Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Физико-химические основы плазмохимической технологии синтеза пленок карбонитрида кремния из силильных производных несимметричного диметилгидразина

Диссертация: Физико-химические основы плазмохимической технологии синтеза пленок карбонитрида кремния из силильных производных несимметричного диметилгидразина
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

В связи с этим, актуальными остаются поиск и применение в качестве предшественников новых летучих кремнийорганических соединений, представляющих собой технологичные и экологически безопасные вещества, в молекулах которых содержатся все необходимые химические фрагменты, в том числе — что особенно важно — химические связи C (sp3)-N. Поскольку возможность образования четырехкоординированного… Читать ещё >

Физико-химические основы плазмохимической технологии синтеза пленок карбонитрида кремния из силильных производных несимметричного диметилгидразина (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • 1. ВВЕДЕНИЕ
  • 2. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР
    • 2. 1. Методы синтеза пленок карбонитрида кремния
      • 2. 1. 1. Плазмохимичес кий синтез пленок карбонитрида кремния
      • 2. 1. 2. Основные типы установок плазмохимического синтеза
      • 2. 1. 3. Характеристика плазмохимических процессов
    • 2. 2. Химический состав пленок
      • 2. 2. 1. ИК-и КР-спектроскопия
      • 2. 2. 2. Рентгенофотоэлектронная спектроскопия (РФЭС)
      • 2. 2. 3. Структура пленок
      • 2. 2. 4. Свойства пленок карбонитрида кремния

В последнее десятилетие большой научный и практический интерес проявляется к материалам под общим названием «карбонитриды кремния». Карбонитрид кремния — уникальный композитный многофункциональный материал, в котором удачным образом сочетаются лучшие свойства нитрида углерода и нитрида кремния. С одной стороны, как материал, не имеющий природных аналогов, он является перспективным объектом для фундаментальных физико-химических исследований. С другой стороны, большой интерес представляют широкие возможности его применения в ряде современных наукоемких технологий. В работе Коена [1] предсказано, что нитрид углерода с C (sp3)-N связями должен иметь твердость выше алмаза. Это стимулировало в последние 10 лет широкие исследования по синтезу пленок нитрида углерода и карбонитрида кремния. Предполагается, что разработка технологии синтеза композитов нитрида кремния и нитрида углерода позволит создать материал, по твердости превосходящий нитрид кремния и приближающийся к нитриду углерода. Более того, тонкие пленки карбонитрида кремния, нанесенные на твердые подложки, могут использоваться в микроэлектронике как подзатворные диэлектрики в интегральных микросхемах, диффузионные маски, слои с переменной шириной запрещенной зоны в технологиях полупроводниковых устройств, а также как упрочняющие, пассивирующие, радиационно-стойкие защитные, адгезионные, оптические и др. покрытия.

Слои тройного соединения Si — С — N традиционно получают либо методом газофазного химического осаждения (CVD — Chemical Vapor Deposition) при повышенных температурах синтеза Тп ~ 1300 К, либо при относительно низких температурах с помощью разнообразных физических методов напыленияионного, электронного, магнетронного и пр. При использовании физических методов напыления трудно достигать высокого качества осаждаемых слоев. Следует отметить, что в методах CVD чаще всего используются взрывоопасные смеси моносилана и метана с водородом, азотом или аммиаком, что представляет известные трудности с технологической точки зрения. Поэтому ведется активный поиск новых летучих кремнийорганических соединений, содержащих в молекуле кремний, азот и углерод. В настоящее время выбор таких соединений невелик — это в основном силазаны (гексаметилдисилазан и гексаметилниклотрисилазан). Трудность при использовании этих прекурсоров заключается в том, что соотношение азота к кремнию в молекулах названных соединений [N]/[Si] составляет 0,5 и 1,0, соответственно, что недостаточно для синтеза стехиометрических пленок с химическим составом, близким к нитриду кремния ([N]/[Si] = 1,33), без добавления дополнительных азотсодержащих реагентов. В связи с этим, для синтеза слоев карбонитрида кремния актуальной остается задача поиска новых летучих кремнийорганических соединений, содержащих в молекуле кремний, азот и углерод в достаточных количествах. Более того, все известные процессы синтеза пленок, в том числе и из указанных кремнийорганических предшественников, не обеспечивают формирования карбонитрида кремния, представляющего собой композит нитридов кремния и углерода с однородными йр3-гибридными химическими связями, которые характерны для сверхтвердых фаз. Удавалось синтезировать преимущественно лишь аморфные слои с графитоподобными кристаллическими включениями, в которых превалировали Si-N и Si-C-связи. Более того, из известных предшественников вообще маловероятно образование 5р3-гибридных связей углерода с азотом, так как это требует высоких температур и давлений исходных газовых реагентов.

В связи с этим, актуальными остаются поиск и применение в качестве предшественников новых летучих кремнийорганических соединений, представляющих собой технологичные и экологически безопасные вещества, в молекулах которых содержатся все необходимые химические фрагменты, в том числе — что особенно важно — химические связи C (sp3)-N. Поскольку возможность образования четырехкоординированного углерода в пленках нитрида углерода или карбонитрида кремния ограничивается нестабильностью именно связи C (sp3) — N, то в этом случае применение низких температур будет уменьшать вероятность графитизации и образования стабильных связей С = N, что в свою очередь приведет к сохранению зр3-координированного углерода. Таким образом, второй актуальной проблемой является создание такой схемы низкотемпературного процесса осаждения пленки, при которой, вследствие «мягкой» активации исходного вещества-предшественника, будут сохранены все необходимые, в том числе и метастабильные, фрагменты молекулы предшественника, которые определяют состав и структуру целевого материала.

Целью данной работы является создание основ для разработки низкотемпературного процесса химического осаждения из газовой фазы слоев карбонитрида кремния как функциональных материалов с заданными физико-химическими свойствами.

Сформулированная цель предполагает решение следующих задач:

• Поиск и выбор новых летучих азотсодержащих кремнийорганических соединений, пригодных для синтеза слоев карбонитрида кремния с sp3-гибридными связями углерода с азотом;

• Адаптация метода газофазного химического осаждения к условиям ввода паров новых летучих силильных производных несимметричного 1,1-диметилгидразина (НДМГ) и их плазмохимической активации в режиме удаленной плазмы ВЧ-разряда. Разработка схемы процесса осаждения пленок в соответствии со свойствами новых веществ-предшественников;

• Изучение кинетических закономерностей процесса синтеза слоев, в том числе влияния типа активируемого газа-носителя на характер процесса;

• Детальное исследование химического строения, структуры и свойств полученных пленок карбонитрида кремния. Установление корреляционных связей между строением веществ-предшественников, условиями синтеза, а также химическим строением, структурой и физико-химическими свойствами синтезируемых слоев;

• Обобщение установленных взаимосвязей между параметрами процесса и свойствами целевого продукта. Развитие представлений о закономерностях плазмохимического синтеза слоев из силильных производных НДМГ, составляющих основу для разработки схем процессов осаждения пленок карбонитрида кремния с заданной совокупностью их свойств.

Объекты исследования:

• процесс получения пленок карбонитрида кремния методом осаждения из газовой фазы с применением удаленной плазмы газа-носителя (RPE CVD) из новых летучих азотсодержащих кремнийорганических соединений — силильных производных несимметричного диметилгидразина (НДМГ) — • пленки карбонитрида кремния, представляющие собой твердые растворы замещения кремния углеродом в нитриде кремния (Si3N4) => (Si3.xCx)N4 => (C3N4) или растворы замещения азота углеродом (S13N4) Si3N4.xCx.

Научная новизна:

1. Разработана схема плазмохимического процесса синтеза слоев карбонитрида кремния, включающая применение в качестве веществ-предшественников новых высокоазотсодержащих кремнийорганических соединений — силильных производных несимметричного 1,1-диметилгидразина (НДМГ): диметил (2,2-диметилгидразино)силана (ДМДМГС) и диметил-бис-диметилгидразиносилана (ДМ-бис-ДМГС), содержащих связи Si-N, Si.-С и C (sp3) — N.

2. Установлено влияние состава реакционной газовой смеси и параметров процесса на скорости роста слоев. Найдены пределы варьирования параметров процесса, представляющие интерес для технологических применений.

3. С использованием комплекса современных аналитических методов впервые проведено систематическое исследование химического строения, структуры и свойств синтезированных пленок. Установлены корреляции между свойствами пленок и химическим строением материала. Показано, что целенаправленным изменением условий синтеза, выбором летучего предшественника и аетивируемого газа-носителя достигается получение целевого материала с заданными химическим строением и свойствами.

4. Развиты представления о закономерностях процесса химического осаждения пленок из силильных производных НДМГ, которые составляют основу технологии синтеза пленок карбонитрида кремния с заданной совокупностью свойств.

Практическая значимость:

1. Разработан новый низкотемпературный процесс синтеза слоев карбонитрида кремния, обладающих комплексом интересных с практической точки зрения свойств, что делает его перспективным для использования в ряде передовых технологий.

2. Установленные корреляционные зависимости между условиями синтеза и свойствами слоев позволяют получать пленки заданного состава и свойств.

На защиту выносится:

• Схема процесса синтеза пленок карбонитрида кремния из новых высокоазотсодержащих веществ-предшественников, силильных производных несимметричного диметилгидразина.

• Результаты исследования зависимости скоростей роста пленок от: варьируемых параметров процесса, химического строения пленкообразующего вещества и активируемого газа-носителя, представляющие интерес для технологических применений.

• Результаты исследования химического строения, структуры и свойств пленок карбонитрида кремния от параметров процесса, химического строения исходного вещества-предшественника и типа активируемого газа-носителя, установленные с использованием комплекса современных аналитических методов.

Достоверность полученных результатов обеспечивается:

• использованием контролируемых и апробированных методик;

• совпадением результатов, полученных различными методиками;

• воспроизводимостью результатов экспериментов, проведенных в одних и. тех же условиях.

Работа выполнена в соответствии с тематическим планом НИР института неорганической химии СО РАН по теме 4.2.16 «Направленный синтез химических соединений с заданными свойствами. Создание научных основ технологий получения и применения практически важных веществ и веществ специального назначения» .

Работа поддержана грантами:

• РФФИ № 03−03−32 080 «Синтез и исследование физико-химических свойств новых нанокристаллических функциональных материалов на основе карбонитрида кремния» 2003;2005 гг.

• Интеграционный проект СО PAEI № 114 «Разработка новых многофункциональных кремнийазотсодержащих реагентов для микроэлектроники» 2003;2005 гг.

Апробация работы:

Основные результаты работы доложены и обсуждены на: семинаре СО РАН.

УрО РАН (Новосибирск, 2001 г.) — 5-м Международном симпозиуме «Алмазные пленки и пленки родственных материалов» (Харьков, 2002 г.) — 3-м международном симпозиуме по теоретической и прикладной плазмохимии (Плес, 2002 г.) — VI Bilateral Russian-Germanium Symposium «Physics and Chemistry of advanced materials» (Novosibirsk, 2002) — XIV and XV International Synchrotron Radiation Conference (Novosibirsk, 2002, 2004) — X АРАМ Topical Seminar (Novosibirsk, 2003) — II Всероссийской конференции молодых ученых «Материаловедение, технологии и экология в третьем тысячелетии» (Томск, 2003 г.) — Международной конференции по физической мезомеханике, компьютерному конструированиию и разработке новых материалов (Томск, 2004 г.) — Всероссийской конференции «Кремний-2004» (Иркутск, 2004 г.) — 2nd International Conference «Physics of Electronic Materials», (Kaluga, 2005).

Публикации:

По материалам диссертации опубликовано 15 научных работ, в том числе: 8 статей в рецензируемых журналах и 7 тезисов и материалов научных конференций.

Личный вклад автора:

Автор принимал участие:

— в постановке цели и задач работы;

— в разработке схемы процесса и ее реализации;

— в проведении процессов синтеза пленок;

— в проведении ИК-, КР-, УФ-спектроскопических исследований;

— в проведении структурных исследований на высокоразрешающем дифрактометре Сибирского центра синхротронного излучения (ИЯФ СО РАН);

— в компьютерной обработке всех экспериментальных и аналитических данных;

— в интерпретации и обсуждении полученных результатов;

— в подготовке научных публикаций.

2. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР.

5. ВЫВОДЫ.

1. Разработан и реализован пл азм ох и м и чески й процесс осаждения пленок карбонитрида кремния из газовой фазы. Новизна процесса состоит в применении новых летучих веществ-предшественников — высокоазотсодержащих кремнийорганических соединений, а также в разработке схемы процесса с удаленной плазмой. Данная схема позволила существенно снизить температуру синтеза слоев и сохранить необходимые структурные фрагменты вещества-предшественника, определяющие формирование слоев заданного состава и свойств, в том числе и материала, не имеющего природных аналогов, * с sp3-гибридными связями углерода с азотом.

2. Изучены зависимости скоростей роста пленок от параметров процесса при фиксированной геометрии реактора. Полученные кинетические данные дают представление о динамике процесса и ее зависимости от параметров в пределах их варьирования, представляющих интерес для технологических применений.

3. На основе данных комплекса современных аналитических методов установлено, что химическое строение и структура пленок зависят от химического строения исходного вещества-предшественника, типа активируемого газа-носителя и параметров процесса.

4. Показано, что пленки, синтезированные из ДМДМГС, представляют собой аморфную матрицу с внедренными в нее кристаллитами размером от 5 до 150 нм. Кристаллическая форма этих включений с наибольшей вероятностью может быть отнесена к тетрагональной структуре с параметрами решетки: а = 9,6 и с = 6,4 А. Пленки, синтезированные в системе ДМ-бис-ДМГС + Не* являются аморфными.

5. Совокупность обнаруженных свойств слоев карбонитрида кремния подтверждает перспективность использования этого материала, не имеющего природных аналогов, в ряде современных технологий.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Cohen, M.L. Predicting useful materials. / Cohen M.L. //Science. -1993.- Vol.261, -P.307−308.
  2. Chen, L.C. Ellipsometric study of carbon nitride thin films with and without silicon addition. /ChenL.C., Lin H.Y., Wong C.S., Chen K.H., Lin S.T., Yu Y.C., Wang C.W., Lin E.K., Ling K.C. // Diamond and Related Materials. 1999. -№ 8. -P.618−622.
  3. Gao, Y. Effects of nitrogen fraction on the structure of amorphous silicon-carbon-nitrogen alloys. / Gao Y., Wei J., Zhang D., Mo Z., Hing P., Shi X. // Thin Solid Films. 2000. — Vol.3 77−3 78. — P.562−566.
  4. Cao, Z. Nanocrystalline silicon carbonitride thin films prepared by plasma beam-assisted deposition. / Cao Z. // Thin Solid Films. 2000. — Vol.401. — P.94−101.
  5. Xiao, X. Structural analysis and microstructural observation of SiCxNy films prepared by reactive sputtering of SiC in N2 and Ar. / Xiao X., Li Y., Song L., Peng X., Ни X. // Applied Surface Science. 2000. — Vol.156. — P. 155−160.
  6. He, X.-M. Bonding structure and properties of ion enhanced reactive magnetron sputtered silicon carbonitride films. / He X.-M., Taylor T.N., Lillard R.S., Walter K.C., Nastasi M. //J. Phys.: Condens. Matter. -2000. Vol.12. -L591-L597.
  7. Sundaram, K. Deposition and optical studies of silicon carbide nitride thin films. / Sundaram K., Alizadeh J. // Thin Solid Films. 2000. — Vol.370. — P. 151−154.
  8. Peng, X. Preparation of silicon carbide nitride thin films by sputtering of-silicon nitride target. / Peng X., Song L., Meng J., Zhang Y., Ни X. // Applied Surface Science. 2001. — Vol.173. — P.313−317.
  9. Wu, X. SiCN thin film prepared at room temperature by r.f. reactive sputtering. /WuX., CaiR., YanP., LiuX., TianJ. //Applied Surface Science. -2002.- Vol.185.-P.262−266.
  10. Wu, J J. Deposition of silicon carbon nitride films by ion beam sputtering / Wu J. J., Wu C.T., Liao Y.C., Lu T.R., Chen L.C., Chen K.H., Hwa L.G., KuoC.T., Ling K.J. // Thin Solid Films. 1999. — Vot.355−356. — P.417−422.
  11. Machorro, R. SiCxNy thin films alloys prepared by pulsed excimer laser deposition. / Machorro R., Samano E., Soto G., Cota L. // Applied Surface Science. 1998.- Vol. l27-l29.-P.564−568.
  12. Boughaba, S. Synthesis of amorphous silicon carbonitride films by pulsed laser deposition. / Boughaba S., Sproule G., McCaffrey J., Islam M., Graham M. // Thin Solid Films. 2002. — Vol.402. — P.99−110.
  13. Trusso, S. Bonding configuration and optical band gap for nitrogenated amorphous silicon carbide films prepared by pulsed laser ablation. / Trusso S., Barreca F., Neri F. // Journal of Applied Physics. 2002. — Vol.92. — P.2485−2489.
  14. Uslu, C. Enhanced surface hardness in nitrogen-implanted silicon carbide. / Uslu C., Lee D., Berta Y., Park В., Poker D., Riester L. // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B. 1996. — Vol.118. — P.693−697.
  15. Deng, Z. XPS studies on silicon carbonitride films prepared by sequential implantation of nitrogen and carbon into silicon. / Deng Z., Souda R. // Diamond and Related Materials. 2002. — № 11. — P. 1676−1682.
  16. Gong, Z. Influence of deposition condition and hydrogen on amorphous-to-polycrystalline SiCN films. / GongZ., Wang E., Xu G., Chen Y. //Thin Solid Films. 1999. — Vol. 348. — P. l 14−121.
  17. Besling, W. Laser-induced chemical vapor deposition of nanostructured silicon carbonitride thin films. / Besling W., Goossens A., Meester В., Schoonman J. // J.Appl.Phys. 1998. — Vol.83. — P.544−553.
  18. Besson, J. SiCN nanocomposite: creep behaviour. / Besson J., Doucey В., Lucas S., Bahloul-Hourlier D., Goursat P. // Journal of the European Ceramic Society.- 2001. Vol.21. — P.959−968.
  19. , Т.П. Состояние работ по плазмохимическому синтезу диэлектриков. / Т. П. Смирнова // Проблемы электронного материаловедения: Сб.науч.тр. Новосибирск, — Наука, — 1986. — С.61−74.
  20. , В.Д. Физика химически активной плазмы. /В.Д.Русанов, А. А. Фридман. М.: Наука, 1984. — 416 с.
  21. Плазменная технология в производстве СБИС: Сб.ст. / Огв ред. Н. Лйнспрук.- М.: Мир, 1987. 469с.
  22. Johnson, W.L. Design of plasma deposition reactors. / Johnson W.L. // Solid State Technology. 1983. — № 4. — P.191−195.
  23. , К.Л. Осаждение пленок из низкотемпературной плазмы и ионных пучков. / К. А. Осипов, Г. Э. Фолманис. М.: Наука, 1973. — 87с.
  24. , Ю.А. Плазмохимические методы синтеза диэлектрических слоев в полупроводниковой технологии. / Голиков Ю. А., Смирнова Т. П., Соловьев А. П. //Обзоры по электронной технике. Серия 3. — Вып.5 (1233).- М.: ЦНИИ Электроника, 1986. 28с.
  25. Secrist, D.R. Deposition of silica films by the glow discharge technique. / Secrist D.R., Mackenzie J.D. //Journal of the electrochemical society. 1966.- Vol. 113. № 9. — P.914−920.
  26. Meiners, L.G. Indirect plasma deposition of silicon dioxide. / Meiners L.G. // Journal of Vacuum Science and Technology. 1982. — Vol.21. — P.655−658.
  27. Lucovsky, G. Oxygen-bonding environments in glow-discharge-deposited amorphous silicon-hydrogen alloy films. / Lucovsky G., Yang J., Chao S., Tyler J., Czubatyj W. // Physical Review B. 1983. — Vol.28. — № 6. — P.3225−3240.
  28. Tsu, D. Silicon nitride and silicon diimide grown by remote plasma enhanced chemical vapor deposition. / Tsu D., Lucovsky G. // J. Vac. Sci. Technol. A.- 1986. Vol.4. — № 3. — P.480−485.
  29. Parsons, G. Precursors for the deposition of amorphous silicon-hydrogen alloys by remote plasma enhanced chemical vapor deposition. / Parsons G., Tsu D., Wang C., Lucovsky G. // J. Vac. Sci. Technol. A. 1989. — Vol.7. — № 3. — P. 1124−1129.
  30. Lucovsky, G. Atomic structure in Si02 thin films deposited by remote plasma-enhanced chemical vapor deposition. / Lucovsky G., Fitch J., Tsu D., Kim S. // J. Vac. Sci. Technol. A. 1989. — Vol.7. -№ 3. — P. l 136−1144.
  31. Lucovsky, G. Formation of silicon-based heterostructures in multichamber integrated-processing thin-film deposition systems. / Lucovsky G., Kim S., Tsu D., Parsons G., Fitch J. //J. Vac. Sci. Technol. A. 1990. — Vol.8. -№ 3. -P.1947−1954.
  32. Lucovsky, G. Formation of device quality Si/Si02 interfaces at low substrate temperatures by remote plasma enhanced chemical vapor deposition of Si02. / Lucovsky G., Kim S., Fitch J. // J. Vac. Sci. Technol. B. 1990. — Vol.8. — № 4.- P.822−831.
  33. Alexandrov, S.E. Remote PECVD: a route to controllable plasma deposition. / Alexandrov S.E. // Journal de Physique IV. 1995. — Vol.5. — P.567−582.
  34. Xu, Y.-Y. Deposition of a-SiC:H thin film from organosilicon material by remote plasma CVD method. / Xu Y.-Y., Muramatsu Т., Taniyama M., Aoki Т., Hatanaka Y. // Thin Solid Films. 2000. — Vol.368. — P. 181−184.
  35. , В.И. Плазмохимические методы получения нитридов кремния и бора на антимониде индия. / Белый В. И., Смирнова Т. П., Соловьев А. П., Яшкин ПЛ., ХрамоваЛ.В., МараховкаИ.И. //Микроэлектроника. 1986.- Том 5. Вып.2. — С.146−149.
  36. , Т.П. Получение полимерных пленок из гексаметилцитриклозана в плазме высокочастотного разряда. / Смирнова Т. П., Храмова JI.B., Белый В. И., Соловьев А. П., Таранова И. В. // Высокомолекулярные соединения. 1988. — № 1. — С. 164−169.
  37. , Т.П. Получение слоев нитрида бора из боразола. / Смирнова Т. П., Яшкин И. Л., Храмова Л. В., Кичай В. Н., Бакланов П. Ю. // Неорганические материалы. 1991. — Том 27. — № 9. — С. 1826−1831.
  38. , Т.П. Получение слоев нитрида бора при непрямой высокочастотной активации боразола. / Смирнова Т. П., Храмова Л. В., Яшкин И. Л., Бакланов П. Ю. Кичай В.Н., Сысоева Н. П. // Неорганические материалы. 1992. — Том 28. — № 7. — С. 1414−1419.
  39. , Л.В. Получение слоев оксонитрида кремния на основе гексаметилдисилазана и оксида Азота (I). / Храмова Л. В., Смирнова Т. П., Еремина Е. Г. // Неорганические материалы. 1992. — Том 28. — № 8. — С. 16 621 665.
  40. Smirnova, Т.Р. Boron nitride films prepared by remote plasma-enhanced chemical vapour deposition from borazine (B3N3H6). / Smirnova T.P., Yakovkina L.V., JashkinI.L., SysoevaN.P., AmosovJu.I. //Thin Solid Films. 1994. — Vol.237.- P.32−37.
  41. Smirnova, T.P. Excited helium-induced CVD of a-Sii.xCx:H films from trimethylchlorosilane. / Smirnova T.P., Yakovkina L.V., Ayupov B.M., Dolgovesova I.P., Nadolinny V.A., Kitchay V.N. // Thin Solid Films. 1999- Vol.353. P.79−84.
  42. Wrobel, A.M. Mechanism of polysilazane thin film formation during glow discharge polymerization of hexamethylcyclotrisilazane. / Wrobel A.M., Kryszewski M., Gazicki M. // Polymer. 1976. — Vol.17. — № 8. — P.673−677.
  43. Wrobel, A.M. Structure of glow discharge polysilazane thin films. / Wrobel A.M., Kryszewski M., Gazicki M. // Polymer. 1976. — Vol.17. — № 8. — P.678−684.
  44. Lavedrine, A. Pyrolysis of polyvinylsilazane precursors to silicon carbonitride. / Lavedrine A., Bahloul D., Goursat P. Choong Kwet Yive N., Corriu R., Leclerq D., Mutin H., Vioux A. // Journal of the European Ceramic Society. 1991.- Vol.8.-P.221−227.
  45. Bahloul, D. Preparation of silicon carbonitrides from an organosilicon polymer: I, Thermal decomposition of the cross-linked polysilasane. / Bahloul D., Pereira M., Goursat P. // J. Am. Ceram. Soc. 1993. — Vol.76. — № 5. — P. l 156−1162.
  46. Bahloul, D. Preparation of silicon carbonitrides from an organosilicon polymer: II, Thermal behavior at high temperatures under argon. / Bahloul D., Pereira M., Goursat P. //J. Am. Ceram. Soc. 1993. — Vol.76. — № 5. — P. l 163−1168.
  47. Uhlig, H. Local order of polymer derived amorphous SixCyNz. / Uhlig H., Friess M., LamparterP., Steeb S. //Journal of Applied Physics. 1998. — Vol.83. -№ 11.- P.5714−5718.
  48. Iwamoto, Yu. Crystallization behavior of amorphous silicon carbonitride ceramics derived from organometallic precursors. / Iwamoto Yu., Wolger W., Kroke E., Riedel R. // J. Am. Ceram. Soc. 2001. — Vol.84. — № 10. — P.2170−2178. '
  49. , А.П. Разработка плазмохимических процессов синтеза диэлектрических слоев на антимониде индия и арсениде индия. Дис. канд. техн. наук / А.П. Соловьев- ИНХ СОАН СССР. Новосибирск, 1996. — 209с.
  50. Zhang, W. Influence of temperature on the properties of SiCxNy: H films prepared by plasma-enhanced chemical vapour deposition. / Zhang W., Zhang K., Wang B. // Materials Science and Engineering. 1994. — Vol.26. — P.133−140.
  51. Gomez, F. SiCN alloys deposited by electron cyclotron resonance plasma chemical vapor deposition. / Gomez F., Prieto P., Elizalde E., Piqueras J. // Appl. Phys. Lett.- 1996. Vol.69. — № 6. — P.773−775.
  52. Chen, L.C. Formation of crystalline silicon carbon nitride films by microwave plasma-enhanced chemical vapor deposition. / Chen L.C., Yang C.Y.,
  53. Bhusari D.M., Chen K.H., Lin M.C., Lin J.C., Chuang T.J. // Diamond and Related Materials. 1996. — Vol.5. — P.514−518.
  54. Sung, S. The effect of D.C. bias on the synthesis of crystalline carbon nitrides on silicon by microwave plasma enhanced chemical vapor deposition. / Sung S., TsaiT., Huang K. //Japanese Journal of Applied Physics. 1998. -Vol.37. — P. L148-L150.
  55. Chen, L.C. Crystalline silicon carbon nitride: A wide band gap semiconductor / Chen L.C., Chen C.K., Wei S.L., Bhusari D.M., Chen K.H., Chen Y.F., Jong Y.C., Huang Y.S. // Appl. Phys. Lett. 1998. — Vol.72. — № 19. — P.2463−2465.
  56. Barbadillo, L. Nitrogen incorporation in amorphous SiCN layers prepared from electron cyclotron resonance plasmas. / Barbadillo L., Gomez F., Hernandez M., Piqueras J. // Appl. Phys. A. 1999. — Vol.68. — P. 1−5.
  57. Badzian, A. Silicon carbonitride, a new hard material and its relation to the confusion about 'harder than diamond' C3N4 / Badzian A., Badzian Т., Roy R., Drawl W. // Thin Solid Films. 1999. — Vol.354. — P. 148−153.
  58. Kwatera, A. Preparation of amorphous composites of silicon nitride and carbon layers on silica glass by chemical vapor deposition method. / Kwatera A., Sawka A. // Journal of Non-Crystalline Solids. 2000. — Vol.265. — P. 120−124.
  59. Chen, J. In situ N2-doping of SiC films grown on Si (lll) by chemical vapor deposition from organosilanes / Chen J., Steckl A J., Loboda M.J. // Journal of The Electrochemical Society. 2000. — Vol.147. — № 6. — P.2324−2327.
  60. Zhang, D. Influence of silane partial pressure on the properties of amorphous SiCN films prepared by ECR-CVD. /Zhang D., Gao Y., Wei J., MoZ. //Thin Solid Films. 2000. — Vol.377−378. — P.607−610.
  61. Tarntair, F. Field emission properties of two-layer structured SiCN films. / Tarntair F., Wu J., Chen K., Wen C., Chen L., Cheng H. // Surface and Coatings Technology. 2001. — Vol.137. — № i2. — P. 152−157.
  62. Chang, H. Effect of substrate pretreatments and catalyst applications on Si-C-N films and nanotube formations. / Chang H., Kuo C. //Japanese Journal of Applied Physics. 2001. — Vol.40. — P.7018−7022
  63. Yongqing, F. From diamond to crystalline silicon carbonitride: effect of introduction of nitrogen in CH4/H2 gas mixture using MW-PECVD / Yongqing F., Chang Q.S., Hejun D., Bibo Y. // Surface and Coatings Technology. 2002. -Vol.160.-P. 165−172.
  64. Ronning, C. Carbon nitride deposited using energetic species: A review on XPS studies / Ronning C., Feldermann H., Merk R., and Hofsass H., Reinke P., Thiele J.-U. // Phys. Rev. B. 1998. — Vol.58. — P.2207.
  65. G.E. Muilenberg (Ed.). Handbook of X-ray Photoelectron Spectroscopy. // Perkin-Elmer, 1979.
  66. Wu, J. Structures and properties of the SiNC films on Si wafer at different deposition stages. /WuJ., Kuo C., LiuT. //Thin Solid Films. -2001. Vol.398 399. — P.413—418.
  67. Chen, L.C. Crystalline SiCN: a hard material rivals to cubic BN. / Chen L.C., Chen K.H., Wei S.L., Kichambare P.D., Wu J.J., Lu T.R., Kuo C.T. // Thin Solid Films. 1999. — Vol.355−356. — P. 112−116.
  68. Berlind, T. Microstructure, mechanical properties, and wetting behavior of Si-C-N thin films grown by reactive magnetron sputtering. / Berlind Т., Hellgren N., Johansson M.P., Hultman L. // Surf. Coat. Tecnol. 2001. — Vol.141. — P.145−155.
  69. Bendeddouche, A. Hardness and stiffness of amorphous SiC^N^ chemical vapor deposited coatings. / Bendeddouche A., Berjoan R., Beche E., Hillel R. // Surface and Coatings Technology. 1999. — Vol.111. — P.184−190.
  70. Qi, Jun. Film thickness effect on mechanical and tribological properties of nitrogenated diamond-like carbon films. / Qi Jun, Chan C.Y., Bello I., Lee C.S., Lee S.T., LuoJ.B., WenS.Z. //Surface and Coating Technol. -2001. Vol.145. -№ 1−3. — P.38−43.
  71. , M.A. Атомная и молекулярная спектроскопия. / М. А. Ельяшевич. М.: Физматгиз, 1962. — 892 с.
  72. , В.Т. Методы и приборы для анализа поверхности металлов. / В. Т. Черепин, М. А. Васильев. Киев: Наукова думка, 1982. — 400 с.
  73. , JI. Основы анализа поверхности и тонких пленок. / Л. Фелдман, Д. Майер. М.: Мир, 1989. — 344 с.
  74. , А.В. От спектроскопии EXAFS к спектроскопии XANES: новые возможности исследования материи. / Солдатов А. В. // Соросовский образовательный журнал. 1998. -№ 12. — С.101−104.
  75. , В. Строение материи и химическая связь. / В. Хабердитцл. М.: Мир, 1974.-296 с.
  76. , Г. Инструментальные методы химического анализа. / Г. Юинг. М.: Мир, 1989. — 608 с.
  77. Dragoe, N. Powder for Windows 98, version 2.0 / Dragoe N. // http://www.chem.t.u-tokyo.ac.jp/ appchem/labs/kitazawa/dragoe/.
  78. Laugier, J. LMGP-Suite of Programs for the interpretation of X-ray Experiments / Laugier J., Bochu B. // http://www.inpg.fr/LMGP.
  79. , M.M. Эллипсометрия. /М.М.Горшков. -M.: Сов. Радио, 1974.- 200 с.
  80. , В.А. Лабораторный практикум по курсу «Физика и химия полимеров». / В. А. Струк, Г. Е. Минюк. Гродно: ГрГУ, 1995, — 64 с.
  81. , В.К. Электронно-зондовые методы изучения минералов. / В. К. Гаранин, Г. П. Кудрявцева, Т. В. Посухова, Н. Е. Сергеева. М.: Изд-во Московского университета, 1987. — 140 с.
  82. Oliver, W.C. An improved technique for determing hardness and elastic modulus using load and displacement sensing indentation experiments / Oliver W.C., Pharr G.M. // J. Mater. Research. 1992. — Vol.7. — № 6. — P.1564−1583.
  83. Fanchini, G. Vibrational properties and microstructure of reactively sputtered hydrogenated carbon nitrides. / Fanchini G., Tagliaferro A., Messina G., Santangelo S., Paoletti A., Tucciarone A. // J. Appl. Phys. 2001. — Vol.91. — № 3. -P.l 155−1165.
  84. Wrobel, A.M. Film-Forming Precursors in Plasma Chemical Vapor Deposition Using Tetramethyl-l, 3-Disilacyclobutane as a Source Compound. / Wrobel A.M., Walkiewich-Pietrzkowska A. //J. Chem. Vapor Dep. 1995. -Vol.4. -№ 10.- P.87−109.
  85. Kushner, Mark J. Simulation of the gas-phase processes in remote-plasma-activated chemical-vapor depositiuon of silicon dielectrics using rare gas-si lane-ammonia mixtures. / Kushner-Mark J. //J. Appl. Phys. 1992. — Vol.71. -№ 9. -P.4173−4189.
  86. Sommerer, Timothy J. Numerical investigation of the kinetics and chemistry of rf glow discharge plasmas sustained in He, N2, 02, He/N2/02, He/CFV02 and
  87. SiH4/NH3 using a Monte Carlo-fluid hybrid model. / Sommerer Timothy J., Kushner Mark. J.//J. Appl. Phys. 1992. — Vol.71. — № 4. — P. 1654−1673.
  88. Efstathiadis, H. Atomic bonding in amorphous hydrogenated silicon carbide alloys: A statistical thermodynamic approach. / Efstathiadis H., Yin Z., Smith F.W. // Physical Review B. 1992. — Vol.46. — P. 13 119−13 130.
  89. Jimenez, I. X-Ray absorption studies of bonding environments in graphitic carbon nitride. / Jimenez I., Gago R., Albella J.M., Terminello L.J. // Diamond and Related Materials. 2001. — Vol.10. — P. l 170−1174.
  90. Souto, S. Electronic structure of nitrogen-carbon alloys (a-CNx) determined by photoelectron spectroscopy. / Souto S., Pickhols M., Dos Santos V.C., Alvares F. // Physical Review B. 1998. — Vol.57. — № 4. — P.2336−2340.
  91. Ripalda, J.M. An XPS study of carbon nitride synthesized by ion beam nitridation of C60 fullerene. / Ripalda J.M., Montero I., Galan L. // Diamond Rel. Mater.- 1998. Vol.7. — № 2−5. — P.402−406.
  92. Zhou, Zhimin. The carbon nitride films prepared at various substrate temperatures by vacuum cathodic arc method. / Zhou Zhimin, Xia Lifang, Sun Mingren. // Diamond Rel. Mater. 2004. — P. 14−21.
  93. Le Normand, F. An XPS study of pulse laser deposited CNX films / Le Normand F., Hommet J., Szorenyi Т., Fuchs C., Fogarassy E. // Phys Rev. B. 2001. — Vol.64. -P.235 416−23 5431.
  94. Ohta, R. Origin of Nls spectrum in amorphous carbon nitride obtained by x-ray photoelectron spectroscopy. / Ohta R., Le K.H., Saito N., Inoue Y., Sugimura H., Takai O. // Thin Solid Films. 2003. — Vol.434. — P.296−302.
  95. Wei, A.X. Characteristics of Carbon Nitride Films Prepared by Magnetic Filtered Plasma Stream / Wei A.X., Chen D.H., Ke N., Peng S.Q., Wong S.P. // Thin Solid Films. 1998. — Vol.323. — P.217−221.
  96. Ma, L.P. Scanning tunneling microscopy investigation of carbon nitride thin films grown by microwave plasma chemical vapor deposition. / Ma L.P., Gu I.S., Duan Z.J., Yuau L., Pang S.J. // Thin Solid Films. 1999. — Vol.349. — P. 10−13.
  97. Yu, P.Y. Fundamentals of Semiconductors, 1st ed. / P.Y. Yu, M. Cardona- Springer, Heidelberg, 1996. — 551 P.
  98. Zhang, Y.B. Microstructure effect on field emission from tetrahedral amorphous carbon films annealed in nitrogen and acetylene ambient. / Zhang Y.B., Lau S.P., HuangL., SunZ., TayB.K. //Diamond and Related Materials. -2004. Vol.13. -P. 133−138.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!