ΠŸΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒ Π² написании студСнчСских Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚
АнтистрСссовый сСрвис

ΠœΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΏΡ€ΠΎΡ†Π΅ΡΡΠΎΡ€Π½Π°Ρ систСма управлСния ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ вращСния двигатСля постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ°

ΠšΡƒΡ€ΡΠΎΠ²Π°ΡΠŸΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒ Π² Π½Π°ΠΏΠΈΡΠ°Π½ΠΈΠΈΠ£Π·Π½Π°Ρ‚ΡŒ ΡΡ‚ΠΎΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΠΌΠΎΠ΅ΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹

Π‘ΠΈΡ‚Π½Ρ‹ΠΉ АЦП с 8-ΠΌΠΈ ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΏΠ»Π΅ΠΊΡΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ ΡΡ…Π΅ΠΌΠΎΠΉ Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€ΠΊΠΈ-хранСния ΠΏΡ€ΠΈ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅. ВрСмя прСобразования 37,5 мкс ΠΏΡ€ΠΈ частотС ΠΊΠ²Π°Ρ€Ρ†Π° 16 ΠœΠ³Ρ†. ΠžΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС задаСтся внСшним источником. АналоговыС схСмы ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ ΠΎΡ‚ Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… Ρ†Π΅ΠΏΠ΅ΠΉ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Ρ‹ питания плюс Avdd ΠΈ Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΉ Avss. Π­Ρ‚ΠΎ позволяСт Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠΈΡ‚ΡŒ ΡˆΡƒΠΌΡ‹. ΠžΠ±Ρ‰ΠΈΠΉ Avss Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ ΠΏΠΎΠ΄ΡΠΎΠ΅Π΄ΠΈΠ½ΡΡ‚ΡŒΡΡ внСшними цСпями ΠΊ Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²ΠΎΠΌΡƒ ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΌΡƒ… Π§ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Π΅Ρ‰Ρ‘ >

ΠœΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΏΡ€ΠΎΡ†Π΅ΡΡΠΎΡ€Π½Π°Ρ систСма управлСния ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ вращСния двигатСля постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° (Ρ€Π΅Ρ„Π΅Ρ€Π°Ρ‚, курсовая, Π΄ΠΈΠΏΠ»ΠΎΠΌ, ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΡŒΠ½Π°Ρ)

Одной ΠΈΠ· Ρ…Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€Π½Ρ‹Ρ… особСнностСй Π½Ρ‹Π½Π΅ΡˆΠ½Π΅Π³ΠΎ этапа Π½Π°ΡƒΡ‡Π½ΠΎ-тСхничСского прогрСсса являСтся всС большСС ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ микроэлСктроники. ОсобоС Π²Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅ Π² Π½Π°ΡΡ‚оящСС врСмя удСляСтся Π²Π½Π΅Π΄Ρ€Π΅Π½ΠΈΡŽ микропроцСссоров, ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Π·Π°Π΄Π°Ρ‡ Π°Π²Ρ‚ΠΎΠΌΠ°Ρ‚ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ контроля ΠΈ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΡ. Адаптация микропроцСссоров ΠΊ ΠΎΡΠΎΠ±Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ям ΠΊΠΎΠ½ΠΊΡ€Π΅Ρ‚Π½ΠΎΠΉ Π·Π°Π΄Π°Ρ‡ΠΈ осущСствляСтся Π² ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π½ΠΎΠΌ ΠΏΡƒΡ‚Π΅ΠΌ Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ обСспСчСния, заносимого ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΌ Π²ΠΎ Π²Π½Π΅ΡˆΠ½ΡŽΡŽ ΠΈΠ»ΠΈ Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½ΡŽΡŽ ΠΏΠ°ΠΌΡΡ‚ΡŒ ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Π°.

На Π±Π°Π·Π΅ микропроцСссоров, микропроцСссорных ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΠ² ΠΈ ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎ Π­Π’Πœ созданы Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Π΅ ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎ-ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ систСмы, диагностичСскиС систСмы, систСмы контроля ΠΈ Π°Π²Ρ‚ΠΎΠΌΠ°Ρ‚ΠΈΠΊΠΈ, Π°Π²Ρ‚ΠΎΠΌΠ°Ρ‚ΠΈΠ·ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ систСмы управлСния машинами, Π°ΠΏΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚Π°ΠΌΠΈ, процСссами ΠΈ Ρ‚Π°ΠΊ Π΄Π°Π»Π΅Π΅. ΠŸΡ€Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠΊΠ° Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ ΠΈ ΡΠΊΡΠΏΠ»ΡƒΠ°Ρ‚Π°Ρ†ΠΈΠΈ этих систСм ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π»Π° ΠΈΡ… Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΡƒΡŽ ΡΡ„Ρ„Π΅ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ, ΠΏΡ€ΠΎΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‰ΡƒΡŽΡΡ Π² ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ оборудования ΠΈ Π°ΠΏΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΠ², Π² ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠΈ надСТности тСхнологичСских ΠΎΠ±ΡŠΠ΅ΠΊΡ‚ΠΎΠ², Π² ΡΠ½ΠΈΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΈ потрСблСния энСргии ΠΈ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… срСдств.

ИспользованиС Π² ΡΠΈΡΡ‚Π΅ΠΌΠ°Ρ… управлСния ΠΈ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚роля микропроцСссоров ΠΈ ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠ­Π’Πœ Π΄Π°Π΅Ρ‚ Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π²Ρ‹ΠΉΡ‚ΠΈ Π½Π° ΠΊΠ°Ρ‡Π΅ΡΡ‚Π²Π΅Π½Π½ΠΎ Π½ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ этап, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ позволяСт Π°Π²Ρ‚ΠΎΠΌΠ°Ρ‚ΠΈΠ·ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΈΠΉ класс процСссов ΠΈ ΠΎΠ±ΡŠΠ΅ΠΊΡ‚ΠΎΠ², Ρ€Π°Π½Π΅Π΅ Π½Π΅ ΠΏΡ€ΠΈΠ³ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… для Π°Π²Ρ‚ΠΎΠΌΠ°Ρ‚ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ.

1. ОписаниС ΠΎΠ±ΡŠΠ΅ΠΊΡ‚Π° проСктирования

Π’ Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΌ курсовом ΠΏΡ€ΠΎΠ΅ΠΊΡ‚Π΅ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΡΠΏΡ€ΠΎΠ΅ΠΊΡ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΏΡ€ΠΎΡ†Π΅ΡΡΠΎΡ€Π½ΡƒΡŽ систСму управлСния (МПУ) ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ вращСния двигатСля постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° (Π”ΠŸΠ’). БистСма МПУ Π”ΠŸΠ’ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Π° Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½ΡΡ‚ΡŒ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΈ:

— ΠΏΠΎΠ΄Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°Π½ΠΈΠ΅ Π·Π°Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΉ скорости вращСния двигатСля;

— ΠΈΠ½Π΄ΠΈΠΊΠ°Ρ†ΠΈΡŽ Ρ‚Π΅ΠΊΡƒΡ‰Π΅ΠΉ скорости двигатСля.

Π”Π²ΠΈΠ³Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ тСхничСскиС характСристики:

PНОМ, ΠΊΠ’Ρ‚

UНОМ, Π’

nНОМ, об/мин

NMAX, ΠΎΠ±/ΠΌΠΈΠ½

?НОМ, %

Π‘ΠΎΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠΈ ΠΏΡ€ΠΈ 15Β°Π‘, Ом

Π˜Π½Π΄ΡƒΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ якоря, ΠΌΠ“Π½

якоря

Π”ΠΎΠ± Полюсов

Π’ΠΎΠ·Π±.

71,5

0,6

0,35

2. Π Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ° структурной Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ схСмы устройства

Для осущСствлСния МПУ Π”ΠŸΠ’ ΠΏΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ устройства:

— ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΊΡ€ΠΈΡΡ‚Π°Π»ΡŒΠ½Π°Ρ ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠ­Π’Πœ;

— Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊ скорости (Π½Π° ΡΡ„Ρ„Π΅ΠΊΡ‚Π΅ Π₯ΠΎΠ»Π»Π°);

— ΠΆΠΈΠ΄ΠΊΠΎΠΊΡ€ΠΈΡΡ‚алличСский ΠΈΠ½Π΄ΠΈΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΡ€ (Π–ΠšΠ˜);

— ΠΊΠ»Π°Π²ΠΈΠ°Ρ‚ΡƒΡ€Π°;

— Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€ управлСния IGBT транзистором.

ΠœΠΈΠΊΡ€ΠΎΠ­Π’Πœ (ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€) обСспСчиваСт ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ всСй схСмой ΠΈ ΡΠΎΠΎΡ‚вСтствСнно позволяСт Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½ΡΡ‚ΡŒ всС Π·Π°Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΈ, Ρ‚.ΠΎ. ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€ являСтся основой всСго устройства. Π”Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊ скорости слуТит для опрСдСлСния скорости вращСния Π²Π°Π»Π° двигатСля ΠΏΡƒΡ‚Ρ‘ΠΌ измСрСния Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ двумя Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹ΠΌΠΈ сигналами, ΠΏΠΎΡΡ‚ΡƒΠΏΠΈΠ²ΡˆΠΈΠΌΠΈ с Π½Π΅Π³ΠΎ. Π–ΠšΠ˜ ΠΈ ΠΊΠ»Π°Π²ΠΈΠ°Ρ‚ΡƒΡ€Π° ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΡŽΡ‚ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΈ Π·Π°Π΄Π°Π²Π°Ρ‚ΡŒ ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒ вращСния двигатСля, Π° Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€ управлСния IGBT транзистором ΠΈ ΡΠ°ΠΌ IGBT транзистор Π΄Π΅Π»Π°ΡŽΡ‚ Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½Ρ‹ΠΌ Ρ€Π΅Π³ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ скорости Π”ΠŸΠ’ ΠΏΡƒΡ‚Ρ‘ΠΌ ΡˆΠΈΡ€ΠΎΡ‚Π½ΠΎ — ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½ΠΎΠΉ модуляции (ШИМ).

Π’ ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Ρƒ структурной Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ схСмы МПУ (рисунок 2.1) Π±Ρ‹Π» ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ Π°ΠΏΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎ-ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ Π°Π»Π³ΠΎΡ€ΠΈΡ‚ΠΌΠ°, ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΏΠΎΠ»Π°Π³Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΡƒ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ½Ρ‹Ρ…, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ Π°ΠΏΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹Ρ… срСдств. Бюда относятся построСния устройств управлСния с ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ½ΠΎΠΉ Π»ΠΎΠ³ΠΈΠΊΠΎΠΉ Π½Π° ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ микропроцСссора. Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ Π²Π°Ρ€ΠΈΠ°Π½Ρ‚ ΠΎΡ…Π²Π°Ρ‚Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΈΠ΅ возмоТности для примСнСния Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΡ… ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… микросхСм (Π‘Π˜Π‘) Π² Π°ΠΏΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π΅ устройств Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Ρ‹ ΠΈ ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΠ΅Ρ‚ Π² Π½Π°ΠΈΠ±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠ΅ΠΉ стСпСни ΡΠΎΠ³Π»Π°ΡΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±Π°Ρ‚Ρ‹Π²Π°Π΅ΠΌΡ‹Π΅ Π°ΠΏΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎ-ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ½Ρ‹Π΅ устройства с ΠΎΡΠΎΠ±Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ями Ρ€Π΅ΡˆΠ°Π΅ΠΌΡ‹Ρ… Π·Π°Π΄Π°Ρ‡.

Рисунок 2.1 Бтруктурная Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Π°Ρ схСма устройства МК — ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€ Π”Π‘ — Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊ скорости Π”ΠŸΠ’ — Π΄Π²ΠΈΠ³Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π–ΠšΠ˜ — ТидкокристалличСский ΠΈΠ½Π΄ΠΈΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΡ€

3. Π Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ° Π°ΠΏΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ обСспСчСния

3.1 Π’Ρ‹Π±ΠΎΡ€ ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π΅Ρ€Π°

Π’ ΠΊΠ°Ρ‡Π΅ΡΡ‚Π²Π΅ Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ ΡƒΠ·Π»Π° ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½Ρ‹ Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Π΅ микропроцСссоры ΠΈ ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Ρ‹, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, микропроцСссоры I8086, PIC — ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Ρ‹, сСмСйство MCS — 51. Π’ ΡΠ»ΡƒΡ‡Π°Π΅ использования микропроцСссора потрСбуСтся ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ большого числа Π‘Π˜Π‘ обрамлСния. ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Π΅Π΅ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€, ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Ρ†ΠΈΡŽ всСх Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΡ‹Ρ… для Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ микропроцСссора ΡƒΠ·Π»ΠΎΠ² Π² ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ кристаллС.

Π’ Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΌ устройствС Π² ΠΊΠ°Ρ‡Π΅ΡΡ‚Π²Π΅ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ ΠΎΡ€Π³Π°Π½Π° Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ использована ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΊΡ€ΠΈΡΡ‚Π°Π»ΡŒΠ½Π°Ρ ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠ­Π’Πœ 80Π‘552 Ρ„ΠΈΡ€ΠΌΡ‹ Philips®. Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ кристалл содСрТит ядро ΠΈ ΡΠΈΡΡ‚Π΅ΠΌΡƒ извСстного ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Π° 8051 Ρ„ΠΈΡ€ΠΌΡ‹ INTEL®, Π½ΠΎ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ прСвосходит Π΅Π³ΠΎ Π½Π°Π±ΠΎΡ€ΠΎΠΌ встроСнных Π°ΠΏΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹Ρ… срСдств ΠΈ Π³ΠΈΠ±ΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΈΡ… ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΡ. Из Π°ΠΏΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹Ρ… срСдств ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΎΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ Π½Π°Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ встроСнных Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΎ-Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ прСобразоватСля (АЦП) ΠΈ Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π°. Π‘Π»Π΅Π΄ΡƒΠ΅Ρ‚ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΎΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€ Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅Ρ‚ Π½Π°Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ внСшнСго ΠŸΠ—Π£. ΠšΡ€ΠΈΡΡ‚Π°Π»Π» 80C552 ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ возмоТности:

1. систСму ΠΊΠΎΠΌΠ°Π½Π΄ ΠΈ Π°Ρ€Ρ…ΠΈΡ‚Π΅ΠΊΡ‚ΡƒΡ€Ρƒ 8051. ΠŸΡ€ΠΈ использовании внСшнСго Π±Ρ‹ΡΡ‚Ρ€ΠΎΠ΄Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ ΠŸΠ—Π£ позволяСт ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΡ‚ΡŒ ΠΊΠ²Π°Ρ€Ρ†Ρ‹ Π΄ΠΎ 30 ΠœΠ“Ρ†. НиТний ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³ частоты возбуТдСния 1,2 ΠœΠ“Ρ†;

2. Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½Π΅Π΅ ΠžΠ—Π£ — 256 Π±Π°ΠΉΡ‚, Π½Π΅ ΡΡ‡ΠΈΡ‚ая ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΡ… SFR рСгистров;

3. адрСсуСт ΠΏΠΎ ΡˆΠΈΠ½Π΅ Π΄ΠΎ 64 ΠΊΠ±Π°ΠΉΡ‚ внСшнСго ΠŸΠ—Π£ ΠΈ ΡΡ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΠΆΠ΅ Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ внСшнСй памяти Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ…;

4. Π΄Π²Π° 16 Π±ΠΈΡ‚Π½Ρ‹Ρ… Ρ‚Π°ΠΉΠΌΠ΅Ρ€Π° Π’0 ΠΈ Π’1 стандартной Π°Ρ€Ρ…ΠΈΡ‚Π΅ΠΊΡ‚ΡƒΡ€Ρ‹ ΠΎΡ‚ 8051;

5. Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ (плюс ΠΊ Π΄Π²ΡƒΠΌ стандартным) 16 — Π±ΠΈΡ‚Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚Π°ΠΉΠΌΠ΅Ρ€ Π’2, сопряТСнный с 4 встроСнными схСмами чтСния Π½Π° «Π»Π΅Ρ‚Ρƒ» ΠΈ Ρ 3 рСгистрами сравнСния «Π½Π° Π»Π΅Ρ‚Ρƒ». Π£Π·Π΅Π» защСлкивания позволяСт Π°ΠΏΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΡΡ‚ΡŒ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Ρ€Π²Π°Π»Ρ‹ Π½Π° 4 Π΄ΠΈΠ°Π³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ°Ρ… дискрСтных сигналов ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎ. Π£Π·Π΅Π» сравнСния позволяСт Π°ΠΏΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎ Π³Π΅Π½Π΅Ρ€ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎ Π΄ΠΎ 8 Π΄ΠΈΠ°Π³Ρ€Π°ΠΌΠΌ дискрСтных сигналов;

6. 10-Π±ΠΈΡ‚Π½Ρ‹ΠΉ АЦП с 8-ΠΌΠΈ ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΏΠ»Π΅ΠΊΡΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ ΡΡ…Π΅ΠΌΠΎΠΉ Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€ΠΊΠΈ-хранСния ΠΏΡ€ΠΈ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅. ВрСмя прСобразования 37,5 мкс ΠΏΡ€ΠΈ частотС ΠΊΠ²Π°Ρ€Ρ†Π° 16 ΠœΠ³Ρ†. ΠžΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС задаСтся внСшним источником. АналоговыС схСмы ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ ΠΎΡ‚ Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… Ρ†Π΅ΠΏΠ΅ΠΉ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Ρ‹ питания плюс Avdd ΠΈ Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΉ Avss. Π­Ρ‚ΠΎ позволяСт Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠΈΡ‚ΡŒ ΡˆΡƒΠΌΡ‹. ΠžΠ±Ρ‰ΠΈΠΉ Avss Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ ΠΏΠΎΠ΄ΡΠΎΠ΅Π΄ΠΈΠ½ΡΡ‚ΡŒΡΡ внСшними цСпями ΠΊ Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²ΠΎΠΌΡƒ ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΌΡƒ Vss Π² ΠΎΠΏΡ‚ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ для ΠΊΠΎΠ½ΠΊΡ€Π΅Ρ‚Π½ΠΎΠΉ схСмС Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ΅ (ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½Ρ‹Ρ… ΡˆΡƒΠΌΠΎΠ² ΠΈΠ·-Π·Π° бросков Ρ‚ΠΎΠΊΠ°). ΠŸΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ ΠΏΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΠ΅ Avdd Π½Π΅ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°Ρ‚ΡŒ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ питания Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… Ρ†Π΅ΠΏΠ΅ΠΉ кристалла Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Ρ‡Π΅ΠΌ Π½Π° 0,7 Π’. Π•Π³ΠΎ слСдуСт Ρ„ΠΈΠ»ΡŒΡ‚Ρ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΎΡ‚ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½Ρ‹Ρ… ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ…. На Ρ€ΠΈΡ. 3.1.1 ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π° схСма ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ источника сигнала Vin ΠΊ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌΡƒ ΠΈΠ· 8-ΠΌΠΈ Π²Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠ² Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΏΠ»Π΅ΠΊΡΠΎΡ€Π° ADCx.

ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€ ΠΏΠ°ΠΌΡΡ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ° стабилизатор Рисунок 3.1.1. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° питания встроСнного АЦП Π—Π΄Π΅ΡΡŒ Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·ΠΎΠ²Π°Π½Π° простая RC-Ρ„ΠΈΠ»ΡŒΡ‚Ρ€Π°Ρ†ΠΈΡ питания Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… Ρ†Π΅ΠΏΠ΅ΠΉ кристалла ΠΈ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½Ρ‹Ρ… напряТСний. ΠŸΡ€Π΅Π΄ΡƒΡΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π½Π° Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Π° с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ Π΄ΠΈΠΎΠ΄ΠΎΠ² Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π° 80Π‘552 ΠΎΡ‚ ΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚ричСского пробоя ΠΏΡ€ΠΈ случайном выбросС напряТСния Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ Vin. ΠΠ°ΠΈΠ»ΡƒΡ‡ΡˆΠΈΠΉ динамичСский Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½ АЦП Π΄Π°ΡŽΡ‚ значСния ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½Ρ‹Ρ… напряТСний Π΄Π°ΡŽΡ‚ значСния ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½Ρ‹Ρ… напряТСний Ρ€Π°Π²Π½Ρ‹Π΅ + AVref = AVdd ΠΈ — AVref = AVss. ΠŸΡ€ΠΈ этом ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½Ρ‹Π΅ напряТСния Π½Π΅ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒ Π·Π° ΡƒΠΊΠ°Π·Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Ρ‹ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Ρ‡Π΅ΠΌ Π½Π° 0,2 Π’.

1. Π΄Π²Π° нСзависимых 8 — Π±ΠΈΡ‚ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ШИМ Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° с ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ½ΠΎ Ρ€Π΅Π³ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹ΠΌ ΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΎΠ΄ΠΎΠΌ слСдования (ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ ΠΊΠ°ΠΊ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Ρ‹ ЦАП);

2. ΠΏΡΡ‚ΡŒ стандартных ΠΏΠΎΡ€Ρ‚ΠΎΠ² Π²Π²ΠΎΠ΄Π°-Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°. Из Π½ΠΈΡ… Π΄Π²Π° ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Π½Ρ‹ ΠΊΠ°ΠΊ микропроцСссорная шина, Π° ΠΎΡΡ‚Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ Π°Π»ΡŒΡ‚Π΅Ρ€Π½Π°Ρ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹Π΅ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΈ;

3. стороТСвой Ρ‚Π°ΠΉΠΌΠ΅Ρ€ T3.

УсловноС ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ 80Π‘552 ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ Π½Π° Ρ€ΠΈΡΡƒΠ½ΠΊΠ΅ 3.1.2.

Рисунок 3.1.2 УсловноС ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ 80Π‘552

Π’ Ρ‚Π°Π±Π»ΠΈΡ†Π΅ 3.1. ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Ρ‹ обозначСния ΠΈ Π½Π°Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠ² кристалла 80Π‘552.

Π’Π°Π±Π»ΠΈΡ†Π° 3.1. НазначСниС ΠΈ Π½ΠΎΠΌΠ΅Ρ€Π° Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠ² 80Π‘552

ΠžΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅

НоТка

НазначСниС Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠ² ΠΈ Π°Π»ΡŒΡ‚Π΅Ρ€Π½Π°Ρ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹Π΅ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΈ

VDD

ΠŸΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΠ΅ +5 Π’ Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… схСм кристалла

STADC

Π’Π½Π΅ΡˆΠ½ΠΈΠΉ пуск АЦП. ΠŸΡƒΡΠΊ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΈ ΠΏΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ΅. НС ΠΎΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡ‚ΡŒ этот Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ висящим Π² Π²ΠΎΠ·Π΄ΡƒΡ…Π΅.

/PWM0

Π˜Π½Π²Π΅Ρ€ΡΠ½Ρ‹ΠΉ Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ ШИМ Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° 0

/PWM1

Π˜Π½Π²Π΅Ρ€ΡΠ½Ρ‹ΠΉ Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ ШИМ Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° 1

/EW

Π˜Π½Π²Π΅Ρ€ΡΠ½Ρ‹ΠΉ Π’Ρ…ΠΎΠ΄ Ρ€Π°Π·Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ встроСнному стороТСвому Ρ‚Π°ΠΉΠΌΠ΅Ρ€Ρƒ Π’3. НС ΠΎΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡ‚ΡŒ этот Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ висящим Π² Π²ΠΎΠ·Π΄ΡƒΡ…Π΅.

P0.0 — P0.7

57…50

ΠŸΠΎΡ€Ρ‚0. ДвунаправлСнная ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΏΠ»Π΅ΠΊΡΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Π°Ρ шина Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΈ ΠΌΠ»Π°Π΄ΡˆΠΈΡ… адрСсов А0 — А7.

Π 1.0 — Π 1.7

16…23

ΠŸΠΎΡ€Ρ‚1. Π”Π²ΡƒΠ½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠΎΡ€Ρ‚. Π˜ΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ Π°Π»ΡŒΡ‚Π΅Ρ€Π½Π°Ρ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹Π΅ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΈ:

CT0I — CT3I

16…19

Π’Ρ…ΠΎΠ΄Ρ‹ для Ρ‡Π΅Ρ‚Ρ‹Ρ€Π΅Ρ… схСм Π·Π°Ρ…Π²Π°Ρ‚Π° Ρ‚Π°ΠΉΠΌΠ΅Ρ€Π° Π’2.

T2

Π’Ρ…ΠΎΠ΄ Π²Π½Π΅ΡˆΠ½ΠΈΡ… ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠΎΠ² для Ρ‚Π°ΠΉΠΌΠ΅Ρ€Π° Π’2 (ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½ΠΈΠ΅)

RT2

Π’Ρ…ΠΎΠ΄ внСшнСго сброса для Ρ‚Π°ΠΉΠΌΠ΅Ρ€Π° Π’2

SCL

Линия синхронизации ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΡˆΠΈΠ½Ρ‹ I2C SCL

SDA

Линия Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΡˆΠΈΠ½Ρ‹ I2C SDA

Π 2.0 — Π 2.7

39…46

ΠŸΠΎΡ€Ρ‚2. Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ ΡΡ‚Π°Ρ€ΡˆΠ΅ΠΉ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠ²ΠΈΠ½Ρ‹ адрСса А8 — А15

Π 3.0 — Π 3.7

24…31

ΠŸΠΎΡ€Ρ‚3. Π”Π²ΡƒΠ½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠΎΡ€Ρ‚. Π˜ΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ Π°Π»ΡŒΡ‚Π΅Ρ€Π½Π°Ρ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹Π΅ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΈ:

RxD

Π’Ρ…ΠΎΠ΄ UART

TxD

Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ UART

/INT0

Π˜Π½Π²Π΅Ρ€ΡΠ½Ρ‹ΠΉ Π²Ρ…ΠΎΠ΄ внСшнСго сигнала прСрывания 0

/INT1

Π˜Π½Π²Π΅Ρ€ΡΠ½Ρ‹ΠΉ Π²Ρ…ΠΎΠ΄ внСшнСго сигнала прСрывания 1

T0

Π’Ρ…ΠΎΠ΄ Π²Π½Π΅ΡˆΠ½ΠΈΡ… ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠΎΠ² для Ρ‚Π°ΠΉΠΌΠ΅Ρ€Π°0 (ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½ΠΈΠ΅)

T1

Π’Ρ…ΠΎΠ΄ Π²Π½Π΅ΡˆΠ½ΠΈΡ… ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠΎΠ² для Ρ‚Π°ΠΉΠΌΠ΅Ρ€Π°1 (ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½ΠΈΠ΅)

/WR

Π˜Π½Π²Π΅Ρ€ΡΠ½Ρ‹ΠΉ Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ строба записи Π²ΠΎ Π²Π½Π΅ΡˆΠ½ΡŽΡŽ ΠΏΠ°ΠΌΡΡ‚ΡŒ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ…

/RD

Π˜Π½Π²Π΅Ρ€ΡΠ½Ρ‹ΠΉ Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ строба чтСния ΠΈΠ· Π²Π½Π΅ΡˆΠ½Π΅ΠΉ памяти Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ…

Π 4.0 — Π 4.7

7…14

ΠŸΠΎΡ€Ρ‚4. Π”Π²ΡƒΠ½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠΎΡ€Ρ‚. Π˜ΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ Π°Π»ΡŒΡ‚Π΅Ρ€Π½Π°Ρ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹Π΅ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΈ:

CMRS0 — CMRS5

7…12

Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Ρ‹ с ΡƒΡΡ‚Π°Π½ΠΎΠ²ΠΊΠΎΠΉ ΠΈΠ»ΠΈ сбросом ΠΏΡ€ΠΈ достиТСнии Ρ‚Π°ΠΉΠΌΠ΅Ρ€ΠΎΠΌ Π’2 Π·Π°Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ значСния

CMΠ’0 — CMΠ’5

13, 14

Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Ρ‹ с ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Π½Π° ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²ΠΎΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ½Ρ‹ΠΉ логичСского уровня ΠΏΡ€ΠΈ достиТСнии Ρ‚Π°ΠΉΠΌΠ΅Ρ€ΠΎΠΌ Π’2 Π·Π°Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ значСния

Π 5.0 — Π 5.7

68… 62, 1

ΠŸΠΎΡ€Ρ‚5. Π”Π²ΡƒΠ½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠΎΡ€Ρ‚. Π˜ΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Π°Π»ΡŒΡ‚Π΅Ρ€Π½Π°Ρ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹Π΅ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΈ Π² Π²ΠΈΠ΄Π΅ Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠ² ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΏΠ»Π΅ΠΊΡΠΎΡ€Π° ADC0 — ADC7 АЦП

RST

Π’Ρ…ΠΎΠ΄ для сигнала сброса процСссора. Когда срабатываСт стороТСвой Ρ‚Π°ΠΉΠΌΠ΅Ρ€ Π’3, Ρ‚ΠΎ RST гСнСрится Π½Π° ΡΡ‚ΠΎΠΉ Π½ΠΎΠΆΠΊΠ΅ ΠΈΠ·Π½ΡƒΡ‚Ρ€ΠΈ

XTAL1

ΠŸΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΊΠ²Π°Ρ€Ρ†Π°. Π’Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π²Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΎΡ‚ Π²Π½Π΅ΡˆΠ½Π΅Π³ΠΎ источника возбуТдСния кристалла

XTAL2

ΠŸΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΊΠ²Π°Ρ€Ρ†Π°. Когда ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ внСшнСС Π²ΠΎΠ·Π±ΡƒΠΆΠ΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π²Π²ΠΎΠ΄ XTAL1, ΠΎΡΡ‚Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ этот Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ висящим Π² Π²ΠΎΠ·Π΄ΡƒΡ…Π΅.

VSS

36,37

Π”Π²Π΅ Π½ΠΎΠΆΠΊΠΈ ΠΎΠ±Ρ‰Π΅Π³ΠΎ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°. Π˜ΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΎΠ±Π΅.

/PSEN

Π˜Π½Π²Π΅Ρ€ΡΠ½Ρ‹ΠΉ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ строба чтСния ΠΈΠ· Π²Π½Π΅ΡˆΠ½Π΅ΠΉ памяти ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌ

ALE

Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ строба для защСлкивания младшСй ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠ²ΠΈΠ½Ρ‹ адрСса

/EA

Π˜Π½Π²Π΅Ρ€ΡΠ½Ρ‹ΠΉ Π’Ρ…ΠΎΠ΄ для указания, Ρ‡Ρ‚ΠΎ процСссор Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ внСшнюю ΠΏΠ°ΠΌΡΡ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌ. НС ΠΎΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡ‚ΡŒ висящим Π² Π²ΠΎΠ·Π΄ΡƒΡ…Π΅.

— AVref

Подвод Π½ΠΈΠΆΠ½Π΅Π³ΠΎ уровня ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния, Π½ΠΎ Π½Π΅ Π½ΠΈΠΆΠ΅ АVSS. БоотвСтствуСт Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Ρƒ АЦП = 0.

+Avref

Подвод Π²Π΅Ρ€Ρ…Π½Π΅Π³ΠΎ уровня ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния. Π½ΠΎ Π½Π΅ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ АVDD. БоотвСтствуСт Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Ρƒ АЦП = 3FFН

AVSS

ΠžΠ±Ρ‰ΠΈΠΉ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… Ρ†Π΅ΠΏΠ΅ΠΉ кристалла

AVDD

Плюс питания Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… Ρ†Π΅ΠΏΠ΅ΠΉ кристалла

3.2 Π’Ρ‹Π±ΠΎΡ€ внСшнСй памяти ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌ

ΠœΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€ 80Π‘552 Π½Π΅ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½Π΅ΠΉ памяти ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌ, поэтому для Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ микропроцСссорной систСмы Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ внСшнюю ΠΏΠ°ΠΌΡΡ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌ.

Для хранСния ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΡ‹ Π±ΡƒΠ΄Π΅ΠΌ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠŸΠ—Π£ Ρ‚ΠΈΠΏΠ° 27C64. Π­Ρ‚ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠ΅ ΠŸΠ—Π£. Π˜Π½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΡ стираСтся с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΎΠ»Π΅Ρ‚ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ облучСния кристалла. ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ 27C64 ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Ρ‹ Π² Ρ‚Π°Π±Π»ΠΈΡ†Π΅ 3.2.

Π’Π°Π±Π»ΠΈΡ†Π° 3.2.1. ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ К573Π Π€5

ΠΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ, Π±Π°ΠΉΡ‚

8ΠΊ

ΠžΡ€Π³Π°Π½ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΡ

ВрСмя Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€ΠΊΠΈ, нс

0.45

УдСльная ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ потрСблСния ΠΌΠ’Ρ‚/Π±ΠΈΡ‚

0.1

ВрСмя хранСния ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΠΈ, час

Рисунок 3.2. РасполоТСниС ΠΈ Π½Π°Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠ² ΠŸΠ—Π£ Π’Π°Π±Π»ΠΈΡ†Π° 3.2.2. НазначСниС Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠ² ΠŸΠ—Π£

Π’Ρ‹Π²ΠΎΠ΄

НазначСниС

A0-A12

Address Inputs

CE

Chip Enable

OE

Output Enable

PGM

Program Enable

VPP

Programming Voltage

O0 — O7

Data Output

VCC

+5V Power Supply

VSS

Ground

NC

No Connection; No Internal Connections

NU

Not Used; No External Connection Is

3.3 Π’Ρ‹Π±ΠΎΡ€ устройства ΠΈΠ½Π΄ΠΈΠΊΠ°Ρ†ΠΈΠΈ

ΠŸΡ€ΠΈΠ½ΠΈΠΌΠ°Π΅ΠΌ Π² ΠΊΠ°Ρ‡Π΅ΡΡ‚Π²Π΅ устройства ΠΈΠ½Π΄ΠΈΠΊΠ°Ρ†ΠΈΠΈ двухстрочный Π–ΠšΠ˜ HDD44780.

Π’ Ρ‚Π°Π±Π»ΠΈΡ†Π΅ 3.3.1 ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Ρ‹ ΠΊΠΎΠΌΠ°Π½Π΄Ρ‹ Π–ΠšΠ˜.

Π’Π°Π±Π»ΠΈΡ†Π° 3.3.1. ΠšΠΎΠΌΠ°Π½Π΄Ρ‹ Π–ΠšΠ˜

Команда

Код

ВрСмя выполнСния

RS

R/W

DB7

DB6

DB5

DB4

DB3

DB2

DB1

DB0

ΠžΡ‡ΠΈΡΡ‚ΠΊΠ° дисплСя

1,64 мкс

ΠšΡƒΡ€ΡΠΎΡ€ Π΄ΠΎΠΌΠΎΠΉ

*

1,64 мкс

Π’ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ изобраТСния

D

C

B

40 мс

Π‘Π΄Π²ΠΈΠ³

S/C

R/L

*

*

40 мс

Π—Π°ΠΏΠΈΡΡŒ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ…

WRITE DATA

40 мс

1/D=1-ΠΈΠ½ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Ρ‚ адрСса ΠΏΡ€ΠΈ Π²Π²ΠΎΠ΄Π΅ символа (0-Π΄Π΅ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Ρ‚)

S=1-сдвиг всСго изобраТСния ΠΏΡ€ΠΈ Π²Π²ΠΎΠ΄Π΅ символа

S/C=1/0-ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ сдвигаСтся/Π½Π΅Ρ‚ R/L=1/0-сдвиг Π²ΠΏΡ€Π°Π²ΠΎ / Π²Π»Π΅Π²ΠΎ

D=1-Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ дисплСя C=1-Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ курсора

B=1-ΠΌΠ΅Ρ€Ρ†Π°Π½ΠΈΠ΅ символа, ΠΏΠΎΠ΄ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΌ курсор Рисунок 3.3 двухстрочный Π–ΠšΠ˜ HDD44780.

DB0-DB7 — Π²Ρ…ΠΎΠ΄Ρ‹ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ…;

R/W — Ρ‡Ρ‚Π΅Π½ΠΈΠ΅ / запись;

V0 — ΡΡ€ΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ;

E — Ρ€Π°Π·Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅;

RS — Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ / ΠΊΠΎΠΌΠ°Π½Π΄Ρ‹.

3.4 Π’Ρ‹Π±ΠΎΡ€ Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠ° скорости

Π’ ΠΊΠ°Ρ‡Π΅ΡΡ‚Π²Π΅ Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠ° для измСрСния скорости вращСния Π²Π°Π»Π° Π”Π’Π‘ Π²Ρ‹Π±ΠΈΡ€Π°Π΅ΠΌ Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊ Π½Π° ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ эффСкта Π₯ΠΎΠ»Π»Π° GT101DC Ρ„ΠΈΡ€ΠΌΡ‹ Honeywell. Π’Π½Π΅ΡˆΠ½ΠΈΠΉ Π²ΠΈΠ΄ GT101DC ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½ Π½Π° Ρ€ΠΈΡΡƒΠ½ΠΊΠ΅ 3.4.1, Π° Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Π°Ρ схСма ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½Π° Π½Π° Ρ€ΠΈΡΡƒΠ½ΠΊΠ΅ 3.4.2

Рисунок 3.4.1. Π’Π½Π΅ΡˆΠ½ΠΈΠΉ Π²ΠΈΠ΄ GT101DC

Рисунок 3.4.2. Π€ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Π°Ρ схСма GT101DC

НазначСниС Π²Π½Π΅ΡˆΠ½ΠΈΡ… Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠ² GT101DC прСдставлСно Π² Ρ‚Π°Π±Π»ΠΈΡ†Π΅ 3.4.1.

Π’Π°Π±Π»ΠΈΡ†Π° 3.4.1. НазначСниС Π²Π½Π΅ΡˆΠ½ΠΈΡ… Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠ² GT101DC

Π’Ρ‹Π²ΠΎΠ΄

ΠžΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅

НазначСниС Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°

VDD

НапряТСниС питания (+5Π’)

OUT

Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ сигнал

VSS

ΠžΠ±Ρ‰ΠΈΠΉ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄

GT101DC ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ тСхничСскиС характСристики:

Π’ΠΈΠΏ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ сигнала:

ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ

Π’ΠΈΠΏ Ρ‡ΡƒΠ²ΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ элСмСнта:

элСмСнт Π₯ΠΎΠ»Π»Π°

НаличиС встроСнного ΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚Π°:

Π΅ΡΡ‚ΡŒ

Π’ΠΈΠΏ Ρ‡ΡƒΠ²ΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ ΠΊ ΠΏΠΎΠ»ΡŽ:

встроСнный ΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚

Π˜Π½Π΄ΡƒΠΊΡ†ΠΈΡ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ΠΏΡ€ΠΈ 25ΠΎΠ‘, Гаусс:

;

Π˜Π½Π΄ΡƒΠΊΡ†ΠΈΡ Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ΠΏΡ€ΠΈ 25ΠΎΠ‘, Гаусс:

;

Максимальная Ρ‡ΡƒΠ²ΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ, ΠΌΠ’ / Гаусс:

;

Макс рабочая частота, ΠΊΠ“Ρ†:

ВрСмя нарастания сигнала, мкс:

Мин напряТСниС питания, Π’:

4.5

Макс напряТСниС питания, Π’:

Макс Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ, мА:

Π’Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π½Ρ‹ΠΉ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½, Π³Ρ€. Π‘:

— 40…150

ΠšΠΎΡ€ΠΏΡƒΡ:

1GT1

ΠŸΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ:

Honeywell Inc.

ΠŸΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ дСйствия Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠ° Π·Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ Π² Π½Π°Π²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΈΠΈ разности ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ² Π½Π° Π³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ†Π°Ρ… ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²ΠΎΠΉ пластины с Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ, Π²ΠΎ Π²Π½Π΅ΡˆΠ½Π΅ΠΌ ΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚Π½ΠΎΠΌ ΠΏΠΎΠ»Π΅. УсилСнная Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΎΠΌ Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ² прямо ΠΏΡ€ΠΎΠΏΠΎΡ€Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Π° напряТённости ΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ поля Π² ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΠΈ Π΅Π³ΠΎ установки. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, ΠΏΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ‰Π΅Π½ΠΈΠΈ Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠ° Π²Π±Π»ΠΈΠ·ΠΈ Π²Ρ€Π°Ρ‰Π°ΡŽΡ‰Π΅ΠΉΡΡ Π΄Π΅Ρ‚Π°Π»ΠΈ Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Π³Π΅Π½Π΅Ρ€ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²ΠΎΠΉ сигнал.

3.5 Π’Ρ‹Π±ΠΎΡ€ IGBT транзистора ΠΈ Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€Π° IGBT

Для обСспСчСния ШИМ Π²Ρ‹Π±ΠΈΡ€Π°Π΅ΠΌ IGBT транзистор SKM75GB063D Ρ„ΠΈΡ€ΠΌΡ‹ Semicon. Π”Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ IGBT ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ особСнности:

N-канальная гомогСнная крСмниСвая структура (NPT IGBT, Π½Π΅ΠΏΡ€ΠΎΠ±ΠΈΠ²Π°Π΅ΠΌΡ‹ΠΉ биполярный транзистор с ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ) ΠœΠ°Π»Ρ‹ΠΉ хвостовой Ρ‚ΠΎΠΊ с ΠΌΠ°Π»ΠΎΠΉ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π½ΠΎΠΉ Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ Высокая ΡΡ‚ΠΎΠΉΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΊ ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΊΠΎΠΌΡƒ Π·Π°ΠΌΡ‹ΠΊΠ°Π½ΠΈΡŽ, самоограничСниС ΠΏΡ€ΠΈ Π·Π°ΠΊΠΎΡ€Π°Ρ‡ΠΈΠ²Π°Π½ΠΈΠΈ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° с ΡΠΌΠΈΡ‚Ρ‚Π΅Ρ€ΠΎΠΌ ΠŸΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π½Ρ‹ΠΉ коэффициСнт VCEsat (напряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр Π² Π½Π°ΡΡ‹Ρ‰Π΅Π½ΠΈΠΈ) ΠžΡ‡Π΅Π½ΡŒ ΠΌΠ°Π»Ρ‹Π΅ Смкости Cies, Coes, Cres

Π˜ΡΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΎ Π·Π°Ρ‰Π΅Π»ΠΊΠΈΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ Π‘Ρ‹ΡΡ‚Ρ€ΠΎΠ΄Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Ρ‹, Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠΎ Π·Π°ΠΏΠ°Ρ‚Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ²Π°Π½Π½ΠΎΠΉ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ CAL (управляСмый осСвой рСсурс), с ΠΏΠ»Π°Π²Π½Ρ‹ΠΌ восстановлСниСм Π˜Π·ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Π°Ρ мСдная базовая пластина, выполнСнная с ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ DBC (нСпосрСдствСнноС ΠΌΠ΅Π΄Π½ΠΎΠ΅ соСдинСниС) Π±Π΅Π· ТСсткой Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠΎΠ²ΠΊΠΈ Π‘ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΎΠΉ Π·Π°Π·ΠΎΡ€ (10 ΠΌΠΌ) ΠΈ ΠΏΡƒΡ‚ΡŒ ΡƒΡ‚Π΅Ρ‡ΠΊΠΈ (20 ΠΌΠΌ) Π’ Ρ‚Π°Π±Π»ΠΈΡ†Π΅ 3.5.1 ΡƒΠΊΠ°Π·Π°Π½Ρ‹ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡ΠΈΠ΅ характСристики IGBT транзистора Π’Π°Π±Π»ΠΈΡ†Π° 3.5.1. Π Π°Π±ΠΎΡ‡ΠΈΠ΅ характСристики SKM75GB063D

ΠžΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅

НаимСнованиС

Условия снятия характСристики

ΠΌΠΈΠ½.

Π½ΠΎΠΌ.

макс.

Π•Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ†Π° измСрСния

IGBT-транзистор

VGE (th)

ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ напряТСниС Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€-эмиттСр

VGE = VCE, IC = 1 мА

4,5

5,5

6,5

Π’

ICES

ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎ-эмиттСрный Ρ‚ΠΎΠΊ отсСчки ΠΏΡ€ΠΈ соСдинСнии Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° с ΡΠΌΠΈΡ‚Ρ‚Π΅Ρ€ΠΎΠΌ

VGE = 0, VCE = VCES, Tj = 25 (125) Β°C

0,1

0,3

мА

VCE (TO)

постоянноС ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ напряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр

Tj = 25 (125) Β°C

1,05 (1)

Π’

rCE

Π΄ΠΈΡ„Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π°

VGE = 15 V, Tj = 25 (125) Β°C

14 (18,7)

мОм

VCE (sat)

напряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр насыщСния

ICnom = 75 A, VGE = 15 Π’, Π½Π° ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ кристалла

2,1 (2,4)

2,5 (2,8)

Π’

Cies

входная Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ

ΠΏΡ€ΠΈ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… условиях: VGE = 0, VCE = 25 Π’, f = 1 ΠœΠ“Ρ†

4,2

Π½Π€

Coes

выходная Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ

0,5

Π½Π€

Cres

обратная пСрСходная Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ

0,3

Π½Π€

LCE

паразитная ΠΈΠ½Π΄ΡƒΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°-эмиттСра

Π½Π“Π½

RCC'+EE'

суммарноС ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠ² ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΈ ΡΠΌΠΈΡ‚Ρ‚Π΅Ρ€Π°

Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π° Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠ² ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠ° Tc = 25 (125) Β°C

0,75 (1)

мОм

td (on)

Π΄Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π·Π°Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΊΠΈ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ

VCC = 300 Π’, ICnom = 75 A

нс

tr

врСмя нарастания

RGon = RGoff = 15 Ом, Tj = 125 °C

нс

td (off)

Π΄Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π·Π°Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΊΠΈ Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ

VGE = ± 15Π’

нс

tf

врСмя спада

нс

Eon (Eoff)

рассСиваСмая энСргия Π² ΠΏΡ€ΠΎΡ†Π΅ΡΡΠ΅ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ (Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ)

3 (2,5)

ΠΌΠ”ΠΆ

Для управлСния SKM75GB063D с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Π° Π²Ρ‹Π±ΠΈΡ€Π°Π΅ΠΌ Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€ Ρ„ΠΈΡ€ΠΌΡ‹ International Rectifier IR2118, которая выпускаСт ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΡƒΡŽ Π³Π°ΠΌΠΌΡƒ микросхСм Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€ΠΎΠ² для управлСния Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π°ΠΌΠΈ IGBT ΠΈ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов. ВсС Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€Ρ‹ Π²Ρ‹ΠΏΡƒΡΠΊΠ°ΡŽΡ‚ΡΡ Π² DIP ΠΈ SMD исполнСнии с Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ управлСния Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π°ΠΌΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ΠΎΠ², Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… ΠΏΠΎΠ΄ напряТСниСм Π΄ΠΎ1200 Π’ ΠΏΡ€ΠΈ макс. Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ напряТСнии Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅ Π΄ΠΎ 20 Π’. ВыпускаСмыС Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€Ρ‹ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π½Π°Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½Ρ‹ для управлСния Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π°ΠΌΠΈ Π²Π΅Ρ€Ρ…Π½ΠΈΡ…, Π½ΠΈΠΆΠ½ΠΈΡ…, полумостовых, Π²Π΅Ρ€Ρ…Π½ΠΈΡ… ΠΈ Π½ΠΈΠΆΠ½ΠΈΡ…, Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Ρ‚Ρ€Π΅Ρ…Ρ„Π°Π·Π½Ρ‹Ρ… мостовых ΠΈ Ρ‚Ρ€Π΅Ρ…Ρ„Π°Π·Π½Ρ‹Ρ… схСм Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ.

Рисунок 3.5 Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€Π° IGBT IR2118

Π”Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ тСхничСскиС характСристики:

Π€ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ:

Π’Π΅Ρ€Ρ…Π½ ΠΈ Π½ΠΈΠΆΠ½ ΠΏΠ»Π΅Ρ‡Π° прям

НапряТСниС Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π½ΠΎΠΉ части:

НапряТСниС логичСской части:

10…25

Макс. Π²Ρ‹Ρ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ Π²/Π² части:

Макс. Π²Ρ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ Π²/Π² части:

Макс. Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС:

Π”ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡ΠΈΡ… Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€:

— 40…125

ΠšΠΎΡ€ΠΏΡƒΡ:

PDIP8

Входная Π»ΠΎΠ³ΠΈΠΊΠ°:

TTL/CMOS

Π”ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ особСнности:

Π—Π°Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΊΠ° 50 нс

ΠŸΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ:

International Rectifier

3.6 Π’Ρ‹Π±ΠΎΡ€ стабилизатора напряТСния

Для питания ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Π° ΠΈ ΠΎΡΡ‚Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… элСмСнтов схСмы ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌ стабилизатор фиксированного ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния 5 Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚ Ρ‚ΠΈΠΏΠ° КР142ЕН5А. Π’Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½ Π² ΠΊΠΎΡ€ΠΏΡƒΡΠ΅ ВО — 220. Π’Π½Π΅ΡˆΠ½ΠΈΠΉ Π²ΠΈΠ΄ ΠΈ Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ²ΠΎΠ΅ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ КР142ЕН5А ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½Ρ‹ Π½Π° Ρ€ΠΈΡΡƒΠ½ΠΊΠ΅ 3.5.

Π°) Π±) Π’Π½Π΅ΡˆΠ½ΠΈΠΉ Π²ΠΈΠ΄ (Π°) ΠΈ Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ²ΠΎΠ΅ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ (Π±) КР142ЕН5А На Ρ€ΠΈΡΡƒΠ½ΠΊΠ΅ 3.5. ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½Ρ‹:

1 — Π²Ρ…ΠΎΠ΄;

2 — ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΉ;

3 — Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄.

НСсмотря Π½Π° Ρ‚ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ основноС Π½Π°Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ этого ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π° — источник фиксированного напряТСния, ΠΎΠ½ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ использован ΠΈ ΠΊΠ°ΠΊ источник с Ρ€Π΅Π³ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ΠΌ напряТСния ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΏΡƒΡ‚Π΅ΠΌ добавлСния Π² ΡΡ…Π΅ΠΌΡ‹ Π΅Π³ΠΎ примСнСния Π²Π½Π΅ΡˆΠ½ΠΈΡ… ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ². Π’Π½Π΅ΡˆΠ½ΠΈΠ΅ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Ρ‹ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Π½Ρ‹ для успокоСния ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… процСссов. Π’Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ кондСнсатор Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Π² Ρ‚ΠΎΠΌ случаС, Ссли рСгулятор находится Π΄Π°Π»Π΅ΠΊΠΎ ΠΎΡ‚ Ρ„ΠΈΠ»ΡŒΡ‚Ρ€ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ кондСнсатора источника питания.

ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ стабилизатора фиксированного напряТСния 5 Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚ Ρ‚ΠΈΠΏΠ° КР142ЕН5А ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Ρ‹ Π½ΠΈΠΆΠ΅:

— Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ номинальноС напряТСниС — 5Π’;

— Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ минимальноС напряТСниС — 4,9Π’;

— Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ максимальноС напряТСниС — 5,1Π’;

— Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ максимальноС напряТСниС — 15Π’;

— ΠΊΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ Π½Π΅ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ напряТСния, ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ — 0,05%/B;

— ΠΊΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ Π½Π΅ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ — 1,33%/A;

— Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС — 17мОм;

— Ρ‚ΠΎΠΊ ΠšΠ— — 750мА;

— ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ — 1,5А;

— Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡ΠΈΠΉ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€ кристалла −45… +125 Β°Π‘.

4. Π Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ обСспСчСния

4.1 Алгоритм Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ устройства

Для Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΈ построСнной ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ схСмы Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌ Π°Π»Π³ΠΎΡ€ΠΈΡ‚ΠΌ, с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ Π±ΡƒΠ΄ΡƒΡ‚ Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·ΠΎΠ²Π°Π½Ρ‹ эти Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΈ. На ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ этого Π°Π»Π³ΠΎΡ€ΠΈΡ‚ΠΌΠ° Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ написана ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ° для ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Π°. ΠŸΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠ½Π°Ρ‡Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π²Π²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌ с ΠΊΠ»Π°Π²ΠΈΠ°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ Π·Π°Π΄Π°Π½Π½ΡƒΡŽ ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒ вращСния двигатСля (ΠΎΡ‚ 2000 Π΄ΠΎ 3000 ΠΎΠ±/ΠΌΠΈΠ½), Π΄Π°Π»Π΅Π΅ Π½Π°ΠΆΠΈΠΌΠ°Π΅ΠΌ ΠΊΠ½ΠΎΠΏΠΊΡƒ пуск ΠΈ Π½Π°Ρ‡ΠΈΠ½Π°Π΅Ρ‚ся процСсс запуска двигатСля (задаётся ΠΏΡ€Π΅Π΄Π²Π°Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Π°Ρ ΡΠΊΠ²Π°ΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠΎΠ² для Ρ€Π°Π·Π³ΠΎΠ½Π°). Π‘ΠΈΠ³Π½Π°Π» с Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠ° скорости поступаСт Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄ внСшнСго прСрывания INT1 микропроцСссора. Π‘ ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ встроСнного Ρ‚Π°ΠΉΠΌΠ΅Ρ€Π°-счСтчика происходит ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ скорости вращСния Π²Π°Π»Π° Π”ΠŸΠ’. Π­Ρ‚ΠΎ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ сравниваСтся с Π·Π°Π΄Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ ΠΈ Π΅ΡΠ»ΠΈ ΠΎΠ½ΠΎ большС, Ρ‚ΠΎ ΡΠΊΠ²Π°ΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠΎΠ² увСличиваСтся ΠΈ Π½Π°ΠΎΠ±ΠΎΡ€ΠΎΡ‚ Ссли мСньшС. Π”Π°Π»Π΅Π΅ Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠ΅ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ выводится Π½Π° Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΡƒΡŽ строку Π–ΠšΠ˜. ΠžΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΈ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ скорости вращСния происходит ΠΊΠ°ΠΆΠ΄Ρ‹ΠΉ Ρ€Π°Π· ΠΏΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΡ…ΠΎΠ΄Ρƒ сигнала с Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠ° скорости, Ρ‚. Π΅. Π½Π° ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠΌ ΠΎΠ±ΠΎΡ€ΠΎΡ‚Π΅.

4.2 Π‘Π»ΠΎΠΊ-схСма Π°Π»Π³ΠΎΡ€ΠΈΡ‚ΠΌΠ° ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΡ‹

ΠŸΠΎΠ΄ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ° DEL

ΠŸΠΎΠ΄ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ° UM

ΠŸΠΎΠ΄ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ° SUM

ΠŸΠΎΠ΄ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ° VICH

ΠŸΠΎΠ΄ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ° ΠΎΠ±Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ прСрывания ΠΏΠΎ INT1

4.3 ВСкст ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΡ‹ Π½Π° ΡΠ·Ρ‹ΠΊΠ΅ ASSEMBLER

$nolist

$include (org.prc)

$include (pic_io.mac)

$include (lcd_io.mac)

$include (kbrd_io.mac)

$include (552asm.inc)

$list

LJMP START; ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ Π½Π° ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π½ΡƒΡŽ ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΡƒ

ORG 8003h; ΠΏΠΎΠ΄ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ° ΠΎΠ±Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ прСрывания ΠΏΠΎ INT0

RETI; Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΈΠ· ΠΏΠΎΠ΄ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΡ‹ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ прСрывания ΠΏΠΎ INT0

ORG 8013h; ΠΏΠΎΠ΄ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ° ΠΎΠ±Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ прСрывания ΠΏΠΎ INT1

ADD A, TL1

JB PSW.0, M11; ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ Ссли поступило ΠΏΡ€Π΅Ρ€Ρ‹Π²Π°Π½ΠΈΠ΅ ΠΎΡΡ‚Π°Π½Π°Π²Π»ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰Π΅Π΅ Ρ‚Π°ΠΉΠΌΠ΅Ρ€

SETB TCON.4

JMP M12

M11: CLR TCON.4; остановка Ρ‚Π°ΠΉΠΌΠ΅Ρ€Π°

MOV IEN0,#00h; Π±Π»ΠΎΠΊΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠ° ΠΏΡ€Π΅Ρ€Ρ‹Π²Π°Π½ΠΈΠΉ

MOV TL1,#00h; ΠΎΠ±Π½ΡƒΠ»Π΅Π½ΠΈΠ΅ счётчика ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠΎΠ²

M12: RETI; Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΈΠ· ΠΏΠΎΠ΄ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΡ‹ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ прСрывания ΠΏΠΎ INT1

START: CALL I2cinit; ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠ° связи с ΡΠΎΠΏΡ€ΠΎΡ†Π΅ΡΡΠΎΡ€ΠΎΠΌ

%PicGet (PIC_flg)

JC PROG

HALT: %SEND_STR_LCD (ERR1)

AJMP START

PROG: CLR CY; ΠΎΠ±Π½ΡƒΠ»ΠΈΡ‚ΡŒ Π±ΠΈΡ‚ пСрСноса

LCALL LCDinit; ΠΈΠ½ΠΈΡ†ΠΈΠ°Π»ΠΈΠ·ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π–ΠšΠ˜

MOV ACC, (Scan8_lines+INTenable+AutoRepeat_en+Beep_enable); (8 Π»ΠΈΠ½ΠΈΠΉ + ΠΏΡ€Π΅Ρ€Ρ‹Π²Π°Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠΎ INT0)

LCALL initKBRD; ΠΈΠ½ΠΈΡ†ΠΈΠ°Π»ΠΈΠ·ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ»Π°Π²ΠΈΠ°Ρ‚ΡƒΡ€Ρƒ

NEW: %SEND_CMD_LCD (01h); ΠΎΡ‡ΠΈΡΡ‚ΠΈΡ‚ΡŒ экран

CALL D; ΠΏΠΎΠ΄ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ° Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠΉ Π·Π°Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΊΠΈ

%PICGET (PIC_flg); ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠ° состояния сопроцСссора

JNB ACC. KBRDRQU, NEW; ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ Ссли клавиша Π½Π΅ Π½Π°ΠΆΠ°Ρ‚Π°

%PICGET (KBRD_STS); Ρ‡Ρ‚Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΊΠΎΠ΄Π° Π½Π°ΠΆΠ°Ρ‚ΠΎΠΉ клавиши

%KBRD_COD; ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ Π² ΠΊΠΎΠ΄Ρ‹ Π–ΠšΠ˜

LCALL LCDD; Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ Π½Π° ΡΠΊΡ€Π°Π½ Π·Π°Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ числа тысяч ΠΎΠ±/ΠΌΠΈΠ½

MOV A, R0; ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ ΠΊΠΎΠ΄Π° Π½Π°ΠΆΠ°Ρ‚ΠΎΠΉ клавиши Π² Ρ‡ΠΈΡΠ»ΠΎ ΠΎΠ±/ΠΌΠΈΠ½

SUBB A,#30h

MOV R0, A

MOV R1,#64h

LCALL UM

MOV R6, A; запись числа ΠΎΠ±ΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΎΠ² Π² Ρ€Π΅Π³ΠΈΡΡ‚Ρ€Ρ‹ R6 ΠΈ R7

MOV R7, B; Π² Ρ€Π΅Π³ΠΈΡΡ‚Ρ€Π΅ R7 — ΡΡ‚Π°Ρ€ΡˆΠΈΠ΅ разряды, Π° Π² R6 — младшиС

M1: %PICGET (PIC_flg)

JNB ACC. KBRDRQU, M1

%PICGET (KBRD_STS)

%KBRD_COD

LCALL LCDD; Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ Π½Π° ΡΠΊΡ€Π°Π½ Π·Π°Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ числа сотСн ΠΎΠ±/ΠΌΠΈΠ½

MOV A, R0; ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ ΠΊΠΎΠ΄Π° Π½Π°ΠΆΠ°Ρ‚ΠΎΠΉ клавиши Π² Ρ‡ΠΈΡΠ»ΠΎ ΠΎΠ±/ΠΌΠΈΠ½

SUBB A,#30h

MOV R0, A

MOV R1,#0Ah

LCALL UM

MOV R0, A

MOV R1, R6

LCALL SUM; опСрация слоТСния тысяч ΠΈ ΡΠΎΡ‚Π΅Π½ ΠΎΠ±/ΠΌΠΈΠ½ Π² Ρ€Π΅Π³ΠΈΡΡ‚Π°Ρ… R6 ΠΈ R7

M2: %PICGET (PIC_flg)

JNB ACC. KBRDRQU, M2

%PICGET (KBRD_STS)

%KBRD_COD

LCALL LCDD; Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ Π½Π° ΡΠΊΡ€Π°Π½ Π·Π°Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ числа дСсятков ΠΎΠ±/ΠΌΠΈΠ½

MOV A, R0

SUBB A,#30h

ADD A, R6; ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ

MOV R6, A; числа ΠΎΠ±/ΠΌΠΈΠ½ Π² Ρ€Π΅Π³ΠΈΡΡ‚Ρ€Π°Ρ… R6 ΠΈ R7

MOV R0,#00h

LCALL LCDD; Π΄ΠΎΠ±Π°Π²ΠΊΠ° нуля ΠΊ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠΌΡƒ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Ρƒ

OPR: MOV R3, R7; ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½ΠΎ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½ΠΎ Π½Π° ΡΡ‡Ρ‘Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠ΅

MOV R2, R6; ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ двумя ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ°ΠΌΠΈ ΠΎΡ‚ Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠ° скорости

MOV R0,#02h

LCALL DEL; Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ скорости Π½Π° 2 (N/2)

MOV R0, R2

MOV R3,#27h

MOV R2,#10h

LCALL DEL; 10 000/(N/2)

MOV R1, R2

MOV R0,#05h

LCALL UM; 10 000*5/(N/2)

MOV R6, A; занСсСниС Π² Ρ€Π΅Π³ΠΈΡΡ‚Ρ€Ρ‹ R6 ΠΈ R7 Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ

MOV R7, B; скоторым Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΡΡ€Π°Π²Π½ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ врСмя ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠ΅ Π½Π° ΡΡ‡Ρ‘Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠ΅

MOV PWMP, 7Fh; Π·Π°Π΄Π°Π½ΠΈΠ΅ Π½Π°Ρ‡Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ частоты повторСния ШИМ

MOV TCON,#01h; установка прСрывания INT0 ΠΏΠΎ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½ΡŽ (ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΈΠ· 1 Π² 0)

MOV IEN0,#81h; снятиС Π±Π»ΠΎΠΊΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠΈ ΠΏΡ€Π΅Ρ€Ρ‹Π²Π°Π½ΠΈΠΉ ΠΈ Ρ€Π°Π·Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ прСрывания ΠΏΠΎ INT0

M3: JNB TCON.1, M3; ΠΎΠΆΠΈΠ΄Π°Π½ΠΈΠ΅ прСрывания ΠΏΠΎ INT0 (Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ двигатСля)

MOV TMOD,#D1h; Π Π°Π·Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡ‚ΡŒ счётчиком 1 ΠΎΡ‚ INT1 ΠΈ Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€ 1 — ΠΎΠ³ΠΎ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ° счётчика 1 ΠΈ Ρ‚Π°ΠΉΠΌΠ΅Ρ€Π° 0

MOV TCON,#44h; запуск счётчика 1 ΠΈ ΡƒΡΡ‚Π°Π½ΠΎΠ²ΠΊΠ° прСрывания INT1 ΠΏΠΎ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½ΡŽ (ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΈΠ· 1 Π² 0)

MOV IEN0,#84h; снятиС Π±Π»ΠΎΠΊΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠΈ ΠΏΡ€Π΅Ρ€Ρ‹Π²Π°Π½ΠΈΠΉ ΠΈ Ρ€Π°Π·Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ прСрывания ΠΏΠΎ INT1

M4: JNB TCON.3, M4; ΠΎΠΆΠΈΠ΄Π°Π½ΠΈΠ΅ прСрывания ΠΏΠΎ INT1 (с Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠ° скорости Π·Π°ΠΏΡƒΡΠΊΠ°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ Ρ‚Π°ΠΉΠΌΠ΅Ρ€)

M5: JNB TCON.3, M5; ΠΎΠΆΠΈΠ΄Π°Π½ΠΈΠ΅ прСрывания ΠΏΠΎ INT1 (с Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠ° скорости ΠΎΡΡ‚Π°Π½Π°Π²Π»ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ Ρ‚Π°ΠΉΠΌΠ΅Ρ€)

SRAV: MOV A, TH0; опСрация сравнСния Π·Π°Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ ΠΈ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ с ΡΡ‡Ρ‘Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠ°

MOV B, TL0

CLR CY

SUBB A, R7

JC UVEL

MOV A, B

SUBB A, R6

JC UVEL

JMP UMEN

UVEL: MOV A, PWMP; опСрация увСличСния скваТности ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠΎΠ²

CJNE A,#01h, M6

DEC PWMP

JMP M6

UMEN: MOV A, PWMP; опСрация ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ скваТности ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠΎΠ²

CJNE A,#FFh, M6

INC PWMP

M6: MOV R0,#02h

MOV R3, TH0

MOV R2, TL0

LCALL DEL

MOV R0, R2

MOV R3,#27h

MOV R2,#10h

LCALL DEL

MOV R0, R2; ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ счётчика Π² Ρ‚Π΅ΠΊΡƒΡ‰ΡƒΡŽ ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒ

MOV R1,#05h; двигатСля ΠΈ ΠΎΡ‚ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Π΅Ρ‘ Π½Π° Π–ΠšΠ˜

LCALL UM

MOV R4, A

MOV R5, B

MOV R0,#64h MOV R3, R5

MOV R2, R4

LCALL DEL

MOV A, R2

ADD A,#30h

MOV R0,#C0h

LCALL LCDC; установка курсора Π² Π½Π°Ρ‡Π°Π»ΠΎ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ строки Π–ΠšΠ˜

MOV R0, A

LCALL LCDD; Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ количСства тысяч ΠΎΠ±/ΠΌΠΈΠ½

MOV R1, R2

MOV R0,#64h

LCALL UM

MOV R3, R5

MOV R2, R4

LCALL VICH

MOV B,#0Ah

MOV A, R2

DIV AB

MOV R0, A

ADD A,#30h

MOV R0, A

LCALL LCDD; Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ числа сотСн ΠΎΠ±/ΠΌΠΈΠ½

MOV A, B

ADD A,#30h

MOV R0, A

LCALL LCDD; Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ числа дСсятков ΠΎΠ±/ΠΌΠΈΠ½

MOV R0,#30h

LCALL LCDD; Π΄ΠΎΠ±Π°Π²ΠΊΠ° нуля ΠΊ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠΌΡƒ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Ρƒ

LJMP

UM: MOV A, R0; опСрация умноТСния

MOV B, R1

MUL AB

RET

SUM: MOV A, R0; опСрация слоТСния

ADD A, R1

MOV R0, A

MOV A, R2

ADDC A, R2

MOV R1, A

MOV R7, R1

MOV R6, R0

RET

DEL: MOV A, R3; опСрация дСлСния

MOV B, R0

DIV AB

MOV R3, A

MOV A, B

MOV B, R0

MOV R1,#08h

dwb3: CLR C

XCH A, R2

RLC A

XCH A, R2

RLC A

JNC dwb4

MOV R4,#FFh

XCH A, R4

DIV AB

ADD A, R2

MOV R2, A

MOV A, R4

ADD A, B

MOV B, R0

dwb4: CJNE A, B, dwb1

dwb1: JC dwb2

SUBB A, B

INC R2

dwb2: DJNZ R1, dwb3

RET

VICH: CLR C; опСрация вычитания

MOV A, R2

SUBB A, R0

MOV R2, A

MOV A, R3

SUBB A, R1

MOV R3, A

RET

D: %DELAY; врСмСнная Π·Π°Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΊΠ°

RET

Π—Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅

Π’ Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΌ курсовом ΠΏΡ€ΠΎΠ΅ΠΊΡ‚Π΅ Π±Ρ‹Π»ΠΎ Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π½ΠΎ микропроцСссорноС устройство задания ΠΈ ΠΏΠΎΠ΄Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°Π½ΠΈΡ, измСрСния ΠΈ ΠΈΠ½ΠΈΡ†ΠΈΠ°Π»ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ скорости вращСния Π²Π°Π»Π° двигатСля постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° (Π”ΠŸΠ’). Оно позволяСт ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΡΡ‚ΡŒ ΠΈ Π½Π°Π±Π»ΡŽΠ΄Π°Ρ‚ΡŒ Π·Π° ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ двигатСля Π² Ρ€Π΅Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ.

ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ микропроцСссора позволяСт Π΄ΠΎΠ±ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ высокой надёТности ΠΈ Ρ‚очности устройства.

1. Π€Ρ€ΡƒΠ½Π·Π΅ А. Π’. ΠœΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Ρ‹? Π­Ρ‚ΠΎ ΠΆΠ΅ просто! Π’.1. — Πœ.: ООО «Π˜Π” Π‘ΠšΠ˜ΠœΠ•Π», 2009 — 336 с., ΠΈΠ».

2. П. Π₯ΠΎΡ€ΠΎΠ²ΠΈΡ†, Π£. Π₯ΠΈΠ»Π». Π˜ΡΠΊΡƒΡΡΡ‚Π²ΠΎ схСмотСхники. — 5-Π΅ ΠΈΠ·Π΄Π°Π½ΠΈΠ΅, ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π½Π½ΠΎΠ΅. — Πœ.: «ΠœΠΈΡ€», 1998.

3. Π‘Ρ‚Π΅ΠΏΠ°Π½Π΅Π½ΠΊΠΎ И. П. ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Ρ‹ микроэлСктроники: Π£Ρ‡Π΅Π±. пособиС для Π²ΡƒΠ·ΠΎΠ². — 2-Π΅ ΠΈΠ·Π΄Π°Π½ΠΈΠ΅, ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π½Π½ΠΎΠ΅ ΠΈ Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½Π½ΠΎΠ΅. — Πœ.: Лаборатория Π‘Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… Π—Π½Π°Π½ΠΈΠΉ, 2008. — 488 с., ΠΈΠ».

4. Π£. Π’ΠΈΡ‚Ρ†Π΅, К. Π¨Π΅Π½ΠΊ. ΠŸΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Π°Ρ схСмотСхника. ΠŸΠ΅Ρ€. Ρ Π½Π΅ΠΌ. — Πœ.: «ΠœΠΈΡ€», 2008 — 512 с., ΠΈΠ».

5. Π‘Π°ΡŽΠΊΠΎΠ² А. Π‘. ΠŸΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Π΅ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Ρ‹: Π‘ΠΏΡ€Π°Π²ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊ. — Πœ.: Π­Π½Π΅Ρ€Π³ΠΎΠ°Ρ‚ΠΎΠΌΠΈΠ·Π΄Π°Ρ‚, 1987 Π³. — 744 с.

6. ΠšΠ°ΡΠΏΠ΅Ρ€ Π­Ρ€Π½ΠΈ ΠŸΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ Π½Π° ΡΠ·Ρ‹ΠΊΠ΅ ассСмблСра для ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€ΠΎΠ² сСмСйства i8051: Москва 2004.

7. Π˜Π½Ρ‚Π΅Ρ€Π½Π΅Ρ‚ рСсурсы www.analog.com

8. Kohonen T. 1984. Self-organization and associative memory. Series in Information Sciences, vol. 8. Berlin: Springer Verlag

9. Hebb D. 1961. Organization of behavior. New York: Science Edition.

10. Rumelhart D.E., Hinton G.E., Williams R.J. 1986. Learning internal reprentations by error propagation. In Parallel distributed processing, vol. 1, pp. 318−62. Cambridge, MA: MIT Press.

11. Werbos P.J. 1974. Beyond regression: New tools for prediction and analysis in the behavioral sciences. Masters thesis, Harward University.

12. Wasserman P.D. 1988a. Combined backpropagation/Cauchy machine. Proceedings of the International Newral Network Society. New York: Pergamon Press

13. Rumelhart D.E., Hinton G.E., Williams R.J. 1986. Learning internal reprentations by error propagation. In Parallel distributed processing, vol. 1, pp. 318−62. Cambridge, MA: MIT Press.

14. Wasserman P.D. 1988b. Experiments in translating Chinese characters using backpropagation. Proceedings of the Thirty-Third IEEE Computer Society International Conference. Washington, D.C.: Computer Society Press of the IEEE.

15. Parker D.B. 1987. Second order back propagation: Implementing an optimal 0 (n) approximation to Newton’s method as an artificial newral network. Manuscript submitted for publication.

16. Stornetta W.S., Huberman B.A. 1987. An improwed three-layer, backpropagation algorithm. In Proceedings of the IEEE First International Conference on Newral Networks, eds. M. Caudill and C. Butler. San Diego, CA: SOS Printing.

17. Pineda F.J. 1988. Generalization of backpropagation to recurrent and higher order networks. In Newral information processing systems, ed. Dana Z. Anderson, pp. 602−11. New York: American Institute of Phisycs.

18. Sejnowski T.J., Rosenberg C.R. 1987. Parallel networks that learn to pronounce English text. Complex Systems 1:145−68.

19. Burr D.J. 1987. Experiments with a connecnionlist text reader. In Proceedings of the IEEE First International Conferense on Neural Networks, eds. M. Caudill and C. Butler, vol. 4, pp. 717−24. San Diego, CA: SOS Printing.

20. Cottrell G.W., Munro P., Zipser D. 1987. Image compression by backpropagation: An example of extensional programming. ICS Report 8702, University of California, San Diego.

ΠŸΠΎΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚ΡŒ вСсь тСкст
Π—Π°ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒ Ρ‚Π΅ΠΊΡƒΡ‰Π΅ΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΎΠΉ