Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Электрические свойства и параметрические взаимодействия в диэлектрических резонаторах из KTaO3 и K1-xLixTaO3 в коротковолновой части СВЧ диапазона

Диссертация: Электрические свойства и параметрические взаимодействия в диэлектрических резонаторах из KTaO3 и K1-xLixTaO3 в коротковолновой части СВЧ диапазона
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Наибольший интерес системы и устройства на основе кристаллов танталата калия представляют в коротковолновой части СВЧ диапазона, где они модут успешно конкурировать с полупроводниковыми устройствами. Обладая достаточно высокой диэлектрической нелинейностью, танталат калия имеет весьма низкий уровень потерь, чем делает весьма перспективным его использование в качестве активной нелинейной среды… Читать ещё >

Электрические свойства и параметрические взаимодействия в диэлектрических резонаторах из KTaO3 и K1-xLixTaO3 в коротковолновой части СВЧ диапазона (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • ВВЕДЕНИЕ. ^
  • ГЛАВА I. ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ТАНТАЛАТА КАЛИЯ ОБЗОР)
    • 1. 1. Диэлектрическая проницаемость и нелинейность
    • 1. 2. Диэлектрические потери
    • 1. 3. Диэлектрические свойства Ki-xLixTa
    • 1. 4. Параметрическое взаимодействие в 1фисталлах КТа
  • ГЛАВА II. ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПОТЕРИ КРИСТАЛЛОВ К Та
  • И KbXLixTa 03 В КОРОТКОВОЛНОВОЙ ЧАСТИ свч
  • ДИАПАЗОНА. 2?
    • 2. 1. Методика и погрешности измерения tg-S'
    • 2. 2. Эксперименташьная установка для исследования диэлектрических свойств
    • KTaO. и параметрических эффектов в диапазоне 12 * 14 ГГц. Ш
      • 2. 3. Экспериментальная установка для исследования диэлектрических свойств К Та U 3 в диапазоне 25 * 36 ГГц
      • 2. 4. Результаты измерения диэлектрических потерь KTqO. и К, х Ljx Та 03 в интервале температур 4,2 * 300 К
  • ГЛАВА III. ДИЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ ПРОНИЦАЕМОСТЬ КРИСТАЛЛОВ К Та
  • И KbXLixTa 03 В ДИАПАЗОНАХ 12 + 14 1Гц
  • И 25 * 36 ГГц
    • 3. 1. Методика и погрешности измерения ?
    • 3. 2. Диэлектрическая проницаемость кристаллов КТа 03 и K,-xLixTa
  • ГЛАВА. U. ПАРАМЕТРИЧЕСКИЕ ЭФФЕКТЫ В РЕЗОНАТОРАХ из КТсхОз
    • 4. 1. Параметрическое взаимодействие электромагнитных колебаний в резонаторах из К Та
    • 4. 2. Параметрическое возбуждение звука СВЧ накачкой в резонаторах из KTcxO-j
  • ГЛАВА V. ПОВЕРХНОСТНЫЕ СЛОИ И ИХ ВЛИЯНИЕ НА ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА РА30НАТ0Р0 В К Та И К"х LitfTa O j №
    • 5. 1. Исследование поверхностных слоев в сегнетоэлектриках. 10?
    • 5. 2. Влияние поверхностных слоев на собственные частоты и диэлектрические потери резонаторов из K". xLixTc* о j, а о

Танталат калия привлекает к себе последние годы все большее внимание специалистов в области физики твердого тела. Велик интерес к этому кристаллу и исследователей, занимающихся прикладными вопросами, в частности, разработкой различных нелинейных диэлектрических СВЧ устройств.

Наибольший интерес системы и устройства на основе кристаллов танталата калия представляют в коротковолновой части СВЧ диапазона, где они модут успешно конкурировать с полупроводниковыми устройствами. Обладая достаточно высокой диэлектрической нелинейностью, танталат калия имеет весьма низкий уровень потерь, чем делает весьма перспективным его использование в качестве активной нелинейной среды в параметрических устройствах, в системах с электрическим управлением и иных нелинейных системах.

Исследование диэлектрических свойств KTqO, и особенно его малых потерь при низких температурах позволяет также выяснить механизмы диссипации электромагнитной энергии на СВЧ, особенности фазового перехода, который может быть вызван в этом виртуальном сегнетоэлектрике приложением механического давления, рядом других воздействий, а также замещением калия в кристаллической решетке, например, литием.

Диэлектрические потери танталата калия в коротковолновой части сантиметрового диапазона оставались до последнего времени практически не изученными.

Также не исследованы в этой частотной области при температурах, близких к температуре жидкого гелия, и диэлектрические свойства K, xLixTa О, — хотя информация об этих свойствах представляется весьма актуальной для создания СВЧ устройств данного диа пазона.

Исследованию указанных выше проблем, связанных со свойствами танталата калия, и посвящена настоящая работа.

Диссертация состоит из пяти глав.

Б первой главе дан краткий обзор литературы, имеющей непосредственное отношение к проведенным исследованиям.

Во второй главе описана методика и погрешности измерения, криогенные экспериментальные установки для исследования нелинейных диэлектриков в диапазонах 12 * 14 ГГц и 25 * 36 ГГц. Излагаются результаты измерения диэлектрических потерь в кристаллах

К Та О3 и LixTa О3 «

В третьей главе описана методика, погрешности и основные результаты измерения диэлектрической проницаемости при Т = 4,2 К и относительного изменения? с температурой.

В четвертой главе описаны эффекты параметрических взаимодействий в диэлектрических резонаторах из К Та 05, наблюдавшиеся на частотах 12 + 14 ГГц при температуре жидкого гелия. Рассмотрены возможные механизмы возбуждения ультразвука в исследованных резонаторах.

В пятой главе изложены результаты исследования медленных релаксационных процессов в К Та О, и Kj-xLiyTaO? при температурах 4,2 К ^ Т < 30 К.

Проведенные в диссертационной работе исследования позволяют сформулировать следующие положения, которые выносятся на защиту.

I. Диэлектрические потери монокристаллов К Та на частотах 12 * 14 ГГц и 25 + 36 ГГц при температурах, близких к температуре жидкого гелия, малы и лежат на один-два порядка ниже значений, известных для других сегнетоэлектрических кристаллов.

Это делает указанные кристаллы перспективными для использования в качестве активной среды в коротковолновой части СВЧ диапазона.

2. Впервые измеренные диэлектрические потери кристаллов K|.xL"ixTcx Oj (х = 0,02- 0,05- 0,1 по шихте), в области температур ниже фазового перехода (Т<30 К) на частотах 12 * 14 ГГц и 25 * 36 ГГц оказываются не выше потерь чистого

КТа03.

3. Качественный ход кривых относительного изменения? с температурой кристаллов K^Li/Tcx 03 при низких температурах аналогичен виду зависимости для чистого К Та 0 у Обратная диэлектрическая проницаемость кристаллов К, х LixTa на частотах 12 * 14 ГГц при Т — 4,2 К линейно убывает с уменьшением концентрации лития X.

4. В резонаторах из КТо 0, при Т = 4,2 К на частотах 12 * 14 ГГц осуществлено параметрическое взаимодействие СВЧ колебаний в двавды вырожденном режиме, а также электромеханическое параметрическое возбуждение ультразвука, которое носит элек-трострикционный характер.

5. В диэлектрических резонаторах из KTcO, и K,.xLixTa 0-j при охлаждении до температуры ниже Т ^ 30 К наблюдаются медленные релаксационные изменения собственных частот, связанные с перераспределением зарядов и изменением внутреннего электрического поля. Скорость и характерные времена Z" этих медленных процессов определяются диэлектрической проницаемостью и проводимостью кристаллов, и для исследованных образцов при гелиевых температурах характерные времена имеют порядок * Ю4 сек.

ЗАКЛКЯЕНИЕ

Сформулируем основные результаты работы:

1. Создана экспериментальная установка для исследования свойств диэлектрических резонаторов (колебательной добротности, спектра собственных частот) в коротковолновой части СВЧ диапазона • • Измерения методом диэлектрического резонатора в волноводном тракте проведены на частотах 25 * 36 ГГц в интервале температур 4,2 * 20 К.

Создан измерительный комплекс для исследования диэлектрических потерь, диэлектрической проницаемости, параметрических эффектов и медленных релаксационных процессов в сегнетоэлектри-ческих резонаторах СВЧ диапазона. Комплекс позволяет проводить частотные, амплитудные и спектральные измерения на частотах 12 + 14 ГГц в интервале температур 4,2 + 300 К. Эти исследования осуществлены на диэлектрических резонаторах из К Та 03 и K, xLixTa03.

2. Подробно рассмотрены погрешности измерения потерь методом диэлектрического резонатора. Теоретически показано и экспериментально подтверждено, что даже значительные паразитные отражения в тракте могут вносить систематическую погрешность, занижающую получаемые значения добротностей не более, чем на 20 $, если частотная зависимость паразитных отражений в пределах полосы исследуемого резонатора мала.

3. На созданных экспериментальных установках проведено подробное изучение электрических свойств, релаксационных и параметрических эффектов в диэлектрических резонаторах из кристаллов

КТа03 и K,.xLi/Ta03 .

4. Изучение колебательной добротности резонаторов позволило исследовать диэлектрические потери танталата калия в диапазоне 12*14 ГГц. Впервые исследованы диэлектрические потери кристаллов К Та 03 в диапазоне 25−36 ГГц, а кристаллов K,-xLiyTa 03 в диапазонах частот 12−14 ГГц и 25−36 ГГц при температурах, близких к температуре жидкого гелия.

Установлены следующие особенности диэлектрических потерь: а) в диапазоне 12−14 ГГц как К Та О, так и K^TaO, при гелиевых температурах обладают чрезвычайно малыми потерями.

Наименьшие значения при Т = 4,2 К дляKTa03tjS" <[, 2• 10^, и

Для КО-9Ь"ОдТа03 Ъс^Вя 2-Ю" 5- б) с ростом температуры выше Т = 4,2 К в обоих рабочих частотных диапазонах душ всех исследованных концентраций лития потери монотонно растут, причем, при Т (25+35К) наблюдается максимум, положение которого зависит от концентрации литияв) при Т > 40 К на частотах 12+14 ГГц в чистом танталате калия потери монотонно растут и их уровень хорошо согласуется с теоретическими оценками, учитывающими решеточные механизмы затухания мягкой моды.

5. Изучение спектров собственных частот резонаторов позволило исследовать изменение диэлектрической проницаемости с температурой.

На частотах 12−14 ГГц при Т = 4,2 К впервые оценены значения диэлектрической проницаемости кристаллов K (.xLixTa для X — 0,02- 0,05- 0,1. Обнаружено, что: а) диэлектрическая проницаемость всех исследованных кристаллов монотонно растет в интервале температур Т = 4,2*30 К, что свидетельствует о преобладании при Т < 20 К в кристаллах

LixTa 05 решеточной восприимчивости над релаксационнойб) в интервале температур I00K < Т < 270 К на частотах 12*14 ГГц в чистом танталате калия диэлектрическая проницаемость изменяется в соответствии с модифицированным законом Кюри-Вейса с параметрами, согласующимися с данными других работв) обратная диэлектрическая проницаемость К, х L ixTa Oj на частотах 12*14 ГГц при Т = 4,2К линейно возрастает с концентрацией лития X — г) значения полученных диэлектрических проницаемостей отличаются от измеренных ранее на низкой частоте. Как показывают соответствующие оценки, эта дисперсия может быть объяснена пьезоэлектрическим зажатием доменов на СВЧ.

6. В диапазоне 12*14 ГГц при Т=4,2 К экспериментально реализовано параметрическое взаимодействие электромагнитных колебаний в резонаторах из К Та О, в дважды вырожденном режиме.

7. Обнаружено параметрическое возбуждение ультразвука электромагнитной накачкой при температуре жидкого гелия. Проведена оценка пороговых мощностей накачки для возможных механизмов такого взаимодействия. Показано, что эффект носит электрострик-ционный характер.

8. Исследованы медленные релаксационные изменения собственных частот резонаторов из КТа 03 и K,.xLixTaO, при Т = 4,2 К. Установлено, что этот процесс отвечает максвел-ловской релаксации и его характерные времена приблизительно пропорциональны диэлектрическим проницаемостям и удельному сопротивлению образцов.

В заключение хочется выразить глубокую благодарность моему научному руководителю профессору кафедры физики колебаний ИВАНОВУ И.В., а также старшему преподавателю кафедры физики колебаний ЕЕЛОКОПЫТОВУ Г. В. за постоянное внимание, всестороннюю помощь и поддержку.

Автор благодарен СЫРНИКОВУ П.П. и ЯНОВСКОМУ В.К. за предоставленные кристаллы танталата калия, а также СОРОКИНУ М.И., ПЕТРОВУ Д.Г., СЫРОМЯТНИКОВУ И.Ю. и другим сотрудникам кафедры колебаний за помощь в работе.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Д.Г., Веневцев Ю. Н. О характере фазового перехода сег-нетоэлектрика КТа05. — ФТТ, 1971, 13, № 3, с.669−673.
  2. Samara Д., Tflorosin 8. dnharmo nic effects in KTa03- ferroelectric mode therma L expansion and compress’i bi Li t PKys. Rev/., 19 В8, лАЗ, p. 1256−126?.
  3. Д.Г., Веневцев Ю. Н., Жданов Г.С. Система KTq ~~
  4. PbTl 03 в интервале температур 4,2 300 К. — Кристаллография 1970, 15, № 3, с.582−584.
  5. S. Н. 5ome transport propertes ofoxygen -dificient single cryst qL pot as -sium tcmtaLate (^ТсД).- Phys. Rev., 1365*-lЪЪА, p. ±S?6~-1SSZ.
  6. Kolnng. WempLe S. H. measurement of nonLinear polarization of KTaOy usin^. Sch ott К у diodes.— AppL. РЦ^ 1965, 36, /A9, P- 2925*-2929.
  7. Fujii Y., SaKudo T. DieLectric oind optical properties of KTaQ^— 0. РЦз. Soc. Da pa n^ 19^p.888−893.
  8. Davis T &. DieLectr-ic propertiesand soft modes in the ferroeLect ri с mixed crystaLs Phus. 19? г1. P2S30-ZS3?
  9. Aqrawal >4 Д, Rao K./. Dielectric properties and optical absorption o-f l
  10. Low/Less W. A/- specific he at Qnd eLectro-caLoric properties of KTqO^ at Low temperatures.-- Phi/5. Re/., 19??, В16, vV’l, p. ii33-
  11. И.М., Иванов И. В., Моисеев Н. Н., Чупраков В. Ф. Нелинейность и диэлектрические потери танталата калия. ФТТД980, 22, & 7, с.2057−2062.
  12. Rupprecht ?v BeLL R.O. Dielectric constant in pa rae Le ct ri с perovsKites1. Pbys. Rev. j tM.lSS/l, p.
  13. D. ГЛ. Electron paramagnetic resonance of Fe+ahd ЛГ/3+ in КTa031. Rev., p. W.
  14. Lowndes R. R, Rast/?. ?ta bizati on of •the porci e Lectric phase of KTqOjand 6rTi03 by stronguartic moniciiy.— 0. Phy. s4?: Si. Pbys., 46, v^Aj- p. 932−34^.
  15. В.Ф. Диэлектрическая нелинейность танталата калия и титаната стронция на СВЧ при низких температурах. Канд. дисс., М., физ. фак. МГУ, 1981.
  16. Barret &-Н. DieLectric constant in perovskite type crystals.— РЬу-s.1952, p. US-120.19. mattias B. T Afew -ferroeLectric crysta LLs, — P In у s. Rew., i9V9,, ^рлт.
  17. Э.Е., Kurtz S.K., /IfeLsonT Э., WempLe S.H. Л/onLinear die Lect rfc properties of KTaO? near ttie Curie point,
  18. AppU Phys. Lett, 1965, IP, p. 1S5-IS*.
  19. TTliLLer R., Spitzer W. For infrareddielectric dispersion in1. РЦь. p. Q
  20. Silverman B. D. TTlicrowai/e absorptionin cubic strohiium titanat е.— РЦь. Re^, 1962, 125- p. 1921−1930.
  21. Tani К. Dynamics of d is pLas i ve-t ype -ferroeLectric.s — so-ft mode, — 0. PInys.
  22. Soc. Dapan, IQSd, 2Jk> p. 69.
  23. .Я., Вакс В. Г., Шкловский Б. И. Затухание критических колебаний и диэлектрические потери в сегнетоэлектри-ках типа смещения. ФТТ, 1970, 12, JS I, с.89−99.
  24. В.Г. Введение в микроскопическую теорию сегнетоэлектри-ков. М., Наука, 1973.
  25. А.К. 0 диэлектрических потерях в сегнетоэлектриках типа смещения. 1ЭТФ, 1984, 86, & 6, с. 2215 — 2228.
  26. B.C. К теории поглощения электромагнитных волн в идеальной и неидеальной ионной кристаллической решетке. Труды ШАН, 1969, т.48, с.76−144.
  27. B.C. К теории диэлектрических потерь при сверхвысоких частотах в кристаллах с неидеальной решеткой. ФТТ, 1962, 4, lb II, с.3348−3349.
  28. О.Г., Платонова Л.ГЛ., Соколов А. И. Параметрический механизм потерь в сегнетокерамике в сильных СВЧ-полях.- Изв. АН СССР,'сер.физ., 1969, 33, J& 7, C. II67-II69
  29. О.Г., Платонова Л. М. Влияние доменных образований, присутствующих в параэлектрике, на диэлектрические потери в СВЧ-диапазоне. ФТТ, 1969, II, № 4, с.1069−1072.
  30. Г. В., Иванов И. В., Моисеев Н. Н., Петров А. В., Сычев В. М. Нелинейность диэлектрических потерь в титанате стронция при гелиевых температурах. Тезисы I Всесоюзногосовещания по сегнетоэлектричеству, Ростов-на-Дону, 1979, ч.2, с. 12.
  31. Н.Н. Диэлектрические потери и параметрические взаимодействия в кристаллах титаната стронция и танталата калияна СВЧ. Канд. дис., М., МГУ, 1982.
  32. О.Г., Дедык А. И., Зайончковский А. Я., Коноваленко В. В. Диэлектрические потери в МДМ-структурах на основе титаната стронция в диапазоне радиочастот при Т = 4,2 К. ФТТ, 1980, 22, Ш 6, с. 1682.
  33. Г. В., Иванов И. В., Моисеев Н. Н., Чернышев Ф. Д. Потери в диэлектрических резонаторах из титаната стронция с электродами.. Сб. Физика и химия твердого тела, М., ШШИ-НИИТЭХИМ, 1982, с.35−40.
  34. А.Б. Влияние поверхностных слоев и электрического поля смещения на диэлектрические свойства резонаторов из танталата калия. Дипл. раб., физ. ф-т, МГУ, 1984.
  35. В.М. Сегнетоэлектрики-полупроводники. М., Наука, 197 €
  36. Дж., Тейлор Дж. Полярные диэлектрики и их применение.-М., Мир, 1981.
  37. Г. В., Иванов И. В., Петров Д. Г., Решетников М.Е.
  38. Измерение диэлектрических потерь танталата калия в 8-мм диапазоне. ФТТ, 1984, 26, JS 2, с.545−547.
  39. И.М., Иванов И. В., Чистяев В. А. Взаимодействие мод и диэлектрические потери в танталате калия. ФТТ, 1980, 22, JS 9, с.2848−2849.-12 941. Hoclli U.T., WeibeL H.E., Boainer Lfl.
  40. Extrinsic peak in the susce pti biLity of incipient ferroeLe ctM’c KTftP3: L, — Pby5. Rev. Lett v 49?<9, ?f, p. l
  41. .Е., Глинчук М. Д. Сегнетоэлектрический фазовый переход в кристаллах с нецентральными ионами. ФТТ, 1979, 21, В 4, с.1263−1265.
  42. .Е., Глинчук М. Д. Особенности кооперативного поведения пара-электрических дефектов в сильно поляризуемых кристаллах ЖЭТФ, 1980, 79, J6 9, с.947.
  43. Yacoby Y., Yubt 5. Differential Raman Scatterring. from impurity soft modesiV) mixed crystaLs of and
  44. К^Ь>хТа03.- SoL. St. Comm. jiWf, p.
  45. Court ens F. B/ref м’п^е nee meets и re merits on KTa03: Li? РЦз, 4 li^
  46. HackLi U. t, Wei be L HF., Boat ner L. A Stabi-Usatfon of a poLarised cLuster-s in KTcD3 by Li defects: formation of a poLarll^iM, L563-LS6?.
  47. И.Н., Сытиков А. А., Коломцев В. И., Круликовский Б. К. Фазовый переход в состояние полярного стекла в «Ux)Ta О^Г ЖЭТФ, 1981, 80, й 6, с.2317 2323.
  48. Г. А., Сотников А. В., Сырников П. П., Юпин Н. К. Существование сегнетоэлектрической фазы в 1фисталле К Ta03 • Письма в III, 37, $ I, с.30−33.
  49. Г. А., Сотников А. В., Сырников П. П., Шин Н.К. Сег-нетоэлектрический фазовый переход в КТо<03 • Lh
  50. Изв. АН СССР, сер. физ., 1983, 47,? 4, с.648−651.
  51. Ю.М., Бовтун В. П., Гефман И. Н. Диэлектрическая дисперсия в монокристаллах KTa03^ Li г Изв. АН СССР сер. физич., 47, № 4, с.648−651.
  52. И.Н. Применение ЭПР при исследовании сегнетоэлектри-ков. Тезисы докладов X Всесоюзной конференции по сегнето-электричеству и применению сегнетоэлектриков в народном хозяйстве, Минск, 1982, ч.2, с. 155.
  53. И.Н. Влияние нецентральной примеси лития на ЭПР парамагнитных центров в КТс3 т ФТТ, 1981, 23, J? 4, с.1253.
  54. Cassec/y F S. A surface wave parametric amplifier.- Proc. IRF, 1953, p. L3M-13P5.
  55. О.Г., Дахнович А. А., Тер-Мартиросян Л.Т., Миронен-ко И. Г. Параметрический усилитель на I ГГц на нелинейном диэлектрике. Радиотехника и электроника, 1969, 14, № 3, с.555−557.
  56. О.Г., Дахнович А. А., Рубан А. С., Тер-Мартиросян Л.Т., Янченко Ю. Ф. Охлаждаемый параметрический усилитель на титана-те стронция. Радиотехника и электроника, 1972, 17, № 9, с. 1981.
  57. BlLLetfer Т. R., GiaroLa А. Bjorkstcim <�Н. D/'sbectric parametric ampLifier.—0. /JppL. Pbys.- 196V, 35^ tAfe?- p. 2159.
  58. И.В. Перспективы применения полосковых линий с нелинейным диэлектриком в диапазоне СВЧ. Вопросы радиоэлектроники. Сер. Ш, 1965, № 3, с.85−98.
  59. И.В., Белокопытов Г. В., Сычев В. М. Параметрическое усиление в сегнетоэлектрических резонаторах на СВЧ. Сб. Сегнето- и пьезоматериапы и их применение, М., 1978, МДНТП им. Дзержинского Ф. Э., с.82−85.
  60. И.В., Белокопытов Г. В., Сычев В. М. Параметрические взаимодействия в диэлектрических резонаторах СВЧ из титаната стронция при температуре жидкого гелия* Письма в ЖТФ, 1977, 3, ^ 19, C.I0II-I0I3.
  61. В.М. Экспериментальное исследование параметрических взаимодействий в микрополосковых резонаторах из Sr*Ti 03 при низких температурах. Канд. дисс., М, МГУ, 1983.
  62. Г. В., Иванов И. В., Моисеев Н. Н. Параметрическое усиление в диэлектрических резонаторах из танталата калия при непрерывной накачке. Письма в ЖТФ, 1982,8, № 10, с, 611--613.
  63. И.В., Ангелов И. М., Лаптев А. Г. Сегнетоэлектрические нелинейные элементы распределенного типа и возможность их применения для параметрического усиления в СВЧ диапазоне. -Изв. вузов. Радиоэлектроника, 1973, 16, J^ 10, с.28−34.
  64. И.В. Об особенности работы в параметрических системах нелинейных диэлектрических элементов распределенного типа. -Вестник МГУ сер. физ. астрон., 1973, 4, с. 501.
  65. Г. В. Параметрическое взаимодействие электромагнитных колебаний в сегнетоэлектрических резонаторах. Канд. дис. М., МГУ, 1978.
  66. Г. В. Параметрическое взаимодействие электромагнитных колебаний в нелинейных диэлектрических резонаторах. Основные равнения. Вестник МГУ, сер.физ.астрон., 1977,18, № 2, с.61−66.
  67. Г. В. Параметрическое взаимодействие электромагнитных колебаний в нелинейных диэлектрических резонаторах. Стационарные режимы усиления. Вестник МГУ, сер. физ.астрон., 1977, 18, JS 5, с. 103−108.
  68. Г. В., Моисеев Н. Н. Параметрическая регенерация в сегнетоэлектрических резонаторах. Изв. вузов. Радиофизика, 1982, 25, Л• 10, с.1210−1220.
  69. М.Н., Планарные тонкопленочные сегнетоэлектрические резонаторы в параметрических усилителях СВЧ. Канд. дис., ЛЭГИ, Ленинград, 1979.
  70. A.M. Исследование электрических свойств поликристаллических пленок титаната стронция в сильных электрических полях СВЧ. Автореферат канд. дис. ЛЭТЙ, Ленинград, 1977.
  71. Тер-Мартиросян Л. Т. Параметрический разогрев тепловых акустических мод в нелинейном диэлектрике. Радиотехника и электроника, 1975, 20, № 12, с. 2592.
  72. Г. В., Коцаренко Н. Я. Нелинейное поглощение электромагнитного излучения в центросимметричных кристаллах, обусловленное возбуждением звука. ФТТ, 1981, 23, с.3232−3237.
  73. Э.В., Шапкин В. В., Баранов А. Ф., Рцчаговский В.В.
  74. Сегнетоэлектрики и диэлектрики. Ученые записки ЛГПИ им. Герцена, 1967, Л., т.384, вып. Ш, с.З.
  75. И.М. Диэлектрические потери титаната стронция в диапазоне сверхвысоких частот. Вестник МГУ, сер.физ.астрон., 1977, 18, J* 6, с. 70−76.
  76. И.М. Исследование нелинейности и диэлектрических потерь титаната стронция в диапазоне сверхвысоких частот. Канд. дис., М., МГУ, 1972 г.
  77. Л.А. Открытые резонаторы и открытые волноводы. -Сов. радио. М., 1966.
  78. В.И. К теории радиационной добротности диэлектрического резонатора. Доклады АН СССР, 1968, 180, № I, с.70−72.
  79. И.М. Динамический метод измерения добротности СВЧ резонаторов. ПТЭ, 1971,? I, с. 160.
  80. Ф. Техника измерений на сверхвысорк частотах. М., Физматгиз, 1963.
  81. Д.Г. Исследование диэлектрических потерь кристаллов танталата калия в 8-миллиметровом диапазоне. Дипл. раб., физ. фак. МГУ, 1983.
  82. Davphinee Т Preston -Thomas Н. Л.
  83. A copper resistance temperature scaLe.—
  84. Rev/. Sci. Irstn, 1954, 9j p. 884−886.
  85. Я. Измерение низких температур электрическими методами. М., Энергия, 1980.
  86. А.Ф. Техника сверхвысоких частот. М. Сов. радио, 1965.
  87. А.Л., Чоршуков Б. П., Крисов Л. Л., Козлов Г. В., Лебедев С. Р. Электродинамические свойства металлических решеток. Препринт ФИАН им. Лебедева, 1981.
  88. В.Ф. Диэлектрические волноводы. М. Сов. Радио, 1970.
  89. Axe 1 D., На га б/а ?.,?bi>ane G. Anomalousacoustic dispersion in cent rosy mmeinc crystaLs wi-fch soft opt"с phonons, — PЬуд Rev/., 190, B1, Я 122?- 123*.
  90. Slnirane G.^/l/a-fcliahS THinkie v i ck lempe-rature dependence of ike soft -ferroelectric mode in KTqG^- РЦз. Re^ 196?, p. 396−399.
  91. B.M. О возможности создания параметрического усилителя СВЧ с рекордно низким уровнем шумов. Изв. АН СССР, сер. физ., 1965, 29, & II, с.2121−2124.
  92. Uwe H.^SakudoT Ramci п scott е rin<^. stn-dy of stress induced ferroeLectrici"tуin KTa03Pliys. ЗЗ^-З^Х
  93. И.Ю. Исследование диэлектрических свойств кристаллов танталата калия в 8-миллиметровом диапазоне при гелиевых температурах. Дипл. раб., физ.фак. МГУ, 1984.
  94. Sqbisky E.S., Gerr itsen Ю. TTleasurments of the. clieLectric constqnt of RutiLe (TZ) at microwe*ve frequencies between 4,2° qnd 300°К/4ppL. Phys., 1962, 33,. /lAV, p. W 50-±453.
  95. Prater R.'i-j, Chase L.L., Boatner L/J. Raman scct-«ber ('nj- studies o-ftl-ie. impurity induced ferroe W-trie phase transition in РЦys. Rev/., 1951, 623, lA/^Li., p. S904−59i5.
  96. Г. В. Структурный фазовый переход и диэлектрические аномалии в титанате стронция. М., Деп. ВИНИТИ, $ 3951−80, I сентября 1980.
  97. Barret Н.Н. Ultrasonic propagation v/eLocity ih KTQ03.- РЦ s, Lett. 1968, ZSA, p,
  98. Uwe HtJ Sakucto T E Lsct rost Net i Oh anc (stress ividmced -jferroeLect ricity in KTaD3r~ Л.РЦб. Japan, 38j p. 153−183.
  99. B.B., Медведев В. И., Муст ель E.P., Парыгин B.H. Основы теории колебаний. М., Наука, 1978.
  100. Г. К., Коцаренко Н. Я., Кошевая С. В. Взаимодействие электромагнитных и акустических волн в твердых телах. Изв. вузов, Физика, 1981, 24, & 8, с.57−68.
  101. Р.В. Об одном механизме электрострикционной генерации гиперзвука в непьезоэлектрических твердых телах. ФТТ, 1984, 26, № 2, с.614−616.
  102. Г. Акустические свойства веществ со структурой типа перовскита. В кн. Физическая акустика, М., Мир, 1973, с.90−138.
  103. М.М., Шапиро В. Е., Шехтман И. А. Неустойчивость стенок резонаторов под действием пондермоторных сил электромагнитного поля. ЯТФ, 1966, 36, «II, с.2017−2027.
  104. В.Е. О пондермоторных эффектах электромагнитного излучения. ЖЭТФ, 1968, 55, В 2, с.577−583.
  105. Э.В. Нелинейный кристалл (титанат бария). М. Наука, 1974.
  106. BLoomfieLcl RE., Lef Kowftz I., Aronoff- A. D. ELectnc fie Lei cAi si ri but ions in dieLectrfcs^ wi-tln speciaL emphasis on hear- surfaceons ih -ferroeLeccrics.— Pky5. Rei/V t9? ij WJ
  107. Л.А. Влияние примеси на сегнетоэлектрическую систему с переходом типа смещения. ФТТ, 1973, 15, № 5, с.1603--1605.
  108. Ф., Ширане Д. Сегнетоэлектрические кристаллы. М., Мир, 1965.
  109. В.Н. Исследование возможностей создания СВЧ емкостей с большой нелинейностью. Дипл. раб, физ. фак. МГУ, 1984.
  110. Н.К., Сотников А. В. Возбуждение упругих волн в центро-симметричных кристаллах титаната стронция. ФТТ, 1980,22, В 9, с.2772−2776.
  111. Fossheih К, BjerKanb. Ltybt-sznsitive RayLeiftk-wave generation by Surface pie20eLecirici-ty.- /?ppL. Phys. Lett., 32 уp. 199−201,
  112. Г. A., Леманов В. В., Сотников А. В., Сырников П. П. Юпин Н.К. Пьезоэлектрическое возбуждение упругих волн в центросимметричном кристалле танталата калия. Доклады АН СССР, 1981, 260, JS 3, с.605−607.
  113. Г. И. Физика диэлектриков. М., ГИТТЛ, 1949 г.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!