Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Гидротермальный рост кристаллов берлинита и ортофосфата галлия — структурных аналогов ?-кварца

Диссертация: Гидротермальный рост кристаллов берлинита и ортофосфата галлия — структурных аналогов ?-кварца
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Кристаллография-98″ (Сыктывкар, 1998), на 4-ой Международной конференции «Кристаллы: рост, свойства, реальная структура, применение» (Александров, 1999), на 5-ой Международной материаловедческой конференции (Пекин, Китай, 1999), на 11-ой Американской конференции по росту кристаллов и эпитаксии (Аризона, США, 1999), на 3-ей Международной конференции по высокотемпературным растворам (Бордо… Читать ещё >

Гидротермальный рост кристаллов берлинита и ортофосфата галлия — структурных аналогов ?-кварца (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Глава 1. Минералогия, кристаллохимия и методы синтеза берлинита и ортофосфата галлия. Ю
    • 1. 1. Генезис и морфология кристаллов АПЮ4 и ОаРС>4. Ю
    • 1. 2. Выращивание кристаллов ряда берлинит — ортофосфат галлия
  • Глава 2. Техника и методика эксперимента
  • Глава 3. Растворимость берлинита и ваРОд в гидротермальных растворах ортофосфорной и серной кислот
  • Глава 4. Гидротермальное выращивание кристаллов берлинита
    • 4. 1. Выращивание монокристаллов берлинита из фосфорно-и сернокислых растворов
    • 4. 2. Получение крупных кристаллов берлинита
    • 4. 3. Морфология кристаллов синтетического берлинита
    • 4. 4. Влияние примесей на кристаллизацию берлинита и получение твёрдых растворов А1РС>4−0аР
  • Глава 5. Гидротермальный синтез ортофосфата галлия
    • 5. 1. Спонтанная кристаллизация ОаРС>4 из фосфорнокислых растворов
    • 5. 2. Морфология кристаллов ортофосфата галлия
    • 5. 3. Эпитаксиальное срастание в ряду кварц — берлинит — ортофосфат галлия
  • Глава 6. Физические свойства берлинита
    • 6. 1. Оптические и люминесцентные характеристики
    • 6. 2. Электрические свойства берлинита
    • 6. 3. Образование оптически активных дефектов

Актуальность темы

.

Берлинит (А1Р04) является редким минералом, а кристаллы 0аР04 пока синтезированы лишь в лабораторных условиях. Эти химически и радиационно стойкие структурные аналоги а-БЮг перспективны как рабочие элементы новых акустоэлектронных устройств, функционирующих на поверхностных и объёмных акустических волнах благодаря высоким значениям пьезомодуля и коэффициента электромеханической связи (у СаР04 более чем в 2 раза) по сравнению с а-кварцем. Это обеспечивает конструирование миниатюрных высокопроизводительные приборов, широкополосных фильтров, перестраиваемых резонаторов и других. Кроме того, их способность сохранять пьезоэлектрические константы до высоких температур (например, у галлиевого ортофосфата до ~ 900 °С) позволяет эксплуатировать такие устройства в экстремальных условиях. Таким образом, потребность в новых более совершенных материалах и отсутствие природного сырья определяют приоритеты искусственного получения крупных монокристаллов берлинита и ортофосфата галлия. Их синтез представляет также интерес для развития общих представлений о кристаллизации и кристаллохимии фосфатов.

Как показала практика выращивания других слабо растворимых в воде минералов, в частности, кварца, кальцита и цинкита, а также наличие фазовых превращений до ~ 950 °C у ортофосфатов алюминия и галлия, наиболее перспективным представляется метод их гидротермального синтеза. «Мягкие» температурные условия предполагают выращивание совершенных кристаллов контролируемого состава, что создаёт перспективу модифицировать их электрофизические свойства. Поэтому исследование процессов кристаллизации и разработка физико-химических основ получения кристаллов алюминиевых и галлиевых фосфатов и их твёрдых растворов в гидротермальных условиях, в том числе и с примесями, является актуальной задачей. Цель работы.

Представленная к защите работа нацелена на:

1) оптимизацию гидротермального синтеза кристаллов орто-фосфатов алюминия и галлия;

2) разработку способа получения крупных монокристаллов берлинита, пригодных для изготовления пьезоизделий;

3) исследование изоморфизма в системе А1РС>4 — ваРС^ и возможности эпитаксиального выращивания кристаллов ортофосфата галлия на кварцевой и берлинитовой подложках.

В этих рамках были поставлены и решены следующие основные задачи:

• исследование гидротермальной перекристаллизации берлинита в области ретроградной растворимости;

• получение крупных кристаллов А1Р04;

• изучение условий спонтанной кристаллизации и морфологии кристаллов ортофосфата галлия;

• выращивание монокристаллов берлинита с примесями и твёрдых растворов (А1, Са) Р04;

• изучение морфологии и физических свойств монокристаллов берлинита.

Личный вклад автора.

В основу диссертации положены результаты экспериментов по изучению растворимости А1РС>4 и ваРС^ в фосфорнои сернокислых растворах, по кристаллизации берлинита (в том числе и с примесями) и твёрдых растворов А11хСахР04, по спонтанной кристаллизации ваРС^ и его эпитаксии на кварцевых и берлинитовых подложках, выполненных автором с 1991 по 2001 г. За это время проанализировано свыше 70 спектров светопропускания и люминесценции А1РС>4, изучено более 60 рентгенотопограмм и 25 дифрактограмм, а также приготовлены все образцы для изучения электрических и оптических свойств кристаллов берлинита. Научная новизна.

— По результатам экспериментальных исследований гидротермальной кристаллизации берлинита из фосфорнои сернокислых растворов и растворимости в сернокислых растворах конкретизированы условия его получения в низкотемпературной области (до 300 °С).

— Созданы основы технологии выращивания крупных кристаллов берлинита из сернокислых гидротермальных растворов выше 200 °C.

— Изучены условия спонтанной кристаллизации из фосфорнокислых растворов и растворимость ортофосфата галлия в фосфорнои сернокислых гидротермальных системах. Оптимизирован режим получения кристаллов как шихты для последующей перекристаллизации.

— Исследованы условия эпитаксиального срастания ортофосфата галлия с кварцем и берлинитом и получены кристаллы ваРОд на подложках а-ЗЮг разной ориентации.

— Выращены кристаллы берлинита из гидротермальных растворов с примесями ва, Бе, Мп, 1п, Со, V, Сг и экспериментально установлен совершенный изоморфизм в системе А1Р04-СаР04 выше 200 °C.

Практическая ценность.

— Разработан способ получения на затравках однородных кристаллов берлинита до 145 мм вдоль кристаллографической оси у для устройств пьезои акустоэлектроники.

— Лабораторная технология получения ортофосфата галлия на кварцевых подложках открывает перспективы выращивания больших совершенных монокристаллов этого материала.

— Вхождение в структуру А1РС>4 ионов ва3+ и Ре3+, как показали результаты его физических исследований, позволяет синтезировать кристаллы с новыми свойствами. Основные защищаемые положения.

1. Скорость эпитаксиального роста граней пинакоида кристаллов ортофосфата галлия на кварцевых подложках базисного среза замедляется в присутствии ионов лития в гидротермальной системе, способствующих повышению однородности наросшего слоя ваРОд и, следовательно, получению качественных затравок для разращивания этих монокристаллов в фосфорнои сернокислых растворах.

2. В системе берлинит — ортофосфат галлия экспериментально установлен совершенный изоморфизм выше 200 °C, что позволяет реализовать на практике структурное замещение алюминия на галлий в области ретроградной растворимости.

3. Гидротермальное выращивание однородных моноблоков берлинил та (~ 7−8 см) для устройств пьезои акустоэлектроники возможно ниже 300 °C по двухэтапной технологии: 1) эпитаксиальная кристаллизация А1РС>4 на кварцевых подложках- 2) последующее его использование в качестве затравок для получения монокристаллов из 6 М растворов серной кислоты при 220−260 °С. Апробация работы и публикации.

Результаты работы были представлены на следующих национальных и международных конференциях: на 48-ом симпозиуме по контролю частоты (Бостон, США, 1994), на 13-м Российском совещании по экспериментальной минералогии (Черноголовка, 1995), на 2-ом Европейском симпозиуме по пьезоэлектрическим материалам: кристаллический рост, свойства и перспективы (Монпелье, Франция, 1997), на 3-ей Международной конференции «Кристаллы: рост, свойства, реальная структура, применение» (Александров, 1997), на Международной конференции по росту и физике кристаллов, посвященной памяти М. П. Шаскольской (Москва, 1998), на Втором Уральском кристаллографическом совещании.

Кристаллография-98″ (Сыктывкар, 1998), на 4-ой Международной конференции «Кристаллы: рост, свойства, реальная структура, применение» (Александров, 1999), на 5-ой Международной материаловедческой конференции (Пекин, Китай, 1999), на 11-ой Американской конференции по росту кристаллов и эпитаксии (Аризона, США, 1999), на 3-ей Международной конференции по высокотемпературным растворам (Бордо, Франция, 1999), на 12-ой Американской конференции по росту кристаллов и эпитаксии (Колорадо, США, 2000), на Международной научной конференции «Кинетика й механизмы кристаллизации.» (Иваново, 2000), на 6-ом Международном симпозиуме по гидротермальным реакциям и 4-ой Международной конференции по высокотемпературным растворам (Коши, Япония, 2000), на 3-м Европейском симпозиуме по пьезоэлектрическим материалам: кристаллический рост, свойства и перспективы (Монпелье, Франция, 2000), на 9-ой Национальной конференции по росту кристаллов (Москва, 2000), на 13-ой Американской конференции по росту кристаллов и эпитаксии (Берлингтон, США, 2001), на 13-ой Международной конференции по росту кристаллов и 11 -ой Международной конференции по росту из газов и эпитаксии (Киото, Япония, 2001), на конференции «Кристаллогенезис и морфология», посвященной памяти профессора Г. Г. Леммлейна (г. Санкт-Питербург, 2001), на 5-ой Международной конференции «Кристаллы: рост, свойства, реальная структура, применение» (г. Александров, 2001).

Основные положения диссертации отражены в 41 печатной работе в виде статей и тезисов докладов Структура и объём диссертации.

Диссертация состоит из введения, 6 глав, заключения, списка литературы и приложения. Общий объём работы составляет 159 страниц, включая 68 рисунков и 10 таблиц.

Список литературы

насчитывает 154 наименований. В приложение вынесены 5 таблиц, отражающих условия и.

Выводы.

1. Изучена растворимость берлинита в гидротермальных 2-ЮМ растворах серной кислоты, а также ортофосфата галлия в 6,5- 12 М и 2−6М растворах ортофосфорной и серной кислот, соответственно, ниже 300 °C. Ретроградный характер растворимости в интервале 150−270 °С вызван изменением механизма разложения в жидкой фазе легко растворимых гидратных комплексов.

2. Созданы методики перекристаллизации А1РС>4 из 8,7 М Н3РО4 и 6 М Н2804 растворов в условиях обратного температурного перепада. В сернокислых средах получен берлинит с низким содержанием аквакомплексов и улучшенными электрофизическими характеристиками, близкими к теоретическим.

3. Разработан новый способ двухстадийного получения крупных кристаллов берлинита: эпитаксиальный рост берлинита на кварцевой подложке с последующим использованием его в качестве затравки при перекристаллизации в 6 М растворе Н2804 выше 200 °C. В результате выращены кристаллы берлинита до 145 мм по оси^, пригодные для пьезо-и акустоэлектронных устройств.

4. Исследованы условия выращивания кристаллов берлинита с примесями 1п, Со, Сг, Бе, ва, Мп и V. Показано, что только ионы ва3+ и Ре3+ изоморфно входят в их структуру. Установлена линейная зависимость параметров элементарных ячеек от состава кристаллов твёрдых растворов А11хОахР04(0 < х < 1), что указывает на совершенный изоморфизм в системе А1РС>4 — СаР04 при этих температурах.

5. Разработана методика спонтанной кристаллизации ортофосфата галлия из фосфорнокислых растворов, обеспечивающая наибольший выход кристаллов размером не менее 5 мм при концентрации растворителя Н3Р04 11−12М, АТ = 6−10 °С и скорости нагрева 4−5 °С/сут. Из 5,6−15М растворов ортофосфорной кислоты в температурном интервале 150−260 °С получены кристаллы ортофосфата галлия трёх габитусных типов. Степень развития граней ромбоэдров г, z и я, призмы m и, особенно, пинакоида с зависит от условий синтеза. Для кристаллов GaPC>4 характерны те же двойники, что для кварца и берлинита: бразильские, дофинейские и смешанные (закон Лейдольта).

6. Определены концентрация и термобарические параметры синтеза ортофосфата галлия на кварцевых подложках в гидротермальных условиях: в 11 М растворе Н3РО4 методом непрерывного повышения температуры в интервале 150−270 °С на кварцевых затравках выращены кристаллы GaP04 толщиной до 5 мм. Использование их в качестве затравок в дальнейших опытах по перекристаллизации, как и в случае с берлинитом, открывает перспективу получения, крупных кристаллов GaP04.

7. Исследованы оптические и люминесцентные свойства выращенных кристаллов берлинита. Они имеют высокую прозрачность в широком диапазоне энергий, что актуально для оптических материалов с полосой пропускания до 7 эВ. Анизотропия электрических свойств кристаллов берлинита, выращенных из фосфорнои сернокислых растворов, существенно отличается от аналогичной характеристики кварца. Удельное объёмное сопротивление (р) вдоль оси z на 1−1,5 порядка больше, чем по оси х, и составляет 10,4−8-10'5 Ом-см. На температурных зависимостях удельного объёмного сопротивления образцов берлинита впервые зафиксирован фазовый a-? переход. Проведённые исследования спектров поглощения, кругового дихроизма и ЭПР берлинита позволили выявить происхождение некоторых наиболее распространённых в нём оптически активных дефектов, уточнить их природу и энергетическую структуру.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Г., Циммер З. Х. Минералогический словарь, М.: Недра, 1987, с. 494.
  2. .Н. Основы общей химии, М.: Химия, 1969, т. 1, с. 519.
  3. А.Г. Минералогия, М.: Госуд. изд-во геолог, литер-ры, 1950, с. 956.
  4. Krauss U. and Lehmann G. Z. Naturforsch. (1975), v. 30a, p. 28.
  5. Goiffon A., Baule G., Astier R. Rev. Chim. Miner. (1983), v. 20, p. 338.
  6. Blomstrand C. W. Journ Pract. Chemie (1868), v. 105, p. 338.
  7. Blomstrand C.W. Ak. Stockholm, OfV. (1868), v. 25, p.198.
  8. Дж.Д., Дэна Э. С., Пэлач Ч., Берман Г., Фрондель К. Система минералогии, М.: Иностр. Лит., 1954, том II, полутом 2-й, с. 590.
  9. Huttenlocher H.F. Z. Kristallogr. (1935), v. 90, р. 508.
  10. Strunz Н. Z. Kristallogr. (1941), v. 103, р. 228.
  11. Brill R. and de Brettevill A. Amer. Mineralogist. (1948), v. 33, p. 750.
  12. Brill R. and de Brettevill A. Acta Crystallogr. (1955), v. 8, p. 567.
  13. Mooney R.C.L. Acta Crystallogr. (1956), v. 9, p. 728.
  14. Sharan B. and Dutta B.N. Acta Crystallogr. (1964), v. 17, p. 82.
  15. Schwarzenbach D. Z. Kristallogr. (1966), v. 123, p. 161.
  16. Kosten K., Arnold H. Ibid. (1941), v. 152, p. 147.
  17. Philippot E., Goiffon A. Ibanez A. and Pintard M. J. Solid State Chem. (1994), v. 110, p. 356.
  18. Philippot E., Goiffon A., Ibanez A. J. Crystal Growth (1996), v. 160, p. 268.
  19. Kosten K. and Arnold H. Z. Kristallogr. (1980), v, 152, р. 119.
  20. Beck W.R. J. Am. Ceram. Soc. (1949), v. 32, p. 147.
  21. Tromel G. und Winkhaus B. Fortschr. Mineral. (1949) v. 28, p. 82.
  22. Winkhaus B. Neues Jarb. Mineral. Abhandl. (1951), v. 83, р. 1.
  23. Tromel G. und Obst K.H. Arch. Eisenhuttenwesen (1955), v. 26, p. 307.
  24. Schafer E.C. und Roy R. Z. Phys. Chem. (1957), v. 11, p. 30.
  25. Florke O.W. und Lachenmayr H. Ber. Dtsch. Keram. Ges. (1962), v. 39, p. 55.
  26. Florke O.W. Z. Kristallogr. (1967), v. 125, p. 134.
  27. Schafer E.C., Roy R. Am. Ceram. Soc. (1956), v. 39, p. 330.
  28. Cohen L.H. and Klement W. Philos. Mag. (1979), v. 39, p. 399.
  29. Perloff A. J.Am. Ceram. Soc. (1956), v. 39, p. 83.
  30. Rey T. Z. Kristallogr. (1966), v. 123, p. 263.
  31. Дж., Дэна Э. С., Фрондель К. Система минералогии. Минералы кремнезёма, М.: Мир, 1966, т. 3, с. 430.
  32. Stanly J.M. Ind. Eng. Chem. (1954), v. 46, p. 1684.
  33. M. С., M.: ВИНИТИ, 1985, № 8340 B85 Деп.
  34. T.B., Володина С. В. Труды Моск. химико-технол. инст. (1985), т. 137, с. 73.
  35. Вугарра К., Venkatachalapathy V. and Puttaraj В. J. Mater. Sei. (1984), v. 19, p.2855.
  36. Вугарра K., Srikantaswamy S. and Shashidhara Prasad J. J. Mater. Sei. Letters (1986), v. 5, p. 690.
  37. Вугарра К., Srikantaswamy S., Gopalakrishna G.S. and Venkatachalapathy V. J. Mater. Sei. (1986), v. 21, p. 2202.
  38. A.A., Миронова Г. С., Зверева O.B. Моломина M.B. Рост кристаллов, М.: 1988, т. 17. с. 142.
  39. Jahn W., Kordes Е. Chem Erde (1953.), v. 16, p. 75.
  40. Dachille F., Roy R. Ibid. (1959), v. Ill, № 3, p. 161.
  41. Baumgartner О., Preisinger A., Krempl P. W., Mang H. Z. Kristallogr. (1984), v. 168, p. 83.
  42. Kolb E.D., Glass A.M., Rosenberg R.L., Grenier J.C. and Laudise R.A. Proc. IEEE Ultrasonics Symp., 1982, p. 332.
  43. Smith G.S. and Alexander L.E. Acta Crystallogr. (1963), v. 16, p. 801.
  44. М.П. Акустические кристаллы. M.: Наука, 1982, с. 632.
  45. A. de Schulten C.R. Acad. Sci. (1884), v. 98, p. 1583.
  46. П.П. Гидротермальное выращивание кристаллов берли-нита, в том числе с изоморфными примесями. Канд. диссерт., Александров, 1989.
  47. Chang Z.P. and Barsch G.R. Proc. IEEE Trans. Sonics Ultrason. SU-23, 1976, p. 127.
  48. Carr P. H and O’Connel R.M. Proc. 33th Annual Freg. Control Symp., 1976, p. 129.
  49. O’Connel R.M. and Carr P.H. Proc. 31st Freg. Control Symp., 1977, p. 182.
  50. Jhunjhunwala A., Vetelino J. F. and Field J. C J. Appl. Phys. (1977), v. 48, p. 887.
  51. Morency D.G., Soluch W., Vetelino J. F., Mittleman D., Harmon D., Surek S., Field J.C. and Lehmann G. Appl. Phys. Lett. (1978), v. 33, p. 117.
  52. Morency D.G., Soluch W., Vetelino J. F., Mittleman D., Harmon D., Surek S., Field J.C. Proc. 32st Freg. Control. Symp., 1978, p. 196.
  53. O’Connel R.M. and Carr P. H. Proc. 32st Freg. Control Symp., 1978, p. 189.
  54. Ozimek E.J. and Chai B.H.T. H. Proc. 33rd Freg. Control Symp., 1979, p. 80.
  55. Kolb E. D. and Laudise R. A. Proc. 31st Annual Freg. Control Symp., 1977, p.179.
  56. Kolb E.D. and Laudise R.A. J. Crystal Growth (1978), v. 43, p. 313.
  57. DetaintJ., Feldmann M., Henaff J., Poignant H., Toudic Y. Proc 33rd Annual Freg. Control Symp., 1979, p. 70.
  58. Croxall D. F., Christie T.R.A., Tsherwood B. J., Todd A.G. and Birch J 2nd Europ. Conf. Ciyst. Growth, 1979, p. 549.
  59. Poignant H., de Marechal L., Toudic Y. Mater. Res. Bull. (1979), v. 14, p. 603.
  60. Detaint J., Poignant H., Toudic Y. Proc 34th Freg. Control Symp., 1980, p. 93.
  61. В. H. Т., Shand M.L., Buchler and Gilleo M.A. Proc. IEEE Ultrasonics Symp., 1979, p. 577.
  62. Kolb E.D., Barns R.L., Laudise R.A. and Grenier J.C. J. Crystal Growth (1980), v. 50, p. 404.
  63. Kolb E.D. and Laudise R.A. Proc. 35th Freg. Control Symp., 1981, p. 291.
  64. Kolb E. D., Barns R.L. and Laudise R. A. J. Crystal Growth (1981), v. 51, p. 178.
  65. Kolb E.D. and Laudise R.A. J. Crystal Growth (1982), v. 56, p. 83.
  66. NagaiK., Ogawa Т., Okuda J., AcaharaJ. and Taki S. Proc. 1st Inter. Symp. on Hydrothermal Reactions, 1982, p. 496.
  67. Hasegawa K., Minegishi K. and Somiya S. Proc. 1st Inter. Symp. on Hydrothermal Reactions, 1982, p. 509.
  68. Detaint J., Philippot E., Jumas J. C., Schwartzel J., Zarka A., Capelle В., Doukhan J. C. Proc. 39th Annual Freq. Symp., 1985, p. 234.
  69. Byrappa K., Shashidhara Prasad J. and Srikantaswamy S. J. Cryst. Growth (1986), v. 79, p. 232.
  70. Byrappa K., Srikantaswamy S., Gopalakrishna G.S. and Venkatachalapathy V. J. Mater. Sci. Letters (1986), v. 5, p. 347.
  71. Byrappa K., Srikantaswamy S., Gopalakrishna G.S. and Venkatachalapathy V. J. Mater. Sci. Letters (1986), v. 5, p.203.
  72. Byrappa K., Srikantaswamy S. and Shashidhara Prasad J. J. Mater. Sci. Letters (1986), v. 5, p. 495.
  73. Coiffon A., Jumas J.C., Astier and Philippot E. J. Crystal Growth (1985), v. 71, p. 763.
  74. A.A., Миронова Г. С., Зверева O.B. Кристаллография (1986), т. 31, вып. 6, с. 1205.
  75. Т.Н., Лютин В. И., Шванский П. П., Хаджи В. Е. Тез. докл.
  76. Всесоюз. конф. «Актуальные проблемы получения и применения сегнето- и пьезоэлектрических материалов», 1984, ч. II, с. 279.
  77. Е., Coiffon A., Jumas J. С., Avines С., Detaint J., Schwartzel J., Zarka A. 42nd Ann. Freg. Control Symp., 1988, p. 138.
  78. Jumas J.C., Coiffon A., Capelle В., Zarka A., Doukhan J.C., Schwartzel J., Detaint J. and Philippot E. J. Crystal Growth (1987), v. 80, p. 133.
  79. П.П., Лютин В. И., Хаджи B.E. Тез. докл. 7 Всесоюз. конф. по росту кристаллов, 1988, т. II, с. 158.
  80. А.А. Тез. докл. 7 Всесоюз. конф. по росту кристаллов, 1988, т. И, с. 160.
  81. Вугарра К. Indian. J. Phys. (1989), v.63a, p. 303.
  82. Philippot E., Coiffon A., Maurin M., Detaint J., Schwartzel J., Toudic Y., Capelle B. and Zarka A. J. Crystal Growth (1990), v. 104, p. 713.
  83. П.П., Лютин В. И., Хаджи B.E., Урусов B.C. Неорганические материалы (1990), т. 26, № 5, с. 1052.
  84. В.И., Ярославский И. М. Кристаллография (1984), т. 29, вып. 4, с. 827.
  85. А.А., Ярославский И. М., Пополитов В. И., Умаров Б. С., Ильяев А. Б. Докл. Акад. наук СССР (1985), т. 284, № 4, с. 881.
  86. В.И., Ярославский И. М. Кристаллография (1988), т. 33, вып.1, с. 225.
  87. Zarka A., Capelle В., Zheng Y., Schwartzel J., Detaint J., Buisson X., Toudic Y. Proc 46nd IEEE Freg. Control Symp., 1992, p. 696.
  88. Hirano S., Shibata K., Miwa K. and Naka S. J. Japan Assoc. Crystal Growth (1985), v. 12, p. 1000.
  89. Hirano S., Miwa K. and Naka S. J. Crystal Growth (1986), v. 79, p. 215.
  90. Chai B.H.T., Buchler E., Flynn J.J. Pat. (USA) Europ. Pat. Appl. Publ. No 5 773, Priority 30.01.81.
  91. Mang H., Engel G. F. German Patent Specification No 3 309 598 (published 1986).
  92. .Н., Пополитов В. И., Симонов М. А., Якубович О. В., Ярославский И. М. Кристаллография (1987), т. 32, вып. 2, с. 486.
  93. Cochez М., Ibanez A., Goiffon A. and Philippot Е. Eur. J. Solid State Chem. (1993), v. 30, p. 509.
  94. Philippot E.,. Ibanez A., Goiffon A Cochez M., Zarka A., Capelle В., Schwartzel J. and Detaint J. J. Crystal Growth (1993), v. 130, p. 195.
  95. A.C., Зверева O.B., Мининзон Ю. М. Кристаллография (1994), т. 39, вып. 4, с. 717.
  96. Philippot Е. Current Topics in Crystal-Growth Res. (1994), v. 1, p. 83.
  97. A.I. Mottchanyi, P. P Shvansky. Proc. 3rd Intern. Confer, on Solvothermal Reactions, 1999, p. 73.
  98. A.I. Mottchanyi, P. P Shvansky and N.I.Leonyuk. J. Crystal Growth (2000), v.211, p. 506.
  99. Jacobs K., Hofmann P., Reichow J. Proc. 3rd European Workshop on Piezoelectric Materials: Crystal Growth, Properties & Prospects (EWPM), 2000.
  100. Engel G., Krempl P.W. Proc. 2nd European Frequency and Time Forum, 1988, p. 827.
  101. Engel G., Klapper H., Krempl P.W. and Mang H. J. Crystal Growth (1989) v. 94, p.597.
  102. Philippot E., Ibanez A., Goiffon A., Zarka A., Capelle В., Schwartzel J. and Detaint J. Proc. IEEE Freg. Control Symp., 1992, p. 744.
  103. Detaint J., Schwartzel J., Joly C., Capelle В., Zarka A., Zheng Y.,
  104. Toudic Y., Philippot E. Proc. 6th Eur. Freg. and Time Forum, 1992, p.222.
  105. Detaint J., Schwartzel J., Zarka A., Capelle В., Denis J.P., Philippot E. Proc Int. Freg. Control Symp., 1994, p. 58.
  106. Krempl P.W., Krispel F., Wallnofer W. and Leprecht G. Proc. 9th Eur. Freg. and Time Forum, 1995, p. 66.
  107. Capelle В., Zarka A., Detaint J., Schwartzel J., Ibanez A., Philippot E. and Denis J.P. Proc IEEE Inter. Freg. Control Symp., 1994, p. 48.
  108. Zarka A., Capelle В., Detaint J., Palmier D., Philippot E., Zvereva O.V. Proc IEEE Inter. Freg. Control Symp., 1996 p. 66.
  109. Zarka A., Capelle В., Detaint J., Palmier D., Zvereva O.V., Philippot E. Proc. 10th Eur. Freg. and Time Forum, 1996, p. 86.
  110. O.B., Мининзон Ю. М. Кристаллография (1992), т. 137, вып. 4, с. 1051.
  111. Demianets L.N., Zvereva O.V. Proc. 3rd Intern. Confer, on Solvothermal Reactions, 1999, p. 71.
  112. Demianets L.N.. Proc. 3rd European Workshop on Piezoelectric Materials: Crystal Growth, Properties & Prospects (EWPM), 2000.
  113. Yot P., Palmier D., Cambon O., Goiffon A., Pintard M., Philippot E. Ann. Chim. Sei. Mat. (1997), v.22, p. 679.
  114. Krispel F., Krempl P.W., Knoll P., Wallnofer W. Proc. 11th Eur. Freg. and Time Forum, 1997, p. 66.
  115. Wallnofer W., Krempl P.W., Krispel F., Willfurth V. J. Crystal Growth (1999), v. 198/199, p. 487.
  116. Cambon O., Yot P., Balitsky D., Goiffon A., Philippot E., Capelle В., Detaint J. Proc. 3rd European Workshop on Piezoelectric Materials: Crystal Growth, Properties & Prospects (EWPM), 2000.
  117. Detaint J., Capelle В., Cambon О., Philippot E. Proc. 3rd European Workshop on Piezoelectric Materials: Crystal Growth, Properties & Prospects (EWPM), 2000.
  118. Worsch P.M., Krempl P.W., Reiter С., Thanner H. and Wallnofer W. Proc. 3rd European Workshop on Piezoelectric Materials: Crystal Growth, Properties & Prospects (EWPM), 2000.
  119. И.Б. Выращивание кристаллов кварца, легированных примесными элементами, и двуокиси кремния кварцевоймодификации во фторидных гидротермальных растворах. Канд. диссерт., Александров, 1974.
  120. В.JI. Исследование процессов кристаллизации и изоморфизма в ряду кальцит-отавит. Канд. диссерт., Александров, 1980.
  121. Kennedy G.C. Econ Geol. (1950), v. 45, p. 629.
  122. Kennedy G.C., Wosserlery c.J., Heord H.C., Newton A.C. Amer. J. Sei. (1962), v.260, p. 501.
  123. В.П., Брятов JI.B. В кн.: Рост кристаллов, М.: Изд-во АН1. СССР, 1957, сс. 505−510.
  124. Т.Б., Демьянец Л. Н. В кн.: Рост кристаллов из высокотемпературных растворов. М.: Наука, 1977, сс. 43−65.
  125. А.Н., Кузьмина И. П., Лазаревская O.A. В кн.: Гидротермальный синтез и выращивание кристаллов, М.: Наука, 1982, сс. 26−39.
  126. Р., Паркер Р. Рост монокристаллов, М.: Мир, 1974, с. 540.
  127. Philippot Е., Palmier D., Pintard M. and Goiffon A J. of Solid State Chemistry (1996), v. 123, p. 1.
  128. Л. И., Балакирев В. Г. Докл. АН СССР (1981), т. 259, № 4, с. 846.
  129. A.A., Гиваргизов Е. И., Багдасаров Х. С., Кузнецов В. А., Демьянец Л. Н., Лобачёв A.B. Современная кристаллография, М.: Наука, 1980, т. 3, с. 407.
  130. А. Прикладная ИК- спектроскопия, М.: Мир, 1982, с. 328.
  131. .А., Полянский Е. В. и др. Синтез минералов, Александров: ВНИИСИМС, 2000, т.1, с. 662.
  132. И.Д., Мейльман М. Л., Мотчаный А. И., Шванский П. П. Тез. докл. Ш Международной конференции «Кристаллы, рост, свойства, структура, применение», 1999, с. 117.
  133. Falconer R. S., Vetelino J. F. Infrared Measurements Temperature Proc. IEEE Ultrasonics Symp., 1985, v. 1, p. 241−245.
  134. DetaintJ., ZarkaA., Capelle В., Toudic Y., Schwartzel J. Philippot E., Jumas J. C., Goiffon A., Doukhan J. C. Proc. 40th Ann. Freq. Control Symp., 1986, p. 101.
  135. Steinberg R.F., Roy M.K., Estes A.K., Chai B.H.T., Morris R.C. Proc. IEEE Ultrasonics Symp., 1984, p. 279.
  136. G. Zimmerer Status report on luminescence investigation with synchrotron radiation at HASYLAB. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A308 (1991), p. 178.
  137. Л.И., Зверева О. В., Мининзон Ю. М., Никитенко В. А., Прунцев А. П., Савихина Т. И., Стоюхин С. Г. Кристаллография (1992), т. 37, вып. 6, с. 1569.
  138. Mason W.P. Piezoelectric Crystals and Their Applications to Ultrasonics, New York, 1950.
  139. E. Ф., Даньков И. А., Иванников В. И., Абдурашитова Э. А., Хатамов Ф. Ш., Зверева О. В., Штернберг А. А. В кн.: Измерение параметров преобразователей и материалов для акустооптической и оптоэлектронной аппаратуры, М., 1988, сс. 25−29.
  140. Н., Хи В., Liu X., Han J., Shan S. and Li H. J. Cryst. Growth (1986), v. 79. part 1, p. 227.
  141. И. M., Алешко-Ожевский О. А., Писаревский Ю. В., Штернберг А. А., Миронова Г. С. Физика твёрдого тела (1987), т. 29. вып. 11. с. 3454.
  142. И. М., Писаревский Ю. В., Зверева О. В., Штернберг А. А. Кристаллография (1987), т. 32, вып. 3, с. 792.
  143. D. S., Andle J. С., Lee D. L., Soluch W. and Vetelino J. F. Proc. Ultrasonics Symp., 1983, v. 1, p. 335.
  144. В. Г., Иванов А. Т., Осипова Л. П., Фирсова М. М. Труды Всесоюз. научно-исслед. инст. пьезооптич. минер, сырья. 1962. т. VI. с. 161.
  145. BechmannR. Physical Review. (1958), v. 110, p. 1060
  146. Ecolivet С., Poignant H. Phys. Stat. Sol. (1981), v. 63, p. 107.
  147. Lang R., Calvo C. and Datars W. R. Canadian J. of Physics (1977), v. 55, p. 1613.
  148. А.Ю., Штернберг A.A., Миронова Г. С., Зверева О. В., Гречушников Б. Н. Кристаллография (1987), т. 32, вып. 3, с. 786.
  149. Алешко-Ожевский О.П., Зверева О. В., Погосян A.C., Безделкин В. В. Кристаллография (1990), т. 35, вып. 4, с. 939.
  150. Halliburton L.E., Kappers L. A, Armington A.F., Larkin J. J. Appl. Phys. (1980), v. 51, p. 2193.
  151. Christie D.M., Troullier N., Chelikowsky J.R. Solid State Comm.(1996), v. 98, p. 923.
  152. Lehmann G. Zeit. Physikal. Chem. (1970), v. 72, p. 279.
  153. Schmitz В., Lehmann G. Chem.Phys. Letters (1979), v. 63, p. 438.
  154. Meilman M. L., Ryabov I.D., Mottchanyi A.I. and Chvanski P.P. Proc. 3rd
  155. European Workshop on Piezoelectric Materials: Crystal Growth, Properties & Prospects (EWPM), 2000.
  156. В.И., Мотчаный А. И. Труды III Межд. конф. «Кристаллы: рост, свойства, реальная структура, применение», Александров, 1997, т. 1, с. 31.
  157. Requardt А., Lehmann G., Phys. Stat. Sol. (1985), v. 127, p. 695.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!