΏΠ΅Ρ‚Π»ΠΈ АРУ выступаСт ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠΉ транзистор VT2. ΠŸΡ€ΠΈ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΈ напряТСниС Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅ этого транзистора Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½ΡΡ‚ΡŒΡΡ напряТСниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ ΠΈ ΡΠΌΠΈΡ‚Ρ‚Π΅Ρ€ΠΎΠΌ транзистора VT1, Ρ‡Π΅ΠΌ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ обСспСчСно ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π΅Π³ΠΎ ΠΊΡ€ΡƒΡ‚ΠΈΠ·Π½Ρ‹. К Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Ρƒ ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠ³ΠΎ каскада ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½… Π§ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Π΅Ρ‰Ρ‘ >

Π Π°Π΄ΠΈΠΎΠ²Π΅Ρ‰Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΠ½ΠΈΠΊ II класса (Ρ€Π΅Ρ„Π΅Ρ€Π°Ρ‚, курсовая, Π΄ΠΈΠΏΠ»ΠΎΠΌ, ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΡŒΠ½Π°Ρ)

ΠœΠ˜ΠΠ˜Π‘Π’Π•Π Π‘Π’Π’Πž ΠžΠ‘Π©Π•Π“Πž И ΠŸΠ ΠžΠ€Π•Π‘Π‘Π˜ΠžΠΠΠ›Π¬ΠΠžΠ“Πž ΠžΠ‘Π ΠΠ—ΠžΠ’ΠΠΠ˜Π― Π Π€ Π Π―Π—ΠΠΠ‘ΠšΠΠ― Π“ΠžΠ‘Π£Π”ΠΠ Π‘Π’Π’Π•ΠΠΠΠ― Π ΠΠ”Π˜ΠžΠ’Π•Π₯ΠΠ˜Π§Π•Π‘ΠšΠΠ― ΠΠšΠΠ”Π•ΠœΠ˜Π― ΠšΠ°Ρ„Π΅Π΄Ρ€Π° Π Π’Π£ ΠšΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΡŒΠ½Π°Ρ ΠΏΠΎ Π΄ΠΈΡΡ†ΠΈΠΏΠ»ΠΈΠ½Π΅

" Устройства ΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΠ° ΠΈ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ сигналов"

Π’Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΠ» студСнт Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏΡ‹ 710

Мигда А.А.

ΠŸΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΈΠ» Π”ΠΎΡ†Π΅Π½Ρ‚ ΠœΠΎΡΡ‚Ρ‹ΠΊΠΎ Π’.Π‘.

Рязань 2001 Π³.

  • Π’Π²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅
  • ВрСбования ΠΊ Ρ€Π°Π΄ΠΈΠΎΠ²Π΅Ρ‰Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ ΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΠ½ΠΈΠΊΠ°ΠΌ II класса
  • ОписаниС схСмы элСктричСской ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ
  • ЭлСктричСский расчСт УПЧ [1]
  • РасчитаСм Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ транзистора VT1
  • РасчитаСм Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ транзистора VT3
  • ВрСбования ΠΊ Π£ΠΠ§ ΠΈ ΠΈΡΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊΡƒ питания
  • ОписаниС конструкции Ρ€Π°Π΄ΠΈΠΎΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΠ½ΠΈΠΊΠ°
  • Π—Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅
  • Бписок использованной Π»ΠΈΡ‚Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹

Π’Π°ΠΆΠ½Π΅ΠΉΡˆΠΈΠΌ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ элСмСнтом радиотСхничСских систСм являСтся Ρ€Π°Π΄ΠΈΠΎΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΠ½ΠΎΠ΅ устройство, способноС Π²ΠΎΡΠΏΡ€ΠΈΠ½ΠΈΠΌΠ°Ρ‚ΡŒ слабыС радиосигналы ΠΈ ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΈΡ… ΠΊ Π²ΠΈΠ΄Ρƒ, ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰Π΅ΠΌΡƒ использованиС содСрТащСйся Π² Π½ΠΈΡ… ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΠΈ. Π’ ΡΠΎΡΡ‚Π°Π² Ρ€Π°Π΄ΠΈΠΎΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ устройства входят собствСнно Ρ€Π°Π΄ΠΈΠΎΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΠ½ΠΈΠΊ, Π°Π½Ρ‚Π΅Π½Π½Π° ΠΈ ΠΎΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½ΠΎΠ΅ устройство. АнтСнна воспринимаСт ΡΠ½Π΅Ρ€Π³ΠΈΡŽ элСктромагнитного поля ΠΈ ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΡƒΠ΅Ρ‚ Π΅Π΅ Π² Ρ€Π°Π΄ΠΈΠΎΡ‡Π°ΡΡ‚ΠΎΡ‚Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС. ΠŸΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΠ½ΠΈΠΊ выдСляСт ΠΈΠ· ΡΠΏΠ΅ΠΊΡ‚Ρ€Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… ΠΊΠΎΠ»Π΅Π±Π°Π½ΠΈΠΉ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π·Π½Ρ‹Π΅ сигналы; усиливаСт ΠΈΡ… Π·Π° ΡΡ‡Π΅Ρ‚ энСргии мСстного источника питания; осущСствляСт ΠΎΠ±Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΡƒ, ослабляя дСйствиС ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ…, ΠΏΡ€ΠΈΡΡƒΡ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… Π²ΠΎ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π΅Π±Π°Π½ΠΈΠΈ; Π΄Π΅Ρ‚Π΅ΠΊΡ‚ΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚ радиочастотныС сигналы, формируя колСбания, ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Π²Π°Π΅ΠΌΠΎΠΌΡƒ ΡΠΎΠΎΠ±Ρ‰Π΅Π½ΠΈΡŽ. Π’ ΠΎΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½ΠΎΠΌ устройствС энСргия выдСляСмых сигналов ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ для получСния Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠ³ΠΎ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ эффСкта.

Π‘Ρ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ‚ΡƒΡ€Π° ΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΠ½ΠΈΠΊΠ° ΠΈ Π΅Π³ΠΎ основныС Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΈ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ условиями ΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΠ° сигналов. ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ ΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΠ½ΠΈΠΊ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°Ρ‚ΡŒ ΡΠΏΠΎΡΠΎΠ±Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π·Π½Ρ‹Π΅ сигналы ΠΎΡ‚ ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ… ΠΏΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ·Π½Π°ΠΊΠ°ΠΌ, присущим сигналам. Π­Ρ‚ΠΎ свойство называСтся ΡΠ΅Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΈΠ»ΠΈ ΠΈΠ·Π±ΠΈΡ€Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ. Π Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π°ΡŽΡ‚ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ Π²ΠΈΠ΄Ρ‹ сСлСктивности: частотная, пространствСнная, поляризационная, амплитудная ΠΈ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Π°Ρ.

ΠšΠ»Π°ΡΡΠΈΡ„ΠΈΠΊΠ°Ρ†ΠΈΡŽ ΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΠ½ΠΈΠΊΠΎΠ² ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎ Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹ΠΌ ΠΏΡ€ΠΈΠ·Π½Π°ΠΊΠ°ΠΌ, ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΌ ΠΈΡ… Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΈΠΊΠΎ-эксплуатационныС характСристики. По Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌΡƒ Π½Π°Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΡŽ ΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΠ½ΠΈΠΊΠΈ дСлят Π½Π° ΠΏΡ€ΠΎΡ„Π΅ΡΡΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ ΠΈ Π²Π΅Ρ‰Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ (Π±Ρ‹Ρ‚ΠΎΠ²Ρ‹Π΅). К ΠΏΡ€ΠΎΡ„Π΅ΡΡΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ относят ΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΠ½ΠΈΠΊΠΈ связныС, радиоастрономичСскиС, Ρ€Π°Π΄ΠΈΠΎΠ»ΠΎΠΊΠ°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Π΅, Ρ€Π°Π΄ΠΈΠΎΠ½Π°Π²ΠΈΠ³Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Π΅ ΠΈ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠ΅. Π’Π΅Ρ‰Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ ΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΠ½ΠΈΠΊΠΈ ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ ΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌ ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌ Π·Π²ΡƒΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ ΠΈ Ρ‚Π΅Π»Π΅Π²ΠΈΠ·ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠ³ΠΎ вСщания. Π­Ρ‚ΠΎ самыС массовыС радиотСхничСскиС устройства. Π’ ΡΠ²ΡΠ·ΠΈ с ΡΡ‚ΠΈΠΌ имССтся постоянная Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ Π² Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ΅ ΠΈ ΡΠΎΠ²Π΅Ρ€ΡˆΠ΅Π½ΡΡ‚Π²ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠΈ этого Π²ΠΈΠ΄Π° Ρ€Π°Π΄ΠΈΠΎΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΠ½Ρ‹Ρ… устройств.

ВрСбования ΠΊ Ρ€Π°Π΄ΠΈΠΎΠ²Π΅Ρ‰Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ ΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΠ½ΠΈΠΊΠ°ΠΌ II класса

ΠŸΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ΅ Ρ€Π°Π΄ΠΈΠΎΠ²Π΅Ρ‰Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΠ½ΠΈΠΊΠ° Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ основных ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ², ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΈΠ·Π»ΠΎΠΆΠ΅Π½Ρ‹ Π² Π“ΠžΠ‘Π’Π΅ 5651−86. ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ для II класса:

1) Π”ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Ρ‹ ΠΏΡ€ΠΈΠ½ΠΈΠΌΠ°Π΅ΠΌΡ‹Ρ… Π²ΠΎΠ»Π½:

Π°) Π”Π’ — 150,0−408,0 ΠΊΠ“Ρ† (2000,0−735,3 ΠΌ);

Π±) Π‘Π’ — 525,0−1605,0 ΠΊΠ“Ρ† (571,4−186,9 ΠΌ);

Π²) Π£ΠšΠ’ — 65,8−73,0 ΠœΠ“Ρ† (4,56−4,11 ΠΌ);

2) ΠŸΡ€ΠΎΠΌΠ΅ΠΆΡƒΡ‚ΠΎΡ‡Π½Π°Ρ частота:

Π°) Π”Π’, Π‘Π’ — 4652 ΠΊΠ“Ρ†;

Π±) Π£ΠšΠ’ — 10,70,1 ΠœΠ“Ρ†;

3) Π§ΡƒΠ²ΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠΈ сигнал/ΡˆΡƒΠΌ 20 Π΄Π‘ Π΄Π»Ρ

Π£ΠšΠ’ ΠΈ 26 Π΄Π‘ Π΄Π»Ρ Π”Π’ ΠΈ Π‘Π’:

Π°) со Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π° внСшнСй Π°Π½Ρ‚Π΅Π½Π½Ρ‹

Π”Π’, Π‘Π’ — 150 ΠΌΠΊΠ’,

Π£ΠšΠ’ — 20 ΠΌΠΊΠ’;

Π±) с Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½Π΅ΠΉ ΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚Π½ΠΎΠΉ Π°Π½Ρ‚Π΅Π½Π½Ρ‹

Π”Π’ — 2,0 ΠΌΠ’/ΠΌ,

Π‘Π’ — 1,0 ΠΌΠ’/ΠΌ;

1) Π‘Π΅Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎ ΡΠΎΡΠ΅Π΄Π½Π΅ΠΌΡƒ ΠΊΠ°Π½Π°Π»Ρƒ Π² Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π°

Π”Π’ ΠΈ Π‘Π’ Π½Π΅ ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅ 34 Π΄Π‘;

2) Π¨ΠΈΡ€ΠΈΠ½Π° полосы пропускания Ρ‚Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π° Π£ΠšΠ’

120 — 180 ΠΊΠ“Ρ†;

3) ОслаблСниС сигнала ΠΏΠΎ Π·Π΅Ρ€ΠΊΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌΡƒ ΠΊΠ°Π½Π°Π»Ρƒ

Π°) Π”Π’ — 40 Π΄Π‘;

Π±) Π‘Π’ — 26 Π΄Π‘;

Π²) Π£ΠšΠ’ — 22 Π΄Π‘;

4) ДСйствиС АРУ Π² Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π°Ρ… Π”Π’ ΠΈ Π‘Π’

Π°) ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ ΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΠ½ΠΈΠΊΠ° 26 Π΄Π‘;

Π±) ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π΅ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ ΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΠ½ΠΈΠΊΠ° 10 Π΄Π‘.

ОписаниС структурной схСмы Ρ€Π°Π΄ΠΈΠΎΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΠ½ΠΈΠΊΠ°.

ΠžΠ±Ρ‰Π°Ρ структурная схСма ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½Π° Π½Π° Ρ€ΠΈΡ 1.

ΠŸΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΠ½ΠΈΠΊ состоит ΠΈΠ· Ρ‡Π΅Ρ‚Ρ‹Ρ€Π΅Ρ… Π±Π»ΠΎΠΊΠΎΠ²:

5) Ρ‚Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π° Π§Πœ;

6) Ρ‚Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π° ΠΠœ;

7) усилитСля Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠΉ частоты;

8) источника питания.

Рис. 1 Бтруктурная схСма Ρ€Π°Π΄ΠΈΠΎΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΠ½ΠΈΠΊΠ°

Π’ Ρ‚Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅ ΠΠœ происходит ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ сигналов Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½ΠΎΠ² Π΄Π»ΠΈΠ½Π½Ρ‹Ρ… ΠΈ ΡΡ€Π΅Π΄Π½ΠΈΡ… Π²ΠΎΠ»Π½. Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ Ρ‚Ρ€Π°ΠΊΡ‚ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ ΠΠœ. ΠŸΡ€ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΠ΅ сигналов Π² Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π΅ Π£ΠšΠ’ ΠΊ ΠΈΡΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊΡƒ питания Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠΎΠ² Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ «ΠΠœ-ЧМ» ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ Ρ‚Ρ€Π°ΠΊΡ‚ Π§Πœ. Π‘ΠΈΠ³Π½Π°Π»Ρ‹ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠΉ частоты с ΠΎΠ±ΠΎΠΈΡ… Ρ‚Ρ€Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠ² Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· сумматор ΠΏΠΎΠ΄Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄ усилитСля Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠΉ частоты, ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΈ Π²ΠΎΡΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΡΡ‚ся Π³Ρ€ΠΎΠΌΠΊΠΎΠ³ΠΎΠ²ΠΎΡ€ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΌ. Для питания ΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΠ½ΠΈΠΊΠ° ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ источник питания.

ОписаниС схСмы элСктричСской ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ

Π’Ρ€Π°ΠΊΡ‚ Π§Πœ Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½ Π½Π° ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΡΡ…Π΅ΠΌΠ°Ρ… К174Π₯А15 ΠΈ Πš174Π₯А6 [6], ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‚ΡΡ Π² ΠΏΡ€ΠΎΠΌΡ‹ΡˆΠ»Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ Π°ΠΏΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π΅ всСх ΠΊΠ°Ρ‚Π΅Π³ΠΎΡ€ΠΈΠΉ слоТности Π΄ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠΉ. К174Π₯А15 Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ Π² ΡΠ΅Π±Ρ Π£Π Π§, Π³Π΅Ρ‚Π΅Ρ€ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ ΠΈ ΡΠΌΠ΅ΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ. К174Π₯А6 — УПЧ, ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ сигнала, частотный Π΄Π΅Ρ‚Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€, схСму АПЧ ΠΈ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ напряТСниС настройки Ρ€Π°Π΄ΠΈΠΎΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΠ½ΠΈΠΊΠ° Π’ Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΌ курсовом ΠΏΡ€ΠΎΠ΅ΠΊΡ‚Π΅ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½Ρ‹ Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ²Ρ‹Π΅ схСмы Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ этих микросхСм.

Π’Ρ€Π°ΠΊΡ‚ ΠΠœ состоит ΠΈΠ· Π£Π Π§, смСситСля с Π³Π΅Ρ‚Π΅Ρ€ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ΠΎΠΌ, усилитСля ΠΏΡ€ΠΎΠΌΠ΅ΠΆΡƒΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠΉ частоты ΠΈ Π°ΠΌΠΏΠ»ΠΈΡ‚ΡƒΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π΄Π΅Ρ‚Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°. Π£Π Π§ Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½ Π½Π° Π±ΠΈΠΏΠΎΠ»ΡΡ€Π½ΠΎΠΌ транзисторС, располоТСнном Π½Π° ΠΊΡ€ΠΈΡΡ‚Π°Π»Π»Π΅ микросхСмы К157Π₯А1А. Для построСния смСситСля ΠΈ Π³Π΅Ρ‚Π΅Ρ€ΠΎΠ΄ΠΈΠ½Π° ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Π½Ρ‹ элСмСнты этой ΠΆΠ΅ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ схСмы. Из-Π·Π° Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Ρ€Π°ΠΊΡ‚ обСспСчиваСт ΠΎΠ±Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΡƒ сигналов Π΄Π²ΡƒΡ… Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½ΠΎΠ² Π²ΠΎΠ»Π½ Π² ΡΡ…Π΅ΠΌΠ΅ ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ΡΡ Π΄Π²Π° Π°Π½Ρ‚Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΈ Π΄Π²Π° Π³Π΅Ρ‚Π΅Ρ€ΠΎΠ΄ΠΈΠ½Π½Ρ‹Ρ… ΠΊΠΎΠ½Ρ‚ΡƒΡ€Π°, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Π² Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΠΈ ΠΎΡ‚ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π°. Для ΡƒΠ»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΠ½ΠΈΠΊΠ° Π²Π±Π»ΠΈΠ·ΠΈ Ρ€Π°Π΄ΠΈΠΎΠ²Π΅Ρ‰Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… станций (Ρ‚ΠΎ Π΅ΡΡ‚ΡŒ Π² ΡƒΡΠ»ΠΎΠ²ΠΈΡΡ… сильного сигнала) каскад Π£Π Π§ ΠΎΡ…Π²Π°Ρ‡Π΅Π½ ΠΏΠ΅Ρ‚Π»Π΅ΠΉ автоматичСской Ρ€Π΅Π³ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠΈ усилСния (АРУ). К Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌΡƒ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚ΡƒΡ€Ρƒ смСситСля ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ Π΄Π΅Ρ‚Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ с ΡƒΠ΄Π²ΠΎΠ΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ напряТСния, Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ Π½Π° Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π°Ρ… VD9 ΠΈ VD10, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΡƒΠ΅Ρ‚ высокочастотноС напряТСниС ΠΏΡ€ΠΎΠΌΠ΅ΠΆΡƒΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠΉ частоты Π² ΠΏΠΎΡΡ‚оянноС. Π­Ρ‚ΠΎ постоянноС напряТСниС прикладываСтся ΠΊ Π±Π°Π·Π΅ транзистора Π£Π Π§ мСняя Ρ‚Π΅ΠΌ самым Π΅Π³ΠΎ ΠΊΡ€ΡƒΡ‚ΠΈΠ·Π½Ρƒ.

УПЧ многокаскадный, с ΠΠ Π£. ΠŸΠ΅Ρ€Π²Ρ‹ΠΉ каскад Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½ Π½Π° Ρ‚ранзисторС VT1, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ ΠΏΠΎ ΡΡ…Π΅ΠΌΠ΅ с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром. Π’ ΠΊΠ°Ρ‡Π΅ΡΡ‚Π²Π΅ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ элСмСнта ΠΏΠ΅Ρ‚Π»ΠΈ АРУ выступаСт ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠΉ транзистор VT2. ΠŸΡ€ΠΈ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΈ напряТСниС Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅ этого транзистора Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½ΡΡ‚ΡŒΡΡ напряТСниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ ΠΈ ΡΠΌΠΈΡ‚Ρ‚Π΅Ρ€ΠΎΠΌ транзистора VT1, Ρ‡Π΅ΠΌ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ обСспСчСно ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π΅Π³ΠΎ ΠΊΡ€ΡƒΡ‚ΠΈΠ·Π½Ρ‹. К Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Ρƒ ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠ³ΠΎ каскада ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ ΠΏΡŒΠ΅Π·ΠΎΡ„ΠΈΠ»ΡŒΡ‚Ρ€ Z1. ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ³ΠΎ Ρ„ΠΈΠ»ΡŒΡ‚Ρ€Π° обусловлСно Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ достиТСния Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠΈΡ… частотных характСристик УПЧ. Π’Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ каскад Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·ΠΎΠ²Π°Π½ Π½Π° Ρ‚ранзисторС VT3. ΠœΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π²Ρ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΌ каскадом ΠΈ ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄Π½ΠΈΠΌ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ эмиттСрный ΠΏΠΎΠ²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ Π½Π° VT4. Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ транзистором УПЧ являСтся VT5, ΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Ρƒ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚ΡƒΡ€ L25C46.

Π”ΠΈΠΎΠ΄ VD8 выполняСт Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΈ Π°ΠΌΠΏΠ»ΠΈΡ‚ΡƒΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π΄Π΅Ρ‚Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΈ Π΄Π΅Ρ‚Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° АРУ. РСзистор R46 обСспСчиваСт ΠΏΡ€ΠΈΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Π²Π°Π½ΠΈΠ΅ этого Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π°.

Π’ ΡΡ…Π΅ΠΌΠ΅ Ρ€Π°Π΄ΠΈΠΎΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΠ½ΠΈΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½Π° элСктронная настройка, осущСствляСмая ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹ΠΌΠΈ рСзисторами R25 (АМ) ΠΈ R1 (ЧМ).

Для сопряТСния настроСк Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… ΠΈ Π³Π΅Ρ‚Π΅Ρ€ΠΎΠ΄ΠΈΠ½Π½Ρ‹Ρ… ΠΊΠΎΠ½Ρ‚ΡƒΡ€ΠΎΠ² ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ подстроСчныС сопротивлСния R9-R12, R27 ΠΈ R28. Π’ ΠΊΠ°Ρ‡Π΅ΡΡ‚Π²Π΅ ΠΈΠ½Π΄ΠΈΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΡ€Π° Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠΉ настройки Π½Π° Ρ€Π°Π΄ΠΈΠΎΡΡ‚Π°Π½Ρ†ΠΈΡŽ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ ΠΌΠΈΠ»Π»ΠΈΠ²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ U1.

Π’ Ρ‚Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅ ΠΠœ Π²Π²Π΅Π΄Π΅Π½ Π΅Ρ‰Π΅ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ Ρ€Π΅Π³ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΎΡ‡Π½Ρ‹ΠΉ элСмСнт — ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠΎΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ R35. Π‘ ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ Π½Π΅Π³ΠΎ производится установка Π·Π°Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΊΠΈ АРУ. ΠΠ΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ Π² Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ Ρ€Π΅Π³ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠ΅ обусловлСна большим разбросом напряТСния отсСчки ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора VT2.

ЭлСктричСский расчСт УПЧ [1]

ΠžΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠ³ΠΎ усилСния Π΄ΠΎ Π΄Π΅Ρ‚Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°: Π°ΠΌΠΏΠ»ΠΈΡ‚ΡƒΠ΄Π° напряТСния Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠ³ΠΎ каскада

UmΠ²Ρ…=Π•hΠ΄Qэm, ΠΌΠ’

Π³Π΄Π΅ Π•=1,0 ΠΌΠ’/ΠΌ — Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ поля Π² Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΠ°;

hΠ΄=1,0 см — Π΄Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰Π°Ρ высота Π°Π½Ρ‚Π΅Π½Π½Ρ‹;

Qэ=200 — эквивалСнтная Π΄ΠΎΠ±Ρ€ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ;

m=0,25 — коэффициСнт Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π° транзистора Π£Π Π§ Π² ΠΊΠΎΠ½Ρ‚ΡƒΡ€ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ.

Π²Π΅Ρ‰Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΠ½ΠΈΠΊ Π±Ρ‹Ρ‚ΠΎΠ²ΠΎΠΉ сигнал

UmΠ²Ρ…=0,001*0,01*200*0,25=500 ΠΌΠΊΠ’.

Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠ΅ усилСниС Π΄ΠΎ Π΄Π΅Ρ‚Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°

K= UΠ΄Π²Ρ… / (2 *UmΠ²Ρ…)

Π³Π΄Π΅ UΠ΄Π²Ρ…=1 Π’ — Π°ΠΌΠΏΠ»ΠΈΡ‚ΡƒΠ΄Π° напряТСния Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ Π΄Π΅Ρ‚Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°;

K=1,7/ (2* 5*10-4) =2404.

ΠŸΡ€Π΅Π΄Π²Π°Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ расчСт каскадов УПЧ.

ЗадаСмся напряТСниСм Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ УПЧ UΠ²Ρ…=0,2 ΠΌΠ’. Π’ΠΎΠ³Π΄Π° коэффициСнт ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ каскадов Π΄ΠΎ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π° УПЧ:

К*=UΠ²Ρ…/UmΠ²Ρ…=0,2/0,5=0,4.

ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ усилСния УПЧ: ΠšΡƒΠΏΡ‡=UΠ΄Π²Ρ…/UΠ²Ρ…= 1,7/2/0,0002=6010.

Число каскадов УПЧ — 3 (ΠΏΡ€ΠΈ коэффициСнтС усилСния ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠ³ΠΎ каскада К=18).

РасчитаСм Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ транзистора VT1

ЗадаСмся Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° IΠΊ1=0,3 мА. ΠŸΡ€ΠΈ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΌ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° обСспСчиваСтся ΠΌΠΈΠ½ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ коэффициСнт ΡˆΡƒΠΌΠ°.

ΠšΡ€ΡƒΡ‚ΠΈΠ·Π½Π° транзистора 2Π’3102Π“ ΠΏΡ€ΠΈ этом Ρ‚ΠΎΠΊΠ΅ S1=7мА/Π’. ΠŸΡƒΡΡ‚ΡŒ коэффициСнт усилСния ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠ³ΠΎ каскада К1=10. ΠžΡ‚ΡΡŽΠ΄Π°

R2=К1/S1=10/0,007=1428 Ом (стандартноС Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ 1,6 кОм).

Π‘ΠΎΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ R13 выбираСтся исходя ΠΈΠ· ΡƒΡΠ»ΠΎΠ²ΠΈΡ ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΠ³ΠΎ запирания транзистора VT2, Ρ‚ΠΎ Π΅ΡΡ‚ΡŒ UR13=Uотс =2 Π’.

R13=Uотс/IΠΊ1=2/0,0002=6666 Ом (стандартноС Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ 6,8 кОм).

Π’ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹ транзистора VT1:

Iб1=Iк1/=0,0002/100=2 мкА (=100).

Π’ΠΎΠΊ дСлитСля R8R12 IR8R12>IΠ±1. IR8R1220 мкА.

R8+R12=UК/ IR8R12=9/0,2=450000 Ом.

UR12=UR13+Uбэ1=2+0,7=2,7 Π’.

R12=UR13/ IR8R12=2,7/0,2=135000 Ом

(стандартноС Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ 150 кОм).

РасчитаСм Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ транзистора VT3

ЗадаСмся Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° IΠΊ3=0,6 мА. Π‘ΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰Π°Ρ этому Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΡŽ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΡ€ΡƒΡ‚ΠΈΠ·Π½Π° транзистора S2=12 мА/Π’. ΠŸΡƒΡΡ‚ΡŒ коэффициСнт усилСния Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ каскада УПЧ К2=35.

R4=K2/S1=35/0,012=2917 Ом (стандартноС Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ 3 кОм).

Каскад Π½Π° Ρ‚ранзисторС VT4 прСдставляСт собой эмиттСрный ΠΏΠΎΠ²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ с ΠΊΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ΠΎΠΌ усилСния К31.

Каскад Π½Π° Ρ‚ранзисторС VT5Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ усилСниС К5=ΠšΡƒΠΏΡ‡/К1/К2/К3=6010/10/35/117.

Π’Ρ‹Π±Π΅Ρ€Π΅ΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° VT5 IΠΊ5=1,0 мА. ΠšΡ€ΡƒΡ‚ΠΈΠ·Π½Π° транзистора ΠΏΡ€ΠΈ этом Ρ‚ΠΎΠΊΠ΅ S5=1,4 мА/Π’.

Π­ΠΊΠ²ΠΈΠ²Π°Π»Π΅Π½Ρ‚Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС ΠΊΠΎΠ½Ρ‚ΡƒΡ€Π°:

RΠΎΠ΅=К5/S5=17/0,0014=12 142 Ом.

ΠŸΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ ΠΊΠΎΠ»Π΅Π±Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚ΡƒΡ€Π°:

Eсли Π‘4=510, Ρ‚ΠΎΠ³Π΄Π° L1=1/ ((2*fΠΏΡ€) 2*Π‘) =

1/ ((2*3,14*465*103) 2*510*10-12=227 ΠΌΠΊΠ“Π½.

Π’ΠΎΠ»Π½ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ сопротивлСниС ΠΊΠΎΠ½Ρ‚ΡƒΡ€Π°

=L/C=227/ (510*10-6) =667 Ом.

Π”ΠΎΠ±Ρ€ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚ΡƒΡ€Π° Q=RΠΎΠ΅/=12 142/667=18

Полоса пропускания каскада f=fΠΏΡ€/Q=465 000/18=25,8 ΠΊΠ“Ρ† (<15 ΠΊΠ“Ρ†).

Π‘ΠΎΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ R9 устанавливаСтся ΠΏΡ€ΠΈ QΡ€Π΅Π°Π»ΡŒΠ½>18 (для Ρ€Π°ΡΡˆΠΈΡ€Π΅Π½ΠΈΡ полосы пропускания Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ каскада УПЧ).

ΠžΠΊΠΎΠ½Ρ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ расчСт ΠΈ ΠΏΠΎΠ΄Π±ΠΎΡ€ элСмСнтов производился Π² Π‘АПРС OrCad 9.1.

ВрСбования ΠΊ Π£ΠΠ§ ΠΈ ΠΈΡΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊΡƒ питания

Π’Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ Ρ€Π°Π΄ΠΈΠΎΠΏΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠΊ II класса, Π² Π½Π΅ΠΌ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ УНЧ с Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΠΈΠΌΠΈ характСристиками: достаточно ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΈΠΌ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½ΠΎΠΌ усиливаСмых частот, Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ измСнСния Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡ‹ частотной характСристики (рСгуляторы Ρ‚Π΅ΠΌΠ±Ρ€Π°), Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΌ коэффициСнтом Π½Π΅Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½Ρ‹Ρ… искаТСний ΠΈ Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΠΎΠΉ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ.

Π˜ΡΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊ питания Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ Π²Ρ‹Π΄Π°Π²Π°Ρ‚ΡŒ постоянныС стабилизированныС напряТСния для Ρ‚Ρ€Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠ² ΠΠœ ΠΈ Π§Πœ (9 ΠΈ 36 Π’), Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π½Π° Π£ΠΠ§. Π’ ΠΊΠ°Ρ‡Π΅ΡΡ‚Π²Π΅ ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ источника питания (ПИП) ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ ΡΠ΅Ρ‚ΡŒ 220 Π’, батарСя ΠΈΠ· Π³Π°Π»ΡŒΠ²Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΈΡ… элСмСнтов ΠΈΠ»ΠΈ аккумуляторная батарСя. Если Π² ΠΊΠ°Ρ‡Π΅ΡΡ‚Π²Π΅ ПИП Π²Ρ‹Π±Ρ€Π°Π½ аккумулятор, Ρ‚ΠΎ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Π° Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ прСдусмотрСна Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π΅Π³ΠΎ заряда.

ОписаниС конструкции Ρ€Π°Π΄ΠΈΠΎΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΠ½ΠΈΠΊΠ°

Π­Π»Π΅ΠΌΠ΅Π½Ρ‚Ρ‹ ΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΠ½ΠΈΠΊΠ° Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ‰Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Π½Π° ΠΏΠ΅Ρ‡Π΅Ρ‚Π½ΠΎΠΉ ΠΏΠ»Π°Ρ‚Π΅ ΠΈΠ· Ρ„ΠΎΠ»ΡŒΠ³ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ стСклотСкстолита. Π’Π·Π°ΠΈΠΌΠ½ΠΎΠ΅ располоТСниС каскадов Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½ΠΎ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠΌ Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΌΠΈΠ½ΠΈΠΌΡƒΠΌ ΠΏΠ°Ρ€Π°Π·ΠΈΡ‚Π½Ρ‹Ρ… связСй, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€ «Π² Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠΊΡƒ». ΠšΠΎΠ»Π΅Π±Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚ΡƒΡ€Π° ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ‰Π΅Π½Ρ‹ Π² ΡΠΊΡ€Π°Π½Ρ‹. Для ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ устойчивости ΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΠ½ΠΈΠΊΠ° ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ каскадами ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡƒΡΡ‚Π°Π½ΠΎΠ²ΠΈΡ‚ΡŒ ΡΠΊΡ€Π°Π½ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π³ΠΎΡ€ΠΎΠ΄ΠΊΠΈ. Над ΠΏΠ΅Ρ‡Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ ΠΏΠ»Π°Ρ‚ΠΎΠΉ со ΡΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ½Ρ‹ ΠΏΠ°ΠΉΠΊΠΈ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ Π·Π°ΠΊΡ€Π΅ΠΏΠΈΡ‚ΡŒ лист ΠΌΠ΅Π΄Π½ΠΎΠΉ Ρ„ΠΎΠ»ΡŒΠ³ΠΈ.

ΠŸΠ΅Ρ‡Π°Ρ‚Π½Π°Ρ ΠΏΠ»Π°Ρ‚Π° с ΡΠ»Π΅ΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°ΠΌΠΈ установлСна Π² ΠΊΠΎΡ€ΠΏΡƒΡΠ΅ ΠΈΠ· ΡƒΠ΄Π°Ρ€ΠΎΠΏΡ€ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π°. На Π±ΠΎΠΊΠΎΠ²Ρ‹Π΅ стСнки корпуса Π²Ρ‹Π²Π΅Π΄Π΅Π½Ρ‹ Ρ€ΡƒΡ‡ΠΊΠΈ настройки, громкости, Ρ€Π°Π·ΡŠΠ΅ΠΌΡ‹ ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΠΈ. Для удобства пользования Ρ€Π°Π΄ΠΈΠΎΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΠ½ΠΈΠΊΠΎΠΌ Π½Π° ΠΊΠΎΡ€ΠΏΡƒΡΠ΅ прСдусмотрСна Ρ€ΡƒΡ‡ΠΊΠ° для пСрСноски.

Π—Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅

Π’ Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΌ курсовом ΠΏΡ€ΠΎΠ΅ΠΊΡ‚Π΅ Π±Ρ‹Π» Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π½ ΠΈ ΠΎΠΏΠΈΡΠ°Π½ Ρ€Π°Π΄ΠΈΠΎΠ²Π΅Ρ‰Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΠ½ΠΈΠΊ. К Π΅Π³ΠΎ достоинствам относится ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠ°Ρ Ρ€Π°ΡΠΏΡ€ΠΎΡΡ‚Ρ€Π°Π½Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… элСмСнтов, Ρ‡Ρ‚ΠΎ сниТаСт Π΅Π³ΠΎ ΡΠ΅Π±Π΅ΡΡ‚ΠΎΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ°Π΅Ρ‚ Ρ€Π΅ΠΌΠΎΠ½Ρ‚ΠΎΠΏΡ€ΠΈΠ³ΠΎΠ΄Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ. ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ элСктронной настройки ΠΈ ΠΎΡ‚ΠΊΠ°Π· ΠΎΡ‚ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΡΡ‚Ρ€ΠΎΠΉΠΊΠΈ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚ΡƒΡ€ΠΎΠ² с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ кондСнсаторов ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠΉ Смкости Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ сниТаСт ΡΡ‚ΠΎΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ изготовлСния ΠΈ, ΠΊΡ€ΠΎΠΌΠ΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ°Π΅Ρ‚ Π½Π°Π΄Π΅ΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ. ЭлСктронная настройка Π΄Π°Π΅Ρ‚ Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΈ дальнСйшСм ΡƒΡΠΎΠ²Π΅Ρ€ΡˆΠ΅Π½ΡΡ‚Π²ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΠ½ΠΈΠΊΠ° использования синтСзатора частот.

1. Π•ΠΊΠΈΠΌΠΎΠ² Π’. Π”. ΠΈ Π΄Ρ€. ΠŸΡ€ΠΎΠ΅ΠΊΡ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ Ρ€Π°Π΄ΠΈΠΎΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΠ½Ρ‹Ρ… устройств. М., Бвязь, 1970.

2. Π Π°Π΄ΠΈΠΎΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΠ½Ρ‹Π΅ устройства. / ΠΏΠΎΠ΄ Ρ€Π΅Π΄. Π‘ΠΈΡ„ΠΎΡ€ΠΎΠ²Π° Π’. И. М., БовСтскоС Ρ€Π°Π΄ΠΈΠΎ, 1974.

3. Π“ΠΎΡ€ΡˆΠ΅Π»Π΅Π² Π’. Π”. ΠΈ Π΄Ρ€. ΠžΡΠ½Π²Ρ‹ проСктирования Ρ€Π°Π΄ΠΈΠΎΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΠ½ΠΈΠΊΠΎΠ². Π›., ЭнСргия, 1977.

4. Π©ΡƒΡ†ΠΊΠΎΠΉ К. А. ВранзисторныС усилитСли высокой частоты М., ЭнСргия, 1967.

5. Π‘Ρ€Π΅ΠΆΠ½Π΅Π²Π° К. М. ΠΈ Π΄Ρ€. Вранзисторы для Π°ΠΏΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ³ΠΎ приминСния. Π‘ΠΏΡ€Π°Π²ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊ. М., Π Π°Π΄ΠΈΠΎ ΠΈ ΡΠ²ΡΠ·ΡŒ, 1981.

6. АтаСв Π”. И. ΠΈ Π΄Ρ€. АналоговыС ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ микросхСмы для Π±Ρ‹Ρ‚ΠΎΠ²ΠΎΠΉ Ρ€Π°Π΄ΠΈΠΎΠ°ΠΏΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹. Π‘ΠΏΡ€Π°Π²ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊ. М., МЭИ, 1991.

7. Π•ΠΊΠΈΠΌΠΎΠ² Π’. Π”. РасчСт ΠΈ ΠΊΠΎΠ½ΡΡ‚Ρ€ΡƒΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ транзисторных Ρ€Π°Π΄ΠΈΠΎΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΠ½ΠΈΠΊΠΎΠ². М., Бвязь, 1972.

8. ΠœΡƒΠ·Ρ‹ΠΊΠ° Π—. Н. ΠΈ Π΄Ρ€. РасчСт высокочастотных каскадов Ρ€Π°Π΄ΠΈΠΎΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΠ½Ρ‹Ρ… устройств Π½Π° Ρ‚ранзисторах. М., ЭнСргия, 1975.

9. Π‘Π°Π½ΠΊ М. Π£. ΠŸΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ Π±Ρ‹Ρ‚ΠΎΠ²ΠΎΠΉ ΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΠ½ΠΎ-ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ Π°ΠΏΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ ΠΈ ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄Ρ‹ ΠΈΡ… ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½ΠΈΡ. М., Π Π°Π΄ΠΈΠΎ ΠΈ ΡΠ²ΡΠ·ΡŒ, 1982

10. АксСнов А. И. ΠΈ Π΄Ρ€. Π­Π»Π΅ΠΌΠ΅Π½Ρ‚Ρ‹ схСм Π±Ρ‹Ρ‚ΠΎΠ²ΠΎΠΉ Π°ΠΏΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹. Π”ΠΈΠΎΠ΄Ρ‹. Вранзисторы. М., Π Π°Π΄ΠΈΠΎ ΠΈ ΡΠ²ΡΠ·ΡŒ, 1993.

ΠŸΠΎΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚ΡŒ вСсь тСкст
Π—Π°ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒ Ρ‚Π΅ΠΊΡƒΡ‰Π΅ΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΎΠΉ