Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Гетероструктуры InSb1-x Bi x /InSb и GaSb1-x Bi x /GaSb с квантовыми ямами: технология получения и свойства

Диссертация: Гетероструктуры InSb1-x Bi x /InSb и GaSb1-x Bi x /GaSb с квантовыми ямами: технология получения и свойства
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Способ получения многослойных упругонапряженных гетероструктур InSbi.?iJInSb и GaSbi. xBiy/GaSb основывается на идее уменьшения времени контакта переохлажденного раствора-расплава с подложкой за счет увеличения скорости перемещения подложки относительно растворов-расплавов в ячейках уменьшенных размеров. Данная методика позволяет получать слои заданной толщины за счет изменения размеров ячеек… Читать ещё >

Гетероструктуры InSb1-x Bi x /InSb и GaSb1-x Bi x /GaSb с квантовыми ямами: технология получения и свойства (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • 1. Обзор литературы и постановка задачи исследования
    • 1. 1. Актуальность исследования структур с квантовыми ямами
    • 1. 2. Методы расчета электронной структуры твердых тел
    • 1. 3. Энергетическая структура сверхрешеток
    • 1. 4. Методы получения сверхрешеток и эпитаксиальных структур на основе твердых растворов Л3В
    • 1. 5. Висмутсодержащие твердые растворы в оптоэлектронике
    • 1. 6. Постановка задачи исследования
  • Выводы
  • 2. Численное моделирование электронных свойств квантово-размерных структур
    • 2. 1. Вывод уравнения для огибающей волновой функции на геторогранице
    • 2. 2. Численное решение уравнения Шредингера для огибающей волновой функции
    • 2. 3. Расчет энергетического спектра и распределения огибающей волновой функции для многослойной структуры Са8Ь}.хВ1х/Са
    • 2. 4. Расчет энергетического спектра для многослойной структуры InSbi.xBiJln.Sb
  • Выводы
  • 3. Расчет фазовых равновесий
    • 3. 1. Уравнения фазовых равновесий и параметры интерфазных взаимодействий
    • 3. 2. Расчет упругих констант соединений 1пВг и СаВг
    • 3. 3. Смещение фазовых равновесий под воздействием упругих напряжений на гетерогранице
  • Выводы
  • 4. Технология и аспекты получения многослойных гетероструктур ШЬ^В^ШЬ и Са^б}.хВУ0а5Ъ
    • 4. 1. Аппаратурное оформление процесса ЗПГТ для получения многослойных гетероструктур и подготовка исходных материалов
    • 4. 2. Формирование многослойных упругонапряженных гетерокомпозиций методом эпитаксии в ростовом канапе
    • 4. 3. Формирование слоев заданной толщины
  • Выводы
  • 5. Свойства многослойных структур ЫБЬ?.хВ^ЫБЪ и ОаБЪ ¡-.^¿СаБЪ и рекомендации по их применению в оптоэлектронике
    • 5. 1. Расчет спектров поглощения и отражения многослойных структур 1п8Ь]. хВ1х/1п8Ь и СаБЬ?^Вг/СаБ
    • 5. 2. Конструкции устройств на основе многослойных структур ШЪ^В^ЫБЬ и ваЗЪ^ВУваЗЪ
    • 5. 3. Структурные и электрофизические характеристики ШЬ^ВиЫБЬ и ваБЬ^В^ваЗ
  • Выводы

Инфракрасная техника в последние годы стала мощным инструментом научных исследований и получила широкое распространение во многих практических приложениях. Своим прогрессом она обязана появлению новых материалов, чувствительных в ИК-области спектра, и технологий их изготовления. В первую очередь это относится к многослойным полупроводниковым структурам. Достойное место в ряду узкозонных полупроводников занимают висмутсодержащие гетероструктуры [1], поскольку изменением содержания висмута можно эффективно управлять оптическими свойствами приборов на их основе. Интерес к висмутсодержащим гетероструктурам связан также с возможностью получения полупроводниковых наноструктур с характерными размерами 1−100 нм, вследствие того, что фермиевская длина волны электронов у висмута велика (40 нм). Это дает возможность получать висмутсодержащие сверхрешетки методом градиентной жидкофазной кристаллизации (ГЖК) [2], важнейшее преимущество которого по сравнению с другими методами получения гетероструктур заключается в существенно меньшей стоимости технологии, меньшей сложности технологического процесса и менее жестким требованиям к чистоте исходных материалов.

Технологические трудности выращивания висмутсодержащих твердых растворов до последнего времени замедляли их широкое практическое внедрение. Однако недавние достижения в данной области [1] открывают новые перспективы его получения и применения. Вследствие этого возрастает интерес к фундаментальным свойствам — таким как электронная зонная структура, а следовательно, оптическим и фотоэлектрическим характеристикам указанных материалов [3]. В связи с этим в настоящее время происходит как интенсивное развитие теории явлений в малых объектах (сверхрешетках), так и разработка новых методов их получения.

Существует целый набор методик расчета электронных состояний в квантово-размерных системах [4]. Для практических целей требуются экспрессные методы расчета, дающие достаточную точность и содержащие по возможности меньшее количество параметров. С этой точки зрения безусловным лидером является так называемый метод огибающей волновой функции (иногда его называют еще методом эффективной массы). Это приближенный метод, содержащий ряд эмпирических параметров. Как показывают многочисленные сопоставления с экспериментом, он позволяет не только качественно, но и количественно с высокой точностью описать многообразие явлений в гетероструктурах. Приближенность метода в значительной мере компенсируется его гибкостью, простотой и малым количеством фигурирующих эмпирических параметров. Указанные особенности ^/-содержащих гетеросистем делают задачи моделирования их электронного спектра весьма привлекательными. Ряд возможностей получения гетероструктур с заданными свойствами, которые открывает метод ГЖК сулит вполне определенные перспективы в технологии новых приборов ИК оптоэлектроники. Все это делает настоящую работу актуальной и своевременной.

Целью работы является расчет энергетического спектра многослойных структур /я56 1хВг/1п8Ь и Са5Ь]. хВг/Са5Ь и разработка технологии их получения. Для реализации поставленной цели были поставлены следующие задачи:

— Расчет энергетических уровней, электронного спектра, распределение огибающей волновой функции по толщине гетероструктур, распределение вероятностей обнаружения электрона в различных слоях многослойных гетероструктур /я56 1. хВУ1п5Ь и СаБЬ,.хВУСа8Ь.

— Моделирование фазовых равновесий в упругонапряженных гетеросистемах /и-56−5/и (7а-56−5/.

— Разработка технологии получения многослойных гетерокомпозиций ЫБЬ?.уВУЫБЪ и ОаБЬ с толщинами слоев порядка 0,1 мкм.

— Расчет спектров отражения и пропускания многослойных гетеросистем /"5Ь-.ЛЛ/Л//"5Ь и ОаЗЬ/.хВ^ОаЗЬ.

— Определение областей применения гетеросистем /"56?.хВ1х/1п8Ь и.

GaSb?.?iJGaSb и разработка соответствующих практических рекомендаций. На защиту выносятся следующие научные положения:

1. Многослойная структура GaSb ?.xBiJGaSb при толщине слоев 0,1 мкм в диапазоне составов х < 0,008 имеет энергетический спектр с расщеплением уровней энергии на 2 разрешенные минизоны. При увеличении числа слоев происходит расширение электронного спектра за счет добавления новых энергетических уровней.

2. Многослойная структуры InSbi^BiJInSb при толщине слоев 0,1 мкм в диапазоне составов х < 0,03 имеет энергетический спектр с расщеплением уровней энергии на 3 разрешенные минизоны. Установлено, что увеличение числа слоев для данной сверхрешетки ведет к смещению спектра в более длинноволновую область ИК-излучения.

3. Распределение огибающей волновой функции по толщине слоев и распределение вероятности обнаружения электрона для многослойной системы.

GaSb?.?i/GaSb.

4. Многослойные структуры InSb?.?iy/InSb и GaSb/ ХВiJGaSb могут быть получены методом ГЖК с принудительной гидравлической сменой растворов в ростовом канале. Данная методика позволяет получать сверхтонкие слои порядка 100 нм.

5. Способ получения многослойных упругонапряженных гетероструктур InSbi.?iJInSb и GaSbi. xBiy/GaSb основывается на идее уменьшения времени контакта переохлажденного раствора-расплава с подложкой за счет увеличения скорости перемещения подложки относительно растворов-расплавов в ячейках уменьшенных размеров. Данная методика позволяет получать слои заданной толщины за счет изменения размеров ячеек, содержащих растворы-расплавы.

6. Варьируя число слоев многослойной InSb?.?iJInSb и GaSbj.?i/GaSb структуры, можно менять ее показатель пропускания (отражения).

Научная новизна работы:

1. Проведен расчет энергетических уровней, электронного спектра, распределение огибающей волновой функции по толщине гетероструктур, распределение вероятностей обнаружения электрона в различных слоях многослойных гетероструктур 1п8Ъ1. хВ1х/1п8Ъ и Са8Ъ1. хВУОа8Ь.

2. Проведен учет влияния упругих напряжений на смещение гетерогенных равновесий систем 1пЗЬ! хВ1х/1пЗЬ и СаБЬ?^Вг/ОаЗЬ.

3. Разработана технология получения многослойных структур 1п8Ь ?.хВ1/1п8Ь и ОаБЬ 1хВ1х/Оа5Ь заданной толщины.

4. Произведен расчет спектров отражения и пропускания многослойных ге-теросистем 1п8Ъ ?.хВУ1п8Ь и ОаБЬ/.хВ1у/СаЗЬ.

5. Разработаны конструкция фотоприемного устройства на основе сверхрешетки 1п8Ъ 1. хВУ1п8Ъ и конструкция квантового каскадного лазера на основе многослойной структуры ОаЗЪ ?.хВ1х/Оа8Ь.

Практическое значение работы:

— Получены многослойные структуры 1п8Ь?.хВ1х/1п8Ь и Са8Ь ¡-^ВуОаЗЬ методом ГЖК с принудительной гидравлической сменой растворов-расплавов в ростовом канале.

— Разработана технология получения многослойных структур толщиной порядка 0,1 мкм и технология получения слоев заданной толщины.

— Разработаны конструкция фотоприемника на основе сверхрешетки 1пЗЬ?.хВ1у/1пЗЪ с длиной волны принимаемого излучения Х = 1 ~\ мкм.

— Разработана конструкция квантового каскадного лазера на основе многослойной структуры Оа8Ь ¡-^ВУСаЗЬ, работающего на межуровневых переходах с длинами волн генерации Л, = 4,5 мкм и А? =8,9-И 3,8 мкм.

Основные результаты работы докладывались и обсуждались на семинарах в лаборатории физики полупроводников ВИ (ф) ЮРГТУ (НПИ), на семинарах проблемной лаборатории физики ЮРГТУ (НПИ), на восьмой международной научно-технической конференции (Таганрог, 2002 г.), на международной конференции (Ульяновск, 2002 г.), на международной научной конференции (Иваново, 2002).

По результатам исследований опубликовано 8 печатных работ, в которых изложены основные положения диссертации. Основные результаты работы получены автором самостоятельно.

Диссертация изложена на 154 страницах машинописного текста, состоит из введения, пяти глав, заключительных выводов и списка используемой литературы из 139 наименований.

Основные выводы.

1. Для многослойной системы ОаЗЬхВ1]. х/Са8Ь произведен расчет электронного спектра. Показано, что при увеличении числа слоев происходит расширение электронного спектра за счет добавления новых энергетических уровней. Для данной системы рассчитано распределение огибающей волновой функции по толщине гетероструктуры, а также распределение вероятностей обнаружения электронов в различных слоях системы.

2. Для многослойной системы? пБЬ]хВ1х/1п8Ь также произведен расчет энергетического спектра. Установлено, что увеличение числа слоев для данной сверхрешетки ведет к смещению спектра в более длинноволновую область ИК-излучения (с Я — 9, мкм до Я = 11,8мкм при х=0,03).

3. Получены фазовые диаграммы, отражающие влияние упругих напряжений на смещение фазовых равновесий гетеросистем 1п8ЬхВ11х/1п8Ь и Оа8Ь1.х Юа8Ь. Установлено, что при уменьшении температуры эпитаксии уменьшается влияние упругих напряжений на распределение мольных долей компонентов и на коэффициенты распределения компонентов. При увеличении мольной доли висмута в расплаве увеличивается влияние упругих напряжений на распределение компонентов в твердой фазе.

4. Разработана технология получения многослойных структур 1п8Ь]-хВ1х/1п8Ь и Оа8Ь1. хВ1х/Оа8Ъ методом ЗПГТ с принудительной гидравлической сменой растворов в ростовом канале. Данная технология позволяет получать сверхтонкие слои порядка 100 нм.

5. Разработана технология получения многослойных упругонапряженных гетероструктур 1п8Ь]хВ1х/1п8Ь и Оа8Ь}.хВ1х/Са8Ь, в основе которой лежит идея уменьшения времени контакта переохлажденного раствора-расплава с подложкой за счет увеличения скорости перемещения подложки относительно растворов-расплавов в ячейках уменьшенных размеров. Данная технология получает получать слои заданной толщины за счет изменения размеров ячеек, содержащих растворы-расплавы.

6. Решена задача распространения света через структуру с квантовыми ямами ЫБЪ 1. хВ1х/1пБЬ и СаЗЬ]. хВ1х/СаЗЬ. Произведен расчет спектра отражения и пропускания данных структур. Показано, что варьируя число слоев многослойной структуры, можно менять ее показатель пропускания (отражения).

7. Многослойную структуру 1пЗЬ]. хВ1/1пЗЬ можно применять в качестве отражателей (брэгговских зеркал) при числе слоев 11 и более, толщине слоев 0,1 мкм. При угле падения излучения О0 = 0° многослойная структура структура 1пЗЬ? хВ1,/1п8Ъ имеет наибольший коэффициент пропускания, и может быть использована в фотоприемных устройствах с длинной волны.

Я = 7 + П МКМ.

8. На основе многослойной структуры СаЗЪ 1хВ'^СаЗЬ с содержанием висмута в твердой фазе х<0,008 может быть изготовлен квантовый каскадный лазер, работающий на межуровневых переходах с длинами волн излучения л, = 4,5 мкм и Л2 = 8,9-н 13,8 мкм. При расстоянии между зеркалами резонатора примерно 800 мкм пороговая плотность токаимела при Т=300.

• Означение «2,5−106А/м2 (пороговый ток /, Л =230мА).

Показать весь текст

Список литературы

  1. Р.Х. Акчурин, Д. В. Комаров. — ЖТФ, 1997, т. 67, № 7, с. 42.
  2. В.Н., Лунин Л. С., Благин A.B. Градиентная жидкофазная кристаллизация многокомпонентных полупроводниковых материалов. Изд-во РГУ, 2003. 286 с.
  3. В.Г. Дейбук, Я. И. Виклюк, И. М. Раренко. ФТП, 33, 289 (1998).
  4. А.П. Полупроводниковые сверхрешетки. Успехи физических наук, т. 147, вып.З., ноябрь, 1985.
  5. Ж.И. Алферов. ФТП, 32, 3 (1997).
  6. H.H. Леденцов, В. М. Устинов, В. А. Щукин, П. С. Копьев, Ж. И. Алферов, Д. Бимберг. ФТП, 32, 385 (1998).
  7. С. Weisbuch, В. Vinter. Quantum semiconductor structures. Fundamentals and Applications. Academic Press. 1991.
  8. Л.В. ФТТ, 1962, т.4, c.2265.
  9. Chang L.L., Esaki L., Howard W.E., Ludeke R., Schul G. J. Vac. Sei. and Technol., 1973, v. 10, p. 665.
  10. Cho A.Y., Arthur J.R. Progr. Sol. State Chem., 1975, v. 10, p. 157.
  11. Esaki L. Lect. Not. Phys., 1980, v. 133, p. 302.
  12. Esaki L., Tsu R. IBM J. Res. and Develop., 1970, v. 14, p. 61.
  13. Voisin R. Springer Ser. Sol. State Sei., 1984, v. 53, p. 192.
  14. Camras M.D., Brown J.M., Holonyak N. Jr., Nixon M.A., Kalinsky R.W., Ludowise M.J., Dietze W.T., Lewis C.R. J. Appl. Phus., 1983, v. 54, p. 6183.
  15. Dohler G.H. Adv. Phus., 1983, v. 32, p.258.
  16. Ploog K. Springer Ser. Sol. State Sei., 1984, v. 53, p. 220.
  17. Dohler G.H. Phus. Scripta, 1981, v. 24, p. 230.
  18. Esaki L. In: Proc. of Intern. Conference on Phusics of of Herojunctions. — Budapest, 1971, v. 1, p. 383.
  19. .И., Жиляев Ю. В., Шмарцев Ю. В. Ф.Т.П., 1971, т.5, с.
  20. Ploog К., Dohler G.H. Adv. Phys., 1983, v. 32, p. 285.
  21. Haal G.G., Phil. Mag., 43, 338 (1952).
  22. Coulson C.A., Redei L.R., Stocker D., Proc. Soc., A270, 357 (1962).
  23. Leman G., Friedel J., J. Appl. Phys., 33, 281 (1962).
  24. Harrison W.A., Ciraci S., Phys. Rev., BIO, 1516 (1974).
  25. Lannoo M., Decarpigny J.N., Phys. Rev., B8, 5704 (1973).
  26. Harrison W.A., Phys. Rev., B8, 4487 (1973).
  27. Mott N.F., Jones H., Theory of the Properties of Metals and Alloys, Clarendon Press, Oxford, 1936.
  28. Phillips J.C., Bonds and Bands in Semiconductors, Academic Press, New York, 1973.
  29. Harrison W.A., Phys., Rev., B14, 702 (1976).
  30. Herring C., Phys. Rev., 57, 1169 (1940).
  31. Herman F., Phys. Rev., 93, 1214 (1954).
  32. Chelikovsky J.R., Cohen M.L., Phys. Rev., B14, 556 (1976).
  33. Ч. Квантовая теория твердых тел. М.: Наука, 1967.
  34. У. Теория твердого тела. М.: Мир, 1972.
  35. Cardona M.J. Phys. Chem. Solids, 24, 1543 (1963).
  36. Lawaetz P., Phys., Rev., B4, 3460 (1971).
  37. У. Электронная структура и свойства твердых тел. М.: Мир, 1982.
  38. R. Dingle, H.L. Stormer, H.L. Gossard, W. Wiegmann. Appl. Phus. Lett., 33, 665 (1978).
  39. Шик А.Я. ФТП, 1974, т. 8, с. 1841.
  40. Meiman N.N. J. Math. Phys., 1983, v. 24, p. 539.
  41. Bimberg D., Christen J., Steckenborn A. Springer Ser. Sol. State Sci., 1984, v. 53, p. 136.
  42. C., Miller R.C., Dingle R., Glossard A.C., Wiegmann W. -Sol. State Commun., 1981, v. 37, p. 219.
  43. Lambert B., Deveand B., Regreny A., Talalaeff G. Phusika. Ser. B, v. 117−118, p. 717.
  44. Bastard G. Phus. Rev. Ser. B, 1981, v. 24, p. 4714.
  45. Jarosik N.C., McCombe B.D., Shanabrook B.V., Comas J., Wicks G. -In, p. 507.
  46. Mailhot C., Chang Y.C., McGill T.C. Phus. Rev. Ser. B, 1982, v. 26, p.4449.
  47. Tsang W.T. Appl. Phus. Lett., 1981, v. 39, p.786.
  48. Chiu R., Holonjak N. Jr., Vojak B.A., Hess K., Dupuis R.D., Dapkus P.D.-Ibidem, 1980, v. 36, p. l9.
  49. Datta N.K. J. Appl. Phus., 1983, v. 54, p. 1236.
  50. Voisin P. Springer Ser. Sol. State Sei., 1984, v. 53, p. 192.
  51. Ludovise M.J., Dietze W.T., Lewis C.R., Holonyak N.Jr., Hess K., Camras M.D., Nixon M.A. Appl. Phus. Lett., 1983, v. 42, p. 257.
  52. Chin L.S., Smith J.C., Magralit S., Yariv A. Appl. Phus., Lett., 1983, v. 43, p. 331.
  53. Iafrate G. I., Ferry D.K., Reich R.K. Surf. Sei., 1982, v. 113, p. 458.
  54. Esaki L., Chang L.L. Phus. Rev. Lett., 1974, v. 33, p. 495.
  55. Tsu R., Chang L.L., Sai Halasz G.A., Esaki L., Ibidem, 1975, v. 34, p.1509.
  56. Kakalios J., Frietzsche H. Ibidem, p. 503.
  57. Bastard G. Phys. Rev. Ser. B. 1981, v. 24, p. 5693.
  58. Takaoka H., Chang C.A., Mendez E.E., Chang L.L., Esaki L. Physika, Ser. B, 1983, v. 117−118, p. 741.
  59. Mukherji D., Nag B.R. Phus. Rev. Ser. B, 1975, v. 30, p. 651.
  60. Kane E.O. J. Phys. Chem. Sol., 1957, v. 1, p. 249.
  61. Ploog K., Kunzel H. Microelectron. J., 1982, v. 13, p. 111.
  62. Dohler G.N. Phus. Scripta, 1981, v. 24, p. 230.
  63. Л.В. ЖЭТФ, 1958, т. 34, с. 1138.
  64. A. Y. Cho. J. Vac. Sci. Technol., 8, 31 (1971) — A.Y. Cho. Appl. Phus. Lett., 19., 467 (1971).
  65. H.M. Manasevit., Appl. Phus. Lett., 12, 156 (1968).
  66. R.D. Dupuis, R.D. Dapkus. Appl. Phus. Lett., 31, 466 (1977).
  67. G. Osborn. J. Appl. Phus., 53, 1586 (1982).
  68. M. Ludowise, W.T. Dietze, C.R. Lewis, M.D. Camras, N. Holonyak, B.K. Fuller, M.A. Nixon. Appl. Phus. Lett., 42, 487 (1983).
  69. E. Rezek, H. Shichijo, B.A. Vojak, N. Holonyak Jr. Appl. Phus. Lett., 31,534(1977).
  70. Ж.И. Алферов, Д. З. Гарбузов, И. Н. Арсентьев, Б. Я. Бер, JI.C. Вавилова, В. В. Красовский, А. В. Чудинов. ФТП, 19, 1108 (1985).
  71. Ж.И. Алферов, В. М. Андреев, А. А. Воднев, С. Г. Конников, В. Р. Ларионов, К. Ю. Погребицкий, В. Д. Румянцев, В. Д. Хвостиков. Письма ЖТФ, 12, 1089(1986).
  72. Ж.И. Алферов, Д. З. Гарбузов, К. Ю. Кижаев, А. Б. Нивин, С. А. Никишин, А. В. Овчинников, З. П. Соколова, И. С. Тарасов, А. В. Чудинов. Письма ЖТФ, 12, 210 (1986).
  73. Ж.И. Алферов, Н. Ю. Антонишкис, И. Н. Арсентьев, Д. З. Гарбузов, В. И. Колышкин, Т. Н. Налет, Н. А. Стругов, А. С. Тикунов. ФТП, 22, 1031 (1988).
  74. Ж.И. Алферов. ФТП, 1, 436 (1967).
  75. В.Н., Лунин Л. С. Пятикомпонентные твердые растворы соединений АЗВ5 //РРГУ.- 1992.- С. 192.
  76. В.М., Долгинов Л. М., Третьяков Д. Н. Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов. М., 1975. 320 с.
  77. В.Б., Акчурин Р. Х. Физико-химические основы жидкофазной эпитаксии. М., 1983. 221 с.
  78. Deith R.N. Liguid phase epitaxial grow of gallium arsenide under transient thermal conditions // J. Cryst. Grow- 1970−7.1.69−73.
  79. М.Г., Пелевин О. В., Сахаров В. Б. Физико-химические основы получения разлагающихся полупроводниковых соединений. М., 1968. 392 с.
  80. В.М., Сабанова Л. Д. Методы и аппаратура жидкостной эпитаксии. М., 1974. 41 с.
  81. Woodall J.M. Isothermal solution mixing grow of thin GalnAs layers // J. Electrichem. Soc. 1981. — 118.1.150. — 152.
  82. Rode D.L. Isothermal diffusion theory of LPE: GaAs, GaP bubble// J.Cryst. Growth. 1983. — 20.1.13−23.
  83. Hsieh J.J. Thickness and surface morphology of GaAs LPE Lazer growth by supercolling, equilibring-cooling and twophase solution technigues// Ibid.-1977.-№ l.-P. 49−55.
  84. Kusunaku Т., Nakajima К. The effect of growth temperatures and impurity doping on composition of LPE InGaAsP on InP// Ibid 59.387.-392.
  85. А.Ф. Два новых применения явления Пельтье // ЖТФ. 1956. Т. 26. С. 478−482.
  86. В.А., Голубев Л. В., Петросян С. Г., Шик А.Я., Шмарцев Ю. В. Электрожидкостная эпитаксия -1, II // Там же, 1977. Т. 47. Вып. 6.- С. Z306-I3I3,13I4-I3I8.
  87. В.Н., Румянцев Ю. М., Кузнецов Ф. А., Буждан ЯМ. // Процессы роста полупроводниковых кристаллов и пленок. Новосибирск, 1981. С. 67−73.
  88. O.A., Авакян М. С., Аракелян В. Б. Влияние постоянного тока на процессы жидкофазной эпитаксии. Ереван, 1987. С. 57.
  89. В.Н., Лунин Л. С., Попов B.II. Зонная перекристаллизация градиентом температуры полупроводниковых материалов. М., 1987. 232 с.
  90. Ое К., Sugiyama К. «Appl. Phys. Lett.», 1978, v.33, p. 449.
  91. Ю. Б., В. И. Юдаев Начальные стадии формированиял сновой фазы при жидкофазной гетероэпитаксии соединений AB// Новосибирск: ИФП. 1986. 113 с.
  92. В.Н., Лунин Л. С., Николаева Е. А. Получение твердьк растворов методом зонной перекристаллизации AlxGaixAs градиентом температуры // АН СССР. Неорганические материалы. 1975. Т. II. № 7.- С. Д65-П68.
  93. В.Н., Лунин Л. С., Попов В. П. Зонная перекристаллизация Лею AlxGa!.xAs градиентом температуры // Кристаллизация и свойства кристаллов. Новочеркасск, 1975. Вып. 2. С. 90−92.
  94. Л.С., Попов В. П., Салелкин С. И., Сушков В. П. Выращивание эпитаксиальных слоев AlxGai.xAs из жидкой фазы в поле температурного градиента // Там же. 1976. Вып. 3. С. 55−61.
  95. В.И., Лозовский В. Н., Лунин Л. С. и др. Получение толстых эпитаксиальных слоев AlxGaixAs методом зонной перекристаллизации градиентом температуры // Микроэлектроника АН СССР. 1978. Т. 7. Вып. I. С. 70−73.
  96. В. И., Мышкин А. Л., Сысоев И. А., Разумовский П. И. // Кристаллическое совершенство пятикомпонентных гетероструктур AlInGaPAs/GaAs. Оптика полупроводников: Тр. междунар. конф.-Ульяновск: Изд-во УлГУ, 2000. С. 164.
  97. В.Н., Лунин Л. С., Кучерук В. П., Кеда А. И. Распределение Те и Ge в слоях AlxGai.xAs // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1977. Т. 13. № 6. С. 952−955.
  98. В.Н., Лунина О. Д. Эпитаксия варизонных слоев AlxGai xAs в температурного градиента // Там же. 1980. Т. 16. № 2. С. 213−215.
  99. A.B. Зонная перекристаллизация градиентом температуры в многокомпонентных гетеросистемах на основе антимонида индия: Дис. к. т. наук. Новочеркасск, 1996.
  100. Л.С., Благин A.B., Драка O.E. Исследования энергетического спектра в системе квантовых ям для гетеросистемы InSbj. xBix/InSb. // Изв. вузов. Сев.- Кавк. регион. Ест. науки. 2002, № 1. С. 84−87.
  101. Д.Л., Благин A.B., Лунин Л. С. Лавинные фотодиоды на основе сверхрешетки InSb-InSbBi. // Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники: Тр. седьмой междунар. науч.-техн. конф. -Таганрог: ТРТУ, 2000. 4.1. С. 172−174.
  102. A.B. О механизме формирования сверхрешеточных структур в ходе кристаллизации многокомпонентных висмутидов. // Изв. вузов. Сев.-Кавк. регион. Техн. науки. 2000. № 2. С. 78−80.
  103. В.Б., Зиновьев В. Г., Раухман Н. Р. Гетерогенные равновесия в системе In-Sb-Bi и ЖФЭ твердых растворов на основе InSb // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1979. Т. 15. № 10. С. 1740 1743.
  104. И.Е., Шутов C.B., Кумоткина Т. Ф. Выращивание эпитаксиальных слоев арсенида галлия из раствора в расплаве висмута // Изв. РАН. Неорганические материалы. 1995. т.31. № 12. С.1520−1522.
  105. Anthony T.R., Cline Н.Е. The kinetics of droplet migration in solids in an acceleration field // Phil. Mag. 1970. V.22. № 178. P. 893 901.
  106. Р.Х., Акимов О. В. Тонкослойные упругонапряженные гетероструктуры InAsi.x.ySbxBiy/InSb: расчет некоторых физических параметров. // Физика и техника полупроводников. 1995. Т.29. Вып.2. С.362−369.
  107. Clusters of atoms and molecules. // Springer Series in Chemical Physics, Berlin, Heidelberg, Springer Verlag, 1994. V.52.
  108. Jean-Louis A.M., Ayrault В., Vargas J. // Phys. St. Sol. 1969. V.34. P.341.
  109. G.C. Osborn .// J.Vac. Sei. Technol. 1984. V.2. № 2. P. 176.
  110. А.И. Ансельм. Введение в теорию полупроводников. Москва, Наука, 1978, 276с.
  111. G. Bastard, J.A. Brum, R. Ferreira. Electronic states in semiconductor heterostruetures in Solid State Physics, Vol. 44, p.279, New-York, Academic Press, 1991.
  112. JI.Д. Ландау, Е. М. Лифшиц, Квантовая механика. Москва, Наука, 1974.
  113. Jordan A .S., Ilegems М. Solid Liquid Equilibria for Quaternary Solid Solution Involving Compound Semiconductors // J. Phys. and Cem Solids .1975. V. 36. № 4. P. 329−342.
  114. P.X. Акчурин, Д. В. Комаров. ЖТФ, 1997, т. 67, № 7, с. 50.
  115. Gordon R.G., Kim Y.S., J.Chem.Phys., 56, 292 (1972).
  116. Madelung J., Gott. Nach., 100 (1909).
  117. Brown F.C., Physics of Solids, Bengamin, New York, 1967.
  118. Lenard-Jones J.E., Proc. Roy Soc., A 106,441 (1924).
  119. Lenard-Jones J.E., Proc. Roy Soc., A 109,441 (1925).
  120. BernardersN., Phys., Rev., 112, 1534 (1958).
  121. Kittel C. Introduction to Solid State Physics, 5th ed., John Wiley and Sons, New York, 1976.
  122. Kellerman E.W., Phil. Roy. Soc. (London), A238, 513 (1940).
  123. Born M., Huang K., Dynamical Theory of Crystal Lattice, Clarendon Press, Oxford, 1954.
  124. Wallace D.C., Thermodynamics of Crystals, John Willey and Sons, New York, 1972.
  125. P.X. Акчурин, В. Г. Зиновьев. Кристаллография, 27,3 (1982).
  126. N., Yamanaka N., Iwai N., Kasukawa A. // Electron. Lett. 1995. V. 31. N2. P. 104−105.
  127. M.A., Ильин Ю. В., Ильинская Н. Д., Корсакова Ю. А., Лешко А. Ю., Лунев А. В., Лютецкий А. В., Мурашова А. В., Пихтин Н. А., Тарасов И. С. // Письма в ЖТФ. 1995. Г. 21. В. 5. С. 70−75.
  128. Р.Х. // Физико-химические процессы в микроэлектронике. М.: МИХТ, 1990. С. 318−342.
  129. Р.Х., Сахарова Т. В., Жегалин В. А. // Изв. вузов. Сер. Цветные металлы. 1994. Вып. 7. С. 23−27.
  130. Г. Т., Бессолов В. Н., Клименко С. Е. и др. // Письма в ЖТФ. 1985. Т. 11. Вып. 8. С. 465−469. • 136. М. Борн, Э. Вольф, Основы оптики, (М., Наука, 1970).
  131. Intersubband transitions in qantum wells / Ed. E. Rosencher, B. Levine // NATO ASI Series. Ser. B. Phusics. V. 288. Plenum Press. N.-Y. and London, 1992.
  132. Faist J, Capasso F., Sivico D.L. et al. 1994. V. 264. P. 553−556.
  133. Gauthier O.-Lafaye, Sauvage S. Boucaund P. et. al. // Appl. Phus. Lett. 1997. V.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!