ΠŸΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒ Π² написании студСнчСских Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚
АнтистрСссовый сСрвис

ЭлСктропроводящиС ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ·ΠΈΡ†ΠΈΠΈ ΠΈ процСссы ΠΈΡ… нанСсСния Π½Π° ΠΏΠΎΠ»ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΊΠΈ полиграфичСским способом

Π”ΠΈΡΡΠ΅Ρ€Ρ‚Π°Ρ†ΠΈΡΠŸΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒ Π² Π½Π°ΠΏΠΈΡΠ°Π½ΠΈΠΈΠ£Π·Π½Π°Ρ‚ΡŒ ΡΡ‚ΠΎΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΠΌΠΎΠ΅ΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹

Π Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ элСмСнты Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ нанСсСния элСктропроводящих ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ·ΠΈΡ†ΠΈΠΉ полиграфичСским способом ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Π½Ρ‹ Π² ΠΊΠ°Ρ‡Π΅ΡΡ‚Π²Π΅ ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈ для ΠΎΡ€Π³Π°Π½ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠΌΡ‹ΡˆΠ»Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ выпуска «ΠΏΠ΅Ρ‡Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ элСктроники». ΠŸΡ€Π΅Π΄Π»ΠΎΠΆΠ΅Π½Π° структурно-тСхнологичСская схСма оборудования для ΠΏΠ΅Ρ‡Π°Ρ‚ΠΈ струйным ΠΈ Ρ„лСксографским способами элСктропроводящих ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ·ΠΈΡ†ΠΈΠΉ, содСрТащих наночастицы сСрСбра с ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌ Ρ‚Ρ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ… Π§ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Π΅Ρ‰Ρ‘ >

ЭлСктропроводящиС ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ·ΠΈΡ†ΠΈΠΈ ΠΈ процСссы ΠΈΡ… нанСсСния Π½Π° ΠΏΠΎΠ»ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΊΠΈ полиграфичСским способом (Ρ€Π΅Ρ„Π΅Ρ€Π°Ρ‚, курсовая, Π΄ΠΈΠΏΠ»ΠΎΠΌ, ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΡŒΠ½Π°Ρ)

Π‘ΠΎΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°Π½ΠΈΠ΅

  • Π“Π»Π°Π²Π° 1. АналитичСский ΠΎΠ±Π·ΠΎΡ€
    • 1. 1. Π‘ΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄Ρ‹ изготовлСния элСктронных схСм
    • 1. 2. Бвойства ΠΏΠΎΠ»ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΎΠΊ, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Ρ… Π² Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ полиграфичСского ΠΈ ΡƒΠΏΠ°ΠΊΠΎΠ²ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ производства
    • 1. 3. ЭлСктропроводящиС ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ·ΠΈΡ†ΠΈΠΈ, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Π΅ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ элСктронных схСм
    • 1. 4. Π’Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρ‹ ΠΊ Π°Π½Π°Π»ΠΈΡ‚ичСскому ΠΎΠ±Π·ΠΎΡ€Ρƒ
  • Π“Π»Π°Π²Π° 2. ΠžΠ±ΡŠΠ΅ΠΊΡ‚Ρ‹ ΠΈ ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄Ρ‹ исслСдования
    • 2. 1. ΠŸΠΎΠ»ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΊΠΈ, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Π΅ Π² Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅
    • 2. 2. ΠšΠΎΠΌΠΏΠΎΠ·ΠΈΡ†ΠΈΠΈ, наносимыС Π½Π° ΠΏΠΎΠ»ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΊΠΈ
    • 2. 3. Π­ΠΊΡΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ установки
    • 2. 4. ΠœΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄Ρ‹ исслСдования свойств повСрхности ΠΏΠΎΠ»ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΎΠΊ
  • Π“Π»Π°Π²Π° 3. Π­ΠΊΡΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Ρ‹ ΠΈ ΠΈΡ… ΠΎΠ±ΡΡƒΠΆΠ΄Π΅Π½ΠΈΠ΅
    • 3. 1. Π Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ° Ρ€Π΅Ρ†Π΅ΠΏΡ‚ΡƒΡ€Ρ‹ элСктропроводящих ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ·ΠΈΡ†ΠΈΠΉ
    • 3. 2. ΠŸΡ€Π΅Π΄Π²Π°Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Π°Ρ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ° повСрхности ΠΏΠΎΠ»ΠΈΠΌΠ΅Ρ€ΠΎΠ² ΠΏΠ»Π°Π·ΠΌΠΎΠΉ элСктричСских разрядов
    • 3. 3. Π’Ρ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠ»Π°Π·ΠΌΠΎΠΉ сСрСбросодСрТащих слоСв, нанСсСнных Π½Π° ΠΏΠΎΠ»ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΊΠΈ
    • 3. 4. ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΡƒΠ³Π»Π΅Ρ€ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… Π½Π°Π½ΠΎΡ‚Ρ€ΡƒΠ±ΠΎΠΊ ΠΈ Π³Ρ€Π°Ρ„Π΅Π½ΠΎΠ² Π² ΡΠΎΡΡ‚Π°Π²Π΅ элСктропроводящих ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ·ΠΈΡ†ΠΈΠΉ
    • 3. 5. Π Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ° Ρ€Π΅ΠΊΠΎΠΌΠ΅Π½Π΄Π°Ρ†ΠΈΠΉ ΠΊ ΠΊΠΎΠ½ΡΡ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ†ΠΈΠΈ тСхнологичСского оборудования
  • Π’Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρ‹
  • ΠŸΠ΅Ρ€Π΅Ρ‡Π΅Π½ΡŒ сокращСний, условных ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠΉ, символов, Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ† ΠΈ Ρ‚Π΅Ρ€ΠΌΠΈΠ½ΠΎΠ²

ΠΠΊΡ‚ΡƒΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ исслСдования.

ΠŸΡ€ΠΎΡ†Π΅ΡΡ ΠΏΠ΅Ρ‡Π°Ρ‚ΠΈ развивался Π½Π° ΠΏΡ€ΠΎΡ‚яТСнии ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΈΡ… столСтий, начиная с ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π΅Ρ‚Сния ΠΏΠ΅Ρ‡Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ станка Иоганном Π“ΡƒΡ‚Π΅Π½Π±Π΅Ρ€Π³ΠΎΠΌ Π² 15 Π²Π΅ΠΊΠ΅. Однако лишь Π² ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄Π½ΠΈΠ΅ нСсколько дСсятилСтий тСхничСский ΠΈ Ρ‚СхнологичСский прогрСсс ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ этот процСсс Π½Π΅ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ для выпуска Π³Π°Π·Π΅Ρ‚, ΠΊΠ½ΠΈΠ³, ΠΆΡƒΡ€Π½Π°Π»ΠΎΠ², Π½ΠΎ ΠΈ Π΄Π»Ρ изготовлСния высокотСхнологичных элСктронных ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ². Благодаря этому стало ΠΏΠΎΡΠ²Π»ΡΡ‚ΡŒΡΡ Π½ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ — пСчатная элСктроника. Богласно Π°Π½Π°Π»ΠΈΠ·Ρƒ ΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ Ρ€Ρ‹Π½ΠΊΠ°, ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π½ΠΎΠΌΡƒ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Π½ΠΈΠ΅ΠΉ ШВСсЬЕх (ВСликобритания), объСм Ρ€Ρ‹Π½ΠΊΠ° «ΠΏΠ΅Ρ‡Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ элСктроники» ΠΊ 2018 Π³ΠΎΠ΄Ρƒ составит 35 ΠΌΠΈΠ»Π»ΠΈΠ°Ρ€Π΄ΠΎΠ² Π΄ΠΎΠ»Π»Π°Ρ€ΠΎΠ².

Π‘ΠΎΠ·Π΄Π°Π½ΠΈΠ΅ «ΠΏΠ΅Ρ‡Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ элСктроники» опрСдСляСтся ΠΊΠ°ΠΊ процСсс формирования элСктронных ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ΠΎΠ² с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΎΠ² крСплСния ΠΈ ΡΠΎΠ΅Π΄ΠΈΠ½Π΅Π½ΠΈΡ элСктронных ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ΠΎΠ² Π½Π° Π³ΠΈΠ±ΠΊΠΈΡ… основах, Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… ΠΊΠ°ΠΊ Π±ΡƒΠΌΠ°Π³Π°, пластик ΠΈΠ»ΠΈ Ρ‚ΠΊΠ°Π½ΡŒ. Π’ ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄Π½Π΅Π΅ врСмя интСнсивноС Ρ€Π°Π·Π²ΠΈΡ‚ΠΈΠ΅ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π°Π΅Ρ‚ ΠΏΠ΅Ρ‡Π°Ρ‚ΡŒ с ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Π² ΠΊΠ°Ρ‡Π΅ΡΡ‚Π²Π΅ Π·Π°ΠΏΠ΅Ρ‡Π°Ρ‚Ρ‹Π²Π°Π΅ΠΌΠΎΠ³ΠΎ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π° ΠΏΠΎΠ»ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΎΠΊ. Π­Ρ‚ΠΎ Π² ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΡƒΡŽ ΠΎΡ‡Π΅Ρ€Π΅Π΄ΡŒ, связано с Π±ΡƒΡ€Π½Ρ‹ΠΌ Ρ€Π°Π·Π²ΠΈΡ‚ΠΈΠ΅ΠΌ индустрии ΠΏΠΎ Π²Ρ‹ΠΏΡƒΡΠΊΡƒ Ρ‚ΠΎΠ²Π°Ρ€ΠΎΠ² Π² ΠΊΡ€Π°ΡΠΎΡ‡Π½ΠΎΠΉ ΡƒΠΏΠ°ΠΊΠΎΠ²ΠΊΠ΅ ΠΈΠ· ΠΏΠΎΠ»ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½Ρ‹Ρ… ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ². ΠšΡ€ΠΎΠΌΠ΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, интСрСс ΠΊ ΠΏΠ΅Ρ‡Π°Ρ‚ΠΈ Π½Π° ΠΏΠΎΠ»ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΊΠ°Ρ… Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ возрастаСт Π² ΡΠ²ΡΠ·ΠΈ с Π²Π½Π΅Π΄Ρ€Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Π½ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… тСхнологичСских процСссов изготовлСния элСктронных микросхСм полиграфичСскими ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ. НаиболСС Π²Π°ΠΆΠ½Ρ‹Π΅ достоинства схСм ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²Π»Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ — низкая ΡΠ΅Π±Π΅ΡΡ‚ΠΎΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ, ΡΠΊΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΡ‡Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ, ΡΠ½Π΅Ρ€Π³ΠΎΡΡ„Ρ„Π΅ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ, Π³ΠΈΠ±ΠΊΠΈΠΉ ΠΈ ΠΌΠ°Π»ΠΎΠ³Π°Π±Π°Ρ€ΠΈΡ‚Π½Ρ‹ΠΉ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌ-Ρ„Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€, Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΡ‡Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΈ крупносСрийном производствС. ΠžΡΠΎΠ±Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΠΈ «ΠΏΠ΅Ρ‡Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ элСктроники» Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΡŽΡ‚ быстро ΠΈ ΡΠΊΠΎΠ½ΠΎΠΌΠΈΡ‡Π½ΠΎ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π΅Π΅ Ρ ΡƒΠΆΠ΅ производящимися ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·Ρ†Π°ΠΌΠΈ Π±Π΅Π· примСнСния ΡΠΏΠ΅Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΎΠ² сборки. Π˜ΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡ полиграфичСскиС Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ, ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡΠΎΠ·Π΄Π°Π²Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π΅ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Ρ‹, Π½ΠΎ ΠΈ ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΡ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ устройства.

ΠŸΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ΅ Π½ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΉ, связанных с ΠΏΠ΅Ρ‡Π°Ρ‚ΡŒΡŽ Π½Π° ΠΏΠΎΠ»ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΊΠ°Ρ… трСбуСтся ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ Π³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Π΅ условия примСнСния ΠΈΡ… Π² Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… полиграфичСских процСссах.

Π’ ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ ΠΎΡ‚ Ρ‚Ρ€Π°Π΄ΠΈΡ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π·Π°ΠΏΠ΅Ρ‡Π°Ρ‚Ρ‹Π²Π°Π΅ΠΌΠΎΠ³ΠΎ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π° — Π±ΡƒΠΌΠ°Π³ΠΈ, ΠΏΠΎΠ»ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΊΠΈ ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°ΡŽΡ‚ особСнностями Ρ„ΠΈΠ·ΠΈΠΊΠΎ-мСханичСских ΠΈ ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…ностных свойств, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ Π±ΡƒΠ΄ΡƒΡ‚ ΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ влияниС, ΠΊΠ°ΠΊ Π½Π° ΠΊΠ°Ρ‡Π΅ΡΡ‚Π²ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ‡Π°Ρ‚ΠΈ, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ Π½Π° ΠΏΡ€ΠΎΡ…ΠΎΠΆΠ΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΊΠΈ ΠΏΠΎ Π»Π΅Π½Ρ‚опротяТному Ρ‚Ρ€Π°ΠΊΡ‚Ρƒ полиграфичСского оборудования.

Π’ ΡΠ²ΡΠ·ΠΈ с ΡΡ‚ΠΈΠΌ, Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ° тСхнологичСских процСссов ΠΏΠ΅Ρ‡Π°Ρ‚ΠΈ элСктронных схСм полиграфичСским способом являСтся вСсьма Π°ΠΊΡ‚ΡƒΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ.

ЦСль диссСртационной Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹.

ЦСль диссСртационной Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ Π·Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ Π² Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ΅ Π½Π°ΡƒΡ‡Π½ΠΎ обоснованных элСмСнтов тСхнологичСского процСсса изготовлСния «ΠΏΠ΅Ρ‡Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ элСктроники» Π½Π° ΠΏΠΎΠ»ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΊΠ°Ρ…. Π’ ΡΠΎΠΎΡ‚вСтствии с ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ Π°Π½Π°Π»ΠΈΠ·ΠΎΠΌ Π½Π°ΡƒΡ‡Π½ΠΎΠΉ ΠΈ ΠΏΠ°Ρ‚Π΅Π½Ρ‚Π½ΠΎΠΉ Π»ΠΈΡ‚Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ Π² ΠΈΡΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠΉ области Π±Ρ‹Π»ΠΈ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Ρ‹ основныС Π·Π°Π΄Π°Ρ‡ΠΈ диссСртационной Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹:

β€’ Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ° Ρ€Π΅Ρ†Π΅ΠΏΡ‚ΡƒΡ€Ρ‹ элСктропроводящих ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ·ΠΈΡ†ΠΈΠΉ, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ тСхнологичСских ΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΠΎΠ² ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ элСктропроводности ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ·ΠΈΡ†ΠΈΠΈ послС Π΅Π΅ Π½Π°Π½Π΅ΡΠ΅Π½ΠΈΡ Π½Π° ΠΏΠΎΠ»ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½ΡƒΡŽ ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΊΡƒ;

β€’ ΠΈΠ·ΡƒΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ влияния свойств элСктропроводящих ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ·ΠΈΡ†ΠΈΠΉ, наносимых полиграфичСским способом, Π½Π° Π°Π΄Π³Π΅Π·ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Π΅ свойства ΠΈ ΠΈΡ… ΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ;

β€’ Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ° основ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ повСрхности ΠΏΠΎΠ»ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎΠΉ ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΊΠΈ, ΠΏΡ€Π΅Π΄Π½Π°Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ для нанСсСния элСктропроводящих ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ·ΠΈΡ†ΠΈΠΉ полиграфичСским способом.

β€’ Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ° Ρ€Π΅ΠΊΠΎΠΌΠ΅Π½Π΄Π°Ρ†ΠΈΠΉ Π² Ρ‡Π°ΡΡ‚ΠΈ состава ΠΏΠ΅Ρ‡Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ оборудования для нанСсСния элСктропроводящих ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ·ΠΈΡ†ΠΈΠΉ струйным ΠΈ Ρ„лСксографским ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ.

Научная Π½ΠΎΠ²ΠΈΠ·Π½Π° Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ Π·Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ Π² ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΌ:

1. Показано, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π² ΠΏΡ€ΠΎΡ†Π΅ΡΡΠ΅ нанСсСния сСрСбросодСрТащих элСктропроводящих ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ·ΠΈΡ†ΠΈΠΉ эффСкт элСктропроводности ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Ρ‡Π΅ΠΌ Π½Π° 4 порядка ΠΏΡƒΡ‚Π΅ΠΌ плазмохимичСской ΠΎΠ±Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ повСрхности издСлия Π² ΡΡ€Π΅Π΄Π΅ Π°Ρ€Π³ΠΎΠ½Π΅, ΠΏΡ€ΠΈ этом установлСн Ρ„Π°ΠΊΡ‚ удалСния с ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…ности ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΊΠΎΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… вСщСств.

2. Π­ΠΊΡΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎ установлСно, Ρ‡Ρ‚ΠΎ плазмохимичСскоС Ρ‚Ρ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ повСрхности ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΎΠΊ с Π½Π°Π½Π΅ΡΠ΅Π½Π½ΠΎΠΉ сСрСбросодСрТащСй ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ·ΠΈΡ†ΠΈΠ΅ΠΉ Π² ΡΡ€Π΅Π΄Π΅ кислорода ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ ΡƒΠ΄Π°Π»Π΅Π½ΠΈΡŽ ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΊΠΎΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ, Π½ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈ этом Π½Π΅ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΡΡ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ возрастания элСктропроводности вслСдствиС окислСния Π½Π°-ночастиц сСрСбра.

РСшСнная научная Π·Π°Π΄Π°Ρ‡Π° Π Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π½Π° Ρ€Π΅Ρ†Π΅ΠΏΡ‚ΡƒΡ€Π° элСктропроводящих ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ·ΠΈΡ†ΠΈΠΉ ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΡ†Π΅ΡΡΡ‹ ΠΈΡ… Π½Π°Π½Π΅ΡΠ΅Π½ΠΈΡ Π½Π° Π³ΠΈΠ±ΠΊΡƒΡŽ ΠΏΠΎΠ»ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½ΡƒΡŽ ΠΏΠΎΠ΄Π»ΠΎΠΆΠΊΡƒ полиграфичСскими ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ создаСт Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΡƒΡŽ основу ΠΎΡ€Π³Π°Π½ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ отСчСствСнного производства ΠΏΠ΅Ρ‡Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ элСктроники.

ΠŸΡ€Π°ΠΊΡ‚ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠ°Ρ Ρ†Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ состоит Π² ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ Π½Π°ΡƒΡ‡Π½Ρ‹Ρ… Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚ΠΎΠ², ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΠΈΠ²ΡˆΠΈΡ… ΡΡ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ трСбования ΠΊ ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹ΠΌ стадиям процСсса изготовлСния элСктронных микросхСм полиграфичСским способом. Π‘Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Ρ‹ трСбования, ΠΊ ΠΏΠΎΠ»ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎΠΉ ΠΏΠΎΠ΄Π»ΠΎΠΆΠΊΠ΅, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠΉ для нанСсСния элСктропроводящих ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ·ΠΈΡ†ΠΈΠΉ полиграфичСским способом. Π’ Ρ‡Π°ΡΡ‚ности, ΡΠΊΡΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎ обоснованы тСхнологичСскиС Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΡ‹ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ повСрхности ΠΏΠ»Π°Π·ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎ-химичСским ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ Π² ΡΡ€Π΅Π΄Π΅ Π°Ρ€Π³ΠΎΠ½Π° ΠΈΠ»ΠΈ кислорода. ΠŸΡ€ΠΈ этом Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ обоснованы Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΡ‹ плазмохимичСской ΠΎΠ±Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ повСрхности ΠΏΠΎΠ»ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΎΠΊ с Π½Π°Π½Π΅ΡΠ΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ слоСм содСрТащим, наночастицы сСрСбра, ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡΠΈΡ‚ΡŒ ΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ.

Π Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ элСмСнты Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ нанСсСния элСктропроводящих ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ·ΠΈΡ†ΠΈΠΉ полиграфичСским способом ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Π½Ρ‹ Π² ΠΊΠ°Ρ‡Π΅ΡΡ‚Π²Π΅ ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈ для ΠΎΡ€Π³Π°Π½ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠΌΡ‹ΡˆΠ»Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ выпуска «ΠΏΠ΅Ρ‡Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ элСктроники». ΠŸΡ€Π΅Π΄Π»ΠΎΠΆΠ΅Π½Π° структурно-тСхнологичСская схСма оборудования для ΠΏΠ΅Ρ‡Π°Ρ‚ΠΈ струйным ΠΈ Ρ„лСксографским способами элСктропроводящих ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ·ΠΈΡ†ΠΈΠΉ, содСрТащих наночастицы сСрСбра с ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌ Ρ‚Ρ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΊΠΎΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ ΠΏΠ»Π°Π·ΠΌΠΎΠΉ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ³ΠΎ давлСния.

Апробация Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹. ПолоТСния диссСртационной Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ Π΄ΠΎΠΊΠ»Π°Π΄Ρ‹Π²Π°Π»ΠΈΡΡŒ: Π½Π° Ρ€Π°ΡΡˆΠΈΡ€Π΅Π½Π½ΠΎΠΌ засСдании ΠΊΠ°Ρ„Π΅Π΄Ρ€Ρ‹ «Π˜Π½Π½ΠΎΠ²Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΉ ΠΈ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΡ» Π² 2010, 2011 ΠΈ 2012 Π³. Π³.- Π½Π° V ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄ΡƒΠ½Π°Ρ€ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Π½Π°ΡƒΡ‡Π½ΠΎ-практичСской ΠΊΠΎΠ½Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠΈ «ΠŸΠ΅Ρ€ΡΠΏΠ΅ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Ρ‹ примСнСния ΠΈΠ½Π½ΠΎΠ²Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΉ ΠΈ ΡƒΡΠΎΠ²Π΅Ρ€ΡˆΠ΅Π½ΡΡ‚вования тСхничСского образования Π² Π²Ρ‹ΡΡˆΠΈΡ… ΡƒΡ‡Π΅Π±Π½Ρ‹Ρ… завСдСниях стран БНГ», Π”ΡƒΡˆΠ°Π½Π±Π΅, ΠΎΠΊΡ‚ΡΠ±Ρ€ΡŒ 2011; Π½Π° ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄ΡƒΠ½Π°Ρ€ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ΠΌΠΎΠ»ΠΎΠ΄Π΅ΠΆΠ½ΠΎΠΉ ΠΊΠΎΠ½Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠΈ «Π’Π΅Π½Π΄Π΅Π½Ρ†ΠΈΠΈ развития ΠΏΠ»Π°Π½Π°Ρ€Π½Ρ‹Ρ… Π½Π°Π½ΠΎΡ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΉ Π½Π° ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ соврСмСнного полиграфичСского оборудования», Москва, ΡΠ΅Π½Ρ‚ΡΠ±Ρ€ΡŒ 2012 Π³.- Π½Π° ΠΊΠΎΠ½Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠΈ ΠΌΠΎΠ»ΠΎΠ΄Ρ‹Ρ… ΡƒΡ‡Π΅Π½Ρ‹Ρ…, Москва, ΠœΠ“Π£ΠŸ, Π°ΠΏΡ€Π΅Π»ΡŒ 2013 Π³.

ΠŸΡƒΠ±Π»ΠΈΠΊΠ°Ρ†ΠΈΠΈ. По Ρ‚Π΅ΠΌΠ°Ρ‚ΠΈΠΊΠ΅ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ΠΎΠΏΡƒΠ±Π»ΠΈΠΊΠΎΠ²Π°Π½Ρ‹ 4 Π½Π°ΡƒΡ‡Π½Ρ‹Ρ… ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΠΈ ΠΈ Ρ‚Сзисы Π΄ΠΎΠΊΠ»Π°Π΄ΠΎΠ² Π½Π° Π½Π°ΡƒΡ‡Π½ΠΎ-тСхничСской ΠΊΠΎΠ½Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠΈ, ΠΈΠ· Π½ΠΈΡ… 2 ΠΏΡƒΠ±Π»ΠΈΠΊΠ°Ρ†ΠΈΠΈ Π² ΠΈΠ·Π΄Π°Π½ΠΈΡΡ…, Ρ€Π΅ΠΊΠΎΠΌΠ΅Π½Π΄ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… Π’ΠΠš.

Π‘Ρ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ‚ΡƒΡ€Π° ΠΈ ΠΎΠ±ΡŠΠ΅ΠΌ диссСртации

ДиссСртационная Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π° состоит ΠΈΠ· Π²Π²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΈΡ, Ρ‚Ρ€Π΅Ρ… Π³Π»Π°Π², Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠ², библиографичСского списка. Основной тСкст диссСртации содСрТит 108 страниц, Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ 11 Ρ‚Π°Π±Π»ΠΈΡ† ΠΈ 44 рисунка.

Π’Π«Π’ΠžΠ”Π«.

1. Π’ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… исслСдований Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½Π° ваТная Π½Π°ΡƒΡ‡Π½ΠΎ-тСхничСская Π·Π°Π΄Π°Ρ‡ΠΈ — Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ° элСктропроводящих ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ·ΠΈΡ†ΠΈΠΉ ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΡ†Π΅ΡΡΠΎΠ² ΠΈΡ… Π½Π°Π½Π΅ΡΠ΅Π½ΠΈΡ Π½Π° Π³ΠΈΠ±ΠΊΡƒΡŽ ΠΏΠΎΠ»ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½ΡƒΡŽ ΠΏΠΎΠ΄Π»ΠΎΠΆΠΊΡƒ полиграфичСскими ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ.

2. На ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… ΡΠΊΡΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… исслСдований ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π° Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ нанСсСния элСктропроводящих ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ·ΠΈΡ†ΠΈΠΉ Π½Π° ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ»ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΎΠΊ полиграфичСским способом. ΠŸΡ€ΠΈ этом установлСно, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ нанСсСнных слоСв Π²ΠΎ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎΠΌ опрСдСляСтся условиями ΠΏΡ€Π΅Π΄Π²Π°Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ повСрхности ΠΏΠΎΠ»ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π°, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ условиями плазмохимичСской ΠΎΠ±Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ Π·Π°ΠΏΠ΅Ρ‡Π°Ρ‚Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π°.

3. Π­ΠΊΡΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎ выявлСна Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ элСктропроводности ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ·ΠΈΡ†ΠΈΠΈ, содСрТащСй наночастицы сСрСбра, распрСдСлСнныС Π² ΠΏΠΎΠ»ΠΈΠ²ΠΈΠ½ΠΈΠ»ΠΏΠΈΡ€Ρ€ΠΎΠ»ΠΈΠ΄ΠΎΠ½Π΅, ΠΎΡ‚ ΠΈΠ½Ρ‚Снсивности плазмохимичСской ΠΎΠ±Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ Π·Π°ΠΏΠ΅Ρ‡Π°Ρ‚Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π° Π² ΡΡ€Π΅Π΄Π΅ Π°Ρ€Π³ΠΎΠ½Π΅. УстановлСн ΠΎΠΏΡ‚ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ плазмохимичСской ΠΎΠ±Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ:

β€’ для ПЭВЀ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ разряда — 75 Π’Ρ‚, ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΠΎΠ»ΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ — 30 с, ΠΈ ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ Π°Ρ€Π³ΠΎΠ½Π° Π² ΠΊΠ°ΠΌΠ΅Ρ€Π΅ — 0,2%;

β€’ для Π¨1 — ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ разряда — 60 Π’Ρ‚, ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΠΎΠ»ΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ — 15 с, концСнтрация Π°Ρ€Π³ΠΎΠ½Π° Π² ΠΊΠ°ΠΌΠ΅Ρ€Π΅ — 0,2%.

4. Π­ΠΊΡΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎ установлСно, Ρ‡Ρ‚ΠΎ плазмохимичСская ΠΎΠ±Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ° нанСсённых полиграфичСским способом сСрСбросодСр-ΠΆΠ°Ρ‰ΠΈΡ… ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ·ΠΈΡ†ΠΈΠΉ Π² ΡΡ€Π΅Π΄Π΅ Π°Ρ€Π³ΠΎΠ½Π΅ способствуСт ΡƒΠ΄Π°Π»Π΅Π½ΠΈΡŽ ΠΏΠΎΠ»ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΡΠ²ΡΠ·ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ сниТСнию элСктричСского повСрхностного сопротивлСниС Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Ρ‡Π΅ΠΌ Π½Π° 4 порядка.

5. На ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ ΡΠΊΡΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… исслСдований ΠΏΡ€Π΅Π΄Π»ΠΎΠΆΠ΅Π½Ρ‹ элСктропроводящиС ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ·ΠΈΡ†ΠΈΠΈ, содСрТащиС одностСнныС ΡƒΠ³Π»Π΅Ρ€ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ Π½Π°Π½ΠΎΡ‚Ρ€ΡƒΠ±ΠΊΠΈ ΠΈΠ»ΠΈ Ρ‡Π΅ΡˆΡƒΠΉΠΊΠΈ Π³Ρ€Π°Ρ„Π΅Π½Π°. УстановлСно, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ·ΠΈΡ†ΠΈΠΉ, нанСсСнных флСксографским способом Π½Π° ΠΏΠΎΠ»ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΊΠΈ, опрСдСляСтся ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠ΅ΠΉ Π½Π°Π½ΠΎΡ‚Ρ€ΡƒΠ±ΠΎΠΊ ΠΈΠ»ΠΈ Π³Ρ€Π°Ρ„Π΅Π½ΠΎΠ².

6. Показано, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΡΡ„Ρ„Π΅ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ плазмохимичСской ΠΎΠ±Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ повСрхности ΠΏΠΎΠ»ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π° сниТаСтся Π² ΠΏΡ€ΠΎΡ†Π΅ΡΡΠ΅ хранСния ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π°. На ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ ΡΠΊΡΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… установлСно, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ‡Π°Ρ‚ΡŒ элСктропроводящими композициями Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Π° Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ осущСст-Π²Π»Π΅Π½Π° нСпосрСдствСнно послС плазмохимичСской ΠΎΠ±Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ.

7. На ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… исслСдований Π±Ρ‹Π»Π° ΠΏΡ€Π΅Π΄Π»ΠΎΠΆΠ΅Π½Π° структурно-тСхнологичСская схСма оборудования для ΠΏΠ΅Ρ‡Π°Ρ‚ΠΈ струйным ΠΈ Ρ„лСксографским ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ элСктропроводящих ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ·ΠΈΡ†ΠΈΠΉ. ΠŸΡ€ΠΈ этом, Π² ΡΠΎΡΡ‚Π°Π² элСктропроводящих ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ·ΠΈΡ†ΠΈΠΉ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π²Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒ наночастицы сСрСбра, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Ρ‡Π΅ΡˆΡƒΠΉΠΊΠΈ Π³Ρ€Π°Ρ„Π΅Π½ΠΎΠ², ΠΈΠ»ΠΈ ΡƒΠ³Π»Π΅Ρ€ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ Π½Π°Π½ΠΎΡ‚Ρ€ΡƒΠ±ΠΊΠΈ.

ΠŸΠ•Π Π•Π§Π•ΠΠ¬ Π‘ΠžΠšΠ ΠΠ©Π•ΠΠ˜Π™, Π£Π‘Π›ΠžΠ’ΠΠ«Π₯ ΠžΠ‘ΠžΠ—ΠΠΠ§Π•ΠΠ˜Π™, Π‘Π˜ΠœΠ’ΠžΠ›ΠžΠ’, Π•Π”Π˜ΠΠ˜Π¦ И Π’Π•Π ΠœΠ˜ΠΠžΠ’.

ПП — ΠΏΠΎΠ»ΠΈΠΏΡ€ΠΎΠΏΠΈΠ»Π΅Π½.

ПЭ — полиэтилСн.

ПЭВЀ — полиэтилСнтСрСфталат.

ΠœΠΠŸΠ’Πž — ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎΠΊΡ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ΅ Π½Π°Ρ€ΡƒΡˆΠ΅Π½Π½ΠΎΠ΅ ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΠ΅ Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½Π΅Π΅ ΠΎΡ‚Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅.

ИК ΡΠΏΠ΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΡΠΊΠΎΠΏΠΈΡ — инфракрасная спСктроскопия.

УНВ — ΡƒΠ³Π»Π΅Ρ€ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ Π½Π°Π½ΠΎΡ‚Ρ€ΡƒΠ±ΠΊΠΈ.

ОУНВ — одностСнныС ΡƒΠ³Π»Π΅Ρ€ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ Π½Π°Π½ΠΎΡ‚Ρ€ΡƒΠ±ΠΊΠΈ.

1111Π» — пСчатная ΠΏΠ»Π°Ρ‚Π°.

БПЀ — сухой ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΎΡ‡Π½Ρ‹ΠΉ фоторСзист.

ВП — тСхнологичСский процСсс.

МППлмногослойная пСчатная ΠΏΠ»Π°Ρ‚Π°.

Π”ΠŸΠŸΠ» — двухслойная пСчатная ΠΏΠ»Π°Ρ‚Π°.

1 111Π» — однослойная пСчатная ΠΏΠ»Π°Ρ‚Π°.

Π“ΠŸΠš — Π³ΠΈΠ±ΠΊΠΈΠ΅ ΠΏΠ΅Ρ‡Π°Ρ‚Π½Ρ‹Π΅ ΠΊΠ°Π±Π΅Π»ΠΈ.

Π­Π Π­ — элСктронный радиоэлСмСнт.

ИБ — ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Π°Ρ схСма.

Π€Π¨ — Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΡˆΠ°Π±Π»ΠΎΠ½.

БЭМ — ΡΠΊΠ°Π½ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰Π°Ρ элСктронная микроскопия ΠŸΠ’Π — ΠΏΠΎΠ»ΠΈΠ²ΠΈΠ½ΠΈΠ»Π°Ρ†Π΅Ρ‚Π°Ρ‚ ΠŸΠ’ΠŸ — ΠΏΠΎΠ»ΠΈΠ²ΠΈΠ½ΠΈΠ»ΠΏΠΈΡ€Ρ€ΠΎΠ»ΠΈΠ΄ΠΎΠ½ Π£Π— — ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Ρ€Π°Π·Π²ΡƒΠΊ.

ΠŸΠΎΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚ΡŒ вСсь тСкст

Бписок Π»ΠΈΡ‚Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹

  1. Π‘Π°Ρ… Н. А, Π’Π°Π½Π½ΠΈΠΊΠΎΠ² А. Π’, Π“Ρ€ΠΈΡˆΠΈΠ½Π° А. Π”. Π­Π»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ°Π³Π½Π΅Ρ‚ΠΈΠ·ΠΌ ΠΏΠΎΠ»ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ². М.: Наука, 1971.
  2. Π’Π°Π½Π½ΠΈΠΊΠΎΠ² А. Π’, Π“Ρ€ΠΈΡˆΠΈΠ½Π° А. Π”. Новиков C.B. Π­Π»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π½Ρ‹ΠΉ транспорт ΠΈ ΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ»ΡŽΠΌΠΈΠ½ΠΈΡΡ†Π΅Π½Ρ†ΠΈΡ Π² ΠΏΠΎΠ»ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½Ρ‹Ρ… слоях // УспСхи Ρ…ΠΈΠΌΠΈΠΈ. 1994. Π’. 63 № 2, с. 107−129.
  3. Π’Π°Π½Π½ΠΈΠΊΠΎΠ² А. Π’, Π“Ρ€ΠΈΡˆΠΈΠ½Π° А. Π”. Π€ΠΎΡ‚ΠΎΡ€Π΅Ρ„Ρ€Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹ΠΉ эффСкт Π² ΠΏΠΎΠ»ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½Ρ‹Ρ… систСмах // УспСхи Ρ…ΠΈΠΌΠΈΠΈ. 2003. Π’. 72. № 6, с. 531−549.
  4. Π’.Π“. ΠšΠΎΠ½ΡΡ‚Ρ€ΡƒΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ ΠΈ Ρ‚Схнология Π­Π’Πœ. ΠšΠΎΠ½ΡΠΏΠ΅ΠΊΡ‚ Π»Π΅ΠΊΡ†ΠΈΠΉ. Π’Π°Π³Π°Π½Ρ€ΠΎΠ³: Π’Π“Π Π£, ΠšΠ°Ρ„Π΅Π΄Ρ€Π° конструирования элСктронных срСдств. 2001.
  5. ΠšΠΎΠ½ΡΡ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΡΠΊΠΎ-тСхнологичСскоС ΠΏΡ€ΠΎΠ΅ΠΊΡ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ элСктронной Π°ΠΏΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹: Π£Ρ‡Π΅Π±Π½ΠΈΠΊ для Π²ΡƒΠ·ΠΎΠ². М.: Изд. ΠœΠ“Π’Π£ ΠΈΠΌ. Π. Π­. Π‘Π°ΡƒΠΌΠ°Π½Π°, 2002, с 528.
  6. ВСхнология приборостроСния: Π£Ρ‡Π΅Π±Π½ΠΈΠΊ ΠΏΠΎΠ΄ ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΉ Ρ€Π΅Π΄Π°ΠΊΡ†ΠΈΠ΅ΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΡ„. И. П. Π‘ΡƒΡˆΠΌΠΈΠ½ΡΠΊΠΎΠ³ΠΎ. М.: ΠœΠ“Π’Π£ ΠΈΠΌ. Π. Π­. Π‘Π°ΡƒΠΌΠ°Π½Π°. 2003.
  7. Π’.А. ВСхнология ΠΈ ΠΎΡ€Π³Π°Π½ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΡ производства радиоэлСктронной Π°ΠΏΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹. БПб: Π˜Π·Π΄Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΡΡ‚Π²ΠΎ: Π‘ΠŸΠ±Π“Π­Π’Π£ «Π›Π­Π’И». 2004.
  8. Π–Π°Π½ М. Π Π°Π±Π°ΠΈ, Ананта Чандракасан, Π‘ΠΎΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠΆ Николич. Π¦ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ схСмы. ΠœΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΡ проСктированиям.: 2007, с. 912.
  9. Π’. Π’. Π‘ΠΎΡ€ΠΎΠΊΠΈΠ½ Π’. Π‘. «ΠœΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Ρ‹ элСктронной Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΈΠΊΠΈ», М.:Π’Ρ‹ΡΡˆ. шк., 1986, с. 367.
  10. А. МСдвСдСв. ΠŸΠ΅Ρ‡Π°Ρ‚Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠ»Π°Ρ‚Ρ‹. ΠšΠΎΠ½ΡΡ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ†ΠΈΠΈ ΠΈ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Ρ‹. М.: ВСхносфСра, 2005, с. 304.
  11. Π“., Π¨Ρ‚Π°Ρ€ И. Π’Π΅Π½Π΄Π΅Π½Ρ†ΠΈΠΈ развития ΠΏΠ΅Ρ‡Π°Ρ‚Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΠ»Π°Ρ‚.//Π’Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ Π² ΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π½ΠΎΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠΌΡ‹ΡˆΠ»Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΠΈ. 2005. № 5.Π‘.4−8.
  12. Π’. ΠŸΠ΅Ρ‡Π°Ρ‚Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠ»Π°Ρ‚Ρ‹ Π»ΠΈΠ½ΠΈΠΈ развития.// Π’Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ Π² ΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π½ΠΎΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠΌΡ‹ΡˆΠ»Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΠΈ. 2006, № 3. с. 24−28.
  13. Π’. ΠŸΠ΅Ρ‡Π°Ρ‚Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠ»Π°Ρ‚Ρ‹ Π»ΠΈΠ½ΠΈΠΈ развития.// Π’Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ Π² ΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π½ΠΎΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠΌΡ‹ΡˆΠ»Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΠΈ. 2006, № 4. с. 8−13.
  14. Π”. Π’Π°Ρ€ΠΈΠ°Π½Ρ‚Ρ‹ формирования рисунка Π² ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΡΡ‚Π²Π΅ ΠΏΠ΅Ρ‡Π°Ρ‚Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΠ»Π°Ρ‚.// Π’Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ Π² ΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π½ΠΎΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠΌΡ‹ΡˆΠ»Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΠΈ. 2005, № 5. Π‘. 17−21.
  15. Π­. ΠŸΠ΅Ρ‡Π°Ρ‚Π½Π°Ρ элСктроника: Π±ΡƒΠ΄ΡƒΡ‰Π΅Π΅ ΠΏΠΎΠ»ΠΈΠ³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΈ?//РиЬН$ 11.2006. № 5.
  16. Sankir, N.D. Flexible Electronics: Materials and Device Fabrication: Dissertation for PhD in Mat. Se. and Eng. / Nurdan Demirci Sankir- VirginiaStateUniver-sity. Blacksburg: VSU 2005, p. 172.
  17. Π’Π°Ρ‚Π°Π½Π°Π±Π΅ Π ΠΈΠΎΡ‡ΠΈ. Π—Π°ΠΌΠ΅Ρ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Π°Ρ идСя ΠΎΡ‚ Ρ„ΠΈΡ€ΠΌΡ‹ Sunisung.// Π’Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ Π² ΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π½ΠΎΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠΌΡ‹ΡˆΠ»Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΠΈ. 2005, № 4. Π‘. 25−27.
  18. Π”.Π€., Π“ΡƒΠ»ΡŒ Π’. Π•., Π‘Π°ΠΌΠ°Ρ€ΠΈΠ½Π° Π›. Π”. ΠœΠ½ΠΎΠ³ΠΎΡΠ»ΠΎΠΉΠ½Ρ‹Π΅ ΠΈ ΠΊΠΎΠΌΠ±ΠΈΠ½ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΎΡ‡Π½Ρ‹Π΅ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Ρ‹. М.:Π₯имия, 1989
  19. А.А. Π€ΠΈΠ·ΠΈΠΊΠΎ-химия ΠΏΠΎΠ»ΠΈΠΌΠ΅Ρ€ΠΎΠ². ИзданиС 4-Π΅, ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π½ΠΎ ΠΈ Π΄ΠΎ-ΠΎΠ»Π½Π½Π½ΠΎΠ΅. -М.: Научный ΠΌΠΈΡ€, 2007. -576с.
  20. Π’.Π•., ΠšΡƒΠ»Π΅Π·Π½Π΅Π² Π’. Н. Π‘Ρ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ‚ΡƒΡ€Π° ΠΈ ΠΌΠ΅Ρ…аничСскиС свойства ΠΏΠΎΠ»ΠΈΠΌΠ΅Ρ€ΠΎΠ². М., Π₯имия, 1988
  21. Н.Π€. Π’Π°Ρ€Π° ΠΈ Π΅Ρ‘ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΡΡ‚Π²ΠΎ: ΡƒΡ‡Π΅Π±. пособиС. -2-Π΅ ΠΈΠ·Π΄., Π΄ΠΎΠΏ. -М.: ΠœΠ“Π£ΠŸ, 2009. -340с
  22. ΠŸΠΎΠ»ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΊΠΈ / ΠŸΠ΅Ρ€. Ρ Π°Π½Π³Π». ΠΏΠΎΠ΄ Ρ€Π΅Π΄. Π”ΠΎΠ½Ρ†ΠΎΠ²ΠΎΠΉ Π­. П., ЧСботаря А. М. М., Π₯имия, 1993.
  23. Π’.Π“. ΠŸΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…Π½ΠΎΡΡ‚Π½Π°Ρ модификация ΠΏΠΎΠ»ΠΈΠΌΠ΅Ρ€ΠΎΠ², Москва, ΠœΠ“Π£ΠŸ, 2008, 472 с.
  24. П. Π£Π³Π»Π΅Ρ€ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ Π½Π°Π½ΠΎΡ‚Ρ€ΡƒΠ±ΠΊΠΈ ΠΈ Ρ€ΠΎΠ΄ΡΡ‚Π²Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ структуры. НовыС ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Ρ‹ 21 Π²Π΅ΠΊΠ°, М.: ВСхносфСра 2003.
  25. Melburne Π‘. Roberts M., Barman S., Yong Wan Jin, Jong Min Kim, Bao Z. Self-sorted, aligned nanotube networks for thin-film transistors // Scinece, 2008, vol.321, N5885, p. 101−104.
  26. П.Н. Π£Π³Π»Π΅Ρ€ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ Π½Π°Π½ΠΎΡ‚Ρ€ΡƒΠ±ΠΊΠΈ. ΠœΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Ρ‹ для ΠΊΠΎΠΌΠΏΡŒΡŽΡ‚Π΅Ρ€ΠΎΠ² XXI Π²Π΅ΠΊΠ° // ΠŸΡ€ΠΈΡ€ΠΎΠ΄Π°, 2000, № 11, с.23−30
  27. А.Π’. ΠŸΠ΅Ρ€ΡΠΏΠ΅ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Ρ‹ примСнСния ΡƒΠ³Π»Π΅Ρ€ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… Π½Π°Π½ΠΎΡ‚Ρ€ΡƒΠ±ΠΎΠΊ. // Π–. РоссийскиС Π½Π°Π½ΠΎΡ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ, 2007, Π’.2, № 5−6, Π‘.6−17.
  28. Blais P., Carlson D.J., Wiles D.M. J. Appl. Polym. Sci., 1971, vol.15, N1, p.129−143.
  29. M.A., Π‘ΡƒΠΌΠ°Ρ€ΠΎΠΊΠΎΠ² B.H. Активация повСрхности полиэтилСновой ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΊΠΈ Π² ΠΏΠ»Π°Π·ΠΌΠ΅ Π³Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ разряда.- ΠŸΠ»Π°ΡΡ‚, массы, 1975, № 9, Π‘.40−42.
  30. А.А., Басин Π’. Π•., «ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Ρ‹ Π°Π΄Π³Π΅Π·ΠΈΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΠΈΠΌΠ΅Ρ€ΠΎΠ²», М., 1969 Π³., Π‘. 85−98.
  31. Π•.Π‘., Π‘Π°ΠΊΠ°Π½ΠΎΠ² Π’. А. О ΠΌΠ΅Ρ…Π°Π½ΠΈΠ·ΠΌΠ΅ Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΊΠΎΡ€ΠΎΠ½Π½Ρ‹ΠΌ разрядом ΡƒΠΏΠ°ΠΊΠΎΠ²ΠΎΡ‡Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΠΎΠ»ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΎΠΊ. Π–. ΠŸΠΎΠ»ΠΈΠ³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΡ № 1, 2008, с. 96−98
  32. Mikula, М. Surface and adhesion changes of atmospheric barrier discharge-treated polypropylene in air and nitrogen / M. Mikula, Z. Jakubikova, A. Zahoranova // Journal of Adhesion Science and Technology, 2003. 17(15), p. 2097−2110.
  33. Π’Π΅Ρ…Π½ΠΈΠΊΠ° флСксографской ΠΏΠ΅Ρ‡Π°Ρ‚ΠΈ: ΡƒΡ‡Π΅Π±. пособиС / ΠŸΠ΅Ρ€. Ρ Π½Π΅ΠΌ.- ΠΏΠΎΠ΄ Ρ€Π΅Π΄. Π’ .П.ΠœΠΈΡ‚Ρ€ΠΎΡ„Π°Π½ΠΎΠ²Π°, Π‘. А. Π‘ΠΎΡ€ΠΎΠΊΠΈΠ½Π°. М.: Изд-Π²ΠΎ ΠœΠ“Π£ΠŸ, 2000. — 192 с.
  34. , Π”. ЀлСксографская ΠΏΠ΅Ρ‡Π°Ρ‚ΡŒ Π² ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΡΡ‚Π²Π΅ радиоэтикСток / Π”. Π“ΡƒΠ΄ΠΈΠ»ΠΈΠ½ // ΠœΠΈΡ€ этикСтки, 2007. 04, с. 42−46.
  35. , Π•.Π‘. Бвойства ΠΏΠΎΠ»ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΠ»Ρ‘Π½ΠΎΠΊ ΠΈ ΠΎΡΠΎΠ±Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ‡Π°Ρ‚ΠΈ Π½Π° Π½ΠΈΡ… / Π•. Π‘. Π‘Π°Π±Π»ΡŽΠΊ // ЀлСксография ΠΈ ΡΠΏΠ΅Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ Π²ΠΈΠ΄Ρ‹ ΠΏΠ΅Ρ‡Π°Ρ‚ΠΈ, 2007. 07, с. 1218.
  36. , JI. Π£ΠΌΠ½Ρ‹Π΅ этикСтки / Π›. Π“Π΅Π½ΡƒΠ°Ρ€ΠΈΠΎ // ЀлСксография ΠΈ ΡΠΏΠ΅Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ Π²ΠΈΠ΄Ρ‹ ΠΏΠ΅Ρ‡Π°Ρ‚ΠΈ, 2008. 06, с. 18−23.
  37. , Π“. Π­ΠΊΡΡ‚Ρ€Π΅ΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ Π‘ΠžΠŸΠŸ / Π“. Π ΡΠ±ΠΎΠ²Π° // ЀлСксография ΠΈ ΡΠΏΠ΅Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ Π²ΠΈΠ΄Ρ‹ ΠΏΠ΅Ρ‡Π°Ρ‚ΠΈ, 2005 02, с. 13−17.
  38. Lo, C.Y. Optimization of Plasma Preparation of Polymeric Substrate for Embedded Flexible Electronic Applications / C.Y.Lo, Y.R.Huang, K.S.Liao, S.A.Kuo, S.P.Wei// Microelectronic Engineering, 2011. 88, p. 2657−2661.
  39. Wolf, R. UV Flexo Ink Composition and Surface Treatment Effects on Adhesion to Flexible Packaging / R. Wolf, C. Henderson, A. Seecharan // TAPPI Proceedings, 2010. 2, p. 10−18.
  40. Bablyuk E., Popov O., Segueikin G. Adhesion properties of polyethyleneiLtherephtalate (PET) film treated with corona discharge. IS&T's 49 Annual Conference, USA, Minnesota, may 1996.
  41. Π•.Π‘., ΠŸΠ΅Ρ€Π΅ΠΏΠ΅Π»ΠΊΠΈΠ½ A.H., Π“ΡƒΠ±ΠΊΠΈΠ½ A.H. ВлияниС ΠΊΠΎΡ€ΠΎΠ½Π½ΠΎΠ³ΠΎ разряда Π½Π° ΡΠ²ΠΎΠΉΡΡ‚Π²Π° повСрхности ПЭВЀ ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΊΠΈ // ΠŸΠ»Π°ΡΡ‚ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΈΠ΅ массы. 1978. № 6, с. 41−44.
  42. Π’. Π›., ΠŸΡ€ΠΈΡ‚Ρ‹ΠΊΠΈΠ½ JI.M., ЀизичСская химия Π°Π΄Π³Π΅Π·ΠΈΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΠΈΠΌΠ΅Ρ€ΠΎΠ², 222 с., М. 1984-стр 141−150
  43. Ко, S.H. Flexible Electronics Fabrication by Lithography-free Low Temperature Metal Nanoparticle Laser Processing: Dissertation for PhD in Eng. Mech. Eng. / Seung Hwan Ко- University of California, Berkeley. — Berkeley: UC Berkeley, 2006, p. 212.
  44. Greer, J.R. Thermal Cure Effects on Electrical Performance of Nanoparticle Silver Inks / J.R.Greer, R.A.Street // ActaMaterialia, 2007. 55, p. 6345−6349.
  45. Radivojevic, Z. Optimized Curing of Silver Ink Jet Based Printed Traces / Z. Radivojevic, K. Andersson, K. Hashizume, M. Heino, M. Mantysalo, P. Mansikkamaki, Y. Matsuba, N. Terada //NokiaResearchCenter, 2006. 12(09), p. 27.
  46. И.Н. ΠžΡΠΎΠ±Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΠΈ нанСсСния ΠΏΠΎΠ»ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΠΎΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠΉ Π² ΠΎΠΏΡ‚ΠΎ-элСктроникС ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ струйной ΠΏΠ΅Ρ‡Π°Ρ‚ΠΈ / Π€Π°Π΄Π΅ΠΉΠΊΠΈΠ½Π° И. Н., Π’Π°Π½Π½ΠΈΠΊΠΎΠ² А.Π’.// Π˜Π·Π²Π΅ΡΡ‚ΠΈΡ Π²ΡƒΠ·ΠΎΠ². ΠŸΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌΡ‹ ΠΏΠΎΠ»ΠΈΠ³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΈ ΠΈ ΠΈΠ·Π΄Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΡΠΊΠΎΠ³ΠΎ Π΄Π΅Π»Π°. 2008. -№ 2, Π‘.23−29.
  47. И.Н. Π€ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ элСктропроводящСго изобраТСния ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ струйной ΠΏΠ΅Ρ‡Π°Ρ‚ΠΈ / Π€Π°Π΄Π΅ΠΉΠΊΠΈΠ½Π° И. Н., Π“Ρ€ΠΈΠ±ΠΊΠΎΠ²Π° O. JL, ΠŸΠ΅Ρ€Π΅ΡˆΠΈΠ²ΠΊΠΎ Π›. Π―.,
  48. А.Π ., ЗолотарСвский Π’. И., Π’Π°Π½Π½ΠΈΠΊΠΎΠ² А. Π’. // Π˜Π·Π²Π΅ΡΡ‚ΠΈΡ Π²ΡƒΠ·ΠΎΠ² ΠŸΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌΡ‹ ΠΏΠΎΠ»ΠΈΠ³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΈ ΠΈ ΠΈΠ·Π΄Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΡΠΊΠΎΠ³ΠΎ Π΄Π΅Π»Π°. 2009. -№ 3, Π‘.3−13.
  49. И.Н. ИсслСдованиС проводимости PEDOT/PSS ΠΈ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ элСктропроводящСго изобраТСния Π½Π° Π΅Π³ΠΎ основС ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ струйной ΠΏΠ΅Ρ‡Π°Ρ‚ΠΈ / Π€Π°Π΄Π΅ΠΉΠΊΠΈΠ½Π° И. Н., Π’Π°Π½Π½ΠΈΠΊΠΎΠ² А. Π’. // Π˜Π·Π²Π΅ΡΡ‚ΠΈΡ Π²ΡƒΠ·ΠΎΠ² ΠŸΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌΡ‹ ΠΏΠΎΠ»ΠΈΠ³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΈ ΠΈ ΠΈΠ·Π΄Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΡΠΊΠΎΠ³ΠΎ Π΄Π΅Π»Π°. 2009. -№ 4, Π‘.27−37.
  50. Zisman W.A. About adhesion // Industrial and engineering chemistry/ 1963. vol.55,-№ 10, p.19−38
  51. Π’.Π•.Π“ΡƒΠ»ΡŒ, Π’. Н. ΠœΠ°Ρ€ΠΊΠΈΠ½, Π’. Π’. АнаньСв, Π•. Π‘. Π‘Π°Π±Π»ΡŽΠΊ ΠžΡΠΎΠ±Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΠΈ формирования элСктрСтного состояния ΠΏΠΎΠ»ΠΈΠΌΠ΅Ρ€ΠΎΠ² Π² Π³Π°Π·ΠΎΡ€Π°Π·Ρ€ΡΠ΄Π½ΠΎΠΉ ΠΏΠ»Π°Π·ΠΌΠ΅. // Π”ΠΎΠΊΠ»Π°Π΄Ρ‹ АН Π‘Π‘Π‘Π . 1982, Ρ‚.256, № 4.
  52. Π•. Bablyuk, V. Bakanov, K. Farenbrukh The problem of a quantitative evaluation of adhesive strength in printing on polymer films // IARIGAI. Advances in printing and media technology, vol. XXXIV, p.243−249
  53. Printed Organic and Molecular Elecnronics // Ed. by D. Gamota, P. Brazis, К Kalyanasundaram, J. Zhang. New York: Kluwer Acad. Publ., 2004.
  54. Heeger AJ. Semiconducting and metallic polymers: the fourth generation of polymeric materials// Synht. Met. 2001. V. 125 № 1, p. 23−42.
  55. Cao Y., Fndreatta A., Heeger A., Smith P. Influence of chemical polymerization conditions on the properties of polyaniline// Polymer, 1989, N30, p. 23 052 311.
  56. , K.B. Π Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ° ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΎΠ² контроля Π°Π΄Π³Π΅Π·ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠΉ прочности ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ‡Π°Ρ‚ΠΈ Π½Π° Π³ΠΈΠ΄Ρ€ΠΎΡ„ΠΎΠ±Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΠΎΠ»ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΊΠ°Ρ…: дис. ΠΊΠ°Π½Π΄ΠΈΠ΄Π°Ρ‚Π° Ρ‚Π΅Ρ…Π½. Π½Π°ΡƒΠΊ: 05.02.13 / Π€Π°Ρ€Π΅Π½Π±Ρ€ΡƒΡ… ΠšΠΎΠ½ΡΡ‚Π°Π½Ρ‚ΠΈΠ½ Π’Π»Π°Π΄ΠΈΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΈΡ‡- ΠœΠ“Π£ ΠΏΠ΅Ρ‡Π°Ρ‚ΠΈ. М.: ΠœΠ“Π£ΠŸ, 2008. Π‘. 137.
  57. Meltzer P. Improves aircraft material evaluation e. New sensor technology// AMMTIAC, 2009, p. 1−2
  58. Torrisi, F. Ink-Jet Printed Graphene Electronics / F. Torrisi, T. Hasan, W. Wu, Z. Sun, A. Lombardo, T. Kulmala, G.W.Hshieh, S.J.Jung, F. Bonaccorso, P.J.Paul, D.P.Chu, A.C.Ferrari //ACS Nano. 2011. — 6(4). — 2992−3006 p.
  59. Ghaffarzadeh, K. Conductive Ink Markets 2012−2018: Silver and Copper Inks and Pastes and Beyond / K. Ghaffarzadeh, H. Zervos. Cambridge: IDTechEx, 2012, p. 160.
  60. Huang, D. Plastic-Compatible Low Resistance Printable Gold Nanoparticle Conductors for Flexible Electronics / D. Huang, F. Liao, S. Molesa, D. Redinger, V. Subramanian // Journal of Electrochemical Society. 2003. — 150(7), p G412-G417.
  61. Borsenberger P.M., Weiss D.S. Organic Photoreceptors for Xerography. New York- Basel- Hong Kong: Marcel Dekker, 1998.
  62. Printed Organic and Molecular Elecnronics // Ed. by D. Gamota, P. Brazis, К Kalyanasundaram, J. Zhang. New York: Kluwer Acad. Publ., 2004.
  63. Melburne C. Roberts M., Barman S., Yong Wan Jin, Jong Min Kim, Bao Z. Self-sorted, aligned nanotube networks for thin-film transistors // Scinece, 2008, vol.321, N5885, p. 101−104.
  64. П.Н. Π£Π³Π»Π΅Ρ€ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ Π½Π°Π½ΠΎΡ‚Ρ€ΡƒΠ±ΠΊΠΈ. ΠœΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Ρ‹ для ΠΊΠΎΠΌΠΏΡŒΡŽΡ‚Π΅Ρ€ΠΎΠ² XXI Π²Π΅ΠΊΠ° // ΠŸΡ€ΠΈΡ€ΠΎΠ΄Π°, 2000, № 11, с.23−30
  65. А.Π’. ΠŸΠ΅Ρ€ΡΠΏΠ΅ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Ρ‹ примСнСния ΡƒΠ³Π»Π΅Ρ€ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… Π½Π°Π½ΠΎΡ‚Ρ€ΡƒΠ±ΠΎΠΊ. // Π–. РоссийскиС Π½Π°Π½ΠΎΡ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ, 2007, Π’.2, № 5−6, с.6−17.
  66. П. Π£Π³Π»Π΅Ρ€ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ Π½Π°Π½ΠΎΡ‚Ρ€ΡƒΠ±ΠΊΠΈ ΠΈ Ρ€ΠΎΠ΄ΡΡ‚Π²Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ структуры. НовыС ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Ρ‹ 21 Π²Π΅ΠΊΠ°, М.: ВСхносфСра 2003.
  67. Yavari, F. Tunable Bandgap in Graphene by the Controlled Adsorption of Water Molecules / F. Yavari, C. Kritzinger, C. Gaire, L. Song, H. Gulapalli, T. Borca-Tasciuc, P.M.Ajayan, N. Koratkar // Small, 2010. 22, p 2535−2538.
  68. Kuilla, T. Recent advances in graphene based polymer composites / T. Kuilla, S. Bhadra, D. Yao, N.H.Kim, S. Bose, J.H.Lee // Progress in Polymer Science, 2010.-35, p. 1350−1375.
  69. Π’.Π€. Π‘Ρ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ‚ΡƒΡ€Π° ΠΈ ΡΠ²ΠΎΠΉΡΡ‚Π²Π° ΠΏΠΎΠ»ΠΈΠ°Π½ΠΈΠ»ΠΈΠ½Π° ΠΈ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Ρ€ΠΏΠΎΠ»ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½Ρ‹Ρ… комплСксов Π½Π° Π΅Π³ΠΎ основС.// АвторСфСрат Π΄ΠΎΠΊΡ‚. Дисс. 2007, НИИЀΠ₯ΠΈΠ­ РАН.
  70. Debasish Choudhury. // Technology News, 2009, p. 3−5.
  71. , Π”. ΠŸΠ΅Ρ€ΡΠΏΠ΅ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Ρ‹ радиочастотной ΠΈΠ΄Π΅Π½Ρ‚ΠΈΡ„ΠΈΠΊΠ°Ρ†ΠΈΠΈ / Π”. ЛоурСнс // Publish, 2004.-09, с.31−35.
  72. G., Bereznev S., Fichou D. // Solar Energy. 2007. V. 81, p. 947.
  73. H., Tessler N., Friend R.N. // Science. 1998. V. 280, p. 1741.
  74. Lee M.S., Kang H.S., Joo J., Epstein A.J., Lee J. Y // Thin Solid Films. 2005 V. 447, p. 169.
  75. Kim, D. Ink-Jet Printing of Silver Conductive Tracks on Flexible Substrates / D. Kim, J. Moon, K. Kang // Molecular Crystals and Liquid Crustals, 2006. 459, p. 325−335.
  76. Teng, K.F. Application of Ink Jet Technology on Photovoltaic Metallization / K.F.Teng, R.W.Vest // IEEE Electron Device Letters, 1988. 9, p.591.
  77. Rivkin, T. Direct Write Processing for Photovoltaic Cells / T. Rivkin, C. Curtis, A. Miedaner, J. Perkins, J. Allerman, D. Ginley // IEEE Photovoltaic Specialists Conference Proceedings, 2002, p. 1326−1329.
  78. H.H., Π’Π»Π°Π΄Ρ‹ΠΊΠΈΠ½Π° Π’. П., Π‘Π°Π±Π»ΡŽΠΊ Π•. Π‘., ΠŸΠ΅Ρ€Π΅ΠΏΠ΅Π»ΠΊΠΈΠ½ А. Н. ΠœΠ΅Ρ…Π°Π½ΠΈΠ·ΠΌ Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π°Ρ†ΠΈΠΈ повСрхности полиэтилСнтСрСфталата ΠΊΠΎΡ€ΠΎΠ½Π½Ρ‹ΠΌ разрядом / Π‘Ρ‚Π΅Ρ„Π°Π½ΠΎΠ²ΠΈΡ‡ Н. Н., Π’Π»Π°Π΄Ρ‹ΠΊΠΈΠ½Π° Π’. П., Π‘Π°Π±Π»ΡŽΠΊ Π•. Π‘., ΠŸΠ΅Ρ€Π΅ΠΏΠ΅Π»ΠΊΠΈΠ½ А. Н. // ΠšΠΎΠ»Π»ΠΎΠΈΠ΄Π½Ρ‹ΠΉ ΠΆΡƒΡ€Π½Π°Π» 1983 Π³., Ρ‚ΠΎΠΌ.45, Π²Ρ‹ΠΏ.1
  79. Reinhold, I. Argon plasma sintering of inkjet printed silver tracks on polymer substrates / I. Reinhold, C.E.Hendriks, R. Eckardt, J.M.Kranenburg, J. Perelaer, R.R.Baumannbd, U.S.Schubert // Journal of Materials Chemistry. 2009. — 19. -3384.
  80. A.B., АсССв А. Π›. Π˜Π½Π½ΠΎΠ²Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Π΅ Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ ИЀП Π‘О РАН Π² ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΠΈ элСктроники // ΠœΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Ρ‹ XI отраслСвой Π½Π°ΡƒΡ‡Π½ΠΎ-практичСской ΠΊΠΎΠ½Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠΈ «Π‘остояниС ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€ΡΠΏΠ΅ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Ρ‹ развития отСчСствСнной микроэлСктроники», Новосибирск, 27−28 ΡΠ΅Π½Ρ‚ября 2012, Π‘.71−84.
  81. А.Π›. Π­Π»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ½ΠΈΠΊΠ° с ΠΏΡ€ΠΈΡΡ‚Π°Π²ΠΊΠΎΠΉ Π½Π°Π½ΠΎ пСрспСктивы ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌΡ‹ //
  82. НанотСхнологии, экология, производство. 2010. № 4. Π‘.32−34.
  83. НанотСхнологии Π² ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²ΠΎΠΉ элСктроникС / ΠΎΡ‚Π². Ρ€Π΅Π΄.
  84. А.Π›.АсССв. Новосибирск: Изд. БО Π ΠΠ, 2004. 368 с.
  85. H.H. Π¦ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ Ρ‚Π΅Π»Π΅Π²ΠΈΠ΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π»ΠΎΠΊΠΎΠΌΠΎΡ‚ΠΈΠ² развития микроэлСктроники // ΠœΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Ρ‹ XI отраслСвой Π½Π°ΡƒΡ‡Π½ΠΎ-практичСской ΠΊΠΎΠ½Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠΈ
  86. БостояниС ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€ΡΠΏΠ΅ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Ρ‹ развития отСчСствСнной микроэлСктроники",
  87. Новосибирск, 27−28 ΡΠ΅Π½Ρ‚ября 2012, Π‘.237−240.1. ΠŸΡƒΠ±Π»ΠΈΠΊΠ°Ρ†ΠΈΠΈ Π°Π²Ρ‚ΠΎΡ€Π°
  88. C.B. Бтруйная ΠΏΠ΅Ρ‡Π°Ρ‚ΡŒ элСктропроводящими композициями, содСрТащими наночастицы сСрСбра / Максимов C.B., Π‘ΠΎΠ»ΠΎΠ΄ΠΎΠ²Π½ΠΈΠΊ А. Н., Π•. Π‘. Π‘Π°Π±Π»ΡŽΠΊ // Π˜Π·Π²Π΅ΡΡ‚ΠΈΡ Π²Ρ‹ΡΡˆΠΈΡ… ΡƒΡ‡Π΅Π±Π½Ρ‹Ρ… Π·Π°Π²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΈΠΉ. ΠŸΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌΡ‹ ΠΏΠΎΠ»ΠΈΠ³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΈ ΠΈ ΠΈΠ·Π΄Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΡΠΊΠΎΠ³ΠΎ Π΄Π΅Π»Π°. 2013. № 1 — Π‘.3−11.
  89. Π•.Π‘. Π­Π»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΎΠΊ / Анохина Π•. А., Π‘Π°Π±Π»ΡŽΠΊ Π•. Π‘., ЛСтяго А. Π“., Максимов C.B. // Π˜Π·Π²Π΅ΡΡ‚ΠΈΡ Π²Ρ‹ΡΡˆΠΈΡ… ΡƒΡ‡Π΅Π±Π½Ρ‹Ρ… Π·Π°Π²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΈΠΉ. ΠŸΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌΡ‹ ΠΏΠΎΠ»ΠΈΠ³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΈ ΠΈ ΠΈΠ·Π΄Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΡΠΊΠΎΠ³ΠΎ Π΄Π΅Π»Π°. 2012. № 3 -Π‘.3−8.
Π—Π°ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒ Ρ‚Π΅ΠΊΡƒΡ‰Π΅ΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΎΠΉ