Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Исследование и разработка систем когерентного излучения на основе инжекционных лазеров для анализа веществ методами аналитической спектроскопии в ближнем инфракрасном диапазоне

Диссертация: Исследование и разработка систем когерентного излучения на основе инжекционных лазеров для анализа веществ методами аналитической спектроскопии в ближнем инфракрасном диапазоне
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Далее в этой главе представлены результаты исследования лазерных систем в качестве высокостабильных излучателей для спектральных анализаторов параметров нефтепродуктов. Перспективность рассматриваемых анализаторов обусловлена сочетанием преимуществ лазерных источников и метода спектроскопии без непосредственной интерпретации оптических данных. При анализе спектральной системы используются… Читать ещё >

Исследование и разработка систем когерентного излучения на основе инжекционных лазеров для анализа веществ методами аналитической спектроскопии в ближнем инфракрасном диапазоне (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Глава 1. Модель генерации инжекционного лазера
    • 1. 1. Спектральные характеристики 11 излучения инжекционного лазера с собственным резонатором
    • 1. 2. Модель излучения инжекционного 27 лазера с внешним резонатором. Условия достижения устойчивой одномодовой генерации инжекционного лазера с оптической обратной связью
  • Глава 2. Спектральные характеристики излучения инжекционных лазеров с внешними резонаторами
    • 2. 1. Селекция мод генерации и ширина 48 линии излучения инжекционного лазера с коротким внешним резонатором
    • 2. 2. Спектр излучения и перестройка длины 69 волны генерации инжекционного лазера с внешним дисперсионным резонатором
    • 2. 3. Инжекционный лазер с 87 многозеркальным внешним волоконным резонатором
  • Глава 3. Применение инжекционных лазеров в спектральных аналитических системах
    • 3. 1. Исследование лазерной системы для 113 спектроскопии газов в ближнем ИК-диапазоне
  • Сравнение с анализатором газов на основе теплового источника излучения
    • 3. 2. Анализ лазерной системы для 123 оптического контроля параметров нефтепродуктов

Для развития оптического приборостроения и, в частности, техники аналитической спектроскопии, требуются высокостабильные источники лазерного излучения, обладающие широкими возможностями по управлению параметрами генерации.

Одним из наиболее распространенных и перспективных типов лазеров являются инжекционные лазеры (ИЛ). Широкое применение ИЛ обусловлено их техническими параметрами: миниатюрностью, простотой управления, высокой эффективностью преобразования энергии накачки в когерентное излучение. Однако, отличительной особенностью ИЛ являются широкая полоса линии усиления, высокий уровень спонтанного излучения в активной области, низкая добротность резонатора. Все это обуславливает склонность ИЛ к многомодовой генерации и ограничивает минимально возможную ширину линии излучения доминирующих мод генерации.

В связи с этим актуальной является задача управления спектральными характеристиками излучения ИЛ. Наиболее эффективным методом контроля спектров ИЛ является использование внешних резонаторов. Оптическая связь собственного резонатора ИЛ с внешним отражателем приводит к сложному, специфичному для полупроводниковых лазеров, формированию спектра генерации. В такой оптической системе возможно достижение одночастотного спектра с перестраиваемой длиной волны излучения.

В настоящее время этот класс квантовых генераторов превратился в одно из наиболее динамично развивающихся направлений квантовой электроники. Постоянно усложняющиеся прикладные задачи современной физики обуславливают все возрастающий интерес к дальнейшим исследованиям таких квантовых генераторов и разработке их новых вариантов, наиболее полно отвечающих разнообразным областям их применений. Вместе с тем, развитие физики инжекционных лазеров и совершенствование оптической элементной базы позволяет создавать новые поколения таких квантовых генераторов.

Таким образом, актуальным является дальнейшее развитие физических моделей генерации ИЛ с внешними резонаторами с учетом эффектов переотражения излучения во внешнем плече резонатора, исследование физических процессов в таких лазерах с целью повышения стабильности одночастотного спектра, совершенствование лазеров на основе применения новых интегрально-оптических и волоконных элементов.

В результате создания новых вариантов одночастотных инжекционных лазеров открываются возможности по дальнейшему развитию систем аналитической спектроскопии. Поэтому, представляет интерес исследование и разработка аналитических систем на основе созданных лазеров и решение актуальных прикладных задач спектроскопии.

В частности, является актуальной задача по исследованию методов детектирования малых примесе паров водыв газовых смесях по обертоновым линиям поглощения с использованием одночастотных лазерных систем ближнего РЖ-диапазона. Актуальность данной задачи обуславливается, в значительной мере, возможностью создания высокотехнологичных приборных вариантов лазерных газоанализаторов в этом спектральном диапазоне.

Кроме того, особый интерес представляет исследование новых методов лазерного анализа органических жидкостей (в частности, нефтепродуктов). В этой области аналитической спектроскопии применение одночастотных лазерных систем открывает принципиально новые возможности по повышению точности определения физико-химических параметров органических веществ и впервые делает возможным осуществлять дистанционный контроль характеристик вещества с использованием технологичной волоконной оптики. Поэтому, актуальной является задача по исследованию возможностей создания лазерных аналитических систем, адаптированных для спектрального анализа нефтепродуктов.

Таким образом, исследование физики инжекционных лазеров с внешними резонаторами и создание на этой основе новых вариантов излучателей, открывает возможности по решению актуальных задач прикладной аналитической спектроскопии. Эти проблемы и определили цель данной работы.

Целью данной работы является исследование и разработка новых вариантов высокостабильных одночастотных лазерных систем на основе экспериментального и теоретического исследования спектральных характеристик генерации инжекционных лазеров с внешней оптической обратной связью, а также развитие, на основе созданных оптических систем, методов контроля параметров газообразных и органических веществ.

Представленные результаты являются итогом многолетнего цикла исследований спектрально-селективных систем. Проведенные исследования позволяют создавать сложные лазерные системы и оптоэлектронные устройства, наиболее полно реализующие потенциальные возможности лазерных источников излучения. Такие системы могут эффективно использоваться в различных областях физики и технике, в частности в спектральном анализе газов и органических веществ.

Первая часть работы посвящена анализу спектров излучения инжекционного лазера с внешним резонатором, проанализировано влияние различных физических факторов на спектральный состав излучения.

Во второй главе исследованы спектральные характеристики излучения разработанных в данной работе новых вариантов инжекционных лазеров с внешними резонаторами, которые представляют собой дальнейшее развитие лазерных систем данного класса. В этой главе приведены экспериментальные результаты, полученные для инжекционных лазеров с высокодобротными внешними резонаторами, короткими резонаторами и внешней многозеркальной волоконной системой.

В третьей главе рассматривается применение спектрально-селективных систем на основе одночастотных лазеров для анализа газов и жидкостей. Разработанная лазерная система газового анализа с применением многопроходовой кюветы позволила достичь высокой чувствительности детектирования паров воды по обертоновым линиям поглощения в ближнем ИК-диапазоне.

Далее в этой главе представлены результаты исследования лазерных систем в качестве высокостабильных излучателей для спектральных анализаторов параметров нефтепродуктов. Перспективность рассматриваемых анализаторов обусловлена сочетанием преимуществ лазерных источников и метода спектроскопии без непосредственной интерпретации оптических данных. При анализе спектральной системы используются результаты изучения нефтепродуктов с помощью специально разработанного высокочувствительного спектрометра ближнего ИК-диапазона. В данном разделе изучены характеристики лазерных излучателей, определяющие точность оптических измерений параметров нефтепродуктов и рассматриваются перспективы развития систем лазерного анализа.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

В заключение сформулируем основные результаты, полученные в данной работе.

1. Исследована устойчивость одночастотной генерации инжекционного лазера с внешним резонатором с учетом амплитудно-частотной связи оптического поля в активной области и влияния оптической обратной связи. Предложены пути повышения стабильности одночастотного спектра генерации перестраиваемого лазера.

2. Предложен и реализован ИЛ с длинным внешним дисперсионным резонатором на основе дифракционной решетки и призменного внутрирезонаторного расширителя лазерного пучка, а также с использованием резонансного отражателя и электрооптического фильтра. Достигнута и исследована перестройка длины волны излучения в спектральном диапазоне, определяемом шириной линии усиления.

3. Предложен и разработан ИЛ с коротким интегральным сферическим внешним резонатором. Исследованы спектральные и перестроечные характеристики излучения, показана возможность достижения на таком лазере широкодиапазонной перестройки длины волны излучения без переключения мод генерации.

4. Предложен и разработан ИЛ с внешним резонатором, содержащим микролинзу, с длиной, сравнимой с оптической длиной активной области лазера. Исследованы спектральные характеристики лазера и показано, что в лазере достигается одновременное сужение ширины линии генерации и эффективная селекция продольных мод излучения.

5. Исследовано оптическое согласование лазерного волновода и пассивного волновода. Предложен и разработан метод оптического согласования ИЛ с внешним волоконным резонатором с использованием микролинз.

6. Предложен и разработан ИЛ с внешним многозеркальным волоконным резонатором. Исследована селекция мод излучения, показано, что в таких системах достигается генерация на одной моде внешнего резонатора с возможностью перестройки длины волны излучения и сужения ширины линии генерации.

7. Разработана газоаналитическая система на основе одночастотного ИЛ и многопроходовой газовой ячейкиопределены условия, при которых лазерный анализатор ближнего ИК-диапазона является эффективнее газоанализаторов с тепловыми источниками излучения.

8. Предложено применение ИЛ в оптических анализаторах нефтепродуктов. Исследовано определение параметров топлива на основе спектроскопии с применением регрессионных методов расчета оптических данных и определены оптимальные характеристики одночастотных ИЛ, предназначенных для использования в спектральных анализаторах бензинов.

Показать весь текст

Список литературы

  1. S., Nilsson О., Yamamoto Y. «Oscillation center frequency tuning, quantum FM noise and direct frequency modulation characteristics in external grating loaded semiconductor lasers» // 1. EE J.Quant.Electron.- 1982 -V.QE-18,P.961.
  2. J. «Intermodulation and harmonic distortions of laser diode with optical feedback» // J. Lightwave Technol. 1991 -V.9,P.1567.
  3. M.F., Rocha J.F., Pinto J.L. «Noise and modulation performance of Fabri-Perot and DFB semiconductor lasers with arbitrary external optical feedback» /ЛЕЕ Proc.J. 1990 -V.137,P.361.
  4. Schremer A.T., Tahg C.L. External cavity semiconductor laser with 1000 GHz continuous piezoelectric tuning range" // IEEE Photon.Technol.Lett. 1990 -V.2,P.3.
  5. Favre F., Le Guen D. «820 nm of continuous tunability for an external cavity semiconductor laser» //Electron.Lett. -1991 -V.27,P.183.
  6. Э.М., Величанский ВЛ., Зибров А. С. и др. «Методы сужения линии генерации инжекционного лазера» // Квантовая электроника 1983 — Т.10, С. 1232.
  7. С.J., Osmundsen J.M. «Linewidth stabilization of semiconductor lasers in an external cavity» // J.Opt.Commun. 1984 -V.5,P.42.
  8. C.H., Teshima M., Ohtsu M. «FM characteristics and compact modules for coherent semiconductor laser coupled to an external cavity» // IEEE Photon.Technol.Lett. 1990 -V.2,P.167.
  9. J.O., Cormach G.D. «Mode selection and stability of a semiconductor laser with weak optical feedback» //IEEE J.Quant.Electron.- 1989 -V.25,P.2255.
  10. J., Petermann K. «A simple analytic expression for the stable operation range of laser diodes with optical feedback» // IEEE J.Quant.Electron. 1990 -V.QE-26,P.833.
  11. R.P. «Diode lasers coupled to external resonators» // Appl.Phys. 1979 -V.20, P.l.
  12. M.W., Mooradian A. «Spectral characteristics of external-cavity controlled semiconductor lasers» // IEEE J.Quant.Electron. 1981 -V.QE-17,P.44.
  13. P.А., Штофич C.B. «Многочастотная генерация в инжекционных полупроводниковых лазерах» // ФТП 1982 -Т.16,С.1327.
  14. W., Burnham R.D., Scifres D. «An analitic study of GaAlAs gain guided lasers at threshold» // IEEE J.Quant.Electron. 1982 -V.QE-1S, P.856.
  15. M. «Theory of mode competition noise in semiconductor injection lasers» // IEEE J.Quant.Electron. 1986 -V.QE-22,P. 1052.
  16. H.C., Stern F. «Consentration-dependent absorption and spontaneous emission of heavily doped GaAs» // J.Appl.Phys. 1976 -V.47,P.361.
  17. W.P. «Optical transitions involving impurities in semiconductors» //Phys.Rev. 1963 -V. 132, P. 1998.
  18. Л.А. «Асимптотический характер пороговых условий и многомодовости излучения лазера» // Квантовая электроника (СБ. Статей) 1972 — № 5, С. 94.
  19. ЮЛ., Курленков С. С., Шидловский В. Р. и др. «Влияние пороговых условий на спектральные и шумовыехарактеристики инжекционных лазеров с узким полосковым контактом» // Краткие сообщения по ыизике 1985 — № 3, С. 11.
  20. R., Kobayashi К. «External optical feedback effects on semiconductor injection laser properties» // IEEE J.Quant.Electron. 1980 -V.QE-16,P.347.
  21. C.H., Kazarinov R.F. «Instability of semiconductor lasers due to optical feedback from distant reflectors» // IEEE J.Quant.Electron. -1986 -V.QE-22JP.294.
  22. M., Buus J. «Linewidth broadening factor in semiconductor lasers An Overview» // IEEE J.Quant.Electron. -1987 -V.QE-23,P.9.
  23. A. «Homogeneous linewidth and linewidth enhancement factor for a GAAs semiconductor laser» // J.Phys.D.:Appl.Phys. 1986 -V.19,P.7.
  24. L.D., Adams M.J. «Simple expressions for the linewidth enhancement factor in direct-gap semiconductors» // IEEE Proc. 1987 -V.134,P.209.
  25. C.H. «Theory of the linewidth of semiconductor lasers» // IEEE J.Quant.Electron. 1982 -V.QE-18JP.259.
  26. C.H., Vahala K., Yariv A. «Measurement of the linewidth enhancement factor a of semiconductor lasers» // Appl.Phys.Leet. 1983 -V.42,P.328.
  27. I.D., Collins J.V. «Measurement of the semiconductor laser linewidth broadening factor» //Electron.Lett. 1983 -V.19,P.927.
  28. P., Piazzolla S., Tamburrini M. «Theory of noise in semiconductor lasers in the presence of optical feedback» // IEEE J.Quant.Electron. 1984 -V.QE-20,P.350.
  29. P., Piazzolla S. «Frequency and intensity noise in injection-locked semiconductor lasers. Theory and experiment» // ШЕЕ J.Quant.Electron. 1986 -V.QE-22JP.427.
  30. Т., Ohya J., Serizawa H. «Correlation between intensity noise and longitudinal modes of a semiconductor laser coupled to an external cavity» //J.Appl.Phys. 1985 -V.57,P.1753.
  31. J.H., Cade N. «Influence of optical feedback on laser frequency spectrum and threshold conditions» // ШЕЕ J.Quant.Electron. 1983 -V.QE-19JP.465.
  32. H., Fujita Т., Ohya J. «Theoretical analysis of longitudinal mode coupling in external cavity semiconductor lasers» // ШЕЕ J.Quant.Electron. 1985 -V.QE-21,P.284.
  33. H.F., Dandridge A., Weller J. «Spectral characteristics of semiconductor lasers with optical feedback» // ШЕ Trans. Microwave Theory and Techn. 1982 -V.MTT-30,P.401.
  34. R.C. «Coherence length and output power of GaAlAs single mode diode lasers» // Appl.Opt. 1985 -V.24,P.1400.
  35. P., Piazzolla S., Tamburrini M. «Phase noise in semiconductor lasers : a theoretical approach» // ШЕЕ J.Quant.Electron. -1983 -V.19,P.1195.
  36. W., Golel E.O., Kuhl J. «Coherence properties of gain-and index-guided semiconductor lasers» // ШЕЕ J.Quant.Electron. 1983 -V.QE-19, P.981.
  37. W. «Multimode effects in the spectral linewidth of semiconductor lasers» // ШЕЕ J.Quant.Electron. 1985 -V.21,P.687.
  38. Т., Mukai Т., Mikami O. «Theoretical analysis and fabrication of antireflection coatings on laser-diode facets» // J. Lightwave Technol. 1985 -V.LT-3,P.288.
  39. Serenyi M., Habermeier H.-U. «Directly controlled deposition of antireflection coatings for semiconductor lasers» I I Appl.Opt. 1987 -V.26JP.845.
  40. R.J. «Facet reflectivity and low-frequency noise in the light output of LED and superradiant diodes» // IEEE J. Quant.Electron. -1989 -V.25,P.1653.
  41. Т., Yamamoto Y. «Noise in an AlGaAs semiconductor laser amplifier» // ШЕЕ J.Quant.Electron. 1982 -V.4,P.564.
  42. Biesterbos J.W.M., den Boef A.J. «High-frequency noise in the output of DH (AlGa)As injection lasers with different structures and waveguidingmechanisms» //IEEE J.Quant.Electron. 1981 V.17,P.701.
  43. Ito Т., Machida S., Nawata K., Ikegami T. «Intensity fluctuation in each longitudinal mode of a multimode AlGaAs laser» // EEEE J.Quant.Electron. 1977 -V.QE-13,P.574.
  44. A., Taylor H.F. «Correlation of low-frequency intensity and frequency fluctuations in GaAlAs lasers» // IEEE Trans. Microwave Theory and Techn. 1982 -V.30JP.1726.
  45. Yee Т.К. «Analysis of the intensity noise of nearly single longitudinal mode semiconductor lasers» // IEEE J.Quant.Electron. 1986 -V.QE-22,P.275.
  46. А.Г., Елисеев П. Г., Охотников О.Г, и др. «Взаимодействие мод и автостабилизация одночастотной генерации в инжекционных лазерах» // Квантовая электроника 1983- Т. 10, С. 1851.
  47. В.Н., Маругин А. В., Харчев А. В., Цареградский В. Б. «Исследование устойчивости одночастотной генерации инжекционного лазера с внешним резонатором» // Изв. вузов. Радиофизика 1993 — Т. 36, № 2, С. 167 — 178.
  48. L.J., Cassidy D.T. «Alignment tolerances of short-external-cavity InGaAsP diodes lasers for use as tunable single-mode source» //Appl.Opt. 1989 -V.28,P.4622.
  49. H.H., Колбасников A.H., Курносов В. Д. и др. «Исследование характеристик одночастотного полупроводникового лазера с внешним резонатором» // Квантовая электроника 1990 -Т. 17, С. 42.
  50. Jianlin W., Hanyi Z., Qun W. «Single-mode characteristics of short coupled cavity semiconductor lasers» // IEEE J. Quant.Electron. -1987 -V.QE-23,P.1005.
  51. K., Burrus C., Bosch F. «Graded-index-rod external coupled cavity laser with backface output-monitor-stabilized single-frequency operation» //J.Lightwave Technol. 1985 -V.LT-3,P.985.
  52. Van der Ziel J.P., Mikulyak R.M. «Single-mode operation of 1,3 mm InGaAsPAnP buried crescent lasers using a short external optical cavity» // IEEE J.Quant.Electron. 1984 -V.QE-20,P.223.
  53. Yamamoto Y., Hayashi H., Miyauchi N. et al «Stable single-longitudinal-mode operation in visible AlGaAs semiconductor lasers coupled with a short external cavity» // J.Appl.Phys. 1987 -V.61,P.870.
  54. Hamada K., Shimizu H., Wada H. et al «A new monolitic composite-cavity GaAlAs laser» // IEEE J.Quant.Electron. 1986 -V.QE-22,P.2187.
  55. B.H., Красильщиков А. С., Маругин A.B. и др. «Одночастотный GaAs/GaAlAs инжекционный лазер с интегральным коротким внешним резонаторов» // Журнал прикладной спектроскопии -1991 Т. 54, № 2, С. 316 — 319.
  56. H., Imai H., Sasaki M. «Intensity noise of InGaAsP/InP lasers under the influence of reflection and modulation» // Opt.Commun. 1983 -V.46,P.315.
  57. B.H., Красильщиков A.C., Маругин A.B. «Одночастотиый лазер с узкой линией генерации на основе многомодового инжекционного излучателя с внешним резонатором малой длины» // Журнал технической физики 1991 — Т. 61, вып. 6, С. 172 — 175.
  58. В.Н., Маругин А. В. и др. «Способ изготовления противоастигматического средства инжекционного лазера» // Авт. свид. № 1 797 440 от 08.10.1992 г.
  59. В.Н., Маругин А. В. и др. // «Способ юстировки короткого внешнего резонатора инжекционного лазера» // Авт. свид. № 1 616 470 от 22.08.1990 г.
  60. N.A., Henry С.Н. «Narrow linewidth 1,5 mm semiconductor laser with a resonant optical reflector» //Appl.Phys.Lett. -1987 -V.51,P.1141.
  61. Matthews M.R., Cameron K.H., Wyatt R. et al «Packaged frequency-stable tunable 20 KHz linewidth 1,5 mm InGaAsP external cavity laser» //Electron.Lett. 1985 -V.21,P.113.
  62. В., Mork J. «Nonlinear injection locking dynamics and the onset of coherence collapse in external cavity lasers» /7 IEEE J.Quant.Electron. 1990 -V.QE-26,P.642.
  63. J., Tromborg В., Mark J. «Chaos in semiconductor lasers with optical feedback» // IEEE J.Quant.Electron. 1992 -V.QE-28,P.93.
  64. H., Fujita Т., Fujito K. «Intensity fluctuation in semiconductor laser coupled to external cavity» // IEEE J.Quant.Electron. 1985 -V.QE-21JP.46.
  65. J., Petermann K. «Noise characteristics of PCM-modulated single-mode semiconductor laser diodes with distant optical feedback» // ГЕЕ Proc. J, 1990 -V.137,P.385.
  66. K.E., Small M.B. «Noise properties of semiconductor lasers due to optical feedback» // IEEE J.Quant.Electron. 1984 -V.QE-20,P.472.
  67. Fujita Т., Ishizuka S., Fujito K. et al «Intensity noise suppression and modulation characteristics of a laser diode coupled to an external cavity» // IEEE J.Quant.Electron. 1984 -V.QE-20,P.492.
  68. J.S., Wittirete F., Hoogerland M.D. «Optical spectra of a semiconductor laser with incoherent optical feedback» // IIII J.Quant.Electron. 1990 -V.QE-26,P.982.
  69. M. «Transverse and longitudinal mode control in semiconductor injection lasers» // IEEE J.Quant.Electron. 1983 -V.QE-19JP.1365.
  70. R.F., Henry C.H., Logan R.A. «Longitudinal mode self-stabilization in semiconductor lasers » // J.Appl.Phys. 1982 -V.53,P.4631.
  71. Acket A.G., Lenstra D., Den Boef A.J. «The influence of feedback intensity on longitudinal mode properties and optical noise inindex-guided semiconductor lasers» // IEEE J.Quant.Electron. 1984 -V.QE-20,P.1163.
  72. N., Petermann K. «Numerical analysis of the feedback regimes for a single mode semiconductor laser with external feedback» // IEEE J.Quant.Electron. 1988 -V.QE-24JP. 1242.
  73. I.P., Eisenstein G., Stulz L.W. «Measurement of the modal reflectivity of an antireflection coating on a superluminescent diode» // IEEE J.Quant.Electron. 1983 -V.QE-19JP.493.
  74. Lam Sin Cho L.A., Smowton P.M., Thomas B. «Spectral gain measurements for semiconductor laser diodes» // ШЕ Proc. 1990 -V.1990,P.64.
  75. B.W., Paoli T.L. «Gain spectra in GaAs double-heterostructure injection lasers» // J.Appl.Phys. 1975 -V.46,P.1299.
  76. Ogasawara N., Ito R. «Longitudinal mode competition and asymmetric gain saturation in semiconductor lasers II. Theory» // Jap.J.Appl.Phys.Pt. 1 1988 -V.27,P.615.
  77. M.J. «Linewidth of a single mode in a multimode injection laser» //Electron.Lett. 1983 -V.19JP.652.
  78. M. «Single mode operation of semiconductor injection lasers» // IEEE Trans. Circuits and Syst. 1979 -V.26,P.1055.
  79. Y., Akiba S. «Measurement of spontaneous-emission factor of AlGaAs double-heterostructure semiconductor lasers» // IEEE J.Quant.Electron. 1977 -V.QE-13,P.596.
  80. К. «Calculated spontaneous emission factor for double-heterostructure injection lasers with gain-induced waveguiaing» /'/' IEEE J.QuantElectron. 1979 -V.QE-15,P.566.
  81. T.L., Koren U. «Semiconductor laser for coherent optical fiber communications» //J. Lightwave Technol. 1990 -V.8JP.274.
  82. Olesen H., Saito S., Mukai T. et al «Solitary spectral linewidth and its reduction with external grating feedback for a 1,55 mm InGaAsP BH-lasers» //Jap.J.Appl.Phys. 1983 -V.22,P.L664.
  83. J.M., Burrus C.A., Raybon G. «High-stability 1,5 mm external cavity semiconductor lasers for phase lock applications» // IEEE Photon.Technol.Lett. 1989 -V.1,P.159.
  84. Boshier M.G., Berkeland D., Hinds E.A. et al «External cavity frequency stabilization of visible and infrared semiconductor lasers for high resolution spectroscopy „// Opt.Commun. -1991 -V.85,P.355.
  85. N.A., Hoggan S., Mangan J. „Intensity stabilization of an Ar-laser using an electrooptic modulator Performance and limitations“ //Appl.Phys. — 1986 -V.B-39,P.148.
  86. Favre F., Le Guen D. „Spectral properties of a semiconductor laser coupled to a single mode fiber resonator“ // IEEE J.Quant.Electron. -1985 -V.QE-21,P.1937.
  87. Y.K., Liou K.Y. „Linewidth reduction of cleaved-coupled cavity lasers by optical feedback from a single-mode polarisation preserving fibre external cavity“ //Electron.Lett. 1985 -V.21,P.1146.
  88. M., Hoppe W. „Distributed feedback laser line narrowing with external fiber resonators“ // Appl.Phys.Lett. 1988 -V.52,P.1936.
  89. Duan G.H., Favre F., Le Guen D. „FM noise and linewidth reduction in a 1,5 mm InGaAsP DFB laser coupled to an external fiber resonator“ //Opt.Commun. 1988 -V.66,P.lll.
  90. В.Н., Маругин А. В., Харчев А. В. „Сужение ширины линии инжекционных излучателей внешним резонатором“ /У Техника средств связи, сер. РИТ 1990 — № 5, С. 30 — 37.
  91. В.Н., Маругин А. В., Харчев А. В. „Инжекционный лазер с внешним волоконным резонатором“ // Авт. свид. № 1 602 328 от 22.06.1990 г.
  92. В.Н., Красильщиков А. С., Маругин А. В., Харчев А. В. „Инжекционный лазер на двойной гетероструктуре“ // Авт. свид. № 1 797 439 от 08.10.1992 г.
  93. Lee K.S., Barpes F.S. „Microlenses on the end of single-mode optical fiber for laser applications“ // Appl.Opt. 1985 -V.24,P.3134.
  94. B.H., Красильщиков A.C., Маругин А. В. „Согласование одномодовых световодов с инжекционными лазерами с помощью микролинз из оптического компаунда“ // Радиотехника 1990 — № 12, С. 86 — 88.
  95. Sarcar S.N., Pal В.Р., Thyagarajak К. „Lens coupling of laser diodes to monomode eliptic core fibers“ // J.Opt.Commun. 1986 -V.7,P.92.
  96. Joyce W.B., De Loach B.C. „Alignment-tolerant optical fiber tips for laser transmitters“ // J. Lightwave Technol. 1985 -V.3,P.755.
  97. B. „New analysis of LED to single-mode fibre coupling“ // Electron.Lett. 1986 -V.22,P.1176.
  98. U., Petermann K. „Hie semiconductor laser linewidth due to the presence of side modes“ // IEEE J.Quant.Electron. 1988 -V.24,P.2355.
  99. D., Mooradian A. „Output power and temperature dependence of the linewidth of single frequency CW GaALAs diode lasers“ //Appl.Phys.Lett. 1982 -V.40,P.865.
  100. J.M., Mooradian A. „Linewidth reduction of semiconductor lasers“ I I Proc.l Int. laser Sci.Conf., Tex., 1985, NY 1986 -C.183.
  101. P., Clairon A., Breant C. „Frequency noise analysis of optically self-locked diode lasers“ // IEEE J.Quant.Electron. 1989 -V.QE-25,P.1131.
  102. Schiellerup G., Pedersen R.J.S., Olesen H. et al „Center frequency shift and reduction of feedback in directly modulated external cavity lasers“ // IEEE Photon.Technol.Letts. 1989 -V. 1, P.288.
  103. B.H., Маругин A.B., Харчев A.B. „Амплитудные шумы инжекционных излучателей с внешним резонатором“ // Техника средств связи, сер. РИТ 1990 — № 2, С. 16 — 24.
  104. Hui R., Wu Y. „Noise and frequency chirping in external-cavity semiconductor lasers“ // Opt.Letts. 1989 -V.14,P.668.
  105. N., Petermann K. „Stability analysis for laser diodes with short external cavities“ // IEEE Photon.Technol.Letts. 1989 -V.1,P.49.
  106. K., Garmire E. „Low-frequency intensity noise resonance in an external cavity GaAs laser for possible laser characterization“ // IEEE J.Quant.Electron. 1989 -V.QE-25,P.1800.
  107. D.R., Mickelson A.R., Beausoleil R.G. „Semiconductor laser stabilization by external optical feedback“ // IEEE J.Quant.Electron. -1991 -V.QE-27,P.352.
  108. A.R., Lion K.Y., Tkach R.W. “ Simple narrow-linewidth 1,5 mm InGaAsP DFB external cavity laser» //Electron.Lett. -1986 -V.22JP.88.
  109. Chen H.-L. «Application of laser absorption spectroscopy» //Laser Spectr. and Appl., NY, P.261−350, 1987.
  110. F., Hoogerland H.D., Woerdman J.P. «Semiconductor lasers for spectroscopy» //Meas.Sci. and Technol. V.2,P.304−311, 1991.
  111. Lucchesini A., DeirAmico L., Longo I. et al. «Diode laser spectroscopy: water vapor detection in the atmosphere» //Nuovo cim.D. V.13,P.677−685, 1991.
  112. T.J., Wienhold F.G. Burrows J.P. «Frequency modulation spectroscopy at 1,3 Mm using InGaAsP lasers» //Appl.Opt., V.30,P.407−413.
  113. Rigis H., Carlisle C.B., Carr L.W. et al. «Design of an open path near-infrared diode laser sensor: application to oxygen, water and carbon dioxide vapor detection» // Appl.Opt. 1994 — V.33, N.30, P.7059−7066.
  114. V.N., Marugin A.V. «Laser infrared spectroscopy system for water vapor concentration control» // Proceedings of SPIE, 1995 V. 27, N. 13, P. 481 -484.
  115. L., Riris Н., Cartisle С.В. «Comparison of approaches to modulation spectroscopy with GaAlAs semiconductor lasers: application to water vapor» Appl.Opt., V.27,P.2071−2077, 1988.
  116. Д. «Прикладная инфракрасная спектроскопия», М&bdquo- «Мир», 1970.
  117. J. J., Barlow С.Н., Jinguji Т.М., Callis J.B. «Prediction of gasoline octane numbers from near-infrared spectral features in the range 660−1215 nm»// Analitical Chemistry 1989 — V.61, N.4, P.313−320.
  118. J.J., Callis J.B. " Nondestructive analytical procedure for simultaneous estimation of the major classes of hydrocarbon constituents of finished gasolines" // Analitical Chemistry 1990 — V.62, N.14, P. 14 441 451.
  119. Д. «Линейный регрессионный анализ», М., «Мир», 1980.
  120. Н.В. «Лекции по квантовой электронике», М., «Наука», 1983.125. «Laboratory determination of octane number in gasoline by NIR analysis», Guided Wave, Application Brief N. B2−289,1997.
  121. И.В. «Оптические спектральные приборы», М., «Машиностроение», 1984.
  122. В.Ю., Королев В. Н., Кусакин С. А. «Способ определения октанового числа топлива» // Патент на изобретение № 2 094 776 от 27.10.1997 г.
  123. F., Hoogerland М., Woerdman J. «Semuconductor laser for spectroscopy» // Means. Sci. Technol. -1991- V.2, P.304.
  124. C., Rivera G. «Use of LEDs as light sources in photoacoustic cw spectroscopy» // Means. Sci. Technol. 1990- V. l, P. 1257.
  125. G., Strutt M.J. «Laser emission noise and voltage noise of GaAs CW laser diodes» //Electron.Lett. 1968 -V.4,P.408.
  126. H., Tako T. «Relation between frequency and intensity stabilities in AlGaAs semiconductor lasers» // Jap.J.Appl.Phys. -1983 -V.22,P.1152.
  127. A., Taylor H.F. «Correlation of low-frequency intensity and frequency fluctuations in GaAlAs-lasers» // IEEE J.Quant.Electron. 1982 -V.QE-18,P.1738.
  128. K., Okoshi T. «Estimation of linewidth enhancement factor of AlGaAs lasers by correlation measurement between FM and AM noises» // IEEE J.Quant.Electron. 1985 -V.QE-21,P.669.
  129. Liu P.L. «Power fluctuations in the side modes of injection lasers» // J. Lightwave Technol. 1985 -V.3,P.205.
  130. В.Н., Маругин А. В., Харчев А.В., Цареградский
  131. B.Б. «Стабилизация амплитуды, излучения полупроводниковых лазерных диодов» // Журнал технической физики 1989 — Т.59, N.8,1. C.38−44.
  132. А.В., Харчев А. В., Цареградский В. Б. «НЧ флуктуации мощности излучения отдельной продольной моды инжекционного лазера»// Журнал технической физики 1994 — Т.64, вып.5, С.62−71.
  133. R.J., Vahala K.J., Yariv A. «The effect of spatially dependent temperature and carrier fluctuation on noise in semiconductor lasers» // IEEE J.Quant.Electron. 1985 -V.QE-21,P.443.
  134. G. «Low-frequency intensity fluctuations of CW DH GaALAs-diode lasers» // Electron.Lett. 1976 -V. 12, P.562,
  135. T.L., Ripper J.E. «Observation of intrinsic quantum fluctuations in semiconductor lasers» // Phys.Rev. A 1970 -V.2,P.2551.
  136. Fronen R.J., Vandamme L.K.J. «Low-frequency noise in semiconductor lasers» // IEEE J.Quant.Electron. 1988 -V.QE-24,P.724.
  137. R.J. «Wavelength dependence of 1/f noise in the light output of laser diodes: an experimental study» // IEEE J.Quant.Electron. -1990 -V.QE-26,P.1724.
  138. Vandamme L.K.J., Boer J.R. «1/f noise in the light output of laser diodes» // Proc.8 Int.Conf.Noise in Phys.Syst. BV. 1986 -P.381.
  139. Л.З. «Справочник по основам инфракрасной техники», М., «Сов.радо», 1978.
  140. В. А., Столповский А. А. «Устройство стабилизации режима работы полупроводникового лазера» // Автометрия 1988 — N.2, С. 104.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!