Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Новые механизмы возникновения магнито-управляемого отрицательного дифференциального сопротивления в полупроводниковых приборах и создание генераторов с регулируемыми характеристиками

Диссертация: Новые механизмы возникновения магнито-управляемого отрицательного дифференциального сопротивления в полупроводниковых приборах и создание генераторов с регулируемыми характеристиками
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Достоверность экспериментальных результатов обеспечена применением современной стандартной измерительной аппаратурыметрологической поверкой измерительного оборудования и методик измеренияобработкой экспериментальных данных с помощью современных методов с использованием ЭВМвоспроизводимостью полученных результатов. Научная и прикладная значимость работы: на основе экспериментальных и теоретических… Читать ещё >

Новые механизмы возникновения магнито-управляемого отрицательного дифференциального сопротивления в полупроводниковых приборах и создание генераторов с регулируемыми характеристиками (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

1. МЕХАНИЗМЫ ВОЗНИКНОВЕНИЯ ОТРИЦАТЕЛЬНОГО ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРАХ С ВОЛЬТ-АМПЕРНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКОЙ, УПРАВЛЯЕМОЙ МАГНИТНЫМ ПОЛЕМ, И НЕЛИНЕЙНЫЕ РЕЖИМЫ РАБОТЫ УСТРОЙСТВ НА ИХ ОСНОВЕ.

1.1. Отрицательное дифференциальное сопротивление в устройствах с магнитно диодом в цепи обратной связи.

1.1.1. Отрицательное дифференциальное сопротивление динамического характера в автогенераторе с магнитодиодом в цепи обратной связи.

1.1.2. Режимы работы генератора релаксационных колебаний с магнитодиодом в цепи обратной связи.:.

1.2. Активные магнитоуправляемые двухполюсники с отрицательным дифференциальным сопротивлением и управляемой магнитным полем вольт-амперной характеристикой Л'-типа.

1.2.1. Магнитотиристор с управляемой магнитным полем низкоомной ветвью вольт-амперной характеристики.

1.2.2. Генератор релаксационных колебаний на магнито-тиристоре с управляемой низкоомной ветвыо ВАХ.

1.2.3. Магнитодинистор с мультистабильной вольт-амперной характеристикой, управляемой магнитным полем.

1.2.4. Сложные режимы работы нелинейной автогенерирующей системы с магнитодинистор ом.

1.3. Отрицательное дифференциальное сопротивление активного магнитоуправляемого двухполюсника с вольт-амперной характеристикой yV-типа и нелинейные режимы работы автогенерирующих схем на его основе.

1.3.1. Магнитоуправляемый активный двухполюсник с отрицательным дифференциальным сопротивлением и ВАХ iV-типа.

1.3.2. Автогенератор на основе магнитоуправляемого активного двухполюсника с отрицательным дифференциальным сопротивлением и ВАХ ТУ-типа.

1.4. Сложная нелинейная динамика генератора на основе магнитоуправляемого активного двухполюсника с отрицательным дифференциальным сопротивлением и ВАХ А^-типа.

1.4.1. Обоснование выбора эквивалентной схемы генератора на основе магнитоуправляемого активного двухполюсника

1.4.2. Математическая модель генератора на основе магнитоуправляемого активного двухполюсника с отрицательным дифференциальным сопротивлением и ВАХ Л^-типа.

1.4.3. Поиск состояний равновесия динамической системы генератора и исследование их устойчивости.

1.4.4. Динамика исследуемого генератора и результаты численного моделирования.

1.4.5. Сечение Пуанкаре аттрактора нелинейной динамической системы исследуемого генератора.

1.4.6. Расчет спектра ляпуновских характеристических показателей нелинейной динамической системы исследуемого генератора.

1.4.7. Обсуждение физической природы возникновения хаоса в нелинейной динамической системе исследуемого генератора.

1.4.8. Краткие

выводы.

1.5. Температурная зависимость сложных колебательных режимов работы автогенератора на основе магнитоуправляемого активного двухполюсника с отрицательным дифференциальным сопротивление и ВАХ УУ-типа.

1.6. Выводы.

2. ОТРИЦАТЕЛЬНОЕ ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРАХ С МУЛЬТИ-СТАБИЛЬНОЙ ВОЛЬТ-АМПЕРНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКОЙ.

2.1. Механизм реализации активного двухполюсника с отрицательным дифференциальным сопротивлением S~ и N- типов на вольт-амперной характеристике.

2.1.1. Активный двухполюсник с вольт-амперной характеристикой, обладающей участками отрицательного дифференциального сопротивления S- и N- типов.

2.1.2. Автогенератор на основе активного двухполюсника с отрицательным дифференциальным сопротивлением и ВАХ, обладающей участками S- и N- типов.

2.2. Активный двухполюсник на основе структуры металл-окисел-окисел-металл с вольт-амперной характеристикой, обладающей несколькими участками отрицательного дифференциального сопротивления iV-типа.

2.3. Выводы.

3. НЕЛИНЕЙНЫЕ ЯВЛЕНИЯ В ГЕНЕРАТОРАХ НА ДИОДАХ ГАННА И ВОЗМОЖНОСТЬ УПРАВЛЕНИЯ ИХ ХАРАКТЕРИСТИКАМИ ВОЗДЕЙСТВИЕМ ВНЕШНЕГО СИГНАЛА.

3.1. Перестройка частоты низкоразмерного СВЧ — генератора на диоде Ганна внешним магнитным полем.

3.2. Особенности работы генераторов СВЧ на диоде Ганна при воздействии на них синхронизирующего СВЧ-сигнала.

3.2.1. Модуляция выходного сигнала СВЧ — генератора на диоде Ганна при воздействии на него внешнего СВЧсигнала

3.2.2. Синхронизация мод в СВЧ — генераторах на диодах Ганна

3.3. Теоретическое исследование процессов в синхронизированном генераторе на диоде Ганна.:

3.3.1. Обоснование выбора эквивалентной схемы синхронизированного генератора на диоде Ганна.

3.3.2. Математическая модель синхронизированного генератора на диоде Ганна.

3.3.3. Результаты численного моделирования.

3.4. Выводы.

4. НЕЛИНЕЙНЫЕ ЯВЛЕНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРАХ И УСТРОЙСТВАХ НА ИХ ОСНОВЕ ПРИ

ИЗМЕНЕНИИ РЕЖИМОВ РАБОТЫ

4.1.Изменение нелинейной составляющей реактивности диода

Ганна в зависимости от режима его работы.

4.2. Изменение вида вольтамперной характеристики диода Ганна в зависимости от режима его работы на СВЧ.

4.3.Индуктивность, перестраиваемая электрическим полем, с кремниевой нелинейной структурой п-'г-р-'г-п-типа в качестве регулируемого сердечника.

4.4.Автогенератор с резонансным контуром, включающим индуктивность, перестраиваемую электрическим полем.

4.5. Особенности управления высокочастотными сигналами с

ПОМОЩЬЮ/7-/-Я-ДИОДНЫХ устройств.

4.6. Частотная модуляция высокочастотного сигнала в резонансном контуре, включающем в свой состав управляемую электрическим полем индуктивность.

4.7. Выводы.

5. НОВЫЕ ТИПЫ УСТРОЙСТВ, СОЗДАННЫЕ НА ОСНОВЕ ВЫЯВЛЕННЫХ ФИЗИЧЕСКИХ ЗАКОНОМЕРНОСТЕЙ В ЭЛЕКТРОННЫХ СИСТЕМАХ, ВКЛЮЧАЮЩИХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СТРУКТУРЫ С УПРАВЛЯЕМЫМИ МАГНИТНЫМ ПОЛЕМ ХАРАКТЕРИСТИКАМИ.

5.1. Устройства защиты, контроля и ограничения доступа на основе полупроводниковых структур с управляемыми магнитным полем характеристиками.

5.1.1. Система защиты микроэлектронных устройств от несанкционированного доступа и копирования.

5.1.2. Система ограничения доступа.

5.2. Измеритель индукции магнитного поля на основе магнито-чувствительных интегральных схем.

5.3. Устройство управления /?-/-л-диодным прибором.

5.4. Выводы.

Исследования механизмов возникновения отрицательного дифференциального сопротивления в полупроводниковых приборах, особенностей воздействия на них внешних электрических и магнитных полей, колебательных режимов, возникающих в устройствах, включающих такие приборы, нелинейных явлений в электродинамических системах, их содержащих, можно отнести к числу современных научных направлений, развивающихся на стыке твердотельной электроники и радиофизики. Интерес к подобным исследованиям обусловлен широким применением достижений твердотельной электроники во многих отраслях науки и техники, что связано с открытием новых физических эффектов в полупроводниках и полупроводниковых приборах и их использованием для разработки и создания как дискретных, так и интегральных устройств для генерации, усиления, преобразования и управления энергией электромагнитного излучения. Успехи в области разработки, создания и применения электронных приборов, имеющих в определенном режиме отрицательное значение дифференциального сопротивления — основного дифференциального параметра, так называемых «негатронов» [1,2], привели к формированию «негатроники» — молодого самостоятельного научного направления электроники, цели и задачи которого были сформулированы сравнительно недавно [3−6].

Приборы с отрицательным дифференциальным сопротивлением (ОДС) находят широкое применение в радиофизических и радиотехнических системах самого широкого назначения не только в качестве основных элементов усилительных, генераторных и ключевых схем [7−11], а также чувствительных сенсоров [12−15], но и как элементарные функциональные элементы, благодаря присущей им внутренней управляемой реактивности [16−23], причем реактивность, в зависимости от типа ОДС, может иметь как индуктивный, так и емкостной характер [22, 23].

Группа устройств, наличие участка ОДС на вольт-амперных характеристиках (ВАХ) у которых обусловлено физическими явлениями, происходящими в полупроводниковых структурах, сравнительно небольшая и включает в себя туннельные [24], лавинно-пролетные диоды [25−27], диоды Ганна* [28], диоды с барьером Шоттки [29], лавинные транзисторы [30−32] и ряд других [33−36]. Известны соединения переходных металлов, кристаллы которых демонстрируют на своих вольт-амперных характеристиках участки ОДС одновременно 5″ -и ТУ-типов [37]. Приборы такого типа, обладая эффектами переключения и памяти, а также эффектами транзисторного и тири-сторного типа [37−40], могут применяться в качестве чувствительных элементов сенсорных систем, электронных переключательных устройств, датчиков температуры.

Общим недостатком приборов этой группы является то, что лежащие в основе механизма их работы физические эффекты, электрофизические характеристики материалов, из которых они изготовлены, технология их создания однозначно определяют их электрические и эксплуатационные параметры [41]. Так, например, туннельный диод физически не предназначен для работы с высокими уровнями рассеиваемой мощности и при сравнительно высоких значениях питающего напряжения, не говоря уже о возможности изменения формы ВАХ и крутизны её падающего участка.

Другим существенным недостатком большинства приборов этого типа представляется их плохая совместимость с современной технологией изготовления интегральных схем [41, 42].

В связи с этим широкое распространение получили также устройства, в которых механизм возникновения ОДС обусловлен действием положительных и отрицательных обратных связей [41−71]. Создание устройств с ОДС, обусловленным характером обратных связей, позволяет не только получать у них требуемую форму ВАХ и, в частности, участки с ОДС, но и оперативно варьировать электрические параметры вновь создаваемых приборов в зависимости от их функционального назначения, з связи с чем задача создания устройств с заданными характеристиками, а также возможностью их регулировки и управления, представляется современной и актуальной.

Параметры ВАХ таких двухполюсников с ОДС можно варьировать, изменяя номиналы элементов, введенных в цепи положительных или отрицательных обратных связей устройств [41, 62]. Следует также отметить, что для полупроводниковых устройств, в которых механизм возникновения ОДС основан на введении в схему положительных и отрицательных обратных связей, довольно хорошо изучены возможности управления параметрами их характеристик воздействием электрического поля [41, 62−64], света [65] и температуры [66, 67], в то же время как вопросы воздействия на такие приборы магнитного поля и проблема создания приборов с магнитоуправляемыми характеристиками изучены недостаточно.

Включение в цепи смещения и обратных связей таких приборов элементов, проводимость которых зависит от величины приложенного внешнего магнитного поля, может позволить создавать структуры, параметры ВАХ которых прогнозируемо управляются этим полем, причем эффект от воздействия управляющего фактора может достигать значительно больших величин, чем в известных устройствах. Предлагаемый способ может быть особенно эффективным при интегральном исполнении двухполюсников с ОДС, поскольку позволяет существенно снизить в изготовляемой микросхеме количество управляющих выводов и разрабатывать устройства, функциональное назначение которых возможно изменять под воздействием внешнего магнитного поля без каких-либо настроек и вмешательства в принципиальную электрическую схему.

Введение

в цепи обратных связей элементов, характеристики которых зависят от величины приложенного внешнего магнитного поля, может позволить создавать также приборы, обладающие динамической ВАХ с падающим участком, которой используемый магнитоуправляемый прибор, равно как и модифицируемое устройство, изначально не обладают.

Получение на ВАХ одного прибора нескольких стабильных и устойчивых участков с ОДС разного типа потенциально позволяет расширить функциональные возможности устройств такого класса [41, 62, 72]. Такие приборы получили название мультистабильных или многоустойчивых [72−77]. Получение на вольт-амперной характеристике одного прибора нескольких стабильных и устойчивых участков с отрицательным дифференциальным сопротивлением (Представляет интерес, поскольку позволяет существенно упростить схемотехнические решения, уменьшить объем элементной базы, а также расширить функциональные возможности такого класса устройств. Достижения указанных целей можно добиться, создавая приборы с мультистабильными ВАХ, способные эффективно изменять параметры своих характеристик под воздействием электрического или магнитного поля [76, 77].

Возможность управления параметрами мультистабильной ВАХ внешним магнитным полем может придать таким приборам новое качество —¦ способность устройства изменять свою функцию без изменения его принципиальной схемы [68, 69, 76, 77], что, безусловно, позволяет расширить границы применения подобных твердотельных приборов. К настоящему времени этот вопрос изучен недостаточно, что обусловливает актуальность исследований в этом направлении.

Известно, что отличительным признаком полупроводниковых материалов и созданных на их основе приборов является чувствительность к воздействию температуры, света, внешних электрических и магнитных полей. Такое свойство полупроводниковых приборов может быть использовано для управления устройствами, включающими эти приборы в свой состав. Следует отметить, что возможность управления магнитным полем полупроводниковыми приборами с ОДС, не имеющими в своём составе магниточувствительных элементов, в частности, диодами Ганна в автогенераторных схемах, может позволить расширить границы использования таких устройств [78−91]. Эта возможность также изучена сравнительно недостаточно, в связи с чем исследования в этом направлении актуальны и практически значимы [92].

Благодаря присущей приборам с ОДС внутренней управляемой реактивности [16−23], имеющей (в зависимости от типа ОДС) как индуктивный, так и емкостной характер, создание на их основе автогенерирующих схем требует минимального количества внешних элементов, что существенно упрощает схемотехнику таких устройств. Наличие реактивности у таких приборов обусловило также многочисленные попытки использования их в качестве управляемых полупроводниковых эквивалентов индуктивностей, но в силу того, что параметры таких индуктивностей не полностью соответствовали требованиям практики, окончательного решения данная проблема не получила. Характерная для. индуктивности фазовая зависимость тока от напряжения наблюдается также в длинных диодах при высоких уровнях инжекции [93−95], но, как показали результаты исследований, индуктивные свойства такие приборы демонстрируют в сравнительно узком частотном диапазоне, а добротность их невелика.

С учетом того, что индуктивность — физическая величина, характеризующая магнитные свойства элемента электрической цепи и равная отношению потока магнитной индукции, пересекающей поверхность, ограниченную проводящим контуром, к силе тока в этом контуре, создающем этот поток, изменение этого потока в результате взаимодействия с помещенным в проводящий контур объектом эквивалентно изменению величины индуктивности. Использование полупроводниковых приборов в качестве компонентов, параметры которых (в частности, проводимость) изменяются в широких пределах, может позволить создать электрически управляемые индуктивные элементы [96], что придает актуальность исследованиям в этом направлении.

Наличие у твердотельных приборов с ОДС механизма встроенной обратной связи в широком диапазоне частот приводит к тому, что такие приборы демонстрируют разнообразный спектр колебательных режимов: от гармонических и релаксационных, до сложнопериодических и квазипериодических. Сложное поведение характерно и для активных двухполюсников с магнитоуправляе-мыми характеристиками [97, 98], но при этом анализа их динамического поведения до сих пор проведено не было. Описание таких объектов как нелинейных динамических систем приводит к необходимости их анализа с точки зрения динамики изменения режимов работы при изменении их параметров под воздействием управляющего поля, изучению условий возникновения, существования и исчезновения периодических и хаотических режимов работы.

Такие исследования могут позволить обнаружить новые физические закономерности поведения радиотехнических и радиофизических систем, включающих в себя твердотельные элементы с управляемой нелинейностью, оценить их поведение при воздействии внешних полей и сигналов.

В связи с этим является актуальным проведение ъ^еленаправленного комплекса экспериментальных и теоретических исследований по созданию полупроводниковых приборов с отрицательным дифференциальным сопротивлением и управляемыми магнитным полем характеристиками, особенностей нелинейных явлений в динамических системах, включающих в себя такие приборы, обусловленных изменением их характеристик под влиянием внешних управляющих воздействий.

Проведение целенаправленного комплекса таких исследований может позволить обнаружить новые физические явления в разработанных магнито-управляемых полупроводниковых приборах, создать на их основе новые типы твердотельных устройств, а также расширить функциональные характеристики устройств, уже получивших широкое распространение в различных областях твердотельной электроники, и тем самым еще больше расширить границы их применения.

Цель диссертационной работы состоит в разработке новых полупроводниковых приборов, обладающими характеристиками с ОДС, управляемым магнитным и электрическим полямиизучении нелинейных явлений и установлении новых физических закономерностей в динамических системах с такими полупроводниковыми структурами, обусловленных как нелинейными режимами их работы, так и нелинейными свойствами самих приборов, а также изменением их характеристик под влиянием внешних воздействийсоздании на основе разработанных приборов новых типов радиофизических и радиотехнических устройств.

Для достижения поставленной цели были решены следующие задачи:

1) разработка, экспериментальное и теоретическое исследование полупроводниковых приборов с ОДС и управляемыми внешними магнитным и электрическим полями характеристиками;

2) создание, экспериментальное и теоретическое исследование полупроводниковых приборов с мультистабильной ВАХ, обладающей участками ОДС, управляемыми внешним магнитным полем;

3) реализация, экспериментальное и теоретическое исследование электрически управляемых индуктивных элементов, в качестве перестраиваемых компонентов которых используются полупроводниковые и-/-/?-/-л-структуры;

4) выявление физических закономерностей процессов формирования радиочастотного импульса в управляющих устройствах на /7-/-«-диодах;

5) изучение сложных динамических, в том числе хаотических, режимов работы в генераторных схемах, содержащих полупроводниковые приборы с управляемыми внешним магнитным полем характеристиками;

6) определение взаимосвязи температуры прибора и типа колебательных режимов в генераторных схемах, содержащих полупроводниковые приборы с управляемыми внешним магнитным полем характеристиками;

7) установление физических закономерностей нелинейных явлений в сверхвысокочастотных (СВЧ) генераторах на диодах Ганна, работающих в режиме многочастотной генерации, при воздействии на них внешнего СВЧ сигнала и управляющего магнитного поля.

Научная новизна.

1. Впервые проведен целенаправленный комплекс экспериментальных и теоретических исследований по созданию новых полупроводниковых негатронов, с характеристиками, регулируемыми внешними магнитным и электрическим полями, а также особенностей нелинейных явлений в электродинамических системах, включающих такие приборы.

2. Впервые разработаны полупроводниковые магнитоуправляемые двухполюсники с отрицательным дифференциальным сопротивлением, основанным на использовании механизмов обратных связей.

3. Впервые реализованы управляемые автогенераторы как на активных магнито-управляемых полупроводниковых двухполюсниках с ОДС, так и на усилителях, включающих магнитодиоды с экспоненциальной вольт-амперной характеристикой в цепях обратной связи по магнитному полю.

4. Показано, что для описания сложного поведения динамических систем на полупроводниковых магнитоуправляемых негатронах требуется учет влияния температурных зависимостей их характеристик на реализуемые в таких системах колебательные режимы.

5. Разработан новый тип активного полупроводникового двухполюсника с мультистабильной вольт-амперной характеристикой, обладающей участками отрицательного дифференциального сопротивления как так и ./V-типовпродемонстрирована возможность реализации на таком приборе генератора, управляемого электрическим полем.

6. Впервые экспериментально обнаружена возможность существования мультистабильной вольт-амперной характеристики у структур типа металл-окисел-окисел-металл на участках как прямого, так и обратного смещений.

7. Впервые экспериментально обнаружена и теоретически обоснована возможность создания управляемых электрическим полем пассивных индуктивных элементов с нелинейными полупроводниковыми «-/-^-/-//-структурами в качестве перестраиваемых компонентов.

8. Установлены способ и форма сигналов, управляющих /ь/-я-диодными приборами, при которых можно повысить быстродействие указанных устройств и избежать искажений формируемых ими импульсов.

Показана возможность существенного расширения диапазона перестройки частоты и изменения выходной мощности СВЧ-генераторов на диодах Ган-на под воздействием управляющего магнитного поля по сравнению с известными схемами.

Достоверность результатов диссертации.

Достоверность полученных теоретических результатов обеспечивается: строгостью используемых математических моделейкорректностью упрощающих допущенийсходимостью вычислительных процессов к искомым решениямвыполнимостью предельных переходов к известным решениямсоответствием результатов расчета эксперименту.

Достоверность экспериментальных результатов обеспечена применением современной стандартной измерительной аппаратурыметрологической поверкой измерительного оборудования и методик измеренияобработкой экспериментальных данных с помощью современных методов с использованием ЭВМвоспроизводимостью полученных результатов. Научная и прикладная значимость работы: на основе экспериментальных и теоретических исследований разработаны магнитоуправляемые полупроводниковые двухполюсники с отрицательным дифференциальным сопротивлением, основанные на использовании механизмов обратных связейразработан новый типа активного полупроводникового двухполюсника с мультистабильной вольт-амперной характеристикой, обладающей участками отрицательного дифференциального сопротивления Я — и А^— типовреализованы управляемые электрическим полем пассивные индуктивные элементы с п-'1-р-1-п-структурами в качестве перестраиваемых компонентовсозданы эффективные устройства управления радиочастотным сигналом на основе полупроводниковых диодов с /^-/-/"-структурами, реализующие предложенные способы управленияразработан активный полупроводниковый двухполюсник с мультистабильной вольт-амперной характеристикой на участках как прямого, так и обратного смещений на основе структур типа металл-окисел-окисел-металлустановлена возможность эффективной управляемой модуляции выходного сигнала СВЧ генератора на диоде Ганна, работающего в режиме синхронизации или биенийустановлена взаимосвязь температуры прибора и типа колебательных режимов в генераторных схемах, содержащих полупроводниковые приборы с управляемыми внешним магнитным полем характеристикамина основе результатов исследования устройств с магниточувствительными полупроводниковыми элементами разработан измеритель индукции постоянного магнитного поля [99, 100], превосходящий по ряду своих эксплуатационных параметров известные модели промышленных тесламетроврезультаты исследования нелинейных режимов работы СВЧ генератора на диоде Ганна были использованы в разработанном комплексном измерителе параметров зерна, обладающем повышенной точностью измерений параметров объекта по сравнению с известными моделями своего класса [101];

9) результаты проведенных исследований легли в основу разработанных новых устройств защиты, контроля и ограничения доступа, позволяющих повысить степень защищенности подобных систем, а также новых приборов, эффективно управляющих />-/-и-диодными устройствами, защищенных патентами на изобретение РФ и авторскими свидетельствами [102−110].

Основные положения, выносимые на защиту.

1. Включение магниточувствительных элементов в качестве активных компонентов, а также в цепи смещения и обратных связей двухполюсников на транзисторах, механизм возникновения ОДС в которых обусловлен действием указанных обратных связей, позволяет создавать приборы с магнитоуправляемыми характеристиками и УУ-типов, обладающими участками ОДС, имеющими как статический, так и динамический характер. Частотой и амплитудой выходного сигнала автогенераторов, разработанных на основе магнитоуправляемых двухполюсников можно управлять, изменяя напряженность воздействующего магнитного или электрического полей.

2. Моделирование разработанных магнитоуправляемых двухполюсников системами алгебраических и нелинейных дифференциальных уравнений для мгновенных значений напряжений и токов, составленных методом переменных состояния, и решение систем численным методом Гира шестого порядка позволяет получить теоретическое описание характеристик и режимов работы разработанных приборов, хорошо совпадающее с аналогичными экспериментальными данными. Численное интегрирование методом Рунге-Кутты-Мерсона четвер гого порядка системы нелинейных дифференциальных уравнений, составленной на основе уравнений Кирхгофа для мгновенных значений токов в узлах и напряжений в контурах эквивалентной схемы генератора на магнитоуправляемом аналоге динистора, с использованием аппроксимации высокоомной ветви прибора линейной зависимостью, а участка отрицательного дифференциального сопротивления ВАХ динистора — степенным полиномом пятого порядка, позволяет описать экспериментально наблюдаемую зависимость периода колебаний генератора от величины напряженности управляющего1 магнитного поля.

3. Автогенератор с магнитоуправляемым двухполюсником, обладающим ВАХ А'-типа, способен работать в режиме хаотических колебаний при выборе рабочей точки в припороговой области вольт-амперной характеристики. Переход к хаотическим колебаниям в нем происходит через последовательность бифуркаций удвоения периода. Изменение положения рабочей точки на ВАХ, связанное с разогревом и охлаждением магнитоуправляемого активного элемента, может приводить к смене режима колебаний, из всего многообразия возможных режимов при неизменной величине напряжения питания и напряженности магнитного поля.

4. Используя перекрестные обратные связи в устройстве из двух комплементарных транзисторов и двух транзисторов с одинаковым типом проводимости, работающих попарно в линейном (активном) режиме, можно реализовать ВАХ, обладающую участками ОДС одновременно Яи УУ-типов, наблюдающимися при различных значениях приложенного напряжения.

5. Два и более участков ОДС А'-типа наблюдаются на ветвях прямого и обратного смещения ВАХ структур типа металл-окисел-окисел-металл, образованных прижимными контактами электродов из алюминия и цинка с естественными окисными слоями.

6. Приложение напряжения к «-/-/"-/-"-структуре, выполняющей функцию перестраиваемого компонента индуктивного элемента, позволяет электрически управлять величиной индуктивности такой системы, обладающей приемлемой для практических целей добротностью. Результаты расчета зависимости индуктивности и добротности системы от величины приложенного напряжения с использованием предложенной модели, включающей комплексное сопротивление управляемой «-/-/"-/-"-диодной структуры, позволяют получить хорошее согласование с экспериментом. При переключении р-г-пдиодных устройств времена нарастания и спада импульса мощности радиочастотного сигнала могут быть уменьшены более чем в 7 раз в результате оптимального выбора формы и длительности «ускоряющих» и «вытягивающих» управляющих импульсов.

7. Показана возможность существенного расширения диапазона перестройки частоты и изменения выходной мощности СВЧ-генераторов на диодах Ганна под воздействием управляющего магнитного поля по сравнению с известными устройствами.

На защиту выносится также группа новых типов устройств на полупроводниковых приборах, разработанных и созданных на основе выявленных физических закономерностей, защищенных патентами и авторскими свидетельствами [99, 100, 102−110].

Настоящая диссертация выполнена на кафедре физики твердого тела Саратовского государственного университета. Она является обобщением работ автора, выполненных в период с 1986 по 2009 год по одной из актуальных проблем твердотельной электроники и радиофизики, заключающейся в экспериментальном и теоретическом исследовании возможности создания полупроводниковых приборов с управляемыми характеристиками и, выявлении особенностей нелинейных явлений в динамических системах, содержащих такие полупроводниковые приборы.

Совокупность научных результатов, изложенных в диссертации, по мнению автора, можно рассматривать как решение крупной научной проблемы по созданию класса полупроводниковых приборов с управляемыми магнитным и электрическим полями характеристиками, обладающими участками отрицательного дифференциального сопротивления, обусловленного механизмами обратных связейустановлению особенностей нелинейных явлений в электродинамических системах, содержащих такие полупроводниковые приборы, обусловленных слоэ/сными режимами работы, нелинейными свойствами самих приборов и изменением их характеристик под влиянием внешних воздействий.

В результате решения этой научной проблемы установлены:

• новые физические закономерности поведения колебательного контура, включающего управляемый электрическим полем пассивный индуктивный элемент с «-/-/"-/-"-структурой в качестве перестраиваемого сердечника;

• новые физические явления, наблюдающиеся в полупроводниковых негатронах при воздействии постоянных электрических и магнитных полей, температуры и электромагнитного излучения радиочастотных диапазоновразработаны и созданы.

• новые типы полупроводниковых устройств, обладающие как уникальными, так и улучшенными характеристиками, по сравнению с известными устройствами аналогичного назначения.

Исследования по теме диссертации выполнены в соответствии с:

• грантом № 2−83−13−31 «Пост» — «Теоретическое и экспериментальное исследование возможности управления шумовыми характеристиками СВЧ генератора на диоде Ганна внешним СВЧ или НЧ сигналом» в 1992 — 1993 г. г.;

• грантом Государственного комитета РФ по высшему образованию 1994 -1995 годов (МИЭТ ТУ);

• грантом Государственного комитета РФ по высшему образованию 1996 -1997 годов (МИЭТ ТУ);

• планом НИР «МЕРА» — «Разработка и создание СВЧ измерительного комплекса для контроля параметров слоистых структур» 2004 г. (Министерство Образования Российской Федерации);

• планом фундаментального научного исследования «Контроль» — «Разработка и создание технологии контроля параметров микрои ианоэлекгронных структур и уникального диагностического оборудования для нанотехнологи-ческих процессов, нанометровых вибраций и перемещений» 2004 — 2005 г. г. (Министерство Образования Российской Федерации) — планом НИР «Фаза-2» «Исследование новых механизмов возникновения отрицательного сопротивления в полупроводниковых приборах, стимулированного СВЧ-полем» 2005 г. (Министерство Образования Российской Федерации) — планом фундаментальной НИР «Лавина» — «Исследование новых механизмов возникновения отрицательного сопротивления в полупроводниковых структурах в сильном СВЧ-поле» 2005 — 2006 г. г. (Министерство Образования Российской Федерации) — планом научно-технической разработки «Разработка и создание устройств для измерения толщин микрои нанометровых пленок» 2006 г. (Правительство Саратовской области, распоряжение от 21 апреля 2006 г. № 114-Пр.) — планом НИР РИ — 19.0/002/228 «Разработка новых высокочувствительных радиоволновых и оптических методов измерения параметров наноструктур и материалов» 2006 г. (Федеральная целевая научнотехническая программа «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития науки и техники» на 2002;2006 годы.) — планом НИР «Наносистема» — «Технология формирования наноструктур и нанокомпозитов, разработка и создание новых технологий измерений параметров материалов, наноструктур и нанокомпозитов на основе низкоразмерных резонансных систем оптического и микроволнового диапазонов» 2007 г. (Федеральная целевая программа «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-техно-логического комплекса России на 2007;2012 годы. ГК № 02.513.11.3058 от 22 марта 2007 г.) — планом НИР 0120.0 603 189 «Ангстрем 2» — «Разработка новых радиоволновых и оптических методов исследования параметров материалов, микрои наноструктур» 2007;2008 г. г. (Федеральное агентство по образованию) — планом НИР «Лавина» — «Исследование новых механизмов воздействия электромагнитных полей на возникновение резонансных явлений в микрои наноструктурах» 2007 г. (Федеральное агентство по образованию);

• планом НИР 0120.0 603 188 «Лавина-2» — «Исследование новых механизмов воздействия электромагнитных полей на возникновение резонансных явлений в микрои наноструктурах» 2008 г. (Федеральное агентство по образованию) — I.

• планом НИР 0120.801 702 «Наномеханика» — «Разработка новых нанотех-нологий синтеза, способов диагностики и методов исследования наноструктур и композитов, биологических сред и биообъектов, методов численного моделирования биомеханических систем» 2008 г. (Федеральное агентство по образованию).

Результаты диссертационной работы использованы в учебном процессе СГУ при постановке работ в учебном практикуме лаборатории кафедры физики твердого тела СГУ: «Переходные процессы в P-I-N—диодных СВЧ устройствах» и «Исследование температурной зависимости электропроводности полупроводников» [111].

Часть результатов диссертационной работы была использовала автором в разработке под девизом «Коммутатор» — «Методы повышения быстродействия /7-/-Я—диодных СВЧ устройств», удостоенной диплома первой степени НТО РЭС им. A.C. Попова за 1986 год.

Отдельные результаты диссертационной работы вошли составной частью в проект «Разработка устройства для защиты информации от несанкционированного доступа», отмеченный золотой медалью и дипломом первой степени Всероссийского научно-промышленного форума «Россия единая» за 2000 год.

Апробация работы.

Основные результаты диссертационной работы доложены на:

• XI Всесоюзной научно-технической конференции «Неразрушающие физические методы и средства контроля» в 1987 году в г. Москва;

• семинаре «Нелинейные высокочастотные явления в полупроводниках и полупроводниковых структурах и проблемы их применения в электронике СВЧ» Научного совета по проблеме «Физика и химия полупроводников» АН СССР в 1991 году в г. Навои;

• Межведомственной научно-технической конференции «Приборы, техника и распространение мм и субмм волн» в Харькове в 1992 году;

• Всероссийской научно-технической конференции «Электроника и информатика- 95» в Зеленограде в 1995 году;

• Международной научно-технической конференции «Актуальные проблемы электронного приборостроения» АПЭП — 96 в Саратове в 1996 году;

• II Всероссийской научно-технической конференции с международным участием «Электроника и информатика — 97» в Зеленограде в 1997 году;

• Всероссийском научно-промышленном форуме «Россия единая» в 2000 году в г. Нижний Новгород;

• Всероссийской научно-техническая дистанционная конференции «Электроника и информатика — 2001» г. Москва, МИЭТ, 2001 г.

• V Международной научно-техническая конференции «Электроника и информатика — 2005» г. Москва, МИЭТ, 2005 г.

• объединенном научном семинаре расширенного заседания кафедры физики твердого тела Саратовского госуниверситета.

Приборы, в которых были использованы отдельные технические достижения из диссертационной работы, экспонировались на ВДНХ СССР в 1987 и 1989 годах в ходе проведения выставок «Физико-технические средства диагностики» и «Ученые Поволжья — народному хозяйству» .

Приборы, в которых были использованы отдельные технические достижения из диссертационной работы, экспонировались на ВДНХ СССР в 1987 и 1989 годах в ходе проведения выставок «Физико-технические средства диагностики» и «Ученые Поволжья — народному хозяйству» .

Публикации.

По материалам диссертации опубликовано:

• 56 научных работ [23, 76, 92, 96, 99−147], в том числе.

• 32 статьи (из них 28 — в журналах, рекомендованных ВАК РФ для опубликования результатов докторских диссертаций),.

• 4 патента РФ, 2 авторских свидетельства на изобретения и 3 свидетельства РФ на полезную модель, которыми защищены предложенные новые способы и устройства.

Материалы диссертации использованы в разделах разработанных автором курсов учебных дисциплин «Схемотехника ЭВМ», «Микропроцессорные системы», «Устройство и применение микропроцессоров», посвященных работе и применению твердотельных приборов устройств, и в методических пособиях работ лабораторного практикума кафедры физики твердого тела СГУ: «Переходные процессы в Р-Г-Ы—диодных СВЧ устройствах», «Исследование температурной зависимости электропроводности полупроводников». При постановке лабораторных работ «Изучение БИС параллельного периферийного адаптера» [112] и «Изучение БИС программируемого интервального таймера» [113] было использовано оригинальное интерфейсное оборудование, разработанное автором в рамках диссертационной работы для проведения ряда экспериментальных исследований [114].

Личный вклад соискателя.

В работах с соавторами соискателю принадлежит ведущая роль в постановке задач, выборе методов их решения, разработке алгоритмов и программ численных расчетов, обосновании и разработка математических моделей, разработке методик, подготовке и проведении эксперимента, анализе полученных теоретических и экспериментальных результатов исследований. В работах [99, 100, 115−120], выполненных в соавторстве с Ю. А. Чаплыгиным, А. И. Галушковым, Д. А. Усановым, С. Б. Венигом, соискателю принадлежит постановка задачи, выбор, обоснование и создание математических моделей, разработка и изготовление приборов в целом, подготовка и проведение эксперимента, измерение характеристик и исследование рабочих режимов, а также участие в обсуждении полученных результатов, интерпретации рассматриваемых процессов и явлений.

Структура и объем диссертации

.

Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения, списка литературы и приложения. Работа изложена на 333 страницах, содержит 143 рисунка.

Список литературы

состоит из 317 наименований.

Основные результаты диссертационной работы сводятся к следующему:

1. Впервые проведен целенаправленный комплекс экспериментальных и теоретических исследований по созданию новых полупроводниковых негатронов, с характеристиками, регулируемыми внешними магнитным и электрическим полями, а также особенностей нелинейных явлений в электродинамических системах, включающих такие приборы.

2. Показано, что включение магнитодиода в цепь обратной связи усилительного каскада на транзисторе приводит к возникновению в таком устройстве магнитоуправляемого динамического отрицательного дифференциального сопротивления и возможности генерации гармонических колебаний с регулируемой магнитным и электрическим полем величиной амплитуды.

3. Показано, что включение двухколлекторного биполярного магнитотранзи-стора в качестве одного из активных элементов двухтранзисторного эквивалента тиристора позволяет реализовать магнитоуправляемый аналог тиристора с возможностью раздельного управления параметрами напряжения переключения и тока в низкоомпом открытом состоянии. Частотой генератора на магнитоуправляемом аналоге тиристора можно управлять, изменяя напряженность воздействующего на него магнитного поля.

4. Показано, что введение линейного интегрального преобразователя «магнитное поле — напряжение» в цепь управления глубиной положительной обратной связи одного из транзисторов эквивалента динистора позволяет реализовать магнитоуправляемый аналог динистора с несколькими участками отрицательного дифференциального сопротивления 5-типа, количество и крутизна которых определяются величиной индукции управляющего магнитного поля.

5. Построены математические модели предложенных магнитоуправляемых устройств, представляющие собой системы алгебраических и нелинейных дифференциальных уравнений для мгновенных значений напряжений и токов, составленных методом переменных состояния. Интегрирование систем численным методом Гира шестого порядка позволяет получить теоретическое описание характеристик и режимов работы разработанных приборов, хорошо совпадающее с аналогичнымиэкспериментальными данными.

6. Построена математическая модель генератора на магнитоуправляемом аналоге динистора, представляющая собой систему нелинейных дифференциальных уравнений для мгновенных значений токов в узлах и напряжений в контурах эквивалентной схемы, с использованием аппроксимации высокоомной ветви прибора линейной зависимостью, а участка отрицательного дифференциального сопротивления вольт-амперной характеристики динистора — степенным полиномом пятого порядка. Интегрирование системы численным методом Рунге-Кутты-Мерсона четвертого порядка позволяет описать экспериментально наблюдаемую зависимость периода колебаний генератора от величины напряженности управляющего магнитного поля.

7. Экспериментально обнаружено и теоретически обосновано, что автогенератор с магнитоуправляемым двухполюсником, обладающим вольт-амперной характеристикой УУ-типа, способен работать в режиме хаотических колебаний при выборе рабочей точки в припороговой области вольт-амперной характеристики. Переход к хаотическим колебаниям в нем происходит через последовательность бифуркаций удвоения периода. Изменение положения рабочей точки на вольт-амперной характеристике, связанное с разогревом и охлаждением магнитоуправляемого активного элемента, может приводить к спонтанной смене режима колебаний, заключающейся в последовательной демонстрации характерных режимов при неизменной величине напряжения питания и напряженности магнитного поля.

8. Теоретически предсказано и экспериментально подтверждено, что схема с перекрестными обратными связями из двух комплементарных транзисторов и двух транзисторов с одинаковым типом проводимости, работающих попарно в линейном (активном) режиме, характеризуется вольт-амперной характеристикой, обладающей участками отрицательного дифференциального сопротивления одновременно «Уи УУ-типов, наблюдающимися при различных значениях приложенного напряжения.

9. Установлено экспериментально, что два и более участков отрицательного дифференциального сопротивления Л^-типа наблюдаются на ветвях прямого и обратного смещения вольт-амперных характеристик структур типа металл-окисел-окисел-металл, образованных прижимными контактами электродов из алюминия и цинка с естественными окисными слоями.

10. Экспериментально обнаружено, что приложение напряжения к п-1-р-1-п-структуре, выполняющей функцию перестраиваемого компонента пассивного индуктивного элемента, позволяет электрически управлять величиной индуктивности такой системы, обладающей приемлемой для практических целей добротностью. Результаты расчета зависимости индуктивности и добротности системы от величины приложенного напряжения с использованием предложенной модели, включающей комплексное сопротивление управляемой пА-рА-п-лйодной структуры, позволяют получить хорошее согласование с экспериментом. Предложенную электрически управляемую индуктивность можно рассматривать как своего рода альтернативу индуктивности, управляемой магнитным полем.

11. Показано, что при переключении /м-я-диодных устройств времена нарастания и спада импульса мощности радиочастотного сигнала могут быть уменьшены более чем в 7 раз при оптимальном выборе формы и длительности «ускоряющих» и «вытягивающих» управляющих импульсов.

12. Показана возможность существенного расширения диапазона перестройки частоты и изменения выходной мощности СВЧ-генераторов на диодах Ганна под воздействием управляющего магнитного поля по сравнению с известными устройствами.

На основе результатов проведенных исследований разработана и создана группа новых типов устройств на полупроводниковых приборах, включающая устройства защиты, контроля и ограничения доступа на основе полупроводниковых структур с управляемыми магнитным полем характеристикамиизмеритель индукции магнитного поля на основе магниточувствительных интегральных схем и магнитоуправляемых двухполюсников, обладающих повышенной чувствительностью к величине индукции магнитного поля, превосходящий по ряду своих эксплуатационных параметров известные модели промышленных тес-ламетровустройство управления /"-/-«-диодным прибором, позволяющее повысить быстродействие переключения диода, обеспечивая неискаженную передачу фронтов управляющих импульсов, а также уменьшить вносимые потери />-/-«-диодных приборов, примерно на 20%.

Автор выражает сердечную благодарность научному консультанту диссертационной работы — заслуженному деятелю науки РФ, доктору физико-математических наук, профессору Дмитрию Александровичу Усанову за большую помощь, оказанную во время работы над диссертацией, полезные советы и ценные замечания.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Совокупность научных результатов, изложенных в диссертации, по мнению автора, можно рассматривать как решение крупной научной проблемы по исследованию возможности создания полупроводниковых приборов с управляемыми характеристиками, особенностей нелинейных явлений в электродинамических системах, содержащих такие полупроводниковые приборы, обусловленных сложными режимами работы, нелинейными свойствами самих приборов и изменением их характеристик под влиянием внешних воздействий.

В результате решения этой научной проблемы установлены новые физические закономерности поведения колебательного контура, включающего управляемый электрическим полем пассивный индуктивный элемент с п-1-р-1-п— структурой в качестве перестраиваемого сердечника, новые физические явления, наблюдающиеся в полупроводниковых негатронах при воздействии постоянных электрических и магнитных полей, температуры и электромагнитного излучения радиочастотных диапазоновразработаны и созданы новые типы полупроводниковых устройств, обладающие как уникальными, так и улучшенными характеристиками по сравнению с известными устройствами аналогичного назначения.

Все основные защищаемые научные положения теоретически обоснованы и подтверждены результатами экспериментов.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Ф. Отрицательные сопротивления в электронных схемах. М.: Сов. радио, 1975. 288 с.
  2. С.А., Абезгауз И. Д. Полупроводниковые приборы с отрицательным дифференциальным сопротивлением. -М.: Энергия, 1970. 320 с.
  3. H.A. Перспективы развития динамической негатроники // В кн. «Приборы с отрицательным сопротивлением». Тез. Докладов всесоюзного научно-технического семинара. М.: ВДНХ, 1985. С.6−7.
  4. H.A. Негатроника достижения и перспективы // Материалы Всесоюзной научно-технической конференции «Приборы с отрицательным сопротивлением и интегральные преобразователи на их основе». — Баку, 15.17 октября, 1991, С. 11−17.
  5. Негатроника/А.Н. Серьезное, JI.H. Степанова, H.A. Филинюк и др. Новосибирск: Наука. Сибирская издательская фирма РАН, 1995. 315 с.
  6. H.A. Негатроника. Исторический обзор // Вим1рювальна та обчислювальнатехшка в технолопчних процесах, 1999. № 3. С.38−43.
  7. Л.И. Широкодиапазонные генераторы на негатронах М.: Радио и связь, 1982. 89 с.
  8. А.Н., Степанова J1.H. Электронные устройства на элементах с отрицательным сопротивлением М.: Радио и связь, 1992. 200 с.
  9. JJ.H. Анализ динамических характеристик усилителей на двухполюсниках р-п-р-п—структуры с В АХ S-типа // В сб.: Полупроводниковая электроника в технике связи. М.: Радио и связь, 1983. № 23. С.37−43.
  10. Ю.Борисенко A.JI., Соколов О. Т. Безиндуктивный кварцевый генератор с возбуждением резонатора на механических гармониках // Приборы и техника эксперимента, 1979. № 3. С. 119−121.
  11. М.Гаряинов С. А. Перспективы использования полупроводниковых приборов и устройств с отрицательным сопротивлением в интегральных схемах // В сб.: Полупроводниковая электроника в технике связи. М.: Радио и связь, 1986. № 26. С.4−15.
  12. Негатронный преобразователь магнитного поля для дистанционных измерений / Ф. Д. Касимов, О. Н. Негоденко, Ф. Ф. Касимова, Н. Л. Исмаилов II Труды НТК Приборостроение 97. — Винница: Симеиз, 1997. С.275−279.
  13. Полупроводниковые траисдюсеры температуры с частотным выходом на аналогах негатрона / Б. Г. Коноплев, О. Н. Негоденко, С. Г. Кошелев, Е. А. Рьшдин II Труды НТК Датчик-95. Крым, 1995. С.342−345.
  14. В.И., Негоденко О. Н. Индуктивные балансные сенсоры // Труды НТК Датчики 94. Крым. 1994. С.167−171.
  15. Szczepkowski G., Baldwin G., Farrell R. Wideband 0.18 xm CMOS VCO using active inductor with negative resistance // Proc. Eur. Conf. On Circuit Theory and Design, August 2007, Seville, Vol. 3, P.990−993.
  16. Степанова Л. И, Серьезное A.H., Арефьев A.A. Полупроводниковые аналоги индуктивности // В сб.: Полупроводниковая электроника в технике связи. -М.: Радио и связь, 1987. № 27. С. 18−31.
  17. В.М. Транзисторные эквиваленты реактивностей // В сб.: Полупроводниковая электроника в технике связи. М.: Радио и связь, 1986. № 26. С. 16−29.
  18. Н.Н., Королев Ю. Н. Современные полупроводниковые приборы. М., Знание, 1969. 80 с.
  19. Смена знака нелинейной составляющей реактивности и гистерезис у диодов Ганна в режиме генерации / ДА Усанов, С. Б. Вениг, С. С. Горбатов, А. А. Семёнов // Письма в ЖТФ, 1994. Т. 20. вып. 21. С.21−23.
  20. EsakiL. New phenomenon in narrow germanium p-n junctions // Physical Review, 1958, V. 109, № 2, P.603−604.
  21. Read W.T. A proposed high frequency negative resistance diode // Bell system tech. J., 1958. № 37. P.401−403.
  22. Gunn J.B. Microwave oscillations of current in III-V semiconductors // Solid state commun., 1963. № 1. P.88−91.
  23. U.S. Patent 3,623,925, Schottky-Barrier Diode Process and Devices / R.T. Jenkins, G.H. Wilson, Filed January 10, 1969. Issued November 30, 1971.
  24. В.П. Лавинные транзисторы и тиристоры: Теория и применение -М.: Солон-Пресс ООО, 2008. 382 с.
  25. Shockley W. Negative resistance arising from transit time in semiconducting diodes // Bell System tech. J., 1954. v. 33. P.799−826.
  26. Coleman D.I., Sze S.M. A low-noise metal-semiconductor-metal (MSM) microwave oscillator // Bell System Tech.3., 1971. v. 50. P.1695−1699.
  27. A.c. 864 474 СССР, Устройство для управления электрическим двигателем постоянного тока / В. А. Смолянский, P.E. Смолянский. Опубл. 1981. Бюл. № 34.
  28. Патент ФРГ № 322 508С2. Биполярный транзисторный тетрод / P.E. Смолянский, В. А. Смолянский.
  29. Al.Арефьев A.A., Серьезное А. Н., Степанова JI.H. Эквиваленты приборов с отрицательным дифференциальным сопротивлением. М.: Знание, 1987. 64 с.
  30. А.Н., Арефьев A.A., Степанова JJ.H. Транзисторные эквиваленты приборов с отрицательным сопротивлением и интегральные схемы на их основе // В сб.: Полупроводниковая электроника в технике связи М. Радио и связь, 1988. № 28. С.4−18.
  31. JI.H. Обратные связи в двухполюсниках и четырехполюсниках /"-«-/"-"-структуры // В сб.: Полупроводниковая электроника в технике связи. М.: Радио и связь, 1986. № 26. С.34−42.
  32. A4.Арефьев A.A., Баскаков E.H., Степанова JI.H. Радиотехнические устройства на транзисторных эквивалентах /"-«-/"-"-структуры. М.: Радио и связь, 1982. 104 с.
  33. Al-Charchafchi S.H., Al-Wakeel S.S., Abdul Rachman A.A. A voltage controlled negative resistance device // Electronic Engineering, Sept. 1977. P.39−40.
  34. Nagata M.A. Simple Negative Impedance Circuit with No Internal Bias Supplies and Good Linearity // IEEE Transactions on Circuit Theory, Sep. 1965. P.433−434.
  35. O.H., Христофоров B.H., Ерохип A.B. Транзисторные аналоги дини-сторов в высокочастотных кварцевых генераторах // Функциональные микроэлектронные устройства и их элементы. Таганрог, 1976. Вып. 3. С.90−93.
  36. С.Б., Негоденко О. Н. Аналог динистора на КМОП-транзисторах // Функциональные микроэлектронные устройства и их элементы. Таганрог, 1978. Вып. 4. С.62−64.
  37. О.Н., Липко С. И., Мирошниченко С. П. Каскодные аналоги негатронов // В сб. Полупроводниковая электроника в технике связи М.: Радио и связь, 1986. Вып. 26. С.29−33.
  38. Sharma С.К., Dutta Roy S.С. A versatile design geving both N-type and S-type of negative-resistance// Microelectronics and Reliability, 1972, v. l 1, № 6. P.499−502.
  39. Stanley J. W., Ager D.Y. Two-terminal current-fed negative admitance incorporatig field-effect transistors //Electronics, 1973. Vol. 35. № 3. P.401−412.
  40. Andrew H.R. Fet and transistor produce negative resistance // Electronic Engineering, 1977. Vol. 49. № 597. P.43−45.
  41. Sharma S.M. Current-controlled (S-type) negative resistance // Int. J. Electronics, 1974. Vol. 37. № 2. P.209−218.
  42. Kano G. The lambda diode: versatile negative-resistance device // Electronics, 48(1975). № 13. P.105−109.
  43. Лямбда-диод — многофункциональный прибор с отрицательным сопротивлением / Г. Кано, X Ивада, X. Токаги, И. Терамото II Электроника, 1975. № 13. С.48−53.
  44. В.И., Потапов Е. И. Исследование ВАХ маломощных полевых транзисторов и лямбда-диодов и расчет амплитуд автогенератора на лямбда-диоде//Радиоэлектроника, 1991. т. 34. № 11. С. 108−110.
  45. В.П., Семенова О. В. Переключающие устройства на лямбда-транзисторах // Приборы и техника эксперимента, 1977. № 5. С.96−98.
  46. E.H., Степанова JI.H. Усилители на элементах с вольт-амперной характеристикой S-типа // Измерительная техника, 1974. № 4. С.58−60.
  47. П. Аналог туннельного диода // Радио, 1977. № 4. С.ЗО.
  48. JI.H. Новые устройства с отрицательным дифференциальным сопротивлением // Зарубежная радиоэлектроника, 1991. № 8. С.42−51.
  49. C.B., Твердоступ Н. И., Хандег}кий B.C. Управление ВАХ лямбда-типа для коррекции характеристик измерительных автогенераторных преобразователей//Метрология, 1983. № 10. С.43−48.
  50. E.H., Степанова H.H. Регулирование параметров вольт-амперной характеристики S-типа в транзисторном эквиваленте /"-«-/"-"-структуры // Радиотехника, 1974. № 7. С. 101−103.
  51. И.А., Гурин Н. Т. Фоточувствительный кремниевый биполярный N-прибор с управляемой вольт-амперной характеристикой // Письма в ЖТФ, 2005. том 31. вып. 13. С.46−49.
  52. H.H., Баскаков E.H. Температурная стабилизация параметров ВАХ S-типа в транзисторном эквиваленте /"-«-/"-"-структуры // Радиотехника, 1976. № 9. С.77−82.
  53. JI.H. Компенсация активными элементами температурного дрейфа параметров ВАХ S-типа в эквивалентах /"-«-/"-"-структуры // Радиотехника, 1979. № 12. С.65−76.
  54. E.H., Степанова JI.H. Устройство с управляемой вольт-амперной характеристикой S-типа // Радиотехника, 1977. т. 32. № 7. С.85−90.
  55. A.A., Степанова JI.H. Усилитель на эквиваленте р-п-р-п-структуры с управляемой вольт-амперной характеристикой S-типа // Измерительная техника, 1977. № 6. С.64−66.
  56. M.M., Апостолов А. И. Статические многоустойчивые элементы на р-п-р-п-структурах. Киев: Наукова думка, 1970. 198 с.
  57. Сверхбыстродействующие диоды металл-окисел-металл на контактах W-Ni, Pt-Ti, Pt-W / B.C. Денисов, В. Ф. Захаръяш, В.M. Клеменьтъев, C.B. Чепуров II ПТЭ, 2007. № 4. С.96−102.
  58. Вольтамперная характеристика точечных систем металл-окисел-металл / Л. Б. Ватова, В. В. Кобзев, A.A. Ривлин, B.C. Соловьёв II Радиотехника и электроника, 1975. T. XX. № 10. С.2204−2208.
  59. Отрицательное сопротивление в переходах металл-барьер-металл-барьер-металл / А. Г. Алексанян, Э. М. Беленое, И. Н. Компанец и др. II Письма в ЖТФ, 1980. Т. 6. Вып. 18. С.1096−1098.
  60. Управление видом вольтамперной характеристики последовательно соединенных туннельных диодов греющим СВЧ-полем / Д. А. Усанов, A.B. Скрипалъ, В. Е. Орлов, Б. Н. Коротин II Изв. ВУЗов. Электроника, 1996. № 1−2. С.129−133.
  61. Д.А., Горбатов С. С. Управляемый магнитным полем СВЧ выключатель на р-/-я-диодах // ПТЭ, 2003. № 1. С.'72−73.
  62. Д.А., Горбатов С. С. Электрически управляемый СВЧ-резонатор // ПТЭ, 2006. № 3. С.100−102.
  63. Д.А., Скрипалъ А. В. Эффект невзаимности в диоде Ганна в скрещенных стационарных электрическом и магнитном полях // Известия ВУЗов. Радиоэлектроника, 1987. Т. 30. № 5. С.53−55.
  64. ДА., Горбатов С. С. Управляемые магнитным полем резонансы в СВЧ системах с полупроводниковыми диодами // Моделирование в прикладной электродинамике и электронике. Сбор. науч. тр. Вып.6. Изд. Сарат. Университета. 2005. С.50−54.
  65. Levinstein М.Е., Nasledov D.N., Shur M.S. Magnetic field influence of the Gunn effect//Phys. Stat. Sol. 1969. V.33. № 2. P.897−903.
  66. M.Boardman A.D., Fawcett W., Ruch J.G. Monte-Carlo determination of hot electron galvanomagnetic effects in gallium arsenide // Phys. Stat. Sol.(a). 1971. V.4. № 1. P.133−141.
  67. А.А., Валов В. А., Козлов В. А., Мазов Л. С. Значительное уменьшение порогового поля эффекта Ганна в сильном магнитном поле // Письма в ЖЭТФ, 1980. Т. 372. Вып. 11. С.628−632.
  68. Ishii Т., Koryn P. Theoretical model of magnetic effect on the Gunn diode // Proc. IEEE. 1983. V.71. № 1. P.180−181.
  69. В.И., Эткин B.C. Исследование влияния магнитного поля на генерацию СВЧ колебаний при эффекте Ганна // Радиотехника и электроника, 1975. Т. 20. № 11. С.2416−2417.
  70. Магнитная перестройка частоты СВЧ генератора па диоде Ганна / С. С. Горбатов, A.A. Семёнов, Д. А. У санов и dp. II Известия ВУЗов. Радиоэлектроника, 2009. № 3. С.77−80.
  71. Л.И. К вопросу об индуктивном характере сопротивления диодов с /"-«-переходом в пропускном направлении при больших плотностях тока // Радиотехника и электроника, 1960. Т. 5. № 6. С. 1002−1005.
  72. Л.И. К вопросу об инерционности диодов с р-л-переходом в пропускном направлении при больших плотностях тока // Радиотехника и электроника, 1962. Т. 7. № 4. С. 693−701.
  73. Л.И., Селищев Г. В. О характере инерционности диодов с р-п-переходом при малых скоростях утечки неосновных носителей тока через не-выпрямляющий контакт // Радиотехника и электроника, 1964. Т. 9. № 6. С. 1092−1096.
  74. A.A., Усанов Д. А. Индуктивность, перестраиваемая электрическим полем // Изв. ВУЗов. Электроника, 2009. № 4(78). С.34−40.
  75. A.A., Усанов Д. А. Индуктивность, перестраиваемая электрическим полем // Технология и конструирование в электронной аппаратуре (ТКЭА), 2009. № 5. С.3−10.
  76. С.И. Нелинейные динамические режимы работы генераторов на магнитодиодах и магнитотранзисторах. / Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. Саратовский государственный университет. Саратов 2002. С.63−71.
  77. Измеритель индукции магнитного поля на основе магниточувствительных интегральных схем / С. Б. Вениг, A.A. Семёнов, А. И. Галушков и др. II Приборы и системы управления, 1998. № 5. С.34−35.
  78. Св-во на полезную модель РФ № 9536, МКИ G 06 F 12/14. Микроэлектронное устройство / A.A. Семёнов, С. Б. Вениг, Д. А. Усанов № 981 1 1453/20, Заявлено 15.06.98, Опубл. 16.03.99. Бюл. № 3.
  79. Св-во на полезную модель РФ № 11 908, МКИ G 06 F 12/14. Схема защиты устройства микроэлектронного / A.A. Семёнов, С. Б. Вениг, Д. А. Усанов № 99 117 397/20. Заявл. 12.08.99., Опубл. 16.11.99. Бюл. № 11.
  80. Патент РФ № 2 151 422. МКИ G06F12/16, 12/14, 12/00, H01L27/22, 27/00. Микроэлектронное устройство / A.A. Семёнов, С. Б. Вениг, Д. А. Усанов № 98 111 305/09. Заявл. 15.06.98. Опубл. 20.06.2000. Бюл. № 17.
  81. Патент РФ № 2 156 999. МКИ G06F12/16, 12/14. Схема защиты устройства микроэлектронного / A.A. Семёнов, С. Б. Вениг, Д. А. Усанов № 99 117 561/09. Заявл. 12.08.99. Опубл. 27.09.2000. Бюл. № 27.
  82. A.A., Вениг С. Б., Усанов Д. А. «Щит» для микроэлектронных устройств // Безопасность информационных технологий. 2002. № 2. С.88−96.
  83. Использование магниточувствительных элементов для защиты микроэлектронных устройств от несанкционированного досгупа / А. А. Семёнов, С. Б. Веннг, Д. А. У санов и др. И Изв. ВУЗов. Электроника, 2001. № 2. С.47−51.
  84. Св-во на полезную модель РФ № 65 927. Система ограничения доступа / А. А. Семёнов, Д. А. Усанов № 2 007 117 811, МКИ Е05В47/04, Заявлено: 15.05.07, Опубл. 27.08.2007, Бюл. № 24.
  85. Схема управления сверхвысокочастотными устройствами на /?-/-я-диодах / С. Б. Вениг, Б. Н. Коротин, А. А. Семёнов, Д. А. Усанов // Приборы и техника эксперимента, 1991. № 5. С.134−135.
  86. А.с. 1 479 976 СССР, МКИ Н01Р1/15. Устройство управления /?-/-л-диодом / Д. А. Усанов, С. Б. Вениг, А. А. Семёнов (СССР). № 4 181 902/24−09. Заявлено 14.01.87. Опубл. 15.05.89. Бюл. № 18. 2 с.
  87. Д.А., Семёнов А. А. Исследование температурной зависимости электропроводности полупроводников. Учебное пособие. Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 2006. 25 с.
  88. А.А. Изучение БИС параллельного периферийного адаптера. Учебное пособие. Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 2006. 43 с.
  89. А.А. Изучение БИС программируемого интервального таймера. Учебное пособие. Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 2006. 35 с.
  90. А.А., Вениг С. Б. Устройство сопряжения лабораторного иономера И-130М с персональным компьютером // Приборы и техника эксперимента, 2007. № 1. С.154−156.
  91. Магнитотиристор с регулируемыми характеристиками в низкоомном состоянии / Ю. А. Чаплыгин, А. И. Галушков, А. А. Семёнов u dp. II Изв. ВУЗов. Электроника, 2004. № 3. С.42−45.
  92. Магнитоуправляемый динистор / Ю. А. Чаплыгин, А. И. Галушков, A.A. Семёнов, ДА. Усанов II Изв. ВУЗов. Электроника, 2005. № 6. С.56−60.
  93. Температурная зависимость параметров датчиков магнитного поля на основе магниточувствительных ИС / Ю. А. Чаплыгин, А. И. Галушков, A.A. Семёнов и др. // Изв. ВУЗов. Электроника, 1996. № 1−2. С. 114−116.
  94. Термостабильные датчики магнитного поля на основе магниточувствительных ИС / С. Б. Вениг, А. И. Галушков, A.A. Семёнов и др. И Тез. Докл. Всероссийской науч.-техн. конф. «Электроника и информатика-95». Зеленоград 15−17ноября. М.:МГИЭТ ТУ. 1995. С. 24.
  95. Режимы работы генератора релаксационных колебаний на магнитодиоде / A.A. Семёнов, С. И. Скворцов, С. Б. Вениг, Д. А. Усанов II Изв. ВУЗов. Электроника, 2002. № 3. С.57−60.
  96. A.A., Усанов Д. А. Активный двухполюсник с S- и N-образной вольт-амперной характеристикой // Изв. ВУЗов. Электроника, 2009. № 3(76). С. 17−21.
  97. Радиоволновые и оптические измерения толщины и электропроводности металлических пленок на полупроводниковых и диэлектрических подложках / Ю. А. Чаплыгин, Д. А. Усанов, A.A. Семёнов и др. II Изв. ВУЗов. Электроника, 2005. № 1. С.68−77.
  98. Эффект синхронизации мод в СВЧ генераторе на диоде Ганна, работающем в многочастотном режиме / С. Б. Вениг, Д.А. У санов, A.A. Семёнов, Т. Г. Захарова II Изв. ВУЗов. Прикладная нелинейная динамика, 2000. Т. 8, № 2. С.10−15.
  99. Модуляция выходного сигнала генератора па диоде Ганна воздействием на него внешнего СВЧ сигнала I Д.А. У санов, С. Б. Вениг, С. С. Горбатов, A.A. Семёнов //Изв. ВУЗов. Радиофизика, 1995. Т. 38. № 9. С.982−988.
  100. Влияние нелинейного характера импеданса диодов Ганна на работу СВЧ генераторов на их основе I Д.А. У санов, С. Б. Вениг, С. С. Горбатов, A.A. Семёнов II Изв. ВУЗов. Прикладная нелинейная динамика, 1994. Т. 2. № 5. С.35−45.
  101. Синхронизованный на субгармонике сверхвысокочастотный генератор на диоде Ганна / С. С. Горбатов, Д. А. Усанов, A.A. Семёнов и dp. II Приборы и техника эксперимента, 1993. № 3. С.136−137.
  102. Д.А., Горбатов С. С., Семёнов A.A. Особенности многочастотной генерации СВЧ в генераторах на диодах Ганна // Изв. ВУЗов. Радиоэлектроника, 1993. Т. 36. № 3. С. 64.
  103. Синхронизация мод в СВЧ генераторах на диодах Ганна / Д. А Усанов, С. С. Горбатов, С. Б. Вениг, А. А. Семёнов // Письма в ЖТФ, 1992. Т. 18, вып. 12. С.26−27.
  104. Д.А., Горбатов С. С., Семёнов A.A. Влияние напряжения смещения на стохастизацию колебаний в диодах Ганна в многоконтурной колебательной системе //Радиотехника и электроника, 1991. Т. 36. № 12. С.2406−2409.
  105. Активные СВЧ-фильтры на полупроводниковых СВЧ-генераторах, работающих в режиме синхронизации I Д. А Усанов, С. С. Горбатов, A.A. Семёнов и др. //Приборы и техника эксперимента, 1991. № 5. С. 121−122.
  106. Д.А., Горбатов С. С., Семёнов A.A. Изменение вида вольт-амперной характеристики диода Ганна в зависимости от режима его работы // Изв. ВУЗов. Радиоэлектроника, 1991. Т. 34. № 5. С.107−108.
  107. У санов Д. А., Горбатов С. С., Семёнов A.A. Двухчастотный режим работы СВЧ усилителя на диоде Ганна // Изв. ВУЗов. Радиофизика, 1990. Том 33. № 12. С. 1429−1430. •
  108. У санов Д. А., Вениг С. Б., Семёнов A.A. Особенности управления СВЧ мощностью р-г-га-диодными устройствами // Радиотехника и электроника, 1998. Т. 43. № 11. С.1401−1403.
  109. A.A. Исследование нелинейных режимов работы полупроводниковых приборов СВЧ // Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. Саратовский государственный университет, г. Саратов, 1994. 126 с.
  110. A.A. Как «озвучить» численный эксперимент // Изв. ВУЗов. Прикладная нелинейная динамика. 2007. т. 15. № 1. С.87−93.
  111. Патент РФ № 2 384 910. МПК H01 °F 21/08, H01L 29/06. Катушка индуктивности, перестраиваемая электрическим полем / A.A. Семёнов, Д. А. Усанов. № 2 009 111 240. Заявлено: 30.03.2009. Опубл. 20.03.2010. Бюл. № 8.
  112. A.c. 1 807 552 СССР, МКИ H01 °F 3/55. Сверхвысокочастотный усилитель / ДА Усанов, С. Б. Вениг, A.A. Семёнов, № 4 838 780/09- Заявлено 12.06.90. Опубл. 07.04.93. Бюл. № 13.
  113. Патент РФ № 2 060 577. Генератор СВЧ / ДА Усанов, С. С. Горбатов, С. Б. Вениг, A.A. Семёнов, № 93 028 523/09. Опуб. 20.05.96. Бюл. № 14.
  114. Режимы работы генератора релаксационных колебаний на магнитодиоде / A.A. Семёнов, С. И. Скворцов, С. Б. Вениг, Д. А. Усанов II В кн. «Электроника». Всероссийская научно-техническая дистанционная конференция: Тезисы докладов. М.: МИЭТ, 2001. С. 148−149.
  115. Информационно-измерительный комплекс для контроля параметров покрытий / Д. А. Усанов, A.B. Скрипалъ, A.A. Семёнов и dp. II Аннотация экспонатов «Ученые Поволжья народному хозяйству», 1989. — Саратов, Изд-во СГУ. С. 80.
  116. Информационно-измерительный комплекс для контроля параметров покрытий I Д. А. Усанов, A.B. Скрипалъ, A.A. Семёнов и др. II Информ. листок о научно-техническом достижении. Изд-во Сарат. ЦНТИ, 1988. 25.10.88. 1 с.
  117. Бараночников M. J1. Микромагнитоэлектроника. Т. 1. М.: ДМК Пресс, 2001. 544 с.
  118. Г. А., Стафеев В. И. Магнитодиоды, магнитотранзисторы и их применение. -М.: Радио и связь, 1987. 88 с.
  119. ЛенцДж.Э. Обзор магнитных датчиков // ТИИЭР, 1990. Т. 18. № 6. С.87−102.
  120. В.И., Каракушан Э. И. Магнитодиоды. Новые полупроводниковые приборы с высокой чувствительностью к магнитному полю. М.: Наука, 1975.216 с.
  121. A.A. Влияние магнитного поля на отрицательное сопротивление S-типа при двойной инжекции носителей заряда в плоской /"-/-^-структуре // Изв. ВУЗов. Электроника, 1997. № 3−4. С.53−60.
  122. В.В., Чиркин Л. К. Полупроводниковые приборы. М.: Высш. шк., 1987.479 с.
  123. Св-во на полезную модель РФ № 10 021, МКИ НОЗВ 15/00. Генератор периодических колебаний / ДА. Усанов, С. Б. Вениг, С. И. Скворцов, № 98 111 947/20, Заявлено 24.06.98, Опубл. 16.05.99. Бюл. № 5.
  124. Д.А., Вениг С. Б., Скворцов С. И. Генератор автоколебаний на магни-тодиоде // Изв. ВУЗов. Электроника, 1998. № 4. С.106−107.
  125. В.П. Справочник по алгоритмам и программам на языке Бейсик для персональных ЭВМ. М.: Наука, 1989. С. 211.
  126. B.C. Интегральная электроника в измерительных устройствах. -Ленинград.: Энергоатомиздат, 1988. С. 157.
  127. Т. Хаос в электронных схемах // ТИИЭР, 1987. Т. 75, № 8. С.66−87.
  128. Nielsen N.O., A.N. Willson Jr. A Fundamental Result Concerning the Topology of Transistor Circuits with Multiple Equilibria // IEEE Proc. 68. 1980. P. 196−208.
  129. Магнитодиоды и магнитотранзисторы из высокоомного кремния / Л. С. Гасанов, Ф. Г. Зубенко, В. И. Мурыгин, А. У. Фаттахдинов II Электронная промышленность, 1995. № 4−5. С.102−106.
  130. Интегральные датчики магнитного поля / В. В. Амеличев, A.M. Галушков, Ф. Г. Зубенко, Ю. А. Чаплыгин // Электронная промышленность. 1992. № 3. С.58−59.
  131. А.И., Чаплыгин Ю. А. Кремниевые магниточувствительные интегральные схемы // Изв. ВУЗов. Электроника, 1997. № 1−2. С.53−56.
  132. М.И., Трубецков Д. И. Введение в теорию колебаний и волн. М.: Наука, 1984. 432 с.
  133. Л.В., Матханов П. Н., Филиппов Е. С. Теория нелинейных электрических цепей. JL: Энергоатомиздат, 1990. 256 с.
  134. В.И. Электронная лаборатория на IBM PC. Программа Electronics Workbench и её применение. М.: «Солон-Р», 2000. 506 с.
  135. Д.А., Вениг С. Б., Скворцов С. И. Режим магнитоуправляемой генерации с добавлением периода и хаосом в схеме с магнитотранзистором // Изв. ВУЗов. Прикладная нелинейная динамика, 2000. Т. 8. № 5. С.43−47.
  136. С.И. Нелинейные динамические режимы работы генераторов на магнитодиодах и магнитотранзисторах. / Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. Саратовский государственный университет, г. Саратов, 2002. С.63−71.
  137. A.A. Основы радиоэлектроники. М.: Высш. шк., 1988. С. 202.
  138. Чуа Л. О. Генезис схемы Чуа // Изв. ВУЗов. Прикладная нелинейная динамика, 1993. Т. 1. № 3−4. С.4−16.
  139. У. Семейство схемы Чуа // ТИИЭР, 1987. Т. 75. № 8. С.55−65.
  140. Н.С., Данюшевский Ю. З. Диодные генераторы и усилители СВЧ. -М.: Радио и связь, 1986. 184 с.
  141. Д.А., Горбатов С. С., Скрипалъ А. В. Особенности низкочастотной генерации СВЧ диодов Ганна // Изв. ВУЗов. Радиоэлектроника, 1981. Т. 24. № 10. С.67−69.
  142. В.А., Шарифов Т. М. Подавление паразитных НЧ колебаний в генераторах Ганна//Радиотехника, 1977. Т. 32. № 12. С.74−78.
  143. Е.П., Коростелев Г. Н., Хрипунов М. В. К модели стохастической автогенерации в генераторах на диодах Ганна // Изв. ВУЗов. Радиофизика, 1987. Т. 30.№ 1. С.96−103.
  144. Э.В. Стохастизация низкочастотных колебаний генераторов на МЭП-диоде // Радиотехника и электроника, 1984. Т. 29. № 1. С.83−87.
  145. Микроэлектронные устройства СВЧ / Г. И. Веселое, Е. Н. Егоров, Ю. Н. Алехин и др. М.: Высш. шк., 1988. 279 с.
  146. Ю.Л., Тамарчак Д. Я. Синхронизированные генераторы и автодины на полупроводниковых устройствах. М.: Радио и связь, 1982. 240 с.
  147. Мун Ф. Хаотические колебания: Вводный курс для научных работников и инженеров: Пер. с англ. М.: Мир, 1990. 312 с.
  148. Lorenz E.N. The Local Structure of a Chaotic Attractor in Four Dimensions // Physica 13D, 1984. P. 90−104.
  149. Bryant P., Jeffries C. Experimental Study of Driven Nonlinear Oscillator Exhibiting Hopf Bifurcations, Strong Resonances, Homoclintc Bifurcations and Chaotic Behavior // Lawrence Berkeley Laboratory report, LBL-16 949, January. 1984.
  150. Determining Lyapunov Exponents from a Time Series / A. Wolf, J.B. Swift, H.L. Swinney, J.A. Vastano И Physica D, 1985. Vol. 16, P.285−317.
  151. Wolf A. Fortran code calculating the spectrum of Lyapunov exponents for maps and flows when the equations are known / http://www.cooper.edu/~wolf/chaos/ /chaos.htm
  152. SprottJ.C. Lyapunov Exponent Spectrum Software / http://sprott.physics.wisc. edu/chaos/lespec.htm
  153. Rossler O.E. An Equation for Continuous Chaos // Phys. Lett., 1976. A 57. P. 397−398.
  154. Rossler O.E. Chemical Turbulence: Chaos in a Small Reaction-Diffusion System //Naturforsch. 1976. A 31. P. 1168−1172.190 .Lorenz E.N. Deterministic Nonperiodic Flow // J. Atmos. Sei., 1963. V.20. P. 130−141.
  155. Matsumoto Т., Chua L.O., Komuro M. The Double Scroll // IEEE Trans. Circuits Syst., 1985. CAS-32(8). P. 798−818.
  156. Fredericson P., Kaplan J.L., Yorke E.D., Yorke J.A. The Lyapunov dimension of strange attractors // J. Diff. Eq., 1983, V.49. P. 185−207.
  157. Kostelich E.J., Yorke J.A. Lorenz cross section of the chaotic attractor of the double rotor / Physica, 1987, Vol. 24D. P. 263−276.
  158. Hudson J.L., Rossler O.E., Killory H.C. Chaos in a Four-Variable Piecewice-Linear System of Differental Equation // IEEE Trans. Circuits Syst., 1988. V. CAS-35. № 7. P.902−908.
  159. B.C. Сложные колебания в простых системах. М.: Наука, 1990. 311 с.
  160. Resonant tunneling through quantum wells at frequencies up to 2.5 THz / T.C. Sollner, W.D. Goodhiie, P.E. Tannenwald, et al. II Appl. Phys. Lett., 1983. Vol. 43. № 6. P.588−590.
  161. Quantum well oscillators / T.C. Sollner, P.E. Tannenwald, D.D. Peck, W.D. Goodhue // Appl. Phys. Lett., 1984. Vol. 45(12). P. 1393.
  162. Resonance tunneling in GaAs/AlAs heterostructures gron by metalloorganic chemical vapor deposition / A.R. Bonnefoi, R.T. Collins, T.C. McGill, et al. I I Appl. Phys. Lett. 1985. Vol. 46. № 3. P.285−287.
  163. Resonant tunneling oscillations in GaAs AlxGa. xAs heterostructure at room temperature / T.J. Shewtihuk, P.C. Chapin, P.D. Coleman, et al. II Appl. Phys. Lett. 1985. Vol. 46. № 5. P.508−510.
  164. B.C., Захаръяш В. Ф., Клеменътъев В. М., Чепуров C.B. Сверхбыстродействующие диоды металл-окисел-металл на контактах W-Ni, Pt-Ti, Pt-W // ПТЭ, 2007. № 4. C.96−102.
  165. Вольтамперная характеристика точечных систем металл-окисел-металл / Л. Б. Ватова, В В. Кобзев, A.A. Ривлин, B.C. Соловьёв II Радиотехника и электроника, 1975. T. XX. № 10. С.2204−2208.
  166. В.Б. Нелинейное рассеяние радиоволн металлическими объектами//УФН, 1984. Т. 142. Вып. 1. С. 131−145.
  167. Отрицательное сопротивление в переходах металл-барьер-металл-барьер-металл / А. Г. Алексанян, Э. М. Беленое, И. Н. Компанец и др. // Письма в ЖТФ, 1980. Т. 6. Вып. 18. С.1096−1098.
  168. Электронные приборы СВЧ / В. М. Березин, C.B. Буряк, Э. М. Гутцайт, В. П. Марин М.: Высш. шк., 1985. 296 с.
  169. Д.П. Генераторы СВЧ на диодах Ганна. М.: Радио и связь, 1981. 112 с.
  170. Н.Е. Генераторы миллиметрового диапазона на эффекте Ганна // Радиотехника и электроника, 1984. Т. 29. № 5. С.817−829.
  171. Состояние и основные проблемы разработки генераторов миллиметрового диапазона на диодах Ганна / H.A. Васильев, B.C. Лу каш, В. В. Муравьев, В. И. Шатонин II Изв. ВУЗов. Радиоэлектроника, 1985. Т. 28. № 10. С.42−50.
  172. A.C., Коцержинский Б. А., Мачусский Е. А. Твердотельные генераторы СВЧ колебаний миллиметрового диапазона радиоволн // Изв. ВУЗов. Радиоэлектроника, 1978. Т. 21. № 10. С.4−23.
  173. М.Е., Пожела Ю. К., Шур М.С. Эффект Ганна / Под. ред. С. М. Рывкина. М.: Сов. радио, 1975. 288 с.
  174. Perlman B.S., Upadhyayula C.L., Siekanowicz WW Microwave properties and applications of negative conductance transferred electron devices // Proc. IEEE, 1971. V. 59. P.1229−1237.
  175. Sterzer F. Transferred electron (Gunn) amplifiers and oscillators microwave applications//Proc. IEEE, 1971. V.59. № 8. P. l 155−1163.
  176. A.C., Канцеров М. Ю. Зависимость амплитудных характеристик регенеративного СВЧ-усилителя от нелинейных свойств активного элемента // Радиотехника и электроника, 1976. Т. 21. № 2. С.350−356.
  177. М.Ю., Тагер A.C. Влияние нелинейных свойств активного элемента на амплитудно-частотные характеристики регенеративного усилителя // Радиотехника и электроника, 1977. Т. 22. № 5. С.988−994.
  178. Резонансы в полубесконечном волноводе с диафрагмой, связанные с возбуждением волн высших типов / Д. А. Усанов, С. С. Горбатов, С. Б. Вениг, В. Е. Орлов // Письма в ЖТФ, 2000. Т. 26. Вып. 18. С.47−49.
  179. Д.А., Горбатов С. С. Управляемое магнитным полем пропускание света системой из металлических диафрагм с отверстиями, разделенного тонким слоем диэлектрика // Письма в ЖТФ, 2004. Т. 30. № 14. С.25−28.
  180. Д.А., Горбатов С. С. Управляемые магнитным полем резонансы в системе «штырь с зазором близко расположенный поршень» // Радиотехника и электроника, 2008. Т. 53. № 3. С.311−315.
  181. М. О выходном спектре несинхронно возбуждаемых генераторов // ТИИЭР, 1969. Т. 57. № 5. С. 56.
  182. В. Системы синхронизации в связи и управлении. М.: Сов. радио, 1978. 606 с.
  183. Д.А., Писарев В. В. Особенности работы генератора на МЭП диоде в автодинном режиме при близких частотах генерации и сигнала // Изв. ВУЗов. Радиоэлектроника, 1981. Т. 24. № 10. С.81−82.
  184. Мигауата К., Ohmi Т. Static negative resistance in highly doped Gunn diodes and application to switching and amplification // Japan J. Appl. Phys., 1973. V. 12. № 12. P.1931−1940.
  185. Исследование переходных процессов в цепи питания генератора на диоде Ганна / А. П. Яковлев, А. И. Абраменков, В. В. Игнатьев, A.M. Старинская // Электронная техника, Сер.1., Электроника СВЧ. 1987. Вып. 1. С.24−27.
  186. Judd A., Hewitt R. Locking behavior of a microwave oscillator // Electron. Lett., 1967. Vol. 3. № 3. P.108−109.
  187. A.c. 1 521 218 СССР МКИ H03 °F 3/55. Полупроводниковый генератор / ДА. Усанов, С. С. Горбатов (СССР). Заявлено 08.04.87. 4.с.: Ил.
  188. Н.А. Синхронизация генератора Ганна на субгармонике частоты генерации // Электронная техника. Сер. Электроника СВЧ, 1977. № 1. С.100−104.
  189. Copeland J.A. LSA oscillator diode theory // J. Appl. Phyz., 1967. V. 38. P.3036−3101.
  190. Радиотехнические устройства СВЧ на синхронизированных генераторах / Н. Н. Фомин, B.C. Андреев, Э. С. Воробейников и др. М.: Радио и связь, 1991. 192 с.
  191. B.C. К теории синхронизации автогенераторов на приборах с отрицательным сопротивлением //Радиотехника, 1975. Т. 30. № 2. С.43−53.
  192. В.А., Роздобудько В. В., Головкин А. С. Использование синхронизации автогенератора СВЧ внешним сигналом для измерения параметров нелинейности его электронной проводимости // Радиотехника и электроника, 1979. Т. 24. № 6. С.1110−1117.
  193. П., Хилл У. Искусство схемотехники. М.: Мир, 1983. Т. 1, С.252−253.
  194. Bogert В.Р. Some Gyrator and Impedance Inverter Circuits // Proceedings of the IRE, Jul 1955. P.793−796.
  195. Brennan R.L., Viswanathan T.R., Hanson J. V. The CMOS Negative Impedance Converter // IEEE Journal of Solid-State Circuits, Vol. 23, № 5, Oct 1988, P.1272−1275.
  196. Brodie J.H., Crocker R.S. The Active Transformer // Proceedings of the IEEE, Aug 1966, P. l 125−1127.
  197. Brunetti C., Greenough L. Some Characteristics of a Stable Negative Resistance // Proceedings of the IRE, Dec 1942, P.542−546.
  198. Butler F. Active Impedance Converters // Wireless World, Dec 1965, P.600−604.
  199. Chapovskiy M.Z. Functionally Complete Set of Canonical Realizations of Negative Immitance Converters // Radio Engineering and Electronics, Vol. 17, № 10, Oct 1972, P.1764−1769.
  200. Colebrook F.M. Voltage Amplification with High Selectivity by Means of the Dynatron Circuit // Wireless Engineer & Experimental Wireless, Feb 1933, P.69−73.
  201. Drew A.J., Gorski-Popiel J. Directly Coupled Negative-Impedance Convertor // Proceedings of the IEE, Vol. 111. № 7. M 1964, P.1282−1283.
  202. Ginzton E.L. Stabilized Negative Impedances // Electronics, Jul, 1945, P.140−150 (pt. 1), Aug 1945, P.138−148 (pi. 2), Sep 1945, P.141−144 (pt. 3).
  203. Goldstein Y., Abeles B., Keller K.R. Ultralinear Negative Resistance Using Two Complementary Junction Transistors // Electronics Letters, Vol. 1. № 4. Jun 1965, P.96−97.
  204. U.S. Patent 2,823,357 Stabilized Impedance Converter / W. W. Hall, Issued 11 Feb. 1958.
  205. Harris HE. Simplified Q Multiplier//Electronics, May 1951, P.130−134.
  206. Herold E.W. Negative Resistance and Devices for Obtaining It // Proceedings of the IRE, Vol. 23. № 10. Oct 1935, P.1201−1223.
  207. Huang J.S.T., Pandiscio A. A. Reactances Associated with a Class of Negative Resistances // Journal of Electronics and Control, Vol. 12. № 4. Apr 1962, P.265−271.
  208. Jones C.I., Caywood W.P., Williams E. M Using Negative Reactance for Independent Phase and Attenuation // Electronics, 14 Dec 1964, P.44−49.
  209. Larky A.I. Negative-Impedance Converters // IRE TRansactions on Circuit Theory, Sep 1957, P. 124−131.
  210. U.S. Patent 2,726,370 Negative Impedance Converters Employing Transistors / J.G. Linvill, Issued 6 Dec 1955.
  211. Linvill J.G. Transistor Negative-Impedance Converters // Proceedings of the IRE, Jun 1953, P.725−729.
  212. Lundry W.R. Negative Impedance Circuits Some Basic Relations and Limitations // IRE Transactions on Circuit Theory, Sep 1957, P.132−139.
  213. Marshak A.H. Direct-Coupled Negative-Impedance Converters // Electronics Letters, Vol. 1. № 5. Jul 1965, P. 142−143.
  214. Marshak A.H. A Unique Current-Controlled Negative-Resistance Generator // Electrical Engineering, May 1963, P.348−350.
  215. Marshak A.H. Ultralinear Negative Resistance Using Two Complementary Junction Transistors // Electronics Letters, Jun 1965, Vol. 1. № 4. P.96−97.
  216. Merrill J.L. A Negative-Impedance Repeater // Electrical Engineering, Jan 1951, P.49−54.
  217. Merrill J.L. Theory of the Negative Impedance Converter // Bell System Technical Journal, Jan 1951, P.88−109.
  218. Myers B.R. Some Negative Impedance Converters // Proceedings of the IEEE, May 1973, P.669−670.
  219. Nagata M., Linvill J.G. An Integrated Negative Impedance Converter // NEREM Record 1965, P.88−89.
  220. Nalbandyan V.M. Synthesis of Negative Impedances Based on Active RC Networks with Unistors and Gyristors // Telecommunications and Radio Engineering, Vol. 36. № 8. Aug 1981, P.108−109.
  221. Reich H.J. Circuits for Producing High Negative Conductance // Proceedings of the IRE, Feb 1955, P.228.
  222. Su K.L. Realization of the Ideal Transformer with Active Elements // Proceedings of the IEEE, Aug 1966, P.1083−1084.
  223. Some Applications of Negative Feedback with Particular Reference to Laboratory Equipment / F.E. Terman, R.R. Buss, W.R. Hewlett, F.C. Cahill II Proceedings of the IRE, Oct 1939, P.649−655.
  224. Tillman J.R. A Negative Impedance Conterter for Use as a Two-Terminal Amplifier// Post Office Electrical Engineers Journal, Vol. 48, Jul 1955, P.97−101.
  225. Todd C.D. A Versatile Negative Impedance Converter // Semiconductor Products, May 1963, P.25−33.
  226. Turner D., Neill T.B.M. The Principles of Negative-Impedance Converters and the Development of a Negative-Impedance 2-Wire Repeater 11 Post Office Electrical Engineers Journal, Vol. 51, Oct 1958, P.206−211.
  227. Weiss C.D. Ideal Transformer Realizations with Negative Resistors // Proceedings of the IEEE, Feb 1966, P.302−303.
  228. Yanagisawa T. RC Active Networks Using Current Inversion Type Negative Impedance Converters // IRE Transactions on Circuit Theory,.Sep 1957, P.140−144.
  229. Yogo H., Kato K. Circuit Realisation of Negative-Impedance Convertor at VHF // Electronics Letters, Vol. 10. № 9. 2 May 1974. P. 155−156.
  230. Hayashi H, Maraguchi M. A novel broad-band MMIC VCO using active inductor I I Journal of Analog Integrated Circuits and Signal Processing, August 1999, Vol.20. P.103−109.
  231. Hsieh H., Liao Y, Lu L. A compact quadrature hybrid MMIC using CMOS active inductors // IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, June 2007, Vol. 55, No. 6, P.1098−1104.
  232. И. Высококачественные индуктивные элементы компании ТОКО // Компоненты и технологии, 2006. № 1. С.14−16.
  233. П.Л., Цейтлин Л. А. Расчет индуктивностей: Справочная книга. -Л.: Энергоатомиздат, 1986. 306 с.
  234. М.В., Шамаев Ю. М. Справочник по расчету параметров катушек индуктивности. М.: Энергоиздат, 1981. 136 с.
  235. Н.Н., Пискарев К. А. Ферриты для радиочастот. М.: Энергия, 1966. С. 223.
  236. В.М., Карасевич A.M., Сарычев Г. А. Испытания и контроль качества материалов и конструкций. М.: Высш. шк., 2004. С. 186−189.
  237. В.М., Карасевич A.M., Сарычев Г. А. Диагностика материалов и конструкций. -М.: Высш. шк., 2007. С.293−294.
  238. СВЧ полупроводниковые приборы и их применение / Под ред. Г. Уотсона. Пер. с англ. под ред. B.C. Эткина. — М.: Мир, 1972. 662 с.
  239. Г. Б., Орлов О.С. P-i-n-диоды в широкополосных устройствах СВЧ. -М.: Сов. радио, 1970. 200 с.
  240. A.B. Коммутационные устройства на полупроводниковых диодах. -М.: Радио и связь. 1987. 120 с.
  241. Е.В. Туннельные диоды в приемно-усилительных устройствах. М.: Энергия, 1967. 56 с.
  242. В. Некоторые схемы на туннельных диодах // Радио, 1965. № 4. С. 37−39.
  243. В.В. Перспективы применения СВЧ полевых транзисторов в фазированных антенных решетках // Зарубежная радиоэлектроника, 1984. № 2. С.45−62.
  244. В.Н., Малышев В. А., Перевощиков И. В. Широкополосные устройства СВЧ на элементах с сосредоточенными параметрами. М.: Радио и связь, 1984. 290 с.
  245. Naster R.J. MMIC Technology for Microwave Radar and Communication Systems // Microwave J. 1963. Vol. 26. № 2. P. 109−113.
  246. Полупроводниковые диоды для управления СВЧ мощностью / Л.С. Либер-ман, Б. В. Сестрорецкий, В. А. Шпирт, Л. М. Якубенъ // Радиотехника, 1972. Т. 27. № 5. С.10−23.
  247. Грибников 3.С., ТхорикЗ.С. Переходные процессы накопления и рассасывания неравновесных носителей в полупроводниковых диодах. 4. II // УФЖ, 1964. Т. 9. № 8. С.851−861.
  248. Грибников 3.С., ТхорикЗ.С. Переходные процессы накопления и рассасывания неравновесных носителей в полупроводниковых диодах. Ч. Ш // УФЖ, 1964. Т. 9. № 9. С.943−946.
  249. X., Шпенке Е. Процессы обратного восстановления в мощных кремниевых вентилях//ТИИЭР, 1967. Т. 55. № 8. С.98−122.
  250. Ю.Р. Физические основы работы диода в импульсном режиме. М.: Наука, 1968. 496 с.
  251. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. Т. I. М.: Мир, 1984. 456 с.
  252. Устройство управления высокоскоростного СВЧ модулятора на /"-/-«-диоде / В. Д. Лифиренко, И. А. Лукин, Ю. В. Марков и др. П Техника средств связи, Сер. Техника проводной связи, 1981. вып. 1. С.53−59.
  253. Georgopoulus C.J. PIN-driver design saves time // Microwaves J., 1972. № 8. P.50−55.
  254. White J.F. Semiconductor Control. Artech, 1976. 318 c.
  255. И.В., Шнитников A.C. Полупроводниковые диоды в СВЧ управляющих устройствах (обзор) //Изв. ВУЗов. Радиоэлектроника, 1987. Т. 30. № 10. С.5−12.
  256. A.c. 1 191 996 СССР, МКИ HOI Р1/15. Способ управления p-i-n-диодным прибором и устройство для его осуществления / Д. А. Усанов, С. Б. Вениг, Б. Н. Коротин, № 3 589 982/24−09- Заявлено 16.05.83- Опубл. 15.11.85- Бюл. № 42.
  257. В.И., Тухаринов A.A. P-i-n-диоды для высокоскоростной модуляции мощности СВЧ-сигналов. Обзоры по электронной технике. Сер. Электроника СВЧ. Вып. 10(809). М.: ЦНИИ Электроника, 1981. 68 с.
  258. В.А. Свойства /?-я-переходов при действии синусоидального напряжения произвольной амплитуды (малый уровень инжекции) // Радиотехника и электроника, 1966. Т. 11. № 12. С.2209−2216.
  259. Ших К. Биполярный преобразователь напряжения в ток // Электроника, 1979. № 10. С.66−67.
  260. Тесламетр 14 МИ-10−005. Паспорт ХШМЗ.432.028 ПС. Заводской № ОП-66. Саратов: НПП «МАГИ», 1992. 30 с.
  261. . Интегральные датчики Холла // Инженерная микроэлектроника, 1998. № 1. С.39−44.
  262. С. Электронные ключи // Компьютерра, 1996. № 23 (150). С.34−37.
  263. Ю. Почему закрылась группа UCLabs // Хакер, 1999. № 4. С.50−51.
  264. DS1990R Serial Number? Button / Complete Data Sheet: Dallas Semiconductor. // http://pdfserv.maxim-ic.com/en/ds/DS1990R.pdf
  265. Ключ цифровой контактный DC-2000 (Touch Memory Cyfral) // http://www.cyfral 1 .ru/pasport/dc2000.htm
  266. С. Ключ от всех дверей // Хакер, 2006. № 9. С.20−22.
  267. A.A. Дурим домофон. Как обмануть домофон компании Cyfral // Хакер, 2007. № 8. С.26−29.
  268. У санов Д. А., Коротин Б. Н. Устройство для измерения толщины металлических пленок, нанесенных на диэлектрическую основу // Приборы и техника эксперимента, 1985. № 1. С. 254.
  269. У санов Д. А., Безменов A.A., Коротин Б. Н. Устройство для измерения толщины диэлектрических пленок, напыляемых на металл // Приборы и техника эксперимента, 1986. № 4. С.227−228.
  270. A.c. 1 264 109 СССР, МКИ G01R 27/26. Устройство для измерения параметров диэлектрических материалов / Д. А. Усанов, A.B. Скрипаль, Б. Н. Коротин и др. (СССР) № 3 904 336/24−09- Заявл. 03.06.85- Опубл. 15.10.86- Бюл. № 38. 2 с.
  271. Патент РФ № 2 094 811, МКИ G01R27/26. Устройство на диоде Ганна для измерения параметров диэлектрических материалов / Д. А Vсанов, A.B. Скрипеть, Б. Н. Коротин, A.A. Авдеев № 95 115 788/09. Заявл. 07.09.95- Опубл. 27.10.97- Бюл. № 230. 4 с.
  272. Патент РФ № 2 096 791, МКИ G01R27/26. Устройство для измерения параметров диэлектрических материалов / ДА Усанов, A.B. Скрипаль, Б. Н. Коротин, A.A. Авдеев № 95 115 711/09. Заявл. 07.09.95- Опубл. 20.11.97- Бюл. № 32. 4 с.
  273. Сопряжение датчиков и устройств ввода данных с компьютерами IBM PC: Пер. с англ. / Под ред. У. Томпкинса и Дж. Уэбстера. М.: Мир, 1992. 592 с.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!