Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Исследование влияния легирования эмиттерных слоев на параметры диодных лазеров на основе твердых растворов AlGaAs и AlGaInP

Диссертация: Исследование влияния легирования эмиттерных слоев на параметры диодных лазеров на основе твердых растворов AlGaAs и AlGaInP
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Разработана технология выращивания слоев четверных твердых растворов АЮа1пРАЗа1пР/СаАз и лазерных гетероструктур на их основе. Показано, что качество и однородность слоев определяется, в частности, наличием переходных процессов при переключениях больших потоков гидридных газов арсина и фосфина. Разработаны технологические приемы легирования слоев твердых растворов донорными и акцепторными… Читать ещё >

Исследование влияния легирования эмиттерных слоев на параметры диодных лазеров на основе твердых растворов AlGaAs и AlGaInP (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Оглавление
  • Введение
  • Глава 1. Диодные лазеры, изготовливаемые из гетероструктур, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии
    • 1. 1. МОС-гидридная эпитаксия
    • 1. 2. Диодные лазеры на основе соединений АЮаАз/ваАз
    • 1. 3. Диодные лазеры на основе АЮа1пР/Оа1пРЛЗаА
  • Глава 2. Выращивание лазерных гетероструктур и изготовление диодных лазеров
    • 2. 1. Установка МОС-гидридной эпитаксии, использованная для создания исследуемых структур
  • §-2.2.Гидравлические переходные процессы
    • 2. 3. Тепловые и химические переходные процессы
    • 2. 4. Легирование пленок твердых растворов А^Са^хАэ и
  • А1хОа1.х)0.51п0.5Р
    • 2. 5. Изготовление диодных лазеров
  • Глава 3. Влияние легирования эмиттеров на излучательные характеристики лазеров на основе гетероструктур с квантоворазмерными активными слоями в истеме
  • АЮа1пР/Оа1пР/ОаАз
    • 3. 1. Оптимизация легирования эмиттеров в диодных лазерах с широким полоском, изготовленных в системе
  • АЮа1пР/Оа1пР/ ваАз
    • 3. 2. Диодные лазеры с узким полоском, изготовленные в системе
  • АЮа1пР/Оа1пРЮаА
  • Глава 4. Влияние легирования эмиттеров на излучательные характеристики лазеров на основе гетероструктур с квантоворазмерными активными слоями в системе
  • АЮаАзЛЗаАз
    • 4. 1. Квантоворазмерные гетеростуктуры на основе системы
  • АЮаАзЛЗаАБ с сильнолегированным Р-эмиттером
    • 4. 2. Мезаполосковые диодные лазеры с сильнолегированным Р-эмиттером
    • 4. 3. Зависимость внутренних параметров квантоворазмерных лазерных структур от уровня легирования Р-эмиттера
    • 4. 4. Особенности инжекции носителей в активную область лазерной ДГС

На протяжении многолетней истории существования техники полупроводниковых лазеров главными направлениями ее развития были: повышение выходной мощности, внешней эффективности и к.п.д.- расширение диапазона рабочих частот генерацииувеличение срока службы. Эти задачи остаются важнейшими и сегодня.

Метод эпитаксии из металлоорганических соединений и гидридов (далее МОС-гидридная эпитаксия) является одним из основных методов выращивания гетероструктур для современной полупроводниковой электроники. Принципиальная возможность получения этим методом гетерограниц с резкостью на уровне одного моноатомного слоя в сочетании с высокой однородностью выращиваемых гетероструктур позволяют использовать эту технологию для изготовления квантоворазмерных полупроводниковых лазеров на основе широкого класса соединений А3В5 и А2В6. От совершенствования технологии эпитаксии и самого технологического оборудования напрямую зависит решение задач, определяющих прогресс полупроводниковой лазерной техники. Важным фактором, существенно влияющим на качество гетероструктур, является контролируемость поддержания условий роста в реакторе и стабильность подачи реагентов в реактор установки газофазной эпитаксии. Главной причиной этой нестабильности и неконтролируемости являются переходные процессы в трубопроводах газоподготовительной системы, реакторе и вакуумной системе, обусловленные переключениями газовых потоков. Одной из задач этой работы является изучение переходных процессов в установке газофазной эпитаксии и выработка рекомендаций по уменьшению их влияния на однородность и качество гетероструктур.

Потребности современной техники определяют необходимость изготовления мощных диодных лазеров, способных излучать в широкой области спектра. При этом для диапазона длин волн 860−780 нм можно использовать традиционную систему твердых растворов на основе АЮаАэ/СаАБ, а для укорочения длины волны генерации и создания излучателей в видимой области в диапазоне спектра 690−630 нм можно использовать систему твердых растворов АЮаГпРЛЗаАз. Это позволяет изготовить диодные лазеры для накачки твердотельных сред, метрологических и технологических нужд, целе-указателей, систем записи и считывания информации, медицины. Разработка технологии выращивания гетероструктур на основе материалов А1-Оа1пР/СаАз являлась второй задачей настоящей работы.

Важнейшим, но не изученным всесторонне и потому не всегда обоснованно выбираемым параметром лазерной гетероструктуры, является уровень легирования эмиттеров. В тоже время очевидна важность этого параметра для конструирования диодных лазеров с заданными характеристиками, пригодными для решения практических задач. Поиск возможностей эффективного управления уровнем легирования эмиттерных слоев гетероструктуры и изучение его влияния на характеристики диодных лазеров — это третья задача работы.

Все задачи решаются комплексно в рамках исследований, целью которых являются: исследование особенностей эпитаксиального роста пленок с учетом гидравлических и других переходных процессов в газораспределительной, реакторной и вакуумной системах установки газофазной эпитаксииразработка технологических процессов выращивания и легирования тонких пленок и пленок твердых растворов, пригодных для изготовления гетерост-руктур диодных лазеров на основе АЮаАз/ОаАэ и АЮа1пР/СаАзисследование влияния уровня легирования эмиттеров, на характеристики диодных лазеров и, на основе этих исследований, разработка конструкции и технологии выращивания ГС, пригодных для изготовления мощных диодных лазеров, излучающих в диапазоне длин волн 690−630 нм и 860−780 нм.

Научная новизна работы определяется тем, что в ней впервые системно рассмотрено влияние переходных процессов на качество эпитаксиальных, выявлена и исследована зависимость внутренних параметров лазерных кван-товоразмерных структур от соотношения легирования эмиттеров, предложена и реализована конструкция излучателя с сильнолегированным Р-эмиттером и способ изготовления гетероструктур для него.

Практическая значимость работы состоит в том, что на основе проведенных теоретических и экспериментальных исследований: разработана технология сильного легирования пленок твердых растворов АЮаАэ/ОаАз и АЮа1пР/ОаА5, разработана конструкция и технология выращивания ГС, пригодных для изготовления в производственных условиях мощных диодных лазеров в диапазоне 690−630 нм и 850−780 нмпредложены и реализованы рекомендации для подавления переходных процессов в установке газофазной эпитаксии при переключении газовых потоков. В системе твердых растворов АЮаАзЛЗаАБ созданы диодные лазеры с сильнолегированным Р-эмиттером и высоким отношением Р/№>5, излучающие на длине волны 850 нм оптическую мощность более 3 Вт при внешней эффективность 1,33 Вт/А в непрерывном режиме генерации при ширине области излучения 100 мкм. В системе твердых растворов АЮаАБЛлаАБ созданы диодные лазеры с сильнолегированным Р-эмиттером эмиттером и высоким отношением РЛМ>4, излучающие на длине волны 780 нм оптическую мощность более 100 мВтдиодные лазеры работали в одномодовом режиме на одной продольной моде. В системе твердых растворов АЮа1пРЛла1пР/ОаА5 созданы диодные лазеры с высоким отношением Р/№>3, излучающие на длине волны 680 нм оптическую мощность более 1 Вт при внешней эффективность 1,45 Вт/А в непрерывном режиме генерации при ширине области излучения 100 мкм. В системе твердых растворов АЮа1пР/Оа1пР/ОаАз созданы диодные лазеры с высоким отношением Р/Ы=3, излучающие на длине волны 650 нм оптическую мощность более 5 мВт в одномодовом режиме при температуре +70°Сзначение характеристической температуры порогового тока составило 190° в диапазоне температур +20 -н-45°С.

На защиту выносятся следующие научные положения:

1. Основные внутренние параметры квантоворазмерных лазерных гетероструктур зависят от соотношения концентрации дырок Р и электронов N в эмиттерных слоях: при увеличении P/N плотность тока инверсии и коэффициент дифференциального усиления увеличиваются.

2. Диодные лазеры с сильнолегированным Р-эмиттером имеют более высокую дифференциальную квантовую эффективность и характеристическую температуру порогового тока.

3. При введении в Р-эмиттер лазерной гетероструктуры нелегированного подслоя, примыкающего к активной области, становится возможным сильное легирование Р-эмиттера акцепторными примесями до концентра.

1 о «3 ции дырок на уровне 4-Н5−10 см» .

4. Диодные лазеры с узким полоском, изготовленные из гетероструктур с сильнолегированным Р-эмиттером, имеют тенденцию к более устойчивой работе в одномодовом режиме-'.

Заключение

.

Основываясь на результатах работы, можно сделать следующие выводы:

1. В квантоворазмерных лазерных структурах на основе AlGalnP/GalnP/GaAs у и AlGaAs/GaAs исследованы зависимости основных параметров диодных лазеров от соотношения уровней легирования Р и N эмиттеров. Показано, что плотность тока инверсии и коэффициент дифференциального усиления, а также внутренний квантовый выход вынужденного излучения, увеличиваются при увеличении отношения P/N. Показано, что характеристическая температура порогового тока также возрастает при увеличении отношения P/N. Предложена качественная модель, объясняющая полученные экспериментальные результаты.

2. Предложена и реализована конструкция гетероструктуры, в которой часть Р-эмиттера, примыкающая к активной области, выполнена нелегированной. Это позволяет предотвратить попадание диффундирующей акцепторной примеси в активную область прибора на этапах его изготовления. С другой стороны это уменьшает взаимодействие световой волны, распространяющейся в волноводе, с носителями в Р-эмиттере и снижает внутренние потериуказанная конструкция позволяет изготовить диодные лазеры с сильно, бо.

1 А Л лее 1,5−10 см", легированным Р-эмиттером без существенного увеличения внутренних оптических потерь.

3. Оптимизация легирования эмиттеров позволила в системе твердых растворов АЮаАБЛЗаАз изготовить диодные лазеры, излучающие на длине волны 850 нм оптическую мощность более 3 Вт при внешней эффективность 1,33 Вт/А в непрерывном режиме генерации при ширине области излучения 100 мкм, а в системе твердых растворов АЮа1пРЛла1пРЛЗаАз диодные лазеры излучающие на длине волны 680 нм оптическую мощность более 1 Вт при внешней эффективность 1,45 Вт/А в непрерывном режиме генерации при ширине области излучения 100 мкм.

4. На основе проведенных исследований изготовлены одномодовые ДЛ на основе системы АЮа1пР/Оа1пР/ОаАз мощностью до 5 мВт, устойчиво работающие до температуры +70°С и имеющие ресурс более 2000 часов при температуре +60°С.

5. Экспериментально найдено, что одномодовые диодные лазеры имеют тенденцию к более устойчивой работе на одной продольной моде при увеличении легирования Р-эмиттера. Полученные результаты позволили, воспроизводимо изготавливать излучатели с мощностью до 100 мВт, работающие на одной продольной моде в системе АЮаАБ/ОаАз.

6. Разработана технология выращивания слоев четверных твердых растворов АЮа1пРАЗа1пР/СаАз и лазерных гетероструктур на их основе. Показано, что качество и однородность слоев определяется, в частности, наличием переходных процессов при переключениях больших потоков гидридных газов арсина и фосфина. Разработаны технологические приемы легирования слоев твердых растворов донорными и акцепторными примесями. Показано, что результирующая концентрация дырок в слоях р-типа AlGalnP определяется балансом противоположных эффектов при выращивании этих слоев. С одной стороны она определяется концентрацией акцепторной примеси (Zn, Mg), а с другой стороны эффективностью активации мелкой акцепторной примеси водородом.

Возможность управления внутренними параметрами диодных лазеров простым изменением соотношения легирования эмиттеров открывает новые пути создания диодных лазеров с наперед заданными свойствами, удовлетворяющими постоянно расширяющимся сферам применения. Например, малая плотность тока инверсии, которую можно получить при малом отношении P/N, позволяет в перспективе изготовить диод с пороговым током 1 -2 мА и ниже, что перспективно для использования в приборах с автономным питанием и в оптических компьютерах. С другой стороны, при увеличении соотношения P/N можно повысить коэффициент дифференциального усиления. Это может быть важным при изготовлении диодов, работающих в режиме СВЧ модуляции, например, диодов, излучающих на длинах волн 1,3 и 1,55 мкм и используемых в волоконно-оптических системах связи. Обнаруженная зависимость внутренних параметров лазерных гетероструктур от соотношения легирования эмиттеров требует своего теоретического обоснования. Эта зависимость говорит о том, что положение квазиуровней Ферми на энергетической зонной диаграмме активной области при прямом смещении не является фиксированным и может меняться в зависимости от соотношения P/N. Это возможно, если в активной области в условиях сильной инжек-ции не сохраняется локальная электронейтральность и один из двух видов носителей превалирует над другим. Такое предположение сделано в работе [89].

Разработанная технология выращивания гетероструктур для диодных лазеров на длины волн 690−630 нм, может лечь в основу технологии гетероструктур из этого же материала, но для диапазона длин волн 760−1060 нм. Такие приборы, изготовленные взамен традиционным на основе системы AlGaAs/GaAs, могут иметь большую рабочую мощность и меньшую склонность к деградации.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Manasevit Н.М. Single-Crystal Gallium Arsenide on Insulating Sub-strates//Appl.Phys.Lett.- 1968.-v. 12.-P. 156−159.
  2. Ludowise M.J. Metalorganic Chemical Vapor Deposition of III-V Semiconductors// J.Appl.Phys.- 1985.-v.58(8).- P. R31-R54.
  3. Nishizawa J., Kurabayashi T. On the Reaction Mechanism of GaAs MOCVD//J.Cryst.Growth.- 1990.-v.99.-P.525−529.
  4. Jensen K.F., Fotiadis D.I., Mountziaris T.J. Detailed Models of the MOVPE process//J.Cryst.Growth.- 1991.-v.107.-P.l-l 1.
  5. Miyamoto Y., Uesaka K., Takadou M., Furuya K., Suematsu Y. OMVPE Con-ditios for GalnAs/InP Heterointerfaces and Superlattices// Jpn. J. Appl. Phys.-1984.-v.23.-P.1182- 1187.
  6. Thrush E., Whiteaway J., Wale Evans G., Wight D., Cullis A. Compositional Transients in MOCVD Grown III-V Heterostructures//J. Crystal Growth.-1984.-v.68.-P.412−421.
  7. Roberts J., Mason N., Robinson M. Factors Influencing Doping Control and Abrupt Metallurgical Transitions During Atmospheric Pressure MOVPE Growth of AlGaAs and GaAs// J. Crystal Growth.- 1984.-v.68.-P.422−430.
  8. Clark I., Fripp A., Jesser W. MOCVD manifold switching effects on growth and characterization//J. Crystal Growth.- 1991 .-v. 109.-P.246−251.
  9. К., Cooman В., Shealy J., Carter С. ТЕМ Observation of Compositional Variations in AlGaAs Grown by MOCVD//J.Ciystal Growth.- 1985.-v.71.-P. 514−518.
  10. Hemmati H., Lesh J. Environmental Testing of a DiodeLaser-Pumped Nd: YAG Laser and a Set of Diode-Laser-Arrays //SPIE Space Sensing Communications and Networking.-1989.-V. 1059.-P. 146- 153.
  11. Алферов Ж. И, Андреев B.M., Портной E.JI., Трукан М. К. Инжекционные лазеры на основе гетеропереходов в системе AlAs-GaAs с низким порогом генерации при комнатной температуре //ФТП.-1969.-т.З.-С.1328−1332.
  12. Dupuis R. D., Dapkus P. Room temperature operation of GaixAlxAs/GaAs double heterostructure lasers grown by metalorganic chemical vapor deposition// Appl. Phys. Lett.- 1977.-v.31 .-№ 7.-P.466−468.
  13. Dupuis R.D., Dapkus P. Single-longitudinal-mode CW room-temperarure Gaj. xAlxAs-GaAs channel-guide lasers grown by metalorganic chemical vapor deposition //Appl. Phys. Lett.- 1978.-v.33.-№ 8.-P.724−726.
  14. Hersee S., Baldy M., Assenat P., DeCremoux В., Duchemin J. Low Threshold GRIN SCH GaAs/AlGaAs Laser Structure Grown by OMVPE // Electron. Lett.- 1982.-v.18.-P.618.
  15. Harder C., Buchmann P., Meier H. High-power Ridge Waveguide AlGaAs GRIN-SCH Laser // Electron. Lett.- 1986.-v.22.-P. 1081−1082.
  16. Wada O., Sanada T., Kuno M., Fujii T. Very Low Threshold Current Ridge Waveguide AlGaAs/GaAs Single-Quantum Well Lasers// Electron. Lett.-1985.v.21.-P.1025−1026.
  17. Reep D., Ghandhi S. Electrical Properties of Organometallic Chemical Vapor Deposited GaAs Epitaxial Layers// J. Electrochem. Soc.- 1984.-v.l31.-№ 11.-P.l 697−2702.
  18. Stringfellow G. Fundamental Aspects of Vapor Growth and Epitaxy//J. Crystal Growth.- 1991 .-v. 115 .P. 1−11.
  19. Takahashi Y., Soga Т., Sakai S., Umeno M., Hatttori S. Solid Composition and
  20. Growth Rate of Gal-xAlxAs Grown Epitaxially by MOCVD// Jpn. J. Appl.
  21. Phys.- 1983.-v. 22.-№ 9.-P.1357−1360.
  22. Jones M., Ridge M., Daniel D., Butlin R. Evaluation of large area heterostruc-ture material for high power laser structures// Chemotronics.- 1987.-V.2.-P.69−77.
  23. Stringfellow G. The Role of Impurities in III/V Semiconductors Grown by Organometallic Vapor Phase Epitaxy// J. Crystal Growth.- 1986.-v.75.-P.91−100.
  24. Э. А., Масловский В. M., Полторацкий Э. А. Электрофизические свойства изолирующих слоев твердого раствора GaAlAs, полученных МОС-гидридным методом// ФТП.- 1988.-Т. 20.-№ 4.-С.594−602.
  25. Terao Н., Sunakawa Н. Effect of Oxygen and Water Vapour Introduction During MOCVD Growth of GaAs// J. Crystal Growth.- 1984.-v.68.- P.157−162.
  26. Hata M., Takata H., Yako Т., Fukuhara N., Maeda Т., Uemura Y. The Effect of Oxygen Impurity in TMA on AlGaAs Layers grown by MOVPE// J. Crystal Growth.- 1992.-v.124.-P.427−432.
  27. Hersee S., Forte-Poisson M. Di, Baldy M., Duchemin J. A new approach to the «gettering' of oxygen during the growth of GaAlAs by low pressure MOCVD// J. Crystal Growth.-1981.-v.55.-P.53−57.
  28. Dupuis R.D., Dapkus P.D. Room temperature operation of AlGaAs/GaAs double heterostructure lasers grown by metalorganic vapor de-postion//Appl.Phys.Lett.-1977.-v:31 .-№ 7.-P.466−468.
  29. Dupuis R.D., Dapkus P.D. Continuous room-temperature operation of GaAlAs-GaAs double-heterostructure lasers grown by metalorganic chemical vapor deposition//Appl.Phys.Lett.- 1978.-v.7.-№ 32.P.406−407.
  30. Dupuis R., Dapkus. P. Very low threshold GaixAlxAs-GaAs double heterostructure lasers grown by metalorganic chemical vapor deposition // Appl. Phys. Lett.- 1978.-v.32.-№ 8.-P.473−475.
  31. Holonyak N., Kolbas R.M., Vojak B.A. Low threshold continues wave operation (300 337K) of multylayers MOCVD AlGaAs/GaAs quantum well het-erostructures// Appl.Phys.Lett.- 1978.-v.33.-№l.-P.73−75.
  32. Hersee S., Badly M., Assenat P., De Cremoux B., Duchemin J.P. Low threshold GRIN SCH GaAs/AlGaAs laser structure grown by OMVPE// Electron.Lett.-1982.-v.18.-P.618−620.
  33. Hersee S., Badly M., Assent P., De Cremoux B., Duchemin J.P. Very low threshold GRIN SCH GaAs/AlGaAs laser structure grown by OMVPE// Elec-tron.Lett.- 1982.-v. 18.-P.870−871.
  34. Dupuis R.D., Dapkus P.D., Karner C.M. Abrupt GaAlAs-GaAs quantum well hetrostructures grown by metalorganic chemical vapor deposition// Appl.Phys.Lett.-1974.-v.34.-№ 5.-P.335−337.
  35. Dupuis R., Dapkus P., Kolbas R. Quantum Well AlGaAs-GaAs Heterostruc-ture Lasers Grown by MOCVD// IEEE J.Quant.EIectr.-1979.-v.l5.-№ 8.-P.756−761.
  36. Herseee S., Krakowski M., Blondeau R., Duchemin J. Abrupt OMVPE Grown GaAs/GaAlAs Heterojunctions// J. Crystal Growth.- 1984.-v.68.- P.383−388.
  37. Yonezu H., Sakuma I., Kobayashi K. Lateral current spreading in stripe-geometry DH laser diodes//Japan.J.Appl.Phys.-1973.-v. 12.- P.1585−1592.
  38. Tsang W.T. The effect of lateral current spreading, carrier out diffusion, an-doptical mode losses on the threshold current density of GaAs-AlxGai.xAs stripe geometry DH lasers// J.Appl.Phys.-1978.-v.49.-N3.-P.1031−1044.
  39. Matsumura S., Kuwano N., Oki K. Ordered Structures and Phase States in Epitaxial Layers of III-V Semiconductor Alloys// Jpn.J.Appl.Phys.- 1990.-v.29.-№ 4.-P.688−695.
  40. Ueda O., Takikawa M., Komeno J., Umebu I. Atomic Structure of Ordered InGaP Crystal Growth on (OOl)GaAs Substrates by Metalorganic Chemical Vapor Deposition //Jpn.J.Appl.Phys.-1987.-v.26.-Nl 1.-P.L1824-L1827.
  41. Gomyo A., Suzuky T., Kobayashi K., Kawata S., Hino I., Yuasa T. Evidence for existance of an ordered state of GaO.5InO.5P grown by metalorganic vaporphase epitaxy and its relation to band gap energy I I Appl.Phys.Lett.- l987.-v.50.-P.673−675.
  42. Valster A., Brouwer A., Chang C.V.J., Van der Poel C.J. Strained AlGalnP quantum well visible light-emitting laser diodes//Proc. Conf. Lasers and Elec-trooptics (CLEO) Tech. Dig.-1993.-v. 11.-P.476−477.
  43. Lin J., Jou M., Chen C., Lee B. Effect of substrate misorientation on the optical properties and hole concentration of Ga.5In.5P and (A1.5Ga.5).5In.5P grown by low pressure metalorganic vapor phase epitaxy// J. Crystal Growth.-1992.-v. 124.-P.415−419.
  44. Kurtz S., Olson J., Arent D., Bode M., Bertness K. Low-band-gap Ga.5In.5Pr1grown on (511)B GaAs substrates // J.Appl.Phys.-1994.-v.lO.-№ 75.P. 51 105 113.
  45. Su L., Ho I., Stringfellow G. Effects of substrate misorientation and growth rate on ordering in GalnP// J.Appl.Phys.- 1994.-v.l0.-№ 75.-P.5135−5141.
  46. Kurtz S., Olson J., Kibbler A. Incorporation of zinc in MOCVD growth of Ga.5In.5P//J.Crystal Growthio- 1992.-v.124.-P.462−469.
  47. N»" 45. Nisikawa J., Tsuburai Y., Nozaki C., Ohba Y., Kokobun Y., Kinishita H. Zn
  48. Nishikawa Y., Ishikawa M., Sugawara H., Hatakashi G., Kokubun Y. Anomalous dependence of In incorporation on substrate temperature into Zn-doped InGaAlP grown by low pressure MOCVD// J.Cryst.Growth.- 1991.-v.112.-P.628−634.
  49. Honda M., Ikeda M., Mori Y., Kaneko K., Wataabe N. The energy levels of Zn and Se in AlGalnP// Jap.J.Appl.Phys. -1985.- v.24.-P.L187-L189.
  50. Liedenbaum C.T.F.H., Valster A., Severens A.L.G.J., W’t Hooft G. Determination of the GalnP/AlGalnP band offset // Appl.Phys.Lett.- 1990.-v.57.-P.2698−2670.
  51. Tanaka H., Kawamura Y., Nojima S., Wakita K., Asahi H. InGaP/InGaAlP double heterostructure and miltiquantum laser diodes grown by molecular beam epitaxy// J.Appl.Phys. -1987.-v.61 .-P. 1713−1719.
  52. Hatakoshi G., Nitta K., Itaya K., Nishikawa Y., Okajama M. High-power InGaAlP laser diodes for high-density optical recording//Jap.J.Appl.Phys.- 1992.-v.31.-P.501−507.
  53. Hatakoshy G., Itaya K., Ishikawa M., Okajama M., Uematsu Y. Short-wavelength InGaAlP visible laser diodes// IEEE J. Quantum Electron.- 1991.-v.27.-P.1476−1482.
  54. Bour D.P., Treat D.W., Thornton R.L., Geels R.S., Welch D.F. Drift leakage current in AlGalnP quantum well lasers // IEEE J.Quantum.Electron.-1992.-v.29.1. P.145−149.
  55. Hamada H., Shono M., Honda S., Hiroyama R., Jodoshi K., Yamaguchi T. Al-GalnP visible laser diodes grown on misoriented substrates//IEEE J.Quantum.Electron.-1991 .-v.27.-P. 1483−1490.
  56. Y., Fujii H., Sawano H., Endo K., Kobayashi K., Hara K. 30 mW 690 nm high power strained-quantum-well AlGalnP laser with A1203-coated mirror facets// Appl.Phys.Lett.-1992.-v.56.-P.218−219.
  57. Serreze H., Chen Y., Naters R. High power, very low threshold GalnP/AlGalnP visible diode lasers // Appl Phys.Lett.-1991.-v.58.-P.2464−2465.
  58. Hashimott J., Katsuyama T., Shinkai J., Yoshida I. Effect of strained-layer structures on the threshold current density of AlGalnP/GalnP visible lasers// Appl.Phys.Lett.-1991 .-v.58.-P.789−891.
  59. Bour D., Treat D., Thornton R., Paoli T., Bringans R., Drusor B., Geels R. Low threshold, 633 nm, single tensile strained quantum well GalnP/AlGalnP lasers// Appl .Phys.Lett.-1992.-v.60.-P. 1927−1929.
  60. Valster A., Van Der Poel C., Finke M., Boermans M. Effect of strain on the threshold current of GalnP/AlGalnP quantum well lasers emitting at 633 nm// Abstracts of 13th IEEE Int. Semiconductor Laser.Conf.-1992.-P.152−153.
  61. Summers H., Blood P. Room temperature operation of ultrashort wavelength (619nm) AlGalnP/GalnP tensile strained quantum well laser// Electron.Lett.-1993 .-v.29.-P. 1007−1008.
  62. Takagi Т., Koyoma F., Iga K. Electron wave reflection by multyquantum bar-ier// Jpn. J. Appl.Phys.- 1992.-v.31.-P. 197−200.
  63. Kishino K., Kikuchi A., Kaneko Y., Nomura I. Enhanced carrier confinement effect by the multiquantum barrier in 660 nm GalnP/AlInP visible lasers// Appl.Phys.Lett.-1991.-v.58.-P.789−891.
  64. Hamada H., Tominaga K., Shono M., Honda S., Yodoshi K., Yamaguchi T. Room temperature cw operation of 610 nm band AlGalnP strained multyquantum well laser diodes with multyquantum barrier//Electron.Lett.-1992.-v.28,P.l834−1836.
  65. И.А. Неустановившееся движение реальной жидкости в трубах.-М.:Недра, 1975 г.
  66. М.А., Друнина Л. И., Петрова О. Н., Степанова О. Н. Гидродинамические процессы в сложных трубопроводных системах.-М.:Недра, 1991 г.
  67. С.И., Кожинов И.А., .Кофанов В. И. Теория тепломассообмена: Учебник для вузов- под ред. Леонтьева А.И.-М.:Высшая школа, 1979.-С.175.
  68. Т., Пикфорд Р., Уилки Ч. Массопередача.- М.:Химия, 1982.-С.567−595.
  69. Отчет по ОКР Каркас- ФГУП НИИ Полюс- Гл. конструктор А. А. Чельный .-№Г36 417.-уч.2203.- 1999.
  70. Сюэ-Сень Ц. Физическая механика//М.-Мир.-1965.-С.424−425.
  71. Ф. Статистическая физика.- М.:Наука, 1977.-С.294.
  72. Отчет по НИР Калина- ФГУП НИИ Полюс- Научн. руководитель В. А. Горбылев. № 2110.- УДК 621.385.2.- М.-1990.-Зам.научн.руководителя А. А. Чельный.
  73. Vdovin V., Milvidsky М., Chelny A. Ordered Structure in MOCVD epitaxial AIGalnP alloys // Inst.Phys.Con?-1997.-ser.N155.-Chapter 12.-P.913−916.
  74. Bour D. P., Geels R. S., Treat D. W., Paoli T. L., Ponce F., Thornton R. L., Krusor B. S., Brigans R. D., Welch D. F. Strained GalnP/AlGalnP Het-erostructures and Quantum-Well Laser Diodes //IEEE J.Q. Electron.-1994.-v.30.-N2.-P.593−606.
  75. Aoyagi Т., Kimura Т., Yoshida N., Kadowaki Т., Murakami Т., Kaheno N., Seiwa Y., Mizuguchi K., Susaki W. Threshold current density dependence on p-doping in AIGalnP lasers //SPIE Laser-Diode Technology and Applications II.- 1990.-v.1219.-P.6−15.
  76. Sakaki F. Doping optimization in InGaAsP DH lasers and improved characteristics in BH lasers grown by MOCVD// J. Crystal Growth.-1988.-v.93.-P.838
  77. A.B., Морозюк A.M., Кобякова М. Ш., Чельный A.A. Мощные непрерывные 2,5Вт диодные лазеры, изготовленные в системе А1-GaAs/GaAsZ/Квантовая электроника.- 2001.-т.31.-№ 7.-С.627−628.
  78. О.В., Киселева, Курносов В.Д., Малашина О. Ю., Чельный
  79. A.A., Шишкин В. А. Одночастотные GaAlAs/GaAs-лазеры //Квантовая Н.Н.электроника.-1994.-T.21 .-№ 3.- С.205−208.
  80. Eliseev P.G., Chelny A.A., Aluev A.B., Davydova E.I., Kobyakova M.Sh., Morozyuk A.M. Single-Mode Laser Diode at 780-nm Wavelength: Effect of p-Doping //IEEE Photonics Technology Letters.-2002.-v.l4.-Nl-P.15−17.
  81. И.В., Мармалюк A.A., Матвеенко E.B., Поповичев B.B., Симаков
  82. B.А., Чельный A.A., Чуковский H.H. Перспективные полупроводниковые лазеры с мощностью излучения до 200 мВт для межспутниковых оптических линий связи//Вестник МГТУ им. Н. Э. Баумана.-Сер.Приборостроение.- 2002.-№ 3.-С. 18−33.
  83. Инжекционный лазер: пат. № 2 168 249/ Елисеев П. Г., Кобякова М. Ш., Симаков В. А., Чельный А. А. Изобретения. Бюллетень Российского Агентства по патентам и товарньщ знакам № 15−2000 001,-2000.
  84. Polyakov A.Y., Pakhomov A.V., Tishkin M.V., Omeljanovsky E.M. Plazma enhanced hydrogen passivation of shallow levels in InP //Semi-Insulating III-V Materials / eds.A.G.Milns and C.J.Miner/Adam Hilger, London and Bristol, 1990.-P.247−257.
  85. Pearton S.J.,.Corbett J. W, Stavola M. Hydrogen in Crystalline Semiconductors.- Springer, Heidelberg.-1992.
  86. Joyce W. B. Role of the conductivity of the confining layers in DH laser spatial hole burning effect// IEEE J. Quant. Electron.- 1982.-v.l8.-№ 12.-P.2005−2009.
  87. Eliseev P. G., Glebov A. G., Osinski M. Current self-distribution effect in diode lasers: analytic criterion and numerical study// IEEE J. Sel. Topics Quant. Electron.- 1997.-v.3.-№ 2.-P. 499−506.
  88. Chelny A.A., Kobyakova M.S., Eliseev P.G. Effect of the Doping Level of a p-Cladding Layer on the Performance of GaAs-AlGaAs Multiquantum-Well Lasers //IEEE Journal of Quantum Electronics .-2004.-v.40.-№ 2.-P.l 13−117.
  89. Кейси X, Паниш M. Лазеры на гетероструктурах т.1.-1981.-Мир.-М.1. С. 275.
  90. S.W.Corzine, R. Yan, L. Colden Optical Gain in III-V Bulk and Quantum Well Semiconductors// in Quantum Well Lasers 1993,-Academic Press.Inc.,-P.91.
  91. Ch.Su, V. Lanzisera, R. Freeman High Speed InGaAsP Lasers by Gain Enhans-ment Doping// US Patent N4,706,253,-1987.
  92. П.С. Физика полупроводников. Учебн. пособие для вузов. М.:Выс-шая школа, 1975.-С.456−458.
  93. X., Паниш М. Лазеры на гетероструктурах,-т.1.-М.:Мир.-1981.-С.222−240.
  94. Sugimura A. Threshold Currents for AlGaAs Quantum Well Lasers//IEEE J. Quantum Electronics.- 1984.-v.20.-№ 4.-P.33 6−343.
  95. E.B. Микроструктуры интегральной электроники.М.:Радио и связь, 1990,-С. 167.
  96. Яманиси М. Теоретические основы работы лазеров с квантоворазмерны-ми слоями// в Физика полупроводниковых лазеров под ред. Такумы X. J1. М. :Мир, 1989,-С. 168. /
  97. М.А., Юфин В. А. Методы расчета неустановившегося движения нефтепродыктов и нефтей в магистральных трубопроводах с промежуточными насосными станциями.- М.:Недра, 1973,-С.53.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!