Адаптивная синхронизация систем управления силовыми вентильными преобразователями
Одним из наиболее уязвимых с позиций помехоустойчивости каналов систем управления ВП являются устройства синхронизации (УС), которые в большинстве практических случаев представляют собой каскадное включение сглаживающего фильтра Ф, например, апериодического первого порядка и релейного элемента РЭ. Недостаток подобных технических решений очевиденпри изменениях амплитуды и/или частоты напряжения…
ДиссертацияАсимптотическая теория взаимодействия заряженных частиц и квантовых систем с внешними электромагнитными полями
В первой главе* рассмотрена задача о движении релятивистской заряженной частицы в заданных сильно неоднородных электрическом и магнитном поляхпри этом — и тоже в отличие от существующей теории — допускается не малая напряженность электрического поля. В существующей адиабатической теории релятивистские дрейфовые уравнения впервые получил Хеллвиг /14/ методом, отличным от метода Крылова-Боголюбова…
ДиссертацияИсследование и разработка трёхфазных активных выпрямителей с пофазным управлением
Свойства и характеристики инвертора с широтно-импульсной модуляцией значительно отличаются от аналогичных показателей преобразователей без модуляции во времени коэффициента заполнения (преобразователи постоянного напряжения и т. п.). Частотная характеристика преобразователя с ШИМ содержит не одну критическую частоту к=АШ, а область критических частот, в которой модуль и аргумент коэффициента…
ДиссертацияКонструктивно-технологический базис микроэлектромеханических систем для диафрагменных электроакустических преобразователей
Исследовано влияние внутренних напряжений при использовании в качестве диафрагмы пленок поликремния, SiOi и/или SijN^. Из-за наличия внутренних растягивающих напряжений возможен переход диафрагмы из состояния пластины в состояние мембраны оценена граница этого перехода (порядка 20 МПа). Были исследованы режимы нанесения и обработки многослойных пленок SiOrfSiiN^, позволяющие контролировать…
ДиссертацияКинетические процессы и оптическое излучение различных стадий импульсного пробоя в коротких перенапряженных промежутках в инертных газах высокого давления
Проведенный анализ работ по пробою газов высокого давления показывает, что формирование искрового канала для таунсендовского, стримерного и объемного разрядов систематически исследовалось в молекулярных газах — воздухе, азоте, кислороде, водороде и т. д. Показано, что в процессе перехода от ОР к искровому существуют следующие фазы развития: квазистабильный тлеющий разряд, ОР' с катодными пятнами…
ДиссертацияМеханизмы генерации излучения среднего и дальнего инфракрасных диапазонов при продольном транспорте электронов и смешении оптических мод в полупроводниковых микроструктурах А3В5
В настоящее время имеется только два типа апробированных полупроводниковых лазеров, показавших эффективность генерации терагерцового излучения (при криогенных температурах). Оба лазера униполярные и основаны на внутризонных (межподзонных) переходах. Первый — это германиевый лазер р-типа в сильных скрещенных электрическом и магнитном полях, обеспечивающих импульсную генерацию в субмиллиметровом…
ДиссертацияМагнитотранспорт и терагерцовый отклик в двумерных полупроводниковых структурах
Приборы на основе квантового эффекта Холла являются чувствительными детекторами излучения дальнего ИК или терагерцового диапазона. Поглощение электромагнитного излучения в условиях ЦР приводит к возрастанию продольного сопротивления вследствие фотовозбуждения электронов и дырок в делокализованные состояния вблизи центров уровней Ландау над и под уровнем Ферми соответственно. Это позволяет…
ДиссертацияМоделирование переноса примесей в пристеночной плазме токамака
Рассмотренный выше случай соответствует нормальной ориентации магнитных силовых линий к поверхности пластин, когда магнитное поле не влияет на поступление частиц из плазмы. В наклонном к пластине магнитном поле происходит существенная перестройка пристенчоного слоя и образование двойной структуры. Поскольку электрическое поле всегда ориентировано нормально к поверхности пластины, ионы, для…
ДиссертацияМоделирование процесса зарядки пылевой частицы и установления межчастичного расстояния в плазме низкого давления
Пылевая плазма представляет собой ионизованный газ, содержащий пылинки — частицы твёрдого вещества. Такая плазма широко распространена во Вселенной: в планетных кольцах, хвостах комет, межпланетных и межзвёздных облаках, вблизи искусственных спутников Земли, в пристеночной области термоядерных установок с магнитным удержанием, а также в плазменных реакторах, дугах, разрядах. Экспериментально…
ДиссертацияНелинейное взаимодействие поперечных волн электронного потока в расходящихся аксиально-симметричных магнитных полях
Разработана трехмерная физическая модель электронного потока с парциальными пучками конечного сечения и предложен метод вычисления поля пространственного заряда электронного потока. Применение данной модели позволяет снизить погрешность в вычислениях кулоновских полей на порядок по сравнению с использовавшимися ранее нитевидными моделями. Предложенная модель применима для анализа динамики…
ДиссертацияНеразрушающие высоколокальные методы электронно-зондовой диагностики приборных структур микро-и наноэлектроники
Одним из эффективных базовых методов субмикронной диагностики является сканирующая электронная микроскопия с ее нанометровым пространственным разрешением и богатым набором детектируемых сигналов. Но традиционные стандартные режимы работы растрового электронного микроскопа (РЭМ) уже не обеспечивают комплексной диагностики приборных структур микрои наноэлектроники, которая требует специфической…
ДиссертацияОбеспечение качества паяных соединений кристаллов в полупроводниковых приборах для силовой электроники в процессе их разработки и серийного производства
В нашей стране и за рубежом проведены многочисленные исследования по установлению основных закономерностей формирования соединений кристалла с основанием корпуса, разработке технологических процессов и создания для этого необходимого оборудования, среди которых особое место занимают работы Л. П. Ануфриева, М. И. Горлова, А. А. Грачева, Б. Зигеля, В. П. Емельянова, Е. К. Ковшикова, Е. Е. Онегина…
ДиссертацияРезонансные нелинейно-оптические процессы в парах металлов и примесных кристаллах
Впервые осуществлено возбуждение ВКР в парах щелочных металлов в условиях изолированного резонанса с переходом между верхними уровнями. Изучены его пороговые, энергетические и спектральные характеристики. Полученные результаты сопоставлены с характеристиками ВКР, возбуждаемого по обычной схеме, в которой заселение исходного для этого процесса уровня осуществляется излучением дополнительного…
ДиссертацияОпределение плотности поверхностных состояний в структурах металл-диэлектрик-полупроводник при наличии гетерогенности
При воздействии лавинной инжекцией изменение характеристик МДП-транзисторов происходит не сразу, а со временем, при комнатной температуре. Видимо на этот процесс оказывают влияние внутренние поля, образовавшиеся в результате появления встроенного заряда. Полевое воздействие локализовано в определенной области. Обнаружено наличие области крупномасштабного зарядового дефекта в окисле, что…
ДиссертацияОптические свойства наноразмерных стекловидных пленок оксидов кремния и тантала
Цель работы: исследование оптических свойств тонких стекловидных пленок оксидов кремния и тантала, полученных методами ионно-плазменного распыления, плазмохимического осаждения, анодирования, термического окисления, осаждением из пленкообразующих растворов на монокристаллические полупроводниковые, поликристаллические керамические и стеклянные подложки, и разработка эффективных оптических методов…
ДиссертацияСпектр коллективных возбуждений вырожденных 2D-электронов с тонкой структурой энергетического и пространственного распределения
В третьей главе изучена внутренняя структура возбуждения поверхностных плазмонов на границе раздела двух сред с различными диэлектрическими проницаемостями. При этом был использован аналогичный математический аппарат. Роль внешнего возмущения на этот раз играет нормально падающая электромагнитная волна с гауссовым распределением интенсивности. Параметром осцилляций (немонотонностей) в данном…
ДиссертацияРассеяние металлических ионов поверхностью твердых тел в области низких энергий
Впервые методом молекулярной динамики в процессе численного моделирования рассеяния ионов металлов поверхностью твердого тела (Ме+—>Ме) в области низких энергий бомбардирующих частиц (Ео=40-ь 500 эВ) выявлены факты, устанавливающие многочастичный характер взаимодействия тяжелых ионов с поверхностными атомами твердых тел: а) одновременное взаимодействие налетающего иона с несколькими атомами…
ДиссертацияСтруктурные и оптические свойства нанометровых модулированно-легированных гетероструктур с квантовыми точками в системе InAs/GaAs
Дельта-легированные полупроводники, в которых атомы примеси расположены в слое толщиной в один или несколько атомных монослоев, являются объектом интенсивного экспериментального и теоретического исследования. Размерное квантование движения электронов в таких структурах существенно меняет большинство их электронных свойств и является причиной новых интересных физических эффектов…
ДиссертацияТермодинамический, кристаллографический и дефектно-деформационный аспекты изменения работы выхода электрона
Достоверность результатов и выводов диссертации обусловлена: использованием корректных математических методов решения поставленных задач, различными проверками, переходами к частным случаям, полученным ранее автором диссертации или другими авторамииспользованием разумных физических и модельных предпосылок при оценке объемной и дипольной составляющих РВЭвероятностью ошибки менее 0,01 при проверке…
ДиссертацияЭлектронные процессы в неупорядоченных слоях, созданных в диэлектрических материалах ионным облучением
АПРОБАЦИЯ РАБОТЫ. Результаты работы докладывались на следующих семинарах и конференциях: Международных конференциях по радиационной физике и химии ионных кристаллов (Томск 1993, 1996, 1999) — IV Всесоюзном совещании по радиационным гетерогенным процессам (Кемерово, 1985,1990,1995) — I Всесоюзной конференции по ионно-лучевой модификации материалов (Черноголовка, 1987) — I Всесоюзной конференции…
ДиссертацияВлияние мультифрактальных свойств телекоммуникационного трафика на качество услуг предоставляемых системами спутниковой связи
Эффективное функционирование современных промышленных предприятий и новых коммерческих структур в значительной мере зависит от наличия в их распоряжении современных средств связи к числу которых относятся системы спутниковой связи (ССС). Развитие систем спутниковой связи привело к появлению систем, построенных на базе терминалов с малой апертурой VSAT (very small aperture terminal). Такие сети…
ДиссертацияВысокочастотные электронные процессы в полупроводниковых классических сверхрешетках
Необходимо также отметить, что технологии наноэлектроники и, в частности, технология молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) все шире внедряются в процессы производства электронной техники. При этом усиливается стремление использовать для производства единый технологический цикл, т. е. развитие получают такие технологии, которые могут без существенных затрат вписаться в существующий ряд…
ДиссертацияУсилитель кабельних систем связи
Розрахунок грунтується на. Ск (треб)=Ск (пасп)*=1,6(=2,26 (пФ), де Ск (треб)-ёмкость коллекторного переходу при заданому Uкэ0, Ск (пасп)-справочное значення ёмкости колектора при Uкэ (пасп). rб==2,875 (Ом); gб==0,347 (Cм), де rб-сопротивление бази,-справочное значення постійної ланцюга зворотний зв’язок. rэ= ==0,763 (Ом), де Iк0 в мАЛО, rэ-сопротивление эмитера. gбэ===0,023, де gбэ-проводимость…
РефератМоделирование розподілу потенціалу до МДП-структуре
Нехай поставлено у=уn. Тоді обчислюємо ?F, потім методом прогонки вздовж рядків i2=1,…, N2−1 вирішуємо і завдання (10) і визначимо y' переважають у всіх вузлах сітки ?h, після чого обчислюємо F і вирішуємо і завдання (11) вздовж шпальт i1=1,…, N1−1, визначаючи y`=yn+1. При переході від шару n+1 до верстви n+2 процедура повторюється, тобто. відбувається постійно чергування направлений. Розглянемо…
РефератПеречень електротехнічних виробів і устаткування
Комплектні устрою управління, розподілу електричної енергії та питаннями захисту потреб станцій та подстанций. 88УХЛ4 Гідрогенератори серії СВ, ГСВ, СГК, гидрогенераторы-двигатели серій СВО і регуляторні генератори серії СПМ. 90УХЛ4 Двигуни асинхронні трифазні частотно-регулируемые АЧ160М4БПКУХЛ4, АЧ160М4БП2КУХЛ4, АЧ180S4БПКУХЛ4, АЧ180S4БП2КУХЛ4. Тpансфоpматоpы загального призначення маслянные…
РефератInAs. Физические свойства, особенности технологии получения эпитаксиальных пленок. Применение в полупроводниковых устройствах
В соответствии с вышеописанным, на n-InAs оказывается невозможным получение выпрямляющего барьера Шоттки. При нулевом смещении в полупроводнике под напыленным металлом из-за обогащения поверхностного слоя подвижными электронами ООЗ (понимаемой как область нескомпенсированного заряда атомных остовов) не существует. С увеличением соответствующей полярности приложенного смещения (отрицательного…
РефератПожарно-охранная сигнализация
Так как на плате рекомендуется иметь не более трех различных диаметров монтажных отверстий, то увеличиваем диаметры близкие по значению в сторону большего. Таким образом, на плате просверлим: — 60 отверстий Ø 0.8 мм- 66 отверстий Ø 1.6 мм- 2 отверстия Ø 2.1 мм. Диаметры контактных площадок определяем по формуле (7):Где, — радиальная ширина контактной площадки, мм; — предельное отклонение диаметра…
КурсоваяУстройство дистанционного контроля потребляемого тока и энергии по показаниям стандартного счетчика электроэнергии
Для питания микроконтроллера используется напряжение +5 В. Встроенные в микроконтроллер ПЗУ удобны еще тем, что в случае необходимости можно запретить чтение записанной в них программы. Внутреннее ОЗУ микроконтроллера имеет ёмкость не менее 128 байт. Между выводами «XTAL1» и «XTAL2» подключается кварцевый резонатор. Частота кварца выбрана 11 МГц, поскольку высокая рабочая частота необходима для…
КурсоваяПроектирование печатной платы
Создать частотно-пульсирующий модулятор (ЧИМ), создающий на перегрузке RH=10 ОМ импульсы напряжения амплитудой Uн=20 В, tи=½T. При изменении входного напряжения от 0 по 10 В, гармоника weekendа импульсов напряжения fг= 1/Т меняется от 1кГц по 10кГц. При выходе входного сигнала из-за пределы указанного спектра гармоника остается на уровне граничных значений, т. е. есть двустороннее лимитирование 1…
КурсоваяМикроклиматическая установка в процедурном кабинете мед.учреждения
03. Микроклимат на рабочем месте определяется температурой, относительной влажностью воздуха, скоростью движения воздуха и интенсивностью теплового излучения. Значительные колебания параметров микроклимата приводят к нарушению терморегуляции организма. Неблагоприятные микроклиматические условия могут стать причиной различных заболеваний. Процедурный кабинет представляет собой помещение размерами…
Дипломная